JP2016164970A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016164970A JP2016164970A JP2015236336A JP2015236336A JP2016164970A JP 2016164970 A JP2016164970 A JP 2016164970A JP 2015236336 A JP2015236336 A JP 2015236336A JP 2015236336 A JP2015236336 A JP 2015236336A JP 2016164970 A JP2016164970 A JP 2016164970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- extending
- extending portion
- pad portion
- electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 159
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 167
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
(1)平面形状が五角形以上の多角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極とを備える発光素子であって、
前記第1電極は、第1パッド部と、前記多角形の重心と同じ位置に中心をもち、かつ前記第1パッド部が内側で接する仮想円に沿って前記第1パッド部から延伸する第1延伸部と、前記第1延伸部とは反対側に前記第1パッド部から前記仮想円に沿って延伸する第2延伸部と、を有することを特徴とする。
(2)平面形状が五角形以上の多角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極とを備える発光素子であって、
前記第1電極は、第1パッド部と、前記第1パッド部から前記多角形の重心と同じ位置に中心を持つ仮想円に重なるように延伸する第1延伸部と、前記第1延伸部とは反対側に前記第1パッド部から前記仮想円に重なるように延伸する第2延伸部と、を有し、
前記第1パッド部は、前記仮想円に対して内側に偏在することを特徴とする。
(3)平面形状が六角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極とを備える発光素子であって、
前記第1電極は、前記六角形を構成する一辺の近傍に配置される第1パッド部と、前記第1パッド部から前記六角形の重心と同じ位置に中心を持つ仮想円に沿って延伸する第1延伸部と、前記第1延伸部とは反対側に前記第1パッド部から前記仮想円に沿って延伸する第2延伸部と、を有し、
前記第2電極は、前記仮想円よりも内側に配置されており、前記六角形を構成する一辺に対向する他辺の近傍に配置される第2パッド部を有することを特徴とする。
(半導体層)
半導体層は、発光素子における発光部である。その材料は、特に限定されず、例えば、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物半導体材料が挙げられる。
半導体層は、通常、複数層から構成されている。例えば、第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層と、これら第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層の間に配置された活性層によって構成されているものが挙げられる。第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層は、互いに異なる導電型を有する。
また、半導体層の上面の対角線(つまり、最大長さ又は直径)は、例えば、数百〜数千μm程度が挙げられ、450〜1700μm程度が好ましい。
半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極は、半導体層の同一面側に配置されることが好ましい。特に、第1電極は、直接又は間接的に第1導電型半導体層に電気的に接続され、第2電極は、直接又は間接的に第2導電型半導体層に電気的に接続されて、これら半導体層の同一面側に配置されていることが好ましい。
第2電極は、第2パッド部を有する。第2電極は、第2パッド部から延伸する第3延伸部及び第4延伸部を有することが好ましい。また、第2電極は、第3延伸部及び第4延伸部に加えて又は代えて、第1パッド部に向かって延伸する第6延伸部を有していてもよい。
第1パッド部及び第2パッド部は、発光素子に電流を供給するために外部接続部材が接続されるため、例えば、バンプが形成されたり、ワイヤがボンディングされたりするための部位である。
第1パッド部及び第2パッド部は、平面視において、半導体層の対向する部位(例えば、対向する辺又は頂点)側にそれぞれ偏在していることが好ましい。例えば、第1パッド部及び第2パッド部は、半導体層の中線(半導体層の形状によっては、多角形の「重心を通る線」ということもある)上に配置されていることが好ましく、互いに、半導体層の中心(半導体層の形状によっては、「重心」ということもある)よりも周縁に近い位置に配置されていることがより好ましい。ここでの半導体層の中線とは、半導体層の中心を通る線を意味する。ただし、本明細書では、中線、重心を通る線、中心、重心等は、半導体層の加工精度等によって、数μmから数十μm程度の変動が許容される。
第1パッド部から延伸する第1延伸部及び第2延伸部は、第1パッド部が内側で接する第1仮想円に沿って延伸することが好ましい。特に、第1延伸部及び第2延伸部は、第1パッド部両側から延伸するか、あるいは、第2延伸部は第1延伸部と反対側に第1パッド部から延伸することが好ましい。ここで、反対側とは、例えば、半導体層の平面形状である多角形の重心と第1パッド部の重心とを通る線に対して異なる側を意味する。これにより、第1電極において、配置された周囲の電流密度が高くなる傾向にある第1パッド部が、局所的に半導体層の周縁に近づかないようにすることができるため、第1パッド部と半導体層の周縁との間で生じる電流の偏りを緩和することができる。その結果、電流密度分布の偏りをより一層低減させることができる。
第1仮想円は、第1パッド部が内側で接する限り、その大きさ及び位置は、適宜設定することができる。なかでも、平面視において、半導体層の周縁よりも内側に収まっていることが好ましい。第1仮想円の中心は、第1電極から半導体層の周縁(例えば、半導体層の平面形状が多角形の場合は、各辺又は各頂点)までの距離を均等にすることができるため、半導体層の中心と同じ、つまり、半導体層の平面形状である多角形の重心と同じであることが好ましい。ただし、ここでいう第1仮想円の中心と半導体層の中心又は重心とが同じとは、上述したように第1仮想円と半導体層の中心又は重心が完全に一致していることが好ましいが、電流密度分布に偏りが生じない程度であれば、第1パッド部の直径(所謂、最長長さ)程度以内、好ましくは半径程度以内で、中心がシフトしていてもよい(図6E参照)。第1仮想円は、半導体層の全面積の55〜80%程度を取り囲む円であることが好ましく、65〜70%程度を取り囲む円であることがより好ましい。言い換えると、第1仮想円の直径は、半導体層の対角線又は直径、つまり、中心を通る最長の線に対して65%以上が好ましく、80%以下が好ましい。
第1電極が有していてもよい第5延伸部は、例えば、後述する第2電極の第3延伸部及び第4延伸部の内側、つまり、第3延伸部及び第4延伸部に囲まれた領域内に延伸していることが好ましい。また、第5延伸部の端部は、後述する第3延伸部及び第4延伸部にそれぞれ沿って2つに分岐して又は3つに分岐して延伸していてもよい。言い換えると、第5延伸部の先端は、第1仮想円よりも内側、つまり、第1延伸部及び第2延伸部よりも内側において、第1仮想円、いわゆる第1延伸部及び/又は第2延伸部に沿って延伸していることが好ましい。このとき、第1パッド部に近い第5延伸部の方が、第1延伸部及び第2延伸部に比べて電流密度が高くなる傾向にあるため、第5延伸部と、第3延伸部及び第4延伸部との距離は、第1延伸部及び第2延伸部と、第3延伸部及び第4延伸部との距離よりも長いのが好ましい。ここで、沿ってとは、第1仮想円、第1延伸部及び第2延伸部から離間して、並行して延伸することを意味する。
第5延伸部の2つに分岐した部位は、第1パッド部と半導体層の中心を通る線に対して対称に配置されていることが好ましい。つまり、第5延伸部の2つに分岐した部位は、同じ長さで、同じ幅であることが好ましい。例えば、それらの全長が、それぞれ半導体層の外周の10〜20%程度が好ましく、15%程度がより好ましい。幅は、それぞれ、0.5μm〜十数μm程度が好ましい。
第2パッド部から延伸する第3延伸部及び第4延伸部は、その全部、つまり、第2電極の全部が、第1仮想円よりも内側に配置されていることが好ましい。第3延伸部は、第1電極の第1延伸部に沿って延伸し、第4延伸部は、第1電極の第2延伸部に沿って延伸することが好ましい。ここで、沿ってとは、第1仮想円、第1延伸部及び第2延伸部から離間して、並行して延伸することを意味する。特に、第3延伸部及び第4延伸部は、第1仮想円と同心であり、第2パッド部が外側で接する第2仮想円に沿って延伸することが好ましい。
第2電極が有していてもよい第6延伸部は、第3延伸部及び第4延伸部の間に配置されていることが好ましく、第1電極の第5延伸部の分岐した部位間に配置されていることがより好ましい。言い換えると、第6延伸部は、第1パッド部に向かって分岐して又は分岐せずに延伸していることが好ましい。第6延伸部は、半導体層の中心、つまり、第1仮想円及び第2仮想円の中心を通ることがより好ましい。なかでも、第6延伸部は、第1パッド部に向かって直線状に延伸し、その先端が半導体層の中心付近に配置されているか、その先端が半導体層の中心を取り囲むように分岐して配置されていてもよい。
一実施形態では、半導体層上面の形状が六角形等の多角形である場合、第1延伸部〜第6延伸部の位置を、以下の表1に示される関係とすることが好ましい(図1B参照)。なお、表1の各値は、半導体層上面の対角線の長さを100%、具体的には950μmとした場合の値である。
<実施例1>
実施例1に係る発光素子1は、図1Aに示すように、基板2と、基板2上に設けられた第2導電型半導体層であるn型半導体層3、活性層、第1導電型半導体層であるp型半導体層4を順に有する半導体層5と、n型半導体層3上に形成された第2電極6であるn側電極と、p型半導体層4上であって、n側電極を取り囲んで配置された第1電極7であるp側電極とを備える。
第2電極6は、半導体層5のうち、p型半導体層4及び活性層の一部が除去されて露出したn型半導体層3上に形成され、n型半導体層3と電気的に接続されている。第2電極6は、これらp型半導体層4及び活性層に取り囲まれている。
これら半導体層5、第2電極6及び第1電極7は、後述する第2パッド部6a及び第1パッド部7aの一部以外は、保護膜によって被覆されている。
第2パッド部6aと第1パッド部7aとは、それぞれ六角形の一つの辺5aの中点を通り、その辺5aに対して垂直な線(所謂、垂直二等分線)上であって、辺5a近傍に配置されている。
第1仮想円Aは、平面視で半導体層5内に収容され、半導体層5の中心つまり、多角形の重心と同心であり、半径が約360μmである。
第1延伸部7b及び第2延伸部7cは、第1パッド部7aが対向する位置まで、つまり、第2電極6の第2パッド部6aの近傍まで延伸している。第1延伸部7b及び第2延伸部7cは、第2電極6の第2パッド6a部近傍で離間している。第1延伸部7b及び第2延伸部7cの距離は、第1仮想円Aの円周において、約290μm程度である。
第5延伸部7dは、分岐する部位において、内側に湾曲して分岐している(図1中、円C参照)。
第5延伸部7dの2つに分岐した部位は、第1パッド部7aと半導体層5の中心を通る線に対して対称に配置されている。つまり、第5延伸部7dは、2つに分岐した部位を含んで、全長が、約450μm程度であり、その幅は、約5μm程度である。
第3延伸部6bは、第1電極7の第1延伸部7bに沿って延伸し、第4延伸部6cは、第1電極7の第2延伸部7cに沿って延伸している。より具体的には、第3延伸部6b及び第4延伸部6cは、第1仮想円Aと同心であり、かつ第1パッド部7aが外側で接する第2仮想円B(図1B参照)上を延伸することにより、それぞれ円弧状に形成されている。第3延伸部6b及び第4延伸部6cは、第2仮想円B上に配置された第2パッド部6aと半導体層5の中心を通る線に対して対称に配置されている。
なお、第2仮想円Bは、直径が、約560μm程度である。
第2電極6は、さらに、第2パッド部6aから直線状に、第1パッド部7aに向かって延伸する第6延伸部6dを有している。第6延伸部6dは、第3延伸部6b及び第4延伸部6cの間に配置されている。第6延伸部6dは、半導体層5の中心を通る直線上に配置されており、その先端が半導体層5の中心に配置されている。
なお、第6延伸部6dの全長は、例えば、約250μmであり、その幅は、約5μm程度である。
図2に示すように、実施例1の変形例1に係る発光素子10は、第1電極7及び第2電極6が、半導体層5の中心に対して、30度回転して配置されており、第1パッド部7a及び第2パッド部6aが半導体層5の六角形の頂点5bに対向している以外、発光素子1と同様の構成を有する。
図3に示すように、実施例1の変形例2に係る発光素子20は、第2電極16が第6延伸部を有していない以外、発光素子1と同様の構成を有する。
図4に示すように、実施例1の変形例3に係る発光素子30は、第1電極7及び第2電極16が、半導体層5の中心に対して、30度回転して配置されており、第1パッド部7a及び第2パッド部6aが半導体層5の六角形の頂点5bに対向している以外、発光素子20と同様の構成を有する。
実施例2に係る発光素子の電極形状を、図5Aから5Dに模式的に示す。
図5A及び5Bに示す発光素子では、半導体層5の対角線の長さが約1.4mmであり、第1電極57が、第5延伸部57dの分岐した部位から半導体層5の中心まで、直線状に延伸する第7延伸部57eを有し、さらに第2電極56の第6延伸部56dが、第7延伸部57eを取り囲むように、円弧状に2つに分岐している以外、実質的に、発光素子1等と同様の構成を有する。図5Aの発光素子は、第1パッド部57a及び第2パッド部56aが、半導体層5の辺5aに対面しており、図5Bの発光素子は、第1パッド部57a及び第2パッド部56aが、半導体層5の頂点5bに対面している。
実施例3に係る発光素子の電極形状を、図6Aから6Dに模式的に示す。
図6A及び6Bに示す発光素子では、半導体層5の対角線の長さが約650μmであり、第1電極67の第5延伸部67dが、分岐せず、第2パッド部66aに向かって、半導体層5の中心まで延伸しており、第2電極66が第6延伸部を有していない以外、実質的に、発光素子1等と同様の構成を有する。図6Aの発光素子は、第1パッド部67a及び第2パッド部66aが、半導体層5の辺5aに対面しており、図6Bの発光素子は、第1パッド部67a及び第2パッド部66aが、半導体層5の頂点5bに対面している。
実施例4に係る発光素子の電極形状を、図7Aから7Fに模式的に示す。
図7A及び7Bに示す発光素子では、半導体層5の対角線の長さが約650μmであり、第1電極77の第1延伸部77bと第2延伸部77cとが連結し、第5延伸部が形成されておらず、第2電極76において第3延伸部及び第4延伸部が形成されておらず、第6延伸部76dが短く形成されている以外、実質的に、発光素子1等と同様の構成を有する。図7Aの発光素子は、第1パッド部77a及び第2パッド部76aが、半導体層5の辺5aに対面しており、図7Bの発光素子は、第1パッド部77a及び第2パッド部76aが、半導体層5の頂点5bに対面している。
比較例として、図8に示すように、平面形状で略正方形の半導体層85上に、第1電極87及び第2電極86がそれぞれ略正方形状に配置された発光素子を作製する。なお、第1電極87の第1パッド部87aは、第1パッド部87aの両側から延伸する第1延伸部87b及び第2延伸部87cよりも、半導体層85の辺85a側に突出するように配置されている。
図9A〜9Cに示すように、比較例の発光素子80では、第1パッド部87a側にある半導体層の2つの角部において、電流密度の低い部分(他の部分に比べて暗い部分)が現れているのが分かる。これは、第1パッド部87aと半導体層の辺85aとの間で電流が集中しないように、第1電極87を半導体層の辺85aと対向する辺側に偏在させているためだと考えられる。これに対し、実施例の発光素子1、10、20、30では、電流密度の低い部分が減少し、特に、第1パッド部及び第2パッド部が半導体層の辺に対面する発光素子1、20では、電流密度の低い部分は殆ど現れておらず、全体として均一な光分布が認められる。
実施例5に係る発光素子の電極形状を、図9に示す。
図10に示す発光素子では、基板92及び半導体層95が、平面視で略正五角形であること以外、実質的に実施例1の発光素子と同様の構成を有する。
第1パッド部97aから延伸する第1延伸部97b及び第2延伸部97cは、第1パッド部97aが内側で接する第1仮想円A(図1B参照)に沿って円弧状に延伸している。第1パッド部97aは、第1仮想円Aに対して内側に偏在している。
第1電極97は、さらに、第1パッド部97aから第2パッド部96aに向かって延伸する第5延伸部97dを有している。第5延伸部97dは、後述する第2電極96の第3延伸部96b及び第4延伸部96cの内側に延伸している。第5延伸部97dは、その先端部97d1、97d2が、後述する第3延伸部96b及び第4延伸部96cにそれぞれ沿って2つに分岐して延伸している。
第2電極96は、さらに、第2パッド部96aから直線状に、第1パッド部97aに向かって延伸する第6延伸部96dを有している。 このような構成の発光素子においても、実施例1等と同様に、良好な光出力及び電力効率が得られる。
2、92 基板
3 n型半導体層(第1導電型半導体層)
4、94 p型半導体層(第2導電型半導体層)
5、95、85 半導体層
5a、85a、95a 辺
5b 頂点
6、16、66、76、86、96 第2電極
6a、56a、66a、76a、86a、96a 第2パッド部
6b、86b、96b 第3延伸部
6c、86c、96c 第4延伸部
6d、56d、76d、86d、96d 第6延伸部
7、67、77、87、97 第1電極
7a、57a、67a、77a、87a、97a 第1パッド部
7b、77b、77c、87b、97b 第1延伸部
7c、87c、97c 第2延伸部
7d、57d、67d、87d、97d 第5延伸部
57e 第7延伸部
7d1、7d2、97d1、97d2 先端部
8 導電層
Claims (19)
- 平面形状が五角形以上の多角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極とを備える発光素子であって、
前記第1電極は、第1パッド部と、前記多角形の重心と同じ位置に中心をもち、かつ前記第1パッド部が内側で接する仮想円に沿って前記第1パッド部から延伸する第1延伸部と、前記第1延伸部とは反対側に前記第1パッド部から前記仮想円に沿って延伸する第2延伸部と、を有することを特徴とする発光素子。 - 前記第1延伸部及び前記第2延伸部は、前記仮想円の上を延伸、前記仮想円の内側若しくは外側に接しながら延伸、又は前記仮想円の外側を離間して延伸する請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1延伸部及び前記第2延伸部は、前記仮想円の外側に接しながら延伸、又は前記仮想円の外側を離間して延伸する請求項1に記載の発光素子。
- 平面形状が五角形以上の多角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極とを備える発光素子であって、
前記第1電極は、第1パッド部と、前記多角形の重心と同じ位置に中心を有する仮想円に重なるように前記第1パッド部から延伸する第1延伸部と、前記第1延伸部とは反対側に前記第1パッド部から前記仮想円に重なるように延伸する第2延伸部と、を有し、
前記第1パッド部は、前記仮想円に対して内側に偏在することを特徴とする発光素子。 - 前記半導体層の平面形状は、六角形である請求項1から4のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第2電極は、前記仮想円よりも内側に配置されている請求項1から5のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第2電極は、第2パッド部を有し、
前記第2パッド部は、前記多角形を構成する一辺に対面して配置されている請求項1から6のいずれか1つに記載の発光素子。 - 前記第2電極は、第2パッド部と、該第2パッド部から前記第1延伸部に沿って延伸する第3延伸部と、前記第2パッド部から前記第2延伸部に沿って延伸する第4延伸部と、を有する請求項1から7のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第2パッド部は、前記多角形を構成する一辺の垂直二等分線上に配置されている請求項7又は8に記載の発光素子。
- 前記第1パッド部及び前記第2パッド部は、それぞれ前記多角形の重心を通る直線上に配置されている請求項7から9のいずれか1つに記載の発光素子。
- 平面形状が六角形である半導体層と、前記半導体層上に設けられた第1電極及び第2電極とを備える発光素子であって、
前記第1電極は、前記六角形を構成する一辺の近傍に配置される第1パッド部と、前記第1パッド部から前記六角形の重心と同じ位置に中心を持つ仮想円に沿って延伸する第1延伸部と、前記第1延伸部とは反対側に前記第1パッド部から前記仮想円に沿って延伸する第2延伸部と、を有し、
前記第2電極は、前記仮想円よりも内側に配置されており、前記六角形を構成する一辺に対向する他辺の近傍に配置される第2パッド部を有することを特徴とする発光素子。 - 前記第1パッド部及び前記第2パッド部は、それぞれ前記六角形の重心を通る直線上に配置されている請求項11に記載の発光素子。
- 前記第2パッド部は、前記六角形を構成する一辺の垂直二等分線上に配置されている請求項11又は12に記載の発光素子。
- 前記第2電極は、前記第2パッド部から前記第1延伸部に沿って延伸する第3延伸部と、前記第2パッド部から前記第2延伸部に沿って延伸する第4延伸部と、を有する請求項11に記載の発光素子。
- 前記第1電極は、前記第1パッド部から、前記第3延伸部及び前記第4延伸部の内側に延伸し、その端部が前記第3延伸部及び前記第4延伸部にそれぞれ沿って分岐する第5延伸部を有する請求項1から14のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第5延伸部は、内側に湾曲して分岐している請求項15に記載の発光素子。
- 前記第2電極は、前記第2パッド部から、前記第1パッド部に向かって延伸する第6延伸部を有する請求項7から16のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第1延伸部と前記第2延伸部とは、前記第2パッド部の近傍で離間している請求項1から17のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第1延伸部及び前記第2延伸部は、それぞれ円弧形状である請求項1から18のいずれか1つに記載の発光素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16154966.2A EP3062354B1 (en) | 2015-02-26 | 2016-02-10 | Light emitting element |
BR102016003136-2A BR102016003136B1 (pt) | 2015-02-26 | 2016-02-15 | elemento emissor de luz |
US15/045,680 US11063183B2 (en) | 2015-02-26 | 2016-02-17 | Light emitting element |
CN201610104192.XA CN105932132B (zh) | 2015-02-26 | 2016-02-25 | 发光元件 |
RU2016106283A RU2690096C2 (ru) | 2015-02-26 | 2016-02-25 | Светоизлучающий элемент |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015036172 | 2015-02-26 | ||
JP2015036172 | 2015-02-26 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017027719A Division JP2017126761A (ja) | 2015-02-26 | 2017-02-17 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016164970A true JP2016164970A (ja) | 2016-09-08 |
JP6146460B2 JP6146460B2 (ja) | 2017-06-14 |
Family
ID=56876766
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015236336A Active JP6146460B2 (ja) | 2015-02-26 | 2015-12-03 | 発光素子 |
JP2017027719A Pending JP2017126761A (ja) | 2015-02-26 | 2017-02-17 | 発光素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017027719A Pending JP2017126761A (ja) | 2015-02-26 | 2017-02-17 | 発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6146460B2 (ja) |
BR (1) | BR102016003136B1 (ja) |
RU (1) | RU2690096C2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019068059A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019004228A1 (ja) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 株式会社Ihi | 遠心圧縮機 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2002319705A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | Led装置 |
US20030218176A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-11-27 | Yongsheng Zhao | High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same |
JP2006135309A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
JP2008521210A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置、発光モジュール、表示装置、照明装置及び発光装置の製造方法 |
JP2013541855A (ja) * | 2010-11-03 | 2013-11-14 | バーティクル,インク. | 半導体素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007032638A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-22 | Epiplus Co., Ltd | Arrangement of electrodes for light emitting device |
JP5782823B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2015-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
-
2015
- 2015-12-03 JP JP2015236336A patent/JP6146460B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-15 BR BR102016003136-2A patent/BR102016003136B1/pt active IP Right Grant
- 2016-02-25 RU RU2016106283A patent/RU2690096C2/ru active
-
2017
- 2017-02-17 JP JP2017027719A patent/JP2017126761A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2002319705A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | Led装置 |
US20030218176A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-11-27 | Yongsheng Zhao | High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same |
JP2006135309A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
JP2008521210A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置、発光モジュール、表示装置、照明装置及び発光装置の製造方法 |
JP2013541855A (ja) * | 2010-11-03 | 2013-11-14 | バーティクル,インク. | 半導体素子及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019068059A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2016106283A3 (ja) | 2019-03-26 |
RU2690096C2 (ru) | 2019-05-30 |
BR102016003136B1 (pt) | 2021-03-02 |
BR102016003136A2 (pt) | 2016-09-13 |
JP2017126761A (ja) | 2017-07-20 |
JP6146460B2 (ja) | 2017-06-14 |
RU2016106283A (ru) | 2017-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6458463B2 (ja) | 発光素子 | |
CN105932132B (zh) | 发光元件 | |
JP6102677B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5170325B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6326852B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
WO2016047132A1 (ja) | 発光モジュール | |
JP6913460B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP6146460B2 (ja) | 発光素子 | |
WO2017115712A1 (ja) | 発光モジュール | |
TW201209984A (en) | Light emitting diode device | |
JP2014150257A5 (ja) | ||
KR101349891B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JPWO2015079543A1 (ja) | 発光装置 | |
JP6428467B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2015106459A (ja) | 発光装置 | |
CN105140369B (zh) | 发光二极管结构 | |
TW201902002A (zh) | 有機發光裝置 | |
JPWO2017158757A1 (ja) | 発光装置、電子機器及び発光装置の製造方法 | |
JP2015106455A (ja) | 発光装置 | |
JP2015106453A (ja) | 発光装置 | |
TWM460412U (zh) | 半導體發光元件 | |
JP2015056508A5 (ja) | ||
JP2015106457A (ja) | 発光装置 | |
JP2015106454A (ja) | 発光装置 | |
JP2015106458A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161108 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170217 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170501 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6146460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |