JPWO2017158757A1

JPWO2017158757A1 - 発光装置、電子機器及び発光装置の製造方法

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Publication number: JPWO2017158757A1
Application number: JP2018505134A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　健二; 健二鈴木
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2016-03-16
Filing date: 2016-03-16
Publication date: 2019-01-24
Anticipated expiration: 2036-03-16
Also published as: WO2017158757A1; JP6776329B2

Abstract

発光装置（１０）は、基板（１００）及び発光領域（１４１）を備えている。基板（１００）は、第１面（１０２）及び第２面（１０４）を有している。第２面（１０４）は、第１面（１０２）の反対側にある。基板（１００）は、ガラスからなる。発光領域（１４１）は、基板（１００）の第１面（１０２）上にある。基板（１００）は、リブマーク（１０６）を有している。リブマーク（１０６）は、第１面（１０２）側にある。発光装置（１０）は、基板（１００）が第２面（１０４）の外側に向かって凸に湾曲するように取付面（２２）に取り付けられる。

Description

本発明は、発光装置、電子機器及び発光装置の製造方法に関する。

湾曲した取付面に発光装置を取り付けるため、発光装置の基板を湾曲させることがある。例えば、特許文献１に記載の発光装置は、基板、発光部及び保護層を有している。基板は、可撓性を有し、具体的には金属又は合金を含んでいる。基板は、第１面及び第２面を有している。第２面は、第１面の反対側にある。発光部は、基板の第１面上にある。保護層は、基板の第１面上にあり、発光部を覆っている。保護層は、ガラス層を有している。基板及びガラス層は、第１面の外側に向かって凸に湾曲している。

特開２０１３−１３４８０８号公報

発光装置の基板にガラス基板を用いることがある。発光部を劣化させる物質（例えば、水）は、ガラス基板を透過しにくい。このため、ガラス基板を有する発光装置では、発光部の寿命が長い。一方、ガラス基板の可撓性は低い。このため、発光装置の基板にガラス基板を用いた場合、基板を大きな曲率で湾曲させることが難しい。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の基板にガラス基板を用いても、基板を大きな曲率で湾曲させることを可能にすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
取付面に取り付けられる発光装置であって、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ガラスからなる基板と、
前記第１面上又は前記第２面上の一方にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む発光部と、
を備え、
前記基板は、前記第１面側にリブマークを有し、
前記発光装置は、前記基板が前記第２面の外側に向かって凸に湾曲するように前記取付面に取り付けられる発光装置である。

請求項２に記載の発明は、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ガラスからなる基板と、
前記第１面上又は前記第２面上の一方にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む発光部と、
を備え、
前記基板は、前記第１面側にリブマークを有し、
前記基板は、前記第２面の外側に向かって凸に湾曲している発光装置である。

請求項８に記載の発明は、
取付面と、
前記取付面に取り付けられた発光装置と、
を備え、
前記発光装置は、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ガラスからなる基板と、
前記第１面上又は前記第２面上の一方にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む発光部と、
を備え、
前記基板は、前記第１面側にリブマークを有し、
前記発光装置は、前記基板が前記第２面の外側に向かって凸に湾曲するように前記取付面に取り付けられている電子機器である。

請求項９に記載の発明は、
取付面に取り付けられる発光装置の製造方法であって、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有していてガラスからなる基材を準備し、各々が第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む複数の発光部を前記基材の前記第１面上又は前記第２面上の一方に形成する工程と、
前記第１面側にリブマークを形成することにより、前記基材を複数の基板に分離して各基板が前記発光部を有するようにする工程と、
を含み、
前記発光装置は、前記基板及び前記発光部を備え、
前記発光装置は、前記基板が前記第２面の外側に向かって凸に湾曲するように前記取付面に取り付けられる、発光装置の製造方法である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

第１の実施形態に係る発光装置の平面図である。図１に示した発光装置の側面図である。第１の実施形態に係る電子機器を示す図である。図１〜図３に示した発光装置の製造方法を説明するための図である。（ａ）は、図１〜図３に示した基板が第２面の外側に向かって凸に湾曲した場合の曲げ強度試験の結果を示す表であり、（ｂ）は、図１〜図３に示した基板が第１面の外側に向かって凸に湾曲した場合の曲げ強度試験の結果を示す表である。第２の実施形態に係る発光装置の平面図である。図６に示した発光装置１０の側面図である。第２の実施形態に係る電子機器を示す図である。図６〜図８に示した発光装置の製造方法を説明するための図である。実施例１に係る発光装置の平面図である。図１０に示したαを拡大した図である。図１１から絶縁層及び隔壁を取り除いた図である。図１１のＡ−Ａ断面図である。実施例２に係る発光装置の平面図である。図１４から第２導電層を取り除いた図である。図１５から有機層を取り除いた図である。図１４のＡ−Ａ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１に示した発光装置１０の側面図である。図３は、第１の実施形態に係る電子機器を示す図である。発光装置１０は、基板１００及び発光領域１４１を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。基板１００は、ガラスからなる。図１及び図２に示す例において、発光領域１４１は、基板１００の第１面１０２上にある。後述する図１０〜図１７に示すように、発光領域１４１は、発光部１４０を含んでいる。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間にある。基板１００は、リブマーク１０６を有している。リブマーク１０６は、第１面１０２側にある。図３に示すように、発光装置１０は、基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲するように取付面２２に取り付けられる。以下、詳細に説明する。

基板１００は、ガラス基板である。基板１００の第１面１０２の形状は、矩形である。具体的には、第１面１０２は、第１辺１０２ａ、第２辺１０２ｂ、第３辺１０２ｃ及び第４辺１０２ｄを有している。第２辺１０２ｂは、第１辺１０２ａの反対側にある。第３辺１０２ｃは、第１辺１０２ａと第２辺１０２ｂの間にある。第４辺１０２ｄは、第３辺１０２ｃの反対側にある。基板１００の厚さＴ１は、例えば４０μｍ以上２００μｍ以下である。

基板１００は、リブマーク１０６を有している。リブマーク１０６は、基板１００の第１面１０２側にある。リブマーク１０６は、第１辺１０２ａ、第２辺１０２ｂ、第３辺１０２ｃ及び第４辺１０２ｄの各辺に沿って位置している。図２において、Ｔ１は、基板１００の厚さを示し、Ｔ２は、リブマーク１０６の深さを示す。Ｔ２／Ｔ１×１００は、２０．０％以上３０．０％以下、好ましくは２２．５％以上２７．５％以下である。即ち、前記リブマークの深さは、前記基板の厚さの２０．０％以上３０．０％以下、好ましくは２２．５％以上２７．５％以下である。

発光領域１４１は、第１面１０２上にある。後述する図１０〜図１７に示すように、発光領域１４１は、発光部１４０を含んでいる。図１に示す例において、発光領域１４１の形状は、矩形である。

図３に示すように、電子機器は、発光装置１０及び基材２０を備えている。図３に示す発光装置１０は、図１及び図２に示した発光装置１０である。基材２０は、取付面２２を有している。取付面２２は、外側に向けて凸に湾曲している。発光装置１０は、第１面１０２が発光領域１４１を挟んで取付面２２に対向するように基材２０に取り付けられている。これにより、基板１００は、第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲する。

図４は、図１〜図３に示した発光装置１０の製造方法を説明するための図である。まず、基材１００ａを準備する。基材１００ａは、第１面１０２及び第２面１０４を有している。次いで、基材１００ａの第１面１０２上に複数の発光領域１４１を形成する。次いで、図４に示すように、ホイールカッタ５００により基材１００ａの第１面１０２にスクライブライン５１０を形成する。これにより、スクライブライン５１０に沿ってリブマーク１０６が形成される。リブマーク１０６の深さＴ２（図２）は、スクライブライン５１０の深さによって調整することができる。次いで、スクライブライン５１０に沿って、基材１００ａを複数の基板１００に例えば人による力を加えることで分断する。Ｔ２／Ｔ１×１００は、２０．０％以上３０．０％以下、好ましくは２２．５％以上２７．５％以下である。Ｔ２／Ｔ１×１００が小さい場合、力を加えて分断する深さが大きくなるため、スクライブライン５１０の第２面側に微小な欠けが生じる可能性が高くなる。湾曲した場合、この微小な欠けを起因とした割れが発生しやすくなり基板１００の曲げ強度の低下の要因となる。また、Ｔ２／Ｔ１×１００が大きい場合はホイールカッタ５００により基板１００の第１面１０２にスクライブライン５１０を形成し、力を加える前に基板１００が分断する可能性が高くなる。このため、工程のハンドリング性が低下する。このようにして、複数の発光装置１０（図１〜図３）が製造される。

図５（ａ）は、図１〜図３に示した基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲した場合の曲げ強度試験の結果を示す表である。図５（ｂ）は、図１〜図３に示した基板１００が第１面１０２の外側に向かって凸に湾曲した場合の曲げ強度試験の結果を示す表である。

図５（ａ）では、１０個の基板１００（試験番号１〜１０）について試験した。基板１００の厚さは、１２０μｍとした。いずれの試験番号においても、リブマーク１０６の深さＴ２は、基板１００の厚さＴ１の２２．５％以上２７．５％以下とした。各試験番号において、第１面１０２側に荷重を与えて基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲するようにした。基板１００が割れた際の荷重及び基板１００が割れた際の基板１００の変位を測定した。測定した変位に基づいて、基板１００が割れた際の基板１００の曲率半径を算出した。

図５（ｂ）では、１０個の基板１００（試験番号１〜１０）について試験した。基板１００の厚さは、１２０μｍとした。いずれの試験番号においても、リブマーク１０６の深さＴ２は、基板１００の厚さＴ１の２２．５％以上２７．５％以下とした。各試験番号において、第２面１０４側に荷重を与えて基板１００が第１面１０２の外側に向かって凸に湾曲するようにした。基板１００が割れた際の荷重及び基板１００が割れた際の基板１００の変位を測定した。測定した変位に基づいて、基板１００が割れた際の基板１００の曲率半径を算出した。

図５（ａ）に示すように、基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲した場合の曲率半径の平均は、１３．８９ｍｍであった。これに対して、図５（ｂ）に示すように、基板１００が第１面１０２の外側に向かって凸に湾曲した場合の曲率半径の平均は、２１．５７ｍｍであった。これらの比較より、基板１００の曲げ強度は、基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲した場合の方が基板１００が第１面１０２の外側に向かって凸に湾曲した場合よりも高いといえる。

以上、本実施形態によれば、基板１００は、ガラスからなる。基板１００は、第１面１０２側にリブマーク１０６を有している。発光装置１０は、基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲するように取付面２２に取り付けられる。図５に示すように、基板１００の曲げ強度は、基板１００が第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲した場合に高いものとなる。このため、本実施形態においては、基板１００を大きな曲率で湾曲させることができる。

なお、基板１００は、発光装置１０が取付面２２に取り付けられていない場合、図２に示すように湾曲していなくてもよいし、又は図３に示すように湾曲していてもよい。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る発光装置１０の平面図であり、第１の実施形態の図１に対応する。図７は、図６に示した発光装置１０の側面図であり、第１の実施形態の図２に対応する。図８は、第２の実施形態に係る電子機器を示す図であり、第１の実施形態の図３に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様である。

図６〜図８に示すように、発光領域１４１は、第２面１０４上にあってもよい。基板１００は、リブマーク１０６を有している。リブマーク１０６は、第１面１０２側にある。図８に示すように、発光装置１０は、発光領域１４１が基板１００を挟んで取付面２２に対向するように基材２０に取り付けられている。これにより、基板１００は、第２面１０４の外側に向かって凸に湾曲している。

図９は、図６〜図８に示した発光装置１０の製造方法を説明するための図である。基材１００ａの第２面１０４上に複数の発光領域１４１を形成する。次いで、図４に示すように、ホイールカッタ５００により基板１００の第１面１０２にスクライブライン５１０を形成する。これにより、スクライブライン５１０に沿ってリブマーク１０６が形成される。リブマーク１０６の深さＴ２（図７）は、スクライブライン５１０の深さによって調整することができる。次いで、スクライブライン５１０に沿って、基材１００ａを複数の基板１００に分離する。このようにして、複数の発光装置１０（図６〜図８）が製造される。

本実施形態によれば、第１の実施形態と同様にして、基板１００を大きな曲率で湾曲させることができる。

（実施例１）
図１０は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図１１は、図１０に示したαを拡大した図である。図１２は、図１１から絶縁層１５０及び隔壁１６０を取り除いた図である。図１３は、図１１のＡ−Ａ断面図である。本実施例において、発光装置１０は、ディスプレイである。発光領域１４１は、基板１００の第１面１０２上にある。

発光装置１０は、ボトムエミッション及びトップエミッションのいずれであってもよい。発光装置１０がトップエミッションである場合、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第２面１０４から出射される。これに対して、発光装置１０がトップエミッションである場合、複数の発光部１４０からの光は、基板１００の第１面１０２の上方から出射される。

発光装置１０は、基板１００、発光領域１４１（複数の発光部１４０）、絶縁層１５０、複数の隔壁１６０、被覆層１７０、複数の有機層２２０、複数の第２導電層２３０、複数の導電層３０２（第１端子１１２、第１配線１１４及び第１導電層２１０）及び複数の導電層３０４（第２端子１３２及び第２配線１３４）を有している。

図１１及び図１２に示すように、各導電層３０２は、第１端子１１２、第１配線１１４及び第１導電層２１０を有している。第１端子１１２は、導電層３０２の一端である。第１導電層２１０は、導電層３０２の一部である。第１配線１１４は、導電層３０２の一部であり、第１端子１１２と第１導電層２１０の間にある。各導電層３０４は、第２端子１３２及び第２配線１３４を有している。第２端子１３２は、導電層３０４の一端である。第２配線１３４は、導電層３０４の一部である。第１端子１１２には、電位が与えられる。これにより、第１端子１１２の電位は、第１配線１１４を介して第１導電層２１０に与えられる。第２端子１３２には、電位が与えられる。これにより、第２端子１３２の電位は、第２配線１３４を介して第２導電層２３０に与えられる。

導電層３０２上及び導電層３０４上の各々には、導電層１８０がある。導電層１８０の電気抵抗は、導電層３０２の電気抵抗及び導電層３０４の電気抵抗よりも低い。これにより、第１端子１１２と第１導電層２１０の間の電圧降下及び第２端子１３２と第２導電層２３０の間の電圧降下を抑制することができる。導電層１８０は、発光部１４０と重ならないように位置している。このため、導電層１８０は、透光性を有する必要がない。具体的には、導電層１８０は、例えばＡｌ又はＡｇからなる。その他の例として、導電層１８０は、例えば導電層３０２の上面上又は導電層３０４の上面上のＭｏ合金層、Ｍｏ合金層上のＡｌ合金層及びＡｌ合金層上のＭｏ合金層を含んでいてもよい。

図１０に示すように、複数の第１導電層２１０は、第１方向（図中、Ｙ方向）に並んでいる。各第１導電層２１０は、第１方向に交わる（具体的には、第１方向に直交する）第２方向（図中、Ｘ方向）に延伸している。

図１１〜図１３に示すように、絶縁層１５０は、基板１００の第１面１０２上及び第１導電層２１０上にある。絶縁層１５０は、感光性樹脂（例えばポリイミド）を含んでいる。図１１及び図１２に示すように、絶縁層１５０は、複数の開口１５２を有する。複数の開口１５２は、第２方向（図中、Ｘ方向）に並ぶｍ個の行及び第１方向（図中、Ｙ方向）に並ぶｎ個の列を含むｍ×ｎの行列状に並んでいる。各開口１５２の平面形状は、矩形である。図１３に示すように、各開口１５２内では、第１導電層２１０の一部（第１電極１１０）と第２導電層２３０の一部（第２電極１３０）が互いに重なっている。これにより、開口１５２の縁によって囲まれた領域が発光部１４０として機能する。すなわち、絶縁層１５０は、発光部１４０を画定している。

図１１及び図１２に示すように、絶縁層１５０は、開口１５４を有する。第２導電層２３０は、開口１５４を介して第２配線１３４に接続している。

図１３に示すように、隔壁１６０は、絶縁層１５０上にある。隔壁１６０は、感光性樹脂（例えばポリイミド）を含んでいる。図１１に示すように、複数の隔壁１６０は、第２方向（図中、Ｘ方向）に並んでいる。各隔壁１６０は、第１方向（図中、Ｙ方向）に延伸している。図１３に示すように、第１方向（図１０〜図１２のＹ方向）に垂直な断面において、隔壁１６０の上面の幅は、隔壁１６０の下面の幅よりも広い。より詳細には、第１方向（図１０〜図１２のＹ方向）に垂直な断面において、隔壁１６０は、第１側面及び第２側面を有している。第２側面は、第１内側面の反対側にある。隔壁１６０の第１側面は、第１側面の上端が第１側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。隔壁１６０の第２側面は、第２側面の上端が第２側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。

図１３に示すように、有機層２２０は、基板１００の第１面１０２上、第１導電層２１０上及び絶縁層１５０上にある。基板１００の第２面１０４上では、複数の有機層２２０は、第２方向（図１０〜図１２のＸ方向）に並んでいる。互いに隣接する有機層２２０は、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。図１３に示すように、有機層２２０の一部は、第１導電層２１０の一部（第１電極１１０）と重なっている。有機層２２０のこの一部は、発光部１４０の有機層１２０として機能する。

図１３に示すように、隔壁１６０の上面上には、有機層２２２がある。有機層２２２に含まれる材料は、有機層２２０に含まれる材料と同一である。有機層２２０及び有機層２２２は、基板１００の第１面１０２上及び隔壁１６０上に有機層を堆積することにより形成される。この場合、有機層は、隔壁１６０によって有機層２２０と有機層２２２に分離される。

有機層２２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を有している。有機層２２０全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。正孔注入層内及び正孔輸送層内では、正孔が移動する。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層の厚さは、正孔注入層の厚さよりも薄い。正孔輸送層の厚さは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層では、電子と正孔が再結合する。これにより、発光層からは、光が発せられる。発光層からの光の色は、例えば赤、緑又は青である。電子輸送層では、電子が輸送される。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、アルカリ金属化合物（例えばＬｉＦ）、金属酸化物（例えば酸化アルミニウム）又は金属錯体（例えばリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ））からなる。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方はなくてもよい。電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。

正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、例えば塗布プロセスにより形成される。具体的には、例えば正孔注入層、正孔輸送層及び発光層は、塗布プロセスにより形成され。電子輸送層及び電子注入層は、蒸着により形成される。

図１３に示すように、各第２導電層２３０は、有機層１２０上にある。図１１に示すように、複数の第２導電層２３０は、第２方向（図中、Ｘ方向）に並んでいる。各第２導電層２３０は、第１方向（図中、Ｙ方向）に延伸している。互いに隣接する第２導電層２３０は、隔壁１６０を挟んで互いに対向している。図１３に示すように、第２導電層２３０の一部は、第１導電層２１０の一部（第１電極１１０）と重なっている。第２導電層２３０のこの一部は、発光部１４０の第２電極１３０として機能する。

図１３に示すように、隔壁１６０の上面上には、第２導電層２３２がある。第２導電層２３２に含まれる材料は、第２導電層２３０に含まれる材料と同一である。第２導電層２３０及び第２導電層２３２は、基板１００の第１面１０２上及び隔壁１６０上に導電層を堆積することにより形成される。この場合、導電層は、隔壁１６０によって第２導電層２３０と第２導電層２３２に分離される。

発光装置１０がボトムエミッションである場合、第１導電層２１０は、透光性を有する導電層である。この場合、第２導電層２３０は、透光性を有する必要はない。これに対して、発光装置１０がトップエミッションである場合、第２導電層２３０は、透光性を有する導電層である。この場合、第１導電層２１０は、透光性を有する必要はない。

第１導電層２１０及び第２導電層２３０が透光性を有する導電層である場合、第１導電層２１０及び第２導電層２３０は、例えば金属酸化物を含み、より具体的には、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）を含んでいる。

第１導電層２１０及び第２導電層２３０が透光性を有しない導電層である場合、第１導電層２１０及び第２導電層２３０は、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金を含んでいる。

図１３に示すように、被覆層１７０は、第２導電層２３０及び複数の隔壁１６０を覆っている。これにより、被覆層１７０は、複数の発光部１４０及び複数の隔壁１６０を封止している。被覆層１７０は、例えば絶縁材料、より具体的には例えば金属酸化物を含んでいる。被覆層１７０は、例えば酸化チタン層及び酸化アルミニウム層を含んでいる。この場合、酸化アルミニウム層は、酸化チタン層上又は酸化チタン層下にある。被覆層１７０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。被覆層２００は、例えばＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成されている。

なお、被覆層１７０は、例えばＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタにより形成してもよい。この場合、被覆層１７０は、例えばＳｉＯ_２層又はＳｉＮ層を含んでいる。この場合、被覆層１７０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

被覆層１７０は、樹脂層により覆われていてもよい。樹脂層は、被覆層１７０を保護するために設けられている。樹脂層は、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含んでいる。

本実施例によれば、基板１００は、第１面１０２側にリブマーク１０６を有している。発光領域１４１（発光部１４０）は、基板１００の第１面１０２上にある。発光装置１０、第２面１０４が第１辺１０２ａから第２辺１０２ｂにかけて外側に向かって凸に湾曲するように取付面２２（図３）に取り付けられる。このため、基板１００を大きな曲率で湾曲させることができる。なお、発光領域１４１（発光部１４０）は、基板１００の第２面１０４上にあってもよい。

（実施例２）
図１４は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１５は、図１４から第２導電層２３０を取り除いた図である。図１６は図１５から有機層２２０を取り除いた図である。図１７は、図１４のＡ−Ａ断面図である。本実施例において、発光装置１０は、発光パネルである。発光領域１４１（発光部１４０）は、基板１００の第１面１０２上にある。

発光装置１０は、基板１００、第２端子１３２、有機層２２０、第２導電層２３０及び導電層３０２（第１電極１１０及び第１端子１１２）を有している。

図１７に示すように、発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は、第１電極１１０上にある。第２電極１３０は、有機層１２０上にある。

第１電極１１０は、導電層３０２の一部である。第１電極１１０は、発光部１４０の陽極として機能する。導電層３０２は、光透過性を有する透明電極である。有機層１２０からの光は、第１電極１１０を介して外部に出射する。導電層３０２は、金属を含む材料、例えば金属酸化物、より具体的には、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）からなる。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

有機層１２０は、有機層２２０の一部であり、具体的には第１電極１１０と重なっている部分である。有機層２２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を有している。

第２電極１３０は、第２導電層２３０の一部であり、具体的には第１電極１１０と重なっている部分である。第２電極１３０は、発光部１４０の陰極として機能する。第２導電層２３０は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。

図１６に示すように、基板１００上には、２つの第１端子１１２及び２つの第２端子１３２がある。２つの第１端子１１２は、導電層３０２の一部であり、第１電極１１０を挟んで互いに反対側にある。一方の第１端子１１２は、第３辺１０２ｃに沿って位置し、他方の第１端子１１２は、第４辺１０２ｄに沿って位置する。２つの第２端子１３２は、導電層３０２を挟んで互いに反対側にある。一方の第２端子１３２は、第１辺１０２ａに沿って位置し、他方の第２端子１３２は、第２辺１０２ｂに沿って位置する。第１端子１１２及び第２端子１３２は、発光部１４０に電力を供給するために設けられている。第１端子１１２及び第２端子１３２には、導電部材、例えばリード端子又はボンディングワイヤが接続される。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims

取付面に取り付けられる発光装置であって、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ガラスからなる基板と、
前記第１面上又は前記第２面上の一方にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む発光部と、
を備え、
前記基板は、前記第１面側にリブマークを有し、
前記発光装置は、前記基板が前記第２面の外側に向かって凸に湾曲するように前記取付面に取り付けられる発光装置。
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ガラスからなる基板と、
前記第１面上又は前記第２面上の一方にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む発光部と、
を備え、
前記基板は、前記第１面側にリブマークを有し、
前記基板は、前記第２面の外側に向かって凸に湾曲している発光装置。
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記発光部は、前記第１面上にある発光装置。
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記発光部は、前記第２面上にある発光装置。
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記リブマークの深さは、前記基板の厚さの２０．０％以上３０．０％以下である発光装置。
請求項５に記載の発光装置において、
前記リブマークの深さは、前記基板の厚さの２２．５％以上２７．５％以下である発光装置。
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板の厚さは、２００μｍ以下である発光装置。
取付面と、
前記取付面に取り付けられた発光装置と、
を備え、
前記発光装置は、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、ガラスからなる基板と、
前記第１面上又は前記第２面上の一方にあり、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む発光部と、
を備え、
前記基板は、前記第１面側にリブマークを有し、
前記発光装置は、前記基板が前記第２面の外側に向かって凸に湾曲するように前記取付面に取り付けられている電子機器。
取付面に取り付けられる発光装置の製造方法であって、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有していてガラスからなる基材を準備し、各々が第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極の間の有機層を含む複数の発光部を前記基材の前記第１面上又は前記第２面上の一方に形成する工程と、
前記第１面側にリブマークを形成することにより、前記基材を複数の基板に分離して各基板が前記発光部を有するようにする工程と、
を含み、
前記発光装置は、前記基板及び前記発光部を備え、
前記発光装置は、前記基板が前記第２面の外側に向かって凸に湾曲するように前記取付面に取り付けられる、発光装置の製造方法。