WO2017163331A1 - 発光装置、電子装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、電子装置および発光装置の製造方法 Download PDF

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light emitting
emitting device
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electrode
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秀隆 大峡
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パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device, an electronic device, and a method for manufacturing the light emitting device.
  • This light-emitting device is used as a lighting device or a display device, and has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode.
  • a flexible light-emitting device using a resin or thin glass substrate has been developed.
  • Patent Document 1 describes that the majority of the transparent substrate is improved in strength by covering most of the transparent substrate other than the portion where the semiconductor chip and the flexible printed circuit board are mounted with a protective member. Has been.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to improve the durability of a flexible light-emitting device.
  • the invention described in claim 1 A substrate, A light emitting part formed on one surface of the substrate and having a first electrode, an organic layer, and a second electrode; A covering member for covering the light emitting part; An integrated circuit disposed on the one surface and electrically connected to at least one of the first electrode and the second electrode; A protective member located in a region between the covering member and the integrated circuit, The protective member is a light emitting device provided so as to expose the entire first surface of the integrated circuit opposite to the substrate.
  • the invention according to claim 14 A light-emitting device according to any one of claims 1 to 13, An electronic device in which at least a part of the substrate is curved.
  • the invention according to claim 15 is: Forming a light emitting unit having a first electrode, an organic layer, and a second electrode on one surface of the substrate; Providing an integrated circuit electrically connected to at least one of the first electrode and the second electrode on the one surface; Coating the light emitting part with a coating member; Forming a protective member in a region between the covering member and the integrated circuit, In the step of forming the protective member, the protective member is a method for manufacturing a light emitting device provided so as to expose the entire first surface of the integrated circuit opposite to the substrate.
  • FIG. 14 is a sectional view taken along line BB in FIG. It is CC sectional drawing of FIG. It is DD sectional drawing of FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a plan view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the present embodiment
  • FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 140, a covering member 180, an integrated circuit 300, and a protective member 400.
  • the light emitting unit 140 is formed on one surface (hereinafter also referred to as “first surface”) 101 of the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the covering member 180 covers the light emitting unit 140.
  • the integrated circuit 300 is disposed on one surface 101 of the substrate 100.
  • the integrated circuit 300 is electrically connected to at least one of the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the protection member 400 is located in the first region 105 between the covering member 180 and the integrated circuit 300.
  • the protective member 400 is provided so as to expose the entire first surface 301 on the opposite side of the integrated circuit 300 from the substrate 100. This will be described in detail below.
  • the substrate 100 of the light emitting device 10 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin. However, when the light emitting device 10 is a top emission type described later, the substrate 100 may be formed of a material that does not have translucency.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Here, the substrate 100 has flexibility.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less. In particular, when the substrate 100 is a flexible glass substrate, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed.
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. ing.
  • a light emitting unit 140 is formed on the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 has a structure for generating light emission, for example, an organic EL element.
  • This organic EL element has a configuration in which a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130 are laminated in this order.
  • FIGS. 3 is a view in which the protection member 400, the integrated circuit 300, the covering member 180, and the sealing film 190 are removed from FIG.
  • the integrated circuit 300 and the covering member 180 are indicated by broken lines.
  • FIG. 4 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 3.
  • FIG. 5 is a diagram in which the insulating layer 150 and the organic layer 120 are removed from FIG. 4.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide), and the like. is there.
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.
  • the light emitting device 10 further includes an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 defines the light emitting unit 140.
  • the insulating layer 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes the light emitting portion 140.
  • a part of the second electrode 130 is located on the insulating layer 150.
  • a part of the insulating layer 150 protrudes from the second electrode 130.
  • the second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the materials of the first electrode 110 and the second electrode 130 described above are used when light is transmitted through the substrate 100, that is, when light emission from the light emitting device 10 is performed through the substrate 100 (that is, bottom emission type). It is an example. In other cases, light may pass through the side opposite to the substrate 100. That is, the light emission from the light emitting device 10 is performed without passing through the substrate 100 (that is, the top emission type).
  • the top emission type one of two types of stacked structures of a reverse product type and a forward product type can be adopted. In the reverse product type, the material of the first electrode 110 and the material of the second electrode 130 are opposite to those of the bottom emission type.
  • the material of the second electrode 130 is used as the material of the first electrode 110, and the material of the first electrode 110 is used as the material of the second electrode 130.
  • the material of the first electrode 110 is formed on the material of the second electrode 130 described above, the organic layer 120 is further formed thereon, and the second electrode 130 is further formed thinly thereon.
  • the material for forming the thin film is, for example, the material exemplified as the material of the second electrode 130 or an MgAg alloy.
  • the thickness of the second electrode 130 is preferably 30 nm or less.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment may be of any structure of a bottom emission type and the two types of top emission types described above.
  • the organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer.
  • the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method.
  • at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition.
  • all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply
  • the light emitting unit 140 is sealed with a sealing film 190 (see FIG. 1).
  • the sealing film 190 is formed on at least a surface of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is formed, and covers the light emitting unit 140. However, the first terminal 112 and the second terminal 132 described later are not covered with the sealing film 190.
  • the sealing film 190 is formed of, for example, an insulating material, more specifically, an inorganic material such as aluminum oxide or titanium oxide.
  • the thickness of the sealing film 190 is preferably 300 nm or less. Moreover, the thickness of the sealing film 190 is, for example, 50 nm or more.
  • the sealing film 190 is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In this case, the step coverage of the sealing film 190 is increased.
  • the sealing film 190 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. In this case, it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly stacked. .
  • the lowermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer.
  • the uppermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer.
  • the sealing film 190 may be a single layer in which the first material and the second material are mixed.
  • the sealing film 190 may be formed using other film forming methods such as a CVD method or a sputtering method.
  • the sealing film 190 is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.
  • a covering member 180 for protecting the sealing film 190 is further provided on the sealing film 190.
  • the covering member 180 is formed using an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the covering member 180 may or may not have a sealing function.
  • the covering member 180 may be formed using, for example, translucent glass or resin.
  • the covering member 180 has a polygonal shape or a circular shape similar to that of the substrate 100 and is fixed to the light emitting unit 140 via an adhesive layer.
  • the covering member 180 may have a shape in which a recess is provided in the center.
  • the edge of the covering member 180 is fixed to the substrate 100 with an adhesive. Thereby, the space surrounded by the covering member 180 and the substrate 100 is sealed.
  • the light emitting unit 140 is located in the sealed space.
  • the sealing film 190 may not be provided.
  • a desiccant may be disposed in the space sealed with the covering member 180.
  • the desiccant contains, for example, a drying member such as CaO or BaO.
  • the desiccant is fixed to the surface of the covering member 180 facing the substrate 100.
  • the light emitting device 10 further includes a terminal portion that is formed on the first surface 101 of the substrate 100 and is electrically connected to the first electrode 110 or the second electrode 130.
  • the terminal portion is connected to the integrated circuit 300.
  • the light emitting device 10 includes a first terminal 112, a first lead wire 114, a second terminal 132, and a second lead wire 134.
  • the 1st terminal 112 and the 2nd terminal 132 are said terminal parts.
  • the first terminal 112, the first lead wiring 114, the second terminal 132, and the second lead wiring 134 are all formed on the same surface of the substrate 100 as the light emitting unit 140.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are located outside the covering member 180.
  • the first lead wire 114 connects the first terminal 112 and the first electrode 110
  • the second lead wire 134 connects the second terminal 132 and the second electrode 130.
  • both the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134 extend from the inside to the outside of the covering member 180.
  • the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134 have, for example, a layer formed of the same material as that of the first electrode 110.
  • at least a part of at least one of the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134 is a metal film having a lower resistance than the first electrode 110 on this layer. (Not shown) may be included. This metal film does not need to be formed on all of the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134.
  • the first lead wire 114, the second terminal 132, and the second lead wire 134 a layer formed of the same material as the first electrode 110 is formed in the same process as the first electrode 110. Yes. For this reason, the first electrode 110 is integrated with at least a part of the layer of the first terminal 112. Further, when these have a metal film, the light transmittance of the first terminal 112, the first lead wiring 114, the second terminal 132, and the second lead wiring 134 is lower than the light transmittance of the substrate 100. .
  • the integrated circuit 300 includes a plurality of electrodes 305 on the surface facing the substrate 100.
  • the plurality of electrodes 305 include the positive terminal and the negative terminal of the integrated circuit 300.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 and the electrode 305 of the integrated circuit 300 are electrically connected through the anisotropic conductive resin layer 310.
  • the anisotropic conductive resin layer 310 has a configuration in which a plurality of conductive particles are mixed in an insulating resin.
  • the conductive particles are, for example, metal particles, but may be formed by depositing a metal such as gold on the surface of insulating particles such as resin particles.
  • the first terminal 112 is connected to the positive terminal of the integrated circuit 300, and the second terminal 132 is connected to the negative terminal of the integrated circuit 300, so that the first terminal 112 and the second terminal 132 are energized with the integrated circuit 300. It becomes possible. Further, the integrated circuit 300 is fixed to the substrate 100 with an anisotropic conductive resin layer 310 interposed therebetween.
  • the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134 are formed one by one for one light emitting unit 140.
  • the plurality of first lead wires 114 are all connected to the same first terminal 112, and the plurality of second lead wires 134 are all connected to the same second terminal 132.
  • one first lead wire 114 and one second lead wire 134 may be formed for the plurality of light emitting units 140.
  • the first lead wires 114 may be connected to one first terminal 112 one by one, and the second lead wires 134 may be connected to one second terminal 132 one by one.
  • the integrated circuit 300 is, for example, a semiconductor integrated circuit (IC) and functions as a control circuit for the light emitting unit 140.
  • the second surface 302 opposite to the first surface 301 is fixed so as to face the first surface 101 of the substrate 100.
  • the shape and size of the integrated circuit 300 are not particularly limited.
  • the height h C from the first surface 101 of the substrate 100 to the first surface 181 of the covering member 180 opposite to the substrate 100 is the substrate 100.
  • the height h IC from the first surface 101 to the first surface 301 opposite to the substrate 100 of the integrated circuit 300 is lower than h IC .
  • the integrated circuit 300 includes a plurality of electrodes 305 and is electrically connected to the terminal portions (the first terminal 112 and the second terminal 132) connected to the first electrode 110 or the second electrode 130 as described above. Yes.
  • the light emitting device 10 may include a plurality of integrated circuits 300 on the first surface 101 of the substrate 100.
  • the protection member 400 is provided in each region between the integrated circuit 300 and the covering member 180.
  • the protective member 400 is located in the first region 105 between the covering member 180 and the integrated circuit 300.
  • the protective member 400 preferably covers at least the entire substrate 100 in the first region 105. Further, the protection member 400 may further cover at least a part of the first surface 181 on the side opposite to the substrate 100 of the covering member 180. Further, the protection member 400 may further cover a part of the substrate 100 other than the first region 105.
  • FIGS. 6 and 7 are plan views showing examples of the positional relationship between the covering member 180 and the integrated circuit 300.
  • FIG. The first region 105 will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
  • the main member for example, an inorganic material such as silicon
  • the covering member 180 of the integrated circuit 300 are rectangular when viewed from the direction perpendicular to the substrate.
  • the integrated circuit 300 may include a lead or the like in addition to the main member.
  • the first region 105 includes a portion 304 facing the covering member 180 among the sides of the integrated circuit 300 and a portion 184 facing the integrated circuit 300 among the sides of the covering member 180 when viewed from the direction perpendicular to the substrate 100. It can be said that it is a rectangular area having two opposite sides.
  • FIG. 6 shows an example in which the entire side surface 303 of the integrated circuit 300 faces the side surface 183 of the covering member 180
  • FIG. 7 shows only a part of the side surface 303 faces the side surface 183 of the covering member 180. An example is shown.
  • the protective member 400 covers the entire second region 106 in addition to the first region 105.
  • the second area 106 is a rectangular area adjacent to the first area 105.
  • One side of the second region 106 is one side of the first region 105 perpendicular to the side surface 303 of the integrated circuit 300, and the other side of the second region 106 is an edge of the portion 304 from one corner of the integrated circuit 300. It is a line connecting up to the part.
  • the protective member 400 is made of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the protective member 400 can be formed by applying the resin material and solidifying the covering member 180 and the integrated circuit 300 on the first surface 101 of the substrate 100.
  • the protection member 400 preferably has appropriate elasticity and flexibility in a solidified state.
  • the protective member 400 covers the first region 105 of the first surface 101 of the substrate 100, so that the substrate 100 is bent when the substrate 100 is bent. It is possible to reduce stress concentrated on the first region 105 and prevent the substrate 100 from being cracked. Therefore, the durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • the protection member 400 is preferably in contact with at least one side surface 303 perpendicular to the first surface 301 of the integrated circuit 300.
  • the protection member 400 includes the first surface 101 of the substrate 100 among the side surfaces 303 of the integrated circuit 300. It is more preferable that the region from h to h IC / 2 is covered. Then, when the substrate 100 is bent, the stress concentrated on the first region 105 of the substrate 100 can be further reduced, and the durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • the protective member 400 is provided so as to expose the entire first surface 301 on the side opposite to the substrate 100 of the integrated circuit 300. By doing so, it is possible to avoid an increase in the thickness of the light emitting device 10 as a whole by the light emitting unit 140.
  • the first surface 301 of the integrated circuit 300 preferably has water repellency.
  • the contact angle with respect to water of the first surface 301 of the integrated circuit 300 is preferably 90 ° or more, and more preferably 150 ° or more.
  • water repellency can be imparted to the first surface 301 by subjecting the surface of the integrated circuit 300 to a water repellency treatment or a water repellency coat.
  • the first surface 301 of the integrated circuit 300 repels the resin material. Therefore, the light emitting device 10 can be efficiently manufactured while preventing the first surface 301 from being covered with the protective member 400.
  • the side surface 303 of the integrated circuit 300 may or may not have water repellency.
  • the protective member 400 is preferably in contact with the first surface 101 of the substrate 100 in the entire first region 105. However, when a covering layer or the like is formed on the first surface 101 of the substrate 100 in the first region 105, the protective member 400 may not be in contact with the first surface 101 of the substrate 100.
  • 8 to 11 are cross-sectional views showing modified examples of the light emitting device 10. 8 to 11 correspond to FIG.
  • the surface of the protection member 400 is convex toward the side opposite to the first surface 101 of the light emitting device 10.
  • the protective member 400 covers at least a part of the first surface 181 of the covering member 180.
  • the surface of the protection member 400 is concave toward the side opposite to the first surface 101 of the light emitting device 10.
  • the protective member 400 does not cover the first surface 301 of the integrated circuit 300 and the first surface 181 of the covering member 180.
  • the protection member 400 covers only a part of the side surface 303 of the integrated circuit 300. In the example of this figure, the protection member 400 covers at least the region from the first surface 101 of the substrate 100 to the height of h IC / 2 among the side surfaces 303 of the integrated circuit 300.
  • the protection member 400 covers only a part of the side surface 183 of the covering member 180. Further, the protective member 400 covers only a part of the side surface 303 of the integrated circuit 300. In the example of this figure, the protection member 400 covers at least the region from the first surface 101 of the substrate 100 to the height of h C / 2 on the side surface 183 of the covering member 180, and Among these, at least the region from the first surface 101 of the substrate 100 to the height of h IC / 2 is covered.
  • the shape of the protective member 400 may vary depending on the viscosity of the resin material forming the protective member 400, the coating amount, the wettability of the surfaces of the integrated circuit 300 and the covering member 180, and the like.
  • the protective member 400 covers the first region 105 as described above in the first surface 101 of the substrate 100, the first region of the substrate 100 is bent when the substrate 100 is bent. It is possible to reduce the stress concentrated on 105 and prevent the substrate 100 from being cracked. Therefore, the durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • the manufacturing method includes a step of forming the light emitting portion 140, a step of providing the integrated circuit 300 on the first surface 101 of the substrate 100, a step of covering the light emitting portion 140 with the covering member 180, and a step of forming the protective member 400. Including. In the step of forming the light emitting unit 140, the light emitting unit 140 having the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 is formed on the first surface 101 of the substrate 100. In the step of providing the integrated circuit 300, the integrated circuit 300 is electrically connected to at least one of the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the protection member 400 is formed in the first region 105 between the covering member 180 and the integrated circuit 300. In the step of forming the protection member 400, the protection member 400 is provided so as to expose the entire first surface 301 on the side opposite to the substrate 100 of the integrated circuit 300. This will be described in detail below.
  • the first electrode 110 is formed on the first surface 101 of the substrate 100.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are also formed.
  • the insulating layer 150, the organic layer 120, and the second electrode 130 are formed in this order (a step of forming the light emitting portion 140).
  • the anisotropic conductive resin layer 310 is formed on the first surface 101 of the substrate 100 in a range including the first terminal 112 and the second terminal 132 and the range in which the integrated circuit 300 is disposed. Then, the integrated circuit 300 is arranged and fixed on the first surface 101 of the substrate 100 with the anisotropic conductive resin layer 310 interposed therebetween. At this time, the first terminal 112 and the second terminal 132 are electrically connected to the electrode 305 of the integrated circuit 300 through a plurality of conductive particles (step of providing the integrated circuit 300). Note that the conductivity of the anisotropic conductive resin layer 310 in the direction parallel to the substrate 100 is low, and the first terminal 112 and the second terminal 132 are not short-circuited.
  • a sealing film 190 and a covering member 180 are formed on the first surface 101 of the substrate 100 so as to cover the light emitting unit 140 (covering step).
  • a resin material for forming the protective member 400 is applied to the first region 105 between the covering member 180 and the integrated circuit 300 and solidified (step of forming the protective member 400).
  • the resin material can be applied only to a desired region using, for example, a dispenser.
  • a step of performing a water repellent treatment on at least the first surface 301 of the integrated circuit 300 may be further included. Then, since the first surface 301 of the integrated circuit 300 repels the resin material, the light emitting device 10 can be efficiently manufactured while preventing the first surface 301 from being covered with the protective member 400.
  • the light emitting device 10 can be used not only in a state where the substrate 100 is flat but also in a state where at least a part of the substrate 100 is curved. Further, in the light emitting device 10, the substrate 100 may be fixed in a state where at least a part thereof is curved.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an electronic device 50 including the light emitting device 10.
  • the electronic device 50 includes a fixing member 510, and the light emitting device 10 is fixed to the fixing member 510 with the substrate 100 being curved.
  • the electronic device 50 is, for example, an advertising board, a portable terminal (including a wearable terminal), or the like.
  • the protective member 400 is provided in the first region 105 between the covering member 180 and the integrated circuit 300. Therefore, when the substrate 100 is bent, the stress concentrated on the first region 105 of the substrate 100 can be reduced, and the substrate 100 can be prevented from being cracked. Therefore, the durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • the protection member 400 is provided so as to expose the entire first surface 301 opposite to the substrate 100 of the integrated circuit 300. Therefore, it is possible to avoid an increase in the thickness of the light emitting device 10 as a whole due to the light emitting unit 140.
  • FIG. 18 is a plan view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this example is the same as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the points described below.
  • FIG. 13 is a view in which the protection member 400, the covering member 180, and the integrated circuit 300 are removed from FIG. In this figure, the covering member 180 and the integrated circuit 300 are indicated by broken lines.
  • 14 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 15 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 13
  • FIG. 16 is a sectional view taken along the line CC of FIG. 13
  • FIG. 17 is a sectional view taken along the line DD of FIG.
  • the sealing film 190 and the covering member 180 are omitted.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of first lead wires 114, and an organic layer 120.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 13). The end portion of the first electrode 110 is connected to the first lead wiring 114.
  • the first lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the first lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the first lead wiring 114 is a first terminal 112.
  • a conductor layer 182 is formed on the first terminal 112 and the first lead wiring 114.
  • the conductor layer 182 is formed using a metal having a resistance lower than that of the first electrode 110, such as Al or Ag.
  • a part of the first lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on the plurality of first electrodes 110 and in a region therebetween.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 13).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (Y direction in FIG. 13). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (X direction in FIG. 13). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. And when it sees in the direction (For example, the Y direction in FIG. 13, ie, the direction in alignment with the 1st electrode 110) along this one side, the opening 154 is arrange
  • a part of the second lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the second lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the second lead wiring 134 is a wiring for connecting the second electrode 130 to the second terminal 132 and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the second lead wire 134 is located below the opening 154, and the other end side of the second lead wire 134 is drawn to the outside of the insulating layer 150. In the example shown in the drawing, the other end side of the second lead wiring 134 is the second terminal 132. A part of the second lead wiring 134 is covered with the insulating layer 150.
  • the organic layer 120 is formed.
  • the hole injection layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron injection layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.
  • the layers constituting the organic layer 120 are shown to protrude beyond the opening 152. And as shown in FIG. 13, the organic layer 120 may be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 17, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.
  • the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 13) intersecting the first direction.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively.
  • the partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.
  • the manufacturing method of the light emitting device 10 according to the present example is the same as the manufacturing method of the light emitting device 10 according to the embodiment, except for the step of forming the light emitting unit 140.
  • the first electrode 110, the first lead wire 114, and the second lead wire 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment.
  • an insulating layer 150 is formed, and a partition wall 170 is further formed.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed.
  • the step of providing the integrated circuit 300, the step of covering, and the step of forming the protective member 400 are performed.
  • the protective member 400 is provided in the first region 105 between the covering member 180 and the integrated circuit 300. Therefore, when the substrate 100 is bent, the stress concentrated on the first region 105 of the substrate 100 can be reduced, and the substrate 100 can be prevented from being cracked. Therefore, the durability of the light emitting device 10 can be improved.
  • the protection member 400 is provided so as to expose the entire first surface 301 opposite to the substrate 100 of the integrated circuit 300. Therefore, it is possible to avoid an increase in the thickness of the light emitting device 10 as a whole due to the light emitting unit 140.

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Abstract

発光部（１４０）は、基板（１００）の一方の面（１０１）に形成されている。また発光部（１４０）は、第１電極（１１０）、有機層（１２０）、および第２電極（１３０）を有する。被覆部材（１８０）は、発光部（１４０）を被覆する。集積回路（３００）は、基板（１００）の一方の面（１０１）に配置されている。また、集積回路（３００）は、第１電極（１１０）および第２電極（１３０）の少なくとも一方と電気的に接続されている。保護部材（４００）は、被覆部材（１８０）と集積回路（３００）との間の領域（１０５）に位置する。また、保護部材（４００）は、集積回路（３００）の基板（１００）とは反対側の第１面（３０１）の全体を露出するように設けられている。

Description

発光装置、電子装置および発光装置の製造方法
　本発明は、発光装置、電子装置および発光装置の製造方法に関する。
　近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、樹脂や薄いガラスの基板を用いた、フレキシブルな発光装置が開発されている。
　特許文献１には、透明基板のうち半導体チップ及びフレキシブルプリント回路基板が実装されている部分以外の大部分を、保護部材で覆うことにより、透明基板の大部分において強度の向上を図ることが記載されている。
特開２０１０－２７５０２号公報
　特にガラス基板を用いた場合、樹脂基板に比べて発光部の劣化因子の侵入が少ないため、発光部の寿命を長くすることができる一方、湾曲させた場合の耐久性が劣るという問題があった。基板を湾曲させた際、特に基板上に設けた集積回路と封止部材との間に応力が集中し、割れ等の原因になりやすかった。
　本発明が解決しようとする課題としては、フレキシブルな発光装置の耐久性を向上させることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　基板と、
　前記基板の一方の面に形成され、第１電極、有機層、及び第２電極を有する発光部と、
　前記発光部を被覆する被覆部材と、
　前記一方の面に配置され、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と電気的に接続された集積回路と、
　前記被覆部材と前記集積回路との間の領域に位置する保護部材と、を備え、
　前記保護部材は、前記集積回路の前記基板とは反対側の第１面の全体を露出するように設けられている発光装置である。
　請求項１４に記載の発明は、
　請求項１～１３のいずれか一項に記載の発光装置を備え、
　前記基板の少なくとも一部が湾曲している電子装置
である。
　請求項１５に記載の発明は、
　基板の一方の面に、第１電極、有機層、及び第２電極を有する発光部を形成する工程と、
　前記一方の面に前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と電気的に接続された集積回路を設ける工程と、
　前記発光部を被覆部材で被覆する工程と、
　前記被覆部材と前記集積回路との間の領域に保護部材を形成する工程と、を含み、
　前記保護部材を形成する工程において、前記保護部材は、前記集積回路の前記基板とは反対側の第１面の全体を露出するように設けられる発光装置の製造方法である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図２から保護部材、集積回路、被覆部材および封止膜を取り除いた図である。 図３から第２電極を取り除いた図である。 図４から絶縁層、及び有機層を取り除いた図である。 被覆部材および集積回路の位置関係の例を示す平面図である。 被覆部材および集積回路の位置関係の例を示す平面図である。 発光装置の変形例を示す断面図である。 発光装置の変形例を示す断面図である。 発光装置の変形例を示す断面図である。 発光装置の変形例を示す断面図である。 発光装置を備える電子装置の構成を示す断面図である。 図１８から保護部材、被覆部材、および集積回路を取り除いた図である。 図１３から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図１３のＢ－Ｂ断面図である。 図１３のＣ－Ｃ断面図である。 図１３のＤ－Ｄ断面図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、本実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、図２は、本実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１は図２のＡ－Ａ断面図である。
　本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、被覆部材１８０、集積回路３００、および保護部材４００を備える。発光部１４０は、基板１００の一方の面（以下「第１面」とも呼ぶ。）１０１に形成されている。また発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、および第２電極１３０を有する。被覆部材１８０は、発光部１４０を被覆する。集積回路３００は、基板１００の一方の面１０１に配置されている。また、集積回路３００は、第１電極１１０および第２電極１３０の少なくとも一方と電気的に接続されている。保護部材４００は、被覆部材１８０と集積回路３００との間の第１領域１０５に位置する。また、保護部材４００は、集積回路３００の基板１００とは反対側の第１面３０１の全体を露出するように設けられている。以下に詳しく説明する。
　発光装置１０の基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後述のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。ここで、基板１００は可撓性を有している。基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００が可撓性を有するガラス基板である場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
　基板１００には発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、発光を生じさせるための構造、例えば有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。
　図３から図５を参照して発光部１４０の構成について詳しく説明する。図３は、図２から保護部材４００、集積回路３００、被覆部材１８０および封止膜１９０を取り除いた図である。本図において、集積回路３００および被覆部材１８０は破線で示している。図４は、図３から第２電極１３０を取り除いた図である。図５は、図４から絶縁層１５０、及び有機層１２０を取り除いた図である。
　第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。
　発光装置１０はさらに絶縁層１５０を備える。絶縁層１５０は、発光部１４０を画定している。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。第２電極１３０は、一部が絶縁層１５０上に位置している。また、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁層１５０の一部は第２電極１３０からはみ出ている。
　第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合、すなわち発光装置１０からの発光が基板１００を透過して行われる場合（すなわちボトムエミッション型）の例である。他の場合として、基板１００とは逆側を光が透過する場合がある。すなわち、発光装置１０からの発光が基板１００を透過しないで行われる場合（すなわちトップエミッション型）である。トップエミッション型では、逆積型と、順積型との２種類の積層構造のいずれかを採用できる。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。他方の順積型では、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層１２０、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。なお、薄く成膜する材料は、例えば第２電極１３０の材料として例示した材料やＭｇＡｇ合金などである。ＡｌやＡｇで形成する場合は、第２電極１３０の厚さは、３０ｎｍ以下であるのが好ましい。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した２種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。
　有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
　発光部１４０は、封止膜１９０によって封止されている（図１参照）。封止膜１９０は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。ただし、後述する第１端子１１２及び第２端子１３２は封止膜１９０で覆われていない。封止膜１９０は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成される。また、封止膜１９０の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜１９０の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。
　封止膜１９０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、封止膜１９０の段差被覆性は高くなる。またこの場合、封止膜１９０は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜１９０は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
　ただし、封止膜１９０は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、封止膜１９０は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　また、封止膜１９０の上にはさらに封止膜１９０を保護するための被覆部材１８０が設けられている。被覆部材１８０は、エポキシ系又はアクリル系等の樹脂を用いて形成される。被覆部材１８０は、封止機能を有していても良いし、有していなくても良い。
　なお、被覆部材１８０は例えば透光性を有するガラス又は樹脂を用いて形成されてもよい。その場合、被覆部材１８０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、接着層を介して発光部１４０に固定されている。また、被覆部材１８０は中央に凹部を設けた形状を有していても良い。この場合、被覆部材１８０の縁は接着剤で基板１００に固定される。これにより、被覆部材１８０と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、封止された空間の中に位置する。なお、封止膜１９０は設けられていなくても良い。
　また、被覆部材１８０で封止された空間には、乾燥剤が配置されていてもよい。乾燥剤は、例えばＣａＯ，ＢａＯなどの乾燥部材を含有している。たとえば乾燥剤は、被覆部材１８０の基板１００に対向する面に固定される。
　また、発光装置１０は、基板１００の第１面１０１に形成され、第１電極１１０又は第２電極１３０と電気的に接続された端子部をさらに備える。そして端子部は、集積回路３００と接続されている。本図の例では、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を備えている。第１端子１１２および第２端子１３２は、上記の端子部である。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４は、いずれも基板１００のうち発光部１４０と同一面に形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は被覆部材１８０の外部に位置している。第１引出配線１１４は第１端子１１２と第１電極１１０とを接続しており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と第２電極１３０とを接続している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも被覆部材１８０の内側から外側に延在している。
　第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。また、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４の少なくとも一つの少なくとも一部は、この層の上に、第１電極１１０よりも低抵抗な金属膜（不図示）を有していてもよい。この金属膜は、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４のすべてに形成されている必要はない。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と同一工程で形成されている。このため、第１電極１１０は、第１端子１１２の少なくとも一部の層と一体になっている。またこれらが金属膜を有している場合、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低くなる。
　図１に戻り、集積回路３００は、基板１００と対向する面に複数の電極３０５を備える。複数の電極３０５には、集積回路３００の正極端子および負極端子が含まれる。そして、第１端子１１２および第２端子１３２と集積回路３００の電極３０５とは、異方性導電性樹脂層３１０を介して電気的に接続されている。異方性導電性樹脂層３１０は、絶縁性の樹脂に複数の導電粒子を混ぜた構成を有している。導電粒子はたとえば金属粒子であるが、樹脂粒子などの絶縁性の粒子の表面に金などの金属を成膜したものであってもよい。そして、第１端子１１２が集積回路３００の正極端子に接続され、第２端子１３２が集積回路３００の負極端子に接続されることにより、第１端子１１２および第２端子１３２は集積回路３００と通電可能となる。また、集積回路３００は、異方性導電性樹脂層３１０を介して基板１００に固定されている。
　発光装置１０が複数の発光部１４０を備える場合、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は一つの発光部１４０について一つずつ形成される。複数の第１引出配線１１４はいずれも同一の第１端子１１２に接続され、複数の第２引出配線１３４はいずれも同一の第２端子１３２に接続される。ただし、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は複数の発光部１４０について一つ形成されてもよい。そして、第１引出配線１１４は一つの第１端子１１２について一つずつ接続され、第２引出配線１３４は一つの第２端子１３２について一つずつ接続されてもよい。
　集積回路３００は、たとえば半導体集積回路（ＩＣ）であり、発光部１４０の制御回路として機能する。集積回路３００は、第１面３０１とは反対側の第２面３０２が、基板１００の第１面１０１に対向するよう固定されている。集積回路３００の形状や大きさは特に限定されないが、たとえば、基板１００の第１面１０１から、被覆部材１８０の基板１００とは反対側の第１面１８１までの高さｈＣは、基板１００の第１面１０１から、集積回路３００の基板１００とは反対側の第１面３０１までの高さｈＩＣより低くなっている。集積回路３００は複数の電極３０５を備えており、上記した通り、第１電極１１０または第２電極１３０に接続された端子部（第１端子１１２，第２端子１３２）と電気的に接続されている。
　発光装置１０は、複数の集積回路３００を基板１００の第１面１０１に備えていてもよい。その場合、保護部材４００は、集積回路３００と被覆部材１８０との間の領域にそれぞれ設けられる。
　保護部材４００は、上記した通り、被覆部材１８０と集積回路３００との間の第１領域１０５に位置する。保護部材４００は、少なくとも第１領域１０５の基板１００の全体を覆っていることが好ましい。また、保護部材４００は、さらに被覆部材１８０の基板１００とは反対側の第１面１８１の少なくとも一部を覆っていてもよい。また、保護部材４００は、第１領域１０５以外の基板１００の一部をさらに覆っていてもよい。
　図６および図７は、被覆部材１８０および集積回路３００の位置関係の例を示す平面図である。図６および図７を参照して第１領域１０５について説明する。本図の例において集積回路３００のメインの部材（たとえばシリコン等の無機材料）および被覆部材１８０は基板に垂直な方向から見て矩形である。なお、集積回路３００はメインの部材に加えリード等を備えていてもよい。第１領域１０５は、基板１００に垂直な方向から見て、集積回路３００の辺のうち被覆部材１８０と対向する部分３０４と、被覆部材１８０の辺のうち集積回路３００と対抗する部分１８４とを対向２辺とする矩形の領域であるといえる。図６では、集積回路３００の側面３０３の全体が被覆部材１８０の側面１８３に対向している例を示し、図７では、側面３０３の一部のみが被覆部材１８０の側面１８３に対向している例を示している。
　なお、図７のように側面３０３の一部のみが被覆部材１８０の側面１８３に対向している場合、保護部材４００は第１領域１０５に加え、第２領域１０６の全体を覆っていることが好ましい。ここで、第２領域１０６は、第１領域１０５に隣接する矩形の領域である。また、第２領域１０６の一辺は、集積回路３００の側面３０３に垂直な第１領域１０５の一辺であり、第２領域１０６の他の一辺は、集積回路３００の一つの角から部分３０４の端部までを結ぶ線である。
　保護部材４００はたとえば、エポキシ系またはアクリル系等の樹脂からなる。保護部材４００は、基板１００の第１面１０１に被覆部材１８０および集積回路３００を固定した後に、樹脂材料を塗布し、固化させることによって形成することができる。保護部材４００は、固化した状態において、適度な弾力性、柔軟性を有することが好ましい。
　本実施形態に係る発光装置１０では、基板１００の第１面１０１のうち、上記のような第１領域１０５を保護部材４００が覆っていることにより、基板１００を湾曲させた場合に基板１００の第１領域１０５に集中する応力を軽減し、基板１００にクラック等が生じることを防ぐことができる。したがって、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　図１に戻り、保護部材４００についてさらに説明する。保護部材４００は、集積回路３００の第１面３０１に垂直な少なくとも一つの側面３０３に接していることが好ましい。また、基板１００の第１面１０１から集積回路３００の第１面３０１までの高さをｈＩＣとしたとき、保護部材４００は、集積回路３００の側面３０３の内、基板１００の第１面１０１からｈＩＣ／２の高さまでの領域を覆っていることがより好ましい。そうすれば、基板１００を湾曲させた場合に基板１００の第１領域１０５に集中する応力をより軽減し、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　一方で、保護部材４００は、集積回路３００の基板１００とは反対側の第１面３０１の全体を露出するように設けられている。そうすることにより、発光部１４０によって発光装置１０全体としての厚さが、厚くなることを避けることができる。ここで、集積回路３００の第１面３０１は、撥水性を有することが好ましい。具体的には、集積回路３００の第１面３０１の、水に対する接触角は９０°以上であることが好ましく、１５０°以上であることがより好ましい。たとえば、集積回路３００の表面を撥水処理したり、撥水性のコートを施したりすることで、第１面３０１に撥水性を付与することができる。そうすれば、保護部材４００を塗布法によって形成する際に、集積回路３００の第１面３０１が樹脂材料をはじく。したがって、第１面３０１が保護部材４００に覆われるのを防ぎつつ効率よく発光装置１０を製造できる。なお、集積回路３００の側面３０３は撥水性を有していてもよいし、有していなくてもよい。
　なお、保護部材４００は、第１領域１０５の全体において基板１００の第１面１０１と接していることが好ましい。ただし、第１領域１０５において、基板１００の第１面１０１に被覆層等が形成されている場合は、保護部材４００は基板１００の第１面１０１と接していなくてもよい。
　図８から図１１は、発光装置１０の変形例を示す断面図である。図８から図１１は、図１に相当する。図８の例では、保護部材４００の表面は、発光装置１０の第１面１０１とは反対側に向かって凸となっている。そして、保護部材４００は被覆部材１８０の第１面１８１の少なくとも一部を覆っている。
　図９の例では、保護部材４００の表面は、発光装置１０の第１面１０１と反対側に向かって凹となっている。そして、保護部材４００は、集積回路３００の第１面３０１および被覆部材１８０の第１面１８１のいずれも覆っていない。
　図１０の例では、保護部材４００は、集積回路３００の側面３０３のうち、一部のみを覆っている。そして、本図の例では、保護部材４００は、集積回路３００の側面３０３の内、基板１００の第１面１０１からｈＩＣ／２の高さまでの領域を少なくとも覆っている。
　図１１の例では、保護部材４００は、被覆部材１８０の側面１８３のうち、一部のみを覆っている。また、保護部材４００は、集積回路３００の側面３０３のうち、一部のみを覆っている。本図の例では、保護部材４００は、被覆部材１８０の側面１８３のうち、基板１００の第１面１０１からｈＣ／２の高さまでの領域を少なくとも覆っており、集積回路３００の側面３０３の内、基板１００の第１面１０１からｈＩＣ／２の高さまでの領域を少なくとも覆っている。
　これらの変形例のように、保護部材４００の形状は、保護部材４００を形成する樹脂材料の粘性や塗布量、集積回路３００および被覆部材１８０の表面の濡れ性等によって異なりうる。
　これらの変形例においても、基板１００の第１面１０１のうち、上記のような第１領域１０５を保護部材４００が覆っていることにより、基板１００を湾曲させた場合に基板１００の第１領域１０５に集中する応力を軽減し、基板１００にクラック等が生じることを防ぐことができる。したがって、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　発光装置１０の製造方法について以下に説明する。当該製造方法は、発光部１４０を形成する工程、基板１００の第１面１０１に集積回路３００を設ける工程、発光部１４０を被覆部材１８０で被覆する工程、および、保護部材４００を形成する工程を含む。発光部１４０を形成する工程では、基板１００の第１面１０１に、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有する発光部１４０を形成する。集積回路３００を設ける工程では、集積回路３００は第１電極１１０および第２電極１３０の少なくとも一方と電気的に接続される。保護部材４００を形成する工程では、被覆部材１８０と集積回路３００との間の第１領域１０５に保護部材が形成される。また、保護部材４００を形成する工程において、保護部材４００は、集積回路３００の基板１００とは反対側の第１面３０１の全体を露出するように設けられる。以下に詳しく説明する。
　まず、基板１００の第１面１０１上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、絶縁層１５０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する（発光部１４０を形成する工程）。
　次いで、基板１００の第１面１０１上の、第１端子１１２及び第２端子１３２を含む範囲であって、集積回路３００を配置する範囲の上に異方性導電性樹脂層３１０を形成する。そして、異方性導電性樹脂層３１０を介して基板１００の第１面１０１上に集積回路３００を配置し、固定する。このとき、第１端子１１２及び第２端子１３２が複数の導電粒子を介して集積回路３００の電極３０５に電気的に接続されるようにする（集積回路３００を設ける工程）。なお、異方性導電性樹脂層３１０の基板１００に平行な方向の導電性は低く、第１端子１１２と第２端子１３２とは短絡しない。
　次いで、発光部１４０を覆うように基板１００の第１面１０１上に封止膜１９０および被覆部材１８０を形成する（被覆する工程）。
　次いで、被覆部材１８０と集積回路３００との間の第１領域１０５に保護部材４００を形成するための樹脂材料を塗布し、固化させる（保護部材４００を形成する工程）。樹脂材料は、たとえばディスペンサー等を用いて所望の領域にのみ塗布できる。
　なお、集積回路３００を設ける工程の後、保護部材４００を形成する工程の前には、集積回路３００の少なくとも第１面３０１に対し、撥水処理を施す工程をさらに含んでもよい。そうすれば、集積回路３００の第１面３０１が樹脂材料をはじくため、第１面３０１が保護部材４００に覆われるのを防ぎつつ効率よく発光装置１０を製造できる。
　発光装置１０は、基板１００が平坦な状態のみならず、基板１００の少なくとも一部が湾曲している状態で用いることができる。また、発光装置１０において、基板１００は少なくとも一部が湾曲している状態で固定されていてもよい。
　図１２は、発光装置１０を備える電子装置５０の構成を示す断面図である。電子装置５０において、基板１００の少なくとも一部は湾曲している。電子装置５０は、固定部材５１０を備え、発光装置１０は、基板１００が湾曲した状態で固定部材５１０に固定されている。電子装置５０はたとえば、広告板、携帯端末（ウェアラブル端末を含む）等である。
　以上、本実施形態によれば、被覆部材１８０と集積回路３００との間の第１領域１０５に保護部材４００が設けられている。したがって、基板１００を湾曲させた場合に基板１００の第１領域１０５に集中する応力を軽減し、基板１００にクラック等が生じることを防ぐことができる。よって、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　また、保護部材４００は、集積回路３００の基板１００とは反対側の第１面３０１の全体を露出するように設けられている。したがって、発光部１４０により発光装置１０全体としての厚さが厚くなることを避けることができる。
（実施例１）
　図１８は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて実施形態に係る発光装置１０と同じである。図１３は、図１８から保護部材４００、被覆部材１８０、および集積回路３００を取り除いた図である。本図において、被覆部材１８０および集積回路３００を破線で示している。図１４は、図１３から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１５は図１３のＢ－Ｂ断面図であり、図１６は図１３のＣ－Ｃ断面図であり、図１７は図１３のＤ－Ｄ断面図である。ただし、図１５から図１７において、封止膜１９０および被覆部材１８０は省略して示している。
　本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の第１引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の第２引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
　第１電極１１０は、第１方向（図１３におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、第１引出配線１１４に接続している。
　第１引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、第１引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、第１引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。そして第１端子１１２の上及び第１引出配線１１４の上には、導体層１８２が形成されている。導体層１８２は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、第１引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　絶縁層１５０は、図１３、及び図１５～図１７に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１３におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１３におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１３におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１３におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、第２引出配線１３４の一部分が露出している。そして、第２引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　第２引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。第２引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、第２引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、第２引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。なお、第２引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
　なお、図１５及び図１６に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１３に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１７に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図１３、図１５～図１７に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１３におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
　次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。本実施例に係る発光装置１０の製造方法は、発光部１４０を形成する工程を除いて、実施形態に係る発光装置１０の製造方法と同様である。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１引出配線１１４，および第２引出配線１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
　次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。
　そして、以降は、実施形態の方法と同様に、集積回路３００を設ける工程、被覆する工程、および、保護部材４００を形成する工程を行う。
　本実施例によれば、実施形態と同様に、被覆部材１８０と集積回路３００との間の第１領域１０５に保護部材４００が設けられている。したがって、基板１００を湾曲させた場合に基板１００の第１領域１０５に集中する応力を軽減し、基板１００にクラック等が生じることを防ぐことができる。よって、発光装置１０の耐久性を向上させることができる。
　また、保護部材４００は、集積回路３００の基板１００とは反対側の第１面３０１の全体を露出するように設けられている。したがって、発光部１４０により発光装置１０全体としての厚さが厚くなることを避けることができる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (15)

  1. 　基板と、
    　前記基板の一方の面に形成され、第１電極、有機層、及び第２電極を有する発光部と、
    　前記発光部を被覆する被覆部材と、
    　前記一方の面に配置され、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と電気的に接続された集積回路と、
    　前記被覆部材と前記集積回路との間の領域に位置する保護部材と、を備え、
    　前記保護部材は、前記集積回路の前記基板とは反対側の第１面の全体を露出するように設けられている発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記一方の面に形成され、前記第１電極又は前記第２電極と電気的に接続された端子部をさらに備え、
    　前記端子部は、前記集積回路と接続されている発光装置。
  3. 　請求項１または２に記載の発光装置において、
    　前記保護部材は、少なくとも、前記領域の全体を覆っている発光装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記一方の面から前記被覆部材の前記基板とは反対側の面までの高さは、前記一方の面から前記第１面までの高さより低い発光装置。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１面は、撥水性を有する発光装置。
  6. 　請求項５に記載の発光装置において、
    　前記第１面の、水に対する接触角は９０°以上である発光装置。
  7. 　請求項６に記載の発光装置において、
    　前記第１面の、水に対する接触角は１５０°以上である発光装置。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記保護部材は前記被覆部材の前記基板とは反対側の面の少なくとも一部を覆っている発光装置。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記保護部材は、前記第１面に垂直な前記集積回路の少なくとも一つの側面に接している発光装置。
  10. 　請求項９に記載の発光装置において、
    　前記一方の面から前記第１面までの高さをｈＩＣとしたとき、前記保護部材は、前記集積回路の前記側面の内、前記一方の面からｈＩＣ／２の高さまでの領域を覆っている発光装置。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板はガラス基板である発光装置。
  12. 　請求項１～１１のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板の厚さは１０μｍ以上１０００μｍ以下である発光装置。
  13. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板は可撓性を有する発光装置。
  14. 　請求項１～１３のいずれか一項に記載の発光装置を備え、
    　前記基板の少なくとも一部が湾曲している電子装置。
  15. 　基板の一方の面に、第１電極、有機層、及び第２電極を有する発光部を形成する工程と、
    　前記一方の面に前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方と電気的に接続された集積回路を設ける工程と、
    　前記発光部を被覆部材で被覆する工程と、
    　前記被覆部材と前記集積回路との間の領域に保護部材を形成する工程と、を含み、
    　前記保護部材を形成する工程において、前記保護部材は、前記集積回路の前記基板とは反対側の第１面の全体を露出するように設けられる発光装置の製造方法。
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