JP6700013B2

JP6700013B2 - 発光装置

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Publication number: JP6700013B2
Application number: JP2015176772A
Authority: JP
Inventors: 石塚　真一; 真一石塚; 吉田　綾子; 綾子吉田
Original assignee: Pioneer Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2015-09-08
Filing date: 2015-09-08
Publication date: 2020-05-27
Anticipated expiration: 2035-09-08
Also published as: JP2017054642A

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光部に有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。発光層が発光した光を外部に取り出すためには、第１電極を透明電極材料で形成する必要がある。透明電極材料は金属と比較して抵抗が高い。このため、第１電極には、補助電極として導電部が設けられることが多い。

例えば特許文献１には、有機層及び第２電極の積層体をストライプ状に設けた有機ＥＬ素子において、複数の積層体の間に絶縁層を設けること、及び第１電極のうち絶縁層と重なっている領域に導電部を設けることが記載されている。

特開２０１４−１５４５６６号公報

有機ＥＬ素子は面光源であり、発光装置は板状・シート状など平面性を有することが多い。更に可撓性を有する基板を用いるなどして、可撓性の発光装置を形成することが知られる。一方で平面性を有するがゆえ、可撓性を有さない場合でも発光装置が意図せず外部から発光装置を曲げる方向に応力がかかることがある。第１電極の補助電極として導電部を有する発光部の基板に曲げ応力が加わり、この基板が曲がった場合、基板は、比較的剛性の高い補助電極を起点に曲がる。その場合には、第１電極、有機層、補助電極及び第２電極などに負荷がかかることとなる。そのうち、曲がりの起点となる補助電極及びその周辺層に最も大きな応力がかかる。第２電極が面上に形成された場合、第２電極はこの応力に耐えきれずクラック（ひび）がはいったり、分断されたり、欠陥が発生する。このため、欠陥となった部分から第２電極が有機層から剥離する可能性が出てくる。これに対して、特許文献１に記載されているように第２電極をストライプ状（縞状）にすると、このストライプ方向に基板が曲がっても、第２電極は有機層から剥離しにくくなる。

一方、特許文献１に記載されるように有機層及び第２電極をストライプ状にすると、発光部のうちこれらストライプの間に位置する部分は発光しなくなる。この場合、基板に対する発光領域の面積の割合が小さくなってしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、補助電極を有する発光装置において、基板が曲がっても第２電極が欠陥することや有機層から剥離することを抑制しつつ、基板に対する発光領域の面積の割合が小さくならないようにすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記基板と前記有機層の間に位置し、前記第１電極に電気的に接続している導電部と、
を有し、
前記第１電極及び前記有機層は、前記導電部と重なる領域にも形成されており、
前記有機層の上部のうち前記導電部と重なる領域の少なくとも一部は、前記第２電極が形成されていない非形成領域となっている発光装置である。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図１から第２電極を取り除いた図である。図２から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図１のＢ−Ｂ断面図である。図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第１例を示す図である。図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第２例を示す図である。図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第３例を示す図である。図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第４例を示す図である。変形例１に係る発光装置の構成を説明するための断面図である。変形例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図であり、図３は、図２から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図４は図１のＡ−Ａ断面図であり、図５は図１のＢ−Ｂ断面図である。発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、及び導電部１９０を備える。発光部１４０は基板１００に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。導電部１９０は基板１００と有機層１２０の間に位置しており、第１電極１１０に電気的に接続している。第１電極１１０及び有機層１２０は、導電部１９０と重なる領域にも形成されている。そして、有機層１２０の上部（例えば上面）のうち導電部１９０と重なる領域の少なくとも一部は、第２電極１３０が形成されていない非形成領域１３４となっている。以下、詳細に説明する。

発光装置１０が後述のボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。ただし、発光装置１０が後述のトップエミッション型である場合、基板１００は透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。ここで、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。

基板１００には発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、面発光を生じさせるための構造、例えば有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、基板１００を光が透過する場合、すなわち発光装置１０からの発光が基板１００を透過して行われる場合（すなわちボトムエミッション型）の例である。他の場合として、基板１００とは逆側を光が透過する場合がある。すなわち、発光装置１０からの発光が基板１００を透過しないで行われる場合（トップエミッション型）である。トップエミッション型では、逆積型と、順積型との２種類の積層構造のいずれかを採用できる。逆積型では、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料はボトムエミッション型と逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。一方、順積型は、上記した第２電極１３０の材料の上に第１電極１１０の材料を形成し、更にその上に有機層１２０、さらにその上に薄く成膜した第２電極１３０を形成することで、基板１００とは逆側から光を取出す構造である。なお、薄く成膜する材料は、例えば第２電極１３０の材料として例示した材料やＭｇＡｇ合金などである。ＡｌやＡｇで第２電極１３０を形成する場合、第２電極１３０の厚さは、３０ｎｍ以下であるのが好ましい。本実施形態にかかる発光装置１０は、ボトムエミッション型、及び上記した２種類のトップエミッション型のいずれの構造であってもよい。

有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子輸送層との間には正孔ブロック層を形成してもよい。また、有機層１２０はいわゆるタンデム構造などの、複数の発光層と当該複数の発光層との間に電荷発生層を有する、マルチフォトン構造であってもよい。マルチフォトン構造の場合は積層構造がそうではない場合（いわゆるシングル構造）と比較して有機層１２０の厚さがが厚くなったり層数が増えることによる成膜のムラが発生しやすくなり、例えば後述する絶縁層１５０の上と絶縁層が形成されない箇所に、有機層１２０が連続して形成されると、高低差が大きくなり、更にその上に形成される第２電極の平坦性を低下させることとなる。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。また、絶縁層１５０を形成することにより、有機層１２０の形成領域を画定することもできる。これにより、隣り合う有機層１２０の発光色を異ならせることができる。絶縁層１５０は、絶縁層１５０となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。この工程は、例えば第１電極１１０を形成した後、有機層１２０を形成する前に行われる。

発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に電気的に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に電気的に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。

また、発光装置１０は導電部１９０を有している。導電部１９０は第１電極１１０に接している。導電部１９０は第１電極１１０よりも低抵抗の材料、例えば金属によって形成されている。このため、導電部１９０は第１電極１１０の補助電極として機能し、その結果、第１電極１１０の見かけ上の抵抗は低くなる。また、導電部１９０は光を透過しない。ただし導電部１９０が薄い場合、導電部１９０は光を少し透過することもある。導電部１９０は、例えばＭｏ合金、Ａｌ合金、及びＭｏ合金をこの順に積層した膜である。ただし、導電部１９０はＡｌ、Ａｇ、Ｃｕのような他の導電材料を用いて形成されていてもよく、インクジェット法を用いて導電性粒子を塗布することによって形成されてもよい。また、導電部１９０の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

図１及び図３に示す例において、導電部１９０は線状に第１の方向に延在している。これらの図に示す例において、導電部１９０の延在方向（第１の方向）は、第１端子１１２と第２端子１３２を結ぶ方向である。ただし導電部１９０の延在方向、及び、第１端子１１２または第２端子１３２の形成位置はこれに限定されない。そして発光装置１０は、複数の導電部１９０を有している。これら複数の導電部１９０は、互いに平行である。導電部１９０の幅ｗ_１（図３参照）は、例えば１５μｍ以上２００μｍ以下である。また、隣り合う導電部１９０の間隔ｗ_２（図３参照）は、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である。なお、Ｂ−Ｂ断面において、上記した有機層１２０及び第２電極１３０は、隣り合う導電部１９０の間に連続して、言い換えると隣り合う導電部１９０の間の領域の全体に形成されている。

図３及び図５に示す例において、導電部１９０は第１電極１１０の上に形成されている。言い換えると、導電部１９０は第１電極１１０と有機層１２０の間に位置しており、かつ、導電部１９０の下面は第１電極１１０に接している。そして導電部１９０は、絶縁層１５０によって覆われている。これにより、導電部１９０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。

そして、図１及び図５に示すように、導電部１９０が延在する方向に交わる方向（第２の方向：図１及び図５における左右方向）における断面において、有機層１２０の上面のうち導電部１９０と重なる領域の少なくとも一部は、第２電極１３０が形成されていない非形成領域１３４となっている。非形成領域１３４は、導電部１９０と同じ方向（図１における上下方向、図５における手前・奥方向）に導電部１９０に沿うようにして延在している。ただし、例えば導電部１９０の端部が第２電極１３０の外側（例えば絶縁層１５０と重なる領域や第１端子１１２と重なる領域）まで延在している場合などにおいて、導電部１９０が延在する方向における導電部１９０の端部と重なる部分には、非形成領域１３４が形成されていなくてもよく、換言すれば、第２電極１３０が形成されていてもよい。

また図１及び図５に示す例では、複数の導電部１９０のすべてに対して非形成領域１３４が形成されている。ただし、少なくとも一つの導電部１９０に対しては第２電極１３０が形成されていなくてもよい。この場合、発光装置１０を指定箇所で曲げるための起点（ガイド）となる箇所を規定することができる。

図６は、図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第１例である。本図に示す例において、非形成領域１３４の幅は導電部１９０の幅よりも広い。このため、第２電極１３０は導電部１９０と重なっていない。そして、第２電極１３０の縁から第２電極１３０の縁までの距離は、導電部１９０の幅の１１０％以上１ｍｍ以下である。また、導電部１９０の縁から第２電極１３０の縁までの距離ｔは、導電部１９０の幅の５％以上、好ましくは１０％以上である。ここで、距離ｔの上限は、第２電極１３０の縁から第２電極１３０の縁までの距離の最大幅（最大１ｍｍ）より求まる。好ましくは、上記した距離ｔは、１００μｍ以下、または導電部１９０の幅の４０％以下である。そして、本図において、第２電極１３０の縁の厚さは、第２電極１３０の他の部分の厚さとほぼ同じになっている。なお、第２電極１３０の縁は、絶縁層１５０と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。また、非形成領域１３４の中心と導電部１９０の中心が異なっていてもよい。

図７は、図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第２例である。本図に示す例において、非形成領域１３４の幅は導電部１９０の幅よりも狭い。このため、非形成領域１３４を挟む２つの第２電極１３０の少なくとも一方は導電部１９０と重なっている。本図に示す例では、２つの第２電極１３０のいずれも導電部１９０と重なっている。そして、第２電極１３０の縁から第２電極１３０の縁までの距離は、導電部１９０の幅の１０％以上導電部１９０の幅以下である。また、導電部１９０の縁から第２電極１３０の縁までの距離ｔは、導電部１９０の幅の５％以上、好ましくは１０％以上である。ここで距離ｔの上限は導電部１９０の最大幅ｗ１以下（例えば２００μｍ以下）であればよく、好ましくは、導電部１９０の幅の４０％以下である。また、本図における第２電極１３０の縁の形状は、図６に示した例と同様であり、非形成領域１３４の中心と導電部１９０の中心が異なっていてもよい。

図８は、図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第３例である。本図に示す例は、第２電極１３０の縁の形状を除いて、図７に示した例と同様である。本図に示す例では、第２電極１３０の縁の近傍の厚さは、縁に近づくにつれて徐々に薄くなっている。これにより、発光装置１０を曲げた時に補助電極１９０の上層に加わる応力を分散させることができる。

図９は、図５の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第４例である。本図に示す例は、第２電極１３０の縁の形状を除いて、図７に示した例と同様である。本図に示す例では、第２電極１３０の縁の厚さは、他の部分と比較して厚くなっている。そして縁から離れるにつれて徐々に薄くなっている。これにより、第２電極１３０の縁の抵抗を下げ、非発光領域である導電部１９０の縁部分での輝度を高めることができる。

なお、図６に示した例において、第２電極１３０の縁の形状が図８又は図９に示した例と同様になっていてもよい。

また、発光部１４０は封止部材又は封止膜（いずれも図示せず）によって封止されている。

封止部材は、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されており、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。

封止膜は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化チタンなどの無機材料によって形成されている。封止膜の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止膜の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止膜は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されているが、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、導電部１９０、絶縁層１５０、及び有機層１２０をこの順に形成する。次いで、第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えばマスクを用いた蒸着法（例えば真空蒸着法）を用いて上記したパターンに形成される。

次いで、発光部１４０を、封止部材又は封止膜を用いて封止する。その後、第１端子１１２及び第２端子１３２に、導電部材（例えばボンディングワイヤ、リード部材、又はＦＰＣ（Flexible Printed Circuit））を接続する。

以上、本実施形態によれば、第２電極１３０は導電部１９０と重なる部分の少なくとも一部には形成されていない。このため、基板１００に応力が加わって基板１００及び発光部１４０が導電部１９０と同じ方向に曲がっても、第２電極１３０に加わる圧縮応力又は引張応力は小さくなる。従って、第２電極１３０が欠陥したり、有機層１２０から剥離することを抑制できる。

また、第１電極１１０及び有機層１２０は、導電部１９０と重なる領域にも形成されている。このため、第１電極１１０と第２電極１３０に挟まれていない有機層１２０のうち、第２電極１３０の縁の近傍に位置する部分に電流が流れ、その結果、この部分は発光する。従って、基板１００に対する発光部１４０の実効面積（実際に発光する領域の面積）の割合が小さくなることを抑制できる。

また、有機層１２０の下地のうち導電部１９０と重なる部分は凸になっている。従って、有機層１２０のうち導電部１９０と重なる部分は他の部分と比較して薄くなりやすい。有機層１２０が薄くなると、有機層１２０のこの部分に電界が集中し、リークが生じやすくなる。これに対して本実施形態では、第２電極１３０は導電部１９０と重なる部分の少なくとも一部には形成されていない。このため、有機層１２０の電界が集中する部分の上部に第２電極１２０が形成されないので上記したリークが生じることを抑制できる。

（変形例１）
図１０は、変形例１に係る発光装置１０の構成を説明するための断面図であり、実施形態における図７に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、導電部１９０が基板１００と第１電極１１０の間に位置している点、及び第１電極１１０が絶縁層１５０で覆われていない点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

なお、導電部１９０を基準としたときの第２電極１３０の縁の位置は、実施形態の図６〜図９のいずれかと同様である。

本変形例によっても、第２電極１３０は導電部１９０と重なる部分の少なくとも一部には形成されていない。このため、基板１００に応力が加わって基板１００及び発光部１４０が曲がっても、第２電極１３０に加わる圧縮応力又は引張応力は小さくなる。従って、第２電極１３０が有機層１２０から剥離することを抑制できる。

また、導電部１９０を基板１００と第１電極１１０の間に配置すると、導電部１９０と重なる領域においても有機層１２０は第１電極１１０及び第２電極１３０の双方に接する。このため、導電部１９０と重なる領域の全体に第２電極１３０を形成すると、この重なる部分においても第１電極１１０と第２電極１３０の間に電流が流れる。一方、導電部１９０は遮光性を有しているため、有機層１２０のうち、導電部１９０の幅方向において導電部１９０の中央部近傍と重なる領域で発光した光は、発光装置１０の外部に放射されにくい。つまり、有機層１２０のうちの電流が流れる領域と外部への発光に寄与する領域は互いに異なる。この場合、発光装置１０の電気を光に変換する効率（発光効率）が実質的に低下してしまう。これに対して本実施形態では、第２電極１３０は導電部１９０と重なる部分の少なくとも一部には形成されていない。このため、上記した発光効率の低下を抑制することができる。

（変形例２）
図１１は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態における図１に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第２電極１３０のレイアウトを除いて、実施形態又は変形例１に係る発光装置１０と同様の構成を有している。

本変形例において、第２電極１３０は櫛歯状になっている。そして、この櫛の歯と歯の間に位置する領域は、導電部１９０と重なっている。

本変形例によっても、実施形態又は変形例１と同様に、第２電極１３０が有機層１２０から剥離することを抑制でき、かつ、基板１００に対する発光部１４０の実効面積の割合が小さくなることを抑制できる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０発光装置
１００基板
１１０第１電極
１２０有機層
１３０第２電極
１３４非形成領域
１４０発光部
１５０絶縁層
１９０導電部

Claims

基板と、
前記基板に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記基板と前記有機層の間に位置し、前記第１電極に電気的に接続している導電部と、
を有し、
前記第１電極及び前記有機層は、前記導電部と重なる領域にも形成されており、
前記導電部は第１の方向に延在するストライプ形状を有し、
前記有機層の上部のうち前記導電部と重なる領域の少なくとも一部は、前記第２電極が形成されていない非形成領域となっており、
前記非形成領域は前記第１の方向に延在しており、
前記第２電極のうちの前記非形成領域に隣り合う縁は前記導電部と重なっている発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記導電部のうちの隣り合う前記ストライプ形状の間の領域で、前記有機層及び前記第２電極は、それぞれ連続して形成されている発光装置。
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記第１の方向に交わる第２の方向において、前記導電部の縁から前記第２電極のうちの前記非形成領域に隣り合う縁までの距離は、前記導電部の幅の５％以上前記導電部の幅以下である発光装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記導電部は前記第１電極と前記有機層の間に位置しており、
さらに、前記第１電極と前記有機層の間に、前記導電部を覆う絶縁層を有している発光装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記導電部は前記基板と前記第１電極の間に位置している発光装置。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板は可撓性を有している発光装置。
基板と、
前記基板に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記基板と前記有機層の間に位置し、前記第１電極に電気的に接続している導電部と、
前記導電部を覆う絶縁層と、
を有し、
前記第１電極及び前記有機層は、前記導電部と重なる領域にも形成されており、
前記導電部は第１の方向に延在するストライプ形状を有し、
前記有機層の上部のうち前記導電部と重なる領域は、前記第２電極が形成されていない非形成領域となっており、
前記非形成領域は前記第１の方向に延在しており、
前記第２電極のうちの前記非形成領域に隣り合う縁は前記絶縁層と重なっている発光装置。
基板と、
前記基板に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記基板と前記有機層の間に位置し、前記第１電極に電気的に接続している導電部と、
を有し、
前記第１電極及び前記有機層は、前記導電部と重なる領域にも形成されており、
前記導電部は第１の方向に延在するストライプ形状を有し、
前記有機層は前記導電部と重なる領域を含む凸部を有し、
前記有機層の上部のうち前記凸部と重なる領域の少なくとも一部は、前記第２電極が形成されていない非形成領域となっており、
前記非形成領域は前記第１の方向に延在しており、
前記第２電極のうちの前記非形成領域に隣り合う縁は前記凸部の一部と重なっている発光装置。