JP2020187961A - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を湾曲させた際の絶縁膜の負荷を低減する。【解決手段】第２領域１００ｂは、隣り合う第１領域１００ａの間に位置している。第２領域１００ｂの厚さは、隣り合う第１領域１００ａのいずれの厚さよりも薄くなっている。複数の有機ＥＬ素子１４０は、基板１００の複数の第１領域１００ａ上にそれぞれ位置している。複数の絶縁膜１５０は、複数の有機ＥＬ素子１４０をそれぞれ覆っている。一断面において、複数の絶縁膜１５０は、互いに離間して位置している。第１配線２１０は、基板１００の第２領域１００ｂ上に位置している。第１配線２１０は、第２領域１００ｂの隣の第１領域１００ａ上の有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている。【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する発光装置が開発されている。有機ＥＬ素子は、第１電極、有機層及び第２電極を有している。有機層は、第１電極及び第２電極の間の電圧によって有機ＥＬにより発光する発光層を含んでいる。

特許文献１には、有機ＥＬ素子を有する発光装置の一例が記載されている。この発光装置では、プラスチック基板上に樹脂フィルムが位置している。樹脂フィルムには、溝が形成されている。樹脂フィルムのうちの溝を除く領域上には、有機ＥＬ素子が位置している。有機ＥＬ素子上には、封止層が位置している。

特開２０１１−２２７３６９号公報

複数の有機ＥＬ素子が配置された基板を湾曲させることがある。複数の有機ＥＬ素子のそれぞれが絶縁膜によって覆われている場合、基板を湾曲させた際に絶縁膜に負荷が加わることがある。絶縁膜は、この負荷によって損傷することがある。

本発明が解決しようとする課題としては、基板を湾曲させた際の絶縁膜の負荷を低減することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
一断面において、複数の第１領域と、隣り合う前記第１領域の間に位置し、隣り合う前記第１領域のいずれの厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を有する基板と、
前記基板の前記複数の第１領域上にそれぞれ位置する複数の有機ＥＬ素子と、
前記複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ覆い、前記一断面において互いに離間して位置する複数の絶縁膜と、
前記基板の前記第２領域上に位置し、前記第２領域の隣の前記第１領域上の前記有機ＥＬ素子に電気的に接続された第１配線と、
を備える発光装置である。

請求項１２に記載の発明は、
（ａ）一断面において、複数の第１領域と、隣り合う前記第１領域の間に位置し、隣り合う前記第１領域のいずれの厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を有する基板を形成する工程と、
（ｂ）前記基板の前記複数の第１領域上にそれぞれ位置する複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
（ｃ）前記複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ覆い、前記一断面において互いに離間して位置する複数の絶縁膜を形成する工程と、
を備え、
前記工程（ａ）は、金型に沿って前記基板の前記複数の第１領域及び前記第２領域を形成する工程を含む、発光装置の製造方法である。

実施形態に係る発光装置の平面図である。 実施形態に係る発光装置の断面図（上段）及び実施形態に係る発光装置の一部分の平面図（下段）である。 基板を湾曲させた態様の一例を示している。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図２に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図４に示した基板を形成する方法の一例を説明するための図である。 変形例１に係る発光装置の断面図を示す。 変形例２に係る発光装置の断面図を示す。 変形例３に係る発光装置の断面図を示す。

本明細書において「ＡがＢ上に位置する」という表現は、例えば、ＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が位置せずにＡがＢ上に直接位置することを意味してもよいし、又はＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が部分的又は全面的に位置することを意味してもよい。さらに、「上」、「下」、「左」、「右」、「前」及び「後ろ」等の向きを示す表現は、基本的に図面の向きと合わせて用いるものであって、例えば本明細書に記載された発明品の使用する向きに限定して解釈されるものではない。

本明細書において「凸」という表現は、特に断らない限り、ある面から出ばっている態様のことを意味し、当該態様を限定するために使用されない。例えば、凸の一様態は、ある面から単に真っ直ぐに出ばっている。別の一態様は、ある面から湾曲しながら出ばっている。

本明細書において「Ａ及びＢが重なる」という表現は、特に断らない限り、ある方向からの投影像において、Ａの少なくとも一部がＢの少なくとも一部と同じ場所にあることを意味する。このとき複数の要素同士は直接接していてもよいし、又は離間していてもよい。

本明細書において「ＡがＢを覆う」という表現は、特に断らない限り、ＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が位置せずにＡがＢに接触することを意味してもよいし、又はＡとＢの間に他の要素（例えば、層）が部分的又は全面的に位置することを意味してもよい。

本明細書において「Ａの外側」という表現は、特に断らない限り、Ａの縁を境にＡが位置しない側の部分のことを意味する。また、Ａが離間した複数の要素によって構成されている場合は、それぞれの要素の外側の共通する部分のことを意味してもよい。

本明細書中における陽極とは、発光材料を含む層（例えば有機層）に正孔を注入する電極のことを示し、陰極とは、発光材料を含む層に電子を注入する電極のことを示す。また、「陽極」及び「陰極」という表現は、「正孔注入電極」及び「電子注入電極」又は「正極」及び「負極」等の他の文言を意味することもある。

本明細書において「Ａの端」という表現は、一方向から見たときのＡとその他の要素との境界を意味し、「Ａの端部」という表現は、当該境界を含むＡの一部の領域を意味し、「Ａの端点」という表現は、当該境界のある一点を意味する。

本明細書における「発光装置」とは、ディスプレイや照明等の発光素子を有するデバイスを含む。また、発光素子と直接的、間接的又は電気的に接続された配線、ＩＣ（集積回路）又は筐体等も「発光装置」に含む場合もある。

本明細書において、特に断らない限り、「膜」という表現と「層」という表現とは、状況及び場合に応じて適宜置換することが可能である。例えば、「絶縁膜」という文言は、「絶縁層」という文言に置換することが可能である。

本明細書において「接続」とは、複数の要素が直接的又は間接的を問わずに接続している状態を表す。例えば、複数の要素の間に接着剤又は接合部材が介して接続している場合も単に「複数の要素は接続している」と表現することがある。また、複数の要素の間に、電流、電圧又は電位を供給可能又は伝送可能な部材が存在しており、「複数の要素が電気的に接続している」場合も単に「複数の要素は接続している」と表現することがある。

本明細書において、特に断りがない限り「第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）」等の表現は要素を区別するためのものであり、その表現により該当要素の本質、順番、順序又は個数等が限定されるものではない。

本明細書において、各部材及び各要素は単数であってもよいし、又は複数であってもよい。ただし、文脈上、「単数」又は「複数」が明確になっている場合はこれに限らない。

本明細書において、「ＡがＢを含む」という表現は、特に断らない限り、ＡがＢのみによって構成されていることに限定されず、ＡがＢ以外の要素によって構成され得ることを意味する。

本明細書において「平面視」とは、画素や発光材料等が位置した面を実質的に直上から見たときを意味する。また、「実質的に直上」とは計測上の誤差を含んでいてもよい。

本明細書において「断面」とは、特に断らない限り、発光装置を画素や発光材料等が積層した方向に切断したときに現れる面を意味する。

本明細書において「有さない」、「含まない」、「位置しない」等の表現は、ある要素が完全に排除されていることを意味してもよいし、又はある要素が技術的な効果を有さない程度に存在していることを意味してもよい。

本明細書において、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」等の時間的前後関係を説明する表現は、相対的な時間関係を表しているものであり、時間的前後関係が用いられた各要素が必ずしも連続しているとは限らない。各要素が連続していることを表現する場合、「直ちに」又は「直接」等の表現を用いることがある。

本明細書において「Ａを加熱する」という表現は、Ａに熱が加わることを意味しており、Ａのみを加熱することに限定されない。当該表現は、例えば、Ａを含む要素が加熱されることを意味してもよい。また、「加熱する」とは故意的又は人為的に熱を加えることを意味し、Ａの周囲の雰囲気の単なる温度変化は含まない。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、実施形態に係る発光装置１０の断面図（上段）及び実施形態に係る発光装置１０の一部分の平面図（下段）である。図２の下段の平面図は、図１の領域αの拡大図であり、図２の上段の断面図は、図２の下段の平面図のＡ−Ａ断面図である。図１では、説明の簡易のため、第１配線２１０及び第２配線２３０（図２）を示していない。

図２を用いて、発光装置１０の概要を説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の有機ＥＬ素子１４０、複数の絶縁膜１５０及び第１配線２１０を備えている。一断面（例えば、図２のＡ−Ａ断面）において、基板１００は、複数の第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂを有している。第２領域１００ｂは、隣り合う第１領域１００ａの間に位置している。第２領域１００ｂの厚さは、隣り合う第１領域１００ａのいずれの厚さよりも薄くなっている。複数の有機ＥＬ素子１４０は、基板１００の複数の第１領域１００ａ上にそれぞれ位置している。複数の絶縁膜１５０は、複数の有機ＥＬ素子１４０をそれぞれ覆っている。上記一断面において、複数の絶縁膜１５０は、互いに離間して位置している。第１配線２１０は、基板１００の第２領域１００ｂ上に位置している。第１配線２１０は、第２領域１００ｂの隣の第１領域１００ａ上の有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続されている。

本実施形態においては、基板１００を湾曲させた際の絶縁膜１５０の負荷を低減することができる。具体的には、本実施形態においては、複数の絶縁膜１５０が互いに離間して配置されており、基板１００の厚さは、隣り合う絶縁膜１５０の間の領域（第２領域１００ｂ）において薄くなっている。したがって、基板１００を湾曲させた際、基板１００の第２領域１００ｂが曲がりやすく、基板１００の厚い部分（第１領域１００ａ）上に位置する絶縁膜１５０に加わる負荷を低減することができる。

図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトを説明する。

平面視において、基板１００は、実質的に矩形形状を有している。この矩形は、厳密な矩形でなくてもよく、例えば、丸まった角を有していてもよい。平面視において、基板１００は、非矩形形状（例えば、円、星、ハート、環等の形状）を有していてもよい。

平面視において、基板１００の複数の第１領域１００ａは、２次元的に配列されている。具体的には、複数の第１領域１００ａは、基板１００の各辺に沿って行列状に配列されている。ただし、複数の第１領域１００ａの配列は、図１に示す例に限定されない。例えば、複数の第１領域１００ａは、１次元的に配列されていてもよく、例えば、一方向に一列に並んでいてもよい。

平面視において、複数の有機ＥＬ素子１４０及び複数の絶縁膜１５０は、複数の第１領域１００ａとそれぞれ重なっている。平面視において、複数の有機ＥＬ素子１４０及び複数の絶縁膜１５０は、互いに離間している。

図２を用いて、発光装置１０の断面を説明する。

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁膜１５０、第１配線２１０及び第２配線２３０を備えている。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁膜１５０、第１配線２１０及び第２配線２３０は、基板１００の第１面１０２上に位置している。

基板１００の第１領域１００ａは、第１面１０２及び第２面１０４の間に厚さＴ１を有している。基板１００の第２領域１００ｂは、第１面１０２及び第２面１０４の間に、厚さＴ１より小さい厚さＴ２を有している。第１領域１００ａの厚さＴ１は、例えば、０．０１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。第２領域１００ｂの厚さＴ２は、様々な観点、例えば、基板１００の曲げ応力の観点から決定することができ、第１領域１００ａの厚さＴ１の例えば３０％以上５０％以下である。

基板１００の第１面１０２には、隣り合う第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂの間の段差が形成されている。これに対して、基板１００の第２面１０４は、隣り合う第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂの間に段差を有しておらず、実質的に平坦となっている。

隣り合う第１領域１００ａと、隣り合う第１領域１００ａの間の第２領域１００ｂと、によって、基板１００の第１面１０２には凹部が画定されている。この凹部の側面は、この凹部の開口からこの凹部の底面に向かうにつれて、この凹部の内側に向けて基板１００の第２面１０４に対して斜めに傾いている。したがって、この凹部の開口の幅は、この凹部の底面の幅より広くなっている。隣り合う第２領域１００ｂと、隣り合う第２領域１００ｂの間の第１領域１００ａと、によって、基板１００の第１面１０２には凸部が画定されている。この凸部の側面は、この凸部の下部からこの凸部の上部に向かうにつれて、この凸部の内側に向けて基板１００の第２面１０４に対して斜めに傾いている。したがって、この凸部の上部の幅は、この凸部の下部の幅より狭くなっている。上記凸部の側面の傾きが形成されている場合、図１３を用いて後述するように、金型に沿って例えば射出成型又は加熱プレスによって、第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂを形成する際に凸部を金型から抜けやすくすることができる。さらに、上記凸部の側面の傾きが形成されている場合、例えば真空蒸着又は塗布によってこの凸部の側面上に形成される配線の断線のおそれを低減することができる。

基板１００の断面形状は、図２に示す例に限定されない。例えば、上記凹部の上記側面及び上記凸部の上記側面は、基板１００の第２面１０４に対して垂直になっていてもよい。また、上記凸部及び上記凹部は、基板１００の第１面１０２（すなわち、有機ＥＬ素子１４０が位置する面）ではなく、基板１００の第２面１０４（すなわち、有機ＥＬ素子１４０が位置する面の反対側の面）に形成されていてもよい。

基板１００は、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁膜１５０、第１配線２１０及び第２配線２３０を形成するための支持体として機能することができる。基板１００は、透光性及び可撓性を有していてもよい。基板１００は、単層であってもよいし、又は複数層であってもよい。一例において、基板１００は、樹脂基板であり、樹脂材料（例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）又はポリイミド）を含んでいてもよい。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００の第１面１０２及び第２面１０４の少なくとも一方は、無機バリア層（例えば、ＳｉＮ又はＳｉＯＮ）を有していてもよい。他の例において、基板１００は、ガラス基板であってもよい。基板１００と第１電極１１０との間には、第１電極１１０よりも広い領域に、平坦化又は密着性を向上させるため１層以上の有機材料を含む層が存在していてもよい。

第１電極１１０は、陽極として機能することができる。一例において、第１電極１１０は、酸化物半導体を含んでいる。酸化物半導体は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）である。他の例において、第１電極１１０は、金属又は合金を含んでいてもよい。金属又は合金は、例えば、銀又は銀合金である。この例において、第１電極１１０の厚さは、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下にしてもよい。第１電極１１０の厚さが上記下限以上である場合、第１電極１１０の電気抵抗を低くすることができ、第１電極１１０の厚さが上記上限以下である場合、第１電極１１０の透過率を高くすることができる。

有機層１２０は、発光層（ＥＭＬ）を含んでおり、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）のうちの少なくとも一を適宜さらに含んでいてもよい。有機層１２０においては、正孔が第１電極１１０からＥＭＬに注入され、電子が第２電極１３０からＥＭＬに注入され、ＥＭＬにおける正孔及び電子の再結合によって光が発せられる。

第２電極１３０は、陰極として機能することができる。一例において、第２電極１３０は、金属又は合金を含んでいてもよい。金属又は合金は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される少なくとも１つの金属又はこの群から選択される金属の合金である。

複数の有機ＥＬ素子１４０のそれぞれは、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、基板１００の第１面１０２から順に並んで、有機ＥＬ素子１４０を形成している。有機ＥＬ素子１４０においては、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０が互いに重なっている。

発光装置１０は、ボトムエミッションであってもよいし、又はトップエミッションであってもよい。発光装置１０がボトムエミッションである場合、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して（つまり、発光装置１０がボトムエミッションである場合、基板１００及び第１電極１１０は、透光性を有している。）、基板１００の第２面１０４から光を発する。発光装置１０がトップエミッションである場合、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過して（つまり、発光装置１０がトップエミッションである場合、第２電極１３０は、透光性を有している。）、基板１００の第２面１０４の反対側から光を発する。

絶縁膜１５０は、有機ＥＬ素子１４０（第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含む積層体）を覆っている。絶縁膜１５０は、有機ＥＬ素子１４０を封止している。絶縁膜１５０は、例えば、無機絶縁膜であり、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、ジルコニア酸化物（ＺｒＯ_２）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）又はニオブ酸化物（Ｎｂ_２Ｏ_５）を含んでいる。

第１配線２１０及び第２配線２３０は、基板１００の第２領域１００ｂ上に位置している。第１配線２１０及び第２配線２３０は、第１配線２１０及び第２配線２３０が位置する第２領域１００ｂの隣の第１領域１００ａ上の有機ＥＬ素子１４０の第１電極１１０及び第２電極１３０に電気的にそれぞれ接続されている。したがって、発光装置１０の外側から第１配線２１０を経由して第１電極１１０に電圧を供給することができ、発光装置１０の外側から第２配線２３０を経由して第２電極１３０に電圧を供給することができる。第１配線２１０及び第２配線２３０は、例えば、化学的安定性が高い材料（例えば、酸化物半導体）を含んでいる。この場合、第１配線２１０及び第２配線２３０を保護層（例えば、基板１００よりも低い弾性率を有する樹脂層）で覆う必要がない。ただし、第１配線２１０及び第２配線２３０は、保護層で覆われていてもよい。

図３は、基板１００を湾曲させた態様の一例を示している。図３では、説明の簡易のため、第１配線２１０及び第２配線２３０（図２）を示しておらず、有機ＥＬ素子１４０を模式的に示しており、有機ＥＬ素子１４０内の第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０（図２）を示していない。

本実施形態によれば、図３に示すように基板１００を湾曲させても、絶縁膜１５０に加わる負荷を低減することができる。具体的には、本実施形態においては、複数の絶縁膜１５０が互いに離間して配置されており、基板１００の厚さは、隣り合う絶縁膜１５０の間の領域（第２領域１００ｂ）において薄くなっている。したがって、基板１００を湾曲させた際、基板１００の第２領域１００ｂが曲がりやすく、基板１００の厚い部分（第１領域１００ａ）上に位置する絶縁膜１５０に加わる負荷を低減することができる。

図４から図１２は、図２に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。図１３は、図４に示した基板１００を形成する方法の一例を説明するための図である。図４から図６と、図７から図１２のそれぞれの上段の図と、は、図２の上段の図と同一位置を示している。図７から図１２のそれぞれの下段の図は、図３の下段の図と同一位置を示している。図７から図１２のそれぞれの上段の図は、それぞれ、図７から図１２のそれぞれの下段の図のＡ−Ａ断面図である。

図４から図１３を用いて、発光装置１０の製造方法の一例の概要を説明する。この方法は、以下の工程を含んでいる。
（ａ）一断面（例えば、図４に示す断面）において、第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂを有する基板１００を形成する工程（例えば、図４及び図１３）
（ｂ）基板１００の複数の第１領域１００ａ上に位置する複数の有機ＥＬ素子１４０を形成する工程（例えば、図５から図１１）
（ｃ）複数の有機ＥＬ素子１４０をそれぞれ覆い、一断面（例えば、図１２の上段に示す断面）において互いに離間して位置する絶縁膜１５０を形成する工程（例えば、図１２）

図４から図１２を用いて、発光装置１０の製造方法の一例の詳細を説明する。

まず、図４に示すように、第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂを有する基板１００を準備する。基板１００を形成する方法の一例は、図１３を用いて後述する。

次いで、図５に示すように、基板１００の第１面１０２上に導電層２００を形成する。導電層２００は、例えば、酸化物半導体を含んでいる。酸化物半導体は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＷＺＯ、ＺｎＯ又はＩＧＺＯである。

次いで、図６に示すように、導電層２００上にレジスト３００を形成する。

次いで、図７に示すように、基板１００、第１配線２１０及び第２配線２３０（図２）が形成される領域をマスク３１２で覆って、レジスト３００を露光する。

次いで、図８に示すように、レジスト３００を現像する。このようにして、レジスト３００は、第１配線２１０及び第２配線２３０（図２）が形成される領域を選択的に覆うようになる。なお、図６から図８では、レジスト３００は、ポジ型であり、レジスト３００の露光部分が現像によって除去されている。ただし、レジスト３００は、ネガ型であってもよく、レジスト３００の非露光部分が現像によって除去されてもよい。

次いで、図９に示すように、現像されたレジスト３００をマスクとして、導電層２００をエッチングし、その後、レジスト３００を除去する。導電層２００のエッチングは、ウェットエッチングでもよいし、又はドライエッチングであってもよい。導電層２００のエッチングによって、第１電極１１０、第１配線２１０及び第２配線２３０が形成される。この場合、第１電極１１０、第１配線２１０及び第２配線２３０は、共通の材料（例えば、酸化物半導体）を含み、かつ互いに実質的に等しい厚さを有する。

次いで、図１０に示すように、基板１００の第１面１０２上にマスク３１４を配置して、マスク３１４の開口を経由して、有機層１２０を形成する有機材料を堆積させる（図１０の下段の図では、説明のため、マスク３１４を示していない。）。有機層１２０を形成する有機材料は、例えば、蒸着によって堆積させることができる。ただし、有機層１２０を形成する方法は、図１０に示す例に限定されない。例えば、有機層１２０は、マスク３１４を用いずに、塗布プロセスによって形成されてもよい。

次いで、図１１に示すように、基板１００の第１面１０２上にマスク３１６を配置して、マスク３１６の開口を経由して、第２電極１３０を形成する導電材料（例えば、金属又は合金）を堆積させる（図１１の下段の図では、説明のため、マスク３１６を示していない。）。第２電極１３０を形成する導電材料は、例えば、蒸着によって堆積させることができる。

次いで、図１２に示すように、基板１００の第１面１０２上にマスク３１８を配置して、マスク３１８の開口を経由して、絶縁膜１５０を形成する絶縁材料（例えば、無機材料）を堆積させる。絶縁膜１５０を形成する絶縁材料は、例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）によって堆積させることができる。図１２に示すように、マスク３１８を基板１００の第１領域１００ａにおいて基板１００の第１面１０２に接触させることで、絶縁膜１５０を形成する絶縁材料がマスク３１８の開口を回り込まないようにすることができ、これによって、基板１００の第２領域１００ｂ上に絶縁膜１５０が形成されないようにすることができる。この場合、第１配線２１０及び第２配線２３０は基板１００の第２領域１００ｂ（すなわち、第１領域１００ａにおける凸部の頂面より凹んだ領域）上に位置するため、第１配線２１０及び第２配線２３０がマスク３１８に干渉しないようにすることができる。

このようにして、発光装置１０が製造される。

図１３を用いて、基板１００の形成方法の一例の詳細を説明する。

図１３に示すように、上記工程（ａ）は、金型（金型４１０及び金型４２０）に沿って基板１００の第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂを形成する工程を含んでいる。金型４１０及び金型４２０は、それぞれ、例えば、下型及び上型である。

例えば、上記工程（ａ）は、金型４１０及び金型４２０を用いた射出成型によって実施される。この例においては、基板１００を形成する材料（例えば、樹脂材料）を金型４１０及び金型４２０の間に流し込み、この材料を冷却して固化させることで、基板１００の厚い領域（第１領域１００ａ）及び薄い領域（第２領域１００ｂ）を形成する。

その他の例として、上記工程（ａ）は、金型４１０及び金型４２０を用いた加熱プレスによって実施される。この例においては、実質的に平坦な第１面１０２及び実質的に平坦な第２面１０４を有する基板１００を金型４１０及び金型４２０（金型４１０及び金型４２０の少なくとも一方は、加熱されている。）によって押圧することで、基板１００の厚い領域（第１領域１００ａ）及び薄い領域（第２領域１００ｂ）を形成する。

上記工程（ａ）は、金型を用いた工程に限定されない。例えば、実質的に平坦な第１面１０２及び実質的に平坦な第２面１０４を有する基板１００をエッチングすることで、基板１００の厚い領域（第１領域１００ａ）及び薄い領域（第２領域１００ｂ）を形成してもよい。

（変形例１）
図１４は、変形例１に係る発光装置１０の断面図を示し、実施形態の図２の上段の図に対応する。変形例１に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。

第１領域１００ａ及び第２領域１００ｂの間の段差は、第１面１０２及び第２面１０４の双方に形成されていてもよい。この場合においても、基板１００を湾曲させた際の絶縁膜１５０の負荷を低減することができる。

（変形例２）
図１５は、変形例２に係る発光装置１０の断面図を示し、実施形態の図２の上段の図に対応する。変形例２に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。

発光装置１０は、複数の無機膜１６０をさらに備えていてもよい。複数の無機膜１６０は、基板１００の複数の第１領域１００ａのそれぞれと複数の有機ＥＬ素子１４０のそれぞれとの間に位置しており、一断面（例えば、図１５に示す断面）において互いに離間して位置している。無機膜１６０は、気密性が高くかつ剛性が高い材料、例えば、シリコン酸化物又はアルミニウムを含んでいる。無機膜１６０は、例えば、ＣＶＤ又はＡＬＤによって形成される。その他の例として、無機膜１６０は、ガラス板又は薄いアルミニウム板であってもよい。本変形例においては、有機ＥＬ素子１４０への水分の侵入を無機膜１６０によって遮ることができ、基板１００の第１領域１００ａの曲げ耐性を無機膜１６０によって向上させることができる。

（変形例３）
図１６は、変形例３に係る発光装置１０の断面図を示し、実施形態の図２の上段の図に対応する。変形例３に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。

発光装置１０は、複数のシート１７０をさらに備えていてもよい。複数のシート１７０は、基板１００の複数の第１領域１００ａのそれぞれ上に位置している。複数の有機ＥＬ素子１４０のそれぞれ及び複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、複数のシート１７０のそれぞれ上に位置している。本変形例においては、シート１７０上に有機ＥＬ素子１４０及び絶縁膜１５０を予め形成した後、シート１７０を、例えば接着剤を介して、基板１００に貼り付けることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１００ａ 第１領域
１００ｂ 第２領域
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 有機ＥＬ素子
１５０ 絶縁膜
１６０ 無機膜
１７０ シート
２００ 導電層
２１０ 第１配線
２３０ 第２配線
３００ レジスト
３１２ マスク
３１４ マスク
３１６ マスク
３１８ マスク
４１０ 金型
４２０ 金型

Claims (13)

1. 一断面において、複数の第１領域と、隣り合う前記第１領域の間に位置し、隣り合う前記第１領域のいずれの厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を有する基板と、
   前記基板の前記複数の第１領域上にそれぞれ位置する複数の有機ＥＬ素子と、
   前記複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ覆い、前記一断面において互いに離間して位置する複数の絶縁膜と、
   前記基板の前記第２領域上に位置し、前記第２領域の隣の前記第１領域上の前記有機ＥＬ素子に電気的に接続された第１配線と、
   を備える発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記基板の前記複数の第１領域のそれぞれと前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれとの間にそれぞれ位置し、前記一断面において互いに離間して位置する複数の無機膜をさらに備える発光装置。
3. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記基板の前記複数の第１領域のそれぞれ上に位置する複数のシートをさらに備え、
   前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれ及び前記複数の絶縁膜のそれぞれは、前記複数のシートのそれぞれ上に位置している、発光装置。
4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板の前記第２領域の厚さは、前記第２領域の隣の前記第１領域の厚さの３０％以上５０％以下である、発光装置。
5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板は、前記複数の有機ＥＬ素子が位置する第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
   隣り合う前記第１領域及び前記第２領域の間の段差が前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方に形成されている、発光装置。
6. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板は、前記複数の有機ＥＬ素子が位置する第１面と、前記第１面の反対側の第２面と、を有し、
   隣り合う前記第１領域及び前記第２領域の間の段差が前記第１面及び前記第２面の双方に形成されている、発光装置。
7. 請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   隣り合う前記第１領域と、隣り合う前記第１領域の間の第２領域と、によって凹部が画定されており、
   前記一断面において、前記凹部の開口の幅は、前記凹部の底面の幅より広い、発光装置。
8. 請求項１から７までのいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、第１電極と、有機層と、第２電極と、を有し、
   前記第１配線は、前記有機ＥＬ素子の前記第１電極に電気的に接続されている、発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置において、
   前記基板の前記第２領域上に位置し、前記第２領域の隣の前記第１領域上の前記有機ＥＬ素子の前記第２電極に電気的に接続された第２配線をさらに備える発光装置。
10. 請求項１から９までのいずれか一項に記載の発光装置において、
    平面視において、前記複数の第１領域は、２次元的に配置されている、発光装置。
11. 請求項１から１０までのいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記基板は、樹脂材料を含む、発光装置。
12. （ａ）一断面において、複数の第１領域と、隣り合う前記第１領域の間に位置し、隣り合う前記第１領域のいずれの厚さよりも薄い厚さの第２領域と、を有する基板を形成する工程と、
    （ｂ）前記基板の前記複数の第１領域上にそれぞれ位置する複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
    （ｃ）前記複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ覆い、前記一断面において互いに離間して位置する複数の絶縁膜を形成する工程と、
    を備え、
    前記工程（ａ）は、金型に沿って前記基板の前記複数の第１領域及び前記第２領域を形成する工程を含む、発光装置の製造方法。
13. 請求項１２に記載の発光装置の製造方法において、
    前記工程（ａ）は、前記金型を用いた射出成型又は前記金型を用いた加熱プレスによって実施される、発光装置の製造方法。

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