JP7493080B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光装置の光源に有機ＥＬ素子が用いられるようになっている。有機ＥＬ素子は、有機層を２つの電極で挟んだ構成を有している。そして、これら２つの電極は、配線を介して端子に接続している。

特許文献１には、配線の一部に透明導電膜と金属膜の積層構造を用いることが記載されている。特許文献１において、配線の金属層には、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、モリブデン、チタン、タングステン、タンタルなどの単層又はこれらの金属の２層～３層の積層膜が用いられている。

特開２００３－１６３０８０号公報

発光装置の端子は、リード端子やボンディングワイヤなどの導電部材を介して、制御回路に接続している。ここで、発光装置の消費電力を低下させたり寿命を延ばすためには、発光装置の端子と導電部材の接続抵抗を低くする必要がある。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の端子と導電部材の接続抵抗を低くすることが一例として挙げられる。

本発明の一例は、基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子に電気的に接続する第１端子と、
を備え、
前記第１端子は、第１層と、前記第１層の上に形成された第２層を備え、
前記第２層の幅は、前記第１層の幅よりも狭い発光装置である。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 発光素子の構成を示すための断面図である。 端子の構成を説明するためのＡ－Ａ断面図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図４から封止部材、隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図４のＢ－Ｂ断面図である。 図４のＣ－Ｃ断面図である。 図４のＤ－Ｄ断面図である。 図４のＥ－Ｅ断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１０から封止部材、隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図１０のＧ－Ｇ断面図である。 実施例３に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１２のＥ－Ｅ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、発光素子１０２の構成を示すための断面図である。図３は、端子３０２の構成を説明するためのＡ－Ａ断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光素子１０２、及び端子３０２（第１端子）を備えている。端子３０２は、第１層３２４と、第２層３２６とを備えている。第２層３２６は、第１層３２４の上に形成されている。また、第２層３２６の幅は、第１層３２４の幅よりも狭い。このため、第１層３２４の一部は第２層３２６からはみ出ている。発光装置１０は、例えばディスプレイであるが、照明装置であってもよい。以下、詳細に説明する。

基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１００は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板１００は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。

発光素子１０２は、例えば有機ＥＬ素子であり、図２に示すように、第１電極１１０及び第２電極１５０の間に有機層１４０を挟んだ構成を有している。有機層１４０は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層した構成を有している。第１電極１１０が陽極の場合は、正孔輸送層が第１電極１１０の上に形成される。また、第１電極１１０が陰極の場合は、電子輸送層が第１電極１１０の上に形成される。なお、正孔輸送層と発光層の間に正孔注入層が設けられていても良いし、電子輸送層と発光層の間に電子注入層が設けられていても良い。有機層１４０の各層は、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層１４０は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成してもよい。

第１電極１１０及び第２電極１５０のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばＡｌやＡｇなどの金属によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。本図に示す例では、ボトムエミッション型の発光素子１０２であって、第１電極１１０は透光性の電極になっており、第２電極１５０は、Ａｌなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の発光素子１０２であって、基板１００の上に第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極１１０はＡｌなど光を反射する電極になっており、第２電極１５０は透光性の電極になっている。また、両方の電極（第１電極１１０、第２電極１５０）を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い（デュアルエミッション型）。

基板１００の上には、発光素子１０２を区画するために、絶縁層１２０が形成されている。絶縁層１２０は開口１２２を有しており、発光素子１０２は開口１２２の中に形成されている。絶縁層１２０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。

発光装置１０がディスプレイの場合、絶縁層１２０には複数の開口１２２が形成されており、これら複数の開口１２２を用いて複数の発光素子１０２が形成されている。また発光装置１０が照明装置の場合、絶縁層１２０には一つの開口１２２が形成されている場合もあれば、複数の開口１２２が形成されている場合もある。後者の場合、これら複数の開口１２２を用いて複数の発光素子１０２が形成されている。

端子３０２と発光素子１０２は、配線３００を介して互いに接続している。配線３００は、導電層によって形成されている。本図に示す例では、配線３００は透明導電層３１０によって形成されている。透明導電層３１０は、例えば発光素子１０２が有する２つの電極のうち基板１００側に位置する電極と同様の材料（例えば透光性の導電材料）によって形成されている。

そして図３に示すように、端子３０２は、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。導電層３２０は、第３層３２２、第１層３２４、及び第２層３２６をこの順に積層した多層構造になっている。第１層３２４は、例えばＡｌ又はＡｌ合金で形成されており、第２層３２６及び第３層３２２は、Ｍｏ又はＭｏ合金で形成されている。第１層３２４がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第２層３２６及び第３層３２２は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第２層３２６の幅は第１層３２４の幅よりも狭い。このため、第１層３２４の縁は第２層３２６で覆われていない。

また、第２層３２６は第３層３２２よりも薄い。第３層３２２の厚さは、例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、第２層３２６の厚さは、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。そして、第１層３２４の側面は、上に行くにつれて第１層３２４の幅が細くなる方向に傾斜している。第１層３２４の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

ここで、発光素子１０２の配線３００は、透明導電層３１０としてＩＴＯ、導電層３２０としてアルミニウムを利用する場合が多い。特に、導電層３２０は、ＭｏＮｂ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｂの積層構造を採用している場合が多い。この理由は、以下の通りである。

まず、アルミニウムとＩＴＯとを直接接触させた場合、電気化学的効果により、ＩＴＯの化学的耐性が弱まる。また、アルミニウムとＩＴＯとの電気的な接触は粗悪であり、これらの間の接触抵抗は経時劣化してしまう。これらの問題を避けるため、アルミニウムとＩＴＯとの間にモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など異種金属を介在させ、直接の接触を絶つことが好ましい。特に、Ｍｏは、アルミニウムとＩＴＯとの反応を遮断し、両者との接触抵抗も低い。

更に、アルミニウムやアルミニウムにネオジウム（Ｎｄ）を含有したＡｌＮｄ合金には酸化しやすいものが多い。導電層３２０を形成する材料が酸化された場合、その酸化物中の酸素がアルミニウムやＡｌＮｄ合金に拡散するおそれが生じる。この現象を抑制するために、特定の数量のニオブ（Ｎｂ）を含有したＭｏＮｂ合金層を導電層３２０の表面に保護膜として形成する。この保護層（ＭｏＮｂ）およびＡｌＮｄ合金の導電層３２０は燐酸、酢酸、及び硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液で一括エッチングすることも可能である。有機ＥＬ素子を用いた一般的な発光装置において、絶縁層１２０の材料であるポリイミド膜をスピンコーティングし、フォトリソ工程でパターニングを行った後、３２０℃程度の温度で熱処理することにより、絶縁層１２０を作成する。この熱処理により、導電層３２０のＡｌＮｄ合金の抵抗を低くすることができる。この理由は、熱処理の熱でＮｄがＡｌの粒界に移動するためと考えられる。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成する。次いで、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０及び配線３００の透明導電層３１０が形成される。

次いで、基板１００上及び透明導電層３１０上に、導電層３２０の第３層３２２となる導電層、第１層３２４となる導電層、及び第２層３２６となる導電層をこの順に形成する。これらの各層は、例えばスパッタリング法や蒸着法を用いて形成される。次いで、これらの導電層の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチング（例えばウェットエッチング）を行う。これにより、透明導電層３１０上には導電層３２０が形成される。

ここで、第１層３２４は第２層３２６よりもエッチングされやすい。このため、第２層３２６を厚く形成した場合、第２層３２６のうちレジストパターンで覆われていない領域が除去される前に、第１層３２４が側面からエッチングされていく。このため、第１層３２４の側面は第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置してしまう。これに対して本実施形態では、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下である。このため、第１層３２４の側面が第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置することを抑制できる。例えば、透明導電層３１０の幅の設計値を１５．０μｍ、ＭｏＮｂ合金層の第２層３２６の厚さを５～２０ｎｍの範囲とした場合、側面からのエッチングにより、ＡｌＮｄ合金の第１層３２４の幅１４．４μｍ、第２層３２６は１４．０μｍとなる。この結果、第１層３２４の側面は、上に行くにつれて第１層３２４の幅が狭くなる方向に傾斜する。そして、第２層３２６の幅は、第１層３２４の幅よりも片側が０．２μｍづつ狭くなる。なお、端子３０２の先端においても、第２層３２６の縁は、第１層３２４の縁よりも端子３０２の内側に位置している。

なお、第２層３２６の厚さが５ｎｍ未満の場合、このエッチングにおいて第２層３２６の全てが除去される可能性が出てくる。この場合、第１層３２４もエッチングによって除去される可能性が高くなる。

次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び配線３００に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液（例えば現像液）を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０及び開口１２２が形成される。絶縁層１２０が絶縁層で形成されている場合、絶縁層１２０及び開口１２２は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。

次いで、開口１２２内に有機層１４０を形成する。有機層１４０は、全ての層を塗布法によって形成されてもよいし、全ての層を蒸着法によって形成されてもよいし、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。有機層１４０を構成する少なくとも一つの層（例えば正孔輸送層）は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層１４０の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。

次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。

以上、本実施形態によれば、端子３０２は、第１層３２４及び第２層３２６を有している。そして、第２層３２６の幅は第１層３２４の幅よりも狭い。従って、第２層３２６から第１層３２４が食み出している。その結果、端子３０２に接続する導通部材（例えばリード端子やボンディングワイヤ）は、第１層３２４及び第２層３２６の双方に接触することができる。従って、導通部材が第２層３２６のみと接触する場合と比較して、導通部材と端子３０２の接続部には金属間化合物が形成されやすい。従って端子３０２と導通部材の接続を強固にして、これらの間の接続抵抗を低くすることができる。

また、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下である。従って、容易に第２層３２６の幅を第１層３２４の幅よりも狭くすることができる。

（実施例１）
図４は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図５は、図４から封止部材２００、隔壁１７０、第２電極１５０、有機層１４０、及び絶縁層１２０を取り除いた図である。図６は図４のＢ－Ｂ断面図であり、図７は図４のＣ－Ｃ断面図であり、図８は図４のＤ－Ｄ断面図である。図９は図４のＥ－Ｅ断面図である。なお、図４のＦ－Ｆ断面図も、図９と同様である。本図に示す発光装置１０は、例えばディスプレイとして用いられる。

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、発光素子１０２、絶縁層１２０、複数の開口１２２、複数の開口１２４、複数の引出配線１３０、複数の第１端子１３６、有機層１４０、第２電極１５０、複数の引出配線１６０、複数の第２端子１６６、及び複数の隔壁１７０を有している。第１端子１３６及び第２端子１６６は、実施形態における端子３０２に対応しており、引出配線１３０，１６０は、実施形態における配線３００に対応している。

第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、第１方向（図４におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は実施形態に示した透光性の電極である。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１３０に接続している。

引出配線１３０は、第１電極１１０を第１端子１３６に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１３０の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１３０の他端側は第１端子１３６となっている。引出配線１３０は、実施形態における配線３００の一例であり、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。透明導電層３１０は第１電極１１０と一体になっている。

絶縁層１２０は、図４、及び図６～図８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１２０には、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成されている。複数の第２電極１５０は、詳細を後述するように、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１５０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１２２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１５０の交点に位置している。複数の開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向（図４におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１２２は、第２電極１５０の延在方向（図４におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１２４は、平面視で複数の第２電極１５０のそれぞれの一端側に位置している。また開口１２４は、開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１２４は、所定の間隔で配置されている。開口１２４からは、引出配線１６０の一部分が露出している。そして、引出配線１６０は、開口１２４を介して第２電極１５０に接続している。言い換えると、複数の引出配線１６０は、互いに異なる発光素子１０２に接続している。

引出配線１６０は、第２電極１５０を第２端子１６６に接続する配線である。引出配線１６０の一端側は開口１２４の下に位置しており、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１６０の他端側が第２端子１６６となっている。引出配線１６０は実施形態における配線３００の一例であり、第２端子１６６は、実施形態の端子３０２の一例である。引出配線１６０は、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。この透明導電層３１０も第１電極１１０と同様の材料によって形成されている。また、この導電層３２０も実施形態における導電層３２０と同様の構成を有している。

なお、本図に示す例において、引出配線１３０において、導電層３２０の第２層３２６の縁は、平面視において複数の凹凸を有している。言い換えると、平面視において、引出配線１３０の第２層３２６の縁は、引出配線１６０の第２層３２６の縁と比較して大きな凹凸を有している。これは、詳細を後述するように、導電層３２０をウェットエッチングで形成するときに、引出配線１３０は第１電極１１０に接続しているため、電気化学的な条件に差が生じるため、と考えられる。

また、引出配線１３０の第２層３２６の表面粗さＲａは、引出配線１６０の第２層３２６の表面粗さＲａよりも大きい。例えば４μｍ×４μｍにおいて、引出配線１３０の第２層３２６の表面粗さＲａは、６．３ｎｍ以上７．０ｎｍ以下であり、引出配線１６０の第２層３２６の表面粗さＲａは５．２ｎｍ以上５．８ｎｍ以下である。このため、第２端子１６６よりも第１端子１３６のほうがボンディングワイヤなどの導通部材と接続しやすい。

開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。有機層１４０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１４０の電子輸送層は第２電極１５０に接している。このようにして、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。

なお、図６及び図７に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図４に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１２２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図８に示すように、有機層１４０は、開口１２４には形成されていない。

上記したように、有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図４、図６～図８に示すように、有機層１４０より上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図４におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、有機層１４０に電気的に接続している。例えば第２電極１５０は、有機層１４０上に形成されていても良いし、有機層１４０の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２電極１５０を有している。一つの第２電極１５０は、複数の開口１２２上を通過する方向に形成されている。

隣り合う第２電極１５０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１５０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１５０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１５０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１５０を一括で形成することができる。

また、隔壁１７０は、有機層１４０を分断する機能も有している。

また、発光装置１０は封止部材２００を備えている。封止部材２００は、複数の発光素子１０２を封止しており、基板１００と同様の多角形の金属箔又は金属板（例えばＡｌ箔又はＡｌ板）の縁部の全周を押し下げた形状を有している。そして、縁部は接着材２０２（又は粘着剤）で基板１００に固定されている。ただし、封止部材２００はガラスで形成されていてもよい。

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１３０，１６０の透明導電層３１０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

次いで透明導電層３１０上を含む基板１００の上に、導電層３２０となる導電層を形成する。次いで、この導電層のうち導電層３２０となる領域をレジストパターンで覆う。次いで、このレジストパターンをマスクとしてウェットエッチングを行う。これにより、導電層３２０が形成される。この工程において、引出配線１３０の導電層３２０は第１電極１１０に接続している。このため、引出配線１３０において、導電層３２０の第２層３２６には、第１電極１１０を一方の電極とした電池化学反応が生じ、これによって引出配線１３０の第２層３２６の縁には凹凸が形成される。また、引出配線１３０の第２層３２６の表面は、引出配線１６０の第２層３２６の表面よりも粗くなる。

次いで、絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０の形成方法は、実施形態と同様である。この工程において、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成される。次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成し、さらに有機層１４０及び第２電極１５０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

本実施例によっても、第１端子１３６の導電層３２０及び第２端子１６６の導電層３２０は、実施形態における導電層３２０と同様の構成を有している。その結果、第１端子１３６及び第２端子１６６に接続する導通部材（例えばリード端子やボンディングワイヤ）は、導電層３２０の第１層３２４及び第２層３２６の双方に接触することができる。従って、第１端子１３６及び第２端子１６６は導通部材に接続しやすくなる。

また、第１端子１３６の第２層３２６の縁は、第２端子１６６の第２層３２６の縁と比較して大きな凹凸を有している。このため、第１端子１３６は、第２端子１６６よりも導通部材に接続しやすくなる。

（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１１は、図１０から封止部材２００、隔壁１７０、第２電極１５０、有機層１４０、及び絶縁層１２０を取り除いた図である。図１２は、図１０のＧ－Ｇ断面図である。なお、図１０のＨ－Ｈ断面図も、図１２と同様である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

まず、引出配線１３０のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、導電層３２０が形成されていない。同様に、引出配線１６０のうち縁１２６と重なる部分には、導電層３２０が形成されていない。引出配線１３０，１６０のうち導電層３２０が形成されていない部分の長さは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下である。絶縁層１２０の縁１２６から絶縁層１２０の下に位置する導電層３２０の縁までの距離は、例えば５μｍ以上２５０μｍ以下である。また、絶縁層１２０の縁１２６から絶縁層１２０の外に位置する導電層３２０の縁までの距離は、例えば５μｍ以上２５０μｍ以下である。このような領域は、例えば導電層３２０を形成するときのレジストパターンの形状を変更することにより、実現できる。

そして、本実施例では、引出配線１３０，１６０の一部は透明導電層３１０のみで形成されている。このため、ウェットエッチングにより導電層３２０を形成するときに、引出配線１６０の導電層３２０においても、透明導電層３１０のうち導電層３２０で覆われていない部分を電極とした電池化学反応が生じる。このため、引出配線１６０の第２層３２６の縁にも凹凸が形成される。

本実施例によっても、第１端子１３６の導電層３２０及び第２端子１６６の導電層３２０は、実施形態における導電層３２０と同様の構成を有している。このため、第１端子１３６及び第２端子１６６はボンディングワイヤ４００などの導通部材に接続しやすくなる。また、第２端子１６６の第２層３２６の縁も凹凸を有している。従って、第２端子１６６も導通部材に接続しやすくなる。

（実施例３）
図１３は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１４は、図１２のＥ－Ｅ断面図である。図１３は、実施例１の図４に対応しており、図１４は実施例１の図９に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、封止部材２００の代わりに封止膜２１０（被覆膜）を備えている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

封止膜２１０は、例えば酸化アルミニウム膜であり、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。封止膜２１０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。封止膜２１０は、絶縁層１２０、発光素子１０２、引出配線１６０、及び引出配線１３０を被覆している。なお、封止膜２１０は、ＡＬＤ法以外の成膜法、例えばＣＶＤ法を用いて形成されても良い。封止膜２１０は、段差被覆性が高い。このため、封止膜２１０は、基板１００の上及び配線３００の端面も連続して被覆している。

なお、封止膜２１０は、発光装置１０の第１端子１３６及び第２端子１６６を覆っていない。そして第１端子１３６及び第２端子１６６には、導電部材の一端、例えばボンディングワイヤ４００の一端が接続している。導電部材の他端、例えばボンディングワイヤ４００の他端は、回路基板に接続している。この回路基板には、発光装置１０の制御回路が形成されている。

ボンディングワイヤ４００のうち第１端子１３６（又は第２端子１６６）に接続している側の端部の幅は、第２層３２６の幅よりも広くなっている。このため、ボンディングワイヤ４００の端部は、第２層３２６のみではなく第１層３２４にも接続している。このため、第１端子１３６及び第２端子１６６はボンディングワイヤ４００に接続しやすい。また、ＡＣＦ（異方性導電膜）を利用する場合でも、導電粒子が第２層３２６を突き破るため、第１層３２４と物理的に接触することができるため、これまでの発光装置よりも低抵抗な端子構造になる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 発光素子
１１０ 第１電極
１３０ 引出配線
１３６ 第１端子
１４０ 有機層
１５０ 第２電極
１６０ 引出配線
１６６ 第２端子
３００ 配線
３０２ 端子
３１０ 透明導電層
３２０ 導電層
３２４ 第１層
３２６ 第２層
４００ ボンディングワイヤ

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板に位置し、透光性を有する第１電極、前記第１電極の上に位置する有機層、及び前記有機層上に位置する第２電極を有する発光素子と、
   前記基板に位置し、前記第１電極に電気的に接続する第１端子と、
   前記第２電極に電気的に接続している第２端子と、
   を備え、
   前記第１端子は、透明導電層及び前記透明導電層の上に位置する導電層を備え、
   前記導電層は、第１層及び前記第１層の上に位置する第２層を備え、
   前記第２層の幅は、前記第１層の幅よりも狭く、
   前記第２端子は、前記透明導電層及び前記透明導電層の上に位置する前記導電層を備え、
   前記導電層は、前記第１層及び前記第１層の上に位置する前記第２層を備え、
   前記第１端子の表面粗さは、前記第２端子の表面粗さよりも粗い発光装置。
2. 基板と、
   前記基板に位置する発光素子と、
   前記基板に位置し、前記発光素子に電気的に接続する第１端子と、
   を備え、
   前記第１端子は、透明導電層及び前記透明導電層の上に位置する導電層を備え、
   前記導電層は、第１層及び前記第１層の上に位置する第２層を備え、
   前記第２層の幅は、前記第１層の幅よりも狭く、
   前記第１層の側面は、前記第２層に近づくにつれて前記第１層の幅が狭くなる方向に傾斜している発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記第１層はアルミニウム又はアルミニウム合金からなり、
   前記第２層はモリブデン又はモリブデン合金からなる発光装置。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記第２層の厚さは２０ｎｍ以下である発光装置。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記第２層の厚さは５ｎｍ以上である発光装置。
6. 請求項１～５のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記導電層は、第３層をさらに備え、
   前記第３層、前記第１層、及び前記第２層は前記透明導電層に近い側からこの順に積層しており、
   前記第２層の厚さは前記第３層の厚さよりも薄い発光装置。
7. 請求項６に記載の発光装置において、
   前記第３層はモリブデン又はモリブデン合金からなる発光装置。

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