JP6441306B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光装置の光源に有機ＥＬ素子が用いられるようになっている。有機ＥＬ素子は、有機層を２つの電極で挟んだ構成を有している。そして、これら２つの電極は、配線を介して端子に接続している。

一方、発光装置には、有機ＥＬ素子の発光領域を定めるために、絶縁層が設けられている。この絶縁層は、有機ＥＬ素子の周囲を囲んでいる。そして、有機ＥＬ素子の電極に接続する配線は、厚さ方向で見た場合、この絶縁層と基板の間を延在する箇所がある。

特許文献１には、有機ＥＬ素子に接続する配線として、２つのＭｏ合金層の間にＡｌ−Ｎｄ層を挟むことが記載されている。特許文献１において、Ｍｏ合金層の厚さは５０〜２００ｎｍであり、Ａｌ−Ｎｄ層の厚さは２００〜４００ｎｍである。

特許文献２には、液晶表示装置の配線に、アルミニウム層を他の金属層で挟んだ３層構造の配線を用いることが記載されている。特許文献２において、この配線の上に透明電極層が形成されている。特許文献２には、さらに、アルミニウム層の側面が他の２つの金属層の側面に対して窪むため、透明電極層が配線の側面から剥がれることが記載されている。

なお、特許文献３には、配線の一部に透明導電膜と金属膜の積層構造を用いることが記載されている。特許文献３において、配線の金属層には、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、モリブデン、チタン、タングステン、タンタルなどの単層又はこれらの金属の２層〜３層の積層膜が用いられている。

特開２００５−１０８４３７号公報 特開２００４−１５８８２６号公報 特開２００３−１６３０８０号公報

従来の発光装置の有機ＥＬ素子の電極に接続する配線構造の例を図１に示す。基板５００上に形成された配線５１０の一部は、有機ＥＬ素子の発光領域を定めるための絶縁層５２０に覆われている。ここで、配線５１０を、第１層５１２の上に第２層５１４を積層した構造にした場合、配線５１０をパターニングする際に、円Ａのように第１層５１２の側面が第２層５１４の側面よりも内側に入る。この場合、第２層５１４の端部が折れて絶縁層５２０を突き破る可能性が出てくる。この場合、発光装置に電極と配線のショートなどの不具合が生じる可能性がでてくる。また、絶縁膜５２０の成膜不良により、絶縁膜520内に空洞５２２が生じる可能性がでてくる。この場合、絶縁膜の成膜不良などにより発光装置に不具合が生じる可能性が出てくる。

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子に接続する配線を、第１層の上に第２層を積層した構造にした場合において、配線構造や絶縁膜の成膜状態による発光装置の不具合を回避することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、開口を有する絶縁層と、
前記開口に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子に接続する配線と、
を備え、
前記配線の一部は前記絶縁膜で覆われており、
前記配線は、第１層と、前記第１層の上に形成されていて前記第１層よりも膜厚が薄い第２層を備え、
前記第２層の厚さは２０ｎｍ以下である発光装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

課題を説明するための断面図である。 実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図２から絶縁層を取り除いた図である。 有機ＥＬ素子の構成を説明するための断面図である。 図３のＡ−Ａ断面図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図６から封止膜、隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図６のＢ−Ｂ断面図である。 図６のＣ−Ｃ断面図である。 図６のＤ−Ｄ断面図である。 図６のＥ−Ｅ断面図である。 図６のＧ−Ｇ断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１３のＥ−Ｅ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図２は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図３は、図２から絶縁層１２０を取り除いた図である。図４は、有機ＥＬ素子１０２の構成を説明するための断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、絶縁層１２０、有機ＥＬ素子１０２、及び配線３００を備えている。絶縁層１２０は基板１００に形成されており、開口１２２を有している。有機ＥＬ素子１０２は、絶縁層１２０の開口１２２に形成されている。配線３００は基板１００に形成されており、有機ＥＬ素子１０２に接続している。配線３００の一部は絶縁層１２０に覆われている。

配線３００は、第１層３２４及び第２層３２６を備えている。第２層３２６は第１層３２４の上に形成されている。第２層３２６の膜厚は、第１層３２４よりも膜厚が薄く、５０ｎｍ以下であり、好ましくは２０ｎｍ以下である。第２層３２６の膜厚は、５ｎｍ以上であるのが好ましい。発光装置１０は、例えばディスプレイであるが、照明装置であってもよい。以下、詳細に説明する。

基板１００は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１００は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板１００は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。

有機ＥＬ素子１０２は、図４に示すように、第１電極１１０及び第２電極１５０の間に有機層１４０を挟んだ構成を有している。有機層１４０は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層した構成を有している。第１電極１１０が陽極の場合は、正孔輸送層が第１電極１１０の上に形成される。また、第１電極１１０が陰極の場合は、電子輸送層が第１電極１１０の上に形成される。なお、正孔輸送層と発光層の間に正孔注入層が設けられていても良いし、電子輸送層と発光層の間に電子注入層が設けられていても良い。有機層１４０の各層、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層１４０は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成してもよい。

第１電極１１０及び第２電極１５０のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばＡｌやＡｇなどの金属によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。本図に示す例では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１０２であって、第１電極１１０は透光性の電極になっており、第２電極１５０は、Ａｌなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の有機ＥＬ素子１０２であって、基板１００の上に第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極１１０はＡｌなど光を反射する電極になっており、第２電極１５０は透光性の電極になっている。また、両方の電極（第１電極１１０、第２電極１５０）を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い（デュアルエミッション型）。

絶縁層１２０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。

絶縁層１２０には開口１２２が形成されている。そして開口１２２を用いて有機ＥＬ素子１０２による発光領域が形成されている。発光装置１０がディスプレイの場合、絶縁層１２０には複数の開口１２２が形成されており、これら複数の開口１２２を用いて複数の有機ＥＬ素子１０２が形成されている。また発光装置１０が照明装置の場合、絶縁層１２０には一つの開口１２２が形成されている場合もあれば、複数の開口１２２が形成されている場合もある。後者の場合、これら複数の開口１２２を用いて複数の有機ＥＬ素子１０２が形成されている。

配線３００は、第１層３２４の上に第２層３２６を積層した構成を有している。配線３００は、例えば有機ＥＬ素子１０２に接続する配線である。第１層３２４は、例えばＡｌ又はＡｌ合金で形成されており、第２層３２６は、Ｍｏ又はＭｏ合金で形成されている。第１層３２４がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第２層３２６は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。

図５は、図３のＡ−Ａ断面図である。本図に示す例では、配線３００は、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。透明導電層３１０は、例えば有機ＥＬ素子１０２が有する２つの電極のうち基板１００側に位置する電極と同様の材料（例えば透光性の導電材料）によって形成されている。そして導電層３２０は、第３層３２２、第１層３２４、及び第２層３２６をこの順に積層した構成を有している。第３層３２２は、第２層３２６と同様の材料により形成されており、第２層３２６よりも厚い。第３層３２２の厚さは、例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。そして、第１層３２４の側面は、上に行くにつれて第１層３２４の幅が細くなる方向に傾斜している。なお、第１層３２４の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

また、図５に示す断面において、第２層３２６は絶縁層１２０に接している。言い換えると、第２層３２６の一部は絶縁層１２０に接している。

ここで、有機ＥＬ素子１０２の配線は、透明導電層３１０としてＩＴＯ、導電層３２０としてアルミニウムを利用する場合が多い。特に、導電層３２０は、ＭｏＮｂ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｂの積層構造を採用している場合が多い。この理由は、以下の通りである。

まず、アルミニウムとＩＴＯとを直接接触させた場合、電気化学的効果により、ＩＴＯの化学的耐性が弱まる。また、アルミニウムとＩＴＯとの電気的な接触は粗悪であり、これらの間の接触抵抗は経時劣化してしまう。これらの問題を避けるため、アルミニウムとＩＴＯとの間にモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など異種金属を介在させ、直接の接触を絶つことが好ましい。特に、Ｍｏは、アルミニウムとＩＴＯとの反応を遮断し、両者との接触抵抗も低い。

更に、アルミニウムやアルミニウムにネオジウム（Ｎｄ）を含有したＡｌＮｄ合金には酸化しやすいものが多い。導電層３２０を形成する材料が酸化された場合、その酸化物中の酸素がアルミニウムやＡｌＮｄ合金に拡散するおそれが生じる。この現象を抑制するために、特定の数量のニオブ（Ｎｂ）を含有したＭｏＮｂ合金層を導電層３２０の表面に保護膜として形成する。この保護層（ＭｏＮｂ）およびＡｌＮｄ合金の導電層３２０は燐酸、酢酸、及び硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液で一括エッチングすることも可能である。有機ＥＬ素子を用いた一般的な発光装置において、絶縁層１２０の材料であるポリイミド膜をスピンコーティングし、フォトリソ工程でパターニングを行った後、３２０℃程度の温度で熱処理することにより、絶縁層１２０を作成する。この熱処理により、導電層３２０のＡｌＮｄ合金の抵抗を低くすることができる。この理由は、熱処理の熱でＮｄがＡｌの粒界に移動するためと考えられる。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成する。次いで、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０及び配線３００の透明導電層３１０が形成される。

次いで、基板１００上及び透明導電層３１０上に、配線３００の第３層３２２となる導電層、第１層３２４となる導電層、及び第２層３２６となる導電層をこの順に形成する。これらの各層は、例えばスパッタリング法や蒸着法を用いて形成される。次いで、これらの導電層の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチング（例えばウェットエッチング）を行う。これにより、透明導電層３１０上には導電層３２０が形成される。

ここで、第１層３２４は第２層３２６よりもエッチングされやすい。このため、第２層３２６を厚く形成した場合、第２層３２６のうちレジストパターンで覆われていない領域が除去される前に、第１層３２４が側面からエッチングされていく。このため、第１層３２４の側面は第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置してしまう。これに対して本実施形態では、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下である。このため、第１層３２４の側面が第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置することを抑制できる。なお、この結果、第１層３２４の側面は、上に行くにつれて第１層３２４の幅が狭くなる方向に傾斜する。

なお、第２層３２６の厚さが５ｎｍ未満の場合、このエッチングにおいて第２層３２６の全てが除去される可能性が出てくる。この場合、第１層３２４もエッチングによって除去される可能性が高くなる。

次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び配線３００に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液（例えば現像液）を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０及び開口１２２が形成される。絶縁層１２０が感光性の絶縁層で形成されている場合、絶縁層１２０及び開口１２２は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。

次いで、開口１２２内に有機層１４０を形成する。有機層１４０は、全ての層を塗布法によって形成されてもよいし、全ての層を蒸着法によって形成されてもよいし、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。有機層１４０を構成する少なくとも一つの層（例えば正孔輸送層）は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層１４０の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。

次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。

以上、本実施形態によれば、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下である。このため、エッチングによって配線３００を形成する際に、第１層３２４の側面が第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置することを抑制できる。従って、第２層３２６の端部が折れて絶縁層１２０を突き破ることを抑制できる。

また、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下であるため、配線３００の端部にボンディングワイヤを接続するときに、第２層３２６は割れやすい。従って、ボンディングワイヤを容易に第１層３２４に接続することができる。

（実施例１）
図６は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図７は、図６から封止膜２１０、隔壁１７０、第２電極１５０、有機層１４０、及び絶縁層１２０を取り除いた図である。図８は図６のＢ−Ｂ断面図であり、図９は図６のＣ−Ｃ断面図であり、図１０は図６のＤ−Ｄ断面図である。図１１は図６のＥ−Ｅ断面図である。なお、図６のＦ−Ｆ断面図も、図１１と同様である。図１２は、図６のＧ−Ｇ断面図である。本図に示す発光装置１０は、例えばディスプレイとして用いられる。

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機ＥＬ素子１０２、絶縁層１２０、複数の開口１２２、複数の開口１２４、複数の引出配線１３０、有機層１４０、第２電極１５０、複数の引出配線１６０、及び複数の隔壁１７０を有している。引出配線１３０，１６０は、実施形態における配線３００に対応している。

第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、第１方向（図６におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は透光性の材料によって形成されている。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１３０に接続している。

引出配線１３０は、第１電極１１０を端子に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１３０の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１３０の他端側は端子となっている。引出配線１３０は、実施形態における配線３００の一例であり、実施形態に示した配線３００と同様の構成を有している。引出配線１３０の各層の構成は、実施形態と同様である。

絶縁層１２０は、図６、及び図８〜図１０に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１２０には、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成されている。複数の第２電極１５０は、詳細を後述するように、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図６におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１５０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１２２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１５０の交点に位置している。複数の開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向（図６におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１２２は、第２電極１５０の延在方向（図６におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１２４は、平面視で複数の第２電極１５０のそれぞれの一端側に位置している。また開口１２４は、開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図６におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１２４は、所定の間隔で配置されている。開口１２４からは、引出配線１６０の一部分が露出している。そして、引出配線１６０は、開口１２４を介して第２電極１５０に接続している。言い換えると、複数の引出配線１６０は、互いに異なる有機ＥＬ素子１０２に接続している。

引出配線１６０は、第２電極１５０を端子に接続する配線である。引出配線１６０の一端側は開口１２４の下に位置しており、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１６０の他端側が端子となっている。引出配線１６０は、実施形態における配線３００の一例である。

また、引出配線１６０の一部は絶縁層１２０によって覆われている。そして、図６及び図１２に示すように、第２電極１５０（導電層）は、絶縁層１２０のうち引出配線１６０が位置している領域の上にも形成されている。このため第２電極１５０は、その第２電極１５０とは異なる第２電極１５０に接続する引出配線１６０（すなわちその第２電極１５０から電気的に独立している引出配線１６０）と、絶縁層１２０を介して対向している。従って、引出配線１６０の第２層３２６の端部が折れて絶縁層１２０を突き破った場合、その引出配線１６０は、他の第２電極１５０と短絡する可能性が出てくる。本実施例では、図１１に示すように、引出配線１６０において、第２層３２６の幅は第１層３２４よりも狭くなっているため、第２層３２６の端部が折れる可能性は低い。従って、このような短絡が生じることを抑制できる。

なお、第２電極１５０（導電層）は、絶縁層１２０のうち引出配線１６０が位置している領域の上にも形成されている。第２電極１５０（導電層）にアルミニウムなどの無機材料の導電材料を利用した場合、第２電極１５０は水分や酸素等の保護膜としても機能する。このため、引出配線１６０は第２電極１５０によって水分や酸素等から保護されることになる。従って、引出配線１６０に水分や酸素が到達して引出配線１６０が変質することを抑制できる。

開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。有機層１４０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１４０の電子輸送層は第２電極１５０に接している。このようにして、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。

なお、図８及び図９に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図６に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１２２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１０に示すように、有機層１４０は、開口１２４には形成されていない。

上記したように、有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図６、図８〜図１０に示すように、有機層１４０より上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図６におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、有機層１４０に電気的に接続している。例えば第２電極１５０は、有機層１４０上に形成されていても良いし、有機層１４０の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２電極１５０を有している。一つの第２電極１５０は、複数の開口１２２上を通過する方向に形成されている。

隣り合う第２電極１５０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１５０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１５０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１５０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１５０を一括で形成することができる。

また、隔壁１７０は、有機層１４０を分断する機能も有している。

また、発光装置１０は封止部材２００を備えている。封止部材２００は、複数の有機ＥＬ素子１０２を封止しており、基板１００と同様の多角形の金属箔又は金属板（例えばＡｌ箔又はＡｌ板）の縁部の全周を押し下げた形状を有している。そして、縁部は接着材２０２（又は粘着剤）で基板１００に固定されている。ただし、封止部材２００はガラスで形成されていてもよい。この場合、封止部材２００は基板１００とに接着剤を用いて固定されても良い。

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１３０，１６０の透明導電層３１０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

次いで、透明導電層３１０上に導電層３２０を形成する。導電層３２０の形成方法は、実施形態と同様である。次いで、絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０の形成方法は、実施形態と同様である。この工程において、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成される。

次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成し、さらに有機層１４０及び第２電極１５０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

本実施例によっても、第２層３２６の端部が折れて絶縁層１２０を突き破ることを抑制できる。従って、第２電極１５０を、絶縁層１２０のうち引出配線１６０が位置している領域の上にも形成しても、その第２電極１５０が、他の第２電極１５０に接続している引出配線１６０と短絡することを抑制できる。

（実施例２）
図１３は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１４は、図１３のＥ−Ｅ断面図である。図１３は、実施例１の図６に対応しており、図１４は実施例１の図１１に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、封止部材２００の代わりに封止膜２１０（被覆膜）を備えている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

封止膜２１０は例えば酸化アルミニウム膜であり、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。封止膜２１０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。封止膜２１０は、絶縁層１２０、有機ＥＬ素子１０２、引出配線１６０、及び引出配線１３０を被覆している。なお、封止膜２１０は、ＡＬＤ法以外の成膜法、例えばＣＶＤ法を用いて形成されても良い。封止膜２１０は、段差被覆性が高い。このため、封止膜２１０は、基板１００の上及び配線３００の端面も連続して被覆している。

なお、封止膜２１０は、発光装置１０の端子（すなわち引出配線１３０，１６０の端部）を覆っていない。そしてこの端子には、導電部材の一端、例えばボンディングワイヤ４００の一端が接続している。導電部材の他端、例えばボンディングワイヤ４００の他端は、回路基板に接続している。この回路基板には、発光装置１０の制御回路が形成されている。

ここで、引出配線１３０、１６０の断面形状は、絶縁膜１２０で覆われた箇所と端子部分とで互いに同じ断面構造となっている。そして、端子の第２層３２６をＭｏ又はＭｏ合金、第１層３２４をＡｌ又はＡｌ合金で形成している場合、ボンディングワイヤ４００は、第２層３２６を突き破り、第１層３２４と接合している。そして、第１層３２４は、第２層３２６よりもボンディングワイヤ４００との接触抵抗が低い。特に、ボンディングワイヤ４００の芯部に銅を利用した場合には、銅と第1層３２４のＡｌとの合金が形成され、電気的にも、物理的にも良好な接続構造を構築できる。また、ＡＣＦ（異方性導電膜）を利用する場合でも、導電粒子は、第２層３２６を突き破るため、第１層３２４との物理的に接触することができるため、これまでの低抵抗な接続構造になる。

本実施例によっても、第２層３２６の端部が折れて絶縁層１２０を突き破ることを抑制できる。また、第２電極１５０を、絶縁層１２０のうち引出配線１６０が位置している領域の上にも形成しても、その第２電極１５０が、他の第２電極１５０に接続している引出配線１６０と短絡することを抑制できる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板に形成された発光素子と、
   前記基板に形成され、前記発光素子に接続する配線と、
   を備え、
   前記配線の一部は絶縁層で覆われており、
   前記配線は、第１層と、前記第１層の上に位置していて前記第１層よりも薄い第２層と、前記第１層の下に位置していて前記第２層よりも厚い第３層と、を備え、
   前記第１層の側面は、前記第２層に近づくにつれて前記第１層の幅が狭くなる方向に傾斜しており、
   前記第２層の厚さは２０ｎｍ以下である発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記第３層の厚さは４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である発光装置。
3. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記第２層の厚さは５ｎｍ以上である発光装置。
4. 請求項３に記載の発光装置において、
   前記絶縁層は開口を有しており、
   前記発光素子は、前記開口に形成されており、
   前記第２層の一部は前記絶縁層に接している発光装置。
5. 請求項４に記載の発光装置において、
   前記絶縁層のうち前記配線と重なる領域の一部には、前記配線から電気的に独立している導電層が位置している発光装置。
6. 請求項５に記載の発光装置において、
   前記第１層はアルミニウム又はアルミニウム合金からなり、
   前記第２層は、モリブデン又はモリブデン合金からなる発光装置。
7. 請求項６に記載の発光装置において、
   前記基板の端子に接続しているボンディングワイヤを備え、
   前記配線は前記端子を前記発光素子に接続している発光装置。
8. 請求項７に記載の発光装置において、
   前記端子が前記配線と連続して同じ構造で形成され、
   前記第１層と前記ボンディングワイヤが接合している発光装置。
9. 請求項６に記載の発光装置において、
   前記基板の端子に接続している異方性導電膜を備え、
   前記端子が前記配線と連続して同じ構造で形成され、
   前記第１層と前記異方性導電膜が接合している発光装置。
10. 請求項６に記載の発光装置において、
    前記基板に形成され、前記発光素子及び前記絶縁層を被覆する被覆膜を備える発光装置。

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