KR102470044B1 - 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

플렉서블 표시 장치는 플렉서블 기판 및 도전 패턴을 포함한다. 상기 플렉서블 기판은 벤딩부를 포함한다. 상기 도전 패턴은 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 제2 도전 패턴층을 포함하고, 적어도 일부가 상기 벤딩부 상에 제공된다. 상기 제1 도전 패턴층은 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.

Description

플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법{FLEXIBLE DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}
본 발명은 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 벤딩에 따른 크랙 발생을 줄일 수 있는 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 이미지를 표시하여 사용자에게 정보를 제공한다. 최근 벤딩(bending) 가능한 표시 장치가 개발되고 있다. 플렉서블 표시 장치는 평판 표시 장치와 달리, 종이처럼 접거나 말거나 휠 수 있다. 형상이 다양하게 변경될 수 있는 플렉서블 표시 장치는 휴대가 용이하고 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 목적은 벤딩에 따른 크랙 발생을 줄일 수 있는 플렉서블 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 벤딩에 따른 크랙 발생을 줄일 수 있는 플렉서블 표시 장치의제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 플렉서블 기판 및 도전 패턴을 포함한다. 상기 플렉서블 기판은 벤딩부를 포함한다. 상기 도전 패턴은 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 제2 도전 패턴층을 포함하고, 적어도 일부가 상기 벤딩부 상에 제공된다. 상기 제1 도전 패턴층은 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
상기 제1 두께는 100 옹스트롬(Å) 이상 내지 1500 옹스트롬(Å) 이하이고, 상기 제2 두께는 10 옹스트롬(Å) 이상 내지 100 옹스트롬(Å) 미만인 것일 수 있다.
상기 제1 물질 및 상기 제2 물질 각각은 금속, 상기 금속의 합금, 상기 금속의 산화물 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 금속은 Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 투명 전도성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 도전 패턴층은 제1 그레인 사이즈(grain size)를 갖고, 상기 제2 도전 패턴층은 제2 그레인 사이즈를 갖고, 상기 제1 도전 패턴층의 평균 그레인 사이즈는 상기 제2 도전 패턴층의 평균 그레인 사이즈보다 큰 것일 수 있다.
상기 제1 그레인 사이즈 및 상기 제2 그레인 사이즈 각각은 100 옹스트롬(Å) 이상 1000 옹스트롬(Å) 이하인 것일 수 있다.
상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 도전 패턴층의 그레인 사이즈를 제어하는 것일 수 있다.
상기 도전 패턴은 상기 제2 도전 패턴층 상에 제공되고, 상기 제2 두께보다 두꺼운 제3 두께를 갖고, 제3 물질을 포함하는 제3 도전 패턴층을 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 도전 패턴층의 그레인 사이즈 및 상기 제3 도전 패턴층의 그레인 사이즈를 제어하는 것일 수 있다.
상기 제1 두께 및 상기 제3 두께 각각은 100 옹스트롬(Å) 이상 1500 옹스트롬(Å) 이하이고, 상기 제2 두께는 10 옹스트롬(Å) 이상 100 옹스트롬(Å) 미만인 것일 수 있다.
상기 제3 물질은 상기 제2 물질과 상이한 것일 수 있다.
상기 제1 물질은 알루미늄이고, 상기 제2 물질은 티타늄이고, 상기 제3 물질은 알루미늄인 것일 수 있다.
상기 도전 패턴은 5개의 적층 패턴들을 포함하고, 상기 적층 패턴들 각각은 상기 제1 도전 패턴층, 상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 상기 제2 도전 패턴층 및 상기 제2 도전 패턴층 상에 제공되는 상기 제3 도전 패턴층을 포함하는 것일 수 있다.
상기 제1 두께는 1500 옹스트롬(Å)이고, 상기 제2 두께는 50 옹스트롬(Å)이고, 상기 제3 두께는 1500 옹스트롬(Å)인 것일 수 있다.
상기 제1 물질은 알루미늄이고, 상기 제2 물질은 산화 알루미늄이고, 상기 제3 물질은 알루미늄인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 상기 플렉서블 기판 상에 제공되는 배선 및 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 배선 및 상기 전극 중 적어도 하나는 상기 도전 패턴인 것일 수 있다.
상기 배선은 게이트 배선, 데이터 배선, 연결 배선 및 팬아웃 배선 중 적어도 하나인 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 상기 플렉서블 기판 상에 제공되는 절연층, 상기 플렉서블 기판 및 상기 절연층 사이에 제공되는 제1 배선 및 상기 절연층 상에 제공되는 제2 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 중 적어도 하나는 상기 도전 패턴인 것일 수 있다.
상기 플렉서블 표시 장치는 휴대폰, 텔레비전, 컴퓨터, 웨어러블(wearable) 표시 장치, 롤러블(rollable) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치, 오토모티브(automotive) 표시 장치 및 사물 장식 표시 장치 중에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 플렉서블 표시 장치는 상기 플렉서블 기판 및 상기 도전 패턴의 적어도 일부가 벤딩(bending)되는 제1 모드 또는 상기 벤딩이 펼쳐지는 제2 모드로 동작하는 것일 수 있다.
상기 제1 모드는 벤딩축을 기준으로 어느 한 방향으로 벤딩되는 제1 벤딩 모드 및 상기 벤딩축을 기준으로 상기 어느 한 방향과 반대 방향으로 벤딩되는 제2 벤딩 모드를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판 상에 제공되는 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자 상에 제공되는 봉지층을 포함하는 플렉서블 표시 패널 및 터치 벤딩부를 포함하고, 상기 봉지층 상에 제공되는 터치 센싱 유닛을 포함한다. 상기 터치 센싱 유닛은 제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 제2 도전 패턴층을 포함하고, 상기 터치 벤딩부에 포함되는 도전 패턴을 포함한다. 상기 제1 도전 패턴층은 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하는 것일 수 있다.
상기 터치 센싱 유닛은 감지 전극, 상기 감지 전극과 전기적으로 연결되는 패드부, 상기 감지 전극와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선 및 상기 패드부와 연결되는 팬아웃 배선을 포함한다. 상기 감지 전극, 상기 패드부, 상기 연결 배선 및 상기 팬아웃 배선 중 적어도 하나는 상기 도전 패턴인 것일 수 있다.
상기 감지 전극은 메쉬(mesh) 형상을 갖는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법은 플렉서블 기판을 준비하는 단계 및 상기 플렉서블 기판 상에 도전 패턴을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 도전 패턴을 제공하는 단계는 제1 가스를 제공하여, 상기 플렉서블 기판 상에 제1 두께를 갖는 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제1 가스와 상이한 제2 가스를 제공하여, 상기 제1 도전 패턴층 상에 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계를 포함한다.
상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계 중 적어도 하나는 금속, 상기 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물 중 적어도 하나를 스퍼터링하여 수행되는 것일 수 있다.
상기 도전 패턴층을 제공하는 단계는 상기 제2 가스와 상이한 제3 가스를 제공하여, 상기 제2 도전 패턴층 상에 상기 제2 두께보다 두꺼운 제3 두께를 갖는 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계, 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계 각각은 플라즈마 제공 없이 수행되는 것일 수 있다.
상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고, 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계는 티타늄 가스를 제공하여 수행되고, 상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되는 것일 수 있다.
상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계, 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계 각각은 5회씩 수행되는 것일 수 있다.
상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고, 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계는 산소 가스를 제공하여 수행되고, 상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 의하면, 벤딩에 따른 크랙 발생을 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 의하면 벤딩에 따른 크랙 발생을 줄일 수 있는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ’선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 배선의 개략적인 단면도이다.
도 3d 및 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 전극의 개략적인 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 4b는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 4c 및 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 제1 배선의 개략적인 단면도이다.
도 4e 및 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 제2 배선의 개략적인 단면도이다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 패널에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 패널에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다.
도 6c는 도 6b의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 터치 센싱 유닛을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 터치 센싱 유닛을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센싱 유닛에 포함되는 감지 전극의 개략적인 단면도이다.
도 9c 및 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센싱 유닛에 포함되는 배선의 개략적인 단면도이다.
도 10a, 도 10b, 도 10c, 도 10d, 도 10e 및 도 10f는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 활용되는 다양한 장치를 도시한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도다.
도 12a는 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 3의 SEM 사진이다.
도 12b는 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 3의 SEM 사진이다.
도 13는 실시예 1 및 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2의 단면 사진이다.
도 14은 비교예 1 및 비교예 3의 내측 벤딩, 외측 벤딩에 따른 단선 여부를 촬영한 사진이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 플렉서블(flexible) 기판(FB) 및 도전 패턴(CP)을 포함한다. 도전 패턴(CP)은 플렉서블 표시 기판(FB) 상에 제1 방향(DR1)으로 적층될 수 있다. "플렉서블"이란 휘어질 수 있는 특성을 의미하며, 완전히 접히는 구조에서부터 수 나노미터 수준으로 휠 수 있는 구조까지 모두 포함하는 것일 수 있다. 플렉서블 기판(FB)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 플라스틱, 유기 고분자 등을 포함할 수 있다. 플렉서블 기판(FB)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone) 등을 들 수 있다. 플렉서블 기판(FB)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 플렉서블 기판(FB)은 투명한 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 제1 모드 또는 제2 모드로 동작할 수 있다. 플렉서블 기판(FB)은 벤딩부(BF) 및 비벤딩부(NBF)를 포함한다. 벤딩부(BF)는 제1 모드에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 벤딩축(BX)을 기준으로, 벤딩이 발생하고 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 벤딩부(BF)는 비벤딩부(NBF)와 연결된다. 비벤딩부(NBF)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다. 도전 패턴(CP)의 적어도 일부는 벤딩부(BF) 상에 제공된다. 벤딩이란 외력에 의해 플렉서블 기판(FB) 등이 특정 형태로 휜 것을 의미하는 것일 수 있다. 벤딩부란 수 나노미터부터 눈으로 확인할 수 있는 정도까지 휘어진 것을 의미한다. 예를 들어, 벤딩부는 리지드(rigid)한 것일 수 있고, 플렉서블(flexible)한 것일 수도 있다. 벤딩부는 커브드, 폴더블, 스트레처블, 롤러블, 플렉서블한 부분을 모두 포괄하는 개념일 수 있다.
도 1a 및 도 1c를 참조하면, 제1 모드에서 플렉서블 기판(FB) 및 도전 패턴(CP)의 적어도 일부가 벤딩(bending)된다. 도 1b를 참조하면, 제2 모드에서 벤딩부(BF)의 벤딩이 펼쳐친다.
제1 모드는 제1 벤딩 모드 및 제2 벤딩 모드를 포함한다. 도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 제1 벤딩 모드에서, 벤딩축(BX)을 기준으로 어느 한 방향으로 벤딩될 수 있다. 플렉서블 표시 장치(10)는 제1 벤딩 모드에서 내측 벤딩된 것일 수 있다. 이하에서는, 벤딩축(BX)을 기준으로 플렉서블 표시 장치(10)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 도전 패턴(CP) 사이의 거리가 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 기판(FB) 사이의 거리보다 짧은 경우를 내측 벤딩(inner bending)이라 정의한다. 내측 벤딩시에, 벤딩부(BF)의 일면은 제1 곡률 반경(R1)을 가질 수 있다. 제1 곡률 반경(R1)은 예를 들어, 약 1 밀리미터(mm) 이상 약 10 밀리미터(mm) 이하일 수 있다.
도 1c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 제2 벤딩 모드에서, 벤딩축(BX)을 기준으로 도 1a에서 벤딩된 방향과 반대 방향으로 벤딩될 수 있다. 플렉서블 표시 장치(10)는 제2 벤딩 모드에서 외측 벤딩된 것일 수 있다. 이하에서는, 벤딩축(BX)을 기준으로 플렉서블 표시 장치(10)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 기판(FB) 사이의 거리가 벤딩되어 서로 마주보는 도전 패턴(CP) 사이의 거리보다 짧은 경우를 외측 벤딩(outer bending)이라 정의한다. 외측 벤딩시에, 벤딩부(BF)의 일면은 제2 곡률 반경(R2)을 가질 수 있다. 제2 곡률 반경(R2)은 제1 곡률 반경(R1)과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제2 곡률 반경(R2)은 예를 들어, 약 1 밀리미터(mm) 이상 약 10 밀리미터(mm) 이하일 수 있다.
도 1a 및 도 1c에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 플렉서블 표시 장치(10)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 기판(FB) 사이의 거리가 일정한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 기판(FB) 사이의 거리는 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 도 1a 및 도 1c에서는 벤딩축(BX)을 기준으로 플렉서블 표시 장치(10)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 기판(FB)의 면적이 서로 동일한 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 기판(FB)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ’선에 대응하는 개략적인 단면도이다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 도전 패턴(CP)은 적어도 일부가 벤딩부(BF) 상에 제공된다. 도전 패턴(CP)은 복수의 도전 패턴층들을 포함할 수 있다. 도전 패턴(CP)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 도전 패턴층들을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니고, 도전 패턴(CP)은 7개 이상의 도전 패턴층들을 포함할 수도 있다. 도전 패턴층들 각각은 복수의 그레인(grain)들을 갖는다. "그레인(grain)"은 성분 원자 등이 규칙적으로 배열해서 만들어진 결정립으로 정의될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a를 참조하면, 도전 패턴(CP)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 약 100 옹스트롬(Å) 이상 약 1500 옹스트롬(Å) 이하의 제1 두께(t1)를 갖는 것일 수 있다. 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 두께(t1)가 약 100 옹스트롬(Å) 미만이면, 동일한 두께의 도전 패턴(CP) 내에서, 도전 패턴층들 사이의 계면의 개수가 증가하여 저항이 증가할 수 있다. 이에 따라, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있다. 또한, 제1 도전 패턴층(CPL1)을 제조하는 과정 또는 제공하는 과정에서 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 두께(t1)가 약 1500 옹스트롬(Å) 초과이면, 벤딩에 따른 제1 도전 패턴층(CPL1)의 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 그레인 사이즈(grain size)를 갖는 제1 그레인들(GR1)을 갖는다. 이하 후술하는 그레인 사이즈와 관련하여, 그레인 사이즈는 그레인의 입경들의 평균, 입경들 중 최대 입경 등을 의미하는 것일 수 있다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하의 제1 그레인 사이즈를 갖는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 그레인들(GR1) 각각의 제1 그레인 사이즈가 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하일 수 있고, 제1 그레인들(GR1)의 제1 그레인 사이즈들의 평균이 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하일 수도 있고, 대표 값이 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하일 수도 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈가 약 10 옹스트롬(Å) 미만이면, 제1 도전 패턴층(CPL1)의 저항이 증가하여, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있다. 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈가 약 100 옹스트롬(Å) 초과이면, 제1 그레인 사이즈가 커서, 벤딩에 따른 제1 도전 패턴층(CPL1)의 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 물질을 포함한다. 제1 물질은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
금속은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
투명 전도성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)은 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내에 약 200 내지 약 1200개의 제1 그레인들(GR1)을 포함하는 것일 수 있다. "단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내"는 예를 들어, 제1 도전 패턴층(CPL1)의 평면 상에서 임의의 영역으로 정의될 수 있다. 평면상에서, 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내에 제1 그레인들(GR1)이 약 200개 미만인 경우, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. 또한, 평면상에서, 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내 제1 그레인들(GR1)이 약 1200개 초과인 경우, 도전 패턴(CP)의 저항이 증가하여, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있다.
제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공된다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 미만의 제2 두께(t2)를 갖는 것일 수 있다. 제2 두께(t2)는 제1 두께(t1)보다 얇은 것일 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)의 제2 두께(t2)가 약 10 옹스트롬(Å) 미만이면, 두께가 얇아, 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈가 과도하게 팽창하는 것을 제어하기 어렵다. 또한, 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제조하는 과정 또는 제공하는 과정에서 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)의 제2 두께(t2)가 약 100 옹스트롬(Å) 이상이면, 벤딩에 따른 제2 도전 패턴층(CPL2)의 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다.
제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인들(GR1)과 제2 도전 패턴층(CPL2)의 제2 그레인들(GR2)이 서로 연결되는 것을 방지한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈를 제어하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈가 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있다.
제2 도전 패턴층(CPL2)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들(GR2)을 갖는다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하의 제2 그레인 사이즈를 갖는 것일 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)의 그레인 사이즈의 평균은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 그레인 사이즈의 평균보다 작은 것일 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 물질은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
금속은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
투명 전도성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
도 1a 내지 도 1c 및 도 2b를 참조하면, 도전 패턴(CP)은 제1 도전 패턴층(CPL1), 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함할 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다.
도전 패턴(CP)은 예를 들어, 알루미늄을 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1), 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되고, 티타늄을 포함하는 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공되고, 알루미늄을 포함하는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함하는 것일 수도 있다. 이 때, 제1 도전 패턴층(CPL1), 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제3 도전 패턴층(CPL3) 각각의 두께는 예를 들어, 약 1500 옹스트롬(Å), 약 50 옹스트롬(Å), 약 1500 옹스트롬(Å)인 것일 수 있다.
도전 패턴(CP)은 예를 들어, 알루미늄을 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1), 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되고, 산화 알루미늄을 포함하는 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공되고, 알루미늄을 포함하는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함하는 것일 수도 있다.
제3 도전 패턴층(CPL3)은 약 100 옹스트롬(Å) 이상 약 1500 옹스트롬(Å) 이하의 제3 두께(t3)를 갖는 것일 수 있다. 제3 두께(t3)는 제2 두께(t2)보다 두꺼운 것일 수 있다. 제3 두께(t3)는 제1 두께(t1)와 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)의 제3 두께(t3)가 약 100 옹스트롬(Å) 미만이면, 동일한 두께의 도전 패턴(CP) 내에서, 도전 패턴층들 사이의 계면의 개수가 증가하여 저항이 증가할 수 있다. 이에 따라, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있다. 또한, 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제조하는 과정 또는 제공하는 과정에서 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)의 제3 두께(t3)가 약 1500 옹스트롬(Å) 초과이면, 벤딩에 따른 제3 도전 패턴층(CPL3)의 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다.
제3 도전 패턴층(CPL3)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들(GR3)을 갖는다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하의 제3 그레인 사이즈를 갖는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 제3 그레인들(GR3) 각각의 제3 그레인 사이즈가 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하일 수 있고, 제3 그레인들(GR3)의 제3 그레인 사이즈들의 평균이 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하일 수도 있고, 대표 값이 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하일 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)의 그레인 사이즈의 평균은 제2 도전 패턴층(CPL2)의 그레인 사이즈의 평균보다 큰 것일 수 있다.
제3 도전 패턴층(CPL3)의 제3 그레인 사이즈가 약 10 옹스트롬(Å) 미만이면, 제3 도전 패턴층(CPL3)의 저항이 증가하여, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)의 제3 그레인 사이즈가 약 100 옹스트롬(Å) 초과이면, 제3 그레인 사이즈가 커서, 벤딩에 따른 제3 도전 패턴층(CPL3)의 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다.
제3 도전 패턴층(CPL3)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 물질은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
금속은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
투명 전도성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
제3 도전 패턴층(CPL3)은 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내에 약 200 내지 약 1200개의 제3 그레인들(GR3)을 포함하는 것일 수 있다. "단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내"는 예를 들어, 제3 도전 패턴층(CPL3)의 평면 상에서 임의의 영역으로 정의될 수 있다. 평면상에서, 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내에 제3 그레인들(GR3)이 약 200개 미만인 경우, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어렵고, 이에 따라 크랙 또는 단선이 발생하여 신뢰성에 문제가 생길 수 있다. 또한, 평면상에서, 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내 제3 그레인들(GR3)이 약 1200개 초과인 경우, 도전 패턴(CP)의 저항이 증가하여, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 도전 패턴(CP)은 5개의 적층 패턴들을 포함하고, 적층 패턴들 각각은 제1 도전 패턴층(CPL1), 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공되는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄을 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1), 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되고, 티타늄을 포함하는 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공되고, 알루미늄을 포함하는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함하는 것일 수도 있다.
일반적으로 도전 패턴(CP)의 그레인 사이즈가 작아지면 도전 패턴(CP)의 저항이 증가하여, 플렉서블 표시 장치(10)의 구동을 위한 소비 전력이 증가할 수 있으나 유연성이 확보되어 향상된 플렉서블 특성을 가질 수 있다. 또한, 반대로 도전 패턴(CP)의 그레인 사이즈가 커지면 저항은 감소될 수 있으나, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어려워 크랙 또는 단선이 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)의 도전 패턴(CP)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 갖는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈가 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 도전 패턴이 하나의 층으로 형성되는 경우와 비교할 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)에 포함되는 도전 패턴(CP)은 적정 구동 특성을 확보할 수 있는 크기의 저항을 가지면서 동시에 향상된 유연성을 가질 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치(10)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이에 대해서는 보다 구체적으로 후술한다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다. 도 3b 및 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 배선의 개략적인 단면도이다. 도 3d 및 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 전극의 개략적인 단면도이다.
도 1a 내지 도 1c 및 도 3a 내지 도 3e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 플렉서블 기판(FB), 배선(WI) 및 전극(EL)을 한다. 배선(WI) 및 전극(EL) 중 적어도 하나는 도전 패턴(CP)인 것일 수 있다. 배선(WI) 및 전극(EL)은 예를 들어, 터치 센싱 유닛(도 5a의 TSU), 플렉서블 표시 패널(도 5a의 DP) 등에 포함될 수 있다.
배선(WI)은 플렉서블 기판(FB) 상에 제공될 수 있다. 배선(WI)의 적어도 일부는 벤딩부(BF) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 배선(WI)은 벤딩부(BF) 상에 제공되고, 비벤딩부(NBF)에는 제공되지 않을 수 있다. 이에 한정하는 것은 아니고, 예를 들어, 배선(WI)은 벤딩부(BF) 및 비벤딩부(NBF) 상에 제공될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 배선(WI)은 복수의 배선층들을 포함할 수 있다. 배선(WI)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 배선층들을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니고, 배선(WI)은 7개 이상의 배선층들을 포함할 수도 있다. 배선(WI)은 제1 배선층(WIL1) 및 제2 배선층(WIL2)을 포함할 수 있다. 제1 배선층(WIL1)은 제1 그레인 사이즈를 갖는 제1 그레인들을 갖는다. 제1 배선층(WIL1)은 제1 물질을 포함한다. 제2 배선층(WIL2)은 제1 배선층(WIL1) 상에 제공된다. 제2 배선층(WIL2)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들을 갖는다. 제2 배선층(WIL2)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 배선층(WIL2)의 두께는 제1 배선층(WIL1)의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
배선(WI)은 제3 배선층(WIL3)을 더 포함할 수 있다. 제3 배선층(WIL3)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들을 갖는다. 제3 배선층(WIL3)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 배선층(WIL3)의 두께는 제2 배선층(WIL2)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 3a, 도 3d 및 도 3e를 참조하면, 전극(EL)은 플렉서블 기판(FB) 상에 제공될 수 있다. 전극(EL)의 적어도 일부는 벤딩부(BF) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 전극(EL)은 벤딩부(BF) 상에 제공되고, 비벤딩부(NBF)에는 제공되지 않을 수 있다. 이에 한정하는 것은 아니고, 예를 들어, 전극(EL)은 벤딩부(BF) 및 비벤딩부(NBF) 상에 제공될 수 있다.
전극(EL)은 배선(WI)과 전기적으로 연결된다. 전극(EL)은 배선(WI)과 이격되는 것일 수 있다. 다만 이에 한정하는 것은 아니고, 전극(EL)은 배선(WI)과 연결되어 일체형으로 형성되는 것일 수도 있다.
전극(EL)과 배선(WI)은 동일한 층 상에 제공될 수 있다. 다만 이에 한정하는 것은 아니고, 전극(EL)과 배선(WI)은 서로 상이한 층 상에 제공될 수도 있다. 도시하지는 않았으나, 예를 들어, 배선(WI) 및 전극(EL) 사이에 중간층이 제공될 수 있다.
전극(EL)은 복수의 전극층들을 포함할 수 있다. 전극(EL)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 전극층들을 포함할 수 있다. 전극(EL)은 제1 전극층(ELL1) 및 제2 전극층(ELL2)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(ELL1)은 제1 그레인 사이즈를 갖는 제1 그레인들을 갖는다. 제1 전극층(ELL1)은 제1 물질을 포함한다. 제2 전극층(ELL2)은 제1 전극층(ELL1) 상에 제공된다. 제2 전극층(ELL2)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들을 갖는다. 제2 전극층(ELL2)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 전극층(ELL2)의 두께는 제1 전극층(ELL1)의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
전극(EL)은 제3 전극층(ELL3)을 더 포함할 수 있다. 제3 전극층(ELL3)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들을 갖는다. 제3 전극층(ELL3)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 전극층(ELL3)의 두께는 제2 전극층(ELL2)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다. 도 4b는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ'선에 대응하는 개략적인 단면도이다. 도 4c 및 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 제1 배선의 개략적인 단면도이다. 도 4e 및 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 제2 배선의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f를 참조하면, 배선(WI)은 제1 배선(WI1) 및 제2 배선(WI2)을 포함할 수 있다. 제1 배선(WI1) 및 제2 배선(WI2) 사이에는 절연층(IL)이 제공될 수 있다. 제1 배선(WI1)은 플렉서블 기판(FB) 및 절연층(IL) 사이에 제공될 수 있고, 제2 배선(WI2)은 절연층(IL) 상에 제공될 수 있다. 절연층(IL)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 제1 배선(WI1)은 복수의 서브 배선층들을 포함할 수 있다. 제1 배선(WI1)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 서브 배선층들을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니고, 제1 배선(WI1)은 7개 이상의 서브 배선층들을 포함할 수도 있다. 도 4e 및 도 4f를 참조하면, 제2 배선(WI2)은 복수의 서브 배선층들을 포함할 수 있다. 제2 배선(WI2)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 서브 배선층들을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니고, 제2 배선(WI2)은 7개 이상의 서브 배선층들을 포함할 수도 있다.
제1 배선(WI1)은 제1 서브 배선층(WIL11) 및 제2 서브 배선층(WIL12)을 포함할 수 있다. 제1 서브 배선층(WIL11)은 제1 그레인 사이즈를 갖는 제1 그레인들을 갖는다. 제1 서브 배선층(WIL11)은 제1 물질을 포함한다. 제2 서브 배선층(WIL12)은 제1 서브 배선층(WIL11) 상에 제공된다. 제2 서브 배선층(WIL12)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들을 갖는다. 제2 서브 배선층(WIL12)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 서브 배선층(WIL12)의 두께는 제1 서브 배선층(WIL11)의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
제1 배선(WI1)은 제3 서브 배선층(WIL13)을 더 포함할 수 있다. 제3 서브 배선층(WIL13)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들을 갖는다. 제3 서브 배선층(WIL13)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 서브 배선층(WIL13)의 두께는 제2 서브 배선층(WIL12)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
도 4a, 도 4e 및 도 4f를 참조하면, 제2 배선(WI2)은 제4 서브 배선층(WIL21) 및 제5 서브 배선층(WIL22)을 포함할 수 있다. 제4 서브 배선층(WIL21)은 제1 그레인 사이즈를 갖는 제1 그레인들을 갖는다. 제4 서브 배선층(WIL21)은 제1 물질을 포함한다. 제5 서브 배선층(WIL22)은 제4 서브 배선층(WIL21) 상에 제공된다. 제5 서브 배선층(WIL22)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들을 갖는다. 제5 서브 배선층(WIL22)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제5 서브 배선층(WIL22)의 두께는 제4 서브 배선층(WIL21)의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
제2 배선(WI2)은 제6 서브 배선층(WIL23)을 더 포함할 수 있다. 제6 서브 배선층(WIL23)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들을 갖는다. 제6 서브 배선층(WIL23)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제6 서브 배선층(WIL23)의 두께는 제5 서브 배선층(WIL22)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 사시도이다.
도 5 a 내지 도 5c를 참조하면, 앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 제1 모드 또는 제2 모드로 동작할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 터치 센싱 유닛(TSU) 및 플렉서블 표시 패널(DP)을 포함한다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 플렉서블 표시 패널(DP) 상에 제1 방향(DR1)으로 적층될 수 있다.
터치 센싱 유닛(TSU)은 터치 벤딩부(BF2) 및 터치 비벤딩부(NBF2)를 포함한다. 터치 벤딩부(BF2)는 제1 모드에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 벤딩축(BX1)을 기준으로, 벤딩이 발생하고 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 터치 벤딩부(BF2)는 터치 비벤딩부(NBF2)와 연결된다. 터치 비벤딩부(NBF2)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다.
플렉서블 표시 패널(DP)은 패널 벤딩부(BF1) 및 패널 비벤딩부(NBF1)를 포함한다. 패널 벤딩부(BF1)는 제1 모드에서 제2 방향(DR2)으로 연장되는 벤딩축(BX1)을 기준으로, 벤딩이 발생하고 제2 모드에서 벤딩이 펼쳐진다. 패널 벤딩부(BF1)는 패널 비벤딩부(NBF1)와 연결된다. 패널 비벤딩부(NBF1)는 제1 모드 및 제2 모드 각각에서 벤딩이 발생하지 않는다.
도 5a 및 도 5c를 참조하면, 제1 모드에서 터치 센싱 유닛(TSU) 및 플렉서블 표시 패널(DP)의 적어도 일부가 벤딩(bending)된다. 도 5b를 참조하면, 제2 모드에서 터치 센싱 유닛(TSU)의 터치 벤딩부(BF2) 및 플렉서블 표시 패널(DP)의 패널 벤딩부(BF1)의 벤딩이 펼쳐친다.
제1 모드는 제1 벤딩 모드 및 제2 벤딩 모드를 포함한다. 도 5a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 제1 벤딩 모드에서, 벤딩축(BX1)을 기준으로 어느 한 방향으로 벤딩될 수 있다. 플렉서블 표시 장치(10)는 제1 벤딩 모드에서 내측 벤딩된 것일 수 있다. 내측 벤딩되면, 플렉서블 표시 장치(10)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 터치 센싱 유닛(TSU) 사이의 거리가 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 패널(DP) 사이의 거리보다 짧다. 내측 벤딩시에, 터치 센싱 유닛(TSU)의 터치 벤딩부(BF2)의 일면은 제3 곡률 반경(R3)을 가질 수 있다. 제3 곡률 반경(R3)은 예를 들어, 약 1 밀리미터(mm) 이상 약 10 밀리미터(mm) 이하일 수 있다.
도 5c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)는 제2 벤딩 모드에서, 벤딩축(BX1)을 기준으로 도 5a에서 벤딩된 방향과 반대 방향으로 벤딩될 수 있다. 플렉서블 표시 장치(10)는 제2 벤딩 모드에서 외측 벤딩된 것일 수 있다. 외측 벤딩되면, 플렉서블 표시 장치(10)가 벤딩되었을 때, 벤딩되어 서로 마주보는 플렉서블 표시 패널(DP) 사이의 거리가 벤딩되어 서로 마주보는 터치 센싱 유닛(TSU) 사이의 거리보다 짧다. 외측 벤딩시에, 플렉서블 표시 패널(DP)의 패널 벤딩부(BF1)의 일면은 제4 곡률 반경(R4)을 가질 수 있다. 제4 곡률 반경(R4)은 예를 들어, 약 1 밀리미터(mm) 이상 약 10 밀리미터(mm) 이하일 수 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a, 도 2b 및 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 플렉서블 표시 패널(DP) 및 상기 터치 센싱 유닛(TSU) 중 적어도 하나는 도전 패턴(CP)을 포함할 수 있다. 도전 패턴(CP)은 패널 벤딩부(BF1) 및 터치 벤딩부(BF2) 적어도 하나에 포함되는 것일 수 있다.
도전 패턴(CP)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
도전 패턴(CP)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 패널에 포함되는 화소들 중 하나의 회로도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 패널에 포함되는 화소들 중 하나를 나타낸 평면도이다. 도 6c는 도 6b의 Ⅲ-Ⅲ'선에 대응하여 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하에서는 플렉서블 표시 패널(DP)이 유기 발광 표시 패널인 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 플렉서블 표시 패널은 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 플라즈마 표시 패널(plasma display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel) 등일 수도 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 5a 내지 도 5c 및 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 플렉서블 표시 패널(DP)은 플렉서블 기판(FB) 및 플렉서블 기판(FB) 상에 제공되는 도전 패턴(CP)을 포함할 수 있다. 도전 패턴(CP)의 적어도 일부는 패널 벤딩부(BF1)에 포함될 수 있다. 도전 패턴(CP)은 패널 벤딩부(BF1)에 포함되고, 패널 비벤딩부(NBF1)에 포함되지 않는 것일 수 있다. 도전 패턴(CP)은 패널 벤딩부(BF1) 및 패널 비벤딩부(NBF1) 각각에 포함될 수 있다.
도전 패턴(CP)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
도전 패턴(CP)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
후술하는 게이트 배선들(GL), 데이터 배선들(DL), 구동 전압 배선들(DVL), 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1), 구동 박막 트랜지스터(TFT2), 커패시터(Cst), 제1 반도체 패턴(SM1), 제2 반도체 패턴(SM2), 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2) 중 적어도 하나는 도전 패턴(CP)인 것일 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다. 커패시터(Cst)는 제1 공통 전극(CE1) 및 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 화소들(PX) 각각은 게이트 배선들(GL), 데이터 배선들(DL) 및 구동 전압 배선들(DVL)으로 이루어진 배선부와 연결될 수 있다. 화소들(PX) 각각은 배선부에 연결된 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2), 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 연결된 유기 발광 소자(OEL) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서는 하나의 화소가 하나의 게이트 배선, 하나의 데이터 배선 및 하나의 구동 전압 배선과 연결되는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 복수 개의 화소들(PX)이 하나의 게이트 배선, 하나의 데이터 배선 및 하나의 구동 전압 배선과 연결될 수 있다. 또한, 하나의 화소는 적어도 하나의 게이트 배선, 적어도 하나의 게이트 배선 및 적어도 하나의 구동 전압 배선과 연결될 수도 있다.
게이트 배선들(GL)은 제3 방향(DR3)으로 연장된다. 데이터 배선들(DL)은 게이트 배선들(GL)과 교차하는 제4 방향(DR4)으로 연장된다. 구동 전압 배선들(DVL)은 데이터 배선들(DL)과 실질적으로 동일한 방향, 즉 제4 방향(DR4)으로 연장된다. 게이트 배선들(GL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 배선들(DL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 배선들(DVL)은 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)에 구동 전압을 제공한다.
게이트 배선들(GL), 데이터 배선들(DL) 및 구동 전압 배선들(DVL) 중 적어도 하나는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
게이트 배선들(GL), 데이터 배선들(DL) 및 구동 전압 배선들(DVL) 중 적어도 하나는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
화소들(PX) 각각은 특정 컬러의 광, 예를 들어, 적색광, 녹색광, 청색광 중 하나를 출사할 수 있다. 컬러 광의 종류는 상기한 것에 한정된 것은 아니며, 예를 들어, 백색광, 시안광, 마젠타광, 옐로우광 등이 추가될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 유기 발광 소자(OEL)를 제어하기 위한 구동 박막 트랜지스터(TFT2)와, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 스위칭 하는 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 화소들(PX) 각각이 두 개의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 포함하는 것을 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니고, 화소들(PX) 각각이 하나의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함할 수도 있고, 화소들(PX) 각각이 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1), 구동 박막 트랜지스터(TFT2) 및 커패시터(Cst) 중 적어도 하나는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1), 구동 박막 트랜지스터(TFT2) 및 커패시터(Cst) 중 적어도 하나는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE1)은 게이트 배선들(GL)에 연결되며, 제1 소스 전극(SE1)은 데이터 배선들(DL)에 연결된다. 제1 드레인 전극(DE1)은 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 공통 전극(CE1)과 연결된다. 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)는 게이트 배선들(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터 배선들(DL)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 전달한다.
제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1) 중 적어도 하나는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1) 중 적어도 하나는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(TFT2)는 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 공통 전극(CE1)에 연결된다. 제2 소스 전극(SE2)은 구동 전압 배선들(DVL)에 연결된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 제3 콘택홀(CH3)에 의해 제1 전극(EL1)과 연결된다.
제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2) 중 적어도 하나는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2) 중 적어도 하나는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 발광층(EML)은 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 출력 신호에 따라 블루 광을 출사함으로써 영상을 표시한다. 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)에 대해서는 보다 구체적으로 후술한다.
커패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)과 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다. 커패시터(Cst)는 제1 드레인 전극(DE1)과 제6 콘택홀(CH6)에 의해 연결되는 제1 공통 전극(CE1) 및 구동 전압 배선들(DVL)과 연결되는 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
제1 공통 전극(CE1) 및 제2 공통 전극(CE2) 중 적어도 하나는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
제1 공통 전극(CE1) 및 제2 공통 전극(CE2) 중 적어도 하나는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 플렉서블 기판(FB1)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 플라스틱, 유기 고분자 등을 포함할 수 있다. 플렉서블 기판(FB1)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone) 등을 들 수 있다. 플렉서블 기판(FB1)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 플렉서블 기판(FB1)은 투명한 것일 수 있다.
플렉서블 기판(FB1) 상에는 기판 버퍼층(미도시)이 제공될 수 있다. 기판 버퍼층(미도시)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)에 불순물이 확산되는 것을 막는다. 기판 버퍼층(미도시)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있으며, 플렉서블 기판(FB1)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
플렉서블 기판(FB1) 상에는 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)이 제공된다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 반도체 소재로 형성되며, 각각 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1)와 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 활성층으로 동작한다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 각각 소스부(SA), 드레인부(DA) 및 소스부(SA)과 드레인부(DA) 사이에 제공된 채널부(CA)를 포함한다. 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)은 각각 무기 반도체 또는 유기 반도체로부터 선택되어 형성될 수 있다. 소스부(SA) 및 드레인부(DA)은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑될 수 있다.
제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2) 중 적어도 하나는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2) 중 적어도 하나는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2) 상에는 게이트 절연층(GI)이 제공된다. 게이트 절연층(GI)은 제1 반도체 패턴(SM1) 및 제2 반도체 패턴(SM2)을 커버한다. 게이트 절연층(GI)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(GI) 상에는 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 제공된다. 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 제1 반도체 패턴(SM1)과 제2 반도체 패턴(SM2)의 채널부(CA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 상에는 제1 절연층(IL1)이 제공된다. 제1 절연층(IL1)은 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)을 커버한다. 제1 절연층(IL1)은 유기 절연물 또는 무기 절연물로 이루어질 수 있다.
제1 절연층(IL1)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 제공된다. 제2 드레인 전극(DE2)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제1 콘택홀(CH1)에 의해 제2 반도체 패턴(SM2)의 드레인부(DA)과 접촉하고, 제2 소스 전극(SE2)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제2 콘택홀(CH2)에 의해 제2 반도체 패턴(SM2)의 소스부(SA)과 접촉한다. 제1 소스 전극(SE1)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제4 콘택홀(CH4)에 의해 제1 반도체 패턴(SM1)의 소스부(미도시)과 접촉하고, 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(GI) 및 제1 절연층(IL1)에 형성된 제5 콘택홀(CH5)에 의해 제1 반도체 패턴(SM1)의 드레인부(미도시)과 접촉한다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 패시베이션층(PL)이 제공된다. 패시베이션층(PL)은 스위칭 박막 트랜지스터(TFT1) 및 구동 박막 트랜지스터(TFT2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
패시베이션층(PL) 상에는 제1 전극(EL1)이 제공된다. 제1 전극(EL1)은 예를 들어 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 패시베이션층(PL)에 형성되는 제3 콘택홀(CH3)을 통해 구동 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다.
패시베이션층(PL) 상에는 화소들(PX) 각각에 대응하도록 발광층(EML)을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 제공된다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하며, 플렉서블 기판(FB1)으로부터 돌출된다. 화소 정의막(PDL)은 이에 한정하는 것은 아니나, 금속-불소 이온 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 LiF, BaF2, 및 CsF 중 어느 하나의 금속-불소 이온 화합물로 구성될 수 있다. 금속-불소 이온 화합물은 소정의 두께를 가질 경우, 절연 특성을 갖는다. 화소 정의막(PDL)의 두께는 예를 들어, 약 10 나노미터(nm) 이상 약 100 나노미터(nm) 이하일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
화소 정의막(PDL)에 의해 둘러싸인 영역에는 유기 발광 소자(OEL)가 제공된다. 유기 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 제1 전극(EL1)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1) 상에는 유기층이 배치될 수 있다. 유기층은 발광층(EML)을 포함한다. 유기층은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층들의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용될 수 있다.
발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층들의 두께는 약 100Å 이상 약 1000Å 이하, 예를 들어 약 150Å 이상 약 500Å 이하일 수 있다. 전자 수송층들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층들의 두께는 약 1Å 이상 약 100Å 이하, 약 3Å 이상 약 90Å 이하일 수 있다. 전자 주입층들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 제2 전극(EL2)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)은 보조 전극을 포함할 수 있다. 보조 전극은 상기 물질이 발광층(EML)을 향하도록 증착하여 형성된 막, 및 상기 막 상에 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide)를 포함할 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 발광 소자(OEL)가 배면 발광형일 경우, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 반사형 전극일 수 있다.
유기 발광 소자(OEL)에서, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)에 각각 전압이 인가됨에 따라 제1 전극(EL1)으로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 제2 전극(EL2)으로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
제2 전극(EL2) 상에는 봉지층(SL)이 제공된다. 봉지층(SL)은 제2 전극(EL2)을 커버한다. 봉지층(SL)은 유기층 및 무기층 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 봉지층(SL)은 예를 들어 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(SL)은 유기 발광 소자(OEL)를 보호한다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 터치 센싱 유닛을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 터치 센싱 유닛을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7a, 도 7b, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 터치 센싱 유닛(TSU)은 플렉서블 표시 패널(DP) 상에 제공된다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 봉지층(SL) 상에 제공될 수 있다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 사용자의 직접 터치, 사용자의 간접 터치, 물체의 직접 터치 또는 물체의 간접 터치를 인식할 수 있다. 간접 터치란 사용자 또는 물체가 터치 센싱 유닛(TSU)을 직접적으로 접촉하지 않아도, 터치 센싱 유닛(TSU)이 사용자 또는 물체가 터치하는 것으로 인식할 수 있는 거리에 있어, 터치 센싱 유닛(TSU)이 터치를 인식하는 것을 의미한다.
직접 터치 또는 간접 터치가 발생되면, 예를 들어 감지 전극(TE)에 포함되는 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 사이에 정전 용량의 변화가 발생된다. 정전 용량의 변화에 따라 제1 감지 전극들(Tx)에 인가되는 감지 신호는 딜레이되어 제2 감지 전극들(Rx)에 제공될 수 있다. 터치 센싱 유닛(TSU)은 감지 신호의 딜레이 값으로부터 터치 좌표를 센싱할 수 있다.
본 발멸의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에서는 터치 센싱 유닛(TSU)이 정전 용량 방식으로 구동되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 터치 센싱 유닛(TSU)은 저항막 방식으로 구동될 수도 있다. 또한, 터치 센싱 유닛(TSU)은 셀프 캡(Self cap) 방식 또는 뮤츄얼 캡(Mutual cap) 방식 중 어느 하나의 방식으로 구동될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a, 도 2b, 도 5a 내지 도 5c, 도 7a, 도 7b, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 터치 센싱 유닛(TSU)은 도전 패턴(CP)의 적어도 일부는 터치 벤딩부(BF2)에 포함될 수 있다. 도전 패턴(CP)은 터치 벤딩부(BF2)에 포함되고, 터치 비벤딩부(NBF2)에 포함되지 않는 것일 수 있다. 도전 패턴(CP)은 터치 벤딩부(BF2) 및 터치 비벤딩부(NBF2) 각각에 포함될 수 있다. 도전 패턴(CP)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 도전 패턴(CP)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
후술하는 감지 전극(TE), 제1 연결 배선(TL1), 제2 연결 배선(TL2), 제1 팬아웃 배선(PO1), 제2 팬아웃 배선(PO2), 제1 브릿지(BD1) 및 제2 브릿지(BD2) 중 적어도 하나는 도전 패턴(CP)인 것일 수 있다.
감지 전극(TE)은 봉지층(SL) 상에 제공된다. 도시하지는 않았으나, 감지 전극(TE) 및 봉지층(SL) 사이에는 별도의 플렉서블 기판이 제공될 수도 있다. 감지 전극(TE)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 감지 전극(TE)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
감지 전극(TE)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)을 포함한다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 서로 전기적으로 절연된다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 대략적으로 마름모, 정사각형, 직사각형, 원 또는 정형화되지 않은 모양(예를 들면, 덴드라이트(dendrite) 구조와 같이 나뭇가지들이 얽혀 있는 모양) 등의 다양한 형상을 가질 수 있다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 메쉬 형상을 갖는 것일 수 있다.
도 2a, 도 2b, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)은 서로 상이한 층 상에 제공될 수 있다. 제1 감지 전극들(Tx)은 예를 들어, 제5 방향(DR5)으로 연장되고, 제6 방향(DR6)으로 서로 이격될 수 있다. 제2 감지 전극들(Rx)은 예를 들어, 제6 방향(DR6)으로 연장되고, 제5 방향(DR5)으로 서로 이격될 수 있다.
예를 들어, 제1 감지 전극들(Tx)은 봉지층(SL) 상에 제공된다. 제1 감지 전극(Tx)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 제1 감지 전극(Tx)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
제1 감지 전극들(Tx) 상에는 절연층(IL2)이 제공될 수 있다. 절연층(IL2)은 예를 들어, 질화규소를 포함하는 것일 수 있다. 다만 이에 한정하는 것은 아니고, 절연층(IL2)는 유기물을 포함하는 것일 수 있다. 제2 감지 전극들(Rx)은 제1 감지 전극들(Tx) 상에 제공될 수 있다. 제2 감지 전극(Rx)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 제2 감지 전극(Rx)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
제2 감지 전극들(Rx) 상에는 유기층(ORL)이 제공될 수 있다. 유기층(ORL)은 유기물을 포함하는 것일 수 있다.
제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 중 적어도 하나는 도전 패턴(CP)인 것일 수 있다. 예를 들어, 봉지층(SL)은 질화 규소를 포함하고, 제1 감지 전극들(Tx) 각각은 티타늄을 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1), 알루미늄을 포함하는 제2 도전 패턴층(CPL2), 티타늄을 포함하는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함할 수 있고, 절연층(IL2)은 질화 규소를 포함할 수 있고, 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 알루미늄을 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1), 티타늄을 포함하는 제2 도전 패턴층(CPL2), 알루미늄을 포함하는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 봉지층(SL)은 질화 규소를 포함하고, 제1 감지 전극들(Tx) 각각은 알루미늄을 포함하는 하나의 층인 것일 수 있고, 절연층(IL2)은 유기물을 포함할 수 있고, 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 알루미늄를 포함하는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 티타늄을 포함하는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함할 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)은 서로 동일한 층 상에 제공될 수 있다. 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 봉지층(SL) 상에 제공될 수 있다. 제1 감지 전극들(Tx)은 제5 방향(DR5) 및 제6 방향(DR6)으로 이격되어 제공될 수 있다.
제5 방향(DR5)으로 이격된 제1 감지 전극들(Tx)은 제1 브릿지(BD1)에 의해 연결될 수 있다. 제2 감지 전극들(Rx)은 제5 방향(DR5) 및 제6 방향(DR6)으로 이격되어 제공될 수 있다. 제6 방향(DR6)으로 이격된 제2 감지 전극들(Rx)은 제2 브릿지(BD2)에 의해 연결될 수 있다. 제2 브릿지(BD2)는 제1 브릿지(BD1) 상에 제공될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제2 브릿지(BD2) 및 제1 브릿지(BD1) 사이에는 절연층이 제공될 수 있다.
제1 브릿지(BD1) 및 제2 브릿지(BD2) 각각은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 제1 브릿지(BD1) 및 제2 브릿지(BD2) 각각은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
연결 배선(TL1, TL2)은 감지 전극(TE)과 전기적으로 연결된다. 연결 배선(TL1, TL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다. 연결 배선(TL1, TL2)은 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
연결 배선(TL1, TL2)은 제1 연결 배선들(TL1) 및 제2 연결 배선들(TL2)을 포함한다. 제1 연결 배선들(TL1)은 제1 감지 전극들(Tx) 및 제1 팬아웃 배선들(PO1)과 연결될 수 있다. 제2 연결 배선들(TL2)은 제2 감지 전극들(Rx) 및 제2 팬아웃 배선들(PO2)과 연결될 수 있다.
팬아웃 배선(PO1, PO2)은 연결 배선(TL1, TL2) 및 패드부(PD1, PD2)와 연결된다. 팬아웃 배선(PO1, PO2)은 제1 팬아웃 배선들(PO1) 및 제2 팬아웃 배선들(PO2)을 포함한다. 제1 팬아웃 배선들(PO1)은 제1 연결 배선들(TL1) 및 제1 패드부(PD1)와 연결된다. 제2 팬아웃 배선들(PO2)은 제2 연결 배선들(TL2) 및 제2 패드부(PD2)와 연결된다.
패드부(PD1, PD2)는 감지 전극(TE)와 전기적으로 연결된다. 패드부(PD1, PD2)는 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제공되는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 포함한다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 두께(t1)를 갖고, 제1 물질을 포함한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함한다.
패드부(PD1, PD2)는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 더 포함할 수도 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제공된다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제2 두께(t2)보다 두꺼운 제3 두께(t3)를 갖고, 제3 물질을 포함한다.
패드부(PD1, PD2)는 제1 패드부(PD1) 및 제2 패드부(PD2)를 포함한다. 제1 패드부(PD1)는 제1 팬아웃 배선들(PO1)과 연결된다. 제1 패드부(PD1)는 제1 감지 전극들(Tx)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드부(PD2)는 제2 팬아웃 배선들(PO2)과 연결된다. 제2 패드부(PD2)는 제2 감지 전극들(Rx)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센싱 유닛에 포함되는 감지 전극의 개략적인 단면도이다.
도 9a를 참조하면, 감지 전극(TE)은 복수의 감지 전극층들을 포함할 수 있다. 감지 전극(TE)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 감지 전극층들을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니고, 감지 전극(TE)은 7개 이상의 감지 전극층들을 포함할 수도 있다.
감지 전극(TE)은 제1 감지 전극층(TEL1) 및 제2 감지 전극층(TEL2)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극층(TEL1)은 제1 그레인 사이즈를 갖는 제1 그레인들을 갖는다. 제1 감지 전극층(TEL1)은 제1 물질을 포함한다. 제2 감지 전극층(TEL2)은 제1 감지 전극층(TEL1) 상에 제공된다. 제2 감지 전극층(TEL2)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들을 갖는다. 제2 감지 전극층(TEL2)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 감지 전극층(TEL2)의 두께는 제1 감지 전극층(TEL1)의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
감지 전극(TE)은 제3 감지 전극층(TEL3)을 더 포함할 수 있다. 제3 감지 전극층(TEL3)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들을 갖는다. 제3 감지 전극층(TEL3)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 감지 전극층(TEL3)의 두께는 제2 감지 전극층(TEL2)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
도 9c 및 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센싱 유닛에 포함되는 배선의 개략적인 단면도이다.
도 9c 및 도 9d를 참조하면, 배선(TL1, TL2, PO1, PO2)은 복수의 배선층들을 포함할 수 있다. 배선(TL1, TL2, PO1, PO2)은 예를 들어, 2개, 3개, 4개, 5개, 6개의 배선층들을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하는 것은 아니고, 배선(TL1, TL2, PO1, PO2)은 7개 이상의 배선층들을 포함할 수도 있다. 배선층들 사이에는 공기층이 제공될 수 있다.
배선(TL1, TL2, PO1, PO2)은 제1 배선층(TLL1) 및 제2 배선층(TLL2)을 포함할 수 있다. 제1 배선층(TLL1)은 제1 그레인 사이즈를 갖는 제1 그레인들을 갖는다. 제1 배선층(TLL1)은 제1 물질을 포함한다. 제2 배선층(TLL2)은 제1 배선층(TLL1) 상에 제공된다. 제2 배선층(TLL2)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들을 갖는다. 제2 배선층(TLL2)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 배선층(TLL2)의 두께는 제1 배선층(TLL1)의 두께보다 얇은 것일 수 있다.
배선(TL1, TL2, PO1, PO2)은 제3 배선층(TLL3)을 더 포함할 수 있다. 제3 배선층(TLL3)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들을 갖는다. 제3 배선층(TLL3)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 배선층(TLL3)의 두께는 제2 배선층(TLL2)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
도 10a, 도 10b, 도 10c, 도 10d, 도 10e 및 도 10f는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 활용되는 다양한 장치를 도시한 사시도이다.
도 10a 내지 도 10f를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 다양한 장치에 활용될 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 표시 장치는 휴대폰, 텔레비전, 컴퓨터, 웨어러블(wearable) 표시 장치, 롤러블(rollable) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치, 오토모티브(automotive) 표시 장치 및 사물 장식 표시 장치 중에서 선택되는 것일 수 있다.
보다 구체적으로, 도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 휴대폰에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이고, 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 휴대폰에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이고, 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 웨어러블 표시 장치에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이다. 웨어러블 표시 장치란 인체에 착용할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않고, 예를 들어, 시계, 안경, 헤드업 디스플레이 등일 수 있다.
도 10c는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 롤러블 표시 장치에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이다. 롤러블 표시 장치란, 표시 패널이 하우징 내부에 포함되는 롤링축을 기준으로 말리거나 펼쳐질 수 있는 표시 장치인 것일 수 있다. 도 10d는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 폴더블 표시 장치에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이다. 폴더블 표시 장치란 하나의 폴딩축을 기준으로 접거나 펼칠 수 있는 표시 장치인 것일 수 있다.
도 10e는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 오토모티브 표시 장치에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이다. 오토모티브 표시 장치란 운송 수단의 내부에 위치하는 표시 장치로, 예를 들어, 자동차, 비행기, 배 등의 내부에 위치하는 표시 장치일 수 있다. 오토모티브 표시 장치는 운송 수단의 내부에 위치하는 것이라면 폴더블 표시 장치, 롤러블 표시 장치인 것일 수도 있다.
도 10f는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치가 사물 장식 표시 장치에 적용된 것을 예시적으로 도시한 것이다. 도 10f는 기둥과 같은 건물의 구조물에 배치할 수 있는 표시 장치를 예를 들어 도시하였으나, 어떠한 사물에도 배치할 수 있는 것이라면 특별히 사물을 한정하지 않는다.
도전 패턴들의 변형 정도는 어긋나기(dislocation)에 따라 달라진다. 어긋나기(dislocation)가 커질수록 도전 패턴들의 변형 정도는 커진다. 즉, 어긋나기(dislocation)가 커질수록 도전 패턴들은 벤딩에 따른 유연성을 갖기 어렵다. 어긋나기(dislocation)은 그레인 바운더리(Grain boundary)의 밀도(density)가 증가할수록 감소한다. 이에 따라, 그레인 바운더리(Grain boundary)의 밀도(density)를 증가시키려면, 도전 패턴들 각각의 그레인 사이즈가 작아야한다.
종래의 플렉서블 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 하나의 층으로 형성되어, 그레인 사이즈를 작게 하기 어려웠다. 또한, 하나의 층으로 형성할 경우 균일한 그레인 사이즈를 갖는 도전 패턴을 형성하기 어려웠다. 이에 따라, 종래의 플렉서블 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 어긋나기(dislocation)가 커서, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어려웠다. 이에 따라, 플렉서블 표시 장치에 벤딩이 반복되면, 도전 패턴에 크랙 또는 단선이 발생하여 플렉서블 표시 장치의 신뢰성이 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어려워, 어느 한 방향으로 벤딩 및 상기 어느 한 방향과 반대 방향으로 벤딩이 반복적으로 발생하는 경우, 도전 패턴에 크랙 또는 단선이 발생하는 경우가 많았다.본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 앞서 언급한 바와 같이, 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하는 제1 도전 패턴층 및 제2 두께를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 갖는 제2 도전 패턴층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 제1 물질과 상이한 제2 물질을 갖는 제2 도전 패턴층을 포함하여, 제1 도전 패턴층의 그레인 사이즈를 조절할 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층을 포함하여, 종래에 비해 그레인 사이즈가 작으면서도 균일하고, 이에 따라 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 용이하다. 따라서, 플렉서블 표시 장치에 벤딩이 반복되더라도, 도전 패턴에 크랙 또는 단선의 발생 빈도가 종래의 플렉서블 표시 장치에서의 크랙 또는 단선의 발생 빈도보다 현저히 낮다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 벤딩에 따른 유연성이 확보되어, 어느 한 방향으로 벤딩 및 상기 어느 한 방향과 반대 방향으로 벤딩이 반복적으로 발생하는 경우에도, 도전 패턴에 크랙 또는 단선이 발생하는 빈도를 현저히 낮출 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에 따른다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도다.
도 1a 내지 도 1c, 도 2a, 도 2b 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(10)의 제조 방법은 플렉서블 기판(FB)을 준비하는 단계(S100) 및 플렉서블 기판(FB) 상에 도전 패턴(CP)을 제공하는 단계를 포함하는 것일 수 있다.
플렉서블 기판(FB)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 플라스틱, 유기 고분자 등을 포함할 수 있다. 플렉서블 기판(FB)을 이루는 유기 고분자로는 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르술폰(Polyethersulfone) 등을 들 수 있다. 플렉서블 기판(FB)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 플렉서블 기판(FB)은 투명한 것일 수 있다.
플렉서블 기판(FB) 상에 도전 패턴(CP)을 제공한다. 도전 패턴(CP)을 제공하는 단계는 제1 두께(t1)를 갖는 제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200) 및 제1 도전 패턴층 상에 제2 두께(t2)를 갖는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300)를 포함한다.제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200)는 제1 가스를 제공하여, 플렉서블 기판(FB) 상에 제1 두께(t1)를 갖는 제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 것일 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300)는 제1 가스와 상이한 제2 가스를 제공하여, 제1 도전 패턴층(CPL1) 상에 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 갖는 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 것일 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)은 약 100 옹스트롬(Å) 이상 약 1500 옹스트롬(Å) 이하의 제1 두께(t1)를 갖는 것일 수 있다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 그레인 사이즈(grain size)를 갖는 제1 그레인들(GR1)을 갖는다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하의 제1 그레인 사이즈를 갖는 것일 수 있다. 제1 도전 패턴층(CPL1)은 제1 물질을 포함한다. 제1 물질은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.제1 도전 패턴층(CPL1)은 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내에 약 200 내지 약 1200개의 제1 그레인들(GR1)을 포함하는 것일 수 있다.
제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인들(GR1)과 제2 도전 패턴층(CPL2)의 제2 그레인들(GR2)이 서로 연결되는 것을 방지한다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈를 제어하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제1 도전 패턴층(CPL1)의 제1 그레인 사이즈가 과도하게 팽창하는 것을 방지할 수 있다.
제2 도전 패턴층(CPL2)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 미만의 제2 두께(t2)를 갖는 것일 수 있다. 제2 두께(t2)는 제1 두께(t1)보다 얇은 것일 수 있다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제2 그레인 사이즈를 갖는 제2 그레인들(GR2)을 갖는다. 제2 도전 패턴층(CPL2)은 제2 물질을 포함한다. 제2 물질은 제1 물질과 상이하다. 제2 물질은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200) 및 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300) 중 적어도 하나는 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물 중 적어도 하나를 스퍼터링하여 수행되는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제2 도전 패턴층(CPL2) 중 적어도 하나는 상온에서 약 1분 이상 약 3분 이하의 시간 동안 스퍼터링하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전 패턴층(CPL1) 및 제2 도전 패턴층(CPL2) 중 적어도 하나는 약 50℃ 이상 약 60℃ 이하의 온도에서 약 1분 이상 약 3분 이하의 시간동안 스퍼터링하여 형성될 수 있다.
금속은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
투명 전도성 산화물은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
도전 패턴(CP)을 제공하는 단계는 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계는 제2 가스와 상이한 제3 가스를 제공하여 제2 도전 패턴층(CPL2) 상에 제3 두께(t3)를 갖는 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 것일 수 있다.
제3 도전 패턴층(CPL3)은 약 100 옹스트롬(Å) 이상 약 1500 옹스트롬(Å) 이하의 제3 두께(t3)를 갖는 것일 수 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제3 그레인 사이즈를 갖는 제3 그레인들(GR3)을 갖는다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 약 10 옹스트롬(Å) 이상 약 100 옹스트롬(Å) 이하의 제3 그레인 사이즈를 갖는 것일 수 있다. 제3 도전 패턴층(CPL3)은 제3 물질을 포함한다. 제3 물질은 제2 물질과 상이하다. 제3 물질은 제1 물질과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 제3 물질은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, 금속, 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.제3 도전 패턴층(CPL3)은 단위 면적 1 제곱마이크로미터(㎛2) 내에 약 200 내지 약 1200개의 제3 그레인들(GR3)을 포함하는 것일 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200), 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300) 및 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계 각각은 플라즈마 제공 없이 수행되는 것일 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200)는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고, 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300)는 티타늄 가스를 제공하여 수행되고, 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되는 것일 수 있다. 이 때, 제1 도전 패턴층(CPL1), 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제3 도전 패턴층(CPL3)은 각각의 두께가 예를 들어, 약 1500 옹스트롬(Å), 약 50 옹스트롬(Å), 약 1500 옹스트롬(Å)로 형성하는 것일 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200)는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고, 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300)는 티타늄 가스를 제공하여 수행되고, 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행될 때, 제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200), 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300) 및 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계 각각은 5회씩 수행되는 것일 수 있다.
제1 도전 패턴층(CPL1)을 제공하는 단계(S200)는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고, 제2 도전 패턴층(CPL2)을 제공하는 단계(S300)는 산소 가스를 제공하여 수행되고, 제3 도전 패턴층(CPL3)을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되는 것일 수 있다.
도전 패턴(CP)을 제공하는 단계는 제1 가스를 제공하여 제1 층을 형성하고, 제1 층 상에 제1 가스와 상이한 제2 가스로 제2 층을 형성하고, 제2 가스와 상이한 제3 가스로 제3 층을 형성한 후, 하나의 마스크로 식각하여 제1 도전 패턴층(CPL1), 제2 도전 패턴층(CPL2) 및 제3 도전 패턴층(CPL3)을 형성하는 것일 수 있다.
다만 이에 한정하는 것은 아니고, 도전 패턴(CP)을 제공하는 단계는 제1 가스를 제공하여 제1 층을 형성하고, 제1 마스크로 식각하여, 제1 도전 패턴층(CPL1)을 형성하고, 제1 가스와 상이한 제2 가스로 제2 층을 형성하고, 제2 마스크로 식각하여, 제2 도전 패턴층(CPL2)을 형성하고, 제2 가스와 상이한 제3 가스로 제3 층을 형성한 후, 제3 마스크로 식각하여 제3 도전 패턴층(CPL3)을 형성하는 것일 수도 있다.
도전 패턴들의 변형 정도는 어긋나기(dislocation)에 따라 달라진다. 어긋나기(dislocation)가 커질수록 도전 패턴들의 변형 정도는 커진다. 즉, 어긋나기(dislocation)가 커질수록 도전 패턴들은 벤딩에 따른 유연성을 갖기 어렵다. 어긋나기(dislocation)은 그레인 바운더리(Grain boundary)의 밀도(density)가 증가할수록 감소한다. 이에 따라, 그레인 바운더리(Grain boundary)의 밀도(density)를 증가시키려면, 도전 패턴들 각각의 그레인 사이즈가 작아야한다.
종래의 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 하나의 층으로 형성되어, 그레인 사이즈를 작게 하기 어려웠다. 또한, 하나의 층으로 형성할 경우 균일한 그레인 사이즈를 갖는 도전 패턴을 형성하기 어려웠다. 이에 따라, 종래의 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 어긋나기(dislocation)가 커서, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어려웠다. 이에 따라, 플렉서블 표시 장치에 벤딩이 반복되면, 도전 패턴에 크랙 또는 단선이 발생하여 플렉서블 표시 장치의 신뢰성이 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 어려워, 어느 한 방향으로 벤딩 및 상기 어느 한 방향과 반대 방향으로 벤딩이 반복적으로 발생하는 경우, 도전 패턴에 크랙 또는 단선이 발생하는 경우가 많았다.본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 앞서 언급한 바와 같이, 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하는 제1 도전 패턴층 및 제2 두께를 갖고, 제1 물질과 상이한 제2 물질을 갖는 제2 도전 패턴층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 제1 물질과 상이한 제2 물질을 갖는 제2 도전 패턴층을 포함하여, 제1 도전 패턴층의 그레인 사이즈를 조절할 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 표시 장치에 포함되는 도전 패턴은 서로 다른 물질을 포함하는 복수의 층을 포함하여, 종래에 비해 그레인 사이즈가 작으면서도 균일하고, 이에 따라 벤딩에 따른 유연성을 확보하기 용이하다. 따라서, 플렉서블 표시 장치에 벤딩이 반복되더라도, 도전 패턴에 크랙 또는 단선의 발생 빈도가 종래의 플렉서블 표시 장치에서의 크랙 또는 단선의 발생 빈도보다 현저히 낮다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치의 신뢰성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치는 벤딩에 따른 유연성이 확보되어, 어느 한 방향으로 벤딩 및 상기 어느 한 방향과 반대 방향으로 벤딩이 반복적으로 발생하는 경우에도, 도전 패턴에 크랙 또는 단선이 발생하는 빈도를 현저히 낮출 수 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
PC(PolyCarbonate) 기판 상에 알루미늄을 약 60℃에서 약 2분 동안 스퍼터링하여 50nm 두께의 알루미늄 도전 패턴층을 형성하는 공정을 6회 수행하고, 알루미늄 도전 패턴층 사이에 산화 알루미늄 도전층을 형성하였다. 즉, 알루미늄 도전 패턴층 6개, 산화 알루미늄 도전층 5개를 교대로 포함하는 도전 패턴을 형성하였다.
실시예 2
실시예 1에서 약 60℃가 아닌 약 20℃에서 스퍼터링을 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 3
PC(PolyCarbonate) 기판 상에 알루미늄을 스퍼터링하여 150nm 두께의 제1 알루미늄 도전 패턴층을 형성하고, 제1 알루미늄 도전 패턴층 상에 티타늄을 스퍼터링하여 5nm 두께의 티타늄 도전 패턴층을 형성하고, 티타늄 도전 패턴층 상에 알루미늄을 스퍼터링하여 150nm 두께의 제2 알루미늄 도전 패턴층을 형성하였다.
비교예 1
PC(PolyCarbonate) 기판 상에 알루미늄을 약 60℃에서 약 2분 동안 스퍼터링하여 300nm 두께로 도전 패턴을 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
비교예 2
비교예 1에서 약 60℃가 아닌 약 20℃에서 스퍼터링을 수행한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일하게 수행하였다.
비교예 3
PC(PolyCarbonate) 기판 상에 알루미늄을 200nm 두께로 하여 도전 패턴을 형성하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
1. 측정.
1) 그레인 사이즈 측정
실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 내지 비교예 3 각각의 도전 패턴의 단면을 SEM(Scanning Electron Microscope)으로 촬영하였고, 실시예 1, 실시예 3, 비교예 1 및 비교예 3의 그레인 사이즈를 측정하였다. SEM 사진은 FEI사의 Helios 450을 사용하여 촬영하였다. 측정된 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 3의 SEM 이미지들을 도 12a에 도시하였고, 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2의 SEM 이미지들을 도 12b에 도시하였고, 그레인 사이즈를 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1 및 비교예 2의 단면을 촬영하여 도 13에 나타내었다.
그레인의 사이즈(nm)
실시예 1 32
실시예 3 97.7
비교예 1 196
비교예 3 119
2) 내측 벤딩 및 외측 벤딩에 따른 단선 여부 확인
실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 및 비교예 3 각각의 내측 벤딩에 따른 단선 여부, 외측 벤딩에 따른 단선 여부를 확인하였다. 비교예 1 및 비교예 3 각각의 내측 벤딩에 따른 단선 여부를 도 14에 나타내었다.
3) 내측 벤딩 및 외측 벤딩에 따른 저항 변화율 측정
실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 및 비교예 3 각각의 내측 벤딩에 따른 저항 변화율, 외측 벤딩에 따른 저항 변화율을 측정하였다. 내측 벤딩에 따른 저항 변화율을 표 2에 나타내었고, 외측 벤딩에 따른 저항 변화율을 표 3에 나타내었다.
저항 변화율(%)
내측 벤딩 횟수 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 3
0 0 0 0 0 0
50000 0 0 0 500 0
100000 0 0 0 500 9
150000 0 0 0 500 19
200000 0 0 0 500 24
저항 변화율(%)
외측 벤딩 횟수 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 3
0 0 0 0 0 0
50000 0 0 0 303 0
100000 0 0 0 448 11
150000 0 0 0 506 27
200000 0 0 0 528 54
2. 측정 결과
1) 그레인 사이즈 측정
도 12a, 도 12b 및 도 13와 상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 3 각각의 그레인 사이즈가, 비교예 1 내지 비교예 3의 그레인 사이즈보다 작은 것을 확인할 수 있었다.
2) 내측 벤딩 및 외측 벤딩에 따른 단선 여부 확인
실시예 1 내지 실시예 3에서는 내측 벤딩, 외측 벤딩에 따른 단선이 일어나지 않았으나, 비교예 1 및 비교예 3에서는 도 14에서 확인할 수 있듯이, 내측 벤딩, 외측 벤딩에서 모두 단선이 발생하였다.
3) 내측 벤딩 및 외측 벤딩에 따른 저항 변화율 측정
상기 표 2 및 상기 표 3를 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 3에서는 내측 벤딩에 따른 저항 변화율, 외측 벤딩에 따른 저항 변화율이 거의 일어나지 않았으나, 비교예 1 및 비교예 3에서는 내측 벤딩에 따른 저항 변화율, 외측 벤딩에 따른 저항 변화율이 큰 것을 확인할 수 있었다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 플렉서블 표시 장치 FB: 플렉서블 기판
CP: 도전 패턴 DP: 표시 패널
TSU: 터치 센싱 유닛

Claims (31)

  1. 벤딩부를 포함하는 플렉서블(flexible) 기판; 및
    제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 제2 도전 패턴층을 포함하고, 적어도 일부가 상기 벤딩부 상에 제공되는 도전 패턴을 포함하고,
    상기 제1 도전 패턴층은 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하고,
    상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하고,
    상기 제1 물질은 제1 그레인을 포함하고, 상기 제2 물질은 제2 그레인을 포함하고,
    상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 그레인의 그레인 사이즈(grain size)를 제어하며,
    상기 제1 그레인의 평균 그레인 사이즈는 상기 제2 그레인의 평균 그레인 사이즈보다 큰 것인 플렉서블 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 두께는
    100 옹스트롬(Å) 이상 내지 1500 옹스트롬(Å) 이하이고,
    상기 제2 두께는
    10 옹스트롬(Å) 이상 내지 100 옹스트롬(Å) 미만인 것인 플렉서블 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 물질 및 상기 제2 물질 각각은 금속, 상기 금속의 합금, 상기 금속의 산화물 및 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속은
    Al, Cu, Ti, Mo, Ag, Mg, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 투명 전도성 산화물은
    ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 그레인의 그레인 사이즈 및 상기 제2 그레인의 그레인 사이즈 각각은
    100 옹스트롬(Å) 이상 1000 옹스트롬(Å) 이하인 것인 플렉서블 표시 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 도전 패턴은
    상기 제2 도전 패턴층 상에 제공되는 제3 도전 패턴층을 더 포함하고,
    상기 제3 도전 패턴층은 상기 제2 두께보다 두꺼운 제3 두께를 갖고, 제3 물질을 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 두께 및 상기 제3 두께 각각은 100 옹스트롬(Å) 이상 1500 옹스트롬(Å) 이하이고,
    상기 제2 두께는 10 옹스트롬(Å) 이상 100 옹스트롬(Å) 미만인 것인 플렉서블 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제3 물질은 상기 제2 물질과 상이한 것인 플렉서블 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 물질은 알루미늄이고,
    상기 제2 물질은 티타늄이고,
    상기 제3 물질은 알루미늄인 것인 플렉서블 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 도전 패턴은
    5개의 적층 패턴들을 포함하고,
    상기 적층 패턴들 각각은
    상기 제1 도전 패턴층;
    상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 상기 제2 도전 패턴층; 및
    상기 제2 도전 패턴층 상에 제공되는 상기 제3 도전 패턴층을 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 두께는 1500 옹스트롬(Å)이고,
    상기 제2 두께는 50 옹스트롬(Å)이고,
    상기 제3 두께는 1500 옹스트롬(Å)인 것인 플렉서블 표시 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제1 물질은 알루미늄이고,
    상기 제2 물질은 산화 알루미늄이고,
    상기 제3 물질은 알루미늄인 것인 플렉서블 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판 상에 제공되는 배선 및 전극을 더 포함하고,
    상기 배선 및 상기 전극 중 적어도 하나는
    상기 도전 패턴인 것인 플렉서블 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 배선은
    게이트 배선, 데이터 배선, 연결 배선 및 팬아웃 배선 중 적어도 하나인 것인 플렉서블 표시 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판 상에 제공되는 절연층;
    상기 플렉서블 기판 및 상기 절연층 사이에 제공되는 제1 배선; 및
    상기 절연층 상에 제공되는 제2 배선을 더 포함하고,
    상기 제1 배선 및 상기 제2 배선 중 적어도 하나는
    상기 도전 패턴인 것인 플렉서블 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 표시 장치는
    휴대폰, 텔레비전, 컴퓨터, 웨어러블(wearable) 표시 장치, 롤러블(rollable) 표시 장치, 폴더블(foldable) 표시 장치, 오토모티브(automotive) 표시 장치 및 사물 장식 표시 장치 중에서 선택되는 것인 플렉서블 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 표시 장치는
    상기 플렉서블 기판 및 상기 도전 패턴의 적어도 일부가 벤딩(bending)되는 제1 모드 또는 상기 벤딩이 펼쳐지는 제2 모드로 동작하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 모드는
    벤딩축을 기준으로 어느 한 방향으로 벤딩되는 제1 벤딩 모드; 및
    상기 벤딩축을 기준으로 상기 어느 한 방향과 반대 방향으로 벤딩되는 제2 벤딩 모드;를 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치.
  22. 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판 상에 제공되는 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자 상에 제공되는 봉지층을 포함하는 플렉서블 표시 패널; 및
    터치 벤딩부를 포함하고, 상기 봉지층 상에 제공되는 터치 센싱 유닛을 포함하고,
    상기 터치 센싱 유닛은
    제1 도전 패턴층 및 상기 제1 도전 패턴층 상에 제공되는 제2 도전 패턴층을 포함하고, 상기 터치 벤딩부에 포함되는 도전 패턴을 포함하고,
    상기 제1 도전 패턴층은 제1 두께를 갖고, 제1 물질을 포함하고,
    상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖고, 상기 제1 물질과 상이한 제2 물질을 포함하고,
    상기 제1 물질은 제1 그레인을 포함하고, 상기 제2 물질은 제2 그레인을 포함하고,
    상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 그레인의 그레인 사이즈를 제어하며,
    상기 제1 그레인의 평균 그레인 사이즈는 상기 제2 그레인의 평균 그레인 사이즈보다 큰 것인 플렉서블 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 터치 센싱 유닛은
    감지 전극;
    상기 감지 전극과 전기적으로 연결되는 패드부;
    상기 감지 전극와 연결되는 연결 배선; 및
    상기 연결 배선 및 상기 패드부와 연결되는 팬아웃 배선을 포함하고,
    상기 감지 전극, 상기 패드부, 상기 연결 배선 및 상기 팬아웃 배선 중 적어도 하나는
    상기 도전 패턴인 것인 플렉서블 표시 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 감지 전극은
    메쉬(mesh) 형상을 갖는 것인 플렉서블 표시 장치.
  25. 플렉서블 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 플렉서블 기판 상에 도전 패턴을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 도전 패턴을 제공하는 단계는
    제1 가스를 제공하여, 상기 플렉서블 기판 상에 제1 두께를 갖는 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계; 및
    상기 제1 가스와 상이한 제2 가스를 제공하여, 상기 제1 도전 패턴층 상에 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 도전 패턴층은 상기 제1 가스로부터 형성된 제1 물질을 포함하고, 상기 제1 물질은 제1 그레인을 포함하고,
    상기 제2 도전 패턴층은 상기 제2 가스로부터 형성된 제2 물질을 포함하고, 상기 제2 물질은 제2 그레인을 포함하고,
    상기 제2 도전 패턴층은 상기 제1 그레인의 그레인 사이즈를 제어하며,
    상기 제1 그레인의 평균 그레인 사이즈는 상기 제2 그레인의 평균 그레인 사이즈보다 큰 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계 중 적어도 하나는 금속, 상기 금속의 합금 및 투명 전도성 산화물 중 적어도 하나를 스퍼터링하여 수행되는 것인 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 도전 패턴층을 제공하는 단계는
    상기 제2 가스와 상이한 제3 가스를 제공하여, 상기 제2 도전 패턴층 상에 상기 제2 두께보다 두꺼운 제3 두께를 갖는 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계를 더 포함하는 것인 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계, 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계 각각은 플라즈마 제공 없이 수행되는 것인 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제27항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고,
    상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계는 티타늄 가스를 제공하여 수행되고,
    상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되는 것인 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계, 상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계 및 상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계 각각은 5회씩 수행되는 것인 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제27항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되고,
    상기 제2 도전 패턴층을 제공하는 단계는 산소 가스를 제공하여 수행되고,
    상기 제3 도전 패턴층을 제공하는 단계는 알루미늄 가스를 제공하여 수행되는 것인 플렉서블 표시 장치의 제조 방법.
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