CN106549033B - 有机发光装置和具有该有机发光装置的显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了有机发光装置和具有该有机发光装置的显示装置。根据一个实施方式，一种有机发光装置包括四个子有机发光装置。第一装置包括第一阳极、第一公共发光部分和第一子发光部分。第二装置包括第二阳极、第二公共发光部分、第一辅助层和第二子发光部分。第三装置包括第三阳极和第三公共发光部分。第四装置包括第四阳极、第四公共发光部分和发射第一光的发光层。第一子发光部分和第二子发光部分具有整体结构，并且发射第二光。第一公共发光部分、第二公共发光部分、第三公共发光部分和第四公共发光部分具有整体结构，并且发射第三光，第三光具有比第一光和第二光中的至少一个的波长更长的波长。
Description
相关申请的交叉引用
于2015年9月22日提交的且题为“有机发光装置、具有有机发光装置的显示装置以及制造显示装置的方法”的第10-2015-0134064号韩国专利申请通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本文中所描述的一个或多个实施方式涉及有机发光装置、具有有机发光装置的显示装置以及制造显示装置的方法。
背景技术
已经开发了各种各样的平板显示装置。示例包括扁平阴极射线管装置、等离子体显示面板和有机发光显示器。有机发光显示器是具有宽视角、优越对比度和快速响应速度的自发光类显示器。因此，有机发光显示器常用于数码相机、摄像机、录像摄像机、移动信息终端、智能电话、平板个人电脑、柔性显示装置以及其它移动装置中。这些显示器还用于超薄型电视、仪器及其它较大尺寸的电子应用中。
发明内容
根据一个或多个实施方式，一种有机发光装置包括：第一子有机发光装置，包括第一阳极、第一公共发光部分和第一子发光部分；第二子有机发光装置，包括第二阳极、第二公共发光部分、第一辅助层和第二子发光部分；第三子有机发光装置，包括第三阳极和第三公共发光部分；以及第四子有机发光装置，包括第四阳极、第四公共发光部分和发射第一光的发光层。第一子发光部分和第二子发光部分被提供为整体结构，并且发射第二光。第一公共发光部分、第二公共发光部分、第三公共发光部分和第四公共发光部分被提供为整体结构并且发射第三光，第三光具有比第一光和第二光中的至少一个的波长更长的波长。
第一光可在约620nm至约750nm的波长范围内，第二光可在约440nm至约490nm的波长范围内，并且第三光可在约495nm至约570nm的波长范围内。
第一子发光装置可发射在约440nm至约458nm的波长范围内的光，第二子发光装置可发射在约459nm至约490nm的波长范围内的光，第三子发光装置可发射在约495nm至约570nm的波长范围内的光，以及第四子发光装置可发射在约620nm至约750nm的波长范围内的光。
第一辅助层可在第二公共发光部分与第二子发光部分之间，或者在第二子发光部分上。第四子有机发光装置可包括第二辅助层，并且第二辅助层可以在第四公共发光部分与发光层之间，或者在发光层上。
第一子有机发光装置可包括在第一公共发光部分与第一子发光部分之间的第一中间辅助部分，第二子有机发光装置可包括在第二子发光部分与第一辅助层之间的第二中间辅助部分，以及第一中间辅助部分可与第二中间辅助部分以整体结构提供。第一子有机发光装置、第二子有机发光装置和第三子有机发光装置可相互间隔开。
根据一个或多个其它实施方式，显示装置包括：基础衬底，基础衬底包括相互间隔开的第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域；第一公共发光层，在第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域内，并且被提供为单个结构；第二公共发光层，在第一发光区域和第二发光区域内，第二公共发光层被提供在第一公共发光层上，并且被提供为单个结构；第一辅助层，在第二发光区域内，并且在第一公共发光层与第二公共发光层之间或者在第二公共发光层上；以及发光层，在第四发光区域内，并且在第一公共发光层上以发射第一光，其中，第二公共发光层发射第二光，以及其中，第一公共发光层发射第三光，第三光具有比第一光和第二光中的至少一个的波长更长的波长。第一公共发光层可在基础衬底的基本上整个表面上。
第一光可在约620nm至约750nm的波长范围内，第二光可在约440nm至约490nm的波长范围内，并且第三光可在约495nm至约570nm的波长范围内。
第一发光区域可发射在约440nm至约458nm的波长范围内的光，第二发光区域可发射在约459nm至约490nm的波长范围内的光，第三发光区域可发射在约495nm至约570nm的波长范围内的光，以及第四发光区域可发射在约620nm至约750nm的波长范围内的光。
显示装置可包括第二辅助层，第二辅助层在第四发光区域内，并且在第四公共发光部分与发光层之间或在发光层上。显示装置可包括中间层，在第一发光区域和第二发光区域内，中间层在第一公共发光层与第二公共发光层之间，或者在第二公共发光层上，并且提供为单个结构。
显示装置可包括空穴传输区，在第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域内，空穴传输区在基础衬底与第一公共发光层之间，并且被提供为单个结构。空穴传输区可包括：空穴注入层，在基础衬底上；以及空穴传输层，在空穴注入层上，其中空穴传输层的至少一部分包括p型掺杂剂。
显示装置可包括电子传输区，在第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域内，电子传输区被提供在第一公共发光层、第二公共发光层和发光层上，并且被提供为单个结构。电子传输区可包括：电子传输层，在第一公共发光层、第二公共发光层和发光层上；以及电子注入层，在电子传输层上。
在第一模式中，光可从第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域中的每个发射；在第二模式中，光可从第一发光区域、第三发光区域和第四发光区域中的每个发射，并且不从第二发光区域发射；以及在第三模式中，光可从第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域中的每个发射，并且不从第一发光区域发射。
根据一个或多个其它实施方式，一种制造显示装置的方法包括：将第一公共发光层提供在包括第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域的基板上，第一公共发光层在第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域内；使用第一掩模在第一公共发光层上提供第一辅助层，第一辅助层在第二发光区域内；使用第二掩模在第一公共发光层和第一辅助层上或在第一公共发光层和第一辅助层之间提供第二公共发光层，第二公共发光层在第一发光区域和第二发光区域内；以及使用第三掩模在第一公共发光层上提供发光层，发光层在第四发光区域内。
该方法可包括使用第四掩模在第一公共发光层和发光层之间或在发光层上提供第二辅助层，第二辅助层在第四发光区域内。第一掩模、第二掩模和第三掩模中的每个可以是精细金属掩模。
附图说明
通过参考附图对示例性实施方式详细地进行描述，本公开的特征将对本领域技术人员变得显而易见，在附图中：
图1示出了有机发光装置的实施方式；
图2示出了有机发光装置的实施方式；
图3示出了显示装置的实施方式；
图4A和图4B示出了子像素的实施方式，以及图4C示出了沿着图4B中的截面线I-I'的视图；
图5示出了子像素的另一实施方式；
图6A至图6D示出了发光区域的示例；
图7A示出了沿着图5中的截面线II-II'的视图，以及图7B示出了沿着图5中的截面线II-II'的视图；
图8示出了用于制造显示装置的方法的实施方式；以及
图9A至图9F示出了图8的方法中的制造的阶段。
具体实施方式
现将参考附图在下文中对示例性实施方式进行更充分的描述；然而，这些实施方式可以以不同形式实施，而不应被理解为限于本文阐述的实施方式。更确切地说，这些实施方式是被提供用以使得本公开将是彻底的且完全的，并且会将示例性的实现方式充分传达给本领域技术人员。
在附图中，为了图例的清楚，层和区的尺寸可能被放大。也将理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板“上(on)”时，其可直接在另一层或基板上，或者也可存在介于其间的层。而且，将理解的是，当层被称为在另一层“下方(under)”时，其可直接位于下方，并且也可存在一个或多个介于其间的层。另外，还将理解的是，当层被称为在两个层“之间(between)”时，其可以是这两个层之间的唯一的层，或者还可存在一个或多个介于其间的层。相同的参考标号始终表示相同的元件。
将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上(on)”、“连接至(connectedto)”或“耦接至(coupled to)”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接至或直接耦接至另一元件或层，或者可存在介于其间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在(directly on)”另一元件或层上、“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件或层时，没有介于其间的元件或层存在。相同的标号始终指代相同的元件。如在本文中所使用的，词语“和/或(and/or)”包括一个或多个相关的所列项目中的任何或所有组合。
图1是示出了有机发光装置OEL的不同实施方式的截面图。参考图1和图2，有机发光装置OEL包括相互间隔开的第一子有机发光装置S_OEL1、第二子有机发光装置S_OEL2、第三子有机发光装置S_OEL3和第四子有机发光装置S_OEL4。
第一子有机发光装置S_OEL1发射约在440nm至约458nm的波长范围内的光。因此，第一子有机发光装置S_OEL1可发射深蓝光。第一子有机发光装置S_OEL1可控制共振距离，以发射在约440nm至约458nm的波长范围内的光。第一子有机发光装置S_OEL1包括可在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上顺序地堆叠的第一阳极AN1、第一公共发光部分CMLP1、第一子发光部分SMLP1和第一阴极部分CATP1。
第二子有机发光装置S_OEL2发射在约459nm至约490nm的波长范围内的光。因此，第二子有机发光装置S_OEL2可发射天蓝光。第二子有机发光装置S_OEL2可控制共振距离，以发射在约459nm至约490nm的波长范围内的光。第二子有机发光装置S_OEL2包括在第二方向DR2上堆叠的第二阳极AN2、第二公共发光部分CMLP2、第一辅助层AL1、第二子发光部分SMLP2以及第二阴极部分CATP2。在一实施方式中，第二阳极AN2、第二公共发光部分CMLP2、第一辅助层AL1、第二子发光部分SMLP2和第二阴极部分CATP2可在第二方向DR2上顺序地堆叠。
在一实施方式中，第一子有机发光装置S_OEL1的第一子发光部分SMLP1和第二子有机发光装置S_OEL2的第二子发光部分SMLP2包括相同的材料。第一子有机发光装置S_OEL1的共振距离和第二子有机发光装置S_OEL2的共振距离可控制成不同于彼此，因为第一子有机发光装置S_OEL1不包括第一辅助层AL1，而第二子有机发光装置S_OEL2包括第一辅助层AL1。因此，第一子有机发光装置S_OEL1可发射约440nm至约458nm的波长范围内的光，并且第二子有机发光装置S_OEL2可发射约459nm至约490nm的波长范围内的光。
第三子有机发光装置S_OEL3发射在约495nm至约570nm的波长范围内的光。因此，第三子有机发光装置S_OEL3可发射绿光。第三子有机发光装置S_OEL3可控制共振距离，以发射在约495nm至约570nm的波长范围内的光。第三子有机发光装置S_OEL3包括在第二方向DR2上顺序地堆叠的第三阳极AN3、第三公共发光部分CMLP3和第三阴极部分CATP3。
第四子有机发光装置S_OEL4发射在约620nm至约750nm的波长范围内的光。因此，第四子有机发光装置S_OEL4可发射红光。第四子有机发光装置S_OEL4可控制共振距离，以发射在约620nm至约750nm的波长范围内的光。第四子有机发光装置S_OEL4包括在第二方向DR2上顺序地堆叠的第四阳极AN4、第四公共发光部分CMLP4、发光层EML1和第四阴极部分CATP4。
当在截面图中观察时，第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4相互间隔开。第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4可以是穿透电极、半透半反式电极或反射电极。当第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4是穿透电极时，第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4中的每个可包括透明金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。当第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4是半透半反式电极或反射电极时，第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4中的每个可包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或金属与一些其它物质的混合物。
空穴传输区HTR在第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4的上方。空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL。空穴注入层HIL和空穴传输层HTL可彼此整体地形成为单层。空穴注入层HIL和空穴传输层HTL可彼此整体地形成为单层，并且可包括p型掺杂剂。空穴传输区HTR可包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。
空穴注入层HIL可包括但不限于酞菁化合物，例如铜酞菁、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-双[4-(苯基-间甲苯基-氨基)苯基]联苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2TNATA(4,4',4"-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))等。
空穴注入层HIL还可包括在空穴注入层HIL中均匀或非均匀分布的电荷生成材料。电荷生成材料可以是但不限于p型掺杂剂。空穴注入层HIL的至少一部分可包括p型掺杂剂。p型掺杂剂可以是例如醌衍生物、金属氧化物材料和含有氰基的化合物之一。例如，p型掺杂剂可包括一种或多种醌衍生物，例如TCNQ(四氰基对醌二甲烷)或F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-四氰基对醌二甲烷)，或者包括一种或多种金属氧化物材料，例如氧化钨材料或氧化钼材料。
空穴传输层HTL在空穴注入层HIL上。空穴传输层HTL可包括但不限于：基于咔唑的衍生物，例如n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等；基于氟的衍生物；基于三苯胺的衍生物，例如TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺)等；NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)；TAPC(4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])等。
空穴传输区HTR包括第一空穴传输区部分HTRP1、第二空穴传输区部分HTRP2、第三空穴传输区部分HTRP3、第四空穴传输区域部分HTRP4、第五空穴传输区部分HTRP5、第六空穴传输区部分HTRP6和第七空穴传输区部分HTRP7。这些部分可按照第一空穴传输区部分HTRP1、第五空穴传输区部分HTRP5、第二空穴传输区部分HTRP2、第六空穴传输区部分HTRP6、第三空穴传输区部分HTRP3、第七空穴传输区部分HTRP7和第四空穴传输区部分HTRP4的次序顺序地连接，并且可整体地形成于单个单元中。
第一空穴传输区部分HTRP1在第一子有机发光装置S_OEL1中，并且与第一阳极AN1重叠。第二空穴传输区部分HTRP2在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且与第二阳极AN2重叠。第三空穴传输区部分HTRP3在第三子有机发光装置S_OEL3中，并且与第三阳极AN3重叠。第四空穴传输区部分HTRP4在第四子有机发光装置S_OEL4中，并且与第四阳极AN4重叠。第五空穴传输区部分HTRP5在第一空穴传输区部分HTRP1和第二空穴传输区部分HTRP2之间。第六空穴传输区部分HTRP6在第二空穴传输区部分HTRP2和第三空穴传输区部分HTRP3之间。第七空穴传输区部分HTRP7在第三空穴传输区部分HTRP3和第四空穴传输区部分HTRP4之间。
空穴注入层HIL包括第一空穴注入部分HILP1、第二空穴注入部分HILP2、第三空穴注入部分HILP3、第四空穴注入部分HILP4、第五空穴注入部分HILP5、第六空穴注入部分HILP6和第七空穴注入部分HILP7。这些部分可按照第一空穴注入部分HILP1、第五空穴注入部分HILP5、第二空穴注入部分HILP2、第六空穴注入部分HILP6、第三空穴注入部分HILP3、第七空穴注入部分HILP7和第四空穴注入部分HILP4的次序顺序地连接，并且可整体地形成于单个单元中。
第一空穴注入部分HILP1在第一子有机发光装置S_OEL1中。第二空穴注入部分HILP2在第二子有机发光装置S_OEL2中。第三空穴注入部分HILP3在第三子有机发光装置S_OEL3中。第四空穴注入部分HILP4在第四子有机发光装置S_OEL4中。第五空穴注入部分HILP5在第一空穴注入部分HILP1和第二空穴注入部分HILP2之间。第六空穴注入部分HILP6在第二空穴注入部分HILP2和第三空穴注入部分HILP3之间。第七空穴注入部分HILP7在第三空穴注入部分HILP3和第四空穴注入部分HILP4之间。
空穴传输层HTL包括第一空穴传输部分HTLP1、第二空穴传输部分HTLP2、第三空穴传输部分HTLP3、第四空穴传输部分HTLP4、第五空穴传输部分HTLP5、第六空穴传输部分HTLP6和第七空穴传输部分HTLP7。这些部分可以按照第一空穴传输部分HTLP1、第五空穴传输部分HTLP5、第二空穴传输部分HTLP2、第六空穴传输部分HTLP6、第三空穴传输部分HTLP3、第七空穴传输部分HTLP7和第四空穴传输部分HTLP4的次序顺序地连接，并且可整体地形成于单个单元中。
第一空穴传输部分HTLP1在第一子有机发光装置S_OEL1中。第二空穴传输部分HTLP2在第二子有机发光装置S_OEL2中。第三空穴传输部分HTLP3在第三子有机发光装置S_OEL3中。第四空穴传输部分HTLP4在第四子有机发光装置S_OEL4中。第五空穴传输部分HTLP5在第一空穴传输部分HTLP1和第二空穴传输部分HTLP2之间。第六空穴传输部分HTLP6在第二空穴传输部分HTLP2和第三空穴传输部分HTLP3之间。第七空穴传输部分HTLP7在第三空穴传输部分HTLP3和第四空穴传输部分HTLP4之间。
第一公共发光层CML1在空穴传输区HTR上。第一公共发光层CML1发射第三光，第三光具有比第一光和第二光中的至少一个的波长更长的波长。在一实施方式中，第三光可具有在约495nm至约570nm的范围内的波长。第一公共发光层CML1可包括发射绿光的材料，并且可包括荧光材料或磷光材料。
第一公共发光层CML1可包括主体和掺杂剂。主体可包括例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(联苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene))、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基-联苯)和/或MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)。掺杂剂可以是例如金属复合物(例如，Ir(ppy)3(面式(fac)-三(2-苯基吡啶)合铱))或有机金属复合物。
第一公共发光层CML1包括第一公共发光部分CMLP1、第二公共发光部分CMLP2、第三公共发光部分CMLP3、第四公共发光部分CMLP4、第五公共发光部分CMLP5、第六公共发光部分CMLP6和第七公共发光部分CMLP7。这些部分可以按照第一公共发光部分CMLP1、第五公共发光部分CMLP5、第二公共发光部分CMLP2、第六公共发光部分CMLP6、第三公共发光部分CMLP3、第七公共发光部分CMLP7和第四公共发光部分CMLP4的次序顺序地连接。
第一公共发光部分CMLP1在第一子有机发光装置S_OEL1中，并且与第一阳极AN1和第一空穴传输区部分HTRP1重叠。第二公共发光部分CMLP2在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且与第二阳极AN2和第二空穴传输区部分HTRP2重叠。第三公共发光部分CMLP3在第三子有机发光装置S_OEL3中，并且与第三阳极AN3和第三空穴传输区部分HTRP3重叠。第四公共发光部分CMLP4在第四子有机发光装置S_OEL4中，并且与第四阳极AN4和第四空穴传输区部分HTRP4重叠。第五公共发光部分CMLP5在第一公共发光部分CMLP1和第二公共发光部分CMLP2之间。第六公共发光部分CMLP6在第二公共发光部分CMLP2和第三公共发光部分CMLP3之间。第七公共发光部分CMLP7在第三公共发光部分CMLP3和第四公共发光部分CMLP4之间。
第一辅助层AL1在第一公共发光层CML1上方，并且在第二公共发光部分CMLP2和第二子发光部分SMLP2之间或者在第二子发光部分SMLP2上。第一辅助层AL1在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且不在第一子有机发光装置S_OEL1、第三子有机发光装置S_OEL3和第四子有机发光装置S_OEL4中。第一辅助层AL1与第二阳极AN2重叠。
第一辅助层AL1可补偿第二子有机发光装置S_OEL2中的共振。第一辅助层AL1可补偿第二子有机发光装置S_OEL2中的共振距离。第一辅助层AL1可控制第二子有机发光装置S_OEL2以允许第二子有机发光装置S_OEL2发射在约459nm至约490nm的波长范围内的光。第一辅助层AL1可包括与空穴传输层HTL相同的材料或者不同的材料。
参考图2，第二辅助层AL2在第一公共发光层CML1和发光层EML1之间。第一辅助层AL1和第二辅助层AL2可具有相同的厚度或者可具有不同的厚度。
第二辅助层AL2在第四公共发光部分CMLP4和发光层EML1之间。第二辅助层AL2在第四子有机发光装置S_OEL4中，并且不包括在第一子有机发光装置S_OEL1、第二子有机发光装置S_OEL2和第三子有机发光装置S_OEL3中。第二辅助层AL2与第四阳极AN4重叠。
第二辅助层AL2可补偿第四子有机发光装置S_OEL4中的共振。第二辅助层AL2可补偿第四子有机发光装置S_OEL4中的共振距离。第二辅助层AL2可包括与空穴传输层HTL的材料基本相同的材料，或者可包括不同的材料。
再次参考图1和图2，第二公共发光层CML2在第一公共发光层CML1上，并且发射在约440nm至约490nm的波长范围内的第二光。因此，第二公共发光层CML2可包括发射蓝光的材料。在一实施方式中，第二公共发光层CML2可包括荧光材料或磷光材料。例如，第二公共发光层CML2包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)(三(二苯甲酰甲基)邻菲罗啉铕)或者二萘嵌苯。
在一实施方式中，第二公共发光层CML2可包括主体和掺杂剂。主体可以是例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(联苯乙烯基亚芳基)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)。掺杂剂可包括例如诸如PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、PtOEP(八乙基卟啉铂)等的金属复合物，或有机金属复合物。
第二公共发光层CML2包括第一子发光部分SMLP1、第二子发光部分SMLP2和第三子发光部分SMLP3。这些部分可以按照第一子发光部分SMLP1、第三子发光部分SMLP3和第二子发光部分SMLP2的次序顺序地连接，并且可整体地形成在单个单元中。
第一子发光部分SMLP1在第一子有机发光装置S_OEL1中，并且与第一阳极AN1、第一空穴传输区部分HTRP1和第一公共发光部分CMLP1重叠。第二子发光部分SMLP2在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且与第二阳极AN2、第二空穴传输区部分HTRP2、第一辅助层AL1和第二公共发光部分CMLP2重叠。第三子发光部分SMLP3在第一子发光部分SMLP1和第二子发光部分SMLP2之间。
参考图2，中间辅助层IML在第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2之间。中间辅助层IML防止空穴从第一公共发光层CML1传输到第二公共发光层CML2。因此，中间辅助层IML防止从第一子有机发光装置S_OEL1和第二子有机发光装置S_OEL2中的每个中发射出第三光。
中间辅助层IML包括第一中间辅助部分IMLP1、第二中间辅助部分IMLP2和第三中间辅助部分IMLP3。这些部分可以按照第一中间辅助部分IMLP1、第三中间辅助部分IMLP3和第二中间辅助部分IMLP2的次序顺序地连接。
第一中间辅助部分IMLP1在第一子有机发光装置S_OEL1中，并且与第一阳极AN1、第一空穴传输区部分HTRP1和第一公共发光部分CMLP1重叠。第二中间辅助部分IMLP2在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且与第二阳极AN2、第二空穴传输区部分HTRP2、第一辅助层AL1和第二公共发光部分CMLP2重叠。第三中间辅助部分IMLP3在第一中间辅助部分IMLP1和第二中间辅助部分IMLP2之间。
再次参考图1和图2，发光层EML1在第一公共发光层CML1上，并且包括在第四子有机发光装置S_OEL4中。发光层EML1发射在约620nm至约750nm的波长范围内的第一光。发光层EML1包括发射红光的材料。在一实施方式中，发光层EML1包括荧光材料或磷光材料。例如，发光层EML1包括荧光材料，荧光材料包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)(三(二苯甲酰甲基)邻菲罗啉铕)或二萘嵌苯。
发光层EML1可包括主体和掺杂剂。主体可包括例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯咔唑))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBi(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(联苯乙烯基亚芳基)、CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2”-二甲基-联苯)、MADN(2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)。掺杂剂可包括例如诸如PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、PtOEP(八乙基卟啉铂)等的金属复合物，或有机金属复合物。
中间连接层可配置在第二公共发光层CML2和电子传输区ETR之间、在第一公共发光层CML1和电子传输区ETR之间和/或在发光层EML1和电子传输区ETR之间。中间连接层可控制第二公共发光层CML2和电子传输区ETR之间、第一公共发光层CML1和电子传输区ETR之间和/或发光层EML1和电子传输区ETR之间的电荷平衡。
电子传输区ETR在第一公共发光层CML1、第二公共发光层CML2和发光层EML1上。电子传输区ETR在发光层EML1的整个表面上。电子传输区ETR还可包括电子传输层ETL和电子传输层ETL上的电子注入层EIL。在此示例中，可以省略电子注入层EIL。
电子传输层ETL可包括例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(双(苯并喹啉-10-羟基)铍)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)以及其混合物。电子传输层ETL可具有在约100埃至约1000埃的范围内的厚度。在一实施方式中，电子传输层ETL可具有在约150埃至约400埃的范围内的厚度。当电子传输层ETL的厚度满足上述范围时，可在不升高驱动电压的情况下获得优越的电子传输特性。
电子注入层EIL可包括例如：基于镧系元素的金属，例如LiF、LiQ(喹啉锂)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、Yb等；或金属卤化物，例如RbCl、RbI等。电子注入层EIL可包括电子传输材料和具有绝缘性能的有机金属盐的混合物。有机金属盐具有约4eV或大于4eV的能带间隙。例如，有机金属盐可包括金属醋酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰醋酸盐、金属乙酰丙酮化物(metal acetylacetonate)或金属硬脂酸盐。电子注入层EIL可具有在约1埃至约100埃的范围内的厚度。在一实施方式中，电子注入层具有在约3埃至约90埃的范围内的厚度。当电子注入层EIL的厚度满足上述范围时，可在不升高驱动电压的情况下获得优越的电子注入特性。
电子传输区ETR包括第一电子传输区部分ETRP1、第二电子传输区部分ETRP2、第三电子传输区部分ETRP3、第四电子传输区部分ETRP4、第五电子传输区部分ETRP5、第六电子传输区部分ETRP6和第七电子传输区部分ETRP7。这些部分可按照第一电子传输区部分ETRP1、第五电子传输区部分ETRP5、第二电子传输区部分ETRP2、第六电子传输区部分ETRP6、第三电子传输区部分ETRP3、第七电子传输区部分ETRP7和第四电子传输区部分ETRP4的次序顺序地排列，并且可整体地形成在单个单元中。
第一电子传输区部分ETRP1在第一子有机发光装置S_OEL1中，并且与第一阳极AN1、第一空穴传输区部分HTRP1、第一公共发光部分CMLP1和第一子发光部分SMLP1重叠。第二电子传输区部分ETRP2在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且与第二阳极AN2、第二空穴传输区部分HTRP2、第二公共发光部分CMLP2、第一辅助层AL1和第二子发光部分SMLP2重叠。第三电子传输区部分ETRP3在第三子有机发光装置S_OEL3中，并且与第三阳极AN3、第三空穴传输区部分HTRP3和第三公共发光部分CMLP3重叠。第四电子传输区部分ETRP4在第四子有机发光装置S_OEL4中，并且与第四阳极AN4、第四空穴传输区部分HTRP4、第四公共发光部分CMLP4和发光层EML1重叠。第五电子传输区部分ETRP5在第一电子传输区部分ETRP1和第二电子传输区部分ETRP2之间。第六电子传输区部分ETRP6在第二电子传输区部分ETRP2和第三电子传输区部分ETRP3之间。第七电子传输区部分ETRP7在第三电子传输区部分ETRP3和第四电子传输区部分ETRP4之间。
电子传输层ETL包括第一电子传输部分ETLP1、第二电子传输部分ETLP2、第三电子传输部分ETLP3、第四电子传输部分ETLP4、第五电子传输部分ETLP5、第六电子传输部分ETLP6和第七电子传输部分ETLP7。这些部分可以按照第一电子传输部分ETLP1、第五电子传输部分ETLP5、第二电子传输部分ETLP2、第六电子传输部分ETLP6、第三电子传输部分ETLP3、第七电子传输部分ETLP7和第四电子传输部分ETLP4的次序顺序地连接，并且可整体地形成在单个单元中。
第一电子传输部分ETLP1在第一子有机发光装置S_OEL1中。第二电子传输部分ETLP2在第二子有机发光装置S_OEL2中。第三电子传输部分ETLP3在第三子有机发光装置S_OEL3中。第四电子传输部分ETLP4在第四子有机发光装置S_OEL4中。第五电子传输部分ETLP5在第一电子传输部分ETLP1和第二电子传输部分ETLP2之间。第六电子传输部分ETLP6在第二电子传输部分ETLP2和第三电子传输部分ETLP3之间。第七电子传输部分ETLP7在第三电子传输部分ETLP3和第四电子传输部分ETLP4之间。
电子注入层EIL包括第一电子注入部分EILP1、第二电子注入部分EILP2、第三电子注入部分EILP3、第四电子注入部分EILP4、第五电子注入部分EILP5、第六电子注入部分EILP6和第七电子注入部分EILP7。这些部分可以按照第一电子注入部分EILP1、第五电子注入部分EILP5、第二电子注入部分EILP2、第六电子注入部分EILP6、第三电子注入部分EILP3、第七电子注入部分EILP7和第四电子注入部分EILP4的次序顺序地连接。
第一电子注入部分EILP1在第一子有机发光装置S_OEL1中。第二电子注入部分EILP2在第二子有机发光装置S_OEL2中。第三电子注入部分EILP3包括在第三子有机发光装置S_OEL3中。第四电子注入部分EILP4在第四子有机发光装置S_OEL4中。第五电子注入部分EILP5在第一电子注入部分EILP1和第二电子注入部分EILP2之间。第六电子注入部分EILP6在第二电子注入部分EILP2和第三电子注入部分EILP3之间。第七电子注入部分EILP7在第三电子注入部分EILP3和第四电子注入部分EILP4之间。
阴极CAT在电子传输区ETR上，并且配置在电子传输区ETR的整个表面上。阴极CAT可以是公共电极或负电极。阴极CAT可以是穿透电极、半透半反式电极或反射电极。当阴极CAT是穿透电极时，阴极CAT可包括例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag、其化合物或其混合物，例如Ag和Mg的混合物。
阴极CAT可包括辅助电极，辅助电极包括通过向第一公共发光层CML1沉积上述材料而形成的层和配置在该层上的透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、Mo、Ti等等。
当阴极CAT是半透半反式电极或反射电极时，阴极CAT可包括例如Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物或其混合物，例如，Ag和Mg的混合物。在另一实施方式中，阴极CAT可具有由上述材料形成的反射层或半透半反式层以及由ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透明导电层的多层结构。
当有机发光装置OEL是正面发光型时，第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4中的每个可以是反射电极，并且阴极CAT可以是穿透电极或半透半反式电极。当有机发光装置OEL是背面发光型时，第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4可以是穿透电极或半透半反式电极，并且阴极CAT可以是反射电极。
阴极CAT包括第一阴极部分CATP1、第二阴极部分CATP2、第三阴极部分CATP3、第四阴极部分CATP4、第五阴极部分CATP5、第六阴极部分CATP6和第七阴极部分CATP7。这些部分可以按照第一阴极部分CATP1、第五阴极部分CATP5、第二阴极部分CATP2、第六阴极部分CATP6、第三阴极部分CATP3、第七阴极部分CATP7和第四阴极部分CATP4的次序顺序地连接。
第一阴极部分CATP1在第一子有机发光装置S_OEL1中，并且与第一阳极AN1、第一空穴传输区部分HTRP1、第一公共发光部分CMLP1、第一子发光部分SMLP1和第一电子传输区部分ETRP1中的每个重叠。第二阴极部分CATP2在第二子有机发光装置S_OEL2中，并且与第二阳极AN2、第二空穴传输区部分HTRP2、第二公共发光部分CMLP2、第一辅助层AL1、第二子发光部分SMLP2和第二电子传输区部分ETRP2中的每个重叠。第三阴极部分CATP3在第三子有机发光装置S_OEL3中，并且与第三阳极AN3、第三空穴传输区部分HTRP3、第三公共发光部分CMLP3和第三电子传输区部分ETRP3中的每个重叠。第四阴极部分CATP4在第四子有机发光装置S_OEL4中，并且与第四阳极AN4、第四空穴传输区部分HTRP4、第四公共发光部分CMLP4、发光层EML1和第四电子传输区部分ETRP4中的每个重叠。第五阴极部分CAT5在第一阴极部分CAT1和第二阴极部分CAT2之间。第六阴极部分CAT6在第二阴极部分CAT2和第三阴极部分CAT3之间。第七阴极部分CAT7在第三阴极部分CAT3和第四阴极部分CAT4之间。
在有机发光装置OEL中，当电压分别施加至第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3、第四阳极AN4和阴极CAT时，从第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4注入的空穴通过空穴传输区HTR移动到第一公共发光层CML1、第二公共发光层CML2和发光层EML1。此外，从阴极CAT注入的电子通过电子传输区ETR移动到发光层EML1、第二公共发光层CML2和第一公共发光层CML1。电子和空穴在发光层EML1、第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2中重新结合，以生成激子，并且，当激子从激发态回到基态时，有机发光装置OEL发光。
已经提出的一种有机发光装置包括发射天蓝光的子有机发光装置和发射深蓝光的子有机发光装置。发射天蓝光的发光层通过与用于形成发射深蓝光的发光层的过程分离的过程形成。因此，制造有机发光装置的过程是复杂的。此外，发光效率可能由于在制造有机发光装置时进入有机发光装置的外来物质而变差。
然而，根据一个或多个实施方式，发射天蓝光的发光层和发射深蓝光的发光层在单个过程中形成以具有单层结构。因此，简化了制造有机发光装置的过程。此外，由于发光层基本上不暴露于外来物质，所以可以防止发光效率变差。
图3示出了包括显示区域DA和非显示区域NDA的显示装置10的实施方式。显示区域DA显示图像，并且，当在显示装置10的厚度方向DR4上观察时，具有预定的形状(例如，大体长方形的形状)。在另一实施方式中，显示区域DA的形状可以不同。
显示区域DA包括以矩阵形式布置的多个像素区。多个像素PX分别配置在像素区域PA中。每个像素PX包括一个或多个有机发光装置OEL(例如，参考图1)。例如，每个像素PX包括多个子像素，例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4。
非显示区域NDA不显示图像，并且，当在厚度方向DR4上观察时，非显示区域NDA围绕显示区域DA。非显示区域NDA在第一方向DR1和第三方向DR3上邻近于显示区域DA。第三方向DR3与第一方向DR1和第二方向DR2交叉。
显示装置10可以以第一模式、第二模式或第三模式操作。在第一模式中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4(例如，参考图5)中的每个都发光。在第二模式中，光从第一发光区域EA1、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4(例如，参考图5)中发射，而不从第二发光区域EA2中发射。在第三模式中，光从第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4(例如，参考图5)中发射，而不从第一发光区域EA1中发射。
图4A示出了表示显示装置10中的子像素的电路的实施方式。图4B示出了表示显示装置10中的子像素的布局的实施方式。图4C是沿着图4B中的线I-I'截取的截面图。
参考图4A至图4C，每个子像素SPX连接至线部分，该线部分连接至栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL。每个子像素SPX包括连接至线部分的薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2、连接至薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2的子有机发光装置S_OEL、以及电容器Cst。每个子像素SPX发射红光、绿光或蓝光中的一个。
栅极线GL在第一方向DR1上延伸。数据线DL在与栅极线GL交叉的第三方向DR3上延伸。驱动电压线DVL在可与数据线DL基本相同的第三方向DR3上延伸。栅极线GL将扫描信号施加至薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2。数据线DL将数据信号施加至薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2。驱动电压线DVL将驱动电压施加至薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2。
薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2包括用以控制子有机发光装置S_OEL的驱动薄膜晶体管TFT2和用以开关驱动薄膜晶体管TFT2的开关薄膜晶体管TFT1。在本示例性实施方式中，每个子像素SPX都包括TFT1和TFT2两个薄膜晶体管。在另一实施方式，每个子像素可包括不同数量的薄膜晶体管。例如，每个子像素SPX可包括一个薄膜晶体管和电容器，或者可包括三个或更多个的薄膜晶体管以及两个或更多个电容器。
开关薄膜晶体管TFT1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一栅电极GE1连接至栅极线GL。第一源电极SE1连接至数据线DL。第一漏电极DE1通过第五接触孔CH5连接至第一公共电极CE1。开关薄膜晶体管TFT1响应于通过栅极线GL提供的扫描信号将来自数据线的数据信号施加至驱动薄膜晶体管TFT2。
驱动薄膜晶体管TFT2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2连接至第一公共电极CE1。第二源电极SE2连接至驱动电压线DVL。第二漏电极DE2通过第三接触孔CH3连接至阳极AN。
电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2和驱动薄膜晶体管TFT2的第二源电极SE2之间。电容器Cst用施加至驱动薄膜晶体管TFT2的第二栅电极GE2的数据信号充电，并且在其中保持充电电压。电容器Cst包括通过第六接触孔CH6连接至第一漏电极DE1的第一公共电极CE1和连接至驱动电压线DVL的第二公共电极CE2。
根据本示例性实施方式的显示装置10包括基础衬底BS，薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2以及有机发光装置OEL(例如，参考图1)堆叠在基础衬底BS上。基础衬底BS包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3、第四发光区域EA4以及非发光区域NEA1、NEA2、NEA3和NEA4(例如，参考图5)。
基础衬底BS可包括绝缘材料，例如玻璃、塑料、晶体等。基础衬底BS可包括有机聚合物，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺和聚醚砜。用于基础衬底BS的材料可例如考虑机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易加工性、疏水性等而进行选择。
基板缓冲层可配置在基础衬底BS上。基板缓冲层可防止杂质扩散至开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2。基板缓冲层可由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)形成，或者可根据基础衬底BS的材料和加工条件而省略。
第一半导体层SM1和第二半导体层SM2在基础衬底BS上。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2包括半导体材料，并且分别用作开关薄膜晶体管TFT1的有源层和驱动薄膜晶体管TFT2的有源层。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个包括源区域SA、漏区域DA、以及在源区域SA和漏区域DA之间的沟道区域CA。第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个可以由无机半导体或有机半导体形成。源区域SA和漏区域DA掺杂有n型杂质或p型杂质。
栅绝缘层GI在第一半导体层SM1和第二半导体层SM2上。栅绝缘层GI覆盖第一半导体层SM1和第二半导体层SM2。栅绝缘层GI包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一栅电极GE1和第二栅电极GE2在栅绝缘层GI上。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2分别覆盖第一半导体层SM1的沟道区域CA和第二半导体层SM2的沟道区域CA的对应区域。
中间绝缘层IL在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上，并且覆盖第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。中间绝缘层IL可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2在中间绝缘层IL上。第二漏电极DE2通过穿过栅绝缘层GI和中间绝缘层IL形成的第一接触孔CH1与第二半导体层SM2的漏区域DA接触。第二源电极SE2通过穿过栅绝缘层GI和中间绝缘层IL形成的第二接触孔CH2与第二半导体层SM2的源区域SA接触。第一源电极SE1通过穿过栅绝缘层GI和中间绝缘层IL形成的第四接触孔CH4与第一半导体层SM1的源区域SA接触。第一漏电极DE1通过穿过栅绝缘层GI和中间绝缘层IL形成的第五接触孔CH5与第一半导体层SM1的漏区域DA接触。
钝化层PL在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2上。钝化层PL用作保护层以保护开关薄膜晶体管TFT1和驱动薄膜晶体管TFT2，或者用作平坦化层以使第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2的上表面平坦化。
阳极AN在钝化层PL上，并且可以是正电极。阳极AN通过穿过钝化层PL形成的第三接触孔CH3连接至驱动薄膜晶体管TFT2的第二漏电极DE2。
图5示出了可包括在显示装置10中的子像素的实施方式。参考图1、图2、图3、图4A至图4C以及图5，每个像素PX包括子像素SPX，例如，每个像素PX包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4。每个子像素SPX包括发光区域和非发光区域。
在图5中，当在平面图中观察时，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4在第一方向DR1上顺序连接。在一个实施方式中，当在平面图中观察时，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可在第三方向DR3上顺序连接。在一个实施方式中，当在平面图中观察时，第一子像素SPX1、第三子像素SPX3、第二子像素SPX2和第四子像素SPX4可在第一方向DR1上顺序连接。
另外，如图5所示，当在平面图中观察时，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可具有大体相同的形状和大体相同的尺寸。在一实施方式中，当在平面图中观察时，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4中的任一个的形状或尺寸可以与每个像素PX中的其它子像素的形状或尺寸不同。
而且，如图5所示，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4中的每个可具有大体长方形的形状。在一实施方式中，当在平面图中观察时，像素中的每个，即，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4中的每个，可具有圆形形状、椭圆形形状、正方形形状、平行四边形形状、梯形形状和棱形形状中的至少一个形状。另外，像素中的每个，即，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4中的每个，可具有四边形形状的至少一个角是圆形的四边形形状。
图6A至图6D示出了可包括在显示装置10中的发光区域的不同实施方式。在这些实施方式中，如图5所示，当在平面图中观察时，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个被显示为具有大体长方形的形状。然而，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4可具有不同的形状，或可具有互不相同的形状。
例如，当在平面图中观察时，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个可具有圆形形状、椭圆形形状、正方形形状、平行四边形形状、梯形形状或棱形形状中的至少一个形状。另外，第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个可具有其至少一个角是圆形的四边形形状。
参考图5，当在平面图中观察时，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4在第一方向DR1上可顺序地布置并且相互间隔开。当在平面图中观察时，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个可具有长方形的形状，该长方形的形状在第三方向DR3上的长度比在第一方向DR1上的长度长。
在一实施方式中，当在平面图中观察时，如图6A至图6D所示，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4可具有各种形状。参考图6A，可提供多个第三发光区域EA3，并且，当在平面图中观察时，第三发光区域EA3中的每个可具有圆形形状。第三发光区域EA3在第一方向DR1和第三方向DR3上布置成相互间隔开。当在平面图中观察时，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2或第四发光区域EA4可在四个第三发光区域EA3之间。
参考图6B，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4在第一方向DR1上顺序布置并且相互间隔开。另外，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个具有长方形的形状，当在平面图中观察时，该长方形形状中在第一方向DR1上的长度比在第三方向DR3上的长度长。
参考图6C，当在平面图中观察时，第一发光区域EA1和第二发光区域EA2在第三方向DR3上布置并且相互间隔开。第三发光区域EA3和第四发光区域EA4在第一方向DR1上布置并且相互间隔开。第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的每个具有在第一方向DR1上的长度比在第三方向DR3上的长度长的长方形的形状。第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个具有在第三方向DR3上的长度比在第一方向DR1上的长度长的长方形的形状。
参考图6D，当在平面图中观察时，第一发光区域EA1和第二发光区域EA2在第一方向DR1上布置并且相互间隔开。第三发光区域EA3和第四发光区域EA4布置在第一发光区域EA1和第二发光区域EA2之间。第三发光区域EA3和第四发光区域EA4在第三方向DR3上布置并且相互间隔开。第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的每个具有在第三方向DR3上的长度比在第一方向DR1上的长度长的长方形的形状。第三发光区域EA3和第四发光区域EA4中的每个具有在第一方向DR1上的长度比在第三方向DR3上的长度长的长方形的形状。
图6A至图6D示出了第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4的布置以及在平面图中观察时第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4的形状。在其它实施方式中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4可以以不同的方式布置和/或可具有不同的形状。
再次参考图1、图2、图3、图4A至图4C以及图5，第一子像素SPX1包括第一子薄膜晶体管、第一子有机发光装置S_OEL1和第一电容器。第一子有机发光装置S_OEL1连接至第一子薄膜晶体管。第一子有机发光装置S_OEL1发射在约440nm至约458nm的波长范围内的光。第一子有机发光装置S_OEL1发射深蓝光。第一子有机发光装置S_OEL1包括在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上顺序堆叠的第一阳极AN1、第一公共发光部分CMLP1、第一子发光部分SMLP1和第一阴极部分CATP1。第一子有机发光装置S_OEL1还包括第一空穴传输区部分HTRP1、第一中间辅助部分IMLP1和第一电子传输区部分ETRP1。第一电容器连接至第一子薄膜晶体管。
第一子像素SPX1包括第一发光区域EA1和第一非发光区域NEA1。第一发光区域EA1发射在约440nm至约458nm的波长范围内的深蓝光。当在平面图中观察时，第一发光区域EA1具有圆形形状、正方形形状、长方形形状或菱形形状中的一个。第一发光区域EA1可具有至少一个角是圆形的四边形的形状。第一非发光区域NEA1不发光。当在平面图中观察时，第一非发光区域NEA1可围绕第一发光区域EA1。
第二子像素SPX2包括第二子薄膜晶体管、第二子有机发光装置S_OEL2和第二电容器。第二子有机发光装置S_OEL2连接至第二子薄膜晶体管，并且发射在约459nm至约490nm的波长范围内的光。因此，第二子有机发光装置S_OEL2发射天蓝光。
第二子有机发光装置S_OEL2包括第二阳极AN2、第二公共发光部分CMLP2、第一辅助层AL1、第二子发光部分SMLP2和第二阴极部分CATP2。第二阳极AN2、第二公共发光部分CMLP2、第一辅助层AL1、第二子发光部分SMLP2和第二阴极部分CATP2在第二方向DR2上顺序堆叠。在一实施方式中，上述部件可以按照第二阳极AN2、第二公共发光部分CMLP2、第二子发光部分SMLP2、第一辅助层AL1和第二阴极部分CATP2的次序堆叠。第二子有机发光装置S_OEL2还包括第二空穴传输区部分HTRP2、第二中间辅助部分IMLP2和第二电子传输区部分ETRP2。第二电容器连接至第二子薄膜晶体管。
第二子像素SPX2包括第二发光区域EA2和第二非发光区域NEA2。第二发光区域EA2发射在约459nm至约490nm的波长范围内的天蓝光。当在平面图中观察时，第二发光区域EA2具有圆形形状、正方形形状、长方形形状和菱形形状中的一个。第二发光区域EA2可具有其至少一个角是圆形的四边形形状。第二非发光区域NEA2不发光。当在平面图中观察时，第二非发光区域NEA2可围绕第二发光区域EA2。
第三子像素SPX3包括第三子薄膜晶体管、第三子有机发光装置S_OEL3和第三电容器。第三子有机发光装置S_OEL3连接至第三子薄膜晶体管。第三子有机发光装置S_OEL3发射在约495nm至约570nm的波长范围内的光。第三子有机发光装置S_OEL3发射绿光。第三子有机发光装置S_OEL3包括在第二方向DR2上顺序堆叠的第三阳极AN3、第三公共发光部分CMLP3和第三阴极部分CATP3。第三子有机发光装置S_OEL3还包括第三空穴传输区部分HTRP3和第三电子传输区部分ETRP3。第三电容器连接至第三子薄膜晶体管。
第三子像素SPX3包括第三发光区域EA3和第三非发光区域NEA3。第三发光区域EA3发射在约495nm至约570nm的波长范围内的绿光。当在平面图中观察时，第三发光区域EA3具有圆形形状、正方形形状、长方形形状或菱形形状中的一个。第三发光区域EA3可具有其至少一个角是圆形的四边形形状。第三非发光区域NEA3不发光。当在平面图中观察时，第三非发光区域NEA3可围绕第三发光区域EA3。
第四子像素SPX4包括第四子薄膜晶体管、第四子有机发光装置S_OEL4和第四电容器。第四子有机发光装置S_OEL4连接至第四子薄膜晶体管。第四子有机发光装置S_OEL4发射在约620nm至约750nm的波长范围内的光。第四子有机发光装置S_OEL4发射红光。第四子有机发光装置S_OEL4包括在第二方向DR2上顺序堆叠的第四阳极AN4、第四公共发光部分CMLP4、发光层EML1和第四阴极部分CATP4。
第四子有机发光装置S_OEL4还包括第四空穴传输区部分HTRP4、第二辅助层AL2和第四电子传输区部分ETRP4。第二辅助层AL2在第四公共发光部分CMLP4与发光层EML1之间，或者在发光层EML1与第四阴极部分CATP4之间。第四电容器连接至第四子薄膜晶体管。
第四子像素SPX4包括第四发光区域EA4和第四非发光区域NEA4。第四发光区域EA4发射在约620nm至约750nm的波长范围内的红光。当在平面图中观察时，第四发光区域EA4具有圆形形状、正方形形状、长方形形状或菱形形状中的一个。第四发光区域EA4可具有其至少一个角是圆形的四边形形状。第四非发光区域NEA4不发光。当在平面图中观察时，第四非发光区域NEA4可围绕第四发光区域EA4。
图7A和图7B是沿图5中的线II-II'截取的截面图。参考图1、图2、图5、图7A和图7B，显示装置包括阳极AN1、AN2、AN3和AN4、像素限定层PDL、空穴传输区HTR、第一公共发光层CML1、第二公共发光层CML2、发光层EML1、电子传输区ETR和阴极CAT。
第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4在钝化层PL上。第一阳极AN1在第一发光区域EA1内。第二阳极AN2在第二发光区域EA2内。第三阳极AN3在第三发光区域EA3内。第四阳极AN4在第四发光区域EA4内。
像素限定层PDL在钝化层PL上，以划分第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4。像素限定层PDL暴露第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4中的每个的上表面。像素限定层PDL包括金属氟化物离子化合物。例如，像素限定层PDL包括LiF、BaF2或CsF中的一个的金属氟化物离子化合物。当金属氟化物离子化合物具有预定厚度时，金属氟化物离子化合物可具有绝缘性能。像素限定层PDL可具有例如约10nm至约100nm的厚度。
空穴传输区HTR在像素限定层PDL、第一阳极AN1、第二阳极AN2、第三阳极AN3和第四阳极AN4上。空穴传输区HTR被提供到衬底表面BS的整个表面(例如，参考图4C)。空穴传输区HTR在第一发光区域EA1、第一非发光区域NEA1、第二发光区域EA2、第二非发光区域NEA2、第三发光区域EA3、第三非发光区域NEA3、第四发光区域EA4和第四非发光区域NEA4内，并且可整体地形成为单个单元。
如上所述，空穴传输区HTR包括第一空穴传输区部分HTRP1、第二空穴传输区部分HTRP2、第三空穴传输区部分HTRP3、第四空穴传输区部分HTRP4、第五空穴传输区部分HTRP5、第六空穴传输区部分和第七空穴传输区部分HTRP7。第一空穴传输区部分HTRP1在第一发光区域EA1内。第二空穴传输区部分HTRP2在第二发光区域EA2内。第三空穴传输区部分HTRP3在第三发光区域EA3内。第四空穴传输区部分HTRP4在第四发光区域EA4内。第五空穴传输区部分HTRP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六空穴传输区部分HTRP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七空穴传输区部分HTRP7在第非三发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL。空穴注入层HIL包括第一空穴注入部分HILP1、第二空穴注入部分HILP2、第三空穴注入部分HILP3、第四空穴注入部分HILP4、第五空穴注入部分HILP5、第六空穴注入部分HILP6和第七空穴注入部分HILP7。第一空穴注入部分HILP1在第一发光区域EA1内。第二空穴注入部分HILP2在第二发光区域EA2内。第三空穴注入部分HILP3在第三发光区域EA3内。第四空穴注入部分HILP4在第四发光区域EA4中。第五空穴注入部分HILP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2中。第六空穴注入部分HILP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七空穴注入部分HILP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
空穴传输层HTL包括第一空穴传输部分HTLP1、第二空穴传输部分HTLP2、第三空穴传输部分HTLP3、第四空穴传输部分HTLP4、第五空穴传输部分HTLP5、第六空穴传输部分HTLP6和第七空穴传输部分HTLP7。第一空穴传输部分HTLP1在第一发光区域EA1内。第二空穴传输部分HTLP2在第二发光区域EA2内。第三空穴传输部分HTLP3在第三l发光区域EA3内。第四空穴传输部分HTLP4在第四发光区域EA4内。第五空穴传输部分HTLP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六空穴传输部分HTLP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七空穴传输部分HTLP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
第一公共发光层CML1在空穴传输区HTR上。第一公共发光层CML1包括第一公共发光部分CMLP1、第二公共发光部分CMLP2、第三公共发光部分CMLP3、第四公共发光部分CMLP4、第五公共发光部分CMLP5、第六公共发光部分CMLP6和第七公共发光部分CMLP7。第一公共发光部分CMLP1在第一发光区域EA1内。第二公共发光部分CMLP2在第二发光区域EA2内。第三公共发光部分CMLP3在第三发光区域EA3内。第四公共发光部分CMLP4在第四发光区域EA4内。第五公共发光部分CMLP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六公共发光部分CMLP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七公共发光部分CMLP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。第一公共发光层CML1发射波长比第一光和第二光中的至少一个的波长长的第三光。第三光在约495nm至约570nm的波长范围内。
第一辅助层AL1在第一公共发光层CML1上。第一辅助层AL1在第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2之间，或者在第二公共发光层CML2上。第一辅助层AL1在第二发光区域EA2中。
第二公共发光层CML2在第一公共发光层CML1上。第二公共发光层CML2发射在约440nm至约490nm的波长范围内的第二光。第二公共发光层CML2在第一发光区域EA1、第一非发光区域NEA1、第二发光区域EA2和第二非发光区域NEA2内，并且可整体地形成为单个单元。
如上所述，第二公共发光层CML2包括第一子发光部分SMLP1、第二子发光部分SMLP2和第三子发光部分SMLP3。第一子发光部分SMLP1在第一发光区域EA1内。第二子发光部分SMLP2在第二发光区域EA2内。第三子发光部分SMLP3在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。
参考图7B，中间辅助层IML在第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2之间。中间辅助层IML防止空穴从第一公共发光层CML1传输到第二公共发光层CML2。因此，中间辅助层IML可防止第三光从第一子有机发光装置S_OEL1和第二子有机发光装置S_OEL2中的每个发射。
如上所述，中间辅助层IML包括第一中间辅助部分IMLP1、第二中间辅助部分IMLP2和第三中间辅助部分IMLP3。第一中间辅助部分IMLP1在第一发光区域EA1内。第二中间辅助部分IMLP2在第二发光区域EA2内。第三中间辅助部分IMLP3在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。
再次参考图1、图2、图5、图7A和图7B，发光层EML1在第一公共发光层CML1上。发光层EML1在第四发光区域EA4内。发光层EML1发射在约620nm至约750nm的波长范围内的第一光。
中间连接层可以在第二公共发光层CML2和电子传输区ETR之间、在第一公共发光层CML1和电子传输区ETR之间以及在发光层EML1和电子传输区ETR之间。
参考图7B，第二辅助层AL2在第一公共发光层CML1上。第二辅助层AL2在第一公共发光层CML1和发光层EML1之间，或者在发光层EML1上。第二辅助层AL2在第四发光区域EA4内。
参考图1、图2、图5、图7A和图7B，电子传输区ETR在第一公共发光层CML1、第二公共发光层CML2和发光层EML1上。电子传输区ETR在第一发光区域EA1、第一非发光区域NEA1、第二发光区域EA2、第二非发光区域NEA2、第三发光区域EA3、第三非发光区域NEA3、第四发光区域EA4和第四非发光区域NEA4内，并且可被提供为单个单元。
如上所述，电子传输区ETR包括第一电子传输区部分ETRP1、第二电子传输区部分ETRP2、第三电子传输区部分ETRP3、第四电子传输区部分ETRP4、第五电子传输区部分ETRP5、第六电子传输区部分ETRP6和第七电子传输区部分ETRP7。第一电子传输区部分ETRP1在第一发光区域EA1内。第二电子传输区部分ETRP2在第二发光区域EA2内。第三电子传输区部分ETRP3在第三发光区域EA3内。第四电子传输区部分HTRP4在第四发光区域EA4内。第五电子传输区部分HTRP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六电子传输区部分ETRP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七电子传输区部分HTRP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
电子传输区ETR包括电子传输层ETL和电子注入层EIL。在一实施方式中，可省略电子传输层ETL和/或电子注入层EIL。电子传输层ETL包括第一电子传输部分ETLP1、第二电子传输部分ETLP2、第三电子传输部分ETLP3、第四电子传输部分ETLP4、第五电子传输部分ETLP5、第六电子传输部分ETLP6和第七电子传输部分ETLP7。第一电子传输部分ETLP1在第一发光区域EA1内。第二电子传输部分ETLP2在第二发光区域EA2内。第三电子传输部分ETLP3在第三发光区域EA3内。第四电子传输部分ETLP4在第四发光区域EA4内。第五电子传输部分ETLP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六电子传输部分ETLP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七电子传输部分ETLP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
电子注入层EIL包括第一电子注入部分EILP1、第二电子注入部分EILP2、第三电子注入部分EILP3、第四电子注入部分EILP4、第五电子注入部分EILP5、第六电子注入部分EILP6和第七电子注入部分EILP7。第一电子注入部分EILP1在第一发光区域EA1内。第二电子注入部分EILP2在第二发光区域EA2内。第三电子注入部分EILP3在第三发光区域EA3内。第四电子注入部分EILP4在第四发光区域EA4内。第五电子注入部分EILP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六电子注入部分EILP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七电子注入部分EILP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
阴极CAT在电子传输区ETR上。阴极CAT在第一发光区域EA1、第一非发光区域NEA1、第二发光区域EA2、第二非发光区域NEA2、第三发光区域EA3、第三非发光区域NEA3、第四发光区域EA4和第四非发光区域NEA4内，并且可被提供为单个单元。
如上所述，阴极CAT包括第一阴极部分CATP1、第二阴极部分CATP2、第三阴极部分CATP3、第四阴极部分CATP4、第五阴极部分CATP5、第六阴极部分CATP6和第七阴极部分CATP7。第一阴极部分CATP1在第一发光区域EA1内。第二阴极部分CATP2在第二发光区域EA2内。第三阴极部分CATP3在第三发光区域EA3内。第四阴极部分CATP4在第四发光区域EA4内。第五阴极部分CATP5在第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内。第六阴极部分CATP6在第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3内。第七阴极部分CATP7在第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。
可将有机包覆层配置在阴极CAT上。有机包覆层在第一发光区域EA1、第一非发光区域NEA1、第二发光区域EA2、第二非发光区域NEA2、第三发光区域EA3、第三非发光区域NEA3、第四发光区域EA4和/或第四非发光区域NEA4内可被提供为单个单元。
有机包覆层可用有机包覆层的上表面将从发光层EML1、第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2发射的光反射到发光层EML1、第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2。反射光由于共振效应而在有机层中被放大。因此，可提高显示装置10的光效率。有机包覆层可防止光由于光在正表面发光型有机发光装置中的全反射而在阴极中散失。
有机包覆层可包括例如TPD15(N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺)、TCTA(4,4',4"-三(咔唑溶胶-9-基)三苯胺或者α-NPD(N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)。
可将密封层配置在阴极CAT上。密封层可在第一发光区域EA1、第一非发光区域NEA1、第二发光区域EA2、第二非发光区域NEA2、第三发光区域EA3、第三非发光区域NEA3、第四发光区域EA4和/或第四非发光区域NEA4内提供为单个单元。
密封层可覆盖阴极CAT，并且可包括有机层或无机层中的至少一个。密封层可以是例如薄膜密封层。密封层可保护有机发光装置OEL(例如，参考图1)。
在包括发射天蓝光的子有机发光装置和发射深蓝光的子有机发光装置的一个类型的有机发光装置中，发射天蓝光的发光层通过与用于形成发射深蓝光的发光层的过程分离的过程形成。因此，有机发光装置的制造过程变得复杂。而且，发光效率由于制造有机发光装置时进入有机发光装置的外来物质而变差。
然而，根据本示例性实施方式，发射天蓝光的发光层和发射深蓝光的发光层可通过单个过程形成，以具有单层结构。因此，简化了有机发光装置的制造过程。而且，由于发光层基本上不暴露于外来物质，所以防止了发光效率变差。
图8示出了用于制造显示装置的方法的实施方式，该实施方式例如可以是先前讨论的显示装置的实施方式中的任何实施方式。图9A至图9F是示出了图8的方法的各个阶段的截面图。
参考图8以及图9A至图9F，该方法包括在包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4的基板SUB上提供第一公共发光层CML1。第一公共发光层CML1可放置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4内(S100)。该方法还包括使用第一掩模MSK1在第一公共发光层CML1上提供第一辅助层AL1，使得第一辅助层AL1放置在第二发光区域EA2内(S200)。该方法还包括使用第二掩模MSK2在第一公共发光层CML1和第一辅助层AL1上或者在第一公共发光层CML1与第一辅助层AL1之间提供第二公共发光层CML2，使得第二公共发光层CML2放置在第一发光区域EA1和第二发光区域EA2内(S300)。该方法还包括使用第三掩模MSK3将发光层EML1提供在第一公共发光层CML1上，使得发光层EML1放置在第四发光区域EA4中(S400)。
参考图8和图9A，准备了包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4的基板SUB。第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2配置在第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间。第二非发光区域NEA2和第三非发光区域NEA3配置在第二发光区域EA2与第三发光区域EA3之间。第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4配置在第三发光区域EA3与第四发光区域EA4之间。
参考图4C和图8，基板SUB包括基础衬底BS、第一半导体层SM1、第二半导体层SM2、栅绝缘层GI、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、中间绝缘层IL、第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、钝化层PL、阳极AN和像素限定层PDL(参考图7A)。
参考图8和图9B，第一公共发光层CML1提供在基板SUB上(S100)。第一公共发光层CML1可提供到基板SUB的整个表面。第一公共发光层CML1可在不使用单独掩模的情况下提供在基板SUB上。第一公共发光层CML1放置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第三发光区域EA3、第四发光区域EA4、第一非发光区域NEA1、第二非发光区域NEA2、第三非发光区域NEA3和第四非发光区域NEA4内。第一公共发光层CML1发射在约440nm至约490nm的波长范围内的光、在约495nm至约570nm的波长范围内的光和在约620nm至约750nm的波长范围内的光中的至少一种光。
参考图8和图9C，使用第一掩模MSK1将第一辅助层AL1提供在第一公共发光层CML1上(S200)。在一实施方式中，第一辅助层AL1可提供在第二公共发光层CML2和第一公共发光层CML1之间(参考图9D)。第一辅助层AL1也可以提供在第二公共发光层CML2上。第一掩模MSK1包括穿过其而形成以对应于第二发光区域EA2的孔。第一掩模MSK1可以是例如精细金属掩模。第一辅助层AL1放置在第二发光区域EA2内，并且不放置在第一发光区域EA1、第三发光区域EA3和第四发光区域EA4内。
参考图8和图9D，使用第二掩模MSK2将第二公共发光层CML2提供在第一公共发光层CML1和第一辅助层AL1上(S300)。第二掩模MSK2包括穿过其而形成以分别对应于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2的孔。第二掩模MAK2可以是例如精细金属掩模。第二公共发光层CML2放置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内，并且可被提供为单个单元。第二公共发光层CML2不放置在第三发光区域EA3和第四发光区域EA4内。
第二公共发光层CML2发射具有与第一公共发光层CML1所发射的光的波长不同的波长的光。例如，第二公共发光层CML2发射在约440nm至约490nm的波长范围内的光、在约495nm至约570nm的波长范围内的光和在约620nm至约750nm的波长范围内的光中的至少一种光。
该方法还可包括使用第二掩模MSK2在第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2之间提供中间辅助层IML(参考图7B)。中间辅助层IML(参考图7B)放置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2、第一非发光区域NEA1和第二非发光区域NEA2内，并且可提供在单个单元中。中间辅助层IML(参考图7B)不放置在第三发光区域EA3和第四发光区域EA4内。
参考图8和图9E，该方法还可包括使用第四掩模MSK4在第一公共发光层CML1和发光层EML1之间提供第二辅助层AL2。第二辅助层AL2可提供在发光层EML1上。第四掩模MSK4包括穿过其而形成以对应于第四发光区域EA4的孔。第二辅助层AL2放置在第四发光区域EA4内，并且不放置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3内。
参考图8和图9F，使用第三掩模MSK3将发光层EML1提供在第一公共发光层CML1上(S400)。第三掩模MSK3包括穿过其而形成以对应于第四发光区域EA4的孔。第三掩模MSK3可以是例如精细金属掩模。第三掩模MSK3可以与第四掩模MSK4基本相同。发光层EML1放置在第四发光区域EA4内，并且不放置在第一发光区域EA1、第二发光区域和第三发光区域EA3内。发光层EML1发射这样波长的光，该波长与第一公共发光层CML1和第二公共发光层CML2中的每个所发射的光的波长不同。发光层EML1发射在约440nm至约490nm的波长范围内的光、在约495nm至约570nm的波长范围内的光以及在约620nm至约750nm的波长范围内的光中的至少一种光。
在包括发射天蓝光的子有机发光装置和发射深蓝光的子有机发光装置的一个类型的有机发光装置中，发射天蓝光的发光层通过与用于形成发射深蓝光的发光层的过程分离的过程形成。因此，有机发光装置的制造工序变得复杂。而且，发光效率由于制造有机发光装置时进入有机发光装置的外来物质而变差。
然而，根据本示例性实施方式，发射天蓝光的发光层和发射深蓝光的发光层通过单个过程形成，以具有单层结构。因此，简化了有机发光装置的制造过程。而且，由于发光层基本上不暴露于外来物质，所以防止了发光效率变差。
在本文中，公开了示例性实施方式，并且，虽然采用了特定的词语，但是这些词语仅以一般性和描述性的意义使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些示例中，将对本申请提交时的本领域技术人员显而易见的是，除非另有陈述，否则根据具体实施方式所描述的部件、特性和/或元件可单独使用，或者可以与根据其它实施方式所描述的部件、特征和/或元件结合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不背离所附权利要求中阐述的实施方式的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。
Claims (18)
1.一种有机发光装置，包括：
第一子有机发光装置，包括第一阳极、第一公共发光部分和第一子发光部分；
第二子有机发光装置，包括第二阳极、第二公共发光部分、第一辅助层和第二子发光部分；
第三子有机发光装置，包括第三阳极和第三公共发光部分；以及
第四子有机发光装置，包括第四阳极、第四公共发光部分和发射第一光的发光层，
其中所述第一子发光部分和所述第二子发光部分被提供为整体结构并且发射第二光，并且，其中所述第一公共发光部分、所述第二公共发光部分、所述第三公共发光部分和所述第四公共发光部分被提供为整体结构并且发射第三光，所述第三光具有比所述第一光和所述第二光中的至少一个的波长更长的波长。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：
所述第一光在620nm至750nm的波长范围内，
所述第二光在440nm至490nm的波长范围内，并且所述第三光在495nm至570nm的波长范围内。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：
所述第一子有机发光装置发射在440nm至458nm的波长范围内的光，
所述第二子有机发光装置发射在459nm至490nm的波长范围内的光，
所述第三子有机发光装置发射在495nm至570nm的波长范围内的光，以及
所述第四子有机发光装置发射在620nm至750nm的波长范围内的光。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一辅助层在所述第二公共发光部分与所述第二子发光部分之间，或者在所述第二子发光部分上。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：
所述第四子有机发光装置包括第二辅助层，并且
所述第二辅助层在所述第四公共发光部分与所述发光层之间，或者在所述发光层上。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：
所述第一子有机发光装置包括第一中间辅助部分，所述第一中间辅助部分在所述第一公共发光部分与所述第一子发光部分之间，
所述第二子有机发光装置包括第二中间辅助部分，所述第二中间辅助部分在所述第二子发光部分与所述第一辅助层之间，以及
所述第一中间辅助部分与所述第二中间辅助部分以整体结构提供。
7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一子有机发光装置、所述第二子有机发光装置和所述第三子有机发光装置相互间隔开。
8.一种显示装置，包括：
基础衬底，包括相互间隔开的第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域和第四发光区域；
第一公共发光层，在所述第一发光区域、所述第二发光区域、所述第三发光区域和所述第四发光区域内，并且被提供为单个结构；
第二公共发光层，在所述第一发光区域和所述第二发光区域内，所述第二公共发光层被提供在所述第一公共发光层上，并且被提供为单个结构；
第一辅助层，在所述第二发光区域内，并且在所述第一公共发光层与所述第二公共发光层之间或者在所述第二公共发光层上；以及
发光层，在所述第四发光区域内且在所述第一公共发光层上以发射第一光，其中，所述第二公共发光层发射第二光，以及，其中所述第一公共发光层发射第三光，所述第三光具有比所述第一光和所述第二光中的至少一个的波长更长的波长。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中所述第一公共发光层在所述基础衬底的整个表面上。
10.如权利要求8所述的显示装置，其中：
所述第一光在620nm至750nm的波长范围内，
所述第二光在440nm至490nm的波长范围内，以及
所述第三光在495nm至570nm的波长范围内。
11.如权利要求8所述的显示装置，其中：
所述第一发光区域发射在440nm至458nm的波长范围内的光，
所述第二发光区域发射在459nm至490nm的波长范围内的光，
所述第三发光区域发射在495nm至570nm的波长范围内的光，以及
所述第四发光区域发射在620nm至750nm的波长范围内的光。
12.如权利要求8所述的显示装置，进一步包括：
第二辅助层，在所述第四发光区域内，并且在所述第一公共发光层与所述发光层之间或者在所述发光层上。
13.如权利要求8所述的显示装置，进一步包括：
中间层，在所述第一发光区域和所述第二发光区域内，所述中间层在所述第一公共发光层与所述第二公共发光层之间，或者在所述第二公共发光层上，并且被提供为单个结构。
14.如权利要求8所述的显示装置，进一步包括：
空穴传输区，在所述第一发光区域、所述第二发光区域、所述第三发光区域和所述第四发光区域内，所述空穴传输区在所述基础衬底与所述第一公共发光层之间，并且被提供为单个结构。
15.如权利要求14所述的显示装置，其中，所述空穴传输区包括：
空穴注入层，在所述基础衬底上，以及
空穴传输层，在所述空穴注入层上，
其中，所述空穴传输层的至少一部分包括p型掺杂剂。
16.如权利要求8所述的显示装置，进一步包括：
电子传输区，在所述第一发光区域、所述第二发光区域、所述第三发光区域和所述第四发光区域内，所述电子传输区被提供在所述第一公共发光层、所述第二公共发光层和所述发光层上，并且被提供为单个结构。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述电子传输区包括：
电子传输层，在所述第一公共发光层、所述第二公共发光层和所述发光层上；以及
电子注入层，在所述电子传输层上。
18.如权利要求8所述的显示装置，其中：
在第一模式中，光从所述第一发光区域、所述第二发光区域、所述第三发光区域和所述第四发光区域中的每个发射，
在第二模式中，光从所述第一发光区域、所述第三发光区域和所述第四发光区域中的每个发射，并且不从所述第二发光区域发射，以及
在第三模式中，光从所述第二发光区域、所述第三发光区域和所述第四发光区域中的每个发射，并且不从所述第一发光区域发射。
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