CN102800812A - 有机发光装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 29
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 19
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 9
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 7
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 claims description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RNKGDBXXIBUOTR-UHFFFAOYSA-N 3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1-carbonitrile Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C#N)=C1 RNKGDBXXIBUOTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,2-n,2-n-tetraphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 311
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- KMQPLEYEXDZOJF-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C4=CC5=CC=CC=C5C=C4)=CC=CC3=CC2=C1 KMQPLEYEXDZOJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- VDDHNYSCGXIRNH-UHFFFAOYSA-N B1OCC=CO1 Chemical compound B1OCC=CO1 VDDHNYSCGXIRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- GIFAOSNIDJTPNL-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-(2-phenylphenyl)naphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 GIFAOSNIDJTPNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种有机发光装置,所述有机发光装置包括多个像素,每个像素包括具有彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素。每个像素包括:基底;第一电极层,位于所述基底上;第一发光层,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一电极层上;辅助层,在所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一发光层上;第二发光层,在所述第二子像素中设置在所述辅助层上;第三发光层,在所述第三子像素中设置在所述辅助层上;以及第二电极层,在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层上。
Description
本申请要求于2011年5月23日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0048501号韩国专利申请的权益,该申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法,更具体地说,涉及一种使用公共发光层的有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法。
背景技术
当与液晶装置相比时,利用在施加的电压下自发光的材料的装置(即,有机发光装置)具有更高的亮度、更宽的视角和更快的响应速度的特性,并且因为有机发光装置不需要背光,所以可以将有机发光装置制得更纤薄。
有机发光装置具有有机发光层设置在阳极和阴极之间的结构。当施加电压时,来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入到有机发光层中。注入的空穴和电子使得电子在有机发光层中的相邻分子之间传送,并且注入的空穴和电子移向相对的电极。当电子和空穴在特定的分子处复合时,形成具有高能激发态的分子激子。当分子激子返回低能基态时,发射材料所固有的光。
有机发光装置由多个像素构成,每个像素包括子像素R、G和B。使用阴影掩模或精细金属掩模将每个子像素图案化。图案化的掩模的数量越多,工艺变得越复杂,未对准的可能性越大,并且成本越高。另外,在使用掩模进行图案化的过程中,会存在由于阴影现象或掩模弯曲现象导致的局限性。
发明内容
当前实施例提供了一种有机发光装置和一种制造所述有机发光装置的方法,其中,可以通过减少掩模的数量来简化所述有机发光装置的结构和工艺。
根据当前实施例的一方面,提供了一种有机发光装置,所述有机发光装置包括多个像素,多个像素包括具有彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,每个像素包括:基底;第一电极层,位于所述基底上;第一发光层,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一电极层上;辅助层,在所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一发光层上;第二发光层,在所述第二子像素中设置在所述辅助层上;第三发光层,在所述第三子像素中设置在所述辅助层上;以及第二电极层,在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层上。
所述辅助层可以是空穴注入材料和空穴传输材料的共沉积层。另外,所述辅助层可以包括:第一辅助层,包括空穴注入材料;第二辅助层,包括空穴传输材料,并位于所述第一辅助层上。另外,辅助层可以具有浓度梯度,其中,在所述辅助层的下部中空穴注入材料的浓度大于空穴传输材料的浓度,在所述辅助层的上部中空穴传输材料的浓度大于空穴注入材料的浓度。
这里,所述空穴注入材料可以包括酞菁化合物、m-MTDATA、TDATA、2T-NATA、NPB、PEDOT/PSS、Pani/DBSA、Pani/CSA或PANI/PSS,所述空穴传输材料可以包括N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑、TPD、α-NPD或TCTA。
所述辅助层还可以包括p型掺杂剂。所述p型掺杂剂可以包括四氰醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)或1,3,2-二氧杂硼烷。
所述第一电极层可以是阳极,所述第二电极层可以是阴极。所述第一发光层可以是蓝光发射层,所述第二发光层可以是红光发射层,所述第三发光层可以是绿光发射层。所述有机发光装置还可以包括:空穴注入层,位于所述第一电极层和所述第一发光层之间;以及空穴传输层,位于所述空穴注入层上。所述有机发光装置还可以包括位于所述第二电极层与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层之间的电子传输层和电子注入层,电子注入层位于所述电子传输层上。
根据当前实施例的另一方面,提供了一种有机发光装置,所述有机发光装置包括多个像素,多个像素包括具有彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,每个像素包括:基底;第一电极层,位于所述基底上;第一发光层,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一电极层上;辅助层,在所述第一子像素和所述第二子像素中设置在所述第一发光层上;第二发光层,在所述第二子像素中设置在所述辅助层上;第三发光层,位于所述第一发光层、所述辅助层和所述第二发光层上;以及第二电极层,位于所述第三发光层上。
所述第三发光层可以具有电子传输特性。
所述第一发光层可以是蓝光发射层,所述第二发光层可以是红光发射层,所述第三发光层可以是绿光发射层。另外,所述第一发光层可以是蓝光发射层,所述第二发光层可以是绿光发射层,所述第三发光层可以是红光发射层。
所述辅助层可以包括:第一辅助层,包括空穴注入材料;以及第二辅助层,包括空穴传输材料,并位于所述第一辅助层上。
所述辅助层还可以包括p型掺杂剂。
所述第一电极层可以是阳极,所述第二电极层可以是阴极。所述有机发光装置还可以包括:空穴注入层,位于所述第一电极层和所述第一发光层之间;以及空穴传输层,位于所述空穴注入层上。所述有机发光装置还可以包括位于所述第二电极层与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层之间的电子传输层和电子注入层,电子注入层位于所述电子传输层上。
附图说明
通过参照附图详细描述当前实施例的示例实施例,当前实施例的以上和其它特征及优点将变得更加明显,在附图中:
图1是示意性地示出根据实施例的有机发光装置的剖视图;
图2是示意性地示出根据另一实施例的有机发光装置的剖视图;
图3是示意性地示出根据另一实施例的有机发光装置的剖视图。
具体实施方式
现在,将参照附图更充分地描述当前实施例,在附图中示出了示例实施例。然而,当前实施例可以具有许多不同的形式,且不应该被理解为局限于在此阐述的实施例;而是,提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的,并将把实施例的构思充分地传达给本领域的技术人员。在附图中,为了清晰起见,夸大了层和区域的厚度。在附图中,相同的附图标记表示相同的元件。
图1是示意性地示出根据实施例的有机发光装置100的剖视图。图1的有机发光装置100包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。
参照图1,有机发光装置100包括位于基底101上的阳极111、位于阳极111上的空穴注入层121、位于空穴注入层121上的空穴传输层122、在红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中设置在空穴传输层122上的蓝光发射层131、位于蓝光发射层131上的辅助层124、位于辅助层124上的绿光发射层133和红光发射层132、位于绿光发射层133、红光发射层132和蓝光发射层131上的电子传输层127以及位于电子传输层127上的阴极141。选择性地,电子注入层(未示出)还可以包括在电子传输层127和阴极141之间。
对于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的整个表面,蓝光发射层131公共地形成。即,蓝光发射层131形成所谓的蓝色公共层(BCL)。绿光发射层133和红光发射层132分别限制性地形成在绿色子像素区域G和红色子像素区域R中。
辅助层124可以参与帮助穿过蓝光发射层131的空穴有效地传送到绿光发射层133和红光发射层132。辅助层124可以由第一辅助层125和第二辅助层126构成。第一辅助层125可以用作空穴注入层,第二辅助层126可以用作空穴传输层。辅助层124还可以用于调节每个颜色子像素的光学共振距离。调节空穴注入层或空穴传输层的厚度,使得辅助层124不会形成在蓝色子像素区域B中。此时,辅助层124可以在红色子像素区域R和绿色子像素区域G以相同的厚度使用,以使得掩模的数量减少。关于发射绿光,可以根据红色发射的光学共振距离来调节辅助层124的厚度。
可以通过空穴注入材料和空穴传输材料的共沉积来形成辅助层124,或者可以将辅助层124形成为在空穴注入材料和空穴传输材料之间具有浓度梯度。当形成浓度梯度时,在辅助层124中,沿着接近阳极111的方向,空穴注入材料的浓度大于空穴传输材料的浓度,并且反之亦然,沿着远离阳极111的方向,空穴传输材料的浓度大于空穴注入材料的浓度。
在下文中,描述构成每个层的材料。
可以使用用于典型的有机发光装置的基底作为基底101,并可以使用具有良好的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整性、处理便利性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。基底101可以包括不透明材料,例如硅和不锈钢。开关器件或驱动器件可以形成在基底101中。
阳极111可以包括具有大逸出功的材料。例如,阳极111可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂Al的氧化锌(AZO)或氧化铟(In2O3)的透明导电氧化物。
空穴注入层121的示例可以包括酞菁化合物(例如铜酞菁)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N’-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4’,4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺(2T-NATA)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS),但空穴注入层121不限于此。空穴注入层121的厚度可以在大约至大约的范围内,例如大约至大约的范围内。当空穴注入层121的厚度满足上述范围时,可以获得令人满意的空穴注入特性,而驱动电压不会显著增大。
例如,空穴传输层122可以使用公知的空穴传输材料,其包括:咔唑衍生物,例如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑;具有芳香缩合环的胺衍生物,例如N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)或4,4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD);三苯胺类材料,例如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA);等等。除了空穴传输的作用之外,例如,上述材料中的TCTA还可以参与防止激子从发光层扩散。
空穴传输层和空穴注入层可以由具有空穴传输功能和空穴注入功能的功能层代替。
蓝光发射层131可以包括一种蓝光发射材料或者蓝色主体和蓝色掺杂剂的组合。当使用蓝色主体和蓝色掺杂剂的组合时,已知的蓝色主体的示例可以为Alq3、4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、E3、二苯乙烯基亚芳基化合物(DSA,distyrylarylene),但蓝光发射层131不限于此。
可以选择性地使用具有空穴传输特性的材料作为蓝色主体。例如,可以使用诸如ADN的材料作为具有空穴传输特性的蓝色主体。
作为公知的蓝色掺杂剂,可以使用F2Irpic、(F2PPy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴、4,4’-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)或2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe),但是蓝色掺杂剂不限于此。
辅助层124可以由两层构成,即,由作为空穴注入层的第一辅助层125和作为空穴传输层的第二辅助层126构成。
第一辅助层125可以包括用于空穴注入层的材料,例如,酞菁化合物(例如,铜酞菁)、m-MTDATA、TDATA、2T-NATA、NPB、PEDOT/PSS、Pani/DBSA、Pani/CSA或PANI/PSS。
第二辅助层126可以包括用于空穴传输层的材料,例如咔唑衍生物(例如,N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑)、具有芳香缩合环的胺衍生物(例如,TPD或α-NPD)和三苯胺类材料(例如,TCTA)等。
第一辅助层125或第二辅助层126还可以包括p型掺杂剂材料。p型掺杂剂的示例可以为四氰醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)或1,3,2-二氧杂硼烷(1,3,2-dioxaborine)。
选择性地,辅助层124可以包括空穴注入材料和空穴传输材料的混合物。可选地,空穴注入材料和空穴传输材料还可以在辅助层124中形成浓度梯度。例如,辅助层124的空穴注入材料的浓度在接近蓝光发射层131的方向上较高,辅助层124的空穴传输材料的浓度可在接近红光发射层132和绿光发射层133的方向上较高。
红光发射层132可以包括一种红光发射材料或者红色主体和红色掺杂剂的组合。当使用红色主体和红色掺杂剂的组合时,与蓝色主体一样,红色主体的示例可以为Alq3、CBP、PVK、ADN、TCTA、TPBI、TBADN、E3或DSA。可以选择性地使用具有电子传输特性的材料作为红色主体。
作为公知的红色掺杂剂,可以使用PtOEP、Ir(piq)3或Btp2Ir(acac),但是红色掺杂剂不限于此。
绿光发射层133可以包括一种绿光发射材料或者绿色主体和绿色掺杂剂的组合。当使用绿色主体和绿色掺杂剂的组合时,与蓝色主体一样,绿色主体的示例可以为Alq3、CBP、PVK、ADN、TCTA、TPBI、TBADN、E3或DSA。可以选择性地使用具有电子传输特性的材料作为绿色主体。当使用具有电子传输特性的材料作为绿光发射层133的绿色主体和红光发射层132的红色主体时,可以省略电子传输层127。
作为公知的绿色掺杂剂,可以使用Alq3、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mpyp)3,但是绿色掺杂剂不限于此。
当蓝光发射层131、绿光发射层133和红光发射层132包括主体和掺杂剂的组合时,基于100重量份的主体,通常在大约0.01重量份至大约15重量份的范围内选择掺杂剂的含量。然而,掺杂剂的含量不限于此。蓝光发射层131、绿光发射层133和红光发射层132的厚度可以在大约至大约的范围内。
可以使用公知的电子传输材料作为电子传输层127。已知的电子传输材料的示例可以为4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝(BAlq)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、二(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)或2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)。
电子传输层127可以将含金属的材料包括到电子传输有机材料。例如,含金属的材料可以包括Li配合物。
可选地,构成电子注入层(未示出)的材料的示例可以为LiQ、LiF、Li2O、NaCl、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaO、BaF2或RaF2,但是构成电子注入层的材料不限于此。
电子传输层和电子注入层可以由具有电子传输功能和电子注入功能的功能层代替。
例如,阴极141可以包括含有Li、Mg、Al、Ca、Ag、Al:Li、Mg:In或Mg:Ag的材料,但是该材料不限于此。
接下来描述制造图1中的有机发光装置的方法的示例。
首先,在基底101上形成阳极111。例如,可以通过真空沉积方法或溅射方法形成阳极111。在阳极111上顺序地形成空穴注入层121和空穴传输层122。在空穴传输层122上形成蓝光发射层131。对于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的整个表面,可以公共地形成阳极111、空穴注入层121、空穴传输层122和蓝光发射层131。在蓝光发射层131上形成辅助层124。可以在红色子像素区域R和绿色子像素区域G中将辅助层124形成到相同的厚度。此时,可以不在蓝色子像素区域B中形成辅助层124。在辅助层124上形成红光发射层132和绿光发射层133。在红色子像素区域R中将红光发射层132形成为一层,并且在绿色子像素区域G中将绿光发射层133形成为一层。在蓝光发射层131、红光发射层132和绿光发射层133上形成电子传输层127。例如,可以通过真空沉积方法、旋涂方法、喷墨方法或喷嘴方法形成有机层。在电子传输层127上形成阴极141。可选地,在电子传输层127上形成电子注入层(未示出),并可以在电子注入层(未示出)上形成阴极141。例如,可以通过真空沉积方法形成阴极141。
图2是示意性地示出根据另一实施例的有机发光装置200的剖视图。主要描述与图1的有机发光装置100的不同之处。
在有机发光装置200中,红光发射层232位于辅助层124上,作为公共层的绿光发射层233位于红光发射层232上。红光发射层232仅形成在红色子像素区域R中;对于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的整个表面,与蓝光发射层131一样,绿光发射层233公共地形成。因此,绿光发射层233形成绿色公共层(GCL)。因为绿光发射层233对于子像素的整个表面是共用的,所以不使用多于一个的掩模来形成发光层,从而可以进一步简化有机发光装置的结构和制造工艺。另外,可以通过在不同的时间形成红光发射层232和绿光发射层233来防止阴影现象,在阴影现象中,红光发射材料在使用掩模沉积红光发射层的过程中侵入到绿色子像素区域G中。
接下来描述制造图2中的有机发光装置的方法的示例。主要描述与制造图1的有机发光装置100的方法的不同之处。
如在制造图1的有机发光装置100的方法中所描述的,在基底101上顺序地形成阳极111、空穴注入层121、空穴传输层122、蓝光发射层131和辅助层124。在红色子像素区域R中在辅助层124上形成红光发射层232;对于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的整个表面,在红光发射层232、辅助层124和蓝光发射层131上公共地形成绿光发射层233。然后,形成电子传输层127、电子注入层(未示出)和阴极141的工艺与制造图1的有机发光装置100的方法相同。
图3是示意性地示出根据另一实施例的有机发光装置300的剖视图。主要描述与图1的有机发光装置100的不同之处。
在有机发光装置300中,绿光发射层333位于辅助层124上,红光发射层332位于绿光发射层333上。绿光发射层333仅形成在绿色子像素区域G中;与蓝光发射层131一样,对于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的整个表面,红光发射层332公共地形成。因此,红光发射层332形成红色公共层(RCL)。因为红光发射层332对于子像素R、G和B的整个表面是共用的,所以不使用多于一个的掩模,从而可以进一步简化有机发光装置的结构和制造工艺。另外,可以通过在不同的时间形成红光发射层332和绿光发射层333来防止阴影现象,在阴影现象中,绿光发射材料在使用掩模沉积绿光发射层的过程中侵入到红色子像素区域R中。
接下来描述制造图3中的有机发光装置的方法的示例。主要描述与制造图1的有机发光装置100的方法的不同之处。
如在制造图1的有机发光装置的方法中所描述的,在基底101上顺序地形成阳极111、空穴注入层121、空穴传输层122、蓝光发射层131和辅助层124。在绿色子像素区域中在辅助层124上形成绿光发射层333;对于红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的整个表面,在绿光发射层333、辅助层124和蓝光发射层131上公共地形成红光发射层332。然后,形成电子传输层127、电子注入层(未示出)和阴极141的工艺与制造图1的有机发光装置100的方法相同。
表1将图1的有机发光装置100(示例)的红色、绿色和蓝色的发光效率与具有典型结构的有机发光装置(对比示例)的红色、绿色和蓝色的发光效率进行比较。具有典型结构的有机发光装置的结构与图1的有机发光装置100(示例)的结构的不同之处在于:在相应的子像素中形成红色、绿色和蓝光发光层,而没有使用公共发光层;并且关于每个子像素使用不同厚度的辅助层。
表1
如在表1中示出的,示例中的有机发光装置100的蓝色子像素和绿色子像素的发光效率分别与对比示例中的蓝色子像素和绿色子像素的发光效率相同。示例中的有机发光装置100的红色子像素的发光效率略微高于对比示例中的红色子像素的发光效率。因此,可以理解的是,根据实施例,通过在形成发光层和辅助层的过程中减少掩模的数量,可以将发光效率保持为高,以及简化结构和工艺。
在有机发光装置的以上实施例中,描述了按照阳极/空穴注入层/空穴传输层/蓝光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/辅助层/红光发射层(红色区域)和绿光发射层(绿色区域)/电子传输层/电子注入层/阴极,或者阳极/空穴注入层/空穴传输层/蓝光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/辅助层/红光发射层(红色区域)/绿光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/电子传输层/电子注入层/阴极,或者阳极/空穴注入层/空穴传输层/蓝光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/辅助层/绿光发射层(绿色区域)/红光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/电子传输层/电子注入层/阴极的顺序的结构。
作为其它实施例,有机发光装置可以具有按照空穴传输层/绿光发射层(绿色区域)和红光发射层(红色区域)/辅助层/蓝光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/电子传输层,或者空穴传输层/红光发射层/绿光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/辅助层/蓝光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/电子传输层,或者空穴传输层/绿光发射层(绿色区域)/红光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/辅助层/蓝光发射层(红色区域、绿色区域和蓝色区域)/电子传输层的顺序的结构。即,可以改变蓝光发射层和绿光发射层或红光发射层的位置。
因为通过使用子像素共用的第一发光层以及第一子像素和第二子像素共用的辅助层减少了掩模的数量,所以简化了有机发光装置的结构和工艺,因此,可以提高发光装置的可靠性。另外,通过对于子像素来讲公共地制造第三发光层来进一步减少掩模的数量,并可以进一步简化有机发光装置的结构和工艺。
虽然已经参考当前实施例的示例实施例具体地示出并描述了当前实施例,但本领域普通技术人员应当明白,在不脱离由权利要求书限定的当前实施例的精神和范围的情况下,可以在此做出形式和细节方面的各种改变。
Claims (20)
1.一种有机发光装置,所述有机发光装置包括多个像素,每个像素包括具有彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素,
其中,每个像素包括:
基底;
第一电极层,位于所述基底上;
第一发光层,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一电极层上;
辅助层,在所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一发光层上;
第二发光层,在所述第二子像素中设置在所述辅助层上;
第三发光层,在所述第三子像素中设置在所述辅助层上;以及
第二电极层,设置在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层上。
2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述辅助层包括空穴注入材料和空穴传输材料。
3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述辅助层包括:
第一辅助层,包括空穴注入材料;以及
第二辅助层,位于所述第一辅助层上,并包括空穴传输材料。
4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述辅助层具有浓度梯度,其中,在所述辅助层的下部中空穴注入材料的浓度大于空穴传输材料的浓度,在所述辅助层的上部中空穴传输材料的浓度大于空穴注入材料的浓度。
5.如权利要求2-4中的任一项权利要求所述的有机发光装置,其中,所述空穴注入材料包括酞菁化合物、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、4,4’,4”-三(N,N’-二苯基氨基)三苯胺、4,4’,4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸、聚苯胺/樟脑磺酸或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐),所述空穴传输材料包括N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基联苯胺或4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺。
6.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述辅助层包括p型掺杂剂。
7.如权利要求6所述的有机发光装置,其中,所述p型掺杂剂包括四氰醌二甲烷、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷或1,3,2-二氧杂硼烷。
8.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述第一电极层是阳极,所述第二电极层是阴极。
9.如权利要求1所述的有机发光装置,其中,所述第一发光层是蓝光发射层,所述第二发光层是红光发射层,所述第三发光层是绿光发射层。
10.如权利要求1所述的有机发光装置,所述有机发光装置还包括:
空穴注入层,位于所述第一电极层和所述第一发光层之间;以及
空穴传输层,位于所述空穴注入层上。
11.如权利要求1所述的有机发光装置,所述有机发光装置还包括:
电子传输层,位于所述第二电极层与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层之间;以及
电子注入层,位于所述电子传输层上。
12.一种有机发光装置,所述有机发光装置包括多个像素,每个像素包括具有彼此不同的颜色的第一子像素、第二子像素和第三子像素,
其中,每个像素包括:
基底;
第一电极层,位于所述基底上;
第一发光层,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一电极层上;
辅助层,在所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一发光层上;
第二发光层,在所述第二子像素中设置在所述辅助层上;
第三发光层,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置在所述第一发光层、所述辅助层和所述第二发光层上;以及
第二电极层,设置在所述第三发光层上。
13.如权利要求12所述的有机发光装置,其中,所述第三发光层具有电子传输特性。
14.如权利要求12所述的有机发光装置,其中,所述第一发光层是蓝光发射层,所述第二发光层是红光发射层,所述第三发光层是绿光发射层。
15.如权利要求12所述的有机发光装置,其中,所述第一发光层是蓝光发射层,所述第二发光层是绿光发射层,所述第三发光层是红光发射层。
16.如权利要求12所述的有机发光装置,其中,所述辅助层包括:
第一辅助层,包括空穴注入材料;以及
第二辅助层,位于所述第一辅助层上,并包括空穴传输材料。
17.如权利要求12所述的有机发光装置,其中,所述辅助层包括p型掺杂剂。
18.如权利要求12所述的有机发光装置,其中,所述第一电极层是阳极,所述第二电极层是阴极。
19.如权利要求12所述的有机发光装置,所述有机发光装置还包括:
空穴注入层,位于所述第一电极层和所述第一发光层之间;以及
空穴传输层,位于所述空穴注入层上。
20.如权利要求12所述的有机发光装置,所述有机发光装置还包括:
电子传输层,位于所述第二电极层与所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层之间;以及
电子注入层,位于所述电子传输层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110048501A KR101771581B1 (ko) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 유기 전계 발광 소자 |
KR10-2011-0048501 | 2011-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102800812A true CN102800812A (zh) | 2012-11-28 |
CN102800812B CN102800812B (zh) | 2017-03-01 |
Family
ID=47199850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210100122.9A Active CN102800812B (zh) | 2011-05-23 | 2012-04-06 | 有机发光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9343509B2 (zh) |
KR (1) | KR101771581B1 (zh) |
CN (1) | CN102800812B (zh) |
TW (1) | TWI625069B (zh) |
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KR102113149B1 (ko) | 2012-12-28 | 2020-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
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-
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---|---|
TWI625069B (zh) | 2018-05-21 |
KR101771581B1 (ko) | 2017-08-28 |
KR20120130516A (ko) | 2012-12-03 |
US20120298968A1 (en) | 2012-11-29 |
TW201249255A (en) | 2012-12-01 |
US9343509B2 (en) | 2016-05-17 |
CN102800812B (zh) | 2017-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121108 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121108 Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |
|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |