CN109845404B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

红色发光层(34R)在第一子像素(3B)、第二子像素(3G)和第三子像素(3R)共用地设置，蓝色发光层(34B)在第一子像素和第二子像素共用地设置，绿色发光层(34G)仅设置在第二子像素。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，开发了例如使用利用电致发光(下面记为“EL”)现象的发光元件(EL元件)的自发光型显示装置。
具有EL元件的显示装置能够在低电压下发光，因为是自发光型显示装置，所以视野角宽、视认性高，因为是薄膜型的完全固体元件，所以从节省空间和便携性等观点出发受到关注。
EL元件具有由阴极和阳极夹着含有发光材料的发光层的结构。EL元件通过将电子和空穴(hole)注入到发光层并使它们复合，生成激子，利用该激子失活时的光的放出而进行发光。
EL元件中的发光层的形成主要使用真空蒸镀法等蒸镀方式。使用这样的蒸镀方式的全彩色有机EL显示装置的形成，大致有白色CF(彩色滤光片)方式和分涂方式。近年来，作为与白色CF方式和分涂方式不同的方式，提出了将EL元件和色转换层组合的方式。
白色CF方式是将发白色光的EL元件与CF层组合来选择各子像素的发光色的方式。在白色CF方式中，在全部的子像素中的阴极与阳极之间分别层叠红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层而进行白色发光，并且通过在各子像素中设置红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的彩色滤光片，来实现全彩色显示。
分涂方式是使用蒸镀掩模按每种发光色进行分涂蒸镀的方式，通常，通过使用TFT使基板上排列的由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色EL元件构成的子像素有选择地以期望的亮度发光，来进行图像显示。在各EL元件间设置有划分各子像素的发光区域的堤(分隔壁)，各EL元件的发光层利用蒸镀掩模形成在上述堤(bank)的开口部。
在将EL元件和色转换层组合的方式中，在全部的子像素中蓝色发光层形成为共用层。在绿色子像素中，形成将蓝色光色转换成绿色光的绿色转换层、和绿色的彩色滤光片，在红色子像素中，形成将蓝色光色转换成红色光的红色转换层、和红色的彩色滤光片。在蓝色子像素中设置蓝色的彩色滤光片，但是不设置色转换层，在蓝色发光层中发出的蓝色光不进行色转换，直接通过蓝色的彩色滤光片而被取出。从而，发出与各色的子像素对应的颜色的光(例如参照专利文献1)。
专利文献1中记载的显示装置包括相对配置的一对基板，在一个基板上，按每个子像素依次层叠对置电极层、包含蓝色发光层的功能层和透光性电极层，在另一个基板上，与各子像素对应地设置有彩色滤光片、以及如上所述根据需要的色转换层。对置电极层为从上述一个基板侧起依次层叠反射电极层和透明电极层而形成的层叠体。
在专利文献1中，没有设置色转换层的蓝色子像素中的反射电极层与蓝色发光层之间的光学距离被设定为蓝色发光层中的蓝色光干涉的距离，从而通过干涉而增强的蓝色光直接被取出。另一方面，设置有色转换层的红色子像素和绿色子像素中的反射电极层与各发光层之间的光学距离，被设定为在各色转换层中转换后的发光色的光以最高强度被取出的距离。从而，红色光和绿色光的取出强度分别提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许公报“特许第4441883号公报(2010年1月22日登记)”
专利文献2：日本特许公报“特许第5819069号公报(2015年10月9日登记)”
发明内容
发明要解决的技术问题
白色CF方式具有不需要高分辨率的蒸镀掩模就能够实现高分辨率的显示装置的优点。但是，白色CF方式为了进行白色发光，需要使蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层同时发光，驱动电压变高，并且存在由彩色滤光片引起的能量损失。因此，白色CF方式存在驱动时的消耗电力大的问题。另外，使用这样的白色CF方式的显示装置，在全部的子像素中，分别层叠红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此，在全部的子像素中层叠数多，而且需要彩色滤光片，因此，存在制造成本变得非常高的缺点。
另一方面，分涂方式虽然发光效率和低电压驱动等特性好，但是难以进行高精度的图案化。例如，根据蒸镀掩模的开口精度以及蒸镀源与被成膜基板的距离关系的不同，存在发生向相邻像素的混色的问题。根据蒸镀掩模的厚度、蒸镀角度的不同，存在产生膜厚小于目标蒸镀膜厚的蒸镀模糊(阴影)的情况。这样，在使用分涂方式的显示装置中，由来自相邻像素方向的蒸镀物侵入引起的混色或阴影导致的显示品质的降低成为问题。特别是，在相邻像素附着有其他颜色掺杂剂的情况下，即使其他颜色掺杂剂的附着量极少，根据器件构造的不同，有时也会对EL发光光谱产生相当大的影响，使得色度发生变化。
因此，为了通过分涂方式实现高分辨率的显示装置，需要以蒸镀角度成为锐角的方式使蒸镀源与被成膜基板隔开间隔，需要使收纳它们的真空腔室的高度提高。
但是，制造具有这样的高度的真空腔室会花费极大的成本，而且材料利用效率也变差，材料成本也会升高。
在像专利文献1那样将EL元件和色转换层组合的方式中，在全部的子像素中，蓝色发光层形成为共用层，从而能够降低使用蒸镀掩模的分涂蒸镀次数。
但是，在上述使用色转换层的方式中，使用含有荧光介质的色转换层发出绿色光和红色光，其中，上述荧光介质吸收蓝色光并利用荧光使得再发出绿色光或红色光。因此，绿色光和红色光的发光效率降低。特别是为了使红色转换层吸收蓝色光，需要使波长向长波长侧偏移相当多。因此，在该波长的偏移时，会产生显著的发光强度的降低。
而且，在上述使用色转换层的方式中，存在由于层叠膜的膜厚偏差而导致光的取出效率显著变化的问题，并且在EL元件与色转换层之间存在间隙，因此，由于由倾斜地射出的蓝色光引起的混色或色偏的问题，存在难以高分辨率化的问题。
专利文献2中公开了一种有机EL显示装置，其在全部的子像素中将蓝色发光层形成为共用蓝色发光层，在绿色子像素中将绿色发光层形成为单独层，在红色子像素中将红色发光层形成为单独层，并且，在蓝色子像素中形成蓝色滤光片，在绿色子像素中形成绿色滤光片，在红色子像素中形成红色滤光片。
但是，专利文献2中记载的有机EL显示装置，当共用发光层选择使用能级比蓝色发光材料低的绿色发光材料或红色发光材料作为发光材料的发光层时，有可能由于能量转移而发生混色。因此，共用发光层只能选择蓝色发光层。另外，控制空穴与电子的复合位置非常重要，有可能由于各层的材料的载流子迁移率的不同而发生混色。因此，蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层的层叠顺序以及发光层的主体材料的选择的自由度低，当改变上述层叠顺序时，空穴与电子的复合位置发生变化，因此，有可能发生混色。
另外，专利文献2中记载的有机EL显示装置还存在如下问题：由于使用彩色滤光片，制造成本变高，并且存在由彩色滤光片引起的能量损失。
本发明是鉴于上述以往的问题而做出的，其目的在于提供在各子像素中能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色、并且与以往相比能够抑制驱动时的消耗电力和制造成本的显示装置及其制造方法。
用于解决技术问题的手段
为了解决上述的技术问题，本发明的一个方式的显示装置在显示区域设置有第一电极、第二电极和形成在所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，其中，所述显示区域包括发出峰值波长彼此不同的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述层叠体包括：含有第一荧光发光材料的第一发光层；含有第二荧光发光材料的第二发光层；和含有第三荧光发光材料或磷光发光材料作为第三发光材料的第三发光层，所述第一荧光发光材料发出具有第一峰值波长的光，所述第二荧光发光材料发出具有第二峰值波长的光，所述第三发光材料发出具有第三峰值波长的光，所述第二峰值波长大于所述第一峰值波长，所述第三峰值波长大于所述第二峰值波长，所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三发光层在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素共用地设置，所述第一发光层在所述第一子像素和所述第二子像素共用地设置，所述第二发光层仅设置在所述第二子像素，所述第二子像素中的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，并且所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，所述第三发光层与所述第一发光层以及所述第二发光层相比设置在所述第一电极侧或所述第二电极侧。
为了解决上述的技术问题，本发明的一个方式提供一种显示装置的制造方法，所述显示装置在显示区域设置有第一电极、第二电极和形成在所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，其中，所述显示区域包括发出峰值波长彼此不同的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述层叠体包括：含有第一荧光发光材料的第一发光层；含有第二荧光发光材料的第二发光层；和含有第三荧光发光材料或磷光发光材料作为第三发光材料的第三发光层，所述第一荧光发光材料发出具有第一峰值波长的光，所述第二荧光发光材料发出具有第二峰值波长的光，所述第三发光材料发出具有第三峰值波长的光，所述第二峰值波长大于所述第一峰值波长，所述第三峰值波长大于所述第二峰值波长，所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述显示装置的制造方法的特征在于，包括：形成所述第一电极的工序；形成所述层叠体的工序；和形成所述第二电极的工序，形成所述层叠体的工序包括：第一发光层蒸镀工序，以在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素共用的方式蒸镀所述第一发光层；第二发光层蒸镀工序，以在所述第二子像素和所述第三子像素共用的方式分涂蒸镀所述第二发光层；和第三发光层蒸镀工序，在所述第三子像素分涂蒸镀所述第三发光层，以如下方式形成所述层叠体：所述第二子像素中的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，并且所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，所述第三发光层与所述第一发光层以及所述第二发光层相比位于所述第一电极侧或所述第二电极侧。
发明效果
依照本发明的上述一个方式，所述第三发光层以在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素共用的方式形成在整个所述显示区域，因此，不需要分涂蒸镀全部的发光层。依照本发明的上述一个方式，所述第三发光层以在包括所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的全部子像素共用的方式蒸镀在整个所述显示区域，从而能够降低使用蒸镀掩模的分涂蒸镀次数。
依照本发明的上述一个方式，在所述第三子像素中，设置在该第三子像素的所述第三发光层大致100％发光。而且，所述第二峰值波长大于所述第一峰值波长，所述第三峰值波长大于所述第二峰值波长。发光材料发出的光的波长与所吸收的光的波长相比稍微向短波长侧偏移。所述第二荧光发光材料例如吸收所述第一荧光发光材料的波长区域的光而发出具有所述第二峰值波长的光，所述第三发光材料例如吸收所述第二荧光发光材料的波长区域的光而发出具有所述第三峰值波长的光。因此，所述第一荧光发光材料的PL发光光谱和所述第三发光材料的吸收光谱在波长上分离，重叠的程度小，几乎不存在重叠。因此，不会发生从所述第一荧光发光材料向所述第三发光材料的福斯特跃迁，为了从所述第一荧光发光材料向所述第三发光材料进行福斯特跃迁，需要进行所述第一荧光发光材料→所述第二荧光发光材料、所述第二荧光发光材料→所述第三发光材料这样的2阶段的福斯特跃迁。
即，从所述第一荧光发光材料的S1能级向所述第二荧光发光材料的S1能级的福斯特跃迁直接发生，但是从所述第一荧光发光材料的S1能级向所述第三发光材料的S1能级的福斯特跃迁不直接发生。因此，在所述第一子像素中，通过在所述第一发光层中生成激子，所述第一发光层大致100％发光。在所述第二子像素中，所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层层叠，但是所述第二子像素中的所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，所述第三发光层与所述第一发光层以及所述第二发光层相比设置在所述第一电极侧或所述第二电极侧，从所述第一荧光发光材料的S1能级向所述第三发光材料的S1能级的福斯特跃迁不直接发生，因此，不会从所述第一发光层或所述第二发光层向所述第三发光层发生激子能量的转移。另一方面，所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，所述第三发光层与所述第一发光层以及所述第二发光层相比设置在所述第一电极侧或所述第二电极侧，没有层叠在所述第一发光层与所述第二发光层之间。因此，在所述第二子像素中，能够在所述第二发光层或所述第一发光层中生成激子，在所述第二子像素中，在所述第二发光层中生成激子的情况下，所述第二发光层大致100％发光。另外，在所述第二子像素中，在所述第一发光层中生成激子的情况下，通过福斯特型的能量转移，所述第二发光层大致100％发光。而且，依照本发明的上述一个方式，不需要另外设置彩色滤光片或色转换层。因此，依照本发明的上述一个方式，在各子像素中，能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色，能够容易地实现高分辨率化。
依照本发明的上述一个方式，在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中，发出峰值波长彼此不同的光。因此，依照本发明的上述一个方式，与白色CF方式不同，不需要使蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层全部同时发光，因此，与上述使用白色CF方式的情况相比，能够抑制驱动时的消耗电力。
依照本发明的上述一个方式，不需要另外设置彩色滤光片，因此，能够抑制制造成本，并且也没有由彩色滤光片引起的能量损失。
依照本发明的上述一个方式，能够在共用层中使用例如红色发光层，并且，与专利文献1相比，发光层的层叠顺序和材料选择的自由度高，即使改变发光层的层叠顺序或材料，也能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色。
因此，依照本发明的上述一个方式，能够提供在各子像素中能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色、并且能够抑制驱动时的消耗电力和制造成本的显示装置及其制造方法。
附图说明
图1是将本发明的实施方式1的有机EL显示装置的发光层单元的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。
图2的(a)是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的蓝色子像素中的发光原理的图，(b)是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的绿色子像素中的发光原理的图，(c)是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的红色子像素中的发光原理的图。
图3是示意性地表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的像素排列的图。
图4是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图5的(a)～(c)是以层叠顺序表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层的层叠方法的平面图。
图6是表示蓝色发光材料、绿色发光材料和红色发光材料的最低激发单重态的能级的关系的图。
图7是表示本发明的实施方式1中使用的蓝色荧光发光材料的光致发光光谱和绿色荧光发光材料的吸收光谱的一个例子的图。
图8是表示蓝色荧光发光材料的光致发光光谱、绿色荧光发光材料的光致发光光谱和红色荧光发光材料的光致发光光谱的一个例子的图。
图9的(a)是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的蓝色子像素中的发光原理的图，(b)是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的绿色子像素中的发光原理的图，(c)是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的红色子像素中的发光原理的图。
图10是表示本发明的实施方式3的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图11是将本发明的实施方式4的有机EL显示装置的发光层单元的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。
图12是表示本发明的实施方式4的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图13是将本发明的实施方式5的有机EL显示装置的发光层单元的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。
图14是表示本发明的实施方式5的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图15是将本发明的实施方式6的有机EL显示装置的发光层单元的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。
图16是表示本发明的实施方式6的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图17是表示本发明的实施方式6中使用的、蓝色荧光发光材料的光致发光光谱和分隔层中的材料的吸收光谱的一个例子的图。
图18是将本发明的实施方式6的变形例的有机EL显示装置的发光层单元的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。
图19是表示本发明的实施方式7的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图20是表示本发明的实施方式7的有机EL显示装置的概略结构的一个例子的截面图。
图21是表示本发明的实施方式7中使用的绿色荧光发光材料的光致发光光谱和分隔层中的材料的吸收光谱的一个例子的图。
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行详细说明。
[实施方式1]
基于图1～图8对本发明的一个方式进行说明如下。
下面，作为本实施方式的显示装置，以有机EL显示装置为例进行说明。
＜有机EL显示装置的概略结构＞
图1是将本实施方式的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。图2的(a)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B中的发光原理的图，图2的(b)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3G中的发光原理的图，图2的(c)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3R中的发光原理的图。图3是示意性地表示本实施方式的有机EL显示装置1的像素排列的平面图。图4是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。图4表示与图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面对应的一个像素区域的概略结构的一个例子。图5的(a)～(c)是以层叠顺序表示本实施方式的有机EL显示装置1中的蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R的层叠方法的平面图。
如图3所示，本实施方式的有机EL显示装置1在显示区域1a中包括呈矩阵状配置的多个像素2。在图3中，为图示方便起见，省略了像素2的数量。
如图3和图4所示，各像素2(即1个像素)由3个子像素3B、3G、3R构成。如图3所示，本实施方式的有机EL显示装置1为子像素3B、3G、3R以条纹状排列的、具有被称为RGB条纹排列的像素排列的有机EL显示装置。
如图4所示，在这些子像素3B、3G、3R中，分别设置有发光色为蓝色(B)的有机EL元件20B、发光色为绿色(G)的有机EL元件20G、发光色为红色(R)的有机EL元件20R。
作为第一色显示蓝色的子像素3B(第一子像素、蓝色的子像素)由发光色为蓝色的有机EL元件20B构成，透过蓝色的光。作为第二色显示绿色的子像素3G(第二子像素、绿色的子像素)由发光色为绿色的有机EL元件20G构成，透过绿色的光。作为第三色显示红色的子像素3R(第三子像素、红色的子像素)由发光色为红色的有机EL元件20R构成，透过红色的光。
下面，为说明方便起见，在不需要将这些有机EL元件20B、20G、20R进行区别的情况下，将这些有机EL元件20B、20G、20R总称儿童简称为有机EL元件20。同样地，在不需要将各子像素3B、3G、3R进行区别的情况下，将这些子像素3B、3G、3R总称而简称为子像素3。
如图4所示，上述有机EL显示装置1例如具有TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板10(基板)和密封基板40经由未图示的密封材料而贴合的构成。在TFT基板10上，分别设置有上述的多个各色的有机EL元件20。
在这些各色中发光的多个有机EL元件20被封入于由TFT基板10和密封基板40构成的一对基板间。在层叠有有机EL元件20的TFT基板10和密封基板40之间，例如设置有未图示的填充剂层。下面，以TFT基板10为矩形的情况为例进行说明。
本实施方式的有机EL显示装置1为从密封基板40侧取出光的顶部发光型的显示装置。下面，更详细地进行说明。
＜TFT基板10的构成＞
TFT基板10为形成有含有TFT12或配线14的TFT电路的电路基板。TFT基板10作为支承基板，包括未图示的绝缘基板11。
绝缘基板11只要具有绝缘性，就没有特别限定。绝缘基板11可以使用例如由玻璃基板或石英基板等无机基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺树脂等构成的塑料基板等公知的各种绝缘基板。
在本实施方式中，如后所述，作为绝缘基板11，以使用具有透光性氟玻璃基板(透光性基板)的情况为例进行说明。但是，在顶部发光型的有机EL元件20中，对绝缘基板11不需要透光性。因此，如本实施方式那样有机EL显示装置1为顶部发光型的有机EL显示装置的情况下，作为绝缘基板11，可以使用在由硅晶片等半导体基板、铝(Al)或铁(Fe)等构成的金属基板的表面涂敷有由氧化硅或有机绝缘材料等构成的绝缘物的基板、将由Al等构成的金属基板的表面通过阳极氧化等方法进行了绝缘化处理的基板等不具有透光性的绝缘基板(非透光性基板)。
在绝缘基板11上设置有由在水平方向敷设的多个栅极线和在垂直方向敷设并与栅极线交叉的多个信号线构成的多个配线14。这些配线14和TFT12由层间绝缘膜13覆盖。在栅极线上连接驱动栅极线的未图示的栅极线驱动电路，在信号线上连接驱动信号线的未图示的信号线驱动电路。
在TFT基板10上，在被上述配线14包围的区域中分别设置有有机EL元件20B的发光区域4B、有机EL元件20G的发光区域4G、有机EL元件20R的发光区域4R。下面，在不需要区别这些各发光区域4B、4G、4R的情况下，将这些发光区域4B、4G、4R总称简称为发光区域4。
即，被这些配线14包围的区域为1个子像素3(点)，每子像素3，划分成R、G、B的各发光区域4。
在各子像素3中，分别设置有含有作为对有机EL元件20供给驱动电流的驱动用晶体管的TFT的多个TFT12。各子像素3的发光强度根据配线14和TFT12引起的扫描和选择而确定。这样，有机EL显示装置1通过使用TFT12、使各有机EL元件20有选择地以期望的亮度发光而显示图像。
＜有机EL元件20的构成＞
如图4所示，各有机EL元件20包括：第一电极21、有机EL层22、第二电极23。有机EL层22由第一电极21和第二电极23夹持。在本实施方式中，将设置在第一电极21和第二电极23之间的层总称为有机EL层22。
有机EL层22为由至少1层的功能层构成的有机层，各有机EL元件20中的有机EL层22包含蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R中的含有至少1层的发光层单元33。下面，在不需要区别这些蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R的情况下，将这些蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R总称简称为发光层34。
这些第一电极21、有机EL层22、第二电极23从TFT基板10侧起依次层叠。
第一电极21按每个子像素3呈岛状形成图案，第一电极21的端部由堤15(分隔壁、边覆盖)覆盖。第一电极21经由设置于层间绝缘膜13的接触孔13a而分别与TFT12连接。
堤15为绝缘层，例如由感光性树脂构成。堤15防止在第一电极21的端部电极集中或有机EL层22变薄而与第二电极23短路。堤15以在相邻的子像素3中电流不泄漏的方式作为像素分离膜也起作用。
在堤15中，每子像素3设置有开口部15a。如图4所示，该开口部15a的第一电极21和有机EL层22的露出部为各子像素3的发光区域4，其以外的区域为非发光区域。
另一方面，第二电极23为在各子像素3共用地设置的共用电极。第二电极23在全部的像素2中的子像素3共用地设置。但是，本实施方式并不限定于此，也可以每子像素3设置第二电极23。
在第二电极23上，以覆盖该第二电极23的方式设置有保护层24。保护层24保护作为上侧电极的第二电极23，阻止氧或水分从外部浸入于各有机EL元件20内。保护层24以覆盖全部的有机EL元件20中的第二电极23的方式在全部的有机EL元件20共用地设置。在本实施方式中，将形成在各子像素3的第一电极21、有机EL层22、第二电极23和根据需要所形成的保护层24汇总称为有机EL元件20。
(第一电极21和第二电极23)
第一电极21和第二电极23为对电极，一个作为阳极起作用，另一个作为阴极起作用。
阳极只要具有作为将空穴(h+)注入于发光层单元33的电极的功能即可。阴极只要具有作为将电子(e-)注入于发光层单元33的电极的功能即可。
阳极和阴极的形状、结构、大小等没有特别限制，可以根据有机EL元件20的用途、目的而适当选择。
在本实施方式中，如图4所示，以第一电极21为图案化的阳极、第二电极23为在全部的像素2中的子像素3共用地设置的阴极的情况为例进行说明。但是，本实施方式并不限定于此，也可以第一电极21为阴极、第二电极23为阳极。在第一电极21为阳极、第二电极23为阴极的情况和第一电极21为阴极、第二电极23为阳极的情况下，构成发光层单元33的各功能层的层叠顺序或载流子迁移率(载流子传输性、即空穴传输性和电子传输性)进行反转。同样地，构成第一电极21和第二电极23的材料也进行反转。
作为可以用作阳极和阴极的电极材料，没有特别限定，例如可以使用公知的电极材料。
作为阳极，例如可以利用金(Au)、铂(Pt)和镍(Ni)等金属、以及氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锌(IZO)、镓添加氧化锌(GZO)等透明电极材料等。
另一方面，作为阴极，以将电子注入于发光层34的目的，优选工作函数小的材料。作为阴极，例如可以利用锂(Li)、钙(Ca)、铈(Ce)、钡(Ba)、铝(Al)等金属、或含有这些金属的Ag(银)-Mg(镁)合金、Al-Li合金等合金等。
阳极和阴极的厚度没有特别限定，可以与以往同样地设定。
在发光层单元33中产生的光从第一电极21和第二电极23中的任一个电极侧取出光。取出光的侧的电极采用使用透光性电极材料的透明或半透明的透光性电极(透明电极、半透明电极)，不取出光的侧的电极优选采用使用反射电极材料的反射电极、或作为反射电极具有反射层的电极。
即，作为第一电极21和第二电极23，可以使用各种各样的导电性材料，如上所述，有机EL显示装置1为顶部发光型的有机EL显示装置的情况下，优选由透明或半透明的透光性电极材料形成由反射电极材料形成支承有机EL元件20的支承体即TFT基板10侧的第一电极21、夹持有机EL元件20而位于与第一电极21相反侧的第二电极23。
第一电极21和第二电极23分别可以为由1个电极材料构成的单层，可以具有由多个电极材料构成的层叠结构。
因此，如上所述，有机EL元件20为顶部发光型的有机EL元件的情况下，可以如图4所示，使第一电极21为反射电极21a(反射层)与透光性电极21b的层叠结构。在本实施方式中，第一电极21具有从TFT基板10侧起依次层叠有反射电极21a、透光性电极21b的构成。
作为反射电极材料，可列举例如：钽(Ta)或碳(C)等黑色电极材料、Al、Ag、金(Au)、Al-Li合金、Al-钕(Nd)合金、或Al-硅(Si)合金等反射性金属电极材料等。
作为透光性电极材料，例如可以使用上述的透明电极材料等，也可以使用制成薄膜的Ag等半透明的电极材料。
反射电极21a以与各子像素3中的TFT12的漏电极连接的方式，每子像素3以相同的膜厚独立地形成。
透光性电极21b以反射电极21a与作为阴极的第二电极23之间的距离成为使从各子像素3发光的各色的波长区域的光的峰值波长的强度增强的距离的方式、以与从各子像素3发光的各色的波长区域的光的峰值波长相应的厚度形成。
(有机EL层22)
如图4所示，有机EL层22作为功能层，具有从第一电极21侧起依次层叠有空穴注入层31、空穴传输层32、含有发光层34的发光层单元33、电子传输层35、电子注入层36的构成。空穴注入层31、空穴传输层32、电子传输层35、电子注入层36作为在多个像素2共用的共用层，跨越多个像素2而形成。因此，这些空穴注入层31、空穴传输层32、电子传输层35、电子注入层36在子像素3B、3G、3R共用地形成。
但是，发光层单元33以外的功能层不是作为有机EL层22必须的层，根据所要求的有机EL元件20的特性而适当形成即可。下面，对上述各功能层进行说明。
(发光层单元33)
如图1和图4所示，本实施方式的有机EL显示装置1包括发光层单元33，该发光层单元33包括红色发光层34R、蓝色发光层34B和绿色发光层34G。
如图5的(a)所示，红色发光层34R作为在全像素2中的子像素3B、3G、3R(换句话说，为有机EL元件20B、20G、20R)共用的单一的共用层(共用蓝色发光层)设置于显示区域1a整体，跨越全像素2，例如以β状形成。如图5的(b)所示，蓝色发光层34B作为与各像素2中的子像素3B、3G(换句话说，为有机EL元件20B、20G)共用的共用层(共用蓝色发光层)，例如在列方向跨越排列的多个像素2中的子像素3B、3G，例如以条纹状形成。如图5的(c)所示，绿色发光层34G为单独层，仅在各像素2中的子像素3G(换句话说，为有机EL元件20G)中形成。绿色发光层34G例如跨越在列方向排列的多个像素2中的子像素3G，例如以条纹状形成。
如图1、图4和图5的(a)～(c)所示，本实施方式的发光层单元33在各像素2中，具有从第一电极21侧依次彼此相邻而层叠红色发光层34R、蓝色发光层34B、绿色发光层34G的构成。
因此，在本实施方式中，在子像素3B中，在第一电极21和第二电极之间，作为发光层单元33，从第一电极21侧依次彼此相邻而层叠红色发光层34R、蓝色发光层34B。在子像素3G中，在第一电极21和第二电极之间，作为发光层单元33，从第一电极21侧依次彼此相邻而层叠红色发光层34R、蓝色发光层34B、绿色发光层34G。在子像素3R中，在第一电极21和第二电极之间，作为发光层单元33，仅设置有红色发光层34R。
蓝色发光层34B含有发出蓝色的光的蓝色荧光发光材料作为发光材料(第一发光材料)。绿色发光层34G含有发出绿色的光的绿色荧光发光材料作为发光材料(第二发光材料)。红色发光层34R含有发出红色的光的红色荧光发光材料作为发光材料(第三发光材料)。
图6是表示蓝色发光材料、绿色发光材料和红色发光材料的最低激发单重态的能级(下面记为“S1能级”)的关系的图。图6中、S1(1)表示蓝色发光材料的S1能级，S1(2)表示绿色发光材料的S1能级，S1(3)表示红色发光材料的S1能级。图6中，S0表示单重态基态。
如图6所示，绿色发光材料的S1能级(S1(2))低于蓝色发光材料的S1能级(S1(1))，红色发光材料的S1能级(S1(3))低于绿色发光材料的S1能级(S1(2))。即，绿色荧光发光材料的S1能级低于蓝色荧光发光材料的S1能级，红色荧光发光材料的S1能级(S1(3))低于绿色荧光发光材料的S1能级(S1(2))。
图7是表示蓝色荧光发光材料的PL(光致发光)发光光谱和绿色荧光发光材料的吸收光谱的一个例子的图。
在图7中，作为蓝色荧光发光材料的PL发光光谱，表示出了2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBP)的PL发光光谱，并且，作为绿色荧光发光材料的吸收光谱，表示出了2,3-(2-苯并三唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素(香豆素6)的吸收光谱。
发光层单元33具有图1和图4所示的层叠结构的情况下，如图7所示，优选蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱的一部分与绿色发光材料(在本实施方式中为绿色荧光发光材料)的吸收光谱的一部分重叠。
这样，通过蓝色发光材料的PL发光光谱的一部分与绿色发光材料的吸收光谱的一部分重叠，容易引起从蓝色发光材料向绿色发光材料的能量转移。
如图1所示，在子像素3G、3B中蓝色发光层34B与绿色发光层34G直接接触，因此，这些子像素3G、3B中的蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的距离(即，蓝色发光层34B和绿色发光层34G的彼此相对的相对面间的距离DBG)为福斯特半径以下。
福斯特半径是指可产生福斯特跃迁的彼此相邻的发光层34间的距离(具体而言，为彼此相邻的发光层34中的相互最相邻的彼此的相对面间的距离)。如果彼此相邻的一个发光层34中包含的发光材料的PL(光致发光)发光光谱与另一个发光层34中包含的发光材料的吸收光谱的重叠程度大，则福斯特半径变大，如果重叠程度小，则福斯特半径也变小。通常，福斯特半径据说为1～10nm左右。
福斯特跃迁是指：由彼此相邻的发光层34间的具有高的能级的单态激子激发具有低能级的单重态基态的分子的能量转移。
如果彼此相邻的发光层34存在于福斯特半径内，则产生该福斯特跃迁。如果3层以上的彼此相邻的发光层34存在于全部福斯特半径内，则在3层以上的彼此相邻的发光层34间，以由具有高的能级的单态激子激发具有低能级的单重态基态的分子的方式分阶段地发生多个福斯特跃迁。
如图6所示，S1(1)、S1(2)、S1(3)以S1(1)＞S1(2)＞S1(3)的顺序高。因此，能量的转移容易以蓝色发光材料→绿色发光材料、绿色发光材料→红色发光材料发生。
图8是表示蓝色荧光发光材料的PL发光光谱、绿色荧光发光材料的PL发光光谱和红色荧光发光材料的PL发光光谱的一个例子的图。
在图8中，作为蓝色荧光发光材料的PL发光光谱，表示出了TBPe的PL发光光谱，作为绿色荧光发光材料的PL发光光谱，表示出了香豆素6的PL发光光谱，作为红色荧光发光材料的PL发光光谱，表示出了Ir(piq)3的PL发光光谱。
如图8所示，上述蓝色荧光发光材料的峰值波长(第一峰值波长)大致为470nm，绿色荧光发光材料的峰值波长(第二峰值波长)大致为520nm，上述红色荧光发光材料的峰值波长(第三峰值波长)大致为590nm。
这样，绿色发光材料发出与蓝色发光材料的PL发光光谱的峰值波长相比具有长波长的峰值波长的光，红色发光材料发出与绿色发光材料的PL发光光谱的峰值波长相比具有长波长的峰值波长的光。发光材料发出的光的波长与吸收的光的波长相比为短波长，绿色发光材料吸收蓝色波长区域的光而发出绿色的光，红色发光材料吸收绿色波长区域的光而发出红色的光。因此，蓝色发光材料的PL发光光谱和红色发光材料的吸收光谱在波长上分离，重叠的程度小，几乎不存在重叠。因此，不会发生从蓝色发光材料向红色发光材料的福斯特跃迁，为了从蓝色发光材料向红色发光材料进行福斯特跃迁，需要进行蓝色发光材料→绿色发光材料、绿色发光材料→红色发光材料这样的2阶段的福斯特跃迁。
即，直接发生从蓝色发光材料的S1能级向绿色发光材料的S1能级的福斯特跃迁，但不直接发生从蓝色发光材料的S1能级向红色发光材料的S1能级的福斯特跃迁。在图8中，以荧光发光材料为例进行了图示和说明，但可以说在发光材料使用磷光发光材料的情况下，也同样。
在本实施方式中，发生从子像素3G中的蓝色荧光发光材料的S1能级向绿色荧光发光材料的S1能级的福斯特跃迁，但是不发生从子像素3B、3G中的蓝色荧光发光材料的S1能级向红色荧光发光材料的S1能级的福斯特跃迁。即，在本实施方式中，在子像素3G中，在蓝色发光层34B中生成激子的情况下，从蓝色发光层34B向绿色发光层34G发生福斯特跃迁，但是不从蓝色发光层34B向红色发光层34R发生福斯特跃迁。在子像素3B中，在蓝色发光层34B中生成激子的情况下，不从蓝色发光层34B向红色发光层34R发生福斯特跃迁。
由以上的说明可知，作为蓝色发光材料和红色发光材料的组合，没有特别限定，优选组合蓝色发光材料的PL发光光谱与红色发光材料的吸收光谱的重叠尽可能变小的材料彼此，更优选蓝色发光材料的PL发光光谱和红色发光材料的吸收光谱不存在重叠。
如上所述，就上述有机EL显示装置1而言，在子像素3G中设置有以与绿色发光材料相比能级低的红色发光材料为发光材料的红色发光层34R。如上所述，能量的转移容易以绿色发光材料→红色发光材料产生，红色发光材料吸收绿色波长区域的光而发出红色的光，因此，绿色发光材料的PL发光光谱的一部分与红色发光材料的吸收光谱的一部分重叠。因此，在上述有机EL显示装置中，在子像素3G中，需要使得能量不从绿色发光层34G向红色发光层34R转移。因此，在子像素3G中，需要使绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离(即，绿色发光层34G和红色发光层34R的彼此相对的相对面间的距离DGR)大于福斯特半径。
通常，福斯特半径为1～10nm左右，因此，只要使2个发光层34的彼此相对的相对面间的距离大于10nm，就不会发生福斯特跃迁。
但是，通过使上述2个发光层34的彼此相对的相对面间的距离至少隔开15nm，即使在上述2个发光层34的发光材料的PL发光光谱与吸收光谱全重叠的情况下，在上述2个发光层34间也不会发生福斯特跃迁。因此，子像素3G中的绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR优选为15nm以上。在本实施方式中，在绿色发光层34G与红色发光层34R之间仅设置有蓝色发光层34B。因此，蓝色发光层34B被设定为超过福斯特半径的层厚。因此，优选蓝色发光层34B具有至少15nm的层厚。
红色发光层34R的层厚和绿色发光层34G的层厚与以往同样地设定即可，没有特别限定。
各发光层34可以由担负载流子(空穴和电子)的传输的主体材料和作为发光材料担负发光的发光掺杂剂(客体)材料的2成分系形成，也可以发光材料单独形成。
发光层34中的材料(成分)中的含有比率最多的材料可以为主体材料，也可以为发光材料。
主体材料具有能够注入空穴和电子，传输空穴和电子，使它们在其分子内复合，由此使发光材料发光的功能。在使用主体材料的情况下，发光材料均匀地分散在主体材料中。
使用主体材料的情况下，主体材料使用S1能级和最低激发三重态的能级(下面记为“T1能级”)中的至少一个具有比发光材料的能级高的值的有机化合物。由此，主体材料能够将发光材料的能量封闭在该发光材料中，能够使发光材料的发光效率提高。
为了有效地得到本实施方式的具有层叠结构的各子像素3中应该显示的发光色，蓝色发光层34B中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料，如图1中用箭头表示空穴(h+)和电子(e-)的迁移那样，优选为在子像素3G中使载流子从第一电极21和第二电极23向绿色发光层34G的方向流动的材料，因此，优选为空穴迁移率高于电子迁移率的空穴传输性材料。
红色发光层34R中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料优选为在子像素3B(如果子像素3B、3G含有相同的层叠结构，则为子像素3B、3G)中使载流子从第一电极21和第二电极23向蓝色发光层34B的方向流动的材料。但是，蓝色发光层34B中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料如上所述为在子像素3G中使载流子从第一电极21和第二电极23向绿色发光层34G的方向流动的材料，因此，红色发光层34R中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料为使载流子从第一电极21和第二电极23至少向蓝色发光层34B的方向流动的材料即可。因此，红色发光层34R中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料为空穴传输性材料，或作为红色发光层34R整体，优选表现出空穴传输性和电子传输性都高的双极传输性，其中，更优选表现出双极传输性。在红色发光层34R表现出双极传输性的情况下，红色发光层34R中包含的材料可以为单独表现出双极传输性的材料，也可以将单独表现出空穴迁移率高于电子迁移率的空穴传输性、或单独表现出电子迁移率高于空穴迁移率的电子传输性的材料组合使用两种以上，使得作为红色发光层34R表现出双极传输性。
绿色发光层34G的材料的载流子迁移率没有特别限制，绿色发光层34G中的材料中的混合比率最高的材料、优选全部的材料优选为电子传输性材料或双极传输性材料，更优选为电子传输性材料。该理由如下所述。
根据最近的有机EL显示装置业界的开发状况，与空穴传输性的主体材料相比，电子传输性的主体材料容易合成，且种类丰富，开发也非常进行。因此，选择电子传输性的主体材料作为主体材料，与空穴传输性的主体材料相比，容易获得特性的良好的材料。
实际上与空穴迁移率非常高的空穴传输性材料相比，电子迁移率非常高的电子传输性材料众所周知，例如与目前市场上所看到的空穴传输性的主体材料相比，电子传输性的主体材料存在容易低电压化的倾向。因此，与使用空穴传输性的主体材料相比，使用电子传输性的主体材料，可以期待低电压化。
作为空穴传输性的主体材料，可列举例如：4,4’-双[N-苯基-N-(3”-甲基苯基)氨基]联苯基(TPD)、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-二(9H-咔唑-9-基)联苯基(mCBP)等空穴传输性材料。作为电子传输性的主体材料，可列举：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、双[(2-二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1’-联苯基(DPVBi)、2,2’,2”-(1,3,5-benzine甲苯基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑基)(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝(BAlq)等电子传输性材料。作为双极传输性的主体材料，可列举例如4,4’-双(9-氨基甲酰)-联苯基(CBP)等双极传输性材料。
作为蓝色荧光发光材料，例如可以使用2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe)、双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]砜(DMAC-DPS)、苝、4,5-双(咔唑-9-基)-1,2-二氰基苯(2CzPN)等进行蓝色发光的荧光发光材料。
作为绿色荧光发光材料，可列举例如：3-(2-苯并三唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素(香豆素6)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,2,3,5-四(咔唑-9-基)-4,6-二氰基苯(4CzIPN)、1,2,3,4-四(咔唑-9-基)-5,6-二氰基苯(4CzPN)、下式
Figure GDA0002026093930000211
所示的PXZ-DPS等。
作为红色荧光发光材料，可列举例如：四苯基二苯并二茚并芘(DBP)、(E)-2-{2-[4-(二甲基氨基)苯乙烯基]-6-甲基-4H-吡喃-4-亚甲基}丙二腈甲苯基(DCM)等。
蓝色荧光发光材料和红色荧光发光材料优选为TADF材料(Thermally ActivatedDelayed Fluorescence：热活化延迟荧光)。绿色荧光发光材料也可以为TADF材料。
TADF材料为能够通过热活化从最低激发三重态利用反向系间窜越生成最低激发单重态的材料，为S1能级与T1能级的能量差ΔEST非常小的延迟荧光材料。通过发光材料使用这样S1能级与T1能级的能量差ΔEST非常小的延迟荧光材料，发生由热能量引起的从T1能级向S1能级的反向系间窜越。利用该TADF材料引起的延迟荧光时，在荧光型发光中，理论上能够将内部量子效率提高至100％。ΔEST越小，从最低激发三重态向最低激发单重态越容易进行反向系间窜越，如果ΔEST为0.3eV以下，则即使在室温下也能够比较容易地进行反向系间窜越。
作为进行蓝色发光的TADF材料，可列举例如上述的2CzPN、DMAC-DPS等。作为进行绿色发光的TADF材料，可列举例如：上述的4CzIPN、4CzPN、PXZ-DPS等。
作为进行红色发光的TADF材料，可列举例如：下式
Figure GDA0002026093930000221
所示的PPZ-DPO、下式
Figure GDA0002026093930000222
所示的PPZ-DPS、下式
Figure GDA0002026093930000231
所示的4CzTPN-Ph等。
(空穴注入层31和空穴传输层32)
空穴注入层31为含有空穴注入性材料、具有提高对发光层34的空穴注入效率的功能的层。空穴注入层31和空穴传输层32可以作为相互独立的层形成，也可以作为空穴注入层兼空穴传输层进行一体化。不需要另外设置两个空穴注入层31和空穴传输层32，可以设置仅一个(例如仅空穴传输层32)。
空穴注入层31、空穴传输层32、或空穴注入层兼空穴传输层的材料、即空穴注入性材料或空穴传输性材料可以使用已知的材料。
作为这些材料，可列举例如：萘、蒽、氮杂苯并菲、芴酮、腙、茋、苯并菲、苯炔、苯乙烯胺、三苯基胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、噁唑、聚芳基链烷、亚苯基二胺、芳基胺和它们的衍生物、噻吩系化合物、聚硅烷系化合物、乙烯基咔唑系化合物、苯胺系化合物等链状式或杂环式共轭系的单体、低聚物、或聚合物等。更具体而言，例如可使用N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(α-NPD)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、二-[4-(N,N-二甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、9,10-二苯基蒽-2-磺酸酯(DPAS)、N,N’-二苯基-N,N’-(4-(二(3-甲苯基)氨基)苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(DNTPD)、铟(III)三[N,N’-二苯基苯并咪唑-2-亚甲基-C2,C2’](Ir(dpbic)3)、4,4’,4”-三-(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)、2,2-双(对偏苯三酸酐氧基苯基)丙酸酐(BTPD)、双[4-(p,p-二甲苯基氨基)苯基]二苯基硅烷(DTASi)等。
空穴注入层31、空穴传输层32、空穴注入层兼空穴传输层可以为没有掺杂杂质的真性空穴注入性材料或真性空穴传输性材料，也可以以提高导电性等理由而掺杂杂质。
为了得到高效率的发光，优选将激发能量封闭于发光层单元33内、特别是发光层单元33中的发光层34内。因此，作为上述空穴注入性材料和空穴传输性材料，优选使用具有发光层34中的发光材料的S1能级和与T1能级相比激发级高的S1能级和T1能级的材料。因此，作为上述空穴注入性材料和空穴传输性材料，更优选选择激发级高、且具有高的空穴迁移率的材料。
(电子传输层35和电子注入层36)
电子注入层36为含有电子注入性材料、具有提高对发光层34的电子注入效率的功能的层。
电子传输层35为含有电子传输性材料、具有提高对发光层34的电子传输效率的功能的层。
电子注入层36和电子传输层35可以作为相互独立的层形成，也可以作为电子注入层兼电子传输层进行一体化。不需要另外设置两个电子注入层36和电子传输层35，也可以仅设置仅一个例如电子传输层35。当然，也可以两个均不设置。
作为用作电子注入层36、电子传输层35、或电子注入层兼电子传输层的材料、即电子注入性材料或电子传输性材料的材料，可以使用已知的材料。
作为这些材料，可列举例如：喹啉、苝、邻二氮杂菲、双苯乙烯基、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮和它们的衍生物或金属络合物、氟化锂(LiF)等。
更具体而言，可列举例如：双[(2-二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(Bphen)、3,3’-双(9H-咔唑-9-基)联苯基(mCBP)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-苯基-4(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、1,10-邻二氮杂菲、Alq(三(8-羟基喹啉)铝)、LiF等。
(保护层24)
保护层24由具有透光性的绝缘性材料或导电性材料形成。作为保护层24的材料，可列举例如：氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、酸氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等无机绝缘材料、或ITO等导电性材料。保护层24可以具有无机绝缘层和有机绝缘层的层叠结构。作为用于上述有机绝缘层的有机绝缘材料，可列举例如：聚硅氧烷、氧化碳化硅(SiOC)、丙烯酸酯、聚尿素、聚对亚苯基二甲基、聚酰亚胺、聚酰胺等。
保护层24的厚度以可以阻止氧或水分从外部浸入于有机EL元件20内的方式根据材料而适当设定即可，没有特别限定。
(密封基板40)
作为密封基板40，例如可使用玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。如本实施方式那样有机EL显示装置1为顶部发光型的有机EL显示装置的情况下，密封基板40可使用具有透光性的绝缘基板。
绝缘基板11和密封基板40分别可以为具有挠性的绝缘膜，通过在这些绝缘基板11和密封基板40中分别使用具有弯曲性的基板，也可以将上述有机EL显示装置1做成挠性显示器或可弯曲的显示器。
为了防止在TFT基板10和密封基板40之间密封基板40与TFT基板10冲突而有机EL元件20损伤，可以设置未图示的间隙隔板。
＜有机EL显示装置1的制造方法＞
下面，对上述有机EL显示装置1的制造方法，主要参照图1、图4和图5的(a)～(c)，以下进行说明。
本实施方式的有机EL显示装置1的制造工序包括：制作上述的TFT基板10的TFT基板制作工序；在该TFT基板10上形成有机EL元件20的有机EL元件制作工序；和将该有机EL元件制作工序中制作的有机EL元件20进行密封的密封工序。
有机EL元件制作工序例如包含阳极形成工序、空穴注入层形成工序、空穴传输层形成工序、红色发光层形成工序、蓝色发光层形成工序、绿色发光层形成工序、电子传输层形成工序、电子注入层形成工序、阴极形成工序、保护层形成工序。
在本实施方式中，依次进行有机EL元件制作工序。由此，在本实施方式中，如图4所示，在TFT基板10上从TFT基板10侧起依次层叠反射电极21a、透光性电极21b、空穴注入层31、空穴传输层32、红色发光层34R、蓝色发光层34B、绿色发光层34G、电子传输层35、电子注入层36、第二电极23、保护层24。
下面，对上述的各工序进行说明。
首先，在TFT基板制作工序中，在用公知的技术形成有TFT12以及配线14等的绝缘基板11上涂布感光性树脂，利用光刻技术进行图案化，由此在绝缘基板11上形成层间绝缘膜13作为平坦化膜(段差补偿膜)。
作为层间绝缘膜13，例如可以使用丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等。作为层间绝缘膜13的膜厚，只要可以补偿TFT12导致的段差即可，没有特别限定。
接着，在层间绝缘膜13上形成用于将作为阳极的第一电极21与TFT12进行电连接的接触孔13a。由此制作TFT基板10。
接着，在这样形成的TFT基板10上形成有机EL元件20(有机EL元件制作工序)。
在有机EL元件制作工序中，首先，在上述TFT基板10上作为阳极形成第一电极21。本实施方式的阳极形成工序包括：在TFT基板10上形成反射电极21a的反射电极形成工序；在反射电极21a上形成透光性电极21b的透光性电极形成工序。
因此，在上述阳极形成工序中，首先，在TFT基板10上，作为第一电极21中的反射电极21a，将反射电极材料以规定的厚度形成图案。
反射电极21a例如通过溅射法等而将反射电极材料成膜后，每子像素3通过光刻而形成未图示的抗蚀剂图案，将这些抗蚀剂图案作为掩模蚀刻由上述反射电极材料构成的层之后，可以通过将抗蚀剂图案进行剥离清洗而以每子像素3进行分离的方式图案化，也可以通过印刷法或使用蒸镀掩模的蒸镀法等而进行图案成膜。作为上述蒸镀法，例如可以使用真空蒸镀法、CVD(chemical vapor deposition：化学气相沉积)法、等离子体CVD法等。
反射电极21a的厚度与以往同样地设定即可，没有特别限定，作为一个例子，在反射电极21a中使用Ag的情况下，例如设定为100nm。
接着，作为第一电极21中的透光性电极21b，在反射电极21a上，将透光性电极材料以规定的厚度形成图案。
反射电极21a与作为阴极的第二电极23之间的距离优选设定为使从各子像素3发光的各色的波长区域的光的峰值波长的强度增强的距离。
如图8所示，上述蓝色荧光发光材料的峰值波长(第一峰值波长)大致为470nm，绿色荧光发光材料的峰值波长(第二峰值波长)大致为520nm，上述红色荧光发光材料的峰值波长(第三峰值波长)大致为590nm。
本实施方式的有机EL元件20为微腔(微小共振器)方式的有机EL元件。在微腔方式的有机EL元件中，通过发光的光在阳极和阴极之间进行多重反射并共振而发光光谱变得陡峭，特定波长的发光强度扩增。
作为在有机EL元件中导入这样的共振结构(微腔结构)的方法，例如已知有每发光色改变有机EL元件的2个共振面间的长度(空腔长)、即光程长的方法。
在本实施方式中，通过按每个子像素3设定透光性电极21b的厚度而按每个子像素3改变空腔长，利用微腔效应实现发光的色度或发光效率的提高。
因此，在本实施方式中从各子像素3中的发光材料发光的光一部分直接射出到外部，但另一部分多重反射后射出到外部。即，包含：从各子像素3射出到外部的光从发光材料发光之后，直接经由夹持有机EL层22而设置于与反射电极相反侧的透光性电极(在本实施方式中为第二电极23)射出到外部的光；和从发光材料发光之后，在阳极和阴极之间(更严密而言，为上述反射电极和透光性电极之间，在本实施方式中为第一电极21中的反射电极21a和第二电极23之间)进行多重反射，经由设置于与上述反射电极相反侧的透光性电极(在本实施方式中为第二电极23)射出到外部的光。
因此，在子像素3B中，从蓝色发光层34B发出的光射出到外部，但是此时射出到外部的光包含使在蓝色发光层34B中发出的光(即，从蓝色荧光发光材料发出的光)在子像素3B中的阳极和阴极之间进行多重反射而得到的光。在子像素3G中，从绿色发光层34G发出的光射出到外部，但从子像素3G射出到外部的光包含使绿色发光层34G中发出的光(即，从绿色荧光发光材料发出的光)在子像素3G中的阳极和阴极之间进行多重反射而得到的光。在子像素3R中，从红色发光层34R发出的光射出到外部，但此时射出到外部的光包含使在红色发光层34R中发出的光(即，从红色荧光发光材料发出的光)在子像素3R中的阳极和阴极之间进行多重反射而得到的光。
在子像素3B中，以反射电极21a与第二电极23之间的距离成为最适于将蓝色的波长区域的光取出至外部(即被射出)的厚度(使蓝色荧光发光材料的峰值波长的强度增强的距离)的方式设定透光性电极21b的厚度。同样地，在子像素3G中，以反射电极21a与第二电极23之间的距离成为最适于将绿色的波长区域的光取出至外部的厚度(使绿色荧光发光材料的峰值波长的强度增强的距离)的方式设定透光性电极21b的厚度，在子像素3R中，以反射电极21a与第二电极23之间的距离成为最适于将红色的波长区域的光取出至外部的厚度(使红色荧光发光材料的峰值波长的强度增强的距离)的方式设定透光性电极21b的厚度。
作为改变各子像素3中的透光性电极21b的厚度的方法，没有特别限定，可以通过蒸镀法或印刷法等按每个子像素3以期望的厚度将透光性电极材料进行成膜，也可以利用溅射法等将透光性电极材料成膜后，通过光刻进行图案化，其后，将由上述透光性电极材料构成的各层的厚度通过灰化等而调整为期望的厚度。
由此，在TFT基板10上呈矩阵状形成按每个子像素3具有不同的层厚的第一电极21。
接着，与层间绝缘膜13同样地操作，以覆盖第一电极21的端部的方式将堤15形成图案。通过以上的工序，作为阳极，制作按每个子像素3在堤15中进行了分离的第一电极21。
接着，对经过如上所述的工序的TFT基板10，作为用于脱水的减压焙烤和第一电极21的表面清洗，实施氧等离子体处理。
接着，与以往同样地操作，使用例如开放式掩模等，在形成有上述第一电极21的TFT基板10上的显示区域1a整个面上将空穴注入层31的材料、空穴传输层32的材料依次进行蒸镀。如上所述，这些空穴注入层31和空穴传输层32不是必须的层。这些空穴注入层31和空穴传输层32的层厚与以往同样地设定即可，没有特别限定。
接着，以覆盖上述空穴传输层32的方式形成红色发光层34R(红色发光层形成工序)。红色发光层34R如图4和图5的(a)所示，跨越多个像素2而作为单一的共用发光层形成。因此，红色发光层34R的材料并非分涂蒸镀，而是使用例如开放式掩模等作为红色发光层形成用的蒸镀掩模，在TFT基板10中的显示区域1a整个面上进行蒸镀。
上述红色发光层形成用的蒸镀掩模可以为具有与TFT基板10相同的大小的掩模固定蒸镀用的蒸镀掩模，也可以为通过使含有比收容有蒸镀材料的蒸镀源和TFT基板10小的蒸镀掩模的蒸镀单元和成为被成膜基板的TFT基板10中的至少一个相对于另一个相对移动而一边扫描被成膜基板、一边进行蒸镀的扫描蒸镀用的蒸镀掩模。
接着，如图1、图4和图5的(b)所示，在上述红色发光层34R上形成蓝色发光层34B(蓝色发光层形成工序)。蓝色发光层34B如图4和图5的(b)所示，作为在相邻的子像素3B、3G共用的共用层，在红色发光层34R上以沿作为列方向的Y轴方向的线状、例如条纹状形成。因此，如图5的(b)所示，在显示区域1a中，蓝色发光层形成工序后，在俯视时(例如在从TFT基板10的上方观察时)蓝色发光层34B和红色发光层34在作为行方向的X轴方向交替地排列而设置。
在蓝色发光层形成工序中，使用以在子像素3B、3G中形成蓝色发光层34B的方式跨越相邻的子像素3B、3G而形成有开口部的蓝色发光层形成用的蒸镀掩模，将蓝色发光层34B的材料进行蒸镀。红色发光层形成用的蒸镀掩模同样，蓝色发光层形成用的蒸镀掩模既可以为掩模固定蒸镀用的蒸镀掩模，也可以为扫描蒸镀用的蒸镀掩模。
接着，如图1、图4和图5的(c)所示，在上述蓝色发光层34B中形成绿色发光层34G(绿色发光层形成工序)。如图4和图5的(c)所示，绿色发光层34G仅在子像素3G中形成。因此，绿色发光层34G在蓝色发光层34B上的一部分通过分涂蒸镀，例如以沿Y轴方向的线状形成。因此，如图5的(c)所示，在显示区域1a中，绿色发光层形成工序后，在俯视时蓝色发光层34B和绿色发光层34G和红色发光层34R在X轴方向依次交替地排列而设置。
在绿色发光层形成工序中，以仅在子像素3G中形成绿色发光层34G的方式，使用仅在子像素3G中形成有开口部的绿色发光层形成用的蒸镀掩模将绿色发光层34G的材料进行蒸镀。绿色发光层形成用的蒸镀掩模既可以为掩模固定蒸镀用的蒸镀掩模，也可以为扫描蒸镀用的蒸镀掩模。
其后，与以往同样地操作，使用例如开放式掩模等，在形成有上述各色的发光层34的TFT基板10上的显示区域1a整个面上将电子传输层35的材料、电子注入层36的材料依次进行蒸镀。如上所述，这些电子传输层35和电子注入层36不是必须的层。这些电子传输层35和电子注入层36的层厚与以往同样地设定即可，没有特别限定。
接着，作为阴极，以覆盖上述电子注入层36的方式在上述TFT基板10中的显示区域1a整个面上形成第二电极23。在第二电极23的形成中，可以使用真空蒸镀法、CVD法、等离子体CVD法等蒸镀法，也可以使用溅射法、或印刷法等。
其后，以覆盖上述第二电极23的方式在上述TFT基板10中的显示区域1a整个面将保护层24的材料进行蒸镀。由此，在上述TFT基板10上形成有机EL元件20。
其后，通过进行密封工序，如图4所示，将形成有上述有机EL元件20的TFT基板10和密封基板40经由未图示的填充剂层和密封材料而贴合。由此，得到本实施方式的有机EL显示装置1。但是，作为有机EL元件20的密封方法，并不限定于上述的方法，可以采用公知的各种密封方法。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
下面，对本实施方式的有机EL显示装置1的显示方法，参照图1、图2的(a)～(c)和图4，以下进行说明。
如上所述，有机EL显示装置1包括多个设置有包括各色的发光层34的有机EL元件20的子像素3，通过使用TFT12将各子像素3中的有机EL元件20有选择地以期望的亮度发光而进行彩色显示。下面，对各子像素3中的发光进行说明。
本实施方式的有机EL显示装置1为有源矩阵型的有机EL显示装置，在显示区域中呈矩阵状配置有多个像素2。
本实施方式的有机EL显示装置1与以往的具有被称为RGB条纹排列的像素排列的有机EL显示装置不同，如图1和图4所示，各子像素3B、3G、3R具有彼此不同的层结构。
在本实施方式的有机EL显示装置1中，如图4所示，分别从第一电极21和第二电极23注入于有机EL层22的空穴(h+)和电子(e-)如图1和图2的(a)所示，在子像素3B中，在蓝色发光层34B中进行复合而生成激子。所生成的激子在失活而返回到基态时放出光。由此，在子像素3B中大致100％蓝色发光(蓝色荧光发光)。在子像素3B中，设置有以与蓝色发光材料相比能级低的红色发光材料为发光材料的红色发光层34R，如上所述，蓝色发光材料的发光光谱和红色发光材料的吸收光谱在波长上分离，几乎不具有重叠或理想而言完全不具有重叠，因此，不会从蓝色发光材料的S1能级直接福斯特跃迁至红色发光材料的S1能级。因此，在子像素3B中不会发生由福斯特跃迁引起的从蓝色发光层34B向红色发光层34R的能量转移。因此，如上所述，通过调节蓝色发光层34B和红色发光层34R的载流子迁移率而在子像素3B中在蓝色发光层34B中生成激子，在子像素3B中，在蓝色发光层34B中大致100％进行蓝色发光(蓝色荧光发光)。
因此，在本实施方式中，虽然在子像素3B中层叠红色发光层34R和蓝色发光层34B，但是能够抑制子像素3B中的混色。
在子像素3G中，通过各发光层34的载流子平衡、特别是蓝色发光层34B和绿色发光层34G的载流子平衡而分别从第一电极21和第二电极23注入于有机EL层22的空穴和电子在与子像素3B相同的蓝色发光层34B中复合，或在绿色发光层34G复合而生成激子。
在子像素3G中，如图1和图4所示，层叠蓝色发光层34B、绿色发光层34G和红色发光层34R，但是子像素3G中的绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR大于福斯特半径，红色发光层34R与蓝色发光层34B以及绿色发光层34G相比设置在一个电极侧(在本实施方式中为第一电极21侧)，蓝色发光材料的发光光谱和红色发光材料的吸收光谱在波长上分离，几乎不具有重叠或理想地完全不具有重叠，因此，不会从蓝色发光层34B或绿色发光层34G向红色发光层34R发生能量的转移。另一方面，绿色荧光发光材料的S1能级低于蓝色荧光发光材料的S1能级，蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的距离DBG为福斯特半径以下，红色发光层34R与蓝色发光层34B以及绿色发光层34G相比设置在一个电极侧(在本实施方式中为第一电极21侧)，在蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间不层叠。因此，在子像素3G中，能够在绿色发光层34G或蓝色发光层34B中生成激子，在子像素3G中，在绿色发光层34G中生成激子的情况下，通过在该绿色发光层34G中生成的激子失活而在返回到基态时放出光，在绿色发光层34G中大致100％进行绿色发光(绿色荧光发光)。此时，如果绿色荧光发光材料为TADF材料，则通过反向系间窜越，在绿色发光层34G中生成的75％的T1能级的激子上转换至S1能级，因此，能够显著提高子像素3G中的发光效率。在子像素3G中设置有以与绿色发光材料相比能级低的红色发光材料为发光材料的红色发光层34R，在绿色发光层34G和红色发光层34R之间设置有与福斯特半径相比层厚厚的蓝色发光层34B，因此，不会发生从绿色发光层34G向红色发光层34R的由福斯特跃迁引起的能量转移。
图1和图2的(b)中，作为一个例子，以在蓝色发光层34B中生成激子的情况为例来表示。如上所述，绿色荧光发光材料的S1能级低于蓝色荧光发光材料的S1能级，蓝色发光层34B与绿色发光层34G彼此相邻地设置，并且蓝色荧光发光材料的PL发光光谱的一部分与绿色荧光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
因此，如图1和图2的(b)所示，在子像素3G中在蓝色发光层34B中生成激子的情况下，产生从蓝色荧光发光材料的S1能级向绿色荧光发光材料的S1能级的福斯特跃迁。另一方面，如上所述，蓝色发光材料的PL发光光谱和红色发光材料的吸收光谱在波长上分离，不会发生从蓝色发光材料的S1能级向红色发光材料的S1能级的福斯特跃迁。因此，即使在子像素3G中在蓝色发光层34B中生成激子的情况下，也大致100％进行绿色发光(绿色荧光发光)。此时，如果蓝色荧光发光材料使用TADF材料，则通过反向系间窜越，在蓝色发光层34B中生成的75％的T1能级的激子上转换至S1能级，因此，能够显著提高子像素3B和子像素3G中的发光效率。
因此，在本实施方式中，虽然在子像素3G中层叠蓝色发光层34B和绿色发光层34G，但是，抑制子像素3G中的混色。
在子像素3R中，仅设置有红色发光层34R作为发光层。在子像素3R中，在红色发光层34R中生成激子，大致100％进行红色发光(红色荧光发光)。此时，如果红色荧光发光材料使用TADF材料，则通过反向系间窜越，在红色发光层34R中生成的75％的T1能级的激子上转换至S1能级，因此，能够显著提高子像素3R中的发光效率。
＜效果＞
如上所述，在本实施方式中，将红色发光层34R设为在子像素3B、子像素3G和子像素3R共用的共用发光层，将蓝色发光层34B设为在子像素3B和子像素3G共用的共用发光层，能够通过该共用发光层的有效利用而提高生产率，并利用在层叠方向相邻的发光层34间的能量转移的有无而进行发光。
根据本实施方式，如上所述，红色发光层34R以在子像素3B、子像素3G、子像素3R共用的方式形成在整个显示区域1a，因此，不需要将全部的发光层34分涂蒸镀。根据本实施方式，红色发光层34R以在含有子像素3B、子像素3G、子像素3R的全部的子像素3共用的方式在显示区域1a整体上进行蒸镀，由此能够降低使用蒸镀掩模的分涂蒸镀次数。
根据本实施方式，如上所述，在子像素3B中，层叠红色发光层34R和蓝色发光层34B，但蓝色发光层34B大致100％发光。在子像素3G中，层叠红色发光层34R和蓝色发光层34B绿色发光层34G，但绿色发光层34G大致100％发光。在仅形成有红色发光层34R作为发光层34的子像素3R中，红色发光层34R大致100％发光。而且，根据本实施方式，另外不需要彩色滤光片或色转换层。因此，根据本实施方式，在各子像素3中，能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色，能够容易地实现高分辨率化。载流子迁移率的选择的自由度比以往高，材料选择的自由度比以往高。
进而，根据本实施方式，在子像素3B、子像素3G和子像素3R中，发出峰值波长彼此不同的光。因此，根据本实施方式，与白色CF方式不同，不需要使蓝色发光层34B、绿色发光层34G和红色发光层34R全部同时发光，因此，能够抑制驱动时的消耗电力。
根据本实施方式，不需要另外设置彩色滤光片，因此，能够抑制制造成本，并且也没有由彩色滤光片引起的能量损失。
因此，根据本实施方式，能够提供在各子像素中能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色、并且能够抑制驱动时的消耗电力和制造成本的显示装置及其制造方法。
＜变形例＞
在本实施方式中，以本实施方式的显示装置为有机EL显示装置的情况为例进行说明。但是，本实施方式的显示装置只要是进行PL发光的显示装置即可。因此，本实施方式的显示装置并不限定于上述的例示，例如可以为无机EL显示装置，也可以为利用了PL发光的EL显示装置以外的显示装置。也可以是上述各发光材料使用无机材料，形成无机层代替有机层。
在本实施方式中，形成蓝色发光层34B作为第一发光层，形成绿色发光层34G作为第二发光层，形成红色发光层34R作为第三发光层，但是本实施方式并不限定于此。第一发光层中的第一发光材料、第二发光层中的第二发光材料和第三发光层中的第三发光材料的组合并不限定于蓝色荧光发光材料、绿色荧光发光材料和红色荧光发光材料的组合。上述组合只要是上述第二发光材料发出与从上述第一发光材料发出的光的峰值波长(第一峰值波长)相比具有长波长的峰值波长(第二峰值波长)的光、上述第三发光材料发出与上述第二峰值波长相比具有长波长的峰值波长(第三峰值波长)的光、上述第二发光材料的S1能级低于上述第一发光材料的S1、且高于上述第三发光材料的S1的组合即可。
[实施方式2]
主要基于图9的(a)～(c)对本发明的另一个实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，对与实施方式1的不同点进行说明，对于与实施方式1中说明的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的附图标记，省略其说明。在本实施方式中，也能够进行与实施方式1同样的变形，这是不言而喻的。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1，红色发光层34R的发光材料使用红色磷光发光材料，除此以外，具有与实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构。因此，表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的截面图与图4相同。表示本实施方式的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构的截面图与图1相同，示意性地表示本实施方式的有机EL显示装置1的像素排列的平面图与图3相同。
本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法，红色发光层34R的发光材料使用红色磷光发光材料，除此以外，与实施方式1的有机EL显示装置1的制造方法相同。
作为红色磷光发光材料，可列举例如：三(1-苯基异喹啉)铟(III)(Ir(piq)3)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合铟(III)(Ir(btp)2(acac))等。
在实施方式1中，如图6所示，绿色发光材料的S1能级(S1(2))低于蓝色发光材料的S1能级(S1(1))，红色发光材料的S1能级(S1(3))低于绿色发光材料的S1能级(S1(2))。即，绿色荧光发光材料的S1能级低于蓝色荧光发光材料的S1能级，红色磷光发光材料的S1能级(S1(3))低于绿色荧光发光材料的S1能级(S1(2))。
T1能级与S1能级相比能量低，因此，红色磷光发光材料的吸收光谱的波长比红色荧光发光材料的吸收光谱的波长变长，但红色磷光发光材料的吸收光谱的波长接近于红色荧光发光材料的吸收光谱的波长。因此，如实施方式1那样，与绿色发光材料和红色发光材料均使用荧光材料的情况同样，优选蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱和红色发光材料(在本实施方式中为红色磷光发光材料)的吸收光谱几乎不具有重叠或理想地完全不具有重叠。
这样，在本实施方式中，蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱和红色发光材料(在本实施方式中为红色磷光发光材料)的吸收光谱几乎不具有重叠或理想地完全不具有重叠，蓝色发光层34B的层厚大于福斯特半径，因此，不会发生从蓝色发光材料或绿色发光材料向红色发光材料的能量转移。
另一方面，在本实施方式中，优选蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱的一部分与绿色发光材料(在本实施方式中为绿色荧光发光材料)的吸收光谱的一部分重叠。通过蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱的一部分与绿色发光材料(在本实施方式中为绿色荧光发光材料)的吸收光谱的一部分重叠，容易引起从蓝色发光材料向绿色发光材料的能量转移。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
下面，对本实施方式的有机EL显示装置1的显示方法，参照图1和图9的(a)～(c)，以下进行说明。
图9的(a)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B中的发光原理的图，图9的(b)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3G中的发光原理的图，图9的(c)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3R中的发光原理的图。
本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B、3G中的各层的层叠结构与实施方式1的有机EL显示装置1的子像素3B、3G中的各层的层叠结构相同。在本实施方式中，与实施方式1同样，蓝色荧光发光材料的PL发光光谱的一部分与绿色荧光发光材料的吸收光谱的一部分重叠，并且蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的距离DBG为福斯特半径以下。另外，如上所述，蓝色荧光发光材料的PL发光光谱和红色磷光发光材料的吸收光谱几乎不具有重叠或理想地完全不具有重叠，蓝色发光层34B的层厚大于福斯特半径。
因此，在本实施方式中，使用红色磷光发光材料作为红色发光材料，如图9的(a)和图9的(b)所示，本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B、3G的发光原理与图1和图2的(a)、(b)所示的实施方式1的有机EL显示装置1的子像素3B、3G的发光原理相同，在实施方式1中，可以将红色发光材料或红色荧光发光材料改换成红色发光材料(红色磷光发光材料)。因此，在本实施方式中，省略与子像素3B、3G中的发光原理有关的说明。
在子像素3R中，作为发光层，仅设置有以红色磷光发光材料为发光材料的红色发光层34R。在子像素3R中，由红色发光层34R生成三态激子，在红色磷光发光材料的三态激子返回到基态时放出光。由此，在子像素3R中大致100％进行红色发光(在本实施方式中为红色磷光发光)。
＜效果＞
如上所述，在本实施方式中，实施方式1同样，通过将红色发光层34R设为在子像素3B、子像素3G和子像素3R共用的共用发光层，将蓝色发光层34B设为在子像素3B和子像素3G共用的共用发光层，能够通过该共用发光层的有效利用而提高生产率，并利用在层叠方向相邻的发光层34间的能量转移的有无而进行发光。因此，在本实施方式中，能够得到与实施方式1同样的效果。
[实施方式3]
主要基于图10对本发明的又一个实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，对与实施方式1、2的不同点进行说明，对于与实施方式1、2中说明的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的附图标记，省略其说明。在本实施方式中，也能够进行与实施方式1、2同样的变形，这是不言而喻的。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
图10是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。图10表示与图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面对应的一个像素区域的概略结构的一个例子。
本实施方式的有机EL显示装置1为将从发光层单元33发出的光从第一电极21侧、即TFT基板10侧取出的底部发光型的有机EL显示装置。
有机EL显示装置1为底部发光型的情况下，在绝缘基板11中使用被称为透明基板或透光性基板的玻璃基板、塑料基板等具有透光性的绝缘基板。
在有机EL显示装置1为底部发光型的情况下，从发光层单元33发出的光从透光性电极侧直接或在反射电极中反射后，从透光性电极侧被取出。因此，在本实施方式中，如上所述，将TFT基板10侧的第一电极21设为透光性电极，将第二电极23设为反射电极。作为这些透光性电极和反射电极的材料，例如可以使用实施方式1中例示的透光性电极材料、反射电极材料等。
就本实施方式的有机EL显示装置1而言，第一电极21为透光性电极，取代设置保护层24，而在第二电极23中使用与实施方式1的有机EL显示装置1中的第二电极23(半透明电极)相比层厚厚的反射电极，除此以外，与实施方式1、2的有机EL显示装置1相同。在本实施方式中，例如将第一电极21(阳极)在子像素3B、子像素3G和子像素3R的全部中设为层厚100nm的ITO电极，将第二电极23(阴极)设为层厚100nm的Al电极。
在本实施方式中，如图10所示，在TFT基板10上，从TFT基板10侧起依次层叠有由透光性电极构成的第一电极21、空穴注入层31、空穴传输层32、蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R、电子传输层35、电子注入层36、由反射电极构成的第二电极23。
＜效果＞
根据本实施方式，能够利用与实施方式1、2同样的原理进行显示。即，通过使上述的以外的条件为与实施方式1、2中的任一者相同的条件，能够利用与实施方式1、2中的任一者相同的原理，在各子像素3中，不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色，能够容易地实现高分辨率化。
因此，根据本实施方式，能够提供一种具有与实施方式1、2同样的效果的底部发光型的有机EL显示装置1。
如上所述，将有机EL显示装置1设为底部发光结构的情况下，微腔效应弱，即使使各子像素3中的有机EL元件20的光程长(空腔长)变化，各子像素3中的有机EL元件20的色度或发光效率也难以变化。因此，将第二电极23如实施方式1的第一电极21那样设为反射电极和作为层厚调整层(光程长调整层)的透光性电极的层叠结构，即使改变该透光性电极的层厚等而改变各子像素3中的有机EL元件20的光程长、或每子像素3不改变第一电极21和第二电极23之间的有机EL层22的层厚，各子像素3中的有机EL元件20的色度或效率也难以变化。
因此，根据本实施方式，如上所述，即使将有机EL显示装置1中的各层设为同样的层厚，也没有特别问题，与将有机EL显示装置1设为顶部发光结构的情况相比，能够使制造工艺简化。
[实施方式4]
主要基于图10和图11的(a)～(c)对本发明的再一个实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，对与实施方式1～3的不同点进行说明，对于与实施方式1～3中说明的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的附图标记，省略其说明。在本实施方式中，也能够进行与实施方式1～3同样的变形，这是不言而喻的。
＜有机EL显示装置1的概略结构和发光原理＞
图11是将本实施方式的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。图12是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。图12表示与图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面对应的一个像素区域的概略结构的一个例子。
在相邻的2个发光层34彼此直接接触的界面附近，发生以三态能级生成的75％的激子向相邻的发光层34的三态能级的能量转移的德克斯特跃迁的情况下，该激子直接以非发光进行热失活。
因此，在本实施方式中，如图11和图12所示，例如在实施方式1中，为了在子像素3G中的蓝色发光层34B和绿色发光层34G之间阻碍德克斯特跃迁，优选设置有不含发光材料的阻挡层37。
如实施方式1中说明的那样，子像素3G中的蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的距离(彼此的相对面间的距离DBG)为福斯特半径以下，阻挡层37的厚度为福斯特半径以下。因此，不阻碍子像素3G中的从蓝色荧光发光材料向绿色荧光发光材料的福斯特跃迁，但是阻碍德克斯特跃迁。
因此，通过这样在子像素3G中的蓝色发光层34B和绿色发光层34G之间设置薄的阻挡层37，能够改善子像素3G中的绿色发光层34G的发光效率。
就阻挡层37的层厚而言，为了可靠地进行福斯特跃迁，优选尽可能薄地形成，优选为10nm以下，更优选为5nm以下。
如实施方式1中说明的那样，通常，福斯特半径据说为1～10nm左右。因此，蓝色发光层34B的与绿色发光层34G相反的一侧的表面与绿色发光层34G的蓝色发光层34B侧的表面之间的距离优选为10nm以下。
这样在蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间设置有阻挡层37的情况下，在绿色发光层34G与红色发光层34R之间存在蓝色发光层35B和阻挡层37。因此，在本实施方式中，只要蓝色发光层34B的层厚与阻挡层37的层厚的合计层厚为15nm以上，就能够使绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR为15nm以上，因此，不一定需要蓝色发光层34B的层厚为15nm以上。
阻挡层37为了使载流子从蓝色发光层34B向绿色发光层34G的方向流动，例如如图11所示，优选表现出空穴传输性，或者作为阻挡层37整体表现出双极传输性。在阻挡层37使用表现出双极传输性的材料的情况下，该材料使可用像双极传输性材料那样单独表现出双极传输性的材料、或通过组合两种以上而表现出双极传输性的材料。
本实施方式的有机EL显示装置1，除上述方面之外，例如具有与实施方式1相同的结构。发光原理与实施方式1相同。
＜有机EL显示装置1的制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法，在实施方式1中，在蓝色发光层形成工序和绿色发光层形成工序之间包括形成阻挡层37的阻挡层形成工序，除此以外，与实施方式1的有机EL显示装置1的制造方法相同。
在图11和图12所示的例子中，将阻挡层37仅设置在子像素3G。因此，在图11和图12所示的有机EL显示装置1的制造方法中，可以使用例如同一蒸镀掩模连续地形成阻挡层37和绿色发光层34G。由此，在绿色发光层形成工序中，在阻挡层37上层叠在俯视时具有与阻挡层37相同的图案的绿色发光层34G。但是，本实施方式并不限定于此，也可以使用具有相同的开口图案的、分别专用的蒸镀掩模将阻挡层37和绿色发光层34G形成图案。
＜效果＞
如上所述，本实施方式的有机EL显示装置1在子像素3G的蓝色发光层34B和绿色发光层34G之间设置有阻挡层37，除此以外，具有与实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构，利用与实施方式1相同的原理进行发光。因此，根据本实施方式，能够得到与实施方式1同样的效果。
根据本实施方式，通过形成阻挡层37，不阻碍从蓝色荧光发光材料向绿色荧光发光材料的福斯特跃迁，但是阻碍德克斯特跃迁，因此，能够改善子像素3G中的绿色发光层34G的发光效率。
＜变形例＞
在上述的说明中，以对实施方式1的有机EL显示装置1的变形例为例进行了说明，但是本实施方式并不限定于此，如上所述，可以进行与实施方式1～3同样的变形。
阻挡层37用于阻碍子像素3G中的从蓝色荧光发光材料向绿色荧光发光材料的德克斯特跃迁，如图11和图12所示，如果配置在子像素3G中的蓝色发光层34B和绿色发光层34G之间，则对其他子像素3的配置不一定需要。但是，本实施方式并不限定于此，阻挡层37可以作为在子像素3B和子像素3G共用的共用层而设置。该情况下，例如可以分别在具有同一蒸镀掩模、或相同的图案中使用专用的蒸镀掩模连续地形成蓝色发光层34B和阻挡层37。
阻挡层37可以作为与红色发光层35R相同的、与全像素2中的子像素3B、3G、3R共用的共用层设置于显示区域1a整体。该情况下，可以将阻挡层37作为蒸镀掩模，例如使用相同的开放式掩模而形成。
[实施方式5]
主要基于图13和图14对本发明的再一个实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，对与实施方式1～4的不同点进行说明，对于与实施方式1～4中说明的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的附图标记、省略其说明。在本实施方式中，也能够进行与实施方式1～4同样的变形，这是不言而喻的。
图13是将本实施方式的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。图14是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。图14表示与图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面对应的一个像素区域的概略结构的一个例子。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1，如图13和图14所示，发光层单元33具有在第一电极21与第二电极23之间从第一电极21侧起以绿色发光层34G、蓝色发光层34B、红色发光层34R的顺序层叠的结构。即，在本实施方式中，发光层单元33中的各层以与实施方式1～4相反的顺序层叠。
因此，在本实施方式中，如图13所示，例如，蓝色发光层34B中含有比率最多的材料、优选全部的材料使用电子传输性材料，红色发光层34R中含有比率最多的材料、优选全部的材料使用双极传输性材料或电子传输性材料。
绿色发光层34G的材料的载流子迁移率没有特别限制，但是基于实施方式1中记载的理由，绿色发光层34G中的材料中的混合比率最高的材料、优选全部的材料优选为电子传输性材料或双极传输性材料，更优选为电子传输性材料。本实施方式的有机EL显示装置1，除上述方面之外，例如具有与实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构。
本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法依次进行绿色发光层形成工序、蓝色发光层形成工序、红色发光层形成工序，除此以外，例如与实施方式1的有机EL显示装置1的制造方法相同。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
因此，在本实施方式中，与实施方式1同样地进行发光。即，如图13所示，在子像素3B中，与实施方式1同样地，在蓝色发光层34B中生成激子。基于实施方式1中说明的理由，在子像素3B中不会发生由福斯特跃迁引起的从蓝色发光层34B向红色发光层34R的能量转移。因此，在子像素3B中，大致100％进行蓝色发光(蓝色荧光发光)。
在子像素3G中，通过各发光层34的载流子平衡、特别是蓝色发光层34B和绿色发光层34G的载流子平衡，在与子像素3B相同的蓝色发光层34B中复合，或在绿色发光层34G中复合而生成激子。
图13中，作为一个例子，以在绿色发光层34G中生成激子的情况为例来表示。在本实施方式中，基于实施方式1中说明的理由，不会发生从绿色发光层34G或蓝色发光层34B向红色发光层34R的由福斯特跃迁引起的能量转移。因此，在绿色发光层34G中生成激子的情况下，在子像素3G中，通过在绿色发光层34G中生成的激子失活而返回到基态时放出光，在绿色发光层34G中大致100％进行绿色发光(绿色荧光发光)。此时，如果绿色荧光发光材料使用TADF材料，则能够得到与实施方式1中说明的效果同样的效果。
在本实施方式中，在子像素3G中，在蓝色发光层34B中生成激子的情况下，绿色发光层34G与蓝色发光层34B之间的距离DBG为福斯特半径以下，通过产生从蓝色荧光发光材料的S1能级向绿色荧光发光材料的S1能级的福斯特跃迁，大致100％进行绿色发光(绿色荧光发光)。在本实施方式中，通过在绿色发光层34G和红色发光层34R之间设置有蓝色发光层34B，如实施方式1中说明的那样，在子像素3G中能量不从绿色发光层34G向红色发光层34R转移。此时，如果蓝色荧光发光材料使用TADF材料，则能够得到与实施方式1中说明的效果同样的效果。
在子像素3R中，在红色发光层34R中生成激子，大致100％进行红色发光(红色荧光发光)。此时，如果红色荧光发光材料使用TADF材料，则能够得到与实施方式1中说明的效果同样的效果。
＜效果＞
如上所述，在本实施方式中，也能够得到与实施方式1同样的效果。以往，当改变层叠顺序或载流子迁移率时，有可能发生混色。但是，在本实施方式中，虽然与实施方式1～4相比改变了各发光层34的层叠顺序，但是，在各子像素3中，能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色。另外，由本实施方式也可知，载流子迁移率的选择的自由度比以往高。由以上的结果可知，上述有机EL显示装置1的发光层单元33中的发光层34的层叠顺序的自由度和材料选择的自由度比以往高。
在本实施方式中，以对实施方式1的有机EL显示装置1的变形例为例进行了说明，但是本实施方式并不限定于此，如上所述，可以进行与实施方式1～4同样的变形，通过进行这样的变形，能够得到与实施方式1～4同样的效果。例如，如果红色发光层34R的发光材料使用红色磷光发光材料，则在红色发光层34R中生成三态激子，在子像素3R中，大致100％进行红色磷光发光。
[实施方式6]
主要基于图15～图18对本发明的再一个实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，对与实施方式1～5的不同点进行说明，对于与实施方式1～5中说明的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的附图标记，省略其说明。在本实施方式中，也能够进行与实施方式1～5同样的变形，这是不言而喻的。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
图15是将本变形例的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。图16是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。图16表示与图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面对应的一个像素区域的概略结构的一个例子。
就本实施方式的有机EL显示装置1而言，如图15和图16所示，在实施方式1的有机EL显示装置1中，在子像素3B、3G中的蓝色发光层34B和红色发光层34R之间作为不含发光材料的中间层，设置有阻碍福斯特跃迁的分隔层38。分隔层38为以子像素3G中的绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR大于福斯特半径的方式用于调整上述距离DGR的层，不含有由绿色发光材料、蓝色发光材料和红色发光材料进行福斯特跃迁的材料。
在图15和图16中，作为一个例子，以分隔层38作为在子像素3B、3G中的蓝色发光层34B和红色发光层34R之间与子像素3B和子像素3G共用的共用层设置的情况为例来表示。
但是，分隔层38设置在至少子像素3G中的蓝色发光层34B和红色发光层34R之间，蓝色发光层34B与分隔层38的合计层厚大于福斯特半径，以绿色发光层34G与蓝色发光层34B之间的距离DBG成为福斯特半径以下的方式形成即可。因此，就分隔层38而言，如图15和图16所示，不一定需要设置在子像素3B中的蓝色发光层34B和红色发光层34R之间。
图17是表示蓝色荧光发光材料的PL发光光谱和分隔层38中的材料的吸收光谱的一个例子的图。图17中，作为蓝色荧光发光材料的PL发光光谱，表示出了2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe)的PL发光光谱，并且，作为分隔层38中的材料的吸收光谱，表示出了2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)的吸收光谱。
如图17所示，优选分隔层38中包含的全部的材料(即分隔层38的材料)的吸收光谱和分隔层38中的与红色发光层34R相反侧相邻的蓝色发光层34B中包含的蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱不存在重叠。如图17所示，由于作为分隔层38的材料的例如BCP在可视区域中不具有发光光谱，因此，与吸收光谱处于相当短波长侧的紫外区域，蓝色发光层34B中包含的蓝色荧光发光材料(蓝色荧光掺杂剂)即例如TBPe的PL发光光谱不具有重叠。
分隔层38的层厚只要以蓝色发光层34B与分隔层38的合计层厚大于福斯特半径的方式设计即可，如实施方式1中说明的那样，通过使2个发光层34的彼此相对的相对面间的距离隔开至少15nm，即使在上述2个发光层34的发光材料的PL发光光谱和吸收光谱完全重叠的情况下，在上述2个发光层34间也不会发生福斯特跃迁，因此，优选设定成使得蓝色发光层34B与分隔层38的合计层厚为15nm以上。
分隔层38可以设定成分隔层38单独为15nm以上，也可以设定成蓝色发光层34B与分隔层38的合计层厚为15nm以上，且分隔层38单独小于15nm，例如具有小于福斯特半径的层厚。
如上所述，通过将分隔层38在子像素3B、3G中的蓝色发光层34B和红色发光层34R之间作为与子像素3B和子像素3G共用的共用层设置、并且以子像素3B中的分隔层38的层厚为福斯特半径以上、更优选成为15nm以上的方式设定，能量不从蓝色发光层34B向分隔层38转移，能够更可靠地防止子像素3B中的蓝色发光层34B和红色发光层34R之间的福斯特跃迁。
分隔层38的层厚只要设定为可以阻碍子像素3G中的绿色发光层34G和红色发光层34R之间的福斯特跃迁的厚度即可，如果分隔层38的层厚变大，则有机EL显示装置1的厚度相应地增大。因此，从抑制有机EL显示装置1的大型化或元件的低电压化的观点出发，分隔层38的层厚优选设为50nm以下，更优选设为30nm以下。
在本实施方式中，只要这样蓝色发光层34B与分隔层38的合计层厚大于福斯特半径即可，因此，蓝色发光层34B的层厚不需要像实施方式1那样为15nm以上，没有特别限定。
根据本实施方式，通过在蓝色发光层34B与红色发光层34R之间形成分隔层38，能够使蓝色发光层34B的层厚为10nm以下。通过使蓝色发光层34B的层厚为10nm以下，从蓝色发光层34B的任意的位置至绿色发光层34G的最短距离成为10nm以下，即使是位于蓝色发光层34B的与绿色发光层34G相反的一侧的表面的蓝色荧光发光材料的分子，也能够进行福斯特跃迁。
分隔层38只要能够使载流子从第一电极21和第二电极23向蓝色发光层34B的方向流动即可，在本实施方式中也可以为空穴传输性材料，但是如图15所示，优选分隔层38整体表现出双极传输性。在分隔层38使用表现出双极传输性的材料的情况下，该材料可以使用如双极传输性材料那样单独表现出双极传输性的材料、或者通过将两种以上组合而表现出双极传输性的材料。关于其他层的载流子迁移率，如实施方式1中说明的那样。
本实施方式的有机EL显示装置1，除上述方面之外，例如具有与实施方式1相同的结构。在本实施方式中，如上所述，在绿色发光层34G与红色发光层34R之间，设置有蓝色发光层34B和分隔层38，更具体而言，在蓝色发光层34B与红色发光层34R之间，设置有分隔层38，蓝色荧光发光材料的发光光谱与分隔层38的材料的吸收光谱不存在重叠，绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR大于福斯特半径。因此，在本实施方式中，能量也不从绿色发光层34G向红色发光层34R转移。因此，本实施方式的有机EL显示装置1的发光原理与实施方式1相同。
＜有机EL显示装置1的制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法，在实施方式1中，在红色发光层形成工序和蓝色发光层形成工序之间包括形成分隔层38的分隔层形成工序，除此以外，与实施方式1的有机EL显示装置1的制造方法相同。
在图15和图16所示的例子中，在蓝色发光层34B与红色发光层34R之间，将分隔层38设置为在子像素3B和子像素3G共用的共用层。因此，在图15和图16所示的有机EL显示装置1的制造方法中，例如可以使用同一蒸镀掩模连续地形成分隔层38和蓝色发光层34B。由此，在蓝色发光层形成工序中，在分隔层38上层叠在俯视时具有与分隔层38相同的图案的蓝色发光层34B。但是，本实施方式并不限定于此，也可以使用具有相同的开口图案的、分别专用的蒸镀掩模将分隔层38和蓝色发光层34B形成图案。
＜效果＞
如上所述，本实施方式的有机EL显示装置1，为了阻碍绿色发光层34G与红色发光层34R之间的福斯特跃迁，设置有不含发光材料的分隔层38，位于绿色发光层34G与红色发光层34R之间的蓝色发光层34B与分隔层38的合计层厚大于福斯特半径，除此以外，具有与实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构，利用与实施方式1相同的原理进行发光。因此，根据本实施方式，能够得到与实施方式1同样的效果。
根据本实施方式，通过如上所述在蓝色发光层34B与红色发光层34R之间形成分隔层38，能够设为蓝色发光层34B的福斯特半径以下。因此，能够使子像素3G中的绿色发光层34G的发光效率与实施方式1相比改善。
＜变形例＞
图18是将本实施方式的变形例的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。
分隔层38只要形成在子像素3G中的蓝色发光层34B与红色发光层34R之间即可，可以如图18所示，形成为在子像素3B、3G、3R共用的共用层。
本变形例的有机EL显示装置1，如图18所示，分隔层38形成为在子像素3B、3G、3R共用的共用层，除此以外，具有与图16和图17所示的有机EL显示装置1相同的结构。本变形例的有机EL显示装置1的发光原理如图18所示，与图16所示的有机EL显示装置1相同。
在这样将分隔层38形成为在子像素3B、3G、3R共用的共用层的情况下，分隔层38可以与红色发光层34R同样，不使用分涂蒸镀，而使用例如开放式掩模等作为分隔层形成用的蒸镀掩模，在TFT基板10中的显示区域1a整个面上蒸镀。另外，分隔层38的形成也可以使用红色发光层形成用的蒸镀掩模，也可以使用红色发光层形成用的蒸镀掩模与红色发光层34R连续形成。
在本实施方式中，以对实施方式1的有机EL显示装置1的变形例为例进行了说明，但是本实施方式并不限定于此，如上所述，可以进行与实施方式1～5同样的变形，通过进行这样的变形，能够得到与实施方式1～5同样的效果。
例如，虽然没有图示，但是在实施方式5中的有机EL显示装置1中，可以在子像素3G中的蓝色发光层34B与红色发光层34R之间设置有分隔层38。即使在该情况下，也能够得到与本实施方式同样的效果。
[实施方式7]
基于主要图19～图21对本发明的再一个实施方式进行说明如下。
在本实施方式中，对与实施方式1～6的不同点进行说明，对于与实施方式1～6中说明的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的附图标记，省略其说明。在本实施方式中，能够进行与实施方式1～6同样的变形，这是不言而喻的。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
图19是将本变形例的有机EL显示装置1的发光层单元33的概略结构与发光原理一起示意性地表示的图。图20是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。图20表示与图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面对应的一个像素区域的概略结构的一个例子。
本实施方式的有机EL显示装置1，如图19和图20所示，发光层单元33具有在第一电极21与第二电极23之间从第一电极21侧起以红色发光层34R、分隔层38、绿色发光层34G、蓝色发光层34B的顺序层叠的结构。即，在本实施方式中，子像素3G中的绿色发光层34G和蓝色发光层34B以与实施方式1～6相反的顺序层叠。
在本实施方式中，在图19和图20所示的例子中，以将分隔层38作为在子像素3B、子像素3G和子像素3R共用的共用层设置的情况为例来表示，但分隔层38只要设置在子像素3G中的红色发光层34R上(其中，在本实施方式中，为红色发光层34R和绿色发光层34G之间)即可，不一定需要设置在子像素3B、3R中的红色发光层34R上。
在本实施方式中，在子像素3G中的绿色发光层34G和红色发光层34R之间仅设置有分隔层38。因此，分隔层38需要使得在该分隔层38单层中能量不从绿色发光层34G向红色发光层34R转移。
图21是表示绿色荧光发光材料的PL发光光谱和分隔层38中的材料的吸收光谱的一个例子的图。图21中，作为绿色荧光发光材料的PL发光光谱，表示出了2,3-(2-苯并三唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素(香豆素6)的PL发光光谱，并且，作为分隔层38的材料的吸收光谱，表示出了2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)的吸收光谱。
如图21所示，优选分隔层38中包含的全部的材料(即，分隔层38的材料)的吸收光谱和分隔层38中的与红色发光层34R相反侧相邻的绿色发光层34G中包含的绿色发光材料(在本实施方式中为绿色荧光发光材料)的PL发光光谱不存在重叠。
如图21所示，由于作为分隔层38的材料的例如BCP在可视区域不具有发光光谱，因此，吸收光谱处于相当短波长侧的紫外区域，与作为绿色发光层34G中包含的绿色荧光发光材料(绿色荧光掺杂剂)的例如香豆素6的PL发光光谱不具有重叠。
如实施方式6中说明的那样，优选分隔层38中包含的全部的材料(即，分隔层38的材料)的吸收光谱和分隔层38中的与红色发光层34R相反侧相邻的蓝色发光层34B中包含的蓝色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱不存在重叠。如图17所示，作为蓝色荧光发光材料的例如TBPe的PL发光光谱与作为分隔层38的材料的上述BCP的吸收光谱不具有重叠。
在本实施方式中，以红色发光层34R与绿色发光层34G之间的距离DGR大于福斯特半径的方式，以分隔层38的层厚大于福斯特半径、优选成为15nm以上的方式进行设计。如实施方式1、6中说明的那样，通过使2个发光层34的彼此相对的相对面间的距离隔开至少15nm，即使在上述2个发光层34的发光材料的PL发光光谱和吸收光谱完全重叠的情况下，在上述2个发光层34间也不会发生福斯特跃迁。
实施方式6同样，在本实施方式中，分隔层38的层厚以可以阻碍子像素3G中的绿色发光层34G和红色发光层34R之间的福斯特跃迁的厚度进行设定即可，如果分隔层38的层厚变大，则有机EL显示装置1的厚度相应地增大。因此，从有机EL显示装置1的大型化的抑制或元件的低电压化的观点出发，分隔层38的层厚优选设为50nm以下，更优选设为30nm以下。
蓝色发光层34B的层厚没有特别限定，基于实施方式6中记载的理由，优选设为10nm以下。在本实施方式中，蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的距离DBG为福斯特半径以下。红色发光层34R的层厚与以往同样地设定即可，没有特别限定。
如上所述，在本实施方式中，子像素3G中的绿色发光层34G和蓝色发光层34B以与实施方式1～6相反的顺序层叠，因此，为了有效地得到在具有本实施方式的层叠结构的各子像素3中应该显示的发光色，如图19所示，绿色发光层34G中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料优选为在子像素3G中使载流子从第一电极21和第二电极23向绿色发光层34G的方向流动的材料，因此，优选为空穴迁移率高于电子迁移率的空穴传输性材料。
因此，在本实施方式中，蓝色发光层34B中的材料中的含有比率最多的材料优选全部的材料、绿色发光层34G中的材料中的含有比率最多的材料优选全部的材料、以及红色发光层34R中的材料中的含有比率最多的材料优选全部的材料，优选为空穴传输性材料。
分隔层38中的含有比率最多的材料、优选全部的材料可以为空穴传输性材料，如图15所示，优选作为分隔层38整体表现出双极传输性。
如上所述，通过蓝色发光层34B中含有比率最多的材料、绿色发光层34G中含有比率最多的材料和红色发光层34R中含有比率最多的材料分别使用空穴传输性材料，与这些材料使用电子传输性材料的情况相比，驱动电压有可能高电压化。但是，本实施方式的有机EL显示装置1与白色CF方式不同，不需要使蓝色发光层34B、绿色发光层34G和红色发光层34R全部同时发光，因此，与使用白色CF方式的情况相比，能够降低驱动电压，能够抑制驱动时的消耗电力。
在分隔层38中的含有比率最多的材料、优选全部的材料为空穴传输性材料的情况下，蓝色发光层34B中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料可以为在子像素3G中使载流子从第一电极21和第二电极23向绿色发光层34G的方向流动的材料。因此，在该情况下，蓝色发光层34B中的材料中的含有比率最多的材料、优选全部的材料可以为电子传输性材料。
本实施方式的有机EL显示装置1，除上述方面之外，例如具有与实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构。
本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法依次进行红色发光层形成工序、分隔层形成工序、绿色发光层形成工序、蓝色发光层形成工序，除此以外，例如与实施方式6的变形例1的有机EL显示装置1的制造方法相同。
在本实施方式中也是，与实施方式6的变形例1同样，在子像素3B、3G、3R共用地设置有分隔层38，由此，分隔层38可以与红色发光层34R同样，不使用分涂蒸镀，而使用例如开放式掩模等作为分隔层形成用的蒸镀掩模，在TFT基板10中的显示区域1a整个面上蒸镀。在该情况下，分隔层38的形成也可以使用红色发光层形成用的蒸镀掩模，也可以使用红色发光层形成用的蒸镀掩模与红色发光层34R连续形成。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
就本实施方式的有机EL显示装置1而言，子像素3G中的绿色发光层34G和蓝色发光层34B以与实施方式6相反的顺序层叠，因此，在绿色发光层34G中的材料中的混合比率最高的材料中使用例如空穴传输性材料，并且分隔层38的层厚大于福斯特半径，除此以外，例如具有与实施方式6相同的结构。
因此，子像素3B、3R中的发光原理例如与实施方式6相同。如图19所示，在子像素3B中，在蓝色发光层34B中生成激子。基于实施方式1、6中说明的理由，在子像素3B中不会发生由福斯特跃迁引起的从蓝色发光层34B向红色发光层34R的能量转移。因此，在子像素3B中，大致100％进行蓝色发光(蓝色荧光发光)。
在子像素3G中，通过各发光层34的载流子平衡、特别是蓝色发光层34B和绿色发光层34G的载流子平衡，在蓝色发光层34B中复合，或在绿色发光层34G复合而生成激子。
在图19中，以在蓝色发光层34B中生成激子的情况为例来表示。如实施方式1中说明的那样，绿色荧光发光材料的S1能级低于蓝色荧光发光材料的S1能级，蓝色发光层34B与绿色发光层34G彼此相邻地设置，并且蓝色荧光发光材料的PL发光光谱的一部分与绿色荧光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。因此，如图19所示，在子像素3G中在蓝色发光层34B中生成激子的情况下，产生从蓝色荧光发光材料的S1能级向绿色荧光发光材料的S1能级的福斯特跃迁。另一方面，通过在绿色发光层34G和红色发光层34R之间设置上述分隔层38，不会发生从绿色发光材料的S1能级向红色发光材料的S1能级的福斯特跃迁。因此，在子像素3G中，大致100％进行绿色发光(绿色荧光发光)。此时，如果蓝色荧光发光材料使用TADF材料，则通过反向系间窜越，在蓝色发光层34B中生成的75％的T1能级的激子上转换至S1能级，因此，能够显著提高子像素3B和子像素3G中的发光效率。
如上所述，由于不会发生从绿色发光材料的S1能级向红色发光材料的S1能级的福斯特跃迁，因此，在绿色发光层34G中生成激子的情况下，在绿色发光层34G中大致100％进行绿色发光(绿色荧光发光)。此时，如果绿色荧光发光材料使用TADF材料，则通过反向系间窜越，在绿色发光层34G中生成的75％的T1能级的激子上转换至S1能级，因此，能够显著提高子像素3G中的发光效率。如上所述，例如在分隔层38中的含有比率最多的材料为空穴传输性材料、蓝色发光层34B中的材料中的含有比率最多的材料为电子传输性材料的情况下，在子像素3G中生成激子。
在本实施方式中，在子像素3R中仅设置有红色发光层34R作为发光层。在子像素3R中，在红色发光层34R中生成激子，大致100％进行红色发光(红色荧光发光)。此时，如果红色荧光发光材料使用TADF材料，则通过反向系间窜越，在红色发光层34R中生成的75％的T1能级的激子上转换至S1能级，因此，能够显著提高子像素3R中的发光效率。
＜效果＞
如上所述，在本实施方式中，也能够得到与实施方式1、6同样的效果。在本实施方式中，虽然与实施方式1～6相比改变了各发光层34的层叠顺序的一部分，但是，在各子像素3中，能够不发生混色或色偏地以高效率得到各自的发光色。另外，由本实施方式也可知，载流子迁移率的选择的自由度比以往高。因此，上述有机EL显示装置1的发光层单元33中的发光层34的层叠顺序的自由度和材料选择的自由度比以往高。
此外，虽然省略了说明，但是在本实施方式中，也能够进行与实施方式1的变形例或实施方式2～5同样的变形，通过进行这样的变形，能够得到与那些实施方式同样的效果。
[总结]
本发明的方式1的显示装置(例如有机EL显示装置1)在显示区域1a设置有第一电极(第一电极21)、第二电极(第二电极23)和形成在上述第一电极与上述第二电极之间的层叠体(例如有机EL层22)，其中，上述显示区域1a包括发出峰值波长彼此不同的光(例如蓝色光、绿色光、红色光)的第一子像素(例如蓝色的子像素3B)、第二子像素(例如绿色的子像素3G)和第三子像素(例如红色的子像素3R)，上述层叠体包括：含有第一荧光发光材料(例如蓝色荧光发光材料)的第一发光层(例如蓝色发光层34B)；含有第二荧光发光材料(例如绿色荧光发光材料)的第二发光层(例如绿色发光层34G)；和含有第三荧光发光材料(例如红色荧光发光材料)或磷光发光材料(例如红色磷光发光材料)作为第三发光材料的第三发光层(例如红色发光层34R)，上述第一荧光发光材料发出具有第一峰值波长的光，上述第二荧光发光材料发出具有第二峰值波长的光，上述第三发光材料发出具有第三峰值波长的光，上述第二峰值波长大于上述第一峰值波长，上述第三峰值波长大于上述第二峰值波长，上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三发光层在上述第一子像素、上述第二子像素和上述第三子像素共用地设置，上述第一发光层在上述第一子像素和上述第二子像素共用地设置，上述第二发光层仅设置在上述第二子像素，上述第二子像素中的上述第一发光层与上述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，并且上述第二发光层与上述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，上述第三发光层与上述第一发光层以及上述第二发光层相比设置在上述第一电极侧或上述第二电极侧。
本发明的方式2的显示装置可以：在上述方式1中，上述第一电极和第二电极中的一者包含反射电极，另一者为透光性电极，在上述第一子像素中，从上述第一发光层发出的光直接透过上述透光性电极射出到外部，或者在上述第一子像素中的上述反射电极与上述透光性电极之间多重反射后，透过上述透光性电极射出到外部，在上述第二子像素中，从上述第二发光层发出的光直接透过上述透光性电极射出到外部，或者在上述第二子像素中的上述反射电极与上述透光性电极之间多重反射后，透过上述透光性电极射出到外部，在上述第三子像素中，从上述第三发光层发出的光直接透过上述透光性电极射出到外部，或者在上述第三子像素中的上述反射电极与上述透光性电极之间多重反射后，透过上述透光性电极射出到外部。
本发明的方式3的显示装置可以：在上述方式1或2中，上述第一荧光发光材料的发光光谱的一部分与上述第二荧光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
本发明的方式4的显示装置可以：在上述方式1～3中的任一方式中，上述第一荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
本发明的方式5的显示装置可以：在上述方式1～4中的任一方式中，上述第二荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
本发明的方式6的显示装置可以：在上述方式1～5中的任一方式中，上述第三荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
本发明的方式7的显示装置可以：在上述方式1～6中的任一方式中，上述第二子像素中的上述第一发光层和上述第二发光层隔着阻挡层层叠，上述阻挡层不含发光材料且具有福斯特半径以下的层厚。
本发明的方式8的显示装置可以：在上述方式1～7中的任一方式中，上述第二子像素中的上述第二发光层与上述第三发光层之间的距离至少为15nm。
本发明的方式9的显示装置可以：在上述方式1～8中的任一方式中，上述第三发光层、上述第一发光层和上述第二发光层在上述第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠。
本发明的方式10的显示装置可以：在上述方式1～8中的任一方式中，上述第二发光层、上述第一发光层和上述第三发光层在上述第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠。
本发明的方式11的显示装置可以：在上述方式7或8中，在至少上述第二子像素中的上述第一发光层与上述第三发光层之间设置有不含发光材料的分隔层。
本发明的方式12的显示装置可以：在上述方式11中，上述第一发光层与上述分隔层的合计层厚大于福斯特半径。
本发明的方式13的显示装置可以：在上述方式1～8中的任一方式中，上述第三发光层、上述第二发光层和上述第一发光层在上述第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠。
本发明的方式14的显示装置可以：在上述方式13中，在至少上述第二子像素中的上述第二发光层与上述第三发光层之间设置有不含发光材料的分隔层。
本发明的方式15的显示装置可以：在上述方式14中，上述分隔层的层厚大于福斯特半径。
本发明的方式16的显示装置可以：在上述方式11、12、14、15中的任一方式中，与上述分隔层的和上述第三发光层相反的一侧相邻的发光层的荧光发光材料的发光光谱，与上述分隔层的材料的吸收光谱不具有重叠。
本发明的方式17是一种显示装置(例如有机EL显示装置1)的制造方法，该显示装置(例如有机EL显示装置1)在显示区域1a设置有第一电极(第一电极21)、第二电极(第二电极23)和形成在上述第一电极与上述第二电极之间的层叠体(例如有机EL层22)，其中，上述显示区域1a包括发出峰值波长彼此不同的光(例如蓝色光、绿色光、红色光)的第一子像素(例如蓝色的子像素3B)、第二子像素(例如绿色的子像素3G)和第三子像素(例如红色的子像素3R)，上述层叠体包括：含有第一荧光发光材料(例如蓝色荧光发光材料)的第一发光层(例如蓝色发光层34B)；含有第二荧光发光材料(例如绿色荧光发光材料)的第二发光层(例如绿色发光层34G)；和含有第三荧光发光材料(例如红色荧光发光材料)或磷光发光材料(例如红色磷光发光材料)作为第三发光材料的第三发光层(例如红色发光层34R)，上述第一荧光发光材料发出具有第一峰值波长的光，上述第二荧光发光材料发出具有第二峰值波长的光，上述第三发光材料发出具有第三峰值波长的光，上述第二峰值波长大于上述第一峰值波长，上述第三峰值波长大于上述第二峰值波长，上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述显示装置的制造方法的特征在于，包括：形成上述第一电极的工序；形成上述层叠体的工序；和形成上述第二电极的工序，形成上述层叠体的工序包括：第一发光层蒸镀工序，以在上述第一子像素、上述第二子像素和上述第三子像素共用的方式蒸镀上述第一发光层；第二发光层蒸镀工序，以在上述第二子像素和上述第三子像素共用的方式分涂蒸镀上述第二发光层；和第三发光层蒸镀工序，在上述第三子像素分涂蒸镀上述第三发光层，以如下方式形成上述层叠体：上述第二子像素中的上述第一发光层与上述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，并且上述第二发光层与上述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，上述第三发光层与上述第一发光层以及上述第二发光层相比位于上述第一电极侧或上述第二电极侧。
本发明并不限定于上述的各实施方式，可以在权利要求所示的范围内进行各种改变，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。通过将在各实施方式中分别公开的技术手段组合，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
1 有机EL显示装置(显示装置)
1a 显示区域
2 像素
3、3B、3G、3R 子像素
4、4B、4G、4R 发光区域
10 TFT基板(基板)
11 绝缘基板
12 TFT
13 层间绝缘膜
13a 接触孔
14 配线
15 堤
15a 开口部
20、20B、20G、20R 有机EL元件
21 第一电极
21a 反射电极
21b 透光性电极
22 有机EL层
23 第二电极
24 保护层
31 空穴注入层
32 空穴传输层
33 发光层单元(层叠体)
34 发光层
34B 蓝色发光层(第一发光层)
34G 绿色发光层(第二发光层)
34R 红色发光层(第三发光层)
35 电子传输层
36 电子注入层
37 阻挡层
38 分隔层
40 密封基板
DBG、DGR 相对面间的距离

Claims (16)

1.一种显示装置，其特征在于：
在显示区域设置有第一电极、第二电极和形成在所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，其中，所述显示区域包括发出峰值波长彼此不同的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，
所述层叠体包括：含有第一荧光发光材料的第一发光层；含有第二荧光发光材料的第二发光层；和含有第三荧光发光材料或磷光发光材料作为第三发光材料的第三发光层，
所述第一荧光发光材料发出具有第一峰值波长的光，所述第二荧光发光材料发出具有第二峰值波长的光，所述第三发光材料发出具有第三峰值波长的光，所述第二峰值波长大于所述第一峰值波长，所述第三峰值波长大于所述第二峰值波长，
所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，
所述第三发光层在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素共用地设置，所述第一发光层在所述第一子像素和所述第二子像素共用地设置，所述第二发光层仅设置在所述第二子像素，
所述第二子像素中的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，并且所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，所述第三发光层与所述第一发光层以及所述第二发光层相比设置在所述第一电极侧或所述第二电极侧。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述第一电极和第二电极中的一者包含反射电极，另一者为透光性电极，
在所述第一子像素中，从所述第一发光层发出的光直接透过所述透光性电极射出到外部，或者在所述第一子像素中的所述反射电极与所述透光性电极之间多重反射后，透过所述透光性电极射出到外部，
在所述第二子像素中，从所述第二发光层发出的光直接透过所述透光性电极射出到外部，或者在所述第二子像素中的所述反射电极与所述透光性电极之间多重反射后，透过所述透光性电极射出到外部，
在所述第三子像素中，从所述第三发光层发出的光直接透过所述透光性电极射出到外部，或者在所述第三子像素中的所述反射电极与所述透光性电极之间多重反射后，透过所述透光性电极射出到外部。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第一荧光发光材料的发光光谱的一部分与所述第二荧光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第一荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第二荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第三荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第二子像素中的所述第一发光层和所述第二发光层隔着阻挡层层叠，所述阻挡层不含发光材料且具有福斯特半径以下的层厚。
8.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第二子像素中的所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离至少为15nm。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第三发光层、所述第一发光层和所述第二发光层在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠。
10.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第二发光层、所述第一发光层和所述第三发光层在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
在至少所述第二子像素中的所述第一发光层与所述第三发光层之间设置有不含发光材料的分隔层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述第一发光层与所述分隔层的合计层厚大于福斯特半径。
13.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第三发光层、所述第二发光层和所述第一发光层在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
在至少所述第二子像素中的所述第二发光层与所述第三发光层之间设置有不含发光材料的分隔层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
所述分隔层的层厚大于福斯特半径。
16.一种显示装置的制造方法，所述显示装置在显示区域设置有第一电极、第二电极和形成在所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，其中，所述显示区域包括发出峰值波长彼此不同的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述层叠体包括：含有第一荧光发光材料的第一发光层；含有第二荧光发光材料的第二发光层；和含有第三荧光发光材料或磷光发光材料作为第三发光材料的第三发光层，所述第一荧光发光材料发出具有第一峰值波长的光，所述第二荧光发光材料发出具有第二峰值波长的光，所述第三发光材料发出具有第三峰值波长的光，所述第二峰值波长大于所述第一峰值波长，所述第三峰值波长大于所述第二峰值波长，所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述显示装置的制造方法的特征在于，包括：
形成所述第一电极的工序；
形成所述层叠体的工序；和
形成所述第二电极的工序，
形成所述层叠体的工序包括：
第一发光层蒸镀工序，以在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素共用的方式蒸镀所述第一发光层；
第二发光层蒸镀工序，以在所述第二子像素和所述第三子像素共用的方式分涂蒸镀所述第二发光层；和
第三发光层蒸镀工序，在所述第三子像素分涂蒸镀所述第三发光层，
以如下方式形成所述层叠体：所述第二子像素中的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离为福斯特半径以下，并且所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离大于福斯特半径，所述第三发光层与所述第一发光层以及所述第二发光层相比位于所述第一电极侧或所述第二电极侧。
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