CN109791998B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109791998B
CN109791998B CN201780060089.2A CN201780060089A CN109791998B CN 109791998 B CN109791998 B CN 109791998B CN 201780060089 A CN201780060089 A CN 201780060089A CN 109791998 B CN109791998 B CN 109791998B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting layer
sub
electrode
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780060089.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109791998A (zh
Inventor
塚本优人
川户伸一
二星学
今田裕士
梅田时由
张柏
城智晃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN109791998A publication Critical patent/CN109791998A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109791998B publication Critical patent/CN109791998B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

绿色发光层(34G)在第一子像素(3B)、第二子像素(3G)、第三子像素(3R)中共用地设置，蓝色发光层(34B)仅设置在第一子像素，红色发光层(34R)仅设置在第三子像素，在第一子像素的蓝色发光层与绿色发光层之间设置有分隔层(35)。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，例如开发了使用利 用电致发光(以下，记作“EL”)现象的发光元件(EL元件)的自发 光型的显示装置。
具备EL元件的显示装置能够以低电压发光，由于为自发光型所以 视角宽，视觉辨识度高，此外，由于是薄膜型的全固体元件所以从节 约空间和便携性等观点出发受到瞩目。
EL元件具有以阴极和阳极夹着含有发光材料的发光层的结构。EL 元件通过向发光层注入电子和空穴并使它们再结合而生成激子，利用 该激子失活时的光的放射而发光。
在EL元件的发光层的形成中，主要使用真空蒸镀法等蒸镀方式。 在使用这样的蒸镀方式的全彩色的有机EL显示装置的形成中，大致具 有白色CF(滤色片)方式和分涂方式。此外，近年来，作为与白色 CF方式和分涂方式不同的方式，提案有将EL元件与颜色变换层组合 的方式。
白色CF方式是将白色发光的EL元件与CF层组合而选择各子像 素的发光颜色的方式。在白色CF方式中，在所有子像素的阴极与阳极 之间分别层叠红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层而进行白色发光， 并且在各子像素设置红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的滤色片，由 此实现全彩色显示。
分涂方式是使用蒸镀掩模按每种发光颜色进行分涂蒸镀的方式， 一般通过使用TFT使在基板上排列的由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B) 各色的EL元件构成的子像素有选择地以所期望的亮度发光而进行图 像显示。在各EL元件间，设置有划分各子像素的发光区域的分隔堤(分 隔壁)，各EL元件的发光层使用蒸镀掩模在上述分隔堤的开口部形成。
在组合EL元件与颜色变换层的方式中，在所有子像素中作为共用 层形成蓝色发光层。而且，在绿色子像素中形成将蓝色光变换为绿色 光的绿色变换层和绿色的滤色片，在红色子像素中形成将蓝色光变换 为红色光的红色变换层和红色的滤色片。在蓝色子像素设置有蓝色的 滤色片，但不设置颜色变换层，由蓝色发光层发出的蓝色光不被进行 颜色转换，直接通过蓝色的滤色片被射出。由此，发出对应于各色子 像素的颜色的光(例如，参照专利文献1)。
专利文献1中记载的显示装置包括相对配置的一对基板，在一个 基板上，对置电极层、包含蓝色发光层的功能层和光透射性电极层按 每个子像素依次层叠，在另一个基板，对应于各子像素设置有滤色片 以及如上述那样根据需要设置有颜色变换层。对置电极层是从上述一 个基板侧起依次层叠有反射电极层和透明电极层的层叠体。
在专利文献1中，没有设置颜色变换层的蓝色子像素的、反射电 极层与蓝色发光层之间的光学距离设定为使蓝色发光层的蓝色光发生 干涉的距离，由此，因干涉而增强的蓝色光直接射出。另一方面，设 置有颜色变换层的红色子像素和绿色子像素的、反射电极层与各发光 层之间的光学距离设定为使在各颜色变换层转换后的发光颜色的光以 最高的强度射出的距离。由此，红色光和绿色光的射出强度分别得到 提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利公报“专利第4441883号公报(2010年1 月22日登记)”
专利文献2：日本专利公报“专利第5819069号公报(2015年10 月9日登记)”
发明内容
发明所要解决的问题
白色CF方式具有不需要高精细的蒸镀掩模就能够实现高精细的 显示装置的优点。但是，白色CF方式为了发出白色光而需要使蓝色发 光层、绿色发光层和红色发光层同时发光，驱动电压会变高，并且存 在滤色片引起的能量损失。因此，白色CF方式存在驱动时的消耗电力 大的问题。此外，因为使用这样的白色CF方式的显示装置在所有子像 素将红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层分别层叠，所以在所有子 像素层叠数都多，此外，因为需要使用滤色片，所以存在制造成本非 常高的缺点。
另一方面，分涂方式虽然发光效率和低电压驱动等特性好，但是 难以进行高精度的图案形成。例如，根据蒸镀掩模的开口精度以及蒸 镀源与被成膜基板的距离关系，存在发生混色到相邻像素的问题。此 外，根据蒸镀掩模的厚度及蒸镀角度，存在产生比目标蒸镀膜厚薄的 膜厚的蒸镀污点(阴影)的情况。这样，在使用分涂方式的显示装置 中，因来自相邻像素方向的蒸镀物侵入引起的混色及阴影而产生的、 显示品质的下降成为问题。特别是在相邻像素附着有其它颜色掺杂的 情况下，其它颜色掺杂的附着量即使为极少量，根据器件结构，还存 在对EL发光光谱大有影响而色度发生变化的问题。
因此，为了利用分涂方式实现高精细的显示装置，需要以使得蒸 镀角度成为锐角的方式将蒸镀源从被成膜基板分开，需要提高收纳它 们的真空腔室的高度。
但是，为了制造具有这样的高度的真空腔室需要花费巨大的成本， 而且材料利用效率变差，材料成本也会增高。
此外，在专利文献1那样组合EL元件与颜色变换层的方式中，通 过在所有子像素中作为共用层形成蓝色发光层，能够减少使用蒸镀掩 模的分涂蒸镀次数。
但是，在使用上述颜色变换层的方式中，使用含有荧光介质的颜 色变换层发出绿色光和红色光，该荧光介质吸收蓝色光，利用荧光使 该颜色变换层再次发出绿色或红色光。因此，绿色光和红色光的发光 效率下降。特别是为了使红颜色变换层吸收蓝色光，需要使波长向非 常长的波长侧移动。因此，在该波长的移动时，发生显著的发光强度 的下降。
此外，在使用上述颜色变换层的方式中，存在因层叠膜的膜厚不 均而使光的射出效率发生大幅变化的问题，并且由于在EL元件与颜色 变换层之间存在间隔，因此存在因为斜向出射的蓝色光引起的混色及 色偏差的问题而难以实现高精细化的问题。
此外，在专利文献2中，公开有如下的有机EL显示装置：在所有 子像素中作为蓝色发光层形成有共用蓝色发光层，在绿色子像素中作 为单独层形成有绿色发光层，在红色子像素中作为单独层形成有红色 发光层，并且在蓝色子像素形成有蓝色滤色片，在绿色子像素形成有 绿色滤色片，在红色子像素形成有红色滤色片。
但是，专利文献2中记载的有机EL显示装置在共用发光层选择使 用能级低于蓝色发光材料的绿色发光材料或红色发光材料作为发光材 料的发光层时，存在由于能量转移而产生混色的问题。因此，只能在 共用发光层选择蓝色发光层。此外，控制空穴与电子的复合位置很重 要，根据各层的材料的载流子迁移率存在产生混色的问题。因此，蓝 色发光层、绿色发光层和红色发光层的叠层顺序以及发光层的主材料 的选择的自由度低，当变更上述叠层顺序时，空穴与电子的复合位置 发生变化，因此存在产生混色的问题。
此外，专利文献2中记载的有机EL显示装置由于使用滤色片而制 造成本变高，并且还具有存在滤色片引起的能量损失的问题。
本发明是鉴于上述现有的问题而完成的，其目的在于，提供能够 在各子像素不产生混色和色偏差地高效获得各种发光颜色，并且与现 有技术相比能够抑制驱动时的消耗电力和制造成本的显示装置及其制 造方法。
用于解决问题的方式
为了解决上述问题，本发明的一个方式的显示装置在包含发出相 互不同的峰值波长的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素的显 示区域中，设置有第一电极、第二电极和形成于上述第一电极与上述 第二电极之间的层叠体，上述层叠体包括含有第一荧光发光材料的第 一发光层、含有第二荧光发光材料的第二发光层、作为发光材料含有 第三荧光发光材料或磷光发光材料的第三发光层和不含发光材料的分 隔层，上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第一 荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三荧光发光材料或磷 光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光发光材料的最 低激发单重态的能级，上述第二发光层在上述第一子像素、上述第二 子像素和上述第三子像素中共用地设置，上述第一发光层仅设置在上 述第一子像素，上述第三发光层仅设置在上述第三子像素，上述分隔 层设置在上述第一子像素的上述第一发光层与上述第二发光层之间， 上述第一子像素的上述第一发光层与上述第二发光层之间的距离大于 福斯特半径。
为了解决上述问题，本发明的一个方式为显示装置的制造方法， 该显示装置在包含发出相互不同的峰值波长的光的第一子像素、第二 子像素和第三子像素的显示区域中，设置有第一电极、第二电极和形 成于上述第一电极与上述第二电极之间的层叠体，上述层叠体包括含 有第一荧光发光材料的第一发光层、含有第二荧光发光材料的第二发 光层、含有第三荧光发光材料或磷光发光材料的第三发光层和不含发 光材料的分隔层，上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低 于上述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三荧光发 光材料或磷光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光发 光材料的最低激发单重态的能级，上述显示装置的制造方法包括：形 成上述第一电极的工序；形成上述层叠体的工序；和形成上述第二电 极的工序，形成上述层叠体的工序包括：将上述第二发光层以在上述 第一子像素、上述第二子像素和上述第三子像素中共用的方式蒸镀的 第二发光层蒸镀工序；将上述第一发光层分涂蒸镀于上述第一子像素 的第一发光层蒸镀工序；和将上述第三发光层分涂蒸镀于上述第三子 像素的第三发光层蒸镀工序，并且，在上述第二发光层蒸镀工序与上 述第一发光层蒸镀工序之间包括以使上述分隔层位于上述第一子像素 的上述第一发光层与上述第二发光层之间的方式分涂蒸镀上述分隔层 的分隔层蒸镀工序，以使上述第一子像素的上述第一发光层与上述第 二发光层之间的距离大于福斯特半径的方式形成上述层叠体。
发明的效果
根据本发明的上述一个方式，因为上述第二发光层在上述第一子 像素、上述第二子像素、上述第三子像素中共用地形成，所以不需要 将所有发光层分涂蒸镀。根据本发明的上述一个方式，通过在上述第 一子像素、上述第二子像素、上述第三子像素中共用地蒸镀上述第二 发光层，能够减少使用蒸镀掩模的分涂蒸镀次数。
此外，根据本发明的上述一个方式，在上述第二子像素，设置在 该第二子像素的上述第二发光层几乎100％发光。在上述第一子像素， 虽然层叠上述第一发光层和上述第二发光层，但是在上述第一发光层 与上述第二发光层之间设置有不含发光材料的分隔层，上述第一子像 素的上述第一发光层与上述第二发光层之间的距离大于福斯特半径， 因此，能够以不发生由于从上述第一发光层至上述第二发光层的福斯 特转移而引起的激子能量的移动的方式，在上述第一发光层生成激子， 从而上述第一发光层几乎100％发光。在上述第三子像素，虽然层叠上 述第二发光层和上述第三发光层，但是上述第三荧光发光材料或磷光 发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光发光材料的最低 激发单重态的能级。因此，通过调节载流子迁移率，或利用福斯特型 的能量转移，上述第三发光层几乎100％发光。而且，根据本发明的上 述一个方式，不需要另外使用滤色片和颜色变换层。因此，根据本发 明的上述一个方式，能够在各子像素不产生混色和色偏差地高效获得各种发光颜色，能够容易地实现高精细化。
进一步，根据本发明的上述一个方式，在上述第一子像素、上述 第二子像素和上述第三子像素，发出相互不同的峰值波长的光。因此， 根据本发明的上述一个方式，与白色CF方式不同，不需要使蓝色发光 层、绿色发光层和红色发光层全部同时发光，因此，与使用上述白色 CF方式的情况相比，能够抑制驱动时的消耗电力。
此外，根据本发明的上述一个方式，不需要另外设置滤色片，因 此能够抑制制造成本，并且还没有滤色片引起的能量损失。
进一步，根据本发明的上述一个方式，在上述第一子像素、上述 第二子像素和上述第三子像素，发出相互不同的峰值波长的光。因此， 根据本发明的上述一个方式，与白色CF方式不同，不需要使蓝色发光 层、绿色发光层和红色发光层全部同时发光，因此能够抑制驱动时的 消耗电力。
此外，根据本发明的上述一个方式，不需要另外设置滤色片，因 此能够抑制制造成本，并且还没有滤色片引起的能量损失。
此外，根据本发明的上述一个方式，能够在共用层例如使用绿色 发光层，并且与专利文献1相比，发光层的叠层顺序和材料选择的自 由度高，即使变更发光层的叠层顺序及材料，也不产生混色和色偏差， 能够高效获得各种发光颜色。
因此，根据本发明的上述一个方式，可提供能够在各子像素不产 生混色和色偏差地高效获得各种发光颜色，并且能够抑制驱动时的消 耗电力和制造成本的显示装置及其制造方法。
附图说明
图1是结合发光原理示意地表示本发明的实施方式1的有机EL显 示装置的发光层单元的概略结构的图。
图2(a)是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的蓝色 子像素的发光原理的图，(b)是表示本发明的实施方式1的有机EL显 示装置的绿色子像素的发光原理的图，(c)是表示本发明的实施方式1 的有机EL显示装置的红色子像素的发光原理的图。
图3是示意地表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的像素 排列的图。
图4是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的概略结构的 一个例子的截面图。
图5(a)～(c)是按叠层顺序表示本发明的实施方式1的有机 EL显示装置的蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层的层叠方法的俯 视图。
图6是表示蓝色发光材料、绿色发光材料和红色发光材料的最低 激发单重态的能级的关系的图。
图7是表示本发明的实施方式1中使用的、绿色荧光发光材料的 光致发光光谱和红色荧光发光材料的吸收光谱的一个例子的曲线图。
图8是表示本发明的实施方式1中使用的、蓝色荧光发光材料的 光致发光光谱和分隔层中的材料的吸收光谱的一个例子的曲线图。
图9是表示蓝色荧光发光材料的光致发光光谱、绿色荧光发光材 料的光致发光光谱和红色荧光发光材料的光致发光光谱的一个例子的 曲线图。
图10(a)是表示本发明的实施方式2的有机EL显示装置的蓝色 子像素的发光原理的图，(b)是表示本发明的实施方式2的有机EL显 示装置的绿色子像素的发光原理的图，(c)是表示本发明的实施方式2 的有机EL显示装置的红色子像素的发光原理的图。
图11是表示本发明的实施方式3的有机EL显示装置的概略结构 的一个例子的截面图。
图12是结合发光原理示意地表示本发明的实施方式4的有机EL 显示装置的发光层单元的概略结构的图。
图13是表示本发明的实施方式4的有机EL显示装置的概略结构 的一个例子的截面图。
图14是结合发光原理示意地表示本发明的实施方式5的有机EL 显示装置的发光层单元的概略结构的图。
图15是表示本发明的实施方式5的有机EL显示装置的概略结构 的一个例子的截面图。
图16是结合发光原理示意地表示本发明的实施方式6的有机EL 显示装置的发光层单元的概略结构的图。
图17是表示本发明的实施方式6的有机EL显示装置的概略结构 的一个例子的截面图。
图18是结合发光原理示意地表示本发明的实施方式7的有机EL 显示装置的发光层单元的概略结构的图。
图19是表示本发明的实施方式7的有机EL显示装置的概略结构 的一个例子的截面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
(实施方式1)
根据图1～图9对本发明的一个实施方式进行说明如下。
以下，作为本实施方式的显示装置，举有机EL显示装置为例进行 说明。
＜有机EL显示装置的概略结构＞
图1是结合发光原理示意地表示本实施方式的有机EL显示装置1 的发光层单元33的概略结构的图。图2(a)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B的发光原理的图，图2(b)是表示本实施 方式的有机EL显示装置1的子像素3G的发光原理的图，图2(c)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3R的发光原理的图。 图3是示意地表示本实施方式的有机EL显示装置1的像素排列的俯视 图。图4是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个例 子的截面图。另外，图4表示图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面的、一个像素区域的概略结构的一个例子。图5(a)～(c)是 按叠层顺序表示本实施方式的有机EL显示装置1的蓝色发光层34B、 绿色发光层34G、红色发光层34R的层叠方法的俯视图。
如图3所示，本实施方式的有机EL显示装置1在显示区域1a具 备呈矩阵状配置的多个像素2。另外，在图3中，为了便于图示，省略 像素2的个数。
如图3和图4所示，各像素2(即，1个像素)由3个子像素3B、 3G、3R构成。如图3所示，本实施方式的有机EL显示装置1是具有 子像素3B、3G、3R呈条纹状排列的、称为RGB条纹排列的像素排列 的有机EL显示装置。
如图4所示，在这些子像素3B、3G、3R，分别设置有发光颜色为 蓝色(B)的有机EL元件20B，发光颜色为绿色(G)的有机EL元件 20B，发光颜色为红色(R)的有机EL元件20R。
作为第一色显示蓝色的子像素3B(第一子像素，蓝色的子像素) 由发光颜色为蓝色的有机EL元件20B构成，透射蓝色的光。作为第 二色显示绿色的子像素3G(第二子像素，绿色的子像素)由发光颜色 为绿色的有机EL元件20G构成，透射绿色的光。作为第三色显示红 色的子像素3R(第三子像素，红色的子像素)由发光颜色为红色的有 机EL元件20R构成，透射红色的光。
以下，为了便于说明，在不需要区分这些有机EL元件20B、20G、 20R的情况下，将这些有机EL元件20B、20G、20R简单地统称为有 机EL元件20。同样，在不需要区分各子像素3B、3G、3R的情况下， 将这些子像素3B、3G、3R简单地统称为子像素3。
如图4所示，上述有机EL显示装置1例如具有利用未图示的密封 材料贴合TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板10(基板)与 密封基板40的结构。在TFT基板10上，分别设置有上述的多个各色 的有机EL元件20。
这些以各种颜色发光的多个有机EL元件20被封入由TFT基板10 和密封基板40构成的一对基板间。在层叠有有机EL元件20的TFT 基板10与密封基板40之间，例如设置有未图示的填充剂层。以下举 TFT基板10为矩形的情况为例进行说明。
本实施方式的有机EL显示装置1是从密封基板40侧射出光的顶 部发光型的显示装置。以下进行更详细的说明。
＜TFT基板10的结构＞
TFT基板10是形成有包含TFT12及配线14的TFT电路的电路基 板。TFT基板10作为支承基板具备未图示的绝缘基板11。
绝缘基板11只要具有绝缘性就没有特别限定。在绝缘基板11，例 如能够使用由玻璃基板和石英基板等无机基板、聚对苯二甲酸乙二醇 酯或聚酰亚胺树脂等构成的塑料基板等、公知的各种绝缘基板。
另外，在本实施方式中，如后述的那样，举例说明了使用具有透 光性的玻璃基板(透光性基板)作为绝缘基板11的情况。但是，在顶 部发光型的有机EL元件20中，在绝缘基板11并不需要透光性。因此， 在本实施方式那样有机EL显示装置1为顶部发光型的有机EL显示装 置的情况下，作为绝缘基板11，也可以使用在硅片等半导体基板、由 铝(Al)或铁(Fe)等构成的金属基板的表面涂敷氧化硅或由有机绝 缘材料等构成的绝缘物而形成的基板、利用阳极氧化等方法对由Al等 构成的金属基板的表面进行绝缘化处理后的基板等，不具有透光性的 绝缘基板(非透光性基板)。
在绝缘基板11上，设置有由沿水平方向敷设的多个栅极线和沿垂 直方向敷设、与栅极线交叉的多个信号线构成的多个配线14。这些配 线14和TFT12被层间绝缘膜13覆盖。此外，在栅极线连接有驱动栅 极线的未图示的栅极线驱动电路，在信号线连接有驱动信号线的未图 示的信号线驱动电路。
在TFT基板10上，由上述配线14围成的区域，分别设置有有机 EL元件20B的发光区域4B、有机EL元件20G的发光区域4G、有机 EL元件20R的发光区域4R。以下，在不需要区分该各发光区域4B、4G、4R的情况下，将这些发光区域4B、4G、4R简单地统称为发光区 域4。
即，由这些配线14围成的区域为1个子像素3(光点)，在每个子 像素3划分出R、G、B各发光区域4。
在各子像素3，分别设置有包含作为向有机EL元件20供给驱动 电流的驱动用晶体管的TFT在内的多个TFT12。各子像素3的发光强 度通过利用配线14和TFT12进行的扫描和选择来决定。这样，有机 EL显示装置1通过使用TFT12使各有机EL元件20有选择地按所期望的亮度发光而显示图像。
＜有机EL元件20的结构＞
如图4所示，各有机EL元件20包括第一电极21、有机EL层22、 第二电极23。有机EL层22被第一电极21与第二电极23夹持。在本 实施方式中，将设置在第一电极21与第二电极23之间的层统称为有 机EL层22。
有机EL层22是由至少1层功能层构成的有机层，各有机EL元 件20的有机EL层22包含发光层单元33，该发光层单元33包含蓝色 发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R中至少1层。以下， 在不需要区分这些蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R 的情况下，将这些蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层34R 简单地统称为发光层34。
该第一电极21、有机EL层22、第二电极23从TFT基板10侧起 依次层叠。
第一电极21按每个子像素3呈岛状图案形成，第一电极21的端 部由分隔堤15(分隔壁，边罩)覆盖。第一电极21经在层间绝缘膜 13设置的接触孔13a分别与TFT12连接。
分隔堤15是绝缘层，例如由感光性树脂构成。分隔堤15防止在 第一电极21的端部电极集中、有机EL层22变薄而与第二电极23短 路。此外，分隔堤15还作为像素分离膜发挥作用，以使得电流不漏到 相邻的子像素3。
在分隔堤15，按每个子像素3设置有开口部15a。如图4所示， 因该开口部15a而形成的第一电极21和有机EL层22的露出部是各子 像素3的发光区域4，这以外的区域为非发光区域。
另一方面，第二电极23是在各子像素3中共用地设置的共用电极。 第二电极23在所有像素2的子像素3中共用地设置。不过，本实施方 式并不限定于此，也可以按每个子像素3设置第二电极23。
在第二电极23上，以覆盖该第二电极23的方式设置有保护层24。 保护层24作为保护上侧电极的第二电极23，阻止氧和水分从外部进入 各有机EL元件20内。另外，保护层24以覆盖所有有机EL元件20 的第二电极23的方式在所有有机EL元件20中共用地设置。在本实施 方式中，将在各子像素3形成的第一电极21、有机EL层22、第二电 极23和根据需要形成的保护层24统称为有机EL元件20。
(第一电极21和第二电极23)
第一电极21和第二电极23是成对的电极，一个作为阳极，另一 个作为阴极。
阳极具有作为向发光层单元33注入空穴(h+)的电极的功能即可。 此外，阴极具有作为向发光层单元33注入电子(e-)的电极的功能即 可。
阳极和阴极的形状、结构、大小等没有特别限定，能够根据有机 EL元件20的用途、目的适当地选择。
在本实施方式中，如图4所示那样，举第一电极21为图案化的阳 极、第二电极23为在所有像素2的子像素3中共用地设置的阴极的情 况为例进行说明。但是，本实施方式并不限定于此，也可以第一电极 21为阴极，第二电极23为阳极。在第一电极21为阳极、第二电极23 为阴极的情况下和第一电极21为阴极、第二电极23为阳极的情况下， 构成发光层单元33的各功能层的叠层顺序或载流子迁移率(载流子可 运输性、即空穴可运输性和电子可运输性)相反。同样，构成第一电 极21和第二电极23的材料也相反。
作为能够用作阳极和阴极的电极材料，没有特别限定，例如能够 使用公知的电极材料。
作为阳极，例如能够使用金(Au)、铂(Pt)和镍(Ni)等金属以 及氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锌(IZO)、镓添加氧化 锌(GZO)等透明电极材料等。
另一方面，作为阴极，为了向发光层34注入电子，优选功函数小 的材料。作为阴极，例如能够使用锂(Li)、钙(Ca)、铈(Ce)、钡(Ba)、 铝(Al)等金属，或含有这些金属的Ag(银)-Mg(镁)合金、Al-Li 合金等。
另外，阳极和阴极的厚度没有特别限定，能够与现有技术同样地 设定。
在发光层单元33产生光从第一电极21和第二电极23中任一个电 极侧射出。优选在射出光的一侧的电极使用由透光性电极材料形成的 透明或半透明的透光性电极(透明电极、半透明电极)，在未射出光的 一侧的电极，使用由反射电极材料形成的反射电极或者作为反射电极 具有反射层的电极。
即，作为第一电极21和第二电极23，能够使用各种各样的导电性 材料，不过在上述那样有机EL显示装置1为顶部发光型的有机EL显 示装置的情况下，优选使用反射电极材料形成作为支承有机EL元件 20的支承体的TFT基板10侧的第一电极21，使用透明或半透明的透 光性电极材料形成位于夹着有机EL元件20与第一电极21相反侧的第 二电极23。
第一电极21和第二电极23各自既可以为由1个电极材料构成的 单层，也可以具有由多个电极材料构成的层叠结构。
因此，在上述那样有机EL元件20为顶部发光型的有机EL元件 的情况下，也可以如图4所示那样，令第一电极21采用反射电极21a (反射层)与透光性电极21b的层叠结构。在本实施方式中，第一电 极21具有从TFT基板10侧起依次层叠有反射电极21a、透光性电极21b的结构。
作为反射电极材料，例如能够列举钽(Ta)或碳(C)等黑色电极 材料、Al、Ag、金(Au)、Al-Li合金、Al-钕(Nd)合金或Al-硅(Si) 合金等反射性金属电极材料等。
此外，作为透光性电极材料，例如既可以使用上述的透明电极材 料等，也可以使用形成为薄膜的Ag等半透明的电极材料。
反射电极21a以与各子像素3的TFT12的漏极电极连接方式，按 每个子像素3以相同的膜厚独立地形成。
透光性电极21b形成为与从各子像素3发出的各色的波长区域的 光的峰值波长相应的厚度，以使得反射电极21a与作为阴极的第二电 极23之间的距离成为使从各子像素3发出的各色的波长区域的光的峰 值波长的强度增强的距离。
(有机EL层22)
如图4所示，有机EL层22具有作为功能层从第一电极21侧起依 次层叠有空穴注入层31、空穴输送层32、含有发光层34的发光层单 元33、电子输送层36、电子注入层37的结构。空穴注入层31、空穴 输送层32、电子输送层36、电子注入层37作为在多个像素2共用的共用层，跨多个像素2地形成。因此，这些空穴注入层31、空穴输送 层32、电子输送层36、电子注入层37在子像素3B、3G、3R共用地 形成。
不过，发光层单元33以外的功能层并不是作为有机EL层22必须 存在的层，只要与被要求的有机EL元件20的特性相应地适当形成即 可。以下，对上述各功能层进行说明。
(发光层单元33)
如图1和图4所示，本实施方式的有机EL显示装置1包括包含绿 色发光层34G、蓝色发光层34B、分隔层35和红色发光层34R的发光 层单元33。
如图1、图4和图5(a)所示那样，绿色发光层34G作为在全部 像素2的子像素3B、3G、3R(换言之，有机EL元件20B、20G、20R) 共用的单一的共用层(共用发光层)在整个显示区域1a设置，跨全部 像素2地、例如呈整面状形成。
如图1、图4和图5(b)所示那样，蓝色发光层34B是单独层， 仅在各像素2的子像素3B(换言之，有机EL元件20B)形成。蓝色 发光层34B例如跨沿列方向排列的多个像素2的子像素3B地形成为例 如条纹状。
如图1和图4所示那样，在绿色发光层34G与蓝色发光层34B之 间，作为不含发光材料的中间层，设置有阻碍福斯特型的能量转移(福 斯特转移)的分隔层35。分隔层35不含发光材料，是用于调节上述距 离DBG以使得子像素3B的蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的 距离(即，蓝色发光层34B与绿色发光层34G的彼此相对面间距离DBG) 大于福斯特半径的层，不含从绿色发光材料和蓝色发光材料进行福斯 特转移的材料。
分隔层35作为单独层，仅在各像素2的子像素3B(换言之，有 机EL元件20B)形成。分隔层35具有与蓝色发光层34B相同的图案， 例如，跨沿列方向排列的多个像素2的子像素3B地形成为例如条纹状。
如图1、图4和图5(c)所示，红色发光层34R是单独层，仅在 各像素2的子像素3R(换言之，有机EL元件20R)形成。红色发光 层34R例如跨沿列方向排列的多个像素2的子像素3R地形成为例如条 纹状。
因此，在本实施方式中，在子像素3B，在第一电极21与第二电 极之间作为发光层单元33从第一电极21侧起依次彼此相邻地层叠有 绿色发光层34G、分隔层35、蓝色发光层34B。在子像素3G，在第一 电极21与第二电极之间作为发光层单元33，仅设置有绿色发光层34G。 在子像素3R，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33， 从第一电极21侧起依次彼此相邻地层叠有绿色发光层34G、红色发光 层34R。
在各实施方式中，将这样由被发光层34和被多个发光层34夹持 至少一部分、由发光层34以外的功能层构成的中间层构成的层叠体称 为发光层单元33。另外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，上 述中间层为分隔层35。
蓝色发光层34B作为发光材料(第一发光材料)含有发出蓝色的 光的蓝色荧光发光材料。绿色发光层34G作为发光材料(第二发光材 料)含有发出绿色的光的绿色荧光发光材料。红色发光层34R作为发 光材料(第三发光材料)含有发出红色的光的红色荧光发光材料。另 外，如上所述，分隔层35不含发光材料。
图6是表示蓝色发光材料、绿色发光材料和红色发光材料的最低 激发单重态的能级(以下，记作“S1能级”)的关系的图。图6中，S1 (1)表示蓝色发光材料的S1能级，S1(2)表示绿色发光材料的S1能 级，S1(3)表示红色发光材料的S1能级。另外，图6中，S0表示单重 基态。
如图6所示，绿色发光材料的S1能级(S1(2))低于蓝色发光材 料的S1能级(S1(1))，红色发光材料的S1能级(S1(3))低于绿色发 光材料的S1能级(S1(2))。即，绿色荧光发光材料的S1能级低于蓝 色荧光发光材料的S1能级，红色荧光发光材料的S1能级(S1(3))低 于绿色荧光发光材料的S1能级(S1(2))。
此外，图7是表示绿色荧光发光材料的PL(光致发光)发光光谱 和红色荧光发光材料的吸收光谱的一个例子的曲线图。图8是表示蓝 色荧光发光材料的PL发光光谱和分隔层35中的材料的吸收光谱的一 个例子的曲线图。
另外，在图7中，作为绿色荧光发光材料的吸收光谱表示2,3-(2- 苯并噻唑)-7-(二乙氨基)香豆素(香豆素6)的吸收光谱，并且作 为红色荧光发光材料的吸收光谱表示(E)-2-{2-[4-(二甲氨基)苯乙 烯]-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(DCM)的吸收光谱。在图8中， 作为蓝色荧光发光材料的PL发光光谱表示2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe) 的PL发光光谱，并且作为分隔层35中的材料的吸收光谱表示2,9-二 甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)的吸收光谱。
在发光层单元33具有图1和图4所示那样的层叠结构的情况下， 优选如图7所示那样，绿色发光材料(在本实施方式中为绿色荧光发 光材料)的PL发光光谱的一部分与红色发光材料(在本实施方式中为 红色荧光发光材料)的吸收光谱的一部分重叠。
通过这样绿色发光材料的PL发光光谱的一部分与红色发光材料 的吸收光谱的一部分重叠，容易发生从绿色发光材料至红色发光材料 的能量转移。
如图1所示，在子像素3R，绿色发光层34G与红色发光层34R直 接接触，因此子像素3R的绿色发光层34G与红色发光层34R之间的 距离(即，绿色发光层34G与红色发光层34R的彼此相对面间距离DGR) 为福斯特半径以下。
另外，在本实施方式中，蓝色发光层34B与绿色发光层34G的彼 此相对面间距离DBG是指蓝色发光层34B的位于最靠近绿色发光层 34G侧的面(在本实施方式中为蓝色发光层34B的分隔层35的界面) 与绿色发光层34G的位于最靠近蓝色发光层34B侧的面(在本实施方 式中为绿色发光层34G的分隔层35的界面)之间的距离。
福斯特半径是指能够引起福斯特转移的、彼此相邻的发光层34间 的距离(具体而言，彼此相邻的发光层34的彼此挨着的、彼此的相对 面间距离)。如果彼此相邻的一个发光层34中所含的发光材料的PL(光 致发光)发光光谱与另一个发光层34中所含的发光材料的吸收光谱的 重叠程度大，则福斯特半径大，如果重叠程度小，则福斯特半径也小。 一般认为福斯特半径为1～10nm左右。
另外，福斯特转移是指从彼此相邻的发光层34间的具有高的能级 的单重态激子激发具有低的能级的单重基态的分子的能量转移。
另外，福斯特转移只要彼此相邻的发光层34处于福斯特半径内就 会发生。因此，在子像素3R，发生从上述绿色发光材料的S1能级至上 述红色发光材料的S1能级的福斯特转移。换言之，从绿色发光层34G 至红色发光层34R地发生福斯特转移。
另一方面，优选如图8所示那样，在蓝色发光层34B中所含的蓝 色发光材料(在本实施方式中为蓝色荧光发光材料)的PL发光光谱和 与该蓝色发光层34B相邻的分隔层35中所含的所有材料(即，分隔层 35的材料)的吸收光谱不存在重叠。如图8所示，作为分隔层35的材 料的例如BCP在可见区域不具有发光光谱，因此吸收光谱处于相当短 波长侧的紫外区域，与作为蓝色发光层34B中所含的蓝色荧光发光材 料(蓝色荧光掺杂)的例如TBPe的PL发光光谱不重叠。
由于这样在上述蓝色发光层34B中所含的蓝色发光材料的PL发光 光谱与上述分隔层35中所含的所有材料的吸收光谱不存在重叠，不易 发生从上述蓝色发光材料至上述分隔层35中所含的材料的能量转移。
另外，如上所述，一般认为福斯特半径为1～10nm左右。因此， 优选子像素3R的、绿色发光层34G的与红色发光层34R相反侧的表 面与红色发光层34R的绿色发光层34G侧的表面之间的距离为10nm 以下。
因此，在本实施方式中，优选绿色发光层34G的层厚为10nm以 下。由此，从绿色发光层34G的任意的位置至红色发光层34R的最短 距离成为10nm以下，即使是位于绿色发光层34G的与红色发光层34R 相反侧的表面的绿色荧光发光材料的分子，也能够发生福斯特转移。
另一方面，优选分隔层35至少具有15nm的层厚。在本实施方式 中，因为在子像素3B设置有以能级低于蓝色荧光发光材料的绿色荧光 发光材料作为发光材料的绿色发光层34G，所以需要使得能量不从蓝 色发光层34B向绿色发光层34G移动。因此，需要使得蓝色发光层34B 与绿色发光层34G之间的距离DBG大于福斯特半径。在本实施方式中， 在绿色发光层34G与蓝色发光层34B之间仅设置有分隔层35。因此， 分隔层35设定为超过福斯特半径的层厚。
一般而言，福斯特半径为1～10nm左右，因此只要令彼此相邻的 发光层34的彼此相对面间的距离大于10nm地隔开，就不会发生福斯 特转移。
但是，通过使彼此相邻的发光层34间的距离至少隔开15nm，即 使在彼此相邻的发光层34的发光材料的PL发光光谱与吸收光谱完全 重叠的情况下，在相邻的发光层34间也不会发生福斯特转移。因此， 优选蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间的距离DBG为15nm以上。 因此，优选上述分隔层35至少具有15nm的层厚。
在本实施方式中，为在子像素3B，在蓝色发光层34B与绿色发光 层34G之间设置有上述分隔层35，所以不发生从蓝色发光层34B至绿 色发光层34G的福斯特型的能量转移。当然，眼尾蓝色发光层34B与 绿色发光层34G相互并不接触，所以也不发生德克斯特型的能量转移。
另外，蓝色发光层34B和红色发光层34R的层厚只要与现有技术 同样地设定即可，并没有特别限定。
各发光层34既可以由承担载流子(空穴和电子)的输送的主材料 和作为发光材料承担发光的发光掺杂(客体)材料的2成分系统形成， 也可以由发光材料单独形成。
发光层34中的材料(成分)中含有比率的最多的材料既可以为主 材料，也可以为发光材料。
主材料能够进行空穴和电子的注入，输送空穴和电子，具有通过 在其分子内进行复合而使发光材料发光的功能。在使用主材料的情况 下，发光材料在主材料中均匀地分散。
在使用主材料的情况下，在主材料中，S1能级和最低激发三重态 的能级(以下，记作“T1能级”)中至少一个能级使用与发光材料的有 机化合物相比具有高的值的有机化合物。由此，主材料能够将发光材 料的能量封闭进该发光材料中，能够提高发光材料的发光效率。
为了高效率地获得应该以具有本实施方式的层叠结构的各子像素 3显示的发光颜色，优选分隔层35的材料中含有比率最多的材料、优 选所有材料为使载流子如图1中用箭头表示空穴(h+)和电子(e-)的 迁移那样，从第一电极21和第二电极23向蓝色发光层34B的方向流 动的材料，因此，优选为空穴迁移率高于电子迁移率的、空穴可运输 性材料。
此外，优选绿色发光层34G的材料中含有比率最多的材料，优选 所有材料为在子像素3B使载流子至少向蓝色发光层34B的方向流动的 材料，因此，优选为空穴可运输性材料或者作为或绿色发光层34G整 体呈现出空穴可运输性和电子可运输性均高的双极可运输性，其中， 优选呈现出双极可运输性。在绿色发光层34G呈现出双极可运输性的 情况下，绿色发光层34G中所含的材料既可以为单独呈现出双极可运 输性的材料，也可以将单独时呈现出空穴迁移率比电子迁移率高的空 穴可运输性或电子迁移率比空穴迁移率高的电子可运输性的材料组合 二种以上地使用，以作为绿色发光层34G呈现出双极可运输性。
蓝色发光层34B的材料的载流子迁移率和红色发光层34R的材料 的载流子迁移率没有特别限定，优选蓝色发光层34B的材料中混合比 率最高的材料，优选所有材料为电子可运输性材料或双极可运输性材 料，更优选为电子可运输性材料。同样，优选红色发光层34R的材料 中混合比率最高的材料，优选所有材料为电子可运输性材料或双极可 运输性材料，更优选为电子可运输性材料。其理由如下。
根据如今的有机EL显示装置业界的研发状况，与空穴可运输性的 主材料相比电子可运输性的主材料更容易进行合成，且种类丰富，研 发也进展非常顺利。因此，作为主材料，选择电子可运输性的主材料 与空穴可运输性的主材料相比更容易获得特性优良的材料。
实际上，与空穴迁移率非常高的空穴可运输性材料相比，电子迁 移率非常高的电子可运输性材料更广为人知，例如，与当前市场上可 见的空穴可运输性的主材料相比，电子可运输性的主材料具有更容易 低电压化的趋势。因此，与使用空穴可运输性的主材料相比，使用电 子可运输性的主材料更能够期待低电压化。
作为空穴可运输性的主材料，例如能够列举4,4’-双[N-苯基-N-(3”- 甲基苯基)氨基]联苯(TPD)、9,10-二(2-萘)蒽(ADN)、1,3-双(咔 唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-二(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP)等空穴 可运输性材料。作为电子可运输性的主材料，能够列举2,9-二甲基-4,7- 二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、双[(2-二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、 4,4’-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1’-联苯(DPVBi)、2,2’,2”-(1,3,5-苯甲 酰甲苯基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)、双(2-甲基-8-喹啉) -4-(苯基苯酚)铝(BAlq)等电子可运输性材料。作为双极可运输性 的主材料，例如能够列举4,4’-双(9-咔唑)-联苯(CBP)等双极可运 输性材料。
作为蓝色荧光发光材料，例如能够列举2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌 苯(TBPe)、双[4-(9，9-二甲基-9,10-二氢吖)苯基]砜(DMAC-DPS)、 二萘嵌苯、4,5-双(咔唑-9-基)-1,2-二氰基苯(2CzPN)等，发蓝光的 荧光发光材料。
作为绿色荧光发光材料，例如能够列举3-(2-苯并噻唑)-7-(二 乙氨基)香豆素(香豆素6)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,2,3,5-四(咔唑 -9-基)-4,6-二氰基苯(4CzIPN)、1,2,3,4-四(咔唑-9-基)-5,6-二氰基 苯(4CzPN)，由下式表示的PXZ-DPS等。
Figure BDA0002009933640000201
作为红色荧光发光材料，例如能够列举四苯基二苯并环戊烷(邻 苯二甲酸二丁酯)(DBP)、(E)-2-{2-[4-(二甲氨基)苯乙烯]-6-甲基 -4H-吡喃-4-亚基}丙二腈(DCM)等。
此外，优选蓝色荧光发光材料、绿色荧光发光材料、红色荧光发 光材料分别为TADF材料(Thermally Activated Delayed Fluorescence： 热活化延迟荧光)。
TADF材料是能够通过热激活而从最低激发三重态通过反向系间 窜越生成最低激发单重态的材料，是S1能级与T1能级的能量差ΔEST极小的延迟荧光材料。通过这样在发光材料中使用S1能级与T1能级的 能量差ΔEST极小的延迟荧光材料，产生热能引起的从T1能级至S1能 级的反向系间窜越。当使用利用该TADF材料产生的延迟荧光时，即 使在荧光型发光中，理论上，也能够将内部量子效率提高至100％。ΔEST越小，越容易从最低激发三重态向最低激发单重态发生反向系间窜越， 如果ΔEST为0.3eV以下则在室温也能够比较容易地发生反向系间窜 越。
作为蓝色发光的TADF材料，例如能够列举上述的2CzPN、 DMAC-DPS等。此外，作为绿色发光的TADF材料，例如能够列举上 述的4CzIPN、4CzPN、PXZ-DPS等。
此外，作为红色发光的TADF材料，例如能够列举由下式表示的 PPZ-DPO、
Figure BDA0002009933640000211
由下式表示的PPZ-DPS、
Figure BDA0002009933640000212
由下式表示的4CzTPN-Ph等。
Figure BDA0002009933640000213
(空穴注入层31和空穴输送层32)
空穴注入层31是含有空穴注入性材料，具有提高注入发光层34 的空穴注入效率的功能的层。空穴注入层31与空穴输送层32既可以 作为相互独立的层形成，也可以作为空穴注入层兼空穴输送层一体地 形成。此外，并不一定设置空穴注入层31和空穴输送层32双方，也 可以仅设置一个层(例如仅设置空穴输送层32)。
在空穴注入层31、空穴输送层32或空穴注入层兼空穴输送层的材 料、即空穴注入性材料或空穴可运输性材料中，能够使用已知的材料。
作为它们的材料，例如能够列举萘、蒽、氮苯并菲、芴酮、腙、 均二苯代乙烯、苯并菲、石油醚、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、 咪唑、噁二唑、噁唑、聚芳基烷烃、苯二胺、芳基胺和它们的衍生物 导体、噻吩类化合物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、苯胺 类化合物等链式或共轭杂环类的单体、低聚物或共聚物等。更具体而 言，例如使用N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(α-NPD)、 2,3,6,7,10,11-六氢基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、1,3-双(咔 唑-9-基)苯(mCP)、二-[4-(N,N-二甲苯基-氨基)-苯基]环乙烷(TAPC)、 9,10-二苯基蒽-2-磺酸盐(DPAS)、N,N’-二苯基-N,N’-(4-(二(3-甲 苯基)氨基)苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(DNTPD)、铱(III)三[N,N’- 二苯基苯并咪唑-2-亚基-C2/C2’](Ir(dpbic)3)、4,4’,4”-三-(N-咔唑 基)-三苯胺(TCTA)、2,2-双(p-偏苯氧基苯基)丙酸酐(BTPD)、双 [4-(p,p-二甲苯氨基)苯基]二苯基硅烷(DTASi)等。
另外，空穴注入层31、空穴输送层32、空穴注入层兼空穴输送层 既可以为未被掺杂杂质的本征空穴注入性材料或本征空穴可运输性材 料，也可以基于提高导电性等理由而被掺杂。
此外，为了获得高效率的发光，优选将激发能量封闭进发光层单 元33内、特别是发光层单元33的发光层34内。因此，作为上述空穴 注入性材料和空穴可运输性材料，优选使用具有与发光层34中的发光 材料的S1能级和T1能级相比激发能级更高的S1能级和T1能级的材料。 因此，作为上述空穴注入性材料和空穴可运输性材料，优选更选择激 发能级高且具有高的空穴迁移率的材料。
(电子输送层36和电子注入层37)
电子注入层37是含有电子注入性材料，具有提高向发光层34的 电子注入效率的功能的层。
此外，电子输送层36是含有电子可运输性材料，具有提高输向发 光层34的电子输送效率的功能的层。
另外，电子注入层37和电子输送层36既可以作为相互独立的层 形成，也可以作为电子注入层兼电子输送层一体地形成。此外，并不 一定设置电子注入层37和电子输送层36双方，也可以仅设置一个层， 例如仅设置电子输送层36。当然，也可以双方均不设置。
作为用作电子注入层37、电子输送层36或电子注入层兼电子输送 层的材料即电子注入性材料或电子可运输性材料的材料，能够使用已 知的材料。
作为它们的材料，例如能够列举喹啉、二萘嵌苯、菲啰啉、二苯 乙烯基、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮和它们的衍生物导体和金 属络合物、氟化锂(LiF)等。
更具体而言，例如能够列举双[(2-二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、 4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)、3,3’-双(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP)、 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑 -2-基)苯(TPBI)、3-苯基-4(1’-萘)-5-苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、1,10- 菲啰啉、Alq(三(8-羟基喹啉)铝)、LiF等。
(保护层24)
保护层24由具有透光性的绝缘性材料、导电性材料形成。作为保 护层24的材料，例如能够列举氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、酸氮化 硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等无机绝缘材料或ITO等导电性材料。 另外，保护层24也可以具有无机绝缘层与有机绝缘层的层叠结构。作 为上述有机绝缘层中使用的有机绝缘材料，例如能够列举聚硅氧烷、 氧化碳化硅(SiOC)、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰 胺等。
保护层24的厚度只要以能够阻止氧和水分从外部进入有机EL元 件20内的方式、根据材料适当地设定即可，并没有特别限定。
(密封基板40)
作为密封基板40，例如使用玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。在 如本实施方式那样，有机EL显示装置1为顶部发光型的有机EL显示 装置的情况下，在密封基板40使用具有透光性的绝缘基板。
另外，绝缘基板11和密封基板40既可以分别为具有柔性的绝缘 膜，也可以通过在这些绝缘基板11和密封基板40分别使用具有弯曲 性的基板，将上述有机EL显示装置1构成为柔性显示器或可弯曲显示 器。
另外，在TFT基板10与密封基板40之间，为了防止密封基板40 与TFT基板10碰撞而有机EL元件20受到损伤，也可以设置有未图 示的间隔件。
＜有机EL显示装置1的制造方法＞
接着，以下参照图4、图5(a)～(c)和图8地上述有机EL显 示装置1的制造方法进行说明。
本实施方式的有机EL显示装置1的制造工序包括制作上述的TFT 基板10的TFT基板制作工序、在该TFT基板10上形成有机EL元件 20的有机EL元件制作工序和将按该有机EL元件制作工序中制作的有 机EL元件20密封的密封工序。
有机EL元件制作工序例如包括阳极形成工序、空穴注入层形成工 序、空穴输送层形成工序、绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、 蓝色发光层形成工序、红色发光层形成工序、电子输送层形成工序、 电子注入层形成工序、阴极形成工序、保护层形成工序。
在本实施方式中，依次进行有机EL元件制作工序。另外，如上所 述，有机EL层22中，空穴注入层31、空穴输送层32、绿色发光层 34G、电子输送层36和电子注入层37是在整个显示区域1a形成的共 用层。因此，在本实施方式中，通过按上述的顺序进行有机EL元件制 作工序，如图4所示那样，在TFT基板10上，从TFT基板10侧起依 次层叠反射电极21a、透光性电极21b、空穴注入层31、空穴输送层 32、绿色发光层34G、分隔层35和红色发光层34R、蓝色发光层34B、 电子输送层36、电子注入层37、第二电极23、保护层24。
以下，对上述的各工序进行说明。
首先，在TFT基板制作工序中，利用公知的技术形成有在TFT12 以及配线14等的绝缘基板11上涂敷感光性树脂，利用光刻技术进行 图案形成，由此在绝缘基板11上，作为平坦化膜(阶差补偿膜)形成 层间绝缘膜13。
作为层间绝缘膜13，例如能够使用丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等。 作为层间绝缘膜13的膜厚，只要能够补偿TFT12造成的阶差即可，并 没有特别限定。
接着，在层间绝缘膜13，形成用于将作为阳极的第一电极21电连 接至TFT12的接触孔13a。由此制作TFT基板10。
接下来，在这样形成的TFT基板10上，形成有机EL元件20(有 机EL元件制作工序)。
在有机EL元件制作工序中，首先，在上述TFT基板10上，作为 阳极形成第一电极21。本实施方式的阳极形成工序包括在TFT基板10 上形成反射电极21a的反射电极形成工序和在反射电极21a上形成透 光性电极21b的透光性电极形成工序。
因此，在上述阳极形成工序，首先，在TFT基板10上，作为第一 电极21的反射电极21a，按规定的厚度将反射电极材料图案形成。
反射电极21a例如在利用溅射法等将反射电极材料成膜后，按每 个子像素3，通过光刻形成未图示的抗蚀剂图案，将这些抗蚀剂图案作 为掩模对由上述反射电极材料构成的层进行蚀刻，之后通过对抗蚀剂 图案进行剥离清洗而按每个子像素3进行分离，反射电极21a既可以 以这样的方式进行图案形成，也可以通过使用印刷法或蒸镀掩模的蒸 镀法等进行图案成膜。作为上述蒸镀法，例如能够使用真空蒸镀法、 CVD(chemical vapordeposition，化学蒸镀)法，等离子体CVD法等。
反射电极21a的厚度与现有技术同样地设定即可，并没有特别限 定，作为一个例子，在反射电极21a使用Ag的情况下，例如设定为 100nm。
接着，作为第一电极21的透光性电极21b，在反射电极21a上， 按规定的厚度将透光性电极材料图案形成。
优选反射电极21a与作为阴极的第二电极23之间的距离设定为使 从各子像素3发出的各色波长区域的光的峰值波长的强度增强的距离。
图9是表示蓝色荧光发光材料的PL发光光谱、绿色荧光发光材料 的PL发光光谱和红色荧光发光材料的PL发光光谱的一个例子的曲线 图。
另外，图9中，作为蓝色荧光发光材料的PL发光光谱表示TBPe 的PL发光光谱，作为绿色荧光发光材料的PL发光光谱表示香豆素6 的PL发光光谱，作为红色荧光发光材料的PL发光光谱表示Ir(piq) 3的PL发光光谱。
如图9所示，上述蓝色荧光发光材料的峰值波长(第一峰值波长) 为大约470nm，绿色荧光发光材料的峰值波长(第二峰值波长)为大 约520nm，上述红色荧光发光材料的峰值波长(第三峰值波长)为大 约590nm。
本实施方式的有机EL元件20是微腔(微共振器)方式的有机EL 元件。在微腔方式的有机EL元件中，所发出的光在阳极与阴极之间进 行多重反射，由于共振而发光光谱变陡，特定波长的发光强度被放大。
在有机EL元件中，作为导入这样的共振结构(微腔结构)的方法， 例如已知有按每种发光颜色改变有机EL元件的2个共振面间的长度 (腔长)、即光路长度的方法。
在本实施方式中，通过按每个子像素3设定透光性电极21b的厚 度，按每个子像素3变更腔长，利用微腔效应，实现发光的色度和发 光效率的提高。
因此，本实施方式中从各子像素3的发光材料发出的光一部分向 直接外部射出，另一部分被多重反射后向外部射出。即，从各子像素3 向外部射出的光中，包括：从发光材料发出后，直接经夹着有机EL层 22设置在与反射电极相反侧的透光性电极(在本实施方式中为第二电 极23)向外部射出的光；和从发光材料发出后，在阳极与阴极之间(更 准确而言，向上述反射电极与透光性电极之间，在本实施方式中为第 一电极21的反射电极21a与第二电极23之间)多重反射，经设置在 与上述反射电极相反侧的透光性电极(在本实施方式中为第二电极23) 向外部射出的光。
因此，在子像素3B，从蓝色发光层34B发出的光向外部射出，不 过此时向外部射出的光中，包含使由蓝色发光层34B发出的光(即， 从蓝色荧光发光材料发出的光)在子像素3B的阳极与阴极之间多重反 射而得到的光。此外，在子像素3G，从绿色发光层34G发出的光向外 部射出，不过在从子像素3G向外部射出的光中，包含使由绿色发光层 34G发出的光(即，从绿色荧光发光材料发出的光)在子像素3G的阳 极与阴极之间多重反射而得到光。此外，在子像素3R，从红色发光层 34R发出的光向外部射出，不过此时向外部射出的光中，包含使由红 色发光层34R发出的光(即，从红色荧光发光材料发出的光)在子像 素3R的阳极与阴极之间多重反射而得到的光。
在子像素3B，以使得反射电极21a与第二电极23之间的距离成为 对于将蓝色的波长区域的光向外部向射出(即，使光射出)而言最佳 的厚度(使蓝色荧光发光材料的峰值波长的强度增强的距离)的方式 设定透光性电极21b的厚度。同样，在子像素3G，以使得反射电极21a 与第二电极23之间的距离成为对于将绿色的波长区域的光向外部射出 而言最佳的厚度(使绿色荧光发光材料的峰值波长的强度增强的距离) 的方式设定透光性电极21b的厚度，在子像素3R，以使得反射电极21a 与第二电极23之间的距离成为对于将红色的波长区域的光向外部射出 而言最佳的厚度(使红色荧光发光材料的峰值波长的强度增强的距离) 的方式设定透光性电极21b的厚度。
另外，作为变更各子像素3的透光性电极21b的厚度的方法，没 有特别限定，既可以利用蒸镀法或印刷法等，按每个子像素3将透光 性电极材料以所期望的厚度成膜，也可以在利用溅射法等将透光性电 极材料成膜后，通过光刻进行图案化，之后，将由上述透光性电极材 料构成的各层的厚度通过灰化等调节成所期望的厚度。
由此，在TFT基板10上，呈矩阵状形成具有在每个子像素3不同 的层厚的第一电极21。
接着，与层间绝缘膜13同样地、以覆盖第一电极21的端部的方 式图案形成分隔堤15。通过以上的工序，作为阳极，制作按每个子像 素3由分隔堤15分离的第一电极21。
接着，对经过上述那样的工序后的TFT基板10实施用于脱水的减 压烘焙和作为第一电极21的表面清洗氧等离子体处理。
接下来，与现有技术同样地，例如使用开放掩模等、在形成有上 述第一电极21的TFT基板10上的显示区域1a整个面依次蒸镀空穴注 入层31的材料、空穴输送层32的材料。如上所述，这些空穴注入层 31和空穴输送层32并不是必须有的层。这些空穴注入层31和空穴输 送层32的层厚与现有技术同样地设定即可，并没有特别限定。
接下来，以覆盖上述空穴输送层32的方式形成绿色发光层34G(绿 色发光层形成工序)。绿色发光层34G如图4和图5(a)所示那样， 跨多个像素2地作为单一的共用发光层形成。因此，绿色发光层34G 的材料不进行分涂蒸镀，而是例如使用开放掩模等作为绿色发光层形 成用的蒸镀掩模，在TFT基板10的显示区域1a整个面蒸镀。
另外，上述绿色发光层形成用的蒸镀掩模既可以为具有与TFT基 板10相同的大小的、掩模固定蒸镀用的蒸镀掩模，也可以是扫描蒸镀 用的蒸镀掩模，该扫描蒸镀使包含比收纳蒸镀材料的蒸镀源和TFT基 板10小的蒸镀掩模的蒸镀单元与成为被成膜基板的TFT基板10中、 至少一方相对于另一方相对移动，从而一边扫描被成膜基板一边进行 蒸镀。
接着，图1和图4所示那样，在上述绿色发光层34G上，形成分 隔层35(分隔层形成工序)。分隔层35如图1和图4所示那样，仅在 子像素3B形成。之后，如图1、图4和图5(b)所示那样，在上述分 隔层35上形成蓝色发光层34B(蓝色发光层形成工序)。
分隔层35具有在俯视中与蓝色发光层34B相同的图案。分隔层 35和蓝色发光层34B在绿色发光层34G上的一部分，利用分涂蒸镀， 形成为例如沿作为列方向的Y轴方向的线状，例如条纹状。
因此，如图5(b)所示那样，在显示区域1a，在蓝色发光层形成 工序后，在俯视中(例如从TFT基板10的上方看时)，蓝色发光层34B 和绿色发光层34G在作为行方向的X轴方向上交替排列地设置。
在分隔层形成工序和蓝色发光层形成工序中，以仅在子像素3B形 成分隔层35和蓝色发光层34B的方式，使用仅在子像素3B形成有开 口部的蒸镀掩模，蒸镀分隔层35的材料和蓝色发光层34B的材料。
因为分隔层35与蓝色发光层34B具有在俯视中相同的图案，所以 例如能够使用相同的蒸镀掩模连续地形成。不过，本实施方式并不限 定于此，也可以使用具有相同的开口图案的、各自专用的蒸镀掩模图 案形成分隔层35和蓝色发光层34B。另外，分隔层形成用的蒸镀掩模 和蓝色发光层形成用的蒸镀掩模也既可以为掩模固定蒸镀用的蒸镀掩 模，也可以为扫描蒸镀用的蒸镀掩模。
接着，图1、图4和图5(c)所示那样，在绿色发光层34G形成 红色发光层34R(红色发光层形成工序)。如图4和图5(c)所示那样， 红色发光层34R仅在子像素3R形成。因此，红色发光层34R在绿色 发光层34G上的一部分，通过分涂蒸镀，形成为例如沿Y轴方向的线 状，例如条纹状。因此，如图5(c)所示那样，在显示区域1a，在红 色发光层形成工序后，在俯视中蓝色发光层34B、绿色发光层34G和 红色发光层34R沿X轴方向依次交替排列地设置。
在红色发光层形成工序中，以仅在子像素3R形成红色发光层34R 的方式，使用仅在子像素3R形成有开口部的、红色发光层形成用的蒸 镀掩模，蒸镀红色发光层34R的材料。另外，红色发光层形成用的蒸 镀掩模也既可以为掩模固定蒸镀用的蒸镀掩模，也可以为扫描蒸镀用 的蒸镀掩模。
之后，与现有技术同样地，例如使用开放掩模等，在形成有上述 各色发光层34的TFT基板10上的显示区域1a整个面依次蒸镀电子输 送层36的材料、电子注入层37的材料。如上所述，这些电子输送层 36和电子注入层37并不是必须有的层。这些电子输送层36和电子注 入层37的层厚与现有技术同样地设定即可，并没有特别限定。
接着，作为阴极，以覆盖上述电子注入层37的方式在上述TFT基 板10的显示区域1a整个面形成第二电极23。在第二电极23的形成中， 既可以使用真空蒸镀法、CVD法、等离子体CVD法等蒸镀法，也可 以使用溅射法或印刷法等。
之后，以覆盖上述第二电极23的方式在上述TFT基板10的显示 区域1a整个面蒸镀保护层24的材料。由此，在上述TFT基板10上形 成有机EL元件20。
之后，通过进行密封工序，如图4所示那样，借助未图示的填充 剂层和密封材料使形成有上述有机EL元件20的TFT基板10与密封 基板40贴合。由此获得本实施方式的有机EL显示装置1。不过，作 为有机EL元件20的密封方法，并不限定于上述的方法，能够采用公 知的各种密封方法。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
接着，以下参照图1、图2(a)～(c)和图4对本实施方式的有 机EL显示装置1的显示方法进行说明。
如上所述，有机EL显示装置1包括多个设置有具备各色发光层 34的有机EL元件20的子像素3，通过使用TFT12有选择地使各子像 素3的有机EL元件20以所期望的亮度发光而进行彩色显示。以下， 对各子像素3的发光进行说明。
本实施方式的有机EL显示装置1是有源矩阵型的有机EL显示装 置，在显示区域呈矩阵状配置有多个像素2。
本实施方式的有机EL显示装置1与现有的具有被称为RGB条纹 排列的像素排列的有机EL显示装置不同，各子像素3B、3G、3R如图 1和图4所示那样具有相互不同的层结构。
在本实施方式的有机EL显示装置1中，如图4所示那样分别从第 一电极21和第二电极23注入有机EL层22的空穴(h+)和电子(e-) 如图1和图2(a)所示那样在子像素3B、在蓝色发光层34B复合而生 成激子。所生成的激子在失活而窜越回基态时放射光。由此，在子像素3B几乎100％发射蓝色光(发射蓝色荧光)。
在蓝色发光层34B与绿色发光层34G之间，如上述那样设置有分 隔层35。在蓝色荧光发光材料的发光光谱与分隔层35的材料的吸收光 谱不存在重叠，分隔层35具有大于福斯特半径的层厚。因此，能量不 从蓝色发光层34B向绿色发光层34G移动。因此，在子像素3B，几乎 100％发射蓝色荧光。此时，如果蓝色荧光发光材料为TADF材料，则 由于反向系间窜越，在蓝色发光层生成的75％的T1能级的激子提升至 S1能级，因此能够大幅提高子像素3B的发光效率。
这样，在本实施方式中，尽管在子像素3B层叠蓝色发光层34B 和绿色发光层34G，子像素3B的混色依然被抑制。
在子像素3G，在绿色发光层34G生成激子，几乎100％发射绿色 光(发射绿色荧光)。
在子像素3R，根据红色发光层34R与绿色发光层34G的载流子平 衡度，在红色发光层34R或绿色发光层34G生成激子。在子像素3R， 在红色发光层34R生成了激子的情况下，在红色发光层34R几乎100％ 发射红色光(发射红色荧光)。例如，在红色发光层34R中含有比率最 多的材料中使用空穴可运输性材料的情况下，在红色发光层34R生成 激子。
在图1和图2(c)，作为一个例子，列举在绿色发光层34G生成 激子的情况进行表示。如上所述，红色荧光发光材料的S1能级低于绿 色荧光发光材料的S1能级，绿色发光层34G与红色发光层34R彼此相 邻地设置，绿色发光层34G与红色发光层34R之间的距离为福斯特半 径以下。此外，绿色荧光发光材料的PL发光光谱的一部分与红色荧光 发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
因此，如图1和图2(c)所示那样，在子像素3R在绿色发光层 34G生成了激子的情况下，发生从绿色荧光发光材料的S1能级至红色 荧光发光材料的S1能级的福斯特转移，由此几乎100％发射红色光(发 射红色荧光)。此时，如果在绿色荧光发光材料中使用TADF材料，则 由于反向系间窜越，在绿色发光层34G生成的75％的T1能级的激子提 升至S1能级，因此能够大幅提高子像素3G和子像素3R的发光效率。
另外，在子像素3R在红色发光层34R生成激子的情况下，如果红 色荧光发光材料为TADF材料，则由于反向系间窜越，在红色发光层 34R生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级，因此能够大幅提高子 像素3R的发光效率。
这样，在本实施方式中，尽管在子像素3R层叠绿色发光层34G 和红色发光层34R，子像素3R的混色依然被抑制。
＜效果＞
如以上那样，在本实施方式中，将绿色发光层34G作为在子像素 3B、子像素3G和子像素3R共用的共用发光层，通过该共用发光层的 利用来提高生产率，并且利用在层叠方向上相邻的发光层34间的能量 转移的有无进行发光。
根据本实施方式，如上述那样，绿色发光层34G以在子像素3B、 子像素3G、子像素3R共用的方式在整个显示区域1a形成，因此不需 要分涂蒸镀所有发光层34。根据本实施方式，通过绿色发光层34G以 在包括子像素3B、子像素3G、子像素3R在内的所有子像素3共用的 方式在整个显示区域1a蒸镀，能够减少使用蒸镀掩模的分涂蒸镀次数。
此外，根据本实施方式，如上述那样，在子像素3B，层叠蓝色发 光层34B和绿色发光层34G，蓝色发光层34B几乎100％发光。此外， 在作为发光层34仅形成有绿色发光层34G的子像素3G，如上述那样， 绿色发光层34G几乎100％发光。在子像素3R，层叠绿色发光层34G 和红色发光层34R，红色发光层34R几乎100％发光。而且，根据本实 施方式，不需要另外设置滤色片和颜色变换层。因此，根据本实施方 式，能够在各子像素3，不产生混色和色偏差地、高效率地获得各种发 光颜色，能够容易地实现高精细化。此外，与现有技术相比载流子迁 移率的选择自由度高，与现有技术相比材料选择的自由度高。
进一步，根据本实施方式，在子像素3B、子像素3G和子像素3R 发出相互不同的峰值波长的光。因此，根据本实施方式，与白色CF方 式不同，不需要使蓝色发光层34B、绿色发光层34G和红色发光层34R 全部同时发光，因此能够抑制驱动时的电力消耗。
此外，根据本实施方式，不需要另外设置滤色片，因此能够抑制 制造成本，并且还不产生滤色片引起的能量损失。
因此，根据本实施方式，可提供能够在各子像素不发生混色和色 偏差地、高效率地获得各种发光颜色，并且能够抑制驱动时的消耗电 力和制造成本的显示装置及其制造方法。
＜变形例1＞
在图5(a)～(c)中，列举依次执行绿色发光层形成工序、分隔 层形成工序、蓝色发光层形成工序和红色发光层形成工序的情况进行 了说明。但是，本实施方式只要能够获得图1和图4所示的层叠结构， 这些绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工序和 红色发光层形成工序的叠层顺序就不限定于上述工序顺序。
如上所述，图1和图4所示的有机EL显示装置1在TFT基板10 上，从TFT基板10侧起依次层叠反射电极21a、透光性电极21b、空 穴注入层31、空穴输送层32、绿色发光层34G、分隔层35和红色发 光层34R、蓝色发光层34B、电子输送层36、电子注入层37、第二电 极23、保护层24。
因此，绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成 工序和红色发光层形成工序既可以按绿色发光层形成工序、红色发光 层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工序的顺序进行，也 可以按绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、红色发光层形成工序、 蓝色发光层形成工序的顺序。不过，图1和图4所示的有机EL显示装 置1因为分隔层35具有在俯视中与蓝色发光层34B相同的图案，所以 能够通过连续地进行分隔层形成工序和蓝色发光层形成工序，如上述 那样，例如使用相同的蒸镀掩模连续地进行分隔层35的形成和蓝色发 光层34B的形成。
＜变形例2＞
此外，在图1、图4、图5(a)～(c)中，列举分隔层35具有在 俯视中与蓝色发光层34B相同的图案，仅在子像素3B设置的情况进行 了说明。
但是，本实施方式并不限定于此，虽然未图示，不过分隔层35也 可以作为在子像素3B和子像素3G共用的共用层，在子像素3G也形 成。
在这种情况下，优选分隔层35和红色发光层34R按分隔层35、 红色发光层34R的顺序形成。即，优选分隔层形成工序按相比红色发 光层形成工序更靠近绿色发光层形成工序的顺序形成，例如，优选绿 色发光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工序和红色发 光层形成工序依此顺序进行，或按绿色发光层形成工序、分隔层形成 工序、红色发光层形成工序、蓝色发光层形成工序的顺序进行。由此， 如果红色发光层34R的材料稍被子像素3G覆盖也不产生混色。
＜变形例3＞
此外，在本实施方式中，列举本实施方式的显示装置为有机EL显 示装置的情况进行了说明。不过本实施方式的显示装置为PL发光的显 示装置即可。因此，本实施方式的显示装置并不限定于上述的例示， 例如既可以为无机EL显示装置，也可以为利用PL发光的、EL显示装 置以外的显示装置。此外，在上述各发光材料中使用无机材料，也可 以取代有机层形成无机层。
此外，在本实施方式中，作为第一发光层形成蓝色发光层34B， 作为第二发光层形成绿色发光层34G，作为第三发光层形成红色发光 层34R，不过本实施方式并不限定于此。第一发光层的第一发光材料、 第二发光层的第二发光材料与第三发光层的第三发光材料的组合并不 限定于蓝色荧光发光材料、绿色荧光发光材料与红色荧光发光材料的 组合。上述组合为如下的组合即可：上述第二发光材料发出与从上述 第一发光材料发出的光的峰值波长(第一峰值波长)相比具有长波长 的峰值波长(第二峰值波长)的光，上述第三发光材料发出与上述第 二峰值波长相比具有长波长的峰值波长(第三峰值波长)的光，上述第二发光材料的S1能级低于上述第一发光材料的S1且高于上述第三发 光材料的S1。
(实施方式2)
主要根据图10(a)～(c)说明本发明的另一实施方式如下。
在本实施方式中，说明与实施方式1的不同点，对于具有与实施 方式1中说明的构成要素相同的功能的构成要素，标注相同的附图标 记，省略其说明。另外，在本实施方式中当然也能够进行与实施方式1 同样的变形。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1除了在红色发光层34R的发光 材料中使用红色磷光发光材料以外，具有与实施方式1的有机EL显示 装置1相同的结构。因此，表示本实施方式的有机EL显示装置1的概 略结构的截面图与图4相同。此外，表示本实施方式的有机EL显示装 置1的发光层单元33的概略结构的截面图与图1相同示意地表示本实 施方式的有机EL显示装置1的像素排列的俯视图与图3相同
此外，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法除了在红色发 光层34R的发光材料中使用红色磷光发光材料以外，与实施方式1的 有机EL显示装置1的制造方法相同。
作为红色磷光发光材料，例如能够列举三(1-苯基异喹啉)铱(III) (Ir(piq)3)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮化合物)铱 (III)(Ir(btp)2(acac))等。
如在实施方式1中以图6表示的那样，绿色发光材料的S1能级(S1 (2))低于蓝色发光材料的S1能级(S1(1))，红色发光材料的S1能 级(S1(3))低于绿色发光材料的S1能级(S1(2))。即，绿色荧光发 光材料的S1能级低于蓝色荧光发光材料的S1能级，红色磷光发光材料的S1能级(S1(3))低于绿色荧光发光材料的S1能级(S1(2))。
此外，如在实施方式1中说明的那样，发光层单元33具有图1和 图4所示那样的层叠结构的情况下，在使用红色磷光发光材料作为红 色发光材料的情况下，也如在实施方式1中说明的那样，优选绿色发 光材料(在本实施方式中为绿色荧光发光材料)的PL发光光谱的一部 分与红色发光材料(在本实施方式中为红色磷光发光材料)的吸收光 谱的一部分重叠。另外，由于T1能级与S1能级相比能量低，所以红色 磷光发光材料的吸收光谱的波长比红色荧光发光材料的吸收光谱的波 长长，不过因为红色磷光发光材料的吸收光谱的波长接近红色荧光发 光材料的吸收光谱的波长，所以与实施方式1那样在绿色发光材料和 红色发光材料中均使用荧光材料的情况同样，重叠程度非常大。
这样，在本实施方式中，也由于绿色发光材料(在本实施方式中 为绿色荧光发光材料)的PL发光光谱的一部分与红色发光材料(在本 实施方式中为红色磷光发光材料)的吸收光谱的一部分重叠，容易发 生从绿色发光材料至红色发光材料的能量转移。
另外，此时，能够通过使红色磷光发光材料分散于主材料中，降 低红色发光层34R中的红色磷光材料的含有比率(例如不到10重 量％)，从而利用主材料将红色磷光发光材料相互隔开，以不易发生德 克斯特转移。其结果是，能够主要通过福斯特转移使从绿色发光层34G 至红色发光层34R的能量转移进行。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
接着，以下参照图1和图10(a)～(c)说明本实施方式的有机 EL显示装置1的显示方法。
图10(a)是表示本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B 的发光原理的图，图10(b)是表示本实施方式的有机EL显示装置1 的子像素3G的发光原理的图，图10(c)是表示本实施方式的有机EL 显示装置1的子像素3R的发光原理的图。
本实施方式的有机EL显示装置1的子像素3B、3G的结构与实施 方式的有机EL显示装置1的子像素3B、3G的结构相同。因此，如图 10(a)和图10(b)所示，本实施方式的有机EL显示装置1的子像 素3B、3G的发光原理与图1和图2(a)、(b)所示的、实施方式1的 有机EL显示装置1的子像素3B、3G的发光原理相同。
因此，本实施方式的有机EL显示装置1在子像素3B、与实施方 式1同样在蓝色发光层34B生成激子，几乎100％发射蓝色光(发射蓝 色荧光)。此外，在子像素3G，与实施方式1同样，在绿色发光层34G 生成激子，几乎100％发射绿色光(发射绿色荧光)。
此外，在图1和图10(c)中，与图2(c)同样地作为一个例子 列举在绿色发光层34G生成激子的情况进行表示，不过，在子像素3R， 也与实施方式1同样，根据红色发光层34R与绿色发光层34G的载流 子平衡度，在红色发光层34R或绿色发光层34G生成激子。例如，在红色发光层34R中含有比率最多的材料中使用空穴可运输性材料的情 况下，在红色发光层34R生成激子。
此外，红色磷光发光材料的S1能级与红色荧光发光材料的S1能级 同样，低于绿色荧光发光材料的S1能级，绿色发光层34G与红色发光 层34R彼此相邻地设置。此外，绿色荧光发光材料的PL发光光谱的一 部分与红色磷光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
因此，与实施方式1同样，如图1和图10(c)所示那样，在子像 素3R、在绿色发光层34G生成了激子的情况下，发生从绿色荧光发光 材料的S1能级至红色荧光发光材料的S1能级的福斯特转移。以上，虽 然红色发光材料不同，但是作为显示原理与实施方式1相同。
在本实施方式中，因为在红色发光材料中使用红色磷光材料，所 以如果发生从绿色荧光发光材料的S1能级至红色磷光发光材料的S1能 级的福斯特转移，则之后会在红色发光层34R从S1能级向T1能级进行 系间窜越，由此在红色发光层34R生成三重态激子，在红色磷光发光 材料的三重态激子窜越回基态时放射光。由此，在子像素3R几乎100％ 发射红色光(在本实施方式中为发射红色荧光)。
＜效果＞
如以上那样，在本实施方式中，也与实施方式1同样，通过将绿 色发光层34G作为在子像素3B、子像素3G和子像素3R共用的共用 发光层，能够通过该共用发光层的利用提高生产率，并且利用在发层 叠方向上相邻的发光层34间的能量转移的有无进行发光。因此，在本 实施方式中，也能够获得与实施方式1相同的效果。
(实施方式3)
主要根据图11对本发明的又一实施方式说明如下。
在本实施方式中，说明与实施方式1或2的不同点，对于具有与 实施方式1、2中说明的构成要素相同的功能的构成要素，标注相同的 附图标记，省略其说明。另外，在本实施方式中当然也能够进行与实 施方式1、2同样的变形。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
图11是表示本实施方式的有机EL显示装置1的概略结构的一个 例子的截面图。另外，图11表示图3所示的有机EL显示装置1的L1-L2 线截面的、一个像素区域的概略结构的一个例子。
本实施方式的有机EL显示装置1是将从发光层单元33发出的光 从第一电极21侧、即TFT基板10侧射出的底部发光型的有机EL显 示装置。
在有机EL显示装置1为底部发光型的情况下，在绝缘基板11使 用被称为透明基板或透光性基板的玻璃基板、塑料基板等具有透光性 的绝缘基板。
此外，在有机EL显示装置1为底部发光型的情况下，从发光层单 元33发出的光从透光性电极侧直接或者在反射电极反射后从透光性电 极侧射出。因此，在本实施方式中，如上述那样令TFT基板10侧的第 一电极21为透光性电极，令第二电极23为反射电极。作为这些透光 性电极和反射电极的材料，例如能够使用实施方式1中例示的透光性 电极材料、反射电极材料等。
本实施方式的有机EL显示装置1除了第一电极21为透光性电极， 不设置保护层24而在第二电极23使用与实施方式1的有机EL显示装 置1的第二电极23(半透明电极)相比层厚更厚的反射电极以外，与 实施方式1、2的有机EL显示装置1相同。在本实施方式中，例如在 所有子像素3B、子像素3G和子像素3R令第一电极21(阳极)为层 厚100nm的ITO电极，令第二电极23(阴极)为层厚100nm的Al电 极。
在本实施方式中，如图11所示那样，在TFT基板10上，从TFT 基板10侧起依次层叠由透光性电极构成的第一电极21、空穴注入层 31、空穴输送层32、蓝色发光层34B、绿色发光层34G、红色发光层 34R、电子输送层36、电子注入层37、由反射电极构成的第二电极23。
＜效果＞
根据本实施方式，能够利用与实施方式1、2相同的原理进行显示。 即，通过使上述的以外的条件为与实施方式1、2中的任一实施方式相 同的条件，能够利用与实施方式1、2中的任一实施方式相同的原理， 在各子像素3，不发生混色和色偏差地，高效获得各种发光颜色，能够 容易地实现高精细化。
因此，根据本实施方式，可提供具有与实施方式1、2相同的效果 的、底部发光型的有机EL显示装置1。
此外，在如上述那样在有机EL显示装置1采用底部发光结构的情 况下，微腔效应弱，即使改变各子像素3的有机EL元件20的光路长 度(腔长)，各子像素3的有机EL元件20的色度和发光效率也不易发 生变化。因此，即使不令第二电极23如实施方式1的第一电极21那 样为反射电极与作为层厚调节层(光路长度调节层)的透光性电极的 层叠结构，变更该透光性电极的层厚的等而变更各子像素3的有机EL 元件20的光路长度，或按每个子像素3变更第一电极21与第二电极 23之间的有机EL层22的层厚，各子像素3的有机EL元件20的色度 和效率也不易发生变化。
因此，根据本实施方式，如上述那样，即使令有机EL显示装置1 的各层为同样的层厚也没什么特别的问题，与令有机EL显示装置1为 顶部发光结构的情况相比能够简化制造过程。
(实施方式4)
主要根据图12和图13对本发明的又一实施方式说明如下。
在本实施方式中，说明与实施方式1～3的不同点，对于具有与实 施方式1～3中说明的构成要素相同的功能的构成要素，标注相同的附 图标记，省略其说明。另外，在本实施方式中当然也能够进行与实施 方式1～3同样的变形。
＜有机EL显示装置1的概略结构和发光原理＞
图12是结合发光原理示意地表示本实施方式的有机EL显示装置 1的发光层单元33的概略结构的图。图13是表示本实施方式的有机 EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。另外，图13表示图3 所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面的、一个像素区域的概略结 构的一个例子。
在相邻的2个发光层34彼此直接接触的界面附近、发生以三重态 能级生成的75％的激子向相邻的发光层34的三重态能级的能量转移即 德克斯特转移的情况下，该激子直接为非发光而热失活。
因此，在红色发光材料中使用红色荧光发光材料的情况下，如图 12和图13所示那样，在子像素3R的绿色发光层34G与红色发光层 34R之间，为了阻碍德克斯特转移，优选设置不含发光材料的具有福 斯特半径以下的层厚的阻挡层38。另外，在图12和图13中，作为一 个例子，例如列举在实施方式1的有机EL显示装置1的子像素3R的 绿色发光层34G与红色发光层34R之间设置有阻挡层38的情况进行 表示。
如在实施方式1中说明的那样，绿色发光层34G与红色发光层34R 之间的距离(彼此相对面间距离DGR)福斯特为半径以下，阻挡层38 的厚度为福斯特半径以下。因此，子像素3R的、从绿色荧光发光材料 至红色荧光发光材料的福斯特转移不被阻碍，而德克斯特转移被阻碍。
因此，通过这样在子像素3R的绿色发光层34G与红色发光层34R 之间设置薄的阻挡层38，能够改善子像素3R的红色发光层34R的发 光效率。
关于阻挡层38的层厚，为了可靠地进行福斯特转移，优选尽量薄 地形成，优选为10nm以下，更优选为5nm以下。
此外，如在实施方式1中说明的那样，一般认为福斯特半径为1～ 10nm左右。因此，优选绿色发光层34G的与红色发光层34R相反侧 的表面与红色发光层34R的绿色发光层34G侧的表面之间的距离为 10nm以下。
因此，在本实施方式中，优选绿色发光层34G的层厚与阻挡层38 的层厚的合计为10nm以下。由此，从绿色发光层34G的任意的位置 至红色发光层34R的最短距离成为10nm以下，即使是位于绿色发光 层34G的与红色发光层34R相反侧的表面的绿色荧光发光材料的分 子，也能够进行福斯特转移。
阻挡层38例如作为电子可运输性或阻挡层38整体呈现出双极可 运输性。在阻挡层38使用呈现出双极可运输性的材料的情况下，在该 材料使用如双极可运输性材料那样单独呈现出双极可运输性的材料或 通过组合二种以上材料而呈现出双极可运输性的材料。
本实施方式的有机EL显示装置1除了上述的点以外，例如具有与 实施方式1相同的结构。此外，发光原理与实施方式1相同。
＜有机EL显示装置1的制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法除了包括在实施方式 1中、在绿色发光层形成工序与红色发光层形成工序之间形成阻挡层 38的阻挡层形成工序以外，与实施方式1的有机EL显示装置1的制 造方法相同。绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形 成工序、阻挡层形成工序和红色发光层形成工序例如既可以(1)依次 进行，也可以(2)按绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、阻挡层 形成工序、蓝色发光层形成工序、红色发光层形成工序的顺序，(3) 按绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、阻挡层形成工序、红色发 光层形成工序、蓝色发光层形成工序的顺序，(4)按绿色发光层形成 工序、阻挡层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工序、红 色发光层形成工序的顺序，(5)按绿色发光层形成工序、阻挡层形成 工序、分隔层形成工序、红色发光层形成工序、蓝色发光层形成工序 的顺序，(6)按绿色发光层形成工序、阻挡层形成工序、红色发光层 形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工序的顺序，(7)按绿 色发光层形成工序、阻挡层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层 形成工序、红色发光层形成工序的顺序进行。
此外，在图12和图13所示的例子中，仅在子像素3R设置有阻挡 层38。因此，在图12和图13所示的有机EL显示装置1的制造方法 中，例如使用相同的蒸镀掩模连续地形成阻挡层38和红色发光层34R。 由此，在红色发光层形成工序中，在阻挡层38上层叠在俯视中具有与 阻挡层38相同的图案的红色发光层34R。不过，本实施方式并不限定 于此，也可以使用具有相同开口图案的、各自专用的蒸镀掩模图案形 成阻挡层38和红色发光层34R。
＜效果＞
如以上那样，本实施方式的有机EL显示装置1除了在子像素3R 的绿色发光层34G与红色发光层34R之间设置有阻挡层38以外，具 有与实施方式1的有机EL显示装置1相同的结构，根据与实施方式1 相同的原理进行发光。因此，根据本实施方式，能够获得与实施方式1 相同的效果。
此外，根据本实施方式，通过形成阻挡层38，从绿色荧光发光材 料至红色荧光发光材料的福斯特转移不被阻碍，而德克斯特转移被阻 碍，因此能够改善子像素3R的红色发光层34R的发光效率。
＜变形例＞
另外，在上述说明中，列举相对于实施方式1的有机EL显示装置 1的变形例进行了说明，不过本实施方式并不限定于此，能够如上述那 样，进行与实施方式2、3相同的变形。
此外，阻挡层38是用于阻碍从子像素3R的绿色荧光发光材料至 红色荧光发光材料的德克斯特转移的层，在红色发光材料中使用红色 荧光发光材料的情况下，如果如图12和图13所示那样配置在子像素 3R的绿色发光层34G与红色发光层34R之间，则不一定需要在其它子 像素3进行配置。不过，本实施方式并不限定于此，阻挡层38也可以 作为在子像素3G和子像素3R共用的共用层设置。在这种情况下，能 够将绿色发光层34G和阻挡层38例如使用相同的蒸镀掩模或具有相同 的图案的各自专用的蒸镀掩模连续地形成。
(实施方式5)
主要根据图14和图15对本发明的又一实施方式说明如下。
在本实施方式中，说明与实施方式1～4的不同点，对于具有与实 施方式1～4中说明的构成要素相同的功能的构成要素，标注相同的附 图标记，省略其说明。另外，在本实施方式中当然也能够进行与实施 方式1～4同样的变形。
图14是结合发光原理示意地表示本实施方式的有机EL显示装置 1的发光层单元33的概略结构的图。图15是表示本实施方式的有机 EL显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。另外，图15表示图3 所示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面的、一个像素区域的概略结 构的一个例子。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
本实施方式的有机EL显示装置1如图14和图15所示那样，在子 像素3B，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33从第一 电极21侧起依次、彼此相邻地层叠有蓝色发光层34B、分隔层35、绿 色发光层34G。此外，在子像素3G，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33仅设置有绿色发光层34G。在子像素3R，在第一 电极21与第二电极之间，作为发光层单元33从第一电极21侧起依次、 彼此相邻地层叠有红色发光层34R、绿色发光层34G。即，在本实施 方式中，发光层单元33的各层(更准确而言，子像素3B、3R的各发 光层34)与实施方式1～4顺序相反地层叠。
因此，在本实施方式中，如图14所示那样，例如，在分隔层35 中的材料中含有比率最多的材料、优选所有材料中使用电子可运输性 材料，在绿色发光层34G中含有比率最多的材料、优选所有材料中使 用双极可运输性材料或电子可运输性材料。
对蓝色发光层34B的材料的载流子迁移率和红色发光层34R的材 料的载流子迁移率没有特别限定，不过根据实施方式1中记载的理由， 优选蓝色发光层34B的材料中混合比率最高的材料、优选所有材料以 及红色发光层34R的材料中混合比率最高的材料、优选所有材料为电 子可运输性材料或双极可运输性材料，更优选为电子可运输性材料。 本实施方式的有机EL显示装置1除了上述的点以外例如具有与实施方 式1的有机EL显示装置1相同的结构。
此外，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法除了在红色发 光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工序、绿色发光层 形成工序中，最后执行绿色发光层形成工序以外，例如与实施方式1 的有机EL显示装置1的制造方法相同。
通过将发光层单元33的各层中绿色发光层34G最后形成并且在蓝 色发光层形成工序与绿色发光层形成工序之间进行分隔层形成工序， 只要能够获得图14和图15所示的层叠结构，就能够适当地替换分隔 层形成工序、蓝色发光层形成工序和绿色发光层形成工序的顺序。
即，红色发光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色发光层形成工 序、绿色发光层形成工序既可以与图5(a)～(c)所示的顺序相反， 按红色发光层形成工序、蓝色发光层形成工序、分隔层形成工序、绿 色发光层形成工序的顺序进行，也可以按蓝色发光层形成工序、分隔 层形成工序、红色发光层形成工序、绿色发光层形成工序的顺序进行， 还可以按蓝色发光层形成工序、红色发光层形成工序、分隔层形成工 序、绿色发光层形成工序的顺序进行。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
如图14所示，与其它实施方式同样，在本实施方式中，在子像素 3B，也是在蓝色发光层34B生成激子。通过在蓝色发光层34B与绿色 发光层34G之间设置有分隔层35，能量不从蓝色发光层34B向绿色发 光层34G移动。因此，在子像素3B，几乎100％发射蓝色光(发射蓝 色荧光)。此时，如果蓝色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反 向系间窜越，在蓝色发光层34B生成的75％的T1能级的激子提升至 S1能级，因此能够大幅提高子像素3B的发光效率。
在子像素3G，在绿色发光层34G生成激子，几乎100％发射绿色 光(发射绿色荧光)。
在子像素3R，根据红色发光层34R与绿色发光层34G的载流子平 衡度，在红色发光层34R或绿色发光层34G生成激子。在如上述那样 在红色发光层34R的材料中混合比率最高的材料、优选所有材料采用 电子可运输性材料或双极可运输性材料的情况下，在红色发光层34R 生成激子，几乎100％发射红色光(发射红色荧光)。在图14中，列举 在红色发光层34R生成激子的情况进行表示。
在子像素3R在绿色发光层34G生成了激子的情况下，由于绿色 发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR为福斯特半径以下，发 生从绿色荧光发光材料的S1能级至红色荧光发光材料的S1能级的福斯 特转移，由此，几乎100％发射红色光(发射红色荧光)。此时，如果 绿色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反向系间窜越，在绿色 发光层34G生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级，因此能够大 幅提高子像素3G和子像素3R的发光效率。
此外，在如图14所示那样在红色发光层34R生成激子的情况下， 如果红色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反向系间窜越，在 红色发光层34R生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级，因此能 够大幅提高子像素3R的发光效率。
＜效果＞
如以上那样，在本实施方式中，也能够获得与实施方式1相同的 效果。此外，现有技术中存在当变更叠层顺序及载流子迁移率时产生 混色的问题。但是，在本实施方式中，实施方式1～4均能够变更各发 光层34的叠层顺序，各子像素3也不产生混色和色偏差，能够高效获 得各种发光颜色。此外，根据本实施方式也可判断与现有技术相比载 流子迁移率的选择的自由度高。由以上结果可以判断，上述有机EL显 示装置1的发光层单元33的发光层34的叠层顺序的自由度和材料选 择的自由度比现有技术高。
另外，在本实施方式中，列举关于实施方式1的有机EL显示装置 1的变形例进行了说明，不过本实施方式并不限定于此，还能够如上述 那样进行与实施方式1～4相同的变形，通过进行那样的变形，能够获 得与实施方式1～4相同的效果。例如，如果在红色发光层34R的发光 材料中使用红色磷光发光材料，则在红色发光层34R生成三重态激子， 在子像素3R，几乎100％发射红色磷光。
(实施方式6)
主要根据图16和图17对本发明的又一实施方式说明如下。
在本实施方式中，说明与实施方式1～5的不同点，对于具有与实 施方式1～5中说明的构成要素相同的功能的构成要素，标注相同的附 图标记，省略其说明。另外，在本实施方式中当然也能够进行与实施 方式1～5同样的变形。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
图16是结合发光原理示意地表示本变形例的有机EL显示装置1 的发光层单元33的概略结构的图。图17是表示本实施方式的有机EL 显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。另外，图17表示图3所 示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面的、一个像素区域的概略结构 的一个例子。
本实施方式的有机EL显示装置1如图16和图17所示那样，在子 像素3B，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33从第一 电极21侧起依次、彼此相邻地层叠有蓝色发光层34B、分隔层35、绿 色发光层34G。此外，在子像素3G，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33仅设置有绿色发光层34G。在子像素3R，在第一 电极21与第二电极之间，作为发光层单元33从第一电极21侧起依次、 彼此相邻地层叠有绿色发光层34G、红色发光层34R。即，在本实施 方式中，在实施方式5的有机EL显示装置1，子像素3R的各发光层34与实施方式5顺序相反地层叠。
在本实施方式中，如图16所示那样，例如，在分隔层35中的材 料中含有比率最多的材料、优选所有材料中使用电子可运输性材料， 在绿色发光层34G中含有比率最多的材料、优选所有材料以及红色发 光层34R中含有比率最多的材料、优选所有材料中使用双极可运输性 材料或电子可运输性材料。
对蓝色发光层34B的材料的载流子迁移率没有特别限定，不过根 据实施方式1中记载的理由，优选蓝色发光层34B的材料中混合比率 最高的材料、优选所有材料为电子可运输性材料。本实施方式的有机 EL显示装置1除了上述的点以外例如具有与实施方式1的有机EL显 示装置1相同的结构。换个方式来看，本实施方式的有机EL显示装置 1除了子像素3R的各发光层34与实施方式5相反顺序地层叠以外， 例如具有与实施方式5的有机EL显示装置1相同的结构。
此外，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法除了依次执行 蓝色发光层形成工序、分隔层形成工序、绿色发光层形成工序、红色 发光层形成工序以外，例如与实施方式1的有机EL显示装置1的制造 方法相同。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
如图16所示，与其它实施方式同样，在本实施方式中，在子像素 3B，也是在蓝色发光层34B生成激子。通过在蓝色发光层34B与绿色 发光层34G之间设置有分隔层35，能量不从蓝色发光层34B向绿色发 光层34G移动。因此，在子像素3B，几乎100％发射蓝色光(发射蓝 色荧光)。此时，如果蓝色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反 向系间窜越，在蓝色发光层34B生成的75％的T1能级的激子提升至 S1能级，因此能够大幅提高子像素3B的发光效率。
在子像素3G，在绿色发光层34G生成激子，几乎100％发射绿色 光(发射绿色荧光)。
虽然在子像素3R，在绿色发光层34G生成激子，但是由于绿色发 光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR为福斯特半径以下，发生 从绿色荧光发光材料的S1能级至红色荧光发光材料的S1能级的福斯特 转移，由此，几乎100％发射红色光(发射红色荧光)。此时，如果绿 色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反向系间窜越，在绿色发 光层34G生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级，因此能够大幅 提高子像素3G和子像素3R的发光效率。
＜效果＞
如以上那样，在本实施方式中，也能够获得与实施方式1相同的 效果。此外，在本实施方式中，尽管与实施方式1～5相比变更各发光 层34的叠层顺序，但是在各子像素3也不产生混色和色偏差，能够高 效获得各种发光颜色。此外，根据本实施方式也可判断载流子迁移率 的选择的自由度比现有技术高。因此，上述有机EL显示装置1的发光 层单元33的发光层34的叠层顺序的自由度和材料选择的自由度比现 有技术高。
另外，虽然说明省略，但是在本实施方式中也如上所述那样能够 进行与实施方式1～5相同的变形，通过进行那样的变形，能够获得与 实施方式1～5相同的效果。
(实施方式7)
主要根据图18和图19对本发明的又一实施方式说明如下。
在本实施方式中，说明与实施方式1～6的不同点，对于具有与实 施方式1～6中说明的构成要素相同的功能的构成要素，标注相同的附 图标记，省略其说明。另外，在本实施方式中当然也能够进行与实施 方式1～6同样的变形。
＜有机EL显示装置1的概略结构及其制造方法＞
图18是结合发光原理示意地表示本变形例的有机EL显示装置1 的发光层单元33的概略结构的图。图19是表示本实施方式的有机EL 显示装置1的概略结构的一个例子的截面图。另外，图19表示图3所 示的有机EL显示装置1的L1-L2线截面的、一个像素区域的概略结构 的一个例子。
本实施方式的有机EL显示装置1如图18和图19所示那样，在子 像素3B，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33从第一 电极21侧起依次、彼此相邻地层叠有绿色发光层34G、分隔层35、蓝 色发光层34B。此外，在子像素3G，在第一电极21与第二电极之间，作为发光层单元33仅设置有绿色发光层34G。在子像素3R，在第一 电极21与第二电极之间，作为发光层单元33从第一电极21侧起依次、 彼此相邻地层叠有红色发光层34R、绿色发光层34G。即，在本实施 方式中，在实施方式1的有机EL显示装置1，子像素3R的各发光层 34与实施方式1顺序相反地层叠。换个方式来看，在本实施方式中， 在实施方式5的有机EL显示装置1中，子像素3B的各发光层34与 实施方式5相反顺序地层叠。
在本实施方式中，如图18所示那样，例如，在分隔层35中的材 料中含有比率最多的材料、优选所有材料中使用空穴可运输性材料， 在绿色发光层34G中含有比率最多的材料、优选所有材料中使用双极 可运输性材料或电子可运输性材料。
对蓝色发光层34B的材料的载流子迁移率和红色发光层34R的材 料的载流子迁移率没有特别限定，不过根据实施方式1中记载的理由， 优选蓝色发光层34B的材料中混合比率最高的材料、优选所有材料以 及红色发光层34R的材料中混合比率最高的材料、优选所有材料为电 子可运输性材料或双极可运输性材料，更优选为电子可运输性材料。 本实施方式的有机EL显示装置1除了上述的点以外例如具有与实施方 式1的有机EL显示装置1相同的结构。
此外，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法除了依次执行 红色发光层形成工序、绿色发光层形成工序、分隔层形成工序、蓝色 发光层形成工序以外，例如与实施方式1的有机EL显示装置1的制造 方法相同。
＜有机EL显示装置1的显示方法＞
在这种情况下，进行与实施方式5相同的发光。即，在子像素3B， 在蓝色发光层34B生成激子。由于在蓝色发光层34B与绿色发光层34G 之间设置有分隔层35，能量不会从蓝色发光层34B向绿色发光层34G 移动。因此，在子像素3B，几乎100％发射蓝色光(发射蓝色荧光)。 此时，如果在蓝色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反向系间 窜越，在蓝色发光层34B生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级， 因此能够大幅提高子像素3B的发光效率。
在子像素3G，在绿色发光层34G生成激子，几乎100％发射绿色 光(发射绿色荧光)。
在子像素3R，根据红色发光层34R与绿色发光层34G的载流子平 衡度，在红色发光层34R或绿色发光层34G生成激子。在如上述那样 在红色发光层34R的材料中混合比率最高的材料、优选所有材料采用 电子可运输性材料或双极可运输性材料的情况下，在红色发光层34R 生成激子，几乎100％发射红色光(发射红色荧光)。在图18中，列举 在红色发光层34R生成激子的情况进行表示。
在子像素3R在绿色发光层34G生成了激子的情况下，由于绿色 发光层34G与红色发光层34R之间的距离DGR为福斯特半径以下，发 生从绿色荧光发光材料的S1能级至红色荧光发光材料的S1能级的福斯 特转移，由此，几乎100％发射红色光(发射红色荧光)。此时，如果 绿色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反向系间窜越，在绿色 发光层34G生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级，因此能够大 幅提高子像素3G和子像素3R的发光效率。
此外，在如图18所示那样在红色发光层34R生成激子的情况下， 如果红色荧光发光材料中使用TADF材料，则由于反向系间窜越，在 红色发光层34R生成的75％的T1能级的激子提升至S1能级，因此能 够大幅提高子像素3R的发光效率。
＜效果＞
如以上那样，在本实施方式中，也能够获得与实施方式1相同的 效果。此外，尽管与实施方式1～6相比变更各发光层34的叠层顺序， 各子像素3也不产生混色和色偏差，能够高效获得各种发光颜色。此 外，根据本实施方式也可判断与现有技术相比载流子迁移率的选择的 自由度高。因此，上述有机EL显示装置1的发光层单元33的发光层 34的叠层顺序的自由度和材料选择的自由度比现有技术高。
另外，虽然省略说明，但是在本实施方式中，也如上述那样能够 进行与实施方式1～6相同的变形，通过进行那样的变形，能够获得与 实施方式1～6相同的效果。
(总结)
本发明的方式1的显示装置(例如有机EL显示装置1)在包含发 出相互不同的峰值波长的光(例如蓝色光、绿色光、红色光)的第一 子像素(例如蓝色的子像素3B)、第二子像素(例如绿色的子像素3G) 和第三子像素(例如红色的子像素3R)的显示区域1a，设置有第一电 极(第一电极21)、第二电极(第二电极23)和形成于上述第一电极 与上述第二电极之间的层叠体(例如有机EL层22)，上述层叠体包括 含有第一荧光发光材料(例如蓝色荧光发光材料)的第一发光层(例 如蓝色发光层34B)、含有第二荧光发光材料(例如绿色荧光发光材料) 的第二发光层(例如绿色发光层34G)、作为发光材料含有第三荧光发 光材料(例如红色荧光发光材料)或磷光发光材料(例如红色磷光发 光材料)的第三发光层(例如红色发光层34R)和不含发光材料的分 隔层35，上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第 一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三荧光发光材料或 磷光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光发光材料的 最低激发单重态的能级，上述第二发光层在上述第一子像素、上述第 二子像素和上述第三子像素中共用地设置，上述第一发光层仅设置在 上述第一子像素，上述第三发光层仅设置在上述第三子像素，在上述 第一子像素的上述第一发光层与上述第二发光层之间设置有上述分隔 层，上述第一子像素的上述第一发光层与上述第二发光层之间的距离 大于福斯特半径。
本发明的方式2的显示装置也可以是，在上述方式1中，上述第 一电极和上述第二电极中的一者包含反射电极，另一者是透光性电极， 在上述第一子像素中，从上述第一发光层发出的光直接或在上述第一 子像素的上述反射电极与上述透光性电极之间多重反射后，透射上述 透光性电极而出射至外部，在上述第二子像素中，从上述第二发光层 发出的光直接或在上述第二子像素的上述反射电极与上述透光性电极 之间多重反射后，透射上述透光性电极而出射至外部，在上述第三子 像素中，从上述第三发光层发出的光直接或在上述第三子像素的上述 反射电极与上述透光性电极之间多重反射后，透射上述透光性电极而 出射至外部。
本发明的方式3的显示装置也可以是，在上述方式1或2中，上 述第三子像素的上述第二发光层与上述第三发光层之间的距离为福斯 特半径以下。
本发明的方式4的显示装置也可以是，在上述方式3中，上述第 三子像素的上述第二发光层与上述第三发光层隔着不含发光材料的具 有福斯特半径以下的层厚的阻挡层层叠。
本发明的方式5的显示装置也可以是，在上述方式1～4的任一方 式中，上述第二荧光发光材料的发光光谱的一部分与上述第三荧光发 光材料或磷光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
本发明的方式6的显示装置也可以是，在上述方式1～5的任一方 式中，上述第一荧光发光材料的发光光谱与上述分隔层的材料的吸收 光谱不重叠。
本发明的方式7的显示装置也可以是，在上述方式1～6的任一方 式中，上述第二发光层的与上述第三发光层相反的一侧的表面和上述 第三发光层的上述第二发光层侧的表面之间的距离为10nm以下。
本发明的方式8的显示装置也可以是，在上述方式1～7的任一方 式中，上述第二荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的 能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
本发明的方式9的显示装置也可以是，在上述方式1～8的任一方 式中，上述第一荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的 能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
本发明的方式10的显示装置也可以是，在上述方式1～9的任一 方式中，上述第三荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态 的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
本发明的方式11的显示装置也可以是，在上述方式1～10的任一 方式中，在上述第一子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之间 从上述第一电极侧起依次层叠上述第二发光层、上述分隔层和上述第 一发光层，在上述第二子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之 间作为发光层仅设置上述第二发光层，在上述第三子像素中，在上述 第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠上述第二 发光层和上述第三发光层。
本发明的方式12的显示装置也可以是，在上述方式1～10的任一 方式中，在上述第一子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之间 从上述第一电极侧起依次层叠上述第一发光层、上述分隔层和上述第 二发光层，在上述第二子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之 间作为发光层仅设置上述第二发光层，在上述第三子像素中，在上述 第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠上述第三 发光层和上述第二发光层。
本发明的方式13的显示装置也可以是，在上述方式1～10的任一 方式中，在上述第一子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之间 从上述第一电极侧起依次层叠上述第一发光层、上述分隔层和上述第 二发光层，在上述第二子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之 间作为发光层仅设置上述第二发光层，在上述第三子像素中，在上述 第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠上述第二 发光层和上述第三发光层。
本发明的方式14的显示装置也可以是，在上述方式1～10的任一 方式中，在上述第一子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之间 从上述第一电极侧起依次层叠上述第二发光层、上述分隔层和上述第 一发光层，在上述第二子像素中，在上述第一电极与上述第二电极之 间作为发光层仅设置上述第二发光层，在上述第三子像素中，在上述 第一电极与上述第二电极之间从上述第一电极侧起依次层叠上述第三 发光层和上述第二发光层。
本发明的方式15的显示装置也可以是，在上述方式1～14的任一 方式中，上述第一发光层为蓝色的发光层，上述第二发光层为绿色的 发光层，上述第三发光层为红色的发光层。
本发明的方式16是显示装置(例如有机EL显示装置1)的制造 方法，该显示装置在包含发出相互不同的峰值波长的光(例如蓝色光、 绿色光、红色光)的第一子像素(例如蓝色的子像素3B)、第二子像 素(例如绿色的子像素3G)和第三子像素(例如红色的子像素3R)的显示区域1a中，设置有第一电极(第一电极21)、第二电极(第二 电极23)和形成于上述第一电极与上述第二电极之间的层叠体(例如 有机EL层22)，上述层叠体包括含有第一荧光发光材料(例如蓝色荧 光发光材料)的第一发光层(例如蓝色发光层34B)、含有第二荧光发光材料(例如绿色荧光发光材料)的第二发光层(例如绿色发光层34G)、 含有第三荧光发光材料(例如红色荧光发光材料)或磷光发光材料(例 如红色磷光发光材料)的第三发光层(例如红色发光层34R)和不含 发光材料的分隔层，上述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级 低于上述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，上述第三荧光 发光材料或磷光发光材料的最低激发单重态的能级低于上述第二荧光 发光材料的最低激发单重态的能级，该显示装置的制造方法包括形成 上述第一电极的工序、形成上述层叠体的工序和形成上述第二电极的 工序，形成上述层叠体的工序包括：将上述第二发光层以在上述第一子像素、上述第二子像素和上述第三子像素中共用的方式蒸镀的第二 发光层蒸镀工序；将上述第一发光层分涂蒸镀于上述第一子像素的第 一发光层蒸镀工序；和将上述第三发光层分涂蒸镀于上述第三子像素 的第三发光层蒸镀工序，并且，在上述第二发光层蒸镀工序与上述第 一发光层蒸镀工序之间包括以使上述分隔层位于上述第一子像素的上 述第一发光层与上述第二发光层之间的方式分涂蒸镀上述分隔层的分 隔层蒸镀工序，以使上述第一子像素的上述第一发光层与上述第二发 光层之间的距离大于福斯特半径的方式形成上述层叠体。
本发明并不限定于上述各实施方式，能够在权利要求所示的范围 内进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术方法适当地 进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。进一步， 通过将各实施方式中分别公开的技术方法进行组合，能够形成新的技 术特征。
附图标记的说明
1 有机EL显示装置(显示装置)
1a 显示区域
2 像素
3、3B、3G、3R 子像素
4、4B、4G、4R 发光区域
10 TFT基板(基板)
11 绝缘基板
12 TFT
13 层间绝缘膜
13a 接触孔
14 配线
15 分隔堤
15a 开口部
20、20B、20G、20R 有机EL元件
21 第一电极
21a 反射电极
21b 透光性电极
22 有机EL层
23 第二电极
24 保护层
31 空穴注入层
32 空穴输送层
33 发光层单元(层叠体)
34 发光层
34B 蓝色发光层(第一发光层)
34G 绿色发光层(第二发光层)
34R 红色发光层(第三发光层)
35 分隔层
36 电子输送层
37 电子注入层
38 阻挡层
40 密封基板
DBG、DGR 相对面间距离。

Claims (16)

1.一种显示装置，其特征在于：
在包含发出相互不同的峰值波长的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素的显示区域中，设置有第一电极、第二电极和形成于所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，
所述层叠体包括含有第一荧光发光材料的第一发光层、含有第二荧光发光材料的第二发光层、作为发光材料含有第三荧光发光材料或磷光发光材料的第三发光层和不含发光材料的分隔层，
所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三荧光发光材料或磷光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，
所述第二发光层在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中共用地设置，所述第一发光层仅设置在所述第一子像素，所述第三发光层仅设置在所述第三子像素，
所述分隔层设置在所述第一子像素的所述第一发光层与所述第二发光层之间，
所述第一子像素的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离大于福斯特半径，
所述第一发光层中含有比率最多的材料以及所述第三发光层中含有比率最多的材料是电子可运输性材料，
所述第二发光层中含有比率最多的材料是电子可运输性材料或双极可运输性材料。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述第三子像素的所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离为福斯特半径以下。
3.一种显示装置，其特征在于：
在包含发出相互不同的峰值波长的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素的显示区域中，设置有第一电极、第二电极和形成于所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，
所述层叠体包括含有第一荧光发光材料的第一发光层、含有第二荧光发光材料的第二发光层、作为发光材料含有第三荧光发光材料或磷光发光材料的第三发光层和不含发光材料的分隔层，
所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三荧光发光材料或磷光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，
所述第二发光层在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中共用地设置，所述第一发光层仅设置在所述第一子像素，所述第三发光层仅设置在所述第三子像素，
所述分隔层设置在所述第一子像素的所述第一发光层与所述第二发光层之间，
所述第一子像素的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离大于福斯特半径，
所述第三子像素的所述第二发光层与所述第三发光层之间的距离为福斯特半径以下，
所述第三子像素的所述第二发光层与所述第三发光层隔着不含发光材料的具有福斯特半径以下的层厚的阻挡层层叠。
4.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一电极和所述第二电极中的一者包含反射电极，另一者是透光性电极，
在所述第一子像素中，从所述第一发光层发出的光直接或在所述第一子像素的所述反射电极与所述透光性电极之间多重反射后，透射所述透光性电极而出射至外部，
在所述第二子像素中，从所述第二发光层发出的光直接或在所述第二子像素的所述反射电极与所述透光性电极之间多重反射后，透射所述透光性电极而出射至外部，
在所述第三子像素中，从所述第三发光层发出的光直接或在所述第三子像素的所述反射电极与所述透光性电极之间多重反射后，透射所述透光性电极而出射至外部。
5.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第二荧光发光材料的发光光谱的一部分与所述第三荧光发光材料或磷光发光材料的吸收光谱的一部分重叠。
6.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一荧光发光材料的发光光谱与所述分隔层的材料的吸收光谱不重叠。
7.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第二发光层的与所述第三发光层相反的一侧的表面和所述第三发光层的所述第二发光层侧的表面之间的距离为10nm以下。
8.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第二荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
9.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
10.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第三荧光发光材料是最低激发单重态与最低激发三重态的能量差为0.3eV以下的热活化延迟荧光材料。
11.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
在所述第一子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第二发光层、所述分隔层和所述第一发光层，在所述第二子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间作为发光层仅设置所述第二发光层，在所述第三子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第二发光层和所述第三发光层。
12.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
在所述第一子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第一发光层、所述分隔层和所述第二发光层，在所述第二子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间作为发光层仅设置所述第二发光层，在所述第三子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第三发光层和所述第二发光层。
13.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
在所述第一子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第一发光层、所述分隔层和所述第二发光层，在所述第二子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间作为发光层仅设置所述第二发光层，在所述第三子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第二发光层和所述第三发光层。
14.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
在所述第一子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第二发光层、所述分隔层和所述第一发光层，在所述第二子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间作为发光层仅设置所述第二发光层，在所述第三子像素中，在所述第一电极与所述第二电极之间从所述第一电极侧起依次层叠所述第三发光层和所述第二发光层。
15.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一发光层为蓝色的发光层，
所述第二发光层为绿色的发光层，
所述第三发光层为红色的发光层。
16.一种显示装置的制造方法，所述显示装置在包含发出相互不同的峰值波长的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素的显示区域中，设置有第一电极、第二电极和形成于所述第一电极与所述第二电极之间的层叠体，所述层叠体包括含有第一荧光发光材料的第一发光层、含有第二荧光发光材料的第二发光层、含有第三荧光发光材料或磷光发光材料的第三发光层和不含发光材料的分隔层，所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第一荧光发光材料的最低激发单重态的能级，所述第三荧光发光材料或磷光发光材料的最低激发单重态的能级低于所述第二荧光发光材料的最低激发单重态的能级，
所述显示装置的制造方法的特征在于，包括：
形成所述第一电极的工序；
形成所述层叠体的工序；和
形成所述第二电极的工序，
形成所述层叠体的工序包括：
将所述第二发光层以在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中共用的方式蒸镀的第二发光层蒸镀工序；
将所述第一发光层分涂蒸镀于所述第一子像素的第一发光层蒸镀工序；和
将所述第三发光层分涂蒸镀于所述第三子像素的第三发光层蒸镀工序，并且，
在所述第二发光层蒸镀工序与所述第一发光层蒸镀工序之间包括以使所述分隔层位于所述第一子像素的所述第一发光层与所述第二发光层之间的方式分涂蒸镀所述分隔层的分隔层蒸镀工序，
以使所述第一子像素的所述第一发光层与所述第二发光层之间的距离大于福斯特半径的方式形成所述层叠体，并且，
所述第一发光层中含有比率最多的材料以及所述第三发光层中含有比率最多的材料是电子可运输性材料，
所述第二发光层中含有比率最多的材料是电子可运输性材料或双极可运输性材料。
CN201780060089.2A 2016-09-30 2017-09-25 显示装置及其制造方法 Active CN109791998B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016193345 2016-09-30
JP2016-193345 2016-09-30
PCT/JP2017/034410 WO2018062058A1 (ja) 2016-09-30 2017-09-25 表示装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109791998A CN109791998A (zh) 2019-05-21
CN109791998B true CN109791998B (zh) 2021-02-05

Family

ID=61763465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780060089.2A Active CN109791998B (zh) 2016-09-30 2017-09-25 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10461132B2 (zh)
CN (1) CN109791998B (zh)
WO (1) WO2018062058A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109791994B (zh) * 2016-09-28 2021-10-01 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
CN106816542B (zh) * 2017-01-16 2018-10-16 中国科学院长春应用化学研究所 一种白色有机电致发光器件及其制备方法
JP2021177443A (ja) * 2018-05-28 2021-11-11 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び電子機器
KR20200001655A (ko) * 2018-06-27 2020-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200068806A (ko) * 2018-12-05 2020-06-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN111384142B (zh) * 2020-03-25 2023-01-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
CN113785409B (zh) * 2020-04-09 2024-04-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及显示装置
CN116918068A (zh) * 2021-03-19 2023-10-20 苏州晶湛半导体有限公司 半导体发光器件及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103270616A (zh) * 2010-12-23 2013-08-28 默克专利有限公司 有机电致发光器件
CN103715225A (zh) * 2012-10-01 2014-04-09 精工爱普生株式会社 有机el 装置、有机el 装置的制造方法以及电子设备
WO2014054452A1 (ja) * 2012-10-03 2014-04-10 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN103779387A (zh) * 2014-01-06 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及显示装置
KR20140082551A (ko) * 2012-12-24 2014-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4697142B2 (ja) * 2004-08-05 2011-06-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP4441883B2 (ja) 2005-12-06 2010-03-31 ソニー株式会社 表示装置
KR101499234B1 (ko) 2008-06-27 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크
JP2010040735A (ja) 2008-08-05 2010-02-18 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
JP5141618B2 (ja) * 2009-03-26 2013-02-13 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP5819069B2 (ja) 2011-01-20 2015-11-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置
KR102305143B1 (ko) * 2014-08-20 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6804988B2 (ja) * 2015-02-13 2020-12-23 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光装置および電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103270616A (zh) * 2010-12-23 2013-08-28 默克专利有限公司 有机电致发光器件
CN103715225A (zh) * 2012-10-01 2014-04-09 精工爱普生株式会社 有机el 装置、有机el 装置的制造方法以及电子设备
WO2014054452A1 (ja) * 2012-10-03 2014-04-10 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20140082551A (ko) * 2012-12-24 2014-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103779387A (zh) * 2014-01-06 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018062058A1 (ja) 2018-04-05
CN109791998A (zh) 2019-05-21
US20190305054A1 (en) 2019-10-03
US10461132B2 (en) 2019-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109076674B (zh) 显示装置及其制造方法
CN109076672B (zh) 显示装置及其制造方法
CN109791994B (zh) 显示装置及其制造方法
CN109845404B (zh) 显示装置及其制造方法
CN109791998B (zh) 显示装置及其制造方法
CN109565917B (zh) 显示装置的制造方法和显示装置
CN109565916B (zh) 显示装置的制造方法和显示装置
CN111653597A (zh) 有机发光显示装置
WO2019064333A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法並びにその発光方法
WO2018179116A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置
CN116390524A (zh) 发光装置和包含其的发光显示器
WO2020012610A1 (ja) 表示装置およびその製造方法並びにその発光方法
CN118102755A (zh) 包括有机金属化合物和多个基质材料的有机发光二极管
CN118102759A (zh) 包括有机金属化合物和多个基质材料的有机发光二极管
CN118102754A (zh) 包括有机金属化合物和多个基质材料的有机发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant