WO2019064333A1 - 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法並びにその発光方法 - Google Patents

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Abstract

有機ＥＬ表示装置（１）は、青色画素（３Ｂ）と、青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素を含み、青色画素（３Ｂ）は、上記複数の画素（３）に共通する共通層として青色燐光発光材料含有層（３４ＰＢ）および青色蛍光発光材料含有層（３４ＦＢ）を有し、第２画素は、上記共通層よりも陽極（２１）側に、上記共通層に隣接して第２画素毎に設けられた第２燐光発光材料含有層を有する。

Description

有機ＥＬ表示装置およびその製造方法並びにその発光方法
　本発明は、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法並びにその発光方法に関する。
　従来、有機ＥＬ表示装置では色が重視されている。このため、色域が広い蛍光発光材料を発光材料に用いた有機ＥＬ表示装置が広く使用されている。しかしながら、蛍光発光材料は、２５％の一重項励起子しか発光に利用できない。
　一方、燐光発光材料の内部量子効率は、理論上１００％である。このため、近年、例えば白色発光型のデバイスとして、燐光発光材料を発光材料に用いた表示装置の開発も行われている（例えば、特許文献１参照）。
日本国公開特許公報「特開２０１４－２４１４０５号公報（２０１４年１２月２５日公開）」
　しかしながら、青色燐光発光材料は、青色色度が浅く、青色の光を発光する表示装置の発光材料に使用するには、色純度に課題がある。現在、低消費電力と広い色域とを両立できる青色の発光材料は知られていない。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、青色の光を発光する画素において、発光効率と色度とのバランスが良く、従来よりも少ない消費電力で、青色の光を含む複数の色の光を発光することができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法並びにその発光方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、青色の光を出射する第１画素と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層が設けられた有機ＥＬ表示装置であって、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層を有し、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層が発光する。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、青色の光を発光する第１画素と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を発光する第２画素と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層が設けられ、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層を有し、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層が発光する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記第１電極を形成する第１電極形成工程と、上記有機層を形成する有機層形成工程と、上記第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、上記有機層形成工程は、上記第２画素に対応するマスク開口が設けられた蒸着マスクを用いて、上記第２画素に、上記第２燐光発光材料含有層を形成する第２燐光発光材料含有層形成工程と、上記複数の画素に共通するマスク開口を有する蒸着マスクを用いて、上記共通層を形成する共通層形成工程と、を含み、上記共通層形成工程は、上記第１燐光発光材料含有層を形成する第１燐光発光材料含有層形成工程と、上記第１蛍光発光材料含有層を形成する第１蛍光発光材料含有層形成工程と、を含み、上記第２燐光発光材料含有層形成工程と上記共通層形成工程とが、上記共通層が、上記第２燐光発光材料含有層よりも第２電極側に、上記第２燐光発光材料含有層に隣接して形成されるように連続して行われるとともに、上記第１燐光発光材料含有層形成工程と上記第１蛍光発光材料含有層形成工程とが、上記第１燐光発光材料含有層と上記第１蛍光発光材料含有層とが隣接して積層されるように連続して行われる。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置の発光方法は、青色の光を出射する第１画素と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層が設けられ、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層を有する有機ＥＬ表示装置の発光方法であって、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で三重項励起子を生成するとともに、上記第１蛍光発光材料含有層で一重項励起項励起子を生成し、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光と、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光と、を含む光を発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層で三重項励起子を生成し、上記第２燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光を発光するとともに、上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる材料に、上記第２燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有する材料を使用して、上記第２燐光発光材料含有層から上記共通層への正孔の移動をブロックする。
　本発明の一態様によれば、青色の光を発光する画素において、発光効率と色度とのバランスが良く、従来よりも少ない消費電力で、青色の光を含む複数の色の光を発光することができる有機ＥＬ表示装置およびその製造方法並びにその発光方法を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットの概略構成を、発光原理と合わせて模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の青色画素における発光機構を説明する図である。 （ａ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の緑色画素における発光層ユニットおよび該発光層ユニットに隣接する各層のエネルギーバンドを示す図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の赤色画素における発光層ユニットおよび該発光層ユニットに隣接する各層のエネルギーバンドを示す図である。 本発明の実施形態１にかかる青色有機ＥＬ素子における青色蛍光発光材料および青色燐光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットを構成する各発光材料含有層の積層方法を、積層順に示す平面図である。 本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置の青色画素における発光機構を説明する図である。 本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程における正孔ブロック層形成工程を示す平面図である。 本発明の実施形態４にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の概略構成を示す断面図である。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施の一形態について、図１ないし図６の（ａ）～（ｄ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の概略構成を示す断面図である。
　図５に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、異なる色の光（言い換えれば、フォトルミネセンス発光スペクトルのピーク波長が異なる光）を出射する複数の画素３を有している。画素３は、青色の光を出射する青色画素３Ｂ（第１画素）と、上記青色の光のピーク波長よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する画素（第２画素）と、を含んでいる。
　青色画素３Ｂには、発光層として、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ（第１燐光発光材料含有層）と、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ（第１蛍光発光材料含有層）と、が設けられている。青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、青色の燐光を発光する青色燐光発光材料（第１燐光発光材料）を含んでいる。青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、青色の蛍光を発光する青色蛍光発光材料（第１蛍光発光材料）を含んでいる。
　一方、第２画素には、発光層として、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層が設けられている。なお、これら発光層については、後で詳述する。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、上記第２画素として、緑色の光を出射する緑色画素３Ｇと、赤色の光を出射する赤色画素３Ｒと、を有している。これにより、有機ＥＬ表示装置１は、フルカラー画像を表示する。
　本実施形態では、青色画素３Ｂと、緑色画素３Ｇと、赤色画素３Ｒと、の３色の画素３で１つの絵素２が形成されている。後述する図６の（ａ）に示すように、表示領域１ａには、複数の絵素２がマトリクス状に設けられている。
　青色画素３Ｂには、発光色が青（Ｂ）色の有機ＥＬ素子２０である青色有機ＥＬ素子２０Ｂが配置されている。緑色画素３Ｇには、発光色が緑（Ｇ）色の有機ＥＬ素子２０である緑色有機ＥＬ素子２０Ｇが配置されている。赤色画素３Ｒには、発光色が赤（Ｒ）色の有機ＥＬ素子２０である赤色有機ＥＬ素子２０Ｒが配置されている。
　有機ＥＬ表示装置１は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１０上に、上述した複数の各色の有機ＥＬ素子２０が設けられた構成を有している。これら複数の有機ＥＬ素子２０は、封止膜４０で覆われている。なお、封止膜４０上には、例えば、図示しない接着剤層を介して、図示しないカバー体が設けられていてもよい。
　ＴＦＴ基板１０は、ＴＦＴ１２（駆動素子）および配線１３を含むＴＦＴ回路が形成された回路基板である。ＴＦＴ基板１０は、絶縁性を有する支持体１１と、支持体１１上に設けられた上記ＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路を覆う平坦化膜１４と、を備えている。
　支持体１１は、例えば、図示しない下面フィルムと樹脂層とバリア層とがこの順に設けられた可撓性を有する積層フィルムであってもよく、ガラス基板、プラスチック基板、あるいはプラスチックフィルムであってもよい。
　ＴＦＴ１２には、公知のＴＦＴを用いることができる。配線１３は、ＴＦＴ１２に接続された、複数のゲート配線および複数のソース配線を含んでいる。ゲート配線とソース配線とは、互いに直交するように配置されている。ゲート配線とソース配線とによって囲まれた領域が画素３である。
　平坦化膜１４は、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂等の感光性樹脂からなる有機絶縁膜である。平坦化膜１４は、ＴＦＴ回路上の凹凸を平坦化する。
　図５に示すように、有機ＥＬ素子２０は、それぞれ、陽極２１（第１電極）と陰極２３（第２電極）とで有機ＥＬ層２２が挟持された構成を有している。
　なお、以下では、第１電極を下層電極とし、第２電極を上層電極とし、第１電極が陽極２１であり、第２電極が陰極２３であり、陽極２１、有機ＥＬ層２２、陰極２３が、下層側からこの順に積層されている場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、第１電極が陰極２３であり、第２電極が陽極２１であり、陰極２３、有機ＥＬ層２２、陽極２１が、下層側からこの順に積層された構成を有していてもよい。この場合、有機ＥＬ層２２を構成する各機能層の積層順あるいはキャリア輸送性（正孔輸送性および電子輸送性）が反転する。また、第１電極および第２電極を構成する材料も反転する。
　本実施形態では、陽極２１は、画素３毎に島状にパターン形成された電極（パターン陽極）である。また、陰極２３は、全画素３に共通に設けられた、ベタ状の電極（共通陰極）である。
　陽極２１の端部は、エッジカバー２４で覆われている。陽極２１は、それぞれ、平坦化膜１４に設けられたコンタクトホール１４ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
　エッジカバー２４は絶縁層であり、例えば感光性樹脂で構成されている。エッジカバー２４は、陽極２１の端部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって陰極２３と短絡することを防止する。また、エッジカバー２４は、隣り合う画素３に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
　エッジカバー２４には、画素３毎に開口部２４ａが設けられている。この開口部２４ａによる陽極２１および有機ＥＬ層２２の露出部が、各画素３の発光領域であり、それ以外の領域は非発光領域である。
　エッジカバー２４には、感光性樹脂を使用することができる。陽極２１には、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電膜、あるいは、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）等の金属が使用される。陰極２３には、発光層に電子を注入する目的で、Ｌｉ（リチウム）、Ｃｅ（セリウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｌ（アルミニウム）等の仕事関数の小さい金属、またはこれらの金属を含有するマグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）等の合金が使用される。
　発光層で発生させた光は、陽極２１および陰極２３のうち何れか一方の電極側から取り出される。光を取り出す側の電極には、透明もしくは半透明の透光性電極を使用する。光を取り出さない側の電極には、反射電極を使用する。反射電極は、反射電極材料で形成されていてもよく、反射層を有する電極であってもよい。また、陽極２１および陰極２３は、それぞれ、単層で形成されていてもよく、複数の電極材料からなる積層構造を有していてもよい。
　したがって、有機ＥＬ素子２０がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、図５に示すように、陽極２１を、反射電極２１ａ（反射層）と、透光性電極２１ｂと、の積層構造としてもよい。
　反射電極材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）または炭素（Ｃ）等の黒色電極材料、Ａｌ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ａｌ－Ｌｉ合金、Ａｌ－ネオジウム（Ｎｄ）合金、またはＡｌ－シリコン（Ｓｉ）合金等の反射性金属電極材料等が挙げられる。また、透光性電極には、例えば、上述した透明導電膜を用いてもよいし、上述した金属の薄膜からなる半透過反射層を有する半透明電極を用いてもよい。
　反射電極２１ａは、各画素３におけるＴＦＴ１２のドレイン電極と接続されるように、画素３毎に同じ膜厚で独立して形成されている。一方、透光性電極２１ｂは、反射電極２１ａ（反射層）と、半透過反射層（陰極２３）との間の距離が、各色の波長領域の光のピーク波長の強度を増強させる距離となるように、各画素３から出射される各色の波長領域の光のピーク波長に応じた厚みに形成されている。言い換えれば、上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、各画素３から出射される色の光のピーク波長が共振する光路長となっている。これにより、各画素３から出射される光の色純度が高められ、発光の色度や発光効率が向上する。
　有機ＥＬ層２２は、少なくとも発光層を含む、有機層からなる機能層である。本実施形態では、陽極２１と陰極２３との間に設けられた層を総称して有機ＥＬ層２２と称する。
　有機ＥＬ層２２は、陽極２１側から、正孔注入層３１（ＨＩＬ）、正孔輸送層３２（ＨＴＬ）、複数の発光材料含有層３４からなる発光層ユニット３３、電子輸送層３５（ＥＴＬ）、電子注入層３６（ＥＩＬ）が、この順に積層された構成を有している。
　なお、図５では、下層電極が陽極２１であり、上層電極が陰極２３である場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、下層電極が陰極２３であり、上層電極が陽極２１であってもよい。この場合、有機ＥＬ層２２を構成する各機能層の積層順あるいはキャリア輸送性（正孔輸送性および電子輸送性）が反転する。同様に、陽極２１および陰極２３を構成する材料も反転する。
　正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子輸送層３５、電子注入層３６は、例えば、全画素３に共通する共通層として、エッジカバー２４の上面を覆うように、全画素３に跨がって、表示領域全体にベタ状に形成されている。但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。これら正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子輸送層３５、電子注入層３６は、画素３毎に、島状に設けられていてもよい。
　青色画素３Ｂの発光層ユニット３３は、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ（ＥＭＬ‐ＰＢ）と、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ（ＥＭＬ‐ＦＢ）と、からなる２層の発光材料含有層３４で形成されている。青色画素３Ｂでは、これら青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと、がそれぞれ発光する。すなわち、青色画素３Ｂでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと、が、それぞれ発光層として用いられる。
　青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ上に、該青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに隣接して積層されている。青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとは、全画素３に共通する共通層として、全画素３に跨がって、表示領域全体にベタ状に形成されている。
　一方、緑色画素３Ｇは、発光層として、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ（第２燐光発光材料含有層、ＥＭＬ‐ＰＧ）を有している。緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧは、青色の燐光のピーク波長および青色の蛍光のピーク波長よりも長波長のピーク波長を有する緑色の燐光を発光する緑色燐光発光材料（第２燐光発光材料）を含んでいる。緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧは、緑色画素３Ｇ毎に島状に設けられている。
　また、赤色画素３Ｒは、発光層として、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ（第２燐光発光材料含有層、ＥＭＬ‐ＰＲ）を有している。赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲは、青色の燐光のピーク波長、青色の蛍光のピーク波長、および緑色の燐光のピーク波長よりも長波長のピーク波長を有する赤色の燐光を発光する赤色燐光発光材料（第２燐光発光材料）を含んでいる。赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲは、赤色画素３Ｒ毎に島状に設けられている。
　これら緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧおよび赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲは、
それぞれ、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢよりも陽極２１側に、これら青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに隣接して設けられている。
　このため、緑色画素３Ｇの発光層ユニット３３は、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧと、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとが、陽極２１側から、この順に、互いに隣接して積層された構成を有している。
　また、赤色画素３Ｒの発光層ユニット３３は、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲと、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとが、陽極２１側から、この順に、互いに隣接して積層された構成を有している。
　発光層ユニット３３における各発光材料含有層３４は、後述する図６の（ａ）・（ｂ）に示すように、ホスト材料と、発光材料（発光ドーパント材料）との２成分系で形成されている。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、各発光材料含有層３４は、発光材料単独で形成されていてもよい。また、各発光材料含有層３４中の材料（成分）のうち含有比率の最も多い材料は、ホスト材料であってもよく、発光材料であってもよい。
　ホスト材料は、正孔および電子の注入が可能であり、正孔と電子とが輸送され、その分子内で再結合することで発光材料を発光させる機能を有している。発光材料含有層３４がホスト材料を含む場合、ホスト材料は、キャリア輸送機能と励起子生成機能とを有し、発光材料は、発光機能を有する。このように発光材料含有層３４におけるキャリア輸送機能と発光機能とを機能分離し、発光量子収率の高い発光材料を発光材料含有層３４に少量ドーピングすることによって、発光材料にエネルギー移動した励起子が速やかに発光し、効果的な有機ＥＬ発光が得られる。ホスト材料を使用する場合、発光材料は、ホスト材料に均一に分散される。
　ホスト材料を使用する場合、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢのホスト材料には、青色燐光発光材料よりも高い三重項励起準位（Ｔ１準位）を有し、青色燐光発光材料よりも深い最高被占準位（ＨＯＭＯ準位）を有するホスト材料を用いることが好ましい。同様に、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧのホスト材料には、緑色燐光発光材料よりも高いＴ１準位を有し、緑色燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有するホスト材料を用いることが好ましい。また、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲのホスト材料には、赤色燐光発光材料よりも高いＴ１準位を有し、赤色燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有するホスト材料を用いることが好ましい。これにより、各燐光発光材料含有層において、正孔を効率良く燐光発光材料に注入することができる。
　また、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのホスト材料には、青色蛍光発光材料よりも高い一重項励起準位（Ｓ１準位）を有し、青色蛍光発光材料よりも浅い最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）を有するホスト材料を用いることが好ましい。これにより、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにおいて、電子を効率良く青色蛍光発光材料に注入することができる。
　また、本実施形態では、青色画素３Ｂにおいて、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとでそれぞれ励起子が生成されるように、有機ＥＬ層２２における各層の正孔輸送性および電子輸送性が調節される。
　正孔輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－フェニル－Ｎ－（３”－メチルフェニル）アミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、３，３’－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、４，４’，４”－トリス－（Ｎ－カルバゾリル）－トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）等の正孔輸送性材料が挙げられる。
　電子輸送性のホスト材料としては、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、ビス［（２－ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）－１，１’－ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンジントリル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾリル）（ＴＰＢｉ）、ビス（２－メチル－８－キノリノレート）－４－（フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）等の電子輸送性材料が挙げられる。
　バイポーラ輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’－ビス（９－カルバゾイル）－ビフェニル（ＣＢＰ）等のバイポーラ輸送性材料が挙げられる。
　青色蛍光発光材料としては、例えば、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］サルホン（ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、ペリレン、４，５－ビス（カルバゾール－９－イル）－１，２－ジシアノベンゼン（２ＣｚＰＮ）、４，４’－ビス（９－エチル－３－カルバゾビニレン）－１，１’－ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）等、青色発光する蛍光発光材料を用いることができる。
　赤色燐光発光材料としては、例えば、トリス（１－フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２－ベンゾ［ｂ］チオフェン－２－イル－ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、プラチナム（II）－オクタエチル－ポルフィリン（ＰｔＯＥＰ）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリネート）ベリリウム（Ｂｅｂｑ２）等が挙げられる。
　緑色燐光発光材料としては、例えば、トリス（２－フェニルピリジル）イリジウム（III）（Ｉｒ（ＰＰｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（III）（Ｉｒ（ＰＰｙ）２（ａｃａｃ））等が挙げられる。
　青色燐光発光材料としては、例えば、オキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ－ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（２，２’，７，７’－テトラキス（２，２’－ジフェニルビニル）スピロ－９，９’－ビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ－ＤＰＶＢｉ）、テトラフェニルブタジエン（ＴＰＢ）、ペンタフェニルシクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［２－（４，６－ジフルオロフェニル）ピリジナート－Ｎ，Ｃ２’］イリジウムピコリネート（Ｆｌｒｐｉｃ）等が挙げられる。
　また、本実施形態において、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢよりも浅いＨＯＭＯ準位を有する材料を含んでいることが望ましく、上記青色燐光発光材料含有層３４ＰＢよりも浅いＬＵＭＯ準位を有する材料を含んでいることが望ましい。
　また、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる材料は、緑色燐光発光材料および赤色燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有していることが望ましい。
　また、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる青色燐光発光材料の三重項励起準位は、緑色燐光発光材料の三重項励起準位および赤色燐光発光材料の三重項励起準位よりも高いことが望ましい。
　なお、各燐光発光材料含有層中の各燐光発光材料の割合（ドープ濃度）は、燐光発光材料の種類等に応じて任意に設定することができ、特に限定されるものではないが、例えば、１～４０質量％の範囲内とすることができる。また、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの中の青色蛍光発光材料の割合（ドープ濃度）は、青色蛍光発光材料の種類等に応じて任意に設定することができ、特に限定されるものではないが、例えば、１～４０質量％の範囲内とすることができる。
　本実施形態において、発光層ユニット３３を構成する各発光材料含有層以外の機能層は、有機ＥＬ層２２として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。
　正孔注入層３１は、正孔注入性材料を含み、発光層として用いられる発光材料含有層への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層３２は、正孔輸送性材料を含み、発光層への正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層３１と正孔輸送層３２とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、正孔注入層兼正孔輸送層として一体化されていてもよい。また、正孔注入層３１と正孔輸送層３２とが両方設けられている必要はなく、一方のみ（例えば正孔輸送層３２のみ）が設けられていてもよい。
　正孔注入層３１、正孔輸送層３２、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料、すなわち、正孔注入性材料あるいは正孔輸送性材料には、既知の材料を用いることができる。これらの材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。より具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（α－ＮＰＤ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリル－アミノ）－フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、９，１０－ジフェニルアントラセン－２－スルフォネート（ＤＰＡＳ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（４－（ジ（３－トリル）アミノ）フェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、イリジウム（III）トリス［Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンズイミダゾル－２－イリデン－Ｃ２，Ｃ２’］（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）３）、４，４’，４”－トリス－（Ｎ－カルバゾリル）－トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、２，２－ビス（ｐ－トリメリットオキシフェニル）プロパン酸無水物（ＢＴＰＤ）、ビス［４－（ｐ，ｐ－ジトリルアミノ）フェニル］ジフェニルシラン（ＤＴＡＳｉ）等が用いられる。
　なお、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、正孔注入層兼正孔輸送層は、不純物がドープされていない真性正孔注入性材料あるいは真性正孔輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
　電子注入層３６は、電子注入性材料を含み、発光層への電子注入効率を高める機能を有する層である。また、電子輸送層３５は、電子輸送性材料を含み、発光層への電子輸送効率を高める機能を有する層である。なお、電子注入層３６と電子輸送層３５とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、電子注入層兼電子輸送層として一体化されていてもよい。また、電子注入層３６と電子輸送層３５とが両方設けられている必要もなく、一方のみ（例えば電子輸送層３５のみ）が設けられていてもよい。
　電子注入層３６、電子輸送層３５、あるいは電子注入層兼電子輸送層の材料、すなわち、電子注入性材料あるいは電子輸送性材料として用いられる材料としては、既知の材料を用いることができる。これらの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。より具体的には、例えば、ビス［（２－ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、３，３’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾル－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０－フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＬｉＦ等が挙げられる。
　有機ＥＬ素子２０における陰極２３上には、有機ＥＬ素子２０を封止する封止膜４０が設けられている。封止膜４０は、上側電極である陰極２３を保護し、酸素や水分が外部から各有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する。封止膜４０は、全ての有機ＥＬ素子２０を覆うように設けられている。
　封止膜４０は、無機層で形成されていてもよく、無機層（無機封止層）と有機層（有機封止層）とを含んでいてもよい。例えば、一例として、封止膜４０は、有機層と、該有機層を挟持する第１の無機層と第２の無機層と、を含んでいてもよい。無機層は、水分の浸入を防ぐ防湿機能を有し、水分や酸素による有機ＥＬ素子２０の劣化を防止するバリア層として機能する。有機層は、バッファ層（応力緩和層）として使用される。有機層は、膜応力が大きい無機層の応力緩和や、有機ＥＬ素子２０の表面の段差部や異物を埋めることによる平坦化やピンホールの穴埋めを行う。
　上記無機層としては、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、それらの積層膜が挙げられる。上記有機層としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。
　なお、前述したように、封止膜４０上には、図示しない接着剤層を介して図示しないカバー体が設けられていてもよい。カバー体は、保護機能、光学補償機能、タッチセンサ機能の少なくとも１つを有する機能層である。カバー体は、ガラス基板等のキャリア基板を剥離したときの支持体として機能する保護フィルムであってもよく、ハードコートフィルム等のハードコート層であってもよく、偏光フィルムおよびタッチセンサフィルム等の機能性フィルムであってもよい。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　次に、上記有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図５および図６の（ａ）～（ｄ）を参照して以下に説明する。
　図６の（ａ）～（ｄ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３を構成する各発光材料含有層３４（つまり、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ）の積層方法を、積層順に示す平面図である。なお、図６の（ａ）～（ｄ）では、図示の便宜上、画素３（つまり、青色画素３Ｂ、緑色画素３Ｇ、および赤色画素３Ｒ）の数を省略している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程は、上述したＴＦＴ基板１０を作製するＴＦＴ基板作製工程と、該ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子２０を形成する有機ＥＬ素子作製工程（有機層形成工程）と、該有機ＥＬ素子作製工程で作製した有機ＥＬ素子２０を封止膜４０で封止する封止工程と、を備えている。
　また、有機ＥＬ素子作製工程は、例えば、陽極形成工程、正孔注入層形成工程、正孔輸送層形成工程、赤色燐光発光材料含有層形成工程（第２燐光発光材料含有層形成工程）、緑色燐光発光材料含有層形成工程（第２燐光発光材料含有層形成工程）、青色燐光発光材料含有層形成工程（共通層形成工程、第１燐光発光材料含有層形成工程）、青色蛍光発光材料含有層形成工程（共通層形成工程、第１蛍光発光材料含有層形成工程）、電子輸送層形成工程、電子注入層形成工程、陰極形成工程を含んでいる。
　本実施形態では、有機ＥＬ素子作製工程を、例えば、この順に行う。本実施形態では、例えば、緑色燐光発光材料含有層形成工程と青色燐光発光材料含有層形成工程とが、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢが、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧよりも陰極２３側に、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧに隣接して形成されるように連続して行われる。また、本実施形態では、青色燐光発光材料含有層形成工程と青色蛍光発光材料含有層形成工程とが、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとが隣接して積層されるように連続して行われる。以下に、上記した各工程について説明する。
　まず、図２に示すように、ＴＦＴ１２および配線１３を含むＴＦＴ回路が形成された支持体１１上に、感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、支持体１１上に、平坦化膜１４を形成する。次に、平坦化膜１４に、陽極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。これによりＴＦＴ基板１０が作製される（ＴＦＴ基板作製工程）。
　次いで、このようにして形成されたＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０を形成する（有機ＥＬ素子作製工程）。
　有機ＥＬ素子作製工程では、まず、上記ＴＦＴ基板１０上に、陽極２１を形成する（陽極形成工程）。本実施形態にかかる陽極形成工程は、ＴＦＴ基板１０上に反射電極２１ａを形成する反射電極形成工程と、反射電極２１ａ上に透光性電極２１ｂを形成する透光性電極形成工程と、を備えている。
　反射電極形成工程では、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａを、公知の方法により、所定の厚みでパターン形成する。透光性電極形成工程では、反射電極２１ａ上に、画素３毎に、異なる厚みの透光性電極２１ｂをパターン形成する。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、マイクロキャビティ（微小共振器）方式の有機ＥＬ素子である。このような有機ＥＬ素子では、発光した光が陽極２１と陰極２３との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、特定波長の発光強度が増幅される。図５に示す例では、画素３毎に透光性電極２１ｂの厚みを設定することで、画素３毎に光路長を変更している。本実施形態では、このように、ＴＦＴ基板１０上に、画素３毎に異なる層厚を有する陽極２１を、マトリクス状に形成する。
　次に、陽極２１の端部を覆うようにエッジカバー２４をパターン形成する。以上の工程により、画素３毎にエッジカバー２４で分離された陽極２１が作製される。
　次いで、正孔注入層３１、および正孔輸送層３２を、例えば、オープンマスクを用いて、上記陽極２１が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域１ａ全面に、この順に蒸着する（正孔注入層形成工程、正孔輸送層形成工程）。但し、前述したように、これら正孔注入層３１および正孔輸送層３２は、必須の層ではなく、また、画素３毎に島状に形成されていてもよい。
　次に、図６の（ａ）に示すように、赤色画素３Ｒに、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲを形成する（赤色燐光発光材料含有層形成工程）。赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲは、赤色画素３Ｒに対応したマスク開口２０１Ｒが設けられた蒸着マスク２００Ｒを用いた塗り分け蒸着により、赤色画素３Ｒの正孔輸送層３２上に、ストライプ状の島状に形成される。
　その後、図６の（ｂ）に示すように、緑色画素３Ｇに、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧを形成する（緑色燐光発光材料含有層形成工程）。緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧは、緑色画素３Ｇに対応したマスク開口２０１Ｇが設けられた蒸着マスク２００Ｇを用いた塗り分け蒸着により、緑色画素３Ｇの正孔輸送層３２上に、ストライプ状の島状に線形蒸着される。
　なお、赤色燐光発光材料含有層形成工程と、緑色燐光発光材料含有層形成工程とは、逆順に行われても構わないが、この順に行うことが好ましい。これらの工程をこの順に行った場合、例えば図６の（ａ）に示す、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ（ＥＭＬ－ＰＧ）のホスト材料のように、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、万一、赤色燐光発光材料が画素３Ｇに侵入し、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧの下に赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲが形成されたとしても、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲまで電子が届かない。このため、画素３Ｇで赤色混色が発生することはない。したがって、この場合、混色防止の蒸着マージンを低減させることができる。
　次いで、上記赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ、これら赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲおよび緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧで覆われていない正孔輸送層３２を覆うように、図６の（ｃ）に示すようにＴＦＴ基板１０における表示領域１ａ全面に、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢを形成する（青色燐光発光材料含有層形成工程）。
　続いて、上記青色燐光発光材料含有層３４ＰＢを覆うように、図６の（ｄ）に示すようにＴＦＴ基板１０における表示領域１ａ全面に、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを形成する（青色蛍光発光材料含有層形成工程）。
　青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、前述したように、複数の画素３に跨がる共通発光層として形成される。このため、図６の（ｃ）に示すように、青色燐光発光材料含有層形成用の蒸着マスク２００Ｂ１には、複数の画素３に共通するマスク開口２０１Ｂ１を有するオープンマスクが使用される。同様に、図６の（ｄ）に示すように、青色蛍光発光材料含有層形成用の蒸着マスク２００Ｂ２には、複数の画素３に共通するマスク開口２０１Ｂ２を有するオープンマスクが使用される。
　なお、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとは、平面視で同じパターンを有している。このため、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、蒸着マスク２００Ｂ１と蒸着マスク２００Ｂ２とに同じ蒸着マスクを用いて連続して形成してもよく、それぞれに専用の蒸着マスクを用いて形成してもよい。
　なお、図６の（ａ）～（ｄ）では、蒸着マスク２００Ｒ・２００Ｇ・２００Ｂ１・２００Ｂ２が、マスク固定蒸着用の蒸着マスクである場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、これら蒸着マスク２００Ｒ・２００Ｇ・２００Ｂ１・２００Ｂ２は、形成される発光材料含有層３４の一部に対応したマスク開口を有する、スキャン蒸着用の蒸着マスクであってもよい。
　また、これら発光材料含有層３４がホスト材料を含む場合、これら発光材料含有層３４は、これら発光材料含有層３４を構成するホスト材料と発光材料（発光ドーパント材料）とを共蒸着することによって形成される。各材料の蒸着比率は、例えば蒸着速度によって調整することができる。
　その後、例えば、オープンマスクを用いて、図５に示すように、電子輸送層３５および電子注入層３６を、上記青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを覆うように、表示領域１ａ全面に、この順に形成する（電子輸送層形成工程、電子注入層形成工程）。但し、前述したように、これら電子輸送層３５および電子注入層３６は、必須の層ではなく、また、画素３毎に島状に形成されていてもよい。
　次に、陰極２３を、上記電子注入層３６を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域１ａ全面に形成する。陰極２３の形成には、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の蒸着法を用いてもよく、スパッタリング法、あるいは印刷法等を用いてもよい。
　次いで、上記有機ＥＬ素子２０を封止膜４０で封止する。無機層（無機封止層）は、例えば、ＣＶＤにより形成することができる。有機層（有機封止層）は、例えばインクジェット法等により、インク材を、図示しないバンク（凸部）で囲まれた領域内に塗布し、例えばＵＶ硬化させることで形成することができる。
　その後、必要に応じて、偏光フィルムおよびタッチセンサフィルム等の機能性フィルム、あるいは、偏光板およびタッチパネル等のカバー体が貼り合わされる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の発光方法＞
　有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて各画素３における有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光することにより、カラー表示を行う。以下では、図１ないし図３の（ａ）・（ｂ）および図５を参照して、有機ＥＬ表示装置１の発光方法（表示方法）について、説明する。
　図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３の概略構成を、発光原理と合わせて模式的に示す図である。図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の青色画素３Ｂにおける発光機構を説明する図である。図３の（ａ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の緑色画素３Ｇにおける発光層ユニット３３および該発光層ユニット３３に隣接する各層のエネルギーバンドを示す図であり、図３の（ｂ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の赤色画素３Ｒにおける発光層ユニット３３および該発光層ユニット３３に隣接する各層のエネルギーバンドを示す図である。なお、図１では、発光層ユニット３３以外の図示を省略している。
　図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１において、陽極２１から有機ＥＬ層２２に注入された正孔（ｈ＋）と、陰極２３から有機ＥＬ層２２に注入された電子（ｅ－）とは、青色画素３Ｂにおいて、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとで、それぞれ再結合して、それぞれ励起子が生成する。
　本実施形態では、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとは、陽極２１側から、この順に積層されている。このため、これら青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、正孔輸送性材料、または、正孔輸送性材料と電子輸送性材料とを含むバイポーラ輸送性材料を含むことが望ましく、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、電子輸送性材料を含むことが望ましい。より具体的には、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢにおけるホスト材料は、正孔輸送性材料またはバイポーラ輸送性材料であることが望ましく、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにおけるホスト材料は、電子輸送性材料であることが望ましい。この場合、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで、それぞれ正孔と電子とが結合し易く、それぞれの層で励起子が生成し易い。
　また、図３の（ａ）・（ｂ）に示すように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ（ＥＭＬ‐ＦＢ）および青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ（ＥＭＬ‐ＰＢ）のうち、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢが、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢよりも浅いＨＯＭＯ準位を有する材料を含んでいると、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに正孔が入り易い。
　また、図３の（ａ）・（ｂ）に示すように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢが、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢよりも浅いＬＵＭＯ準位を有する材料を含んでいると、陽極２１側に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに電子が入り易い。
　図３の（ａ）・（ｂ）に示す例では、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの青色燐光発光材料（Ｆｉｌｐｉｃ）よりもＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位が浅い青色蛍光発光材料（ＢＣｚＶＢｉ）を含んでいる。
　このため、青色画素３Ｂでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで、それぞれ励起子が生成し易い。
　本実施形態で用いた、図３の（ａ）に示す各層の材料のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値を表１に示す。また、本実施形態で用いた、図３の（ｂ）に示す各層の材料のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　図２に示すように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢでそれぞれ生成された励起子は、失活して基底状態（Ｓ０状態）に戻る際にそれぞれ光を放出する。
　このため、青色画素３Ｂでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢで生成された三重項励起状態（Ｔ１状態）の励起子（三重項励起子）がＳ０状態に戻る際に生じる青色の燐光と、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された一重項励起状態（Ｓ１状態）の励起子（一重項励起子）がＳ０状態に戻る際に生じる青色の蛍光と、を含む青色の光が出射される。
　一方、緑色画素３Ｇでは、図３の（ａ）に示すように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側（言い換えれば、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ側）に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる材料が、緑色燐光発光材料（図３の（ａ）に示す例ではＩｒ（ＰＰｙ）３）よりも深いＨＯＭＯ準位を有していることで、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧに対する正孔ブロック層として機能する。
　また、緑色画素３Ｇでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側（緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ側）に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる青色燐光発光材料の三重項励起準位が緑色燐光発光材料の三重項励起準位よりも高いことで、緑色燐光発光材料から青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにエネルギーが移動し難い。
　このため、図１に示すように、陽極２１から有機ＥＬ層２２に注入された正孔と、陰極２３から有機ＥＬ層２２に注入された電子とは、緑色画素３Ｇにおいて、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧでのみ再結合して励起子が生成する。この結果、緑色画素３Ｇでは、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧで生成されたＴ１状態の励起子（三重項励起子）がＳ０状態に戻る際に生じる緑色の燐光が出射される。
　同様に、赤色画素３Ｒでは、図３の（ｂ）に示すように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側（言い換えれば、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ側）に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる材料が、赤色燐光発光材料（図３の（ｂ）に示す例ではＩｒ（ｐｉｐ）３）よりも深いＨＯＭＯ準位を有していることで、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲに対する正孔ブロック層として機能する。
　また、赤色画素３Ｒでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陽極２１側（赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ側）に位置する青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる青色燐光発光材料の三重項励起準位が赤色燐光発光材料の三重項励起準位よりも高いことで、赤色燐光発光材料から青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにエネルギーが移動し難い。
　このため、図１に示すように、陽極２１から有機ＥＬ層２２に注入された正孔と、陰極２３から有機ＥＬ層２２に注入された電子とは、赤色画素３Ｒにおいて、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲでのみ再結合して励起子が生成する。この結果、赤色画素３Ｒでは、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲで生成されたＴ１状態の励起子（三重項励起子）がＳ０状態に戻る際に生じる赤色の燐光が出射される。
　このように、緑色画素３Ｇおよび赤色画素３Ｒでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで励起子が生成せず、青色燐光発光材料および青色蛍光発光材料は発光しない。この結果、緑色画素３Ｇでは、緑色燐光発光材料のみが発光し、赤色画素３Ｒでは、赤色燐光発光材料のみが発光する。
　＜効果＞
　図４は、本実施形態にかかる青色有機ＥＬ素子２０Ｂにおける青色蛍光発光材料および青色燐光発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルの一例を示すグラフである。
　図４中、ＰＢ、ＦＢ、ＰＢ／ＦＢ（１）、およびＰＢ／ＦＢ（２）は、何れも、トップエミッション型の青色有機ＥＬ素子２０Ｂを使用し、シミュレーションにより、共振を利用して取り出した青色光のＰＬ発光スペクトルの一例を示す。
　このとき、ＰＢには、発光材料に青色燐光発光材料のみを使用し、ＦＢには、発光材料に青色蛍光発光材料のみを使用した。すなわち、ＰＢでは、発光層として青色燐光発光材料含有層３４ＰＢのみを形成し、ＦＢでは、発光層として青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのみを形成した。また、ＰＢ／ＦＢ（１）およびＰＢ／ＦＢ（２）では、それぞれ、発光材料に、青色蛍光発光材料および青色蛍光発光材料を使用した。なお、図４では、上記青色燐光発光材料としてＦｌｒｐｉｃを使用するとともに、上記青色蛍光発光材料としてＢＣｚＶＢｉを使用した。
　また、ＰＢ、ＦＢ、ＰＢ／ＦＢ（１）、およびＰＢ／ＦＢ（２）における発光層の厚みは、何れも３０ｎｍとし、ＰＢ／ＦＢ（１）では、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの厚みを２０ｎｍとし、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの厚みを１０ｎｍとした。ＰＢ／ＦＢ（２）では、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの厚みを５ｎｍとし、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの厚みを２５ｎｍとした。
　また、反射層と半透過反射層との間の距離を、上記青色有機ＥＬ素子２０Ｂから出射される光のピーク波長が共振する光路長に調整するため、正孔注入層３１の厚みを、ＰＢでは１５０ｎｍとし、ＦＢでは９０ｎｍとし、ＰＢ／ＦＢ（１）およびＰＢ／ＦＢ（２）ではそれぞれ１２０ｎｍとした。上記以外の条件は、ＰＢ、ＦＢ、ＰＢ／ＦＢ（１）、およびＰＢ／ＦＢ（２）でそれぞれ同一とした。なお、陽極２１における透光性電極２１ｂには、ＩＴＯを使用した。ＩＴＯの厚みは１９ｎｍとした。
　また、発光層ユニット３３が、図１に示すように共通層として青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを含む場合と、比較のために、発光層ユニット３３が、共通層として青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのみを含む場合とで、色純度および消費電力についてシミュレーションした結果を、測定条件と併せて表３に示す。
　なお、上記シミュレーションでは、透光性電極２１ｂを含む、反射電極２１ａと青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの膜厚方向の中心部分との間の層の層厚をｄとし、上記反射電極２１ａと青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの膜厚方向の中心部分との間の層の屈折率をｎとし、上記青色燐光発光材料含有層３４ＰＢから出射される青色の波長領域の光の中心波長をλとした場合、ｎｄ＝３／４λとなるように条件設定した。このとき、透光性電極２１ｂには、厚み１９ｎｍのＩＴＯを使用した。また、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの厚みは、２０ｎｍとし、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの厚みは１０ｎｍとした。また、上記反射電極２１ａと青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの膜厚方向の中心部分との間の層の膜厚は、１３０ｎｍとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　前述したように、青色燐光発光材料の内部量子効率が理論上１００％であるのに対し、青色蛍光発光材料は、内部量子効率が２５％と低効率である。このため、図４に示すように、青色蛍光は、青色燐光と比較して、発光のピーク強度が極めて低い。一方で、図４に示すように、青色蛍光は、青色燐光と比較して短波長であり、青色色度が深い。波長が短いほど、ホワイトバランスをとるときに輝度が少なくて済む。
　そこで、本実施形態では、上述したように、青色画素３Ｂでは、青色色度は浅いが、高効率内部量子効率が理論上１００％と高効率の青色燐光発光材料と、青色燐光発光材料よりも内部量子効率が劣るが、青色色度が深い蛍光発光材料と、を積層してそれぞれ発光させる。
　本実施形態では、上述したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢでそれぞれ励起子を生成することで、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢから発光される燐光と、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢから発光される蛍光との混合光を、青色画素３Ｂから出射する。
　これにより、図４に示すＰＬ発光スペクトル、並びに、表３に示すＣＩＥ（Commission Internationale de l'Eclairage：国際照明委員会）色度図におけるｘｙ色度座標で示す各色色純度のうち青（Ｂ）の色純度で示すように、青色画素３Ｂが青色蛍光のみを出射する場合と比較すれば、青色色度が劣る（つまり、浅くなる）ものの、青色画素３Ｂが青色燐光のみを出射する場合と比較すれば青色色度が良く（つまり、深く）、表３に示すように、青色画素３Ｂが青色蛍光のみを出射する場合と比較して、消費電力を低減することができる有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
　このように、本実施形態によれば、青色画素３Ｂにおいて、発光効率と色度とのバランスが良く、従来よりも少ない消費電力で、青色の光を含む複数の光を出射することができる有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
　また、本実施形態によれば、上述したように発光効率と色度とのバランスを図ることで、消費電力重視、色域重視等、商品特性に応じたデバイス設計が可能になる。
　また、本実施形態によれば、上述したように、青色発光材料として青色蛍光発光材料のみを使用する場合と比較して高効率化を図ることができることから、ＲＧＢの高精細塗分けにおいて、上述したように青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを各画素３に対して共通して設けたとしても、このように共通化することによる消費電力の増加を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、上述したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを各画素３に対して共通して設けることが可能であり、表示装置の高精細化に対応し易い。
　また、特に、青色画素３Ｂは、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにおいて励起子がＳ１状態として生成される確率が２５％と、内部量子効率が悪いため、できるだけ開口を大きくしたい。しかしながら、開口を大きくすればするほど、蒸着マージンが小さくなり、塗り分け精度が問題となる。しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび上記青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを、複数の画素３に共通して設けることで、青色画素３Ｂの開口率を大きくすることができ、長寿命化を図ることができる。また、本実施形態によれば、上述したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび上記青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢを、複数の画素３に共通して設けることで、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの形成に、高精細な蒸着マスクを必要としない。また、ＲＧＢを非常に高精細な蒸着マスクを使用して塗り分けることは、技術的に難しい。本実施形態によれば、緑色画素３Ｇにおける緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧおよび赤色画素３Ｒにおける赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲのみ塗り分けを行えばよい。このため、塗り分け回数を、２回に抑えることができる。このため、有機ＥＬ表示装置１の製造が容易になる。
　＜変形例１＞
　本実施形態では、図１～図３の（ａ）・（ｂ）および図５に示すように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとが、陽極２１側からこの順に積層されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、陽極２１側から、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの順に設けられていてもよい。
　但し、前述したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれる材料は、緑色燐光発光材料および赤色燐光発光材料よりもＨＯＭＯ準位が深く、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧおよび赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲに対し、正孔ブロック層として機能する。
　また、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢにおけるホスト材料には、正孔輸送性材料またはバイポーラ輸送性材料が使用される。このため、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、正孔輸送性が高い。
　一方、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、電子移動度が正孔移動度よりも高く、電子輸送性を有する。このため、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢは、電子輸送層としても機能し、電子が流れ易い。
　また、表１および表２並びに図３の（ａ）・（ｂ）に示したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに含まれるホスト材料および発光材料（発光ドーパント材料）は、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに含まれるホスト材料および発光材料（発光ドーパント材料）ＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位とのギャップ（バンドギャップ）が大きい。このため、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢから青色燐光発光材料含有層３４ＰＢに効率良く電子を移動させることができるとともに、青色画素３Ｂにおいて、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢから青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに効率良く正孔を移動させることができる。
　このため、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとは、陽極２１側からこの順に積層されていることがより望ましい。
　＜変形例２＞
　また、本実施形態では、第２画素として、緑色画素３Ｇおよび赤色画素３Ｒが設けられている場合を例に挙げて説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。上記第２画素としては、例えば、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）等、青色の光のピーク波長よりも長波長のピーク波長を有する色であれば、特に限定されない。また、絵素２は、３色の画素３で構成されている必要は必ずしもなく、２色または４色の画素３で構成されていてもよい。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、主に図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにおける青色蛍光発光材料が、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ（Triplet-Triplet-Annihilation））現象により三重項励起子から一重項励起子を生成する青色遅延蛍光発光材料（青色ＴＴＡ材料）を含むとともに、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの厚みが、デクスター機構（電子交換相互作用）によるエネルギー移動（デクスター遷移）が起こる範囲内である点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じである。
　青色遅延蛍光発光材料は、三重項励起子の衝突融合によりＴＴＡ現象を生じさせることで、ホスト材料と協働して、もしくは単独で、Ｔ１準位からＳ１準位へ再励起して発光する。
　上記青色遅延蛍光発光材料としては、例えば、４，４’－ビス（２，２’－ジフェニルビニル）－ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリディン化合物、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体等が挙げられる。
　なお、このように青色蛍光発光材料が青色遅延蛍光発光材料を含む場合、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢにおける青色燐光発光材料のＴ１準位は、上記青色遅延蛍光発光材料のＴ１準位よりも高いことが望ましい。
　デクスター遷移は、隣接している分子同士の間でのみ生じる。このため、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの層厚が厚いと、発光効率が低下するおそれがある。したがって、このようにデクスター遷移を利用する場合、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの層厚は、５ｍｎ以下とすることが望ましい。また、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ内でＴＴＡを効率良く起こすためには、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの厚さを、２ｎｍ以下とすることが望ましく、１ｎｍ以下とすることがより望ましい。
　＜有機ＥＬ表示装置１の発光方法＞
　図７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の青色画素３Ｂにおける発光機構を説明する図である。
　図７に示すように、本実施形態でも、陽極２１から有機ＥＬ層２２に注入された正孔（ｈ＋）と、陰極２３から有機ＥＬ層２２に注入された電子（ｅ－）とは、青色画素３Ｂにおいて、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢとで、それぞれ再結合して、それぞれ励起子が生成する。
　なお、本実施形態でも、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにおいて励起子が一重項励起状態（Ｓ１状態）として生成される確率は２５％であり、三重項励起状態（Ｔ１状態）として生成される確率は７５％である。また、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢにおいて励起子が三重項励起状態（Ｔ１状態）として生成される確率は理論的には１００％である。
　青色燐光発光材料含有層３４ＰＢで生成された三重項励起子の一部は、基底状態（Ｓ０）に戻る際に、青色の波長領域（第２波長領域）の光を放出する。青色燐光発光材料含有層３４ＰＢで生成された三重項励起子の残りの一部は、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの最低三重項励起状態のエネルギー準位（Ｔ１準位）に、デクスター遷移（ＴＴＥＴ：Triplet-Triplet Energy Transfer）する。
　そして、このように青色燐光発光材料含有層３４ＰＢのＴ１準位から青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのＴ１準位にデクスター遷移された励起子は、ＴＴＡを経て、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢのＳ１準位および青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのＴ１準位よりも高いエネルギー準位を有する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのＳ１準位にアップコンバージョンされる。
　この結果、青色画素３Ｂから出射される光には、（ｉ）青色燐光発光材料含有層３４ＰＢで生成された三重項励起子が基底状態（Ｓ０）に戻る際に生じる青色の燐光、（ii）青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された一重項励起子が基底状態（Ｓ０）に戻る際に生じる青色の蛍光、（iii）青色燐光発光材料含有層３４ＰＢで生成された三重項励起子のエネルギーの一部が、デクスター機構により、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された三重項励起子に移動し、ＴＴＡにより、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された三重項励起子から一重項励起子にアップコンバージョンすることで生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる青色の蛍光、が含まれる。
　このように、青色画素３Ｂから出射される光が、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢからの三重項励起子のエネルギー移動（デクスター遷移）およびＴＴＡを経たアップコンバージョンにより青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢから発光される蛍光をさらに含むことで、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの内部量子効率を、理論上４０％にまで高めることができる。このため、本変形例によれば、青色画素３Ｂの発光効率をさらに向上させることができる。
　なお、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢがホスト材料を含む場合、該ホスト材料のＴ１準位は、青色蛍光発光材料のＴ１準位よりも小さくてもよい。これにより、三重項励起子がホスト材料に集中し、三重項励起子の密度が高まる。この結果、三重項励起子同士が効率的に衝突し、一重項励起子が効率的に生成される。
　また、青色蛍光発光材料のＳ１準位は、ホスト材料のＳ１準位よりも小さいことが好ましい。これにより、ＴＴＡによって生成されたホスト材料の一重項励起子が青色蛍光発光材料にエネルギー移動し、青色蛍光発光材料が蛍光発光する。
　〔実施形態３〕
　本発明のさらに他の実施形態について、主に図８および図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　本実施形態では、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図８は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の概略構成を示す断面図である。
　図８に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色画素３Ｂにおいて、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと上記陰極２３との間に、上記青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに隣接して正孔ブロック層３７を有している点を除けば、実施形態１、２にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じである。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の有機ＥＬ層２２は、陽極２１側から、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、複数の発光材料含有層３４からなる発光層ユニット３３、正孔ブロック層３７、電子輸送層３５、電子注入層３６が、この順に積層された構成を有している。
　本実施形態において、正孔ブロック層３７は、青色画素３Ｂのみに設けられている。実施形態１で説明したように、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢは、緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧに対する正孔ブロック層として機能する。このため、緑色画素３Ｇおよび赤色画素３Ｒに、正孔ブロック層を別途設ける必要はない。
　正孔ブロック層３７は、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢのうち、該正孔ブロック層３７に隣接する層（図８に示す例では青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ）に含まれる材料（ホスト材料および発光材料）よりも深いＨＯＭＯ準位を有する材料で形成されていればよく、その膜厚は、特に限定されない。
　正孔ブロック層３７の材料には、例えば、電子輸送性材料を用いることができる。該電気輸送性材料としては、例えば、前記例示の材料を用いることができる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程における正孔ブロック層形成工程を示す平面図である。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程は、有機ＥＬ素子作製工程が、青色画素３Ｂに、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢおよび青色燐光発光材料含有層３４ＰＢのうち陰極２３側に位置する層に隣接して正孔ブロック層３７を形成（積層）する正孔ブロック層形成工程を含む点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程と同じである。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１として図８に示す有機ＥＬ表示装置１を製造する場合、図９に示す正孔ブロック層形成工程は、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと正孔ブロック層３７とが隣接して積層されるように、図６の（ｄ）に示す青色蛍光発光材料含有層形成工程に連続して行われる。
　図９に示す正孔ブロック層形成工程では、青色画素３Ｂに対応したマスク開口２０１ＨＢが設けられた蒸着マスク２００ＨＢを用いた塗り分け蒸着により、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ上に、ストライプ状の島状の正孔ブロック層３７を形成する。
　なお、図６の（ａ）～（ｄ）と同じく、図９では、蒸着マスク２００ＨＢが、マスク固定蒸着用の蒸着マスクである場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、蒸着マスク２００ＨＢは、形成される正孔ブロック層３７の一部に対応したマスク開口を有する、スキャン蒸着用の蒸着マスクであってもよい。
　その後、実施形態１と同様にして、電子輸送層形成工程、電子注入層形成工程、陰極形成工程、封止工程を行うことで、図８に示す有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　本実施形態によれば、上述したように、青色画素３Ｂにおいて、陰極２３側に位置する青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと陰極２３との間に、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに隣接して正孔ブロック層３７を設けることで、青色画素３Ｂにおいて、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢからの正孔漏れを防止することができる。
　このため、本実施形態によれば、各画素３において、正孔漏れによる発光効率の低下を抑制することができる。
　〔実施形態４〕
　本発明のさらに他の実施形態について、主に図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　本実施形態では、実施形態１～３との相違点について説明するものとし、実施形態１～３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図１０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の概略構成を示す断面図である。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、発光層ユニット３３が、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと陰極２３との間に、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに隣接して、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２（第３燐光発光材料含有層）を備えている点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じ構成を有している。
　青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２は、全画素３に共通する共通層として、全画素３に跨がって、表示領域全体にベタ状に形成されている。すなわち、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢが、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ（第１燐光発光材料含有層）と、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２（第３燐光発光材料含有層）とで挟まれた構成を有している。
　青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２は、青色の燐光を発光する青色燐光発光材料（第３燐光発光材料）を含んでいる。該青色燐光発光材料には、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢにおける青色蛍光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有する青色燐光発光材料が使用される。これにより、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２は、青色画素３Ｂの発光層として機能するとともに、正孔ブロック層として機能する。
　上記青色燐光発光材料には、前記例示の青色燐光発光材料を使用することができる。なお、上記青色燐光発光材料は、青色ＴＴＡ材料を含むことがより望ましい。
　本実施形態でも、発光層ユニット３３における各発光材料含有層３４は、ホスト材料と、発光材料（発光ドーパント材料）との２成分系で形成されている。青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２中に含まれるホスト材料としては、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ中に含まれるホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。但し、本実施形態でも、各発光材料含有層３４は、発光材料単独で形成されていてもよい。また、各発光材料含有層３４中の材料（成分）のうち含有比率の最も多い材料は、ホスト材料であってもよく、発光材料であってもよい。
　青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２の厚みは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢの厚みと同様の厚みに設定することができる。但し、反射電極２１ａと陰極２３との間の距離が、各画素３から出射される色の光のピーク波長が共振する光路長となるように、反射電極２１ａと陰極２３との間の各層の厚みが決定される。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程は、有機ＥＬ素子作製工程が、青色蛍光発光材料含有層形成工程後に、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２を形成する青色燐光発光材料含有層形成工程（第３燐光発光材料含有層形成工程）を備えている点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程と同じである。
　上記第３燐光発光材料含有層形成工程としての青色燐光発光材料含有層形成工程は、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢと陰極２３との間に、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢに隣接して青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２が形成されるように、上記青色蛍光発光材料含有層形成工程に連続して行われる。
　青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２は、図６の（ｃ）に示す青色燐光発光材料含有層形成工程と同様にして行われる。すなわち、本実施形態では、図６の（ｃ）に示す青色燐光発光材料含有層形成工程後、図６の（ｄ）に示す青色蛍光発光材料含有層形成工程を挟んで、再度、図６の（ｃ）に示す青色燐光発光材料含有層形成工程と同様の青色燐光発光材料含有層形成工程を行う。
　その後、実施形態１と同様にして、電子輸送層形成工程、電子注入層形成工程、陰極形成工程、封止工程を行うことで、図１０に示す有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の発光方法＞
　本実施形態によれば、青色画素３Ｂでは、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２のそれぞれで励起子が発生する。青色画素３Ｂにおける青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２の発光原理は、青色画素３Ｂにおける青色燐光発光材料含有層３４ＰＢと同様である。また、青色画素３Ｂにおける青色燐光発光材料含有層３４ＰＢおよび青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの発光原理および緑色画素３Ｇおよび赤色画素３Ｒにおける発光原理は、実施形態１、２と同様である。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１において青色画素３Ｂから出射される光には、（ｉ）青色燐光発光材料含有層３４ＰＢで生成された三重項励起子が基底状態（Ｓ０）に戻る際に生じる青色の燐光、（ii）青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された一重項励起子が基底状態（Ｓ０）に戻る際に生じる青色の蛍光、（iii）青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２で生成された三重項励起子が基底状態（Ｓ０）に戻る際に生じる青色の燐光が少なくとも含まれる。また、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢおよび青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２のうち少なくとも一方が青色ＴＴＡ材料を含むとともに、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢの厚みが、デクスター遷移が起こる範囲内である場合、上記青色画素３Ｂから出射される光には、上記（ｉ）～（iii）の光に加え、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢまたは青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２で生成された三重項励起子のエネルギーの一部が、デクスター機構により、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された三重項励起子に移動し、ＴＴＡにより、青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢで生成された三重項励起子から一重項励起子にアップコンバージョンすることで生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる青色の蛍光、が含まれる。
　以上のように、本実施形態によれば、青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２は、青色画素３Ｂの発光層として機能するとともに、正孔ブロック層として機能する。このため、本実施形態によれば、上記青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２を設けることで、青色画素３Ｂに、正孔ブロック層を別途設けることなく、正孔漏れを防止することができる。また、上記青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２を設けることで、発光効率と色度とのバランスの調整がより容易になる。このため、商品特性に応じた表示装置の設計がより容易になる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる有機ＥＬ表示装置（１）は、青色の光を出射する第１画素（青色画素３Ｂ）と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素（緑色画素３Ｇ、赤色画素３Ｒ）と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極（陽極２１）と、第２電極（陰極２３）と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層（有機ＥＬ層２２）が設けられた有機ＥＬ表示装置であって、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層（青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ）と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層（青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ）と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層（緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ）を有し、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層が発光する。
　本発明の態様２にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様１において、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光と、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる蛍光と、を含む光が出射され、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光が出射されてもよい。
　本発明の態様３にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様２において、上記第１蛍光発光材料は、三重項－三重項消滅現象により三重項励起子から一重項励起子を生成する遅延蛍光発光材料を含み、上記第１燐光発光材料の三重項励起準位は、上記遅延蛍光発光材料の三重項励起準位よりも高く、上記第１蛍光発光材料含有層の厚みは、デクスター機構によるエネルギー移動が起こる範囲内であり、上記第１画素から出射される光は、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子のエネルギーの一部が、上記デクスター機構により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子に移動し、上記三重項－三重項消滅現象により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子から上記一重項励起子にアップコンバージョンすることで生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる蛍光をさらに含んでいてもよい。
　本発明の態様４にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様１～３の何れかにおいて、上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる材料は、上記第２燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有していてもよい。
　本発明の態様５にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様４において、上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる発光材料の三重項励起準位は、上記第２燐光発光材料の三重項励起準位よりも高くてもよい。
　本発明の態様６にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様４または５において、上記共通層のうち上記第２電極側の層は、上記第１電極側の層よりも浅いＨＯＭＯ準位を有する材料を含むとともに、上記第１電極側の層よりも浅いＬＵＭＯ準位を有する材料を含んでいてもよい。
　本発明の態様７にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様４～６の何れかにおいて、上記共通層のうち上記第１電極側の層は、正孔輸送性材料、または、正孔輸送性材料と電子輸送性材料とを含むバイポーラ輸送性材料を含み、上記共通層のうち上記第２電極側の層は、電子輸送性材料を含んでいてもよい。
　本発明の態様８にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様６または７において、上記第１画素における上記有機層は、上記共通層と上記第２電極との間に、上記共通層に隣接して正孔ブロック層（３７）を有していてもよい。
　本発明の態様９にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様１～８の何れかにおいて、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記第１電極側から、この順に積層されていてもよい。
　本発明の態様１０にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様９において、上記複数の画素における上記第１蛍光発光材料含有層と上記第２電極との間に、上記第１蛍光発光材料含有層に隣接して、青色の燐光を発光する第３燐光発光材料を含む第３燐光発光材料含有層（青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２）が、上記複数の画素に共通する共通層として設けられており、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層、上記第１蛍光発光材料含有層、および上記第３燐光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第１画素から出射される光は、上記第３燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光をさらに含むとともに、上記第３燐光発光材料含有層に含まれる材料は、上記第１蛍光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有していてもよい。
　本発明の態様１１にかかる有機ＥＬ表示装置は、上記態様１～１０の何れかにおいて、　上記第１電極および上記第２電極のうち一方の電極は反射層（反射電極２１ａ）を有し、他方の電極は半透過反射層を有し、上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、各画素から出射される色の光のピーク波長が共振する光路長となっていてもよい。
　本発明の態様１２にかかる有機ＥＬ表示装置（１）の製造方法は、青色の光を発光する第１画素（青色画素３Ｂ）と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を発光する第２画素（緑色画素３Ｇ、赤色画素３Ｒ）と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極（陽極２１）と、第２電極（陰極２３）と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層（有機ＥＬ層２２）が設けられ、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層（青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ）と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層（青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ）と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層（緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ）を有し、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層が発光する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記第１電極を形成する第１電極形成工程と、上記有機層を形成する有機層形成工程と、上記第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、上記有機層形成工程は、上記第２画素に対応するマスク開口（マスク開口２０１Ｇ、マスク開口２０１Ｒ）が設けられた蒸着マスク（蒸着マスク２００Ｇ、蒸着マスク２００Ｒ）を用いて、上記第２画素に、上記第２燐光発光材料含有層を形成する第２燐光発光材料含有層形成工程と、上記複数の画素に共通するマスク開口（マスク開口２０１Ｂ１、マスク開口２０１Ｂ２）を有する蒸着マスク（蒸着マスク２００Ｂ１、蒸着マスク２００Ｂ２）を用いて、上記共通層を形成する共通層形成工程と、を含み、上記共通層形成工程は、上記第１燐光発光材料含有層を形成する第１燐光発光材料含有層形成工程と、上記第１蛍光発光材料含有層を形成する第１蛍光発光材料含有層形成工程と、を含み、上記第２燐光発光材料含有層形成工程と上記共通層形成工程とが、上記共通層が、上記第２燐光発光材料含有層よりも第２電極側に、上記第２燐光発光材料含有層に隣接して形成されるように連続して行われるとともに、上記第１燐光発光材料含有層形成工程と上記第１蛍光発光材料含有層形成工程とが、上記第１燐光発光材料含有層と上記第１蛍光発光材料含有層とが隣接して積層されるように連続して行われる。
　本発明の態様１３にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記態様１２において、上記第１燐光発光材料含有層と上記第１蛍光発光材料含有層とが、上記第１電極側から、この順に積層されるように連続して行われてもよい。
　本発明の態様１４にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記態様１２または１３において、上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、上記有機層形成工程は、上記第１画素に、上記共通層に隣接して正孔ブロック層（３７）を形成する正孔ブロック層形成工程を含み、上記正孔ブロック層形成工程は、上記共通層形成工程と上記第２電極との間で行われるとともに、上記共通層形成工程と上記正孔ブロック層形成工程とが、上記共通層と上記正孔ブロック層とが隣接して積層されるように連続して行われてもよい。
　本発明の態様１５にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記態様１３において、上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、上記共通層形成工程は、青色の燐光を発光する第３燐光発光材料を含むとともに、上記第１蛍光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有する材料を含む第３燐光発光材料含有層（青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ２）を形成する第３燐光発光材料含有層形成工程をさらに含み、上記第１蛍光発光材料含有層形成工程と上記第３燐光発光材料含有層形成工程とが、上記第１蛍光発光材料含有層と上記第２電極との間に、上記第１蛍光発光材料含有層に隣接して上記第３燐光発光材料含有層が形成されるように連続して行われてもよい。
　本発明の態様１６にかかる有機ＥＬ表示装置（１）の発光方法は、青色の光を出射する第１画素（青色画素３Ｂ）と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素（緑色画素３Ｇ、赤色画素３Ｒ）と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極（陽極２１）と、第２電極（陰極２３）と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層（有機ＥＬ層２２）が設けられ、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層（青色燐光発光材料含有層３４ＰＢ）と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層（青色蛍光発光材料含有層３４ＦＢ）と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層（緑色燐光発光材料含有層３４ＰＧ、赤色燐光発光材料含有層３４ＰＲ）を有する有機ＥＬ表示装置の発光方法であって、上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で三重項励起子を生成するとともに、上記第１蛍光発光材料含有層で一重項励起項励起子を生成し、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光と、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光と、を含む光を発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層で三重項励起子を生成し、上記第２燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光を発光するとともに、上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる材料に、上記第２燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有する材料を使用して、上記第２燐光発光材料含有層から上記共通層への正孔の移動をブロックする。
　本発明の態様１７にかかる有機ＥＬ表示装置の発光方法は、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子のエネルギーの一部を、デクスター機構により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子に移動させ、三重項－三重項消滅現象により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子から上記一重項励起子にアップコンバージョンすることで生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる蛍光をさらに発光させてもよい。
　　１　　　　有機ＥＬ表示装置
　　３Ｂ　　　青色画素（第１画素）
　　３Ｇ　　　緑色画素（第２画素）
　　３Ｒ　　　赤色画素（第２画素）
　２０Ｂ　　　青色有機ＥＬ素子
　２０Ｇ　　　緑色有機ＥＬ素子
　２０Ｒ　　　赤色有機ＥＬ素子
　２１　　　　陽極（第１電極）
　２１ａ　　　反射電極（反射層）
　２１ｂ　　　透光性電極
　２２　　　　有機ＥＬ層（有機層）
　２３　　　　陰極（第２電極）
　２４　　　　エッジカバー
　３３　　　　発光層ユニット
　３４ＦＢ　　青色蛍光発光材料含有層（第１蛍光発光材料含有層）
　３４ＰＢ　　青色燐光発光材料含有層（第１燐光発光材料含有層）
　３４ＰＢ２　青色燐光発光材料含有層（第３燐光発光材料含有層）
　３４ＰＧ　緑色燐光発光材料含有層
　３４ＰＲ　赤色燐光発光材料含有層
　３７　　　正孔ブロック層
　２００Ｂ１、２００Ｂ２、２００Ｇ、２００ＨＢ、２００Ｒ、２００Ｒ・２００Ｇ・２００Ｂ１・２００Ｂ２　　蒸着マスク
　２０１Ｂ１、２０１Ｂ２、２０１Ｇ、２０１ＨＢ、２０１Ｒ　　マスク開口

Claims (17)

  1. 　青色の光を出射する第１画素と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層が設けられた有機ＥＬ表示装置であって、
    　上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層と、を有し、
    　上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、
    　上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層を有し、
    　上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層が発光することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 　上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光と、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる蛍光と、を含む光が出射され、
    　上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光が出射されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　上記第１蛍光発光材料は、三重項－三重項消滅現象により三重項励起子から一重項励起子を生成する遅延蛍光発光材料を含み、
    　上記第１燐光発光材料の三重項励起準位は、上記遅延蛍光発光材料の三重項励起準位よりも高く、
    　上記第１蛍光発光材料含有層の厚みは、デクスター機構によるエネルギー移動が起こる範囲内であり、
    　上記第１画素から出射される光は、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子のエネルギーの一部が、上記デクスター機構により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子に移動し、上記三重項－三重項消滅現象により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子から上記一重項励起子にアップコンバージョンすることで生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる蛍光をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる材料は、上記第２燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有していることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる発光材料の三重項励起準位は、上記第２燐光発光材料の三重項励起準位よりも高いことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　上記共通層のうち上記第２電極側の層は、上記第１電極側の層よりも浅いＨＯＭＯ準位を有する材料を含むとともに、上記第１電極側の層よりも浅いＬＵＭＯ準位を有する材料を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　上記共通層のうち上記第１電極側の層は、正孔輸送性材料、または、正孔輸送性材料と電子輸送性材料とを含むバイポーラ輸送性材料を含み、
    　上記共通層のうち上記第２電極側の層は、電子輸送性材料を含むことを特徴とする請求項４～６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  8. 　上記第１画素における上記有機層は、上記共通層と上記第２電極との間に、上記共通層に隣接して正孔ブロック層を有していることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 　上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記第１電極側から、この順に積層されていることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  10. 　上記複数の画素における上記第１蛍光発光材料含有層と上記第２電極との間に、上記第１蛍光発光材料含有層に隣接して、青色の燐光を発光する第３燐光発光材料を含む第３燐光発光材料含有層が、上記複数の画素に共通する共通層として設けられており、
    　上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層、上記第１蛍光発光材料含有層、および上記第３燐光発光材料含有層がそれぞれ発光し、
    　上記第１画素から出射される光は、上記第３燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光をさらに含むとともに、
    　上記第３燐光発光材料含有層に含まれる材料は、上記第１蛍光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有していることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
  11. 　上記第１電極および上記第２電極のうち一方の電極は反射層を有し、他方の電極は半透過反射層を有し、
    　上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、各画素から出射される色の光のピーク波長が共振する光路長となっていることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  12. 　青色の光を発光する第１画素と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を発光する第２画素と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層が設けられ、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層を有し、上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層がそれぞれ発光し、上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層が発光する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    　上記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
    　上記有機層を形成する有機層形成工程と、
    　上記第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、
    　上記有機層形成工程は、
    　上記第２画素に対応するマスク開口が設けられた蒸着マスクを用いて、上記第２画素に、上記第２燐光発光材料含有層を形成する第２燐光発光材料含有層形成工程と、
    　上記複数の画素に共通するマスク開口を有する蒸着マスクを用いて、上記共通層を形成する共通層形成工程と、を含み、
    　上記共通層形成工程は、
    　上記第１燐光発光材料含有層を形成する第１燐光発光材料含有層形成工程と、
    　上記第１蛍光発光材料含有層を形成する第１蛍光発光材料含有層形成工程と、を含み、
    　上記第２燐光発光材料含有層形成工程と上記共通層形成工程とが、上記共通層が、上記第２燐光発光材料含有層よりも第２電極側に、上記第２燐光発光材料含有層に隣接して形成されるように連続して行われるとともに、
    　上記第１燐光発光材料含有層形成工程と上記第１蛍光発光材料含有層形成工程とが、上記第１燐光発光材料含有層と上記第１蛍光発光材料含有層とが隣接して積層されるように連続して行われることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  13. 　上記第１燐光発光材料含有層と上記第１蛍光発光材料含有層とが、上記第１電極側から、この順に積層されるように連続して行われることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  14. 　上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、
    　上記有機層形成工程は、上記第１画素に、上記共通層に隣接して正孔ブロック層を形成する正孔ブロック層形成工程を含み、
    　上記正孔ブロック層形成工程は、上記共通層形成工程と上記第２電極との間で行われるとともに、
    　上記共通層形成工程と上記正孔ブロック層形成工程とが、上記共通層と上記正孔ブロック層とが隣接して積層されるように連続して行われることを特徴とする請求項１２または１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  15. 　上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、
    　上記共通層形成工程は、青色の燐光を発光する第３燐光発光材料を含むとともに、上記第１蛍光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有する材料を含む第３燐光発光材料含有層を形成する第３燐光発光材料含有層形成工程をさらに含み、
    　上記第１蛍光発光材料含有層形成工程と上記第３燐光発光材料含有層形成工程とが、上記第１蛍光発光材料含有層と上記第２電極との間に、上記第１蛍光発光材料含有層に隣接して上記第３燐光発光材料含有層が形成されるように連続して行われることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  16. 　青色の光を出射する第１画素と、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する光を出射する第２画素と、を含む複数の画素を含み、各画素に、第１電極と、第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に形成された、発光層を含む有機層が設けられ、上記第１画素は、上記発光層として、青色の燐光を発光する第１燐光発光材料を含む第１燐光発光材料含有層と、該第１燐光発光材料含有層に隣接して積層され、青色の蛍光を発光する第１蛍光発光材料を含む第１蛍光発光材料含有層と、を有し、上記第１燐光発光材料含有層および上記第１蛍光発光材料含有層は、上記複数の画素に共通して設けられた共通層であり、上記第２画素は、上記発光層として、上記共通層よりも第１電極側に、上記共通層に隣接して上記第２画素毎に設けられた、上記青色の光よりも長波長のピーク波長を有する燐光を発光する第２燐光発光材料を含む第２燐光発光材料含有層を有する有機ＥＬ表示装置の発光方法であって、
    　上記第１電極は陽極であり、上記第２電極は陰極であり、
    　上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で三重項励起子を生成するとともに、上記第１蛍光発光材料含有層で一重項励起項励起子を生成し、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光と、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる光と、を含む光を発光し、
    　上記第２画素では、上記第２燐光発光材料含有層で三重項励起子を生成し、上記第２燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子が基底状態に戻る際に生じる燐光を発光するとともに、上記共通層のうち上記第１電極側の層に含まれる材料に、上記第２燐光発光材料よりも深いＨＯＭＯ準位を有する材料を使用して、上記第２燐光発光材料含有層から上記共通層への正孔の移動をブロックすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の発光方法。
  17. 　上記第１画素では、上記第１燐光発光材料含有層で生成された三重項励起子のエネルギーの一部を、デクスター機構により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子に移動させ、三重項－三重項消滅現象により、上記第１蛍光発光材料含有層で生成された三重項励起子から上記一重項励起子にアップコンバージョンすることで生成された一重項励起子が基底状態に戻る際に生じる蛍光をさらに発光させることを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置の発光方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111029384A (zh) * 2019-12-18 2020-04-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
WO2021090931A1 (ja) * 2019-11-08 2021-05-14 出光興産株式会社 有機ｅｌ表示装置及び電子機器
WO2021161527A1 (ja) * 2020-02-14 2021-08-19 シャープ株式会社 表示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11903287B2 (en) * 2018-09-21 2024-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting element, light emitting device, and method for manufacturing light emitting element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011233855A (ja) * 2010-04-09 2011-11-17 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法並びにこの方法に用いる溶液
WO2014076917A1 (ja) * 2012-11-15 2014-05-22 ソニー株式会社 有機ｅｌ多色発光装置
JP2016006768A (ja) * 2014-05-30 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置及び電子機器
WO2016129536A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光装置および電子機器
JP2017010918A (ja) * 2014-08-08 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、および照明装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102230139B1 (ko) 2013-05-17 2021-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 조명 장치, 발광 장치, 및 전자 기기
KR102104978B1 (ko) * 2013-12-02 2020-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011233855A (ja) * 2010-04-09 2011-11-17 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法並びにこの方法に用いる溶液
WO2014076917A1 (ja) * 2012-11-15 2014-05-22 ソニー株式会社 有機ｅｌ多色発光装置
JP2016006768A (ja) * 2014-05-30 2016-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置及び電子機器
JP2017010918A (ja) * 2014-08-08 2017-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、および照明装置
WO2016129536A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光装置および電子機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021090931A1 (ja) * 2019-11-08 2021-05-14 出光興産株式会社 有機ｅｌ表示装置及び電子機器
CN111029384A (zh) * 2019-12-18 2020-04-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
WO2021161527A1 (ja) * 2020-02-14 2021-08-19 シャープ株式会社 表示装置

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