KR20140082551A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고해상도와 공정 능력의 향상을 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 구비하며, 상기 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 발광층과; 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과; 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며, 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 고해상도와 공정 능력의 향상을 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되고 있다.
이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 발광층을 사이에 두고 서로 마주보는 애노드 전극과 캐소드 전극으로 이루어진 서브 화소를 구비하며, 애노드 전극으로부터 주입된 정공과, 캐소드 전극으로부터 주입된 전자가 발광층 내에서 재결합하여 정공-전자쌍인 여기자를 형성하고, 다시 여기자가 바닥 상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
종래 유기 발광 표시 장치는 적색, 녹색 및 청색 서브 화소별 적색, 녹색 및 청색 발광층을 형성하기 위해 새도우 마스크를 이용한다. 즉, 새도우 마스크의 개구부를 통과한 적색 발광물질이 기판 상에 증착되어 적색 발광층이 형성되며, 새도우 마스크의 개구부를 통과한 녹색 발광 물질이 기판 상에 증착되어 녹색 발광층이 형성되며, 새도우 마스크의 개구부를 통과한 청색 발광 물질이 기판 상에 증착되어 청색 발광층이 형성된다. 이 경우, 서로 다른 색을 구현하는 발광층들은 소정 간격으로 이격되게 형성되므로 고해상도 구현이 불가능하다. 또한, 적색, 녹색 및 청색 발광층 중 적어도 어느 하나를 형성시 이용되는 새도우 마스크는 유기 발광 표시 장치가 고해상도로 갈수록 마스크의 개구부들 사이에 위치하는 차단부의 폭이 작아져 차단부들끼리 서로 붙는 문제점이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 고해상도와 공정 능력의 향상을 얻을 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 구비하며, 상기 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 발광층과; 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과; 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며, 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리는 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 길고, 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 한다.
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이와, 상기 제2 서브 화소의 제2 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되는 광학 조절층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께는 상기 제2 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
상기 제2 서브 화소에 위치하는 제2 발광층의 두께는 상기 제3 서브 화소에 위치하는 제3 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
상기 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이 및 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이 중 적어도 어느 하나에 형성되는 전하 제어층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 정공 수송을 차단하며, 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 전자 수송을 차단하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 내지 제3 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 제1 발광층이 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소에는 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층이 적층되어 형성되며, 상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 상기 제3 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되도록 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 위치하는 제1 발광층 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 제1 발광층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되며, 상기 제2 서브 화소에는 상기 제2 서브 화소의 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층과, 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되며, 상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 상기 제3 서브 화소의 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭은 상기 적색을 구현하는 상기 제2 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 크고 상기 청색을 구현하는 상기 제3 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 작으며, 상기 각 서브 화소에서 상기 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층은 상기 제1 전극에 가깝게 위치하며, 상기 발광 도펀트의 밴드갭은 큰 발광층은 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 가지는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 내지 제3 서브 화소의 제1 전극을 기판 상에 형성하는 단계와; 상기 제1 전극이 형성된 기판 상에 정공 수송층을 형성하는 단계와; 상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층이 형성된 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계와; 상기 전자 수송층이 형성된 기판 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며, 상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며, 상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는 상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 제1 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와; 상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와; 상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 상기 제3 서브 화소에 제2 새도우 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는 상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와; 상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와; 상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 상기 오픈 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 공통으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소 각각이 1개 또는 2개의 발광층을 공통으로 구비하므로 제1 내지 제3 발광층들 간의 이격마진을 종래보다 줄일 수 있어 고해상도 구현이 가능해진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 1개 또는 2개의 발광층을 오픈 마스크를 사용하여 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성하므로 새도우 마스크의 차단부들 간의 붙는 불량을 방지할 수 있어 새도우 마스크의 교체 주기를 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 제1 발광층을 녹색 발광층으로 형성한 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 제1 발광층을 청색 발광층으로 형성한 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1에 도시된 제1 발광층을 적색 발광층으로 형성한 유기 발광 표시 장치를 나타내는 도면들이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7f는 도 5에 도시된 유기 발광 표시 장치의 구체적인 실시 예를 나타내는 단면도들이다.
도 8은 광학 조절층을 구비하는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면들이다.
도 10a 내지 도 10g는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12a 내지 도 12g는 도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 구비한다.
제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각은 제1 및 제2 전극(102,104)과, 제1 전극(102) 상에 순차적으로 형성되는 정공 수송층(112,114), 발광층(110), 전자 수송층(116) 및 캐핑층(120)을 구비한다.
제1 및 제2 전극(102,104) 중 어느 하나는 반투과 전극으로 형성되고 제1 및 제2 전극(102,104) 중 나머지 하나는 반사 전극으로 형성된다. 제1 전극(102)이 반투과 전극이고, 제2 전극(104)이 반사 전극인 경우, 하부로 광을 출사하는 배면 발광 구조이다. 제2 전극(104)이 반투과 전극이고, 제1 전극(102)이 반사 전극인 경우, 상부로 광을 출사하는 전면 발광 구조이다. 본 발명에서는 제1 전극(102)이 애노드로서 반사 전극으로 형성되고, 제2 전극(104)이 캐소드로서 반투과 전극으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.
제1 전극(102)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어진 금속층과, ITO(Indium Tin Oxide; ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; IZO) 등으로 이루어진 투명층을 포함하는 복층 구조로 형성되어 반사 전극의 역할을 한다.
제2 전극(104)은 단층 또는 복층으로 이루어지며, 제2 전극(104)을 이루는 각 층은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성된다. 이 때, 각 층이 금속과 무기물의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성되며, 각 층이 금속과 금속의 혼합층일 때, 그 비율은 10:1~1:10으로 형성된다. 제2 전극(104)을 이루는 금속은 Ag, Mg, Yb, Li 또는 Ca로 형성되며, 무기물은 Li2O, CaO, LiF 또는 MgF2로 형성되며, 전자 이동을 도와 발광층(110)으로 전자들이 많이 공급할 수 있도록 한다.
제1 및 제2 정공 수송층(112,114)은 제1 전극(102)으로부터의 정공을 각 발광셀의 발광층(110)에 공급한다.
전자 수송층(116)은 제2 전극(104)으로부터의 전자를 각 발광셀의 발광층(110)에 공급한다.
캐핑층(120)은 외부로부터 유입되는 수분이나 산소의 침투를 차단함으로써 신뢰성을 향상시키는 역할을 한다. 이를 위해, 캐핑층(120)은 유기층과 무기층이 수회 교번적으로 형성된 구조이다. 무기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 1차적으로 차단하도록 알루미늄 옥사이드(AlxOx), 산화실리콘(SiOx), SiNx, SiON 및 LiF 중 적어도 어느 하나로 형성된다. 유기층은 외부의 수분이나 산소의 침투를 2차적으로 차단한다. 또한, 유기층은 유기 발광표시장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 이러한 유기층은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 또는 폴리에틸렌 등의 폴리머 재질로 형성된다.
제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각의 발광층(110)에서는 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)을 통해 공급된 정공과 전자 수송층(116)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다.
이 때, 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)의 전체 두께는 가장 얇고, 제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)의 전체 두께는 가장 두껍고, 제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)의 전체 두께는 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)의 전체 두께와 제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)의 전체 두께의 사이의 두께를 가지도록 형성된다. 이러한 각 서브 화소마다 발광층(110)의 두께를 조절하여 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 최적화할 수 있다.
구체적으로, 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 제1 색을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성된다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114)과 전자 수송층(116) 사이에 순차적으로 형성되는 제2 발광층(110b)과 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 제1 발광층(110a)은 제2 발광층(110b)과 전자 수송층(116) 사이에 형성되어 제2 서브 화소(SP2)에서 생성되는 광의 공진주기를 조절하며, 제2 발광층(110b)은 정공 수송층(114)과 제1 발광층(110a) 사이에 형성되어 제2 서브 화소에서 구현되는 색의 광을 생성한다. 제2 발광층(110b)은 제1 발광층(110a)보다 얇은 두께로 형성된다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114)과 전자 수송층(116) 사이에 순차적으로 형성되는 제1 발광층(110a)과 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 제1 발광층(110a)은 제3 발광층(110c)과 정공 수송층(114) 사이에 형성되어 제3 서브 화소(SP3)에서 생성되는 광의 공진주기를 조절하며, 제3 발광층(110c)은 전자 수송층(116)과 제1 발광층(110a) 사이에 형성되어 제3 서브 화소(SP3)에서 구현되는 색의 광을 생성한다. 제3 발광층(110c)은 제1 및 제2 발광층(110a,110b)보다 얇은 두께로 형성된다.
예를 들어, 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 각각의 발광층(110)은 도 2a 내지 도 4c 중 어느 한 구조로 형성된다.
도 2a에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비한다.
구체적으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)는 녹색을 구현한다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 녹색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색광의 혼색없이 적색광을 구현한다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며, 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 청색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다. 이외에도 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다.
도 2c에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)은 녹색을 구현한다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도를 청색광을 생성하는 제2 발광층(110b)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제2 발광층(110b)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다. 이외에도 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제2 발광층(110b)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제2 발광층(110b)이 선택적으로 발광하여 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다.
제3 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 적색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다. 이외에도 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 적색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다.
도 3a에 도시된 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)는 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비한다.
구체적으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)는 청색광을 구현한다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 적색광을 구현한다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며, 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 녹색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성되므로 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다. 이외에도 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 녹색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다.
도 3c에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소는 청색광을 구현한다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 녹색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 녹색광을 구현한다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 적색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다. 이외에도 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 적색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 적색광을 구현한다.
도 4a에 도시된 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)는 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비한다.
구체적으로, 도 4b에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)는 적색광을 구현한다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도를 청색광을 생성하는 제2 발광층(110b)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제2 발광층(110b)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제2 발광층(110b)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제2 발광층(110b)이 선택적으로 발광하여 제2 서브 화소(SP2)는 청색광을 구현한다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 녹색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 녹색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 녹색광을 구현한다.
도 4c에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 형성되어 제1 서브 화소(SP1)은 적색광을 구현한다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 녹색(G)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 제2 발광층(110b) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도를 녹색광을 생성하는 제2 발광층(110b)에 포함된 호스트의 정공 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제2 발광층(110b)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제2 서브 화소(SP2)는 녹색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 녹색을 구현하는 제2 발광층(110b)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제2 발광층(110b)이 선택적으로 발광하여 제2 서브 화소(SP2)는 녹색광을 구현한다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 정공 수송층(114) 상에 형성되며 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 제1 발광층(110a) 상에 형성되며 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)으로 이루어진다. 이 경우, 적색광을 생성하는 제1 발광층(110a)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도를 청색광을 생성하는 제3 발광층(110c)에 포함된 호스트의 전자 수송 속도보다 느리게 형성된다. 이에 따라, 제1 발광층(110a)에서 전자와 정공의 결합력보다 제3 발광층(110c)에서 전자와 정공이 결합력이 높아 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다. 이외에도 적색을 구현하는 제1 발광층(110a)을 형광 물질로 형성하고 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)을 인광 물질로 형성하게 되면, 형광과 인광 특성 차이로 인해 인광 물질로 형성된 제3 발광층(110c)이 선택적으로 발광하여 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다.
이와 같이, 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3) 각각은 제1 발광층(110a)을 공통으로 구비하므로 제1 내지 제3 발광층들(110a,110b,110c) 간의 이격마진을 종래보다 줄일 수 있어 고해상도 구현이 가능해진다. 또한, 제1 발광층(110a)은 서브 화소들 사이의 영역과 대응하는 영역에 차단부가 없는 오픈 마스크를 사용하여 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에 공통으로 형성하므로 새도우 마스크의 차단부들 간의 붙는 불량을 방지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 2b에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다.
도 5a를 참조하면, 기판(101) 상에 금속층과 투명층이 순차적으로 증착된 후 포토리소그래피 공정과 식각 공정에 의해 그 금속층과 투명층이 패터닝됨으로써 제1 전극(102)이 형성된다. 제1 전극(102)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로 이루어진 금속층과, ITO(Indium Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등으로 이루어진 투명층을 포함하는 복층 구조로 형성된다.
도 5b를 참조하면, 제1 전극(102)이 형성된 기판(101) 상에 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)이 순차적으로 형성된다.
도 5c를 참조하면, 정공 수송층(112,114)이 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제1 새도우 마스크(132)가 정렬된다. 제1 새도우 마스크(132)를 통과한 적색 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 형성된다.
도 5d를 참조하면, 제2 발광층(110b)이 형성된 기판(101) 상에 오픈 마스크(134)가 정렬된다. 이 오픈 마스크(134)를 통과한 녹색(G) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 형성된다.
도 5e를 참조하면, 제1 발광층(110a)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제2 새도우 마스크(136)가 정렬된다. 제2 새도우 마스크(136)를 통과한 청색(B) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 형성된다.
도 5f에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 발광층(110a,110b,110c)이 형성된 기판(101) 상에 전자 수송층(116)이 형성된다.
도 5g를 참조하면, 전자 수송층(116)이 형성된 기판(101) 상에 제2 전극(104)과 캐핑층(120)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 반투과 전극으로 형성된다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 전하 제어층(130)을 추가로 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
전하 제어층(130)은 제2 및 제3 서브 화소(SP2,SP3) 중 적어도 어느 하나에 형성된다. 즉, 전하 제어층(130)은 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에 형성 또는/및 제3 서브 화소(SP3)의 제1 및 제3 발광층(110a,110c) 사이에 형성된다. 예를 들어, 제2 서브 화소(SP2)의 색을 구현하는 제2 발광층(110b)은 제1 발광층(110a)과 정공 수송층(114) 사이에 형성되므로 제2 서브 화소(SP2)에 형성되는 전하 제어층(130)은 제1 발광층(110a)으로 정공이 수송되는 것을 차단한다. 이 경우, 전하 제어층(130)은 Balq, BCP, TPBI등의 정공 차단 재질로 형성된다.
그리고, 제3 서브 화소(SP3)의 색을 구현하는 제3 발광층(110c)은 제1 발광층(110a)과 전자 수송층(116) 사이에 형성되므로 제3 서브 화소(SP3)에 형성된 전하 제어층(130)은 제1 발광층(110a)으로 전자가 수송되는 것을 차단한다. 이 경우, 전하 제어층(130)은 rubrene, NPB, TBP, TAPC, TCTA 및 2-TMATA 중 적어도 어느 하나의 전자 차단 재질로 형성된다.
이러한 전하 제어층(130)에 의해 제2 서브 화소(SP2)의 제2 발광층(110b)에서 생성된 광은 혼색 없이 방출되고 제3 서브 화소(SP3)의 제3 발광층(110c)에서 생성된 광은 혼색 없이 방출되도록 한다.
구체적으로, 전하 제어층(130)은 도 7a 내지 도 7f에 도시된 구조 중 어느 하나에 적용된다.
도 7a에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제3 서브 화소(SP3)의 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 청색을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 청색광이 출사된다. 한편, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 전하 제어층(130)이 형성되지 않지만, 단파장인 녹색광을 생성하는 제1 발광층(110a)이 녹색광보다 장파장인 적색광을 생성하는 제2 발광층(110b) 상에 형성되므로 혼색을 방지할 수 있다. 즉, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 녹색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색광의 혼색없이 적색광이 출사된다.
도 7b에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 정공 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광층(110a)으로 정공이 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 제2 발광층(110b)의 청색광이 출사된다. 제3 서브 화소(SP3)의 제1 및 제3 발광층(110a,110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 적색광이 출사된다.
도 7c에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제3 서브 화소(SP3)의 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)과 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 청색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 녹색광이 출사된다. 한편, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 전하 제어층(130)이 형성되지 않지만, 단파장인 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)이 청색광보다 장파장인 적색광을 생성하는 제2 발광층(110b) 상에 형성되므로 혼색을 방지할 수 있다. 즉, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 적색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 적색광이 출사된다.
도 7d에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제3 서브 화소(SP3)의 청색을 구현하는 제1 발광층(110a)과 적색(R)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 정공 차단 기능 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 청색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 적색광이 출사된다. 한편, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 및 제2 발광층(110a,110b) 사이에는 전하 제어층(130)이 형성되지 않지만, 단파장인 청색광을 생성하는 제1 발광층(110a)이 청색광보다 장파장인 녹색광을 생성하는 제2 발광층(110b) 상에 형성되므로 혼색을 방지할 수 있다. 즉, 제1 발광층(110a)에서 생성된 단파장 청색광은 제2 발광층(110b)에서 생성된 장파장 녹색광에 의해 흡수되므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 청색광의 혼색없이 녹색광이 출사된다.
도 7e에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제2 서브 화소(SP2)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 청색(B)을 구현하는 제2 발광층(110b) 사이에는 정공 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 발광층(110a)으로 정공이 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 제2 발광층(110b)의 청색광이 출사된다. 제3 서브 화소(SP3)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 녹색(G)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 녹색광이 출사된다.
도 7f에 도시된 유기 발광 표시 장치에서 제2 서브 화소(SP2)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 녹색(G)을 구현하는 제2 발광층(110b) 사이에는 정공 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 정공이 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제2 서브 화소(SP2)에서는 제2 발광층(110b)의 녹색광이 출사된다. 제3 서브 화소(SP3)의 적색(R)을 구현하는 제1 발광층(110a)과 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c) 사이에는 전자 차단 기능을 가지는 전하 제어층(130)이 형성된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 적색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 청색광이 출사된다.
한편, 제1 및 제2 서브 화소(SP1,SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 발광층(110) 사이에는 도 8에 도시된 바와 같이 광학 조절층(150,152)이 형성될 수도 있다. 녹색을 구현하는 제1 서브 화소(SP1)의 제2 정공 수송층(114)과 제1 발광층(110a) 사이에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성되며, 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 제2 발광층(110b) 사이에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다. 녹색용 광학 조절층(152)은 적색용 광학 조절층(150)보다 두껍게 형성된다. 이러한 광학 조절층(150,152)에 의해 청색(B)을 구현하는 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 가깝고, 적색(R) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 멀고, 녹색(G) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 중간 거리를 가지도록 형성된다. 이에 따라, 각 서브 화소마다 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 더욱 최적화할 수 있다.
이러한, 광학 조절층(150,152)은 제1 및 제2 정공 수송층(112,114) 중 어느 하나와 동일한 정공 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 광학 조절층(150,152)은 정공 호스트에 p형 도펀트가 1~10%의 농도로 도핑되어 형성된 제1 정공 수송층(112)과 동일 재질로 형성된다. 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 NPB, PPD, TPAC, BFA-1T 또는 TBDB 등의 재질로 형성되며, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. p형 도펀트는 [F4-TCNQ], [1,4-TCAQ], [6,3-TCPQ], [TCAQ], [TCNTHPQ] 또는 [TCNPQ] 등의 재질로 형성된다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트의 도핑 농도는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 이 때, 전체 두께가 가장 두꺼운 적색(R)을 구현하는 서브 화소(SP2)의 적색용 광학 조절층(150)의 p형 도펀트의 도핑 농도는 녹색(G)을 구현하는 서브 화소(SP1)의 녹색용 광학 조절층(150)의 p형 도펀트의 도핑 농도보다 높게 형성하면, 적색(R) 서브 화소의 구동 전압을 낮출 수 있어 소비전력을 낮출 수 있다.
표 1은 본 발명의 제2 실시 예와 비교예에 따른 전광 특성을 설명하기 위한 표이다.
Cd/A CIEx CIEy
비교예(R) 45.9 0.662 0.336
실시예(R) 45.3 0.661 0.337
비교예(G) 111.4 0.290 0.685
실시예(G) 112.7 0.306 0.671
비교예(B) 5.8 0.139 0.055
실시예(B) 5.8 0.140 0.054
표 1에서 비교예(R)은 적색 발광층만으로 이루어진 적색 서브 화소이며, 비교예(G)은 녹색 발광층만으로 이루어진 녹색 서브 화소이며, 비교예(B)은 청색 발광층만으로 이루어진 청색 서브 화소이며, 실시예(R), 실시예(G) 및 실시예(B)는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2), 녹색을 구현하는 제1 서브화소(SP1) 및 청색을 구현하는 제3 서브 화소(SP3)이다.
표 1에 기재된 바와 같이 본 발명의 실시 예는 비교예와 대비하여 효율(cd/A), 색좌표(CIEx, CIEy) 등의 전광 특성이 서로 유사함을 알 수 있다. 또한, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같이 파장별 EL세기는 실시예와 비교예가 유사한 특성을 가짐을 알 수 있다.
도 10a 내지 도 10g는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다.
도 10a를 참조하면, 제1 전극(102)과, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)이 순차적으로 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제1 새도우 마스크(160)가 정렬된다. 제1 새도우 마스크(160)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다.
도 10b를 참조하면, 적색용 광학 조절층(150)이 형성된 기판(101) 상에 제1 서브 화소(SP1)와 대응되는 개구부를 가지는 제2 새도우 마스크(162)가 정렬된다. 이 제2 새도우 마스크(162)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 서브 화소(SP1)에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된다.
도 10c를 참조하면, 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제3 새도우 마스크(164)가 정렬된다. 제3 새도우 마스크(164)를 통과한 적색 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 형성된다.
도 10d를 참조하면, 제2 발광층(110b)이 형성된 기판(101) 상에 오픈 마스크(170)가 정렬된다. 이 오픈 마스크(170)를 통과한 녹색(G) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 형성된다.
도 10e를 참조하면, 제1 발광층(110a)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제4 새도우 마스크(166)가 정렬된다. 제4 새도우 마스크(166)를 통과한 전하 제어 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에는 전하 제어층(130)이 형성된다.
도 10f를 참조하면, 전하 제어층(130)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제5 새도우 마스크(168)가 정렬된다. 제5 새도우 마스크(168)를 통과한 청색(B) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에는 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 형성된다.
도 10g를 참조하면, 제3 발광층(110c)이 형성된 기판(101) 상에 전자 수송층(116)과, 제2 전극(104)과 캐핑층(120)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 반투과 전극으로 형성된다.
도 11은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치는 제1 내지 제3 발광층(110a,110b,110c) 중 2개의 발광층이 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 공통으로 구비되는 것을 제외하고는 제1 및 제2 실시 예와 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비한다.
구체적으로, 제1 서브 화소(SP1)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 순차적으로 적층되므로 제1 서브 화소(SP1)는 녹색광을 구현한다. 즉, 제1 서브 화소(SP1)의 최하부에 위치하는 제1 발광층(110a)에서 생성된 장파장 녹색광은 제3 발광층(110c)에서 생성된 단파장 청색광을 흡수하므로 제1 서브 화소(SP1)에서는 청색광의 혼색없이 녹색광이 출사된다.
제2 서브 화소(SP2)의 발광층(110)은 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)과, 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 순차적으로 적층되므로 제2 서브 화소(SP2)는 적색광을 구현한다. 즉, 제2 서브 화소(SP2)의 최하부에 위치하는 제2 발광층(110b)에서 생성된 적색광은 제1 및 제3 발광층(110a,110c)에서 생성된 녹색 및 청색광보다 장파장이므로 제1 및 제3 발광층(110a,110c)에서 생성된 단파장 녹색광 및 청색광을 흡수한다. 이에 따라, 제2 서브 화소(SP2)에서는 녹색광 및 청색광의 혼색없이 적색광이 출사된다.
제3 서브 화소(SP3)의 발광층(110)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 순차적으로 적층되고, 제1 및 제3 발광층(110a,110c) 사이에 전하 제어층(130)이 형성되므로 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 구현한다. 즉, 전하 제어층(130)은 제1 발광층(110a)으로 전자가 수송되는 것을 차단하도록 rubrene, NPB, TBP, TAPC, TCTA 및 2-TMATA 중 적어도 어느 하나의 전자 차단 재질로 형성된다.
이러한 전하 제어층(130)에 의해 제3 서브 화소(SP3)의 제1 발광층(110a)으로 전자가 공급되지 않아 제1 발광층(110a)에서는 녹색광을 생성하지 못하므로 제3 서브 화소(SP3)에서는 제3 발광층(110c)의 청색광이 출사된다. 이에 따라, 제3 서브 화소(SP3)에서는 녹색광의 혼색없이 청색광이 출사된다.
이와 같이, 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비하게 되면, 발광 도펀트의 밴드갭이 큰 발광층이 제2 전극(104)에 가깝게 위치하게 되고, 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층이 제1 전극(102)에 가깝게 위치하게 된다. 여기서, 제1 발광층(110a)의 녹색 도펀트는 제3 발광층(110c)의 청색 도펀트보다는 밴드갭이 작고, 제3 발광층(110c)의 적색 도펀트보다는 밴드갭이 크다. 예를 들어, 적색을 구현하는 제2 발광층(110b)의 적색 도펀트는 약 1.9eV~2.2eV미만이며, 녹색을 구현하는 제1 발광층(110a)의 녹색 도펀트는 약 2.2eV~2.6eV미만이며, 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)의 청색 도펀트는 약 2.6eV~3.0eV미만이다.
즉, 제1 및 제3 서브 화소(SP1,SP3)에서는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)보다 제1 전극(102)에 가깝게 위치하고, 청색을 구현하는 제3 발광층(110c)이 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)보다는 제2 전극(104)에 가깝게 위치한다.
제2 서브 화소(SP2)에서는 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 녹색(R) 및 청색(B)을 구현하는 제1 및 제3 발광층(110a,110c)보다 제1 전극(102)에 가깝게 위치하고, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)은 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a) 및 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)보다 제2 전극(104)에 가깝게 위치한다.
제1 및 제2 서브 화소(SP1,SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 발광층(110) 사이에는 광학 조절층(150,152)이 형성된다. 녹색을 구현하는 제1 서브 화소(SP1)의 제2 정공 수송층(114)과 제1 발광층(110a) 사이에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성되며, 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2)의 제2 정공 수송층(114)과 제2 발광층(110b) 사이에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다. 녹색용 광학 조절층(152)은 적색용 광학 조절층(150)보다 두껍게 형성된다. 이러한 광학 조절층(150,152)에 의해 청색(B)을 구현하는 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 가깝고, 적색(R) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 가장 멀고, 녹색(G) 서브 화소의 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리는 중간 거리를 가지도록 형성된다. 이에 따라, 각 서브 화소마다 출사광을 보강간섭함으로써 각 서브 화소에서의 수직 방향 효율을 더욱 최적화할 수 있다. 한편, 본 발명의 제3 실시 예에서는 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비하게 되므로, 도 8에 도시된 구조대비 제3 발광층(110c)으로 인해 제1 및 제2 전극(102,104) 사이의 거리를 유지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광학 조절층(150,152)은 도 8에 도시된 광학 조절층에 비해 약 200~400Å정도로 두께를 줄일 수 있어 재료비 감소 및 새도우 마스크의 교체 주기를 개선할 수 있다.
이러한, 광학 조절층(150,152)은 제1 및 제2 정공 수송층(112,114) 중 어느 하나와 동일한 정공 수송 물질로 형성된다. 예를 들어, 광학 조절층(150,152)은 정공 호스트에 p형 도펀트가 1~10%의 농도로 도핑되어 형성된 제1 정공 수송층(112)과 동일 재질로 형성된다. 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 NPB, PPD, TPAC, BFA-1T 또는 TBDB 등의 재질로 형성되며, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)과 광학 조절층(150,152) 각각에서 이용되는 호스트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. p형 도펀트는 [F4-TCNQ], [1,4-TCAQ], [6,3-TCPQ], [TCAQ], [TCNTHPQ] 또는 [TCNPQ] 등의 재질로 형성된다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 광학 조절층(150,152)과 제1 정공 수송층(112)에서 이용되는 p형 도펀트의 도핑 농도는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
표 2는 본 발명의 실시 예들과 비교예에 따른 전광 특성을 설명하기 위한 표이다.
조건 cd/A
비교예(R) 51.5
실시예2(R) 52.8
실시예3(R) 51.6
비교예(G) 114.0
실시예2(G) 113.3
실시예3(G) 115.0
비교예(B) 5.6
실시예2(B) 5.5
실시예3(B) 5.5
표 2에서 비교예(R)은 적색 발광층만으로 이루어진 적색 서브 화소이며, 비교예(G)은 녹색 발광층만으로 이루어진 녹색 서브 화소이며, 비교예(B)은 청색 발광층만으로 이루어진 청색 서브 화소이며, 실시예2(R), 실시예2(G) 및 실시예2(B)는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치의 적색을 구현하는 제2 서브 화소, 녹색을 구현하는 제1 서브화소 및 청색을 구현하는 제3 서브 화소이며, 실시예3(R), 실시예3(G) 및 실시예3(B)는 도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치의 적색을 구현하는 제2 서브 화소(SP2), 녹색을 구현하는 제1 서브화소(SP1) 및 청색을 구현하는 제3 서브 화소(SP3)이다. 표 2에 기재된 바와 같이 본 발명의 실시 예들과, 비교예는 효율(cd/A) 등의 전광 특성이 서로 유사함을 알 수 있다.
한편, 각 서브 화소마다 두 개의 발광층을 공통으로 구비하는 본 발명의 제3 실시 예는 한 개의 발광층을 공통으로 구비하는 본 발명의 다른 실시 예에 비해 구동 전압이 상승할 수 있다. 그러나, 적색 및 녹색을 구현하는 서브 화소에서는 전자 이동도가 높은 호스트를 이용하고, 청색을 구현하는 서브 화소에서는 정공 이동동가 높은 호스트를 이용한다면, 구동 전압 상승을 방지할 수 있다.
도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 11에 도시된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 예로 들어 설명하기로 한다.
도 12a를 참조하면, 제1 전극(102)과, 제1 및 제2 정공 수송층(112,114)이 순차적으로 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제1 새도우 마스크(160)가 정렬된다. 제1 새도우 마스크(160)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색용 광학 조절층(150)이 형성된다.
도 12b를 참조하면, 적색용 광학 조절층(150)이 형성된 기판(101) 상에 제1 서브 화소(SP1)와 대응되는 개구부를 가지는 제2 새도우 마스크(162)가 정렬된다. 이 제2 새도우 마스크(162)를 통과한 정공 수송 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 서브 화소(SP1)에는 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된다.
도 12c를 참조하면, 녹색용 광학 조절층(152)이 형성된 기판(101) 상에 제2 서브화소(SP2)와 대응하는 개구부를 가지는 제3 새도우 마스크(164)가 정렬된다. 제3 새도우 마스크(164)를 통과한 적색 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제2 서브 화소(SP2)에는 적색(R)을 구현하는 제2 발광층(110b)이 형성된다.
도 12d를 참조하면, 제2 발광층(110b)이 형성된 기판(101) 상에 제1 오픈 마스크(170)가 정렬된다. 이 제1 오픈 마스크(170)를 통과한 녹색(G) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에는 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)이 형성된다.
도 12e를 참조하면, 제1 발광층(110a)이 형성된 기판(101) 상에 제3 서브 화소(SP3)와 대응하는 개구부를 가지는 제4 새도우 마스크(166)가 정렬된다. 제4 새도우 마스크(1660를 통과한 전하 제어 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제3 서브 화소(SP3)에는 전하 제어층(130)이 형성된다.
도 12f를 참조하면, 전하 제어층(130)이 형성된 기판(101) 상에 제2 오픈 마스크(172)가 정렬된다. 제2 오픈 마스크(172)를 통과한 청색(B) 발광 물질이 기판(101) 상에 증착되므로 제1 내지 제3 서브 화소(SP1,SP2SP3)에는 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)이 형성된다.
도 12g를 참조하면, 제3 발광층(110c)이 형성된 기판(101) 상에 전자 수송층(116)과, 제2 전극(104)과 캐핑층(120)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 제2 전극(104)은 금속, 무기물, 금속 혼합층 또는 금속과 무기물의 혼합 형성되거나 또는 그들의 혼합으로 형성되어 반투과 전극으로 형성된다.
한편, 본 발명의 제3 실시 예와 같이 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 녹색(G)을 구현하는 제1 발광층(110a)과, 청색(B)을 구현하는 제3 발광층(110c)을 공통으로 구비하게 되면, 최대 1개의 전하 제어층(130)을 통해 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서는 적색, 녹색 및 청색광을 구현할 수 있다. 반면에, 각 서브 화소(SP1,SP2,SP3)에서 적색을 구현하는 발광층과, 녹색 또는 청색을 구현하는 발광층을 공통으로 구비하게 되면, 적어도 2개의 전하 제어층이 필요하므로 본 발명의 제3 실시 예에 비해 새도우 마스크 수가 증가해 공정이 복잡해진다.
한편, 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예와 같이, 각 서브 화소마다 제1 및 제2 전극 간의 거리는 상이할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
102 : 제1 전극 104 : 제2 전극
110 : 발광층 116 : 전자 수송층
130 : 전하 제어층

Claims (22)

  1. 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 구비하며,
    상기 제1 내지 제3 서브 화소 각각은
    기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과;
    상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 발광층과;
    상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과;
    상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며,
    상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며,
    상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며,
    상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리는 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 길고, 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이와, 상기 제2 서브 화소의 상기 제2 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되는 광학 조절층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께는 상기 제2 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소에 위치하는 제2 발광층의 두께는 상기 제3 서브 화소에 위치하는 제3 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이 및 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이 중 적어도 어느 하나에 형성되는 전하 제어층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 정공 수송을 차단하며,
    상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 전자 수송을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 제1 발광층이 공통으로 형성되며,
    상기 제2 서브 화소에는 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층이 적층되어 형성되며,
    상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 상기 제3 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되도록 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에는 상기 제1 서브 화소의 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층과, 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되며,
    상기 제2 서브 화소에는 상기 제2 서브 화소의 적색을 구현하는 상기 제2 발광층과, 상기 제1 발광층과, 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되며,
    상기 제3 서브 화소에는 상기 제1 발광층과, 상기 전하 제어층과, 상기 제3 서브 화소의 청색을 구현하는 상기 제3 발광층이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭은 상기 적색을 구현하는 상기 제2 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 크고 상기 청색을 구현하는 상기 제3 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 작으며,
    상기 각 서브 화소에서 상기 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층은 상기 제1 전극에 가깝게 위치하며, 상기 발광 도펀트의 밴드갭은 큰 발광층은 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 서로 다른 색을 구현하는 제1 내지 제3 서브 화소를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 서브 화소의 제1 전극을 기판 상에 형성하는 단계와;
    상기 제1 전극이 형성된 기판 상에 정공 수송층을 형성하는 단계와;
    상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 발광층이 형성된 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계와;
    상기 전자 수송층이 형성된 기판 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 서브 화소의 색을 구현하는 제1 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되며,
    상기 제2 서브 화소의 색을 구현하는 제2 발광층은 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 형성되며,
    상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 제3 발광층은 상기 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리는 제3 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 길고, 상기 제2 서브 화소에 위치하는 상기 제1 및 제2 전극 간의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소의 상기 제1 발광층과 상기 정공 수송층 사이와, 상기 제2 서브 화소의 제2 발광층과 상기 정공 수송층 사이에 광학 조절층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께는 상기 제2 서브 화소에 형성되는 상기 광학 조절층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소에 위치하는 제2 발광층의 두께는 상기 제3 서브 화소에 위치하는 제3 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이 및 상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이 중 적어도 어느 하나에 전하 제어층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소의 제1 및 제2 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 정공 수송을 차단하며,
    상기 제3 서브 화소의 제1 및 제3 발광층 사이에 형성되는 전하 제어층은 상기 제1 발광층으로 전달되는 전자 수송을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는
    상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 제1 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와;
    상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 상기 제3 서브 화소에 제2 새도우 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제3 서브 화소의 색을 구현하는 상기 제3 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 형성되도록 상기 제1 내지 제3 서브 화소에 위치하는 제1 발광층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 정공 수송층이 형성된 기판 상에 발광층을 형성하는 단계는
    상기 정공 수송층이 형성된 기판 상의 상기 제2 서브 화소에 새도우 마스크를 이용하여 상기 제2 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 제2 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 오픈 마스크를 이용하여 상기 제1 발광층을 공통으로 형성하는 단계와;
    상기 제1 발광층이 형성된 기판 상의 제1 내지 제3 서브 화소에 상기 오픈 마스크를 이용하여 상기 제3 발광층을 공통으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제 19 항 또는 제 21 항에 있어서,
    상기 녹색을 구현하는 상기 제1 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭은 상기 적색을 구현하는 상기 제2 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 크고 상기 청색을 구현하는 상기 제3 발광층에 포함된 발광 도펀트의 밴드갭보다 작으며,
    상기 각 서브 화소에서 상기 발광 도펀트의 밴드갭이 작은 발광층은 상기 제1 전극에 가깝게 위치하며, 상기 발광 도펀트의 밴드갭은 큰 발광층은 상기 제2 전극에 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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