TWI625069B - 有機發光裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種包含複數個像素的有機發光裝置，每一個像素包含具有彼此不同顏色的第一子像素、第二子像素、以及第三子像素。各像素包含基板、設置於基板上的第一電極層、設置於第一、第二及第三子像素中之第一電極層上的第一發光層、設置於第二及第三子像素中之第一發光層上的輔助層、設置於第二子像素中之輔助層上的第二發光層、設置於第三子像素中之輔助層上的第三發光層以及位於第一、第二及第三發光層上的第二電極層。

Description

有機發光裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年5月23日向韓國智慧財產局申請之申請案，申請案號為10-2011-0048501的優先權效益，其揭露的全部內容整合於此以供參照。
本揭露係有關於一種有機發光裝置及其製造方法，特別是有關於一種使用共用發光層的有機發光裝置及其製造方法。
作為一種使用在施加電壓下自發光之材料的裝置，有機發光裝置與液晶裝置相比較時，有著較高的亮度、較廣的視角以及較快的反應速度的特性，且由於有機發光裝置不需要背光，因此能被製造的更薄。
有機發光裝置具備設置於陰極及陽極間之有機發光層的結構。當電壓被施加時，來自陽極的電洞及來自陰極的電子被注入有機發光層中。被注入的電洞及電子導致有機發光層中相鄰的分子間的電子轉移，並且移動至相反的電極。當電子及電洞在某一個分子中重新結合時，則形成具備高能量激發態的分子激子。當分子激子回復到低能量的基態時，則發射存在於材料內部的光線。
有機發光裝置係由複數個像素所構成，每一個像素包含子像素紅(R)、綠(G)及藍(B)。每一個子像素利用陰影遮罩或精細金屬遮罩來進行圖樣化。圖樣化旳遮罩數量愈多，製程愈複雜，對準誤差(misalignment)的可能性愈大，且成本愈高。並且，在利用遮罩進行圖樣化的期間，也可能會出現由於陰影現象及遮罩彎曲現象所導致的限制。
本實施例提供一種有機發光裝置及其製造方法，其結構及製程可以利用減少遮罩的數量來簡化。
根據本實施例之一態樣，提供一種有機發光裝置，其包含複數個像素，該些像素包含具有彼此不同顏色的第一子像素、第二子像素、以及第三子像素，其中各像素包含：基板、設置於基板上的第一電極層、設置於第一、第二及第三子像素中之第一電極層上的第一發光層、設置於第二及第三子像素中之第一發光層上的輔助層、設置於第二子像素中之輔助層上的第二發光層、設置於第三子像素中之輔助層上的第三發光層、以及位於第一、第二及第三發光層上的第二電極層。
輔助層可為電洞注入材料及電洞傳送材料的共沉積層(co-deposited layer)。並且，輔助層可包含包括電洞注入材料的第一輔助層及位於第一輔助層上並包括電洞傳輸材料的第二輔助層。並且，輔助層可具有濃度梯度，其中，輔助層下部分中的電洞注入材料的濃度大於電洞傳輸材料的濃度，而輔助層上部分中的電洞傳輸材料的濃度大於電洞注入材料的濃度。
於此，電洞注入材料可包含酞菁素化合物(phthalocyanine compound)、m-MTDATA、TDATA、2T-NATA、NPB、PEDOT/PSS、PANI/DBSA、PANI/CSA或PANI/PSS，而電洞傳輸材料包含N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)、TPD、α-NPD或TCTA。
輔助層更可包含P型摻雜物。此P型摻雜物可包含四氰昆二甲烷(tetracyanoquinodimethane,TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-對苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinodimethane,F4TCNQ)或1,3,2-二氧雜硼烷(1,3,2-dioxaborine)。
第一電極層可以是陽極，而第二電極層可以是陰極。第一發光層可以是藍光發光層，第二發光層可以是紅光發光層，而第三發光層可以是綠光發光層。有機發光裝置更可包含位於第一電極層與第一發光層之間的電洞注入層及位於電洞注入層上的電洞傳輸層。有機發光裝置更可包含電子傳輸層及位於第二電極層與第一、第二及第三發光層之間的電子傳送層上的電子注入層。
根據本實施例之另一態樣，提供一種有機發光裝置，其包含複數個像素，該些像素包含彼此分別具有不同顏色的第一子像素、第二子像素、以及第三子像素，其中各像素包含：基板、設置於基板上的第一電極層、設置於第一、第二及第三子像素中之第一電極層上的第一發光層、設置於第二及第三子像素中之第一發光層上的輔助層、設置於第二子像素中之輔助層上的第二發光層、設置於第一發光層、輔助層、以及第二發光層上的第三發光層、以及位於第三發光層上的第二電極層。
第三發光層可具有電子傳輸特性。
第一發光層可以為藍光發光層，第二發光層可以為紅光發光層，而第三發光層可以為綠光發光層。並且，第一發光層可以為藍光發光層，第二發光層可以為綠光發光層，而第三發光層可以為紅光發光層。
輔助層可包含包括電洞注入材料的第一輔助層、以及位於第一輔助層上並包含電洞傳輸材料的第二輔助層。
輔助層更可包含P型摻雜物。
第一電極層可以為陽極，而第二電極層可以為陰極。有機發光裝置可更包含位於第一電極層與第一發光層之間的電洞注入層及位於電洞注入層上的電洞傳輸層。有機發光裝置更可包含電子傳輸層、以及位於第二電極層與第一、第二及第三發光層之間的電子傳輸層上的電子注入層。
100、200、300‧‧‧有機發光裝置
101‧‧‧基板
111‧‧‧陽極
121‧‧‧電洞注入層
122‧‧‧電洞傳輸層
124‧‧‧輔助層
125‧‧‧第一輔助層
126‧‧‧第二輔助層
127‧‧‧電子傳輸層
131‧‧‧藍光發光層
132、232、332‧‧‧紅光發光層
133、233、333‧‧‧綠光發光層
141‧‧‧陰極
R‧‧‧紅色子像素
G‧‧‧綠色子像素
B‧‧‧藍色子像素
本實施例之上述特徵及優點將藉由參閱附圖以詳細說明範例實施例而更為顯而易見，其中：第1圖係根據一實施例之有機發光裝置之截面圖；第2圖係根據另一實施例之有機發光裝置之截面圖；以及第3圖係根據另一實施例之有機發光裝置之截面圖。
本實施例現在將參照展示有範例實施例的附圖進行更完整的描述。然而，本實施例可以是多種不同的形式，不應解釋為受限於此 所述的實施例。相反地，此些實施例之提供將使這裡揭露的內容徹底且完全，並將完全的傳達實施例的概念給本領域之具有通常知識者。在圖式中，層及區域的厚度被誇大以詳細說明。相似的參考符號代表相似的元件。
第1圖係根據實施例之有機發光裝置100之截面圖。第1圖的有機發光裝置100包含紅色、綠色及藍色子像素R、G及B。
參閱第1圖，有機發光裝置100包含位於基板101上的陽極111、位於陽極111上的電洞注入層121、位於電洞注入層121上的電洞傳輸層122、設置於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B中之電洞傳輸層122上的藍光發光層131、位於紅色及綠色子像素R及G中之藍光發光層131上的輔助層124、位於輔助層124上的紅光發光層132及綠光發光層133、位於紅光發光層132、綠光發光層133及藍光發光層131上的電子傳輸層127、以及位於電子傳輸層127上的陰極141。選擇性地，電子注入層(未繪於圖中)可更被包含在電子傳輸層127及陰極141間。
藍光發光層131是形成以共用於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面上。也就是說，藍光發光層131形成所謂的藍光共用層(blue common layer,BCL)。紅光發光層132及綠光發光層133是限制性地個別形成於綠色及紅色子像素G及R中。
輔助層124可參與幫助穿透藍光發光層131的電洞有效地轉移至紅光發光層132及綠光發光層133。輔助層124可由第一輔助層125及第二輔助層126所構成。第一輔助層125可作為電洞注入層，而第二輔助層126可作為電洞傳輸層。輔助層124也可用來為各個色彩子像素調整 光學共振距離(optical resonance distance)。電洞注入層或電洞傳輸層的厚度被調整使得輔助層124可不形成於藍色子像素區域B中。此時，輔助層124可以相同的厚度使用在紅色子像素R及綠色子像素G中，使遮罩的數量降低。關於發射綠光，輔助層124的厚度可調整至綠光發射的光學共振距離。
輔助層124可以利用電洞注入材料及電洞傳送材料共同沉積而形成，或可形成以具有介於電洞注入材料及電洞傳送材料之間的濃度梯度。當此濃度梯度形成時，輔助層124中接近陽極111的方向之電洞注入材料的濃度是大於電洞傳輸材料的濃度，而在遠離陽極111的方向則相反。
以下，將敘述構成各層之材料。
用在傳統有機發光裝置的基板可作為基板101，以及可使用具有好的機械強度、耐熱性、透明度、表面光滑度、處理容易性、以及防水性之玻璃基板或透明塑膠基板。基板101可包含不透明的材料，如矽及不鏽鋼。切換裝置或驅動裝置可形成在基板101中。
陽極111可包含具有大功函數的材料。陽極111，例如，可包含透明導電氧化物，如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、摻鋁氧化鋅(Al-doped zinc oxide,AZO)或氧化銦(indium oxide,In2O3)。
電洞注入層121的例子可包含酞菁素化合物(phthalocyanine compound)如銅鈦菁(copper phthalocyanine)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺 (4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N’-二苯基胺基)三苯胺(4,4’,4”-tris(N,N’-diphenylamino)triphenylamine,TDATA)、4,4’,4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基胺基}-三苯胺(4,4’,4”-tris{N-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine,2T-NATA)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(N,N’-di(naphthalen-1-yl)-N,N’-diphenylbenzidine,NPB)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate),PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二[烷]基苯磺酸(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid,PANI/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(Polyaniline/Camphorsulfonic acid,PANI/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate),PANI/PSS)，但電洞注入層121不限於此。電洞注入層121的厚度可在約100Å至約10000Å的範圍內，例如，約100Å至約1000Å。當電洞注入層121的厚度滿足上述的範圍時，可在不須大幅降低驅動電壓下獲得令人滿意的電洞注入特性。
例如，電洞傳輸層122可使用習知的電洞傳送輸材料，包含咔唑衍生物(carbazole derivative)如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)或聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)，具有芳香族縮合環(aromatic condensed ring)的胺衍生物(amine derivative)如N,N’-雙(3-甲基苯 基)-N,N’-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4’-二胺(N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine,TPD)或4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl,α-NPD)、以及三苯胺基(triphenylamine-based)材料如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)等等。TCTA在前述的材料中，例如，除了電洞傳輸的角色外，也可參與防止來自光發射層的激子的漫射。
電洞傳輸層與電洞注入層可由同時具有電洞傳輸功能及電洞注入功能的功能層替換。
電洞傳輸層122的厚度可在約50Å至約1000Å的範圍內，例如，約100Å至約800Å。當電洞傳輸層122的厚度滿足上述的範圍時，可在不須大幅降低驅動電壓下獲得令人滿意的電洞傳送特性。
藍光發光層131可包含藍光發光材料或藍光主體及藍光摻雜物的結合物。當使用藍光主體及藍光摻雜物的結合物時，已知藍光主體的例子可為三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、4,4’-N,N’-二咔唑-聯苯(4,4’-N,N’-dicarbazole-biphenyl,CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(poly(n-vinylcarbazole),PVK)、9,10-二(萘-2-基)蔥(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene,ADN)、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene,TPBI)、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蔥(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、E3、二苯乙烯芳香基(distyrylarylene，DSA)，但藍光發光層131並不限於此。
具有電洞傳輸特性的材料可選擇性地做為藍光主體使用。例如，材料如ADN可做為具備電洞傳輸特性的藍光主體。
習知的藍光摻雜物F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(terfluorene)、4,4’-雙(4-二苯胺苯乙烯基)聯苯(4,4’-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl,DPVABi)、2,5,8,11-四-三 級丁基苝(2,5,8,11-tetra-t-butylperylene,TBPe)可被使用，但藍光摻雜物不限於此。
輔助層124可具有約100Å至約1000Å的範圍的厚度。
輔助層124可由二層所構成，也就是作為電洞注入層之第一輔助層125、以及作為電洞傳輸層之第二輔助層126。
第一輔助層125可包含用於電洞注入層的材料，例如，酞菁素化合物如銅鈦菁、m-MTDATA、TDATA、2T-NATA、NPB、PEDOT/PSS、PANI/DBSA、PANI/CSA或PANI/PSS。
第二輔助層126可包含用於電洞傳輸層的材料，例如，咔唑衍生物如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑，具有芳香族縮合環的胺衍生物如TPD或α-NPD及三苯胺基材料如TCTA等等。
第一輔助層125或第二輔助層126可更包含P型摻雜物材料。P型摻雜物的例子可為四氰昆二甲烷(tetracyanoquinodimethane， TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-對苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinodimethane,F4TCNQ)或1,3,2-二氧雜硼烷(1,3,2-dioxaborine)。
選擇性地，輔助層124可包含電洞注入材料及電洞傳輸材料的混合物。或者，電洞注入材料及電洞傳輸材料也可於輔助層124中形成濃度梯度。例如，輔助層124之電洞注入材料的濃度在接近藍光發光層131的方向較高，而輔助層124之電洞傳輸材料的濃度在接近紅光及綠光發光層132及133的方向可較高。
紅光發光層132可包含一種紅光發光材料或紅光主體與紅光摻雜物的結合物。當使用紅光主體與紅光摻雜物的結合物時，紅光主體的例子，如同藍光主體，可為Alq3、PVK、TCTA、TPBI、TBADN、E3或DSA。具有電子傳輸特性的材料可選擇性地作為紅光主體使用。
習知的紅光摻雜物，可使用PtOEP、Ir(piq)3或Btp2Ir(acac)，但紅光摻雜物不限於此。
綠光發光層133可包含一種綠光發光材料或綠光主體與綠光摻雜物的結合物。當使用綠光主體與綠光摻雜物的結合物時，綠光主體的例子，如同藍光主體，可為Alq3、CBP、PVK、AND、TCTA、TPBI、 TBADN、E3或DSA。具備電子傳輸特性的材料可選擇性地作為綠光主體使用。當具有電子傳送特性的材料被用來作為紅光發光層132的紅光主體及綠光發光層133的綠光主體時，電子傳輸層127可被省略。
習知的綠光摻雜物，可使用Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mpyp)3，但綠光摻雜物不限於此。
當藍光、紅光及綠光發光層131、132及133包含主體及摻雜物的結合物時，基於主體的100重量份(parts by weight)，摻雜物的含量一般可選擇在約0.01至約15重量份的範圍中。然而，摻雜物的含量不限於此。藍光、紅光及綠光發光層131、132及133的厚度可在約100Å至約1000Å的範圍內。
習知的電子傳輸材料可被用來作為電子傳輸層127。已知的電子傳送材料的例子可為4,7-二苯基-1,10-菲啉(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline,Bphen)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum,BAlq)、三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolate)aluminum,Alq3)、鈹雙(苯并喹啉-10-羥基(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate,Bebq2)或 2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑(2,2’,2”-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole，TPBi)。
電子傳輸層127可包括含金屬材料至電子傳輸有機材料。例如，含金屬材料可包含鋰錯合物(Li-complex)。
電子傳輸層127的厚度可在約100Å至約1000Å，例如，約200Å至約500Å。當電子傳輸層127滿足前述的範圍時，可在不須大幅地增加驅動電壓下獲得令人滿意的電子傳輸特性。
選擇性地，構成電子注入層(未繪於圖中)的材料的例子可以是8-羥基喹啉鋰(LiQ)、氟化鋰(LiF)、氧化鋰(Li2O)、氯化鈉(NaCl)、氟化鈉(NaF)、氟化鉀(KF)、氟化銣(RbF)、氟化銫(CsF)、氟化鍅(FrF)、氟化鈹(BeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、氟化鍶(SrF2)、氧化鋇(BaO)、氟化鋇(BaF2)或氟化銣(RaF2)，但構成電子注入層的材料不限於此。
電子傳輸層及電子注入層可以被同時具有電子傳輸功能及電子注入功能的功能層所置換。
陰極141例如可包括含有鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鈣(Ca)、銀(Ag)、鋁：鋰(Al：Li)、鎂：鑭(Mg：ln)或鎂：銀(Mg：Ag)，但材料不限於此。
接著將描述製造第1圖中之有機發光裝置的方法的例子。
首先，陽極111被形成在基板101上。例如，陽極111可以利用真空沉積法(vacuum deposition method)或濺鍍法(sputtering method)形成。電洞注入層121及電洞傳輸層122係依序地形成在陽極111上。藍光發光層131係形成在電洞傳輸層122上。陽極111、電洞注入層121、電洞傳輸層122、以及藍光發光層131可形成以共用於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面上。輔助層124係形成於藍光發光層131上。輔助層124可以相同的厚度形成於紅色及綠色子像素區域R及G 中。此時，輔助層124可不形成於藍色子像素區域B中。紅光發光層132及綠光發光層133係形成於輔助層124上。紅光發光層132係形成為單一層於紅色子像素區域R中，而綠光發光層133係形成單一層於綠色子像素區域G中。電子傳輸層127係形成於藍光發光層131、紅光發光層132、以及綠光發光層133上。有機層例如可以利用真空沉積法、旋轉塗佈法(spin coating method)、噴墨法(ink-jet method)或噴嘴法(nozzle method)而形成。陰極141係形成於電子傳輸層127上。選擇性地，電子注入層(未繪於圖中)係形成於電子傳輸層127上，而陰極141可形成於電子注入層(未繪於圖中)上。例如，陰極141可以利用真空沉積法而形成。
第2圖係根據另一實施例之有機發光裝置200之截面圖。主要敘述與第1圖的有機發光裝置100的差異。
在有機發光裝置200中，紅光發光層232位於輔助層124上，而作為共用層的綠光發光層233位於紅光發光層232上。紅光發光層232僅形成在紅色子像素區域R中，而綠光發光層233如同藍光發光層131係形成以共用於於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面上。因此，綠光發光層233形成綠光共用層(green common layer,GCL)。由於綠光發光層233是共用於子像素的整個表面，故不須多使用一個用以形成發光層的遮罩，因而使有機發光裝置的製造程序及結構可進一步地簡化。並且，在使用遮罩沉積紅光發光層的期間，紅光發光材料侵入綠色子像素區域G中所導致的陰影現象，可以利用於不同時間形成紅光發光層232及綠光發光層233來預防。
接著將描述製造第2圖中之有機發光裝置的方法的例子。主要敘述與製造第1圖的有機發光裝置100的方法的差異。
陽極111、電洞注入層121、電洞傳輸層122、藍光發光層131、以及輔助層124依序地形成於基板101上，如同在製造第1圖的有機發光裝置100的方法所描述的。紅光發光層232係形成於紅色子像素區域R中之輔助層124上，而綠光發光層233係形成以共用於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面上，並位於紅光發光層232、輔助層124、以及藍光發光層131上。之後，形成電子傳輸層127、電子注入層(未繪於圖中)、以及陰極141的製程與製造第1圖的有機發光裝置100的方法相同。
第3圖係根據另一實施例之有機發光裝置300之截面圖。主要敘述與第1圖的有機發光裝置100的差異。
在有機發光裝置300中，綠光發光層333位於輔助層124上，而紅光發光層332位於綠光發光層333上。綠光發光層333僅形成在綠色子像素區域G中，而紅光發光層332，如同藍光發光層131，係形成以共用於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面上。因此，紅光發光層332形成紅光共用層(red common layer,RCL)。由於紅光發光層332是共用於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面，故不須多使用一個遮罩，因而使有機發光裝置的結構及製造程序可進一步地簡化。 並且，在使用遮罩沉積綠光發光層的期間，綠光發光材料侵入紅色子像素區域R中所導致之陰影現象，可以利用於不同時間形成紅光發光層332及綠光發光層333來預防。
接下來將描述製造第3圖中之有機發光裝置的方法的例子。主要敘述與製造第1圖的有機發光裝置100的方法的差異。
陽極111、電洞注入層121、電洞傳輸層122、藍光發光層131、以及輔助層124係依序地被形成於基板101上，如同在製造第1圖的有機發光裝置100的方法所描述的。綠光發光層333形成於綠色子像素區域G中之輔助層124上，而紅光發光層332係形成以共用於紅色、綠色及藍色子像素R、G及B的整個表面上，並位於綠光發光層333、輔助層124、以及藍光發光層131上。之後，形成電子傳輸層127、電子注入層(未繪於圖中)及陰極141的製程與製造第1圖的有機發光裝置100的方法相同。
表1比較了第1圖的有機發光裝置100(示例)與具備傳統結構的有機發光裝置(比較示例)之紅光、綠光及藍光的發光效率。就在相對應的子像素中形成紅光、綠光及藍光發光層而言，具備傳統結構的有機發光裝置有不同於第1圖的有機發光裝置100(示例)的結構，且其未使用共用的發光層並且相對於各個子像素使用不同厚度的輔助層。
如表1所示，在示例中的有機發光裝置100的藍光及綠光子像素的發光效率分別相同於比較示例中的藍光及綠光子像素的發光效率。在示例中的有機發光裝置100的紅光子像素的發光效率略高於比較示例中的紅光子像素的發光效率。因此，可理解的是，根據實施例可保持高發光效率，且能利用在形成發光層及輔助層的期間減少遮罩的數量以簡化結構及製程。
在上述有機發光裝置的實施例中，所描述的結構的順序為陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/藍光發光層(紅色、綠色及藍色區域)/輔助層/紅光發光層(紅色區域)及綠光發光層(綠光區域)/電子傳輸層/電子注入層/陰極、或陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/藍光發光層(紅色、綠色及藍色區域)/輔助層/紅光發光層(紅色區域)/綠光發光層(紅色、綠色及藍色區域)/電子傳輸層/電子注入層/陰極、或陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/藍光發光層(紅色、綠色及藍色區域)/輔助層/綠光發光層(綠色區域)/紅光發光層(紅色、綠色及藍色區域)/電子傳輸層/電子注入層/陰極。
如其它的實施例，有機發光裝置可具有的結構的順序為電洞傳輸層/綠光發光層(綠色區域)及紅光發光層(紅色區域)/輔助層/藍光發光層/電子傳輸層或電洞傳輸層/紅光發光層/綠光發光層/輔助層/藍光發光層(紅色、綠色及藍色區域)/電子傳輸層或電洞傳輸層/綠光發光層(綠色區域)/紅光發光層(紅色區域)/輔助層/藍光發光層/電子傳輸層。也就是說，藍光發光層及綠光發光層或紅光發光層的位置可改變。
由於遮罩的數量是藉由使用共用於子像素的第一發光層及共用於第一子像素與第二子像素的輔助層來減少，故有機發光裝置的結構及製程被簡化，因此，可改善發光裝置的可靠性。此外，遮罩的數量是藉由製造共用於子像素的第三發光層來進一步地減少，而有機發光裝置的結構及製程可被進一步地簡化。
雖然本發明已參照其例示性實施例來特別地顯示與描述，然而將理解的是該技術領域具有通常知識者可在未脫離由下述申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇下作形式與細節的各種變化。

Claims (20)

  1. 一種有機發光裝置，其包含：複數個像素，每一該像素包含具有彼此不同顏色之一第一子像素、一第二子像素、以及一第三子像素；其中每一該像素包含：一基板；一第一電極層，其係位於該基板上；一第一發光層，其係設置於該第一子像素、該第二子像素、以及該第三子像素中之該第一電極層上，且該第一發光層形成為該第一子像素、該第二子像素以及該第三子像素的一整個表面的一共用層；一輔助層，其係設置於該第二子像素及該第三子像素中之該第一發光層上，並未形成於該第一子像素中；一第二發光層，其係設置於該第二子像素中之該輔助層上；一第三發光層，其係設置於該第三子像素中之該輔助層上；以及一第二電極層，其係設置於該第一發光層、該第二發光層、以及該第三發光層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該輔助層包含一電洞注入材料及一電洞傳輸材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該輔助層包含： 一第一輔助層，其包含一電洞注入材料；以及一第二輔助層，其係位於該第一輔助層上且包含一電洞傳輸材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該輔助層具有濃度梯度，其中該輔助層之下部分中之一電洞注入材料的濃度係大於一電洞傳輸材料的濃度，且該輔助層之上部分中之該電洞傳輸材料的濃度大於該電洞注入材料的濃度。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入材料包含酞菁素化合物(phthalocyanine compound)、m-MTDATA、TDATA、2T-NATA、NPB、PEDOT/PSS、PANI/DBSA、PANI/CSA或PANI/PSS，而該電洞傳送材料包含N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)、TPD、α-NPD或TCTA。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該輔助層包含一P型摻雜物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光裝置，其中該P型摻雜物包含四氰昆二甲烷(tetracyanoquinodimethane,TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-對苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinodimethane,F4TCNQ)或1,3,2-二氧雜硼烷(1,3,2-dioxaborine)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一電極層為一陽極，而該第二電極層為一陰極。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第一發光 層為一藍光發光層，該第二發光層為一紅光發光層，而該第三發光層為一綠光發光層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含：一電洞注入層，其係位於該第一電極層與該第一發光層之間，以及一電洞傳輸層，其係位於該電洞注入層上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含：一電子傳輸層，其係位於該第二電極層與該第一發光層、該第二發光層、以及該第三發光層之間；以及一電子注入層，其係位於該電子傳輸層上。
  12. 一種有機發光裝置，其包含：複數個像素，每一該像素包含彼此分別具有不同顏色的一第一子像素、一第二子像素、以及一第三子像素；其中各該像素包含：一基板；一第一電極層，其係位於該基板上；一第一發光層，其係設置於該第一子像素、該第二子像素、以及該第三子像素中之該第一電極層上，且該第一發光層形成為該第一子像素、該第二子像素以及該第三子像素的一整個表面的一共用層；一輔助層，其係設置於該第二子像素及該第三子像素中之該第一發光層上，並未形成於該第一子像素中； 一第二發光層，其係設置於該第二子像素中之該輔助層上；一第三發光層，其係設置於該第一子像素、該第二子像素、以及該第三子像素中之該第一發光層、該輔助層、以及該第二發光層上；以及一第二電極層，其係設置於該第三發光層上。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該第三發光層具有電子傳輸特性。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該第一發光層為一藍光發光層，該第二發光層為一紅光發光層，而該第三發光層為一綠光發光層。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該第一發光層為一藍光發光層，該第二發光層為一綠光發光層，而該第三發光層為一紅光發光層。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該輔助層包含：一第一輔助層，其包含一電洞注入材料；以及一第二輔助層，其係位於該第一輔助層上且包含一電洞傳輸材料。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該輔助層包含一P型摻雜物。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該第一電極層為一陽極，而該第二電極層為一陰極。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，更包含： 一電洞注入層，其係位於該第一電極層及該第一發光層之間；以及一電洞傳輸層，其係位於該電洞注入層上。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，更包含：一電子傳輸層，其係位於該第二電極層與該第一發光層、該第二發光層、以及該第三發光層之間；以及一電子注入層，其係位於該電子傳輸層上。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014110143A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 有機ｅｌ素子
KR102046157B1 (ko) * 2012-12-21 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102033612B1 (ko) 2012-12-27 2019-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102113149B1 (ko) 2012-12-28 2020-05-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102016072B1 (ko) * 2012-12-28 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102047279B1 (ko) * 2013-01-24 2019-11-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101998627B1 (ko) * 2013-01-25 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그의 제조방법
JP2014154354A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Japan Display Inc 発光素子表示装置
KR102029960B1 (ko) * 2013-02-20 2019-10-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102035251B1 (ko) * 2013-03-12 2019-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102075524B1 (ko) * 2013-03-21 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102113034B1 (ko) * 2013-05-29 2020-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102090290B1 (ko) * 2013-08-14 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102094141B1 (ko) * 2013-10-08 2020-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102196085B1 (ko) * 2013-10-15 2020-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와 이의 제조 방법
KR102104978B1 (ko) * 2013-12-02 2020-04-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3093897B1 (en) 2014-01-10 2022-12-07 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and lighting apparatus including same
KR102146367B1 (ko) * 2014-03-06 2020-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
CN104103672B (zh) * 2014-07-02 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种oled单元及其制作方法、oled显示面板、oled显示设备
CN104600199B (zh) * 2014-12-30 2017-08-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104538559B (zh) 2014-12-31 2017-10-10 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置
KR102393046B1 (ko) * 2015-01-23 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
CN104701458B (zh) * 2015-03-24 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件及其制作方法、显示装置
KR102333934B1 (ko) 2015-07-29 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 화소 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102380132B1 (ko) * 2015-09-22 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN109845404B (zh) * 2016-10-13 2020-11-20 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
TW201838172A (zh) * 2017-04-11 2018-10-16 友達光電股份有限公司 畫素結構
WO2019164180A1 (ko) * 2018-02-21 2019-08-29 고려대학교 세종산학협력단 유기전계발광소자용 조성물, 이로부터 제조된 정공주입층 재료 및 정공주입층을 포함하는 유기전계발광소자
KR102597673B1 (ko) * 2018-05-16 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102018539B1 (ko) * 2019-04-01 2019-09-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
US11637258B2 (en) * 2019-07-26 2023-04-25 Nanosys, Inc. Display devices with different light sources
KR102065108B1 (ko) * 2019-10-16 2020-01-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN111785744A (zh) * 2020-08-27 2020-10-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040119403A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
CN1921140B (zh) * 2005-08-26 2010-09-08 三星移动显示器株式会社 有机发光显示器及其制造方法
US20110062475A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Cho Jae-Young Organic light emitting display device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050029426A (ko) * 2003-09-22 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 칼라필터층 또는 색변환층을 갖는 풀칼라 유기전계발광소자
KR100669757B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100708714B1 (ko) 2005-09-30 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100768230B1 (ko) 2006-05-10 2007-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시소자
KR100858824B1 (ko) 2007-05-31 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2009071188A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
KR100932940B1 (ko) * 2008-05-28 2009-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR100947453B1 (ko) 2008-06-18 2010-03-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계 발광 표시장치의 화소 구조
KR101137392B1 (ko) 2010-03-31 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20110110589A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040119403A1 (en) * 2002-12-19 2004-06-24 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
CN1921140B (zh) * 2005-08-26 2010-09-08 三星移动显示器株式会社 有机发光显示器及其制造方法
US20110062475A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Cho Jae-Young Organic light emitting display device

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