KR20120130516A - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
유기 전계 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120130516A KR20120130516A KR1020110048501A KR20110048501A KR20120130516A KR 20120130516 A KR20120130516 A KR 20120130516A KR 1020110048501 A KR1020110048501 A KR 1020110048501A KR 20110048501 A KR20110048501 A KR 20110048501A KR 20120130516 A KR20120130516 A KR 20120130516A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting layer
- auxiliary
- subpixel
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 60
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 60
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 19
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 10
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 claims description 9
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 claims description 9
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 7
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims description 6
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 312
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 4-ethenylbenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical compound C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 2
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,2-n,2-n-tetraphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IJVBYWCDGKXHKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical compound O=C1C(C#N)=C(C#N)C(=O)C(C#N)=C1C#N JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 Chemical compound C1=CC=NC2=C3C(O)=CC=CC3=CC=C21 KESRRRLHHXXBRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- GONYPVVHIATNEG-UHFFFAOYSA-K aluminum;quinoline-8-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 GONYPVVHIATNEG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[2-[4-[4-[2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Inorganic materials [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical class 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 일 측면에 따라 서로 다른 색상의 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀을 포함하는 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀의 각각은 기판, 상기 기판 위의 제1 전극층, 상기 제1 전극층 위의 제1 발광층, 상기 제1 발광층 위의 상기 제1 서브 픽셀 및 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 보조층, 상기 보조층 위의 상기 제1 서브 픽셀에 위치한 제2 발광층, 상기 보조층 위의 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 제3 발광층, 및 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 위의 제2 전극층을 포함하는 유기 발광소자를 개시한다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공통 발광층을 사용하는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광소자는 전압을 걸면 자체가 발광하는 물질을 이용한 소자로서 액정 소자에 비하여 고휘도, 대시야각, 고응답속도의 특성 및 백라이트가 불필요하므로 얇게 만들 수 있는 장점을 갖는다.
유기 발광소자는 유기 발광층이 애노드(anode)과 캐소드(cathode) 사이에 개재된 구조를 하고 있다. 전압을 인가하면 애노드로부터 정공이, 캐소드로부터 전자가 유기 발광층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자들은 유기 발광층 내에서 인접한 분자 사이에서 전자 교환을 일으키며 반대 전극으로 이동하여 간다. 그리고 어떤 분자에서 전자와 정공이 재결합한 경우 높은 에너지의 여기 상태(excited state)를 갖는 분자 여기자(exiton)를 형성하게 된다. 분자 여기자가 낮은 에너지의 바닥 상태(ground state)로 돌아오면서 재료 고유의 빛을 방출한다.
유기 발광소자는 다수의 화소로 구성되며, 각각의 화소들은 적색, 녹색, 청색의 서브 화소(R, G, B)로 이루어진다. 각 서브 화소는 새도우 마스크 또는 파인 메탈 마스크를 사용하여 패터닝되는데, 패터닝 된 마스크의 수가 많을 수록 공정이 복잡해지고 미스 얼라인이 일어날 수 있으며 또한 비용이 증가한다. 한편, 마스크를 사용한 패터닝시 새도우 현상 또는 마스크의 처짐 현상으로 인한 문제가 일어날 수 있다.
본 발명의 목적은 마스크 수를 줄여서 구조와 공정을 단순화할 수 있는 유기 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따라 서로 다른 색상의 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀을 포함하는 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀의 각각은 기판, 상기 기판 위의 제1 전극층, 상기 제1 전극층 위의, 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀에 위치한 제1 발광층, 상기 제1 발광층 위의 상기 제1 서브 픽셀 및 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 보조층, 상기 보조층 위의 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 제2 발광층, 상기 보조층 위의 상기 제3 서브 픽셀에 위치한 제3 발광층, 및 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 위의 제2 전극층을 포함하는 유기 발광소자를 개시한다.
상기 보조층은 정공 주입 물질과 정공 수송 물질의 공증착층일 수 있다. 또는 상기 보조층은 정공 주입 물질을 포함하는 제1 보조층과 상기 제1 보조층 위의 정공 수송 물질을 포함하는 제2 보조층을 포함할 수 있다. 또는 상기 보조층은 하부에는 정공 주입 물질의 농도가 정공 수송 물질의 농도 보다 더 크고, 상부에는 정공 수송 물질의 농도가 정공 주입 물질의 농도 보다 더 큰 농도 구배를 가질 수 있다.
이때 상기 정공 주입 물질은 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA, TDATA, 2T-NATA, NPB, PEDOT/PSS, Pani/DBSA, Pani/CSA 또는 PANI/PSS 을 포함하고, 상기 정공 수송 물질은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸, TPD, α-NPD 또는 TCTA을 포함할 수 있다.
상기 보조층은 p형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 p형 도펀트는 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴노나이메테인(F4TCNQ) 또는 1,3,2-다이옥사보린을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극층은 애노드이고, 상기 제2 전극층은 캐소드일 수 있다. 상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 적색 발광층이고, 상기 제3 발광층은 녹색 발광층일 수 있다. 상기 제1 전극층과 상기 제1 발광층 사이에 정공 주입층 및 상기 정공 주입층 위의 정공 수송층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 상기 제2 전극층 사이에 전자 수송층 및 상기 전자 수송층 위의 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따라 서로 다른 색상의 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀을 포함하는 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀의 각각은 기판, 상기 기판 위의 제1 전극층, 상기 제1 전극층 위의, 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀에 위치한 제1 발광층, 상기 제1 발광층 위의 상기 제1 서브 픽셀 및 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 보조층, 상기 보조층 위의 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 제2 발광층, 상기 제1 발광층, 상기 보조층, 상기 제2 발광층 위의 제3 발광층, 및 상기 제3 발광층 위의 제2 전극층을 포함하는 유기 발광소자를 개시한다.
상기 제3 발광층은 전자 수송 특성을 가질 수 있다.
상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 적색 발광층이고, 상기 제3 발광층은 녹색 발광층일 수 있다. 또는 상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 녹색 발광층이고, 상기 제3 발광층은 적색 발광층일 수 있다.
상기 보조층은 정공 주입 물질을 포함하는 제1 보조층과 상기 제1 보조층 위의 정공 수송 물질을 포함하는 제2 보조층을 포함할 수 있다.
상기 보조층은 p형 도펀트를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극층은 애노드이고, 상기 제2 전극층은 캐소드일 수 있다. 상기 제1 전극층과 상기 제1 발광층 사이에 정공 주입층 및 상기 정공 주입층 위의 정공 수송층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 상기 제2 전극층 사이에 전자 수송층 및 상기 전자 수송층 위의 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
서브 픽셀에 공통인 제1 발광층과 제1 서브 픽셀과 제2 서브 픽셀에 공통인 보조층을 사용하여 마스크 수를 줄임으로써 유기 발광소자의 구조와 공정을 단순화여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 여기에 제3 발광층을 또한 서브 픽셀에 공통으로 함으로써 마스크 수를 한층 더 줄이고 유기 발광소자의 구조와 공정을 더욱 단순화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광소자의 개략적인 단면도이다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광소자(100)의 개략적인 단면도이다. 도 1의 유기 발광소자(100)는 적색, 녹색, 청색의 서브 화소(R, G, B)를 포함하고 있다.
도 1을 참조하면, 유기 발광소자(100)는 기판(101) 위의 애노드(111), 애노드(111) 위의 정공 주입층(121), 정공 주입층(121) 위의 정공 수송층(122), 정공 수송층(122) 위의 적색, 녹색, 청색의 서브 화소(R, G, B) 청색 발광층(131), 청색 발광층(131) 위의 보조층(124), 보조층(124) 위의 녹색 발광층(132) 및 적색 발광층(133), 녹색 발광층(132) 및 적색 발광층(133) 위의 전자 수송층(127) 및 전자 수송층(127) 위의 캐소드(141)를 포함한다. 선택적으로 전자 수송층(127)과 캐소드(141) 사이에 전자 주입층(미도시)를 더 포함할 수 있다.
청색 발광층(131)은 적색, 녹색, 청색의 서브 화소 영역(R, G, B)의 전면(全面)에 공통으로 형성되어 있다. 즉, 청색 발광층(131)은 이른바 청색 공통층(blue common layer: BCL)을 형성한다. 녹색 발광층(132) 및 적색 발광층(133)은 각각 녹색 및 적색의 서브 화소 영역(G, R)에 한정되어 형성되어 있다.
보조층(124)은 청색 발광층(131)을 통과한 정공(hole)이 녹색 발광층(132) 및 적색 발광층(133)으로 효과적으로 전달되도록 돕는 역할을 할 수 있다. 보조층(124)은 제1 보조층(125)과 제2 보조층(126)으로 이루어질 수 있다. 제1 보조층(125)은 정공 주입층의 역할을 할 수 있고, 제2 보조층(126)은 정공 수송층의 역할을 할 수 있다. 보조층(124)은 또한, 각 서브 화소의 색상 별 광학적 공진 거리를 맞추기 위하여 사용될 수 있다. 청색 서브 화소 영역(B)에는 정공 주입층 또는 정공 수송층의 두께를 조절함으로써 보조층(124)이 형성되지 않을 수 있다. 이때 적색의 서브 화소 영역(R)과 녹색의 서브 화소 영역(G)에는 동일한 두께의 보조층(124)을 사용함으로써 마스크의 개수를 줄일 수 있다. 녹색 발광의 경우 보조층(124)의 두께를 적색의 광학적 공진 거리에 맞춰 사용할 수 있다.
한편, 보조층(124)은 정공 주입 물질과 정공 수송 물질의 공증착으로 이루어질 수도 있고, 또는 정공 주입 물질과 정공 수송 물질이 농도 구배를 이루면서 형성될 수도 있다. 농도 구배를 이룰 경우 보조층(124)에서 애노드(111)에 가까운 쪽은 정공 주입 물질의 농도가 정공 수송 물질의 농도보다 더 크고, 애노드(111)에 먼 쪽은 그 반대일 수 있다.
이하에서 각 층들을 이루는 물질을 살펴본다.
기판(101)은 통상적인 유기 발광소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 한편, 기판(101)은 실리콘, 스텐리스 스틸과 같은 불투명한 물질로 형성될 수도 있다. 상기 기판(101) 내에는 스위칭 소자, 구동 소자 등이 형성되어 있을 수 있다.
애노드(111)는 일함수가 큰 물질로 이루어질 수 있다. 애노드(111)는 예를 들면, ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물), ZnO(아연 산화물), AZO(Al 도핑된 아연 산화물) 또는 In2O3(인듐 산화물)과 같은 투명한 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.
정공 주입층(121)은 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine: 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine: 4,4',4"-트리스(N,N'-디페닐아미노)트리페닐아민), 2T-NATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine: 4,4',4"-트리스{N,-(2-나프틸)-N-페닐아미노}-트리페닐아민), NPB(N,N'-di(-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine: N,N'-디(-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), Pani/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 정공 주입층(121)의 두께는 약 100Å 에서 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 저하없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
m-MTDATA TDATA
2T-NATA NPB
PEDOT/PSS Pani/DBSA
정공 수송층(122)은 예를 들면, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine: N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민), α-NPD(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl: 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐) 등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine: 4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민) 등과 같은 트리페닐아민계 물질과 같은 공지된 정공 수송 물질을 사용할 수 있다. 이 중, 예를 들면, TCTA의 경우, 정공 수송 역할 외에도, 발광층으로부터 엑시톤이 확산되는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.
TPD α-NPD
TCTA
한편, 상기 정공 수송층 및 정공 주입층은 정공 수송 기능 및 정공 주입 기능을 동시에 갖는 기능층으로 대체될 수 있다.
상기 정공 수송층(122)의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 800Å일 수 있다. 상기 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 저하 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
청색 발광층(131)은 하나의 청색 발광 물질을 포함하거나 청색 호스트와 청색 도펀트의 조합을 포함할 수 있다. 호스트와 도펀트의 조합을 사용할 경우, 공지의 청색 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-dicabazole-biphenyl: 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(poly(n-vinylcabazole): 폴리(n-비닐카바졸)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene: 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센), TCTA, TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene: 1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene: 3-터트-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(distyrylarylene: 디스티릴아릴렌) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
선택적으로 청색 호스트는 정공 수송 특성을 갖는 물질을 사용할 수 있다. 정공 수송 특성을 갖는 청색 호스트로서 예를 들면, ADN 등의 물질을 사용할 수 있다.
CBP PVK
ADN TPBI
TBADN DSA
E3
한편, 공지된 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene(터-플루오렌), DPAVBi(4,4'-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl: 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴)비페닐), TBPe(2,5,8,11-tetra-t-butylperylene: 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
F2Irpic (F2ppy2)Ir(tmd) Ir(dfppz)3
DPAVBi TBPe
보조층(124)은 100 -1000 Å 범위의 두께를 가질 수 있다.
보조층(124)은 정공 주입층과 정공 수송층의 2층으로 이루어질 수 있다.
제1 보조층(125)은 정공 주입층의 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA, TDATA, 2T-NATA, NPB, PEDOT/PSS, Pani/DBSA, Pani/CSA 또는 PANI/PSS 등으로 이루어질 수 있다.
제2 보조층(126)은 정공 수송층의 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들면, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, TPD, α-NPD등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체, TCTA 등과 같은 트리페닐아민계 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 제1 보조층(125) 또는 제2 보조층(126)은 p형 도펀트 물질을 더 포함할 수 있다. p형 도펀트로서, 예를 들면, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴노나이메테인(F4TCNQ), 1,3,2-다이옥사보린 등을 사용할 수 있다.
선택적으로, 보조층(124)은 정공 주입 물질과 정공 수송 물질의 혼합물로 이루어질 수 있다. 또는 이와 다르게 보조층(124) 내에서 정공 주입 물질과 정공 수송 물질이 농도 구배를 형성할 수도 있다. 예를 들면, 보조층(124)의 청색 발광층(131)에 가까운 쪽은 정공 주입 물질의 농도가 더 높고, 보조층(124)의 적색 및 녹색 발광층(132,133)에 가까운 쪽은 정공 수송 물질의 농도가 더 높을 수 있다.
적색 발광층(132)은 하나의 적색 발광 물질을 포함하거나 적색 호스트와 적색 도펀트의 조합을 포함할 수 있다. 호스트와 도펀트의 조합을 사용할 경우, 적색 호스트는 청색 호스트와 마찬가지로 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 등을 사용할 수 있다. 선택적으로, 적색 호스트는 전자 수송 특성을 갖는 물질을 사용할 수 있다.
공지된 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac)등을 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
PtOEP Ir(piq)3 Btp2Ir(acac)
녹색 발광층(132)은 하나의 녹색 발광 물질을 포함하거나 녹색 호스트와 녹색 도펀트의 조합을 포함할 수 있다. 호스트와 도펀트의 조합을 사용할 경우, 녹색 호스트는 청색 호스트와 마찬가지로 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 등을 사용할 수 있다. 선택적으로, 녹색 호스트는 전자 수송 특성을 갖는 물질을 사용할 수 있다. 녹색 발광층(132)의 녹색 호스트와 적색 발광층(133)의 적색 호스트로서 전자 수송 특성을 갖는 물질을 사용하는 경우 전자 수송층(127)은 생략될 수도 있다.
공지된 녹색 도펀트로서 Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
Ir(ppy)3 Ir(ppy)2(acac) Ir(mpyp)3
상기 발광층들(131,132,133)이 호스트 및 도펀트의 조합으로 이루어질 경우 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0. 01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층들(131,132,133)의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다.
전자 수송층(127)은 공지된 전자 수송 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline: 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium: 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-(페닐페놀레이토)알루미늄), Alq3(tris(8-quinolate) aluminium: 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄), Bebq2(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노레이트)), TPBi(2,2',2" -(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole): 2,2',2"-(1,3,5-벤진트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸) 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수 있다.
Bphen BAlq
Alq3 Bebq2
TPBi
한편, 전자 수송층(127)은 상기 전자 수송성 유기 물질에 금속 함유 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층(127)의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 예를 들면, 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층(127)의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 구동전압 상승 없이 만족스러운 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
선택적으로, 전자 주입층(미도시)은 예를 들면, LiQ, LiF, Li2O, NaCl, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaO, BaF2 또는 RaF2 의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 전자 수송층 및 전자 주입층은 전자 수송 기능 및 전자 주입 기능을 동시에 갖는 기능층으로 대체될 수 있다.
캐소드(141)는 예를 들면, Li, Mg, Al, Ca, Ag, Al:Li, Mg:In 또는 Mg:Ag 의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도 1의 유기 발광소자의 제조방법의 일 예를 설명한다.
먼저, 기판(101) 위에 애노드(111)을 형성한다. 애노드(111)는 예를 들면 진공증착법이나 스퍼터링법 방법에 의하여 형성할 수 있다. 애노드(111) 위에 정공 주입층(121)과 정공 수송층(122)를 순차적으로 형성한다. 정공 수송층(122) 위에 청색 발광층(131)을 형성한다. 애노드(111), 정공 주입층(121), 정공 수송층(122) 및 청색 발광층(131)은 적색, 녹색, 청색의 서브 픽셀(R, G, B)의 전면에 공통으로 형성할 수 있다. 청색 발광층(131) 위에 보조층(124)을 형성한다. 보조층(124)은 적색과 녹색의 서브 화소 영역(R, G)에 동일한 두께로 형성할 수 있다. 이때 청색 서브 화소 영역(B)에는 보조층(124)을 형성하지 않을 수 있다. 보조층(124) 위에 적색발광층(132)과 녹색발광층(133)을 형성한다. 적색발광층(132)은 적색 서브 픽셀 영역(R)에, 녹색발광층(133)은 녹색 서브 픽셀 영역(G)에 하나의 층으로 형성한다. 청색발광층(131), 적색발광층(132)과 녹색발광층(133) 위에 전자 수송층(127)을 형성한다. 상기 유기층들은 예를 들면 진공층착법, 스핀 코팅법, 잉크젯법 또는 노즐 방법으로 형성할 수 있다. 전자 수송층(127) 위에 캐소드(131)를 형성한다. 선택적으로 전자 수송층(127) 위에 전자 주입층(미도시)을 형성하고 전자 주입층(미도시) 위에 캐소드(131)를 형성할 수 있다. 캐소드(131)는 예를 들면 진공증착법의 방법으로 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광소자(200)의 개략적인 단면도이다. 도 1의 유기 발광소자(100)와의 차이점을 위주로 설명한다.
유기 발광소자(200)에서는 보조층(124) 위에 적색 발광층(232)이 존재하고, 적색 발광층(232) 위에 공통층인 녹색 발광층(233)이 존재한다. 적색 발광층(232)은 적색 서브 픽셀 영역(R)에만 형성되어 있고, 녹색 발광층(233)은 청색 발광층(131)과 마찬가지로 적색, 녹색, 청색 영역(R, G, B)의 전면에 공통으로 형성되어 있어서 녹색 공통층(green common layer: GCL)을 형성한다. 녹색 발광층(233)이 서브 픽셀들의 전면에 공통으로 존재하므로 발광층 형성을 위한 마스크의 수가 하나 더 절감되어 유기 발광소자의 구조 및 제조 공정이 더 단순화될 수 있다. 또한, 적색 발광층(232)과 녹색 발광층(233)이 서로 다른 시점에 형성됨으로써 마스크를 사용한 적색 발광층의 증착 시 적색 발광 물질이 녹색 서브 픽셀 영역(G)으로 침범하는 섀도우 현상을 방지할 수 있다.
상기 도 2의 유기 발광소자의 제조방법의 일 예를 설명한다. 상기 도 1의 유기 발광소자의 제조방법과의 차이점을 위주로 설명한다.
도 1의 유기 발광소자의 제조방법에서 설명한 바와 같이 기판(101) 위에 애노드(111), 정공 주입층(121), 정공 수송층(122), 청색 발광층(131), 보조층(124)를 순차적으로 형성한다. 보조층(124) 위에 적색 발광층(232)을 적색 서브 픽셀 영역에 형성하고, 적색 발광층(232), 보조층(124) 및 청색 발광층(131) 위로 적색, 녹색, 청색 영역(R, G, B)의 전면에 공통으로 녹색 발광층(233)을 형성한다. 이후 전자 수송층(127), 전자 주입층(128) 및 캐소드(141)의 형성 과정은 도 1의 유기 발광소자의 제조방법과 같다.
도 3은 본 발명의 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광소자(300)의 개략적인 단면도이다. 도 1의 유기 발광소자(100)와의 차이점을 위주로 설명한다.
유기 발광소자(300)에서는 보조층(124) 위에 녹색 발광층(333)이 존재하고, 녹색 발광층(333) 위에 적색 발광층(332)이 존재한다. 녹색 발광층(333)은 녹색 서브 픽셀 영역(G)에만 형성되어 있고, 적색 발광층(332)은 청색 발광층(131)과 마찬가지로 적색, 녹색, 청색 영역(R, G, B)의 전면에 공통으로 형성되어 있어서 적색 공통층(red common layer: RCL)을 형성한다. 적색 발광층(332)이 서브 픽섹들의 전면에 공통으로 존재하므로 마스크의 수가 하나 더 절감되어 유기 발광소자의 구조 및 제조 공정이 더 단순화될 수 있다. 또한, 적색 발광층(332)과 녹색 발광층(333)이 서로 다른 시점에 형성됨으로써 마스크를 사용한 녹색 발광층의 증착 시 녹색 발광 물질이 적색 서브 픽셀 영역(R)으로 침범하는 섀도우 현상을 방지할 수 있다.
상기 도 3의 유기 발광소자의 제조방법의 일 예를 설명한다. 상기 도 1의 유기 발광소자의 제조방법과의 차이점을 위주로 설명한다.
도 1의 유기 발광소자의 제조방법에서 설명한 바와 같이 기판(101) 위에 애노드(111), 정공 주입층(121), 정공 수송층(122), 청색 발광층(131), 보조층(124)를 순차적으로 형성한다. 보조층(124) 위에 녹색 발광층(333)을 적색 서브 픽셀 영역에 형성하고, 녹색 발광층(333), 보조층(124) 및 청색 발광층(131) 위로 적색, 녹색, 청색 영역(R, G, B)의 전면에 공통으로 적색 발광층(232)을 형성한다. 이후 전자 수송층(127), 전자 주입층(128) 및 캐소드(141)의 형성 과정은 도 1의 유기 발광소자의 제조방법과 같다.
표 1은 도 1의 유기 발광소자(실시예)와 종래의 구조의 유기 발광소자(비교예)에서 적색, 녹색 및 청색의 발광 효율을 비교한 표이다. 종래의 구조의 유기 발광소자(비교예)는 공통 발광층을 사용하지 않고 적색, 녹색, 청색의 발광층을 각각의 서브 픽셀에 형성하였고 보조층을 각각의 서브 픽셀에 대하여 다른 두께로 사용한 점에서 도 1의 유기 발광소자(실시예)와 다른 구조를 갖는다.
층구조 | ||
발광효율 (cd/A) | CIE (x,y) | |
실시예 (청색) |
ITO(100nm)/MTDATA(800Å)/NPB(1000Å)/AND:DPVABi(5wt%)(250Å)/ Alq3(400Å)/LiF(50Å)/Al(1500Å) |
|
3 | 0.15, 0.07 | |
실시예 (녹색) |
ITO(100nm)/MTDATA(800Å)/NPB(1000Å)/AND:DPVABi(5wt%)(250Å)/ NPB:F4TCNQ(1%)(250Å)/NPB(850Å)/AND:Alq3(5wt%)(250Å)/ Alq3(400Å)/LiF(50Å)/Al(1500Å) |
|
38 | 0.21, 0.73 | |
실시예 (적색) |
ITO(100nm)/MTDATA(800Å)/NPB(1000Å)/AND:DPVABi(5wt%)(250Å)/ NPB:F4TCNQ(1%)(250Å)/NPB(850Å)/ AND: PtOEP(5wt%)(300Å)/ Alq3(400Å)/LiF(50Å)/Al(1500Å) |
|
30 | 0.66, 0.33 | |
비교예 (청색) |
ITO(100nm)/MTDATA(800Å)/ NPB:F4TCNQ(1%)(250Å)/ NPB(1000Å)/AND:DPVABi(5wt%)(250Å)/Alq3(400Å)/LiF(50Å)/Al(1500Å) |
|
3 | 0.15, 0.07 | |
비교예 (녹색) |
ITO(100nm)/MTDATA(800Å)/ NPB:F4TCNQ(1%)(250Å)/ NPB(1000Å)/ AND:Alq3(5wt%)(250Å)/Alq3(400Å)/LiF(50Å)/Al(1500Å) |
|
38 | 0.19, 0.74 | |
비교예 (적색) |
ITO(100nm)/MTDATA(800Å)/ NPB:F4TCNQ(1%)(250Å)/ NPB(1000Å)/ AND: PtOEP(5wt%)(300Å)/Alq3(400Å)/LiF(50Å)/Al(1500Å) |
|
29 | 0.68, 0.31 |
표 1에 나타난 바와 같이 실시예의 유기 발광소자의 청색 및 녹색 서브 픽셀의 발광 효율은 각각 비교예의 청색 및 녹색 서브 픽셀의 발광 효율과 동등하다. 실시예의 유기 발광소자의 적색 서브 픽셀의 발광효율은 비교예의 적색 픽셀의 발광효율보다 다소 높다. 따라서 실시예에 의하여 발광층 형성과 보조층 형성시 마스크 수를 절감하여 구조와 공정을 단순화시키면서도 발광 효율을 높게 유지할 수 있음을 알 수 있다.
한편, 위의 유기 발광소자의 실시예들에서 애노드/정공 주입층/정공 수송층/청색 발광층(적색, 녹색, 청색 영역)/보조층/적색 발광층(적색 영역) 및 녹색 발광층(녹색 영역)/전자 수송층/전자 주입층/캐소드의 구조, 또는 애노드/정공 주입층/정공 수송층/청색 발광층(적색, 녹색, 청색 영역)/보조층/적색 발광층(적색 영역)/녹색발광층(적색, 녹색, 청색 영역)/전자 수송층/전자 주입층/캐소드의 구조, 또는 애노드/정공 주입층/정공 수송층/청색 발광층(적색, 녹색, 청색 영역)/보조층/녹색 발광층(녹색 영역)/적색 발광층(적색, 녹색, 청색 영역)/전자 수송층/전자주입층/캐소드의 순서를 갖는 구조를 설명하였다.
한편, 이와 다른 실시예들로서 유기 발광소자는 정공 수송층/녹색 발광층(녹색 영역) 및 적색 발광층(적색 영역)/보조층/청색 발광층/전자 수송층 또는 정공 수송층/적색 발광층/녹색 발광층/보조층/청색 발광층/전자 수송층 또는 정공 수송층/녹색 발광층/적색 발광층/보조층/청색 발광층/전자수송층의 순서의 구조를 가질 수도 있다. 즉, 청색 발광층과 녹색발광층 또는 적색발광층의 위치가 바뀔 수 있다.
101: 기판 111: 애노드
121: 정공 주입층 122: 정공 수송층
124: 보조층 125: 제1 보조층
126: 제2 보조층 127: 전자 수송층
131: 청색 발광층 132, 232, 332: 적색 발광층
133, 233, 333: 녹색 발광층 141: 캐소드
121: 정공 주입층 122: 정공 수송층
124: 보조층 125: 제1 보조층
126: 제2 보조층 127: 전자 수송층
131: 청색 발광층 132, 232, 332: 적색 발광층
133, 233, 333: 녹색 발광층 141: 캐소드
Claims (20)
- 서로 다른 색상의 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀을 포함하는 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀의 각각은
기판;
상기 기판 위의 제1 전극층;
상기 제1 전극층 위의, 상기 제1 서브 픽셀, 상기 제2 서브 픽셀 및 상기 제3 서브 픽셀에 위치한 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의, 상기 제1 서브 픽셀 및 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 보조층;
상기 보조층 위의 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 제2 발광층;
상기 보조층 위의 상기 제3 서브 픽셀에 위치한 제3 발광층; 및
상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 위의 제2 전극층;을 포함하는 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 정공 주입 물질과 정공 수송 물질을 포함하는 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 정공 주입 물질을 포함하는 제1 보조층과 상기 제1 보조층 위의 정공 수송 물질을 포함하는 제2 보조층을 포함하는 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 하부에는 정공 주입 물질의 농도가 정공 수송 물질의 농도 보다 더 크고, 상부에는 정공 수송 물질의 농도가 정공 주입 물질의 농도 보다 더 큰 농도 구배를 갖는 유기 발광소자. - 제2 항 내지 제4 항의 어느 한 항에 있어서,
상기 정공 주입 물질은 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA, TDATA, 2T-NATA, NPB, PEDOT/PSS, Pani/DBSA, Pani/CSA 또는 PANI/PSS 을 포함하고, 상기 정공 수송 물질은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸, TPD, α-NPD 또는 TCTA을 포함하는 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 보조층은 p형 도펀트를 더 포함하는 유기 발광소자. - 제6 항에 있어서,
상기 p형 도펀트는 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴노나이메테인(F4TCNQ) 또는 1,3,2-다이옥사보린을 포함하는 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 애노드이고, 상기 제2 전극층은 캐소드인 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 적색 발광층이고, 상기 제3 발광층은 녹색 발광층인 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극층과 상기 제1 발광층 사이에 정공 주입층 및 상기 정공 주입층 위의 정공 수송층을 더 포함하는 유기 발광소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 상기 제2 전극층 사이에 전자 수송층 및 상기 전자 수송층 위의 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광소자. - 서로 다른 색상의 제1 서브 픽셀, 제2 서브 픽셀 및 제3 서브 픽셀을 포함하는 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀의 각각은
기판;
상기 기판 위의 제1 전극층;
상기 제1 전극층 위의, 상기 제1 서브 픽셀, 상기 제2 서브 픽셀 및 상기 제3 서브 픽셀에 위치한 제1 발광층;
상기 제1 발광층 위의, 상기 제2 서브 픽셀 및 상기 제3 서브 픽셀에 위치한 보조층;
상기 보조층 위의 상기 제2 서브 픽셀에 위치한 제2 발광층;
상기 제1 발광층, 상기 보조층 및 상기 제2 발광층 위의, 상기 제1 서브 픽셀, 상기 제2 서브 픽셀 및 상기 제3 서브 픽셀에 위치한 제3 발광층; 및
상기 제3 발광층 위의 제2 전극층;을 포함하는 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 제3 발광층은 전자 수송 특성을 갖는 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 적색 발광층이고, 상기 제3 발광층은 녹색 발광층인 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 녹색 발광층이고, 상기 제3 발광층은 적색 발광층인 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 보조층은 정공 주입 물질을 포함하는 제1 보조층과 상기 제1 보조층 위의 정공 수송 물질을 포함하는 제2 보조층을 포함하는 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 보조층은 p형 도펀트를 더 포함하는 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 전극층은 애노드이고, 상기 제2 전극층은 캐소드인 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 전극층과 상기 제1 발광층 사이에 정공 주입층 및 상기 정공 주입층 위의 정공 수송층을 더 포함하는 유기 발광소자. - 제12 항에 있어서, 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 상기 제2 전극층 사이에 전자 수송층 및 상기 전자 수송층 위의 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광소자.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110048501A KR101771581B1 (ko) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 유기 전계 발광 소자 |
TW100143214A TWI625069B (zh) | 2011-05-23 | 2011-11-24 | 有機發光裝置 |
US13/309,486 US9343509B2 (en) | 2011-05-23 | 2011-12-01 | Organic light-emitting device |
CN201210100122.9A CN102800812B (zh) | 2011-05-23 | 2012-04-06 | 有机发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110048501A KR101771581B1 (ko) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 유기 전계 발광 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120130516A true KR20120130516A (ko) | 2012-12-03 |
KR101771581B1 KR101771581B1 (ko) | 2017-08-28 |
Family
ID=47199850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110048501A KR101771581B1 (ko) | 2011-05-23 | 2011-05-23 | 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9343509B2 (ko) |
KR (1) | KR101771581B1 (ko) |
CN (1) | CN102800812B (ko) |
TW (1) | TWI625069B (ko) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140081473A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140084859A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20140087320A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140095180A (ko) * | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140096438A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
KR20140104248A (ko) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR20140111839A (ko) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20140115688A (ko) * | 2013-03-21 | 2014-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20140140337A (ko) * | 2013-05-29 | 2014-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150020447A (ko) * | 2013-08-14 | 2015-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20150041360A (ko) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20150043889A (ko) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와 이의 제조 방법 |
KR20150063785A (ko) * | 2013-12-02 | 2015-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2015105381A1 (ko) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치 |
KR20150105520A (ko) * | 2014-03-06 | 2015-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR20160091517A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US10079357B2 (en) | 2015-07-29 | 2018-09-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting pixel and organic light emitting display device including the same |
KR101946406B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2019-02-11 | 베이징 비젼녹스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | Rgb 화소 영역을 구비하는 유기 전계 발광 장치 |
KR20190038781A (ko) * | 2019-04-01 | 2019-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20190049872A (ko) * | 2016-10-13 | 2019-05-09 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20190120139A (ko) * | 2019-10-16 | 2019-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014110143A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Samsung Display Co Ltd | 有機el素子 |
KR102113149B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2020-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP2014154354A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Japan Display Inc | 発光素子表示装置 |
CN104103672B (zh) * | 2014-07-02 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled单元及其制作方法、oled显示面板、oled显示设备 |
CN104600199B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-08-04 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104701458B (zh) | 2015-03-24 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光器件及其制作方法、显示装置 |
KR102380132B1 (ko) * | 2015-09-22 | 2022-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
TW201838172A (zh) * | 2017-04-11 | 2018-10-16 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
WO2019164180A1 (ko) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 고려대학교 세종산학협력단 | 유기전계발광소자용 조성물, 이로부터 제조된 정공주입층 재료 및 정공주입층을 포함하는 유기전계발광소자 |
KR102597673B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2023-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11637258B2 (en) * | 2019-07-26 | 2023-04-25 | Nanosys, Inc. | Display devices with different light sources |
CN111785744A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
KR20050029426A (ko) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라필터층 또는 색변환층을 갖는 풀칼라 유기전계발광소자 |
KR100669757B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
KR100729089B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR100708714B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR100768230B1 (ko) | 2006-05-10 | 2007-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시소자 |
KR100858824B1 (ko) | 2007-05-31 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
JP2009071188A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
KR100932940B1 (ko) * | 2008-05-28 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR100947453B1 (ko) | 2008-06-18 | 2010-03-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계 발광 표시장치의 화소 구조 |
KR101058109B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101137392B1 (ko) | 2010-03-31 | 2012-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20110110589A (ko) * | 2010-04-01 | 2011-10-07 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
-
2011
- 2011-05-23 KR KR1020110048501A patent/KR101771581B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-24 TW TW100143214A patent/TWI625069B/zh active
- 2011-12-01 US US13/309,486 patent/US9343509B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-06 CN CN201210100122.9A patent/CN102800812B/zh active Active
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140081473A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140084859A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20140087320A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140095180A (ko) * | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140096438A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
KR20140104248A (ko) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR20140111839A (ko) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20140115688A (ko) * | 2013-03-21 | 2014-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20140140337A (ko) * | 2013-05-29 | 2014-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150020447A (ko) * | 2013-08-14 | 2015-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9231224B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-01-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
KR20150041360A (ko) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR20150043889A (ko) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와 이의 제조 방법 |
KR20150063785A (ko) * | 2013-12-02 | 2015-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2015105381A1 (ko) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치 |
US9887376B2 (en) | 2014-01-10 | 2018-02-06 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and lighting apparatus comprising the same |
KR20150105520A (ko) * | 2014-03-06 | 2015-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR101946406B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2019-02-11 | 베이징 비젼녹스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | Rgb 화소 영역을 구비하는 유기 전계 발광 장치 |
US10693107B2 (en) | 2014-12-31 | 2020-06-23 | Beijing Visionox Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescence device having RGB pixel areas |
KR20160091517A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US10079357B2 (en) | 2015-07-29 | 2018-09-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting pixel and organic light emitting display device including the same |
KR20190049872A (ko) * | 2016-10-13 | 2019-05-09 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20190038781A (ko) * | 2019-04-01 | 2019-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20190120139A (ko) * | 2019-10-16 | 2019-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI625069B (zh) | 2018-05-21 |
TW201249255A (en) | 2012-12-01 |
US9343509B2 (en) | 2016-05-17 |
CN102800812A (zh) | 2012-11-28 |
KR101771581B1 (ko) | 2017-08-28 |
US20120298968A1 (en) | 2012-11-29 |
CN102800812B (zh) | 2017-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101771581B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
KR101952706B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
US9577205B2 (en) | Organic light-emitting device | |
KR101945930B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR101407574B1 (ko) | 백색 유기 발광 소자 | |
KR101213498B1 (ko) | 유기 전계 발광 장치 | |
US9590203B2 (en) | Organic light-emitting device | |
KR102173040B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR20120131546A (ko) | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR102083985B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR102077141B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR102072798B1 (ko) | 보조 전극을 포함하는 유기 발광 소자 | |
US7659543B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
KR20130007307A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
CN101807671A (zh) | 有机发光二极管及其制造方法 | |
KR101642117B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR20160013345A (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US20220209121A1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same | |
KR20140030284A (ko) | 백색 유기 발광 소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |