KR20150105520A - 유기 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

애노드, 상기 애노드의 일면에 위치하는 정공 부대층, 상기 정공 부대층의 일면에 위치하는 발광층, 그리고 상기 발광층의 일면에 위치하는 캐소드를 포함하고, 상기 정공 부대층은 정공 주입층, 정공 수송층, 상기 정공 주입층과 상기 정공 수송층 사이에 위치하고 제1 HOMO 레벨을 가지는 제1 호스트와 p형 도펀트를 포함하는 제1 정공 수송 보조층, 그리고 상기 정공 주입층과 상기 정공 수송층 사이에 위치하고 제1 HOMO 레벨과 다른 제2 HOMO 레벨을 가지는 제2 호스트와 p형 도펀트를 포함하는 제2 정공 수송 보조층을 포함하는 유기 발광 장치에 관한 것이다.

Description

유기 발광 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
유기 발광 장치에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.
최근 이러한 한계를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 장치(organic light emitting diode device, OLED device)가 주목받고 있다.
유기 발광 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기층을 포함하며, 유기층은 발광층을 포함한다. 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
일 구현예는 전하 이동성을 높여 구동 전압을 낮추고 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 애노드, 상기 애노드의 일면에 위치하는 정공 부대층, 상기 정공 부대층의 일면에 위치하는 발광층, 그리고 상기 발광층의 일면에 위치하는 캐소드를 포함하고, 상기 정공 부대층은 정공 주입층, 정공 수송층, 상기 정공 주입층과 상기 정공 수송층 사이에 위치하고 제1 HOMO 레벨을 가지는 제1 호스트와 p형 도펀트를 포함하는 제1 정공 수송 보조층, 그리고 상기 정공 주입층과 상기 정공 수송층 사이에 위치하고 제1 HOMO 레벨과 다른 제2 HOMO 레벨을 가지는 제2 호스트와 p형 도펀트를 포함하는 제2 정공 수송 보조층을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
상기 제2 HOMO 레벨은 상기 제1 HOMO 레벨보다 높을 수 있다.
상기 정공 수송층은 상기 제2 호스트를 포함할 수 있다.
상기 제2 정공 수송 보조층은 상기 정공 수송층과 맞닿아 있을 수 있다.
상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트는 각각 약 5.0eV 내지 5.5eV의 HOMO 레벨을 가질 수 있다.
상기 정공 부대층은 상기 정공 주입층, 상기 제1 정공 수송 보조층, 상기 제2 정공 수송 보조층 및 상기 정공 수송층의 순서로 적층될 수 있다.
상기 유기 발광 장치는 상기 정공 주입층과 상기 제1 정공 수송 보조층 사이에 위치하는 청색 공통층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 정공 수송 보조층의 상기 p형 도펀트는 상기 제1 호스트 100 중량부에 대하여 약 0.01 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
상기 제2 정공 수송 보조층의 상기 p형 도펀트는 상기 제2 호스트 100 중량부에 대하여 약 0.01 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
상기 p형 도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물, 시아노 함유 화합물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 p형 도펀트는 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ), 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
전하 이동성을 높여 구동 전압을 낮추고 효율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 도 1의 유기 발광 장치의 에너지 레벨의 일 예를 보여주는 개략도이고,
도 3은 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이고,
도 4는 또 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이고,
도 5는 도 4의 유기 발광 장치의 에너지 레벨의 일 예를 보여주는 개략도이고,
도 6은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예에 따른 유기 발광 장치의 효율을 보여주는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 발광 장치에 대하여 도 1 및 도 2를 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 장치의 에너지 레벨의 일 예를 보여주는 개략도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 장치는 애노드(110), 애노드의 일면에 위치하는 정공 부대층(400), 정공 부대층(400)의 일면에 위치하는 발광층(300), 발광층(300)의 일면에 위치하는 전자 부대층(500) 및 전자 부대층(500)의 일면에 위치하는 캐소드(220)를 포함한다.
애노드(110)는 투명 도전체 또는 불투명 도전체로 만들어질 수 있다. 투명 도전체는 예컨대 ITO, IZO 또는 이들의 조합과 같은 도전성 산화물이거나 얇은 두께의 금속 박막일 수 있으며, 불투명 도전체는 예컨대 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 조합과 같은 금속일 수 있다. 하부 전극(100)이 투명 전극인 경우 하부로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있다.
정공 부대층(400)은 정공 주입층(410), 정공 수송층(420) 및 정공 주입층(410)과 정공 수송층(420) 사이에 위치하는 정공 수송 보조층(430)을 포함한다.
정공 주입층(410)은 애노드(110)로부터 정공의 주입을 용이하게 하여 정공 이동성을 높일 수 있다.
정공 수송층(420)은 발광층(300)과 인접하게 위치하여 발광층(300)으로 정공의 이동성을 높일 수 있다.
정공 수송 보조층(430)은 정공 주입층(410)에 가깝게 배치되어 있는 제1 정공 수송 보조층(431)과 정공 수송층(420) 사이에 가깝게 배치되어 있는 제2 정공 수송 보조층(432)을 포함한다.
제1 정공 수송 보조층(431)과 제2 정공 수송 보조층(432)은 p형 도펀트를 공통적으로 포함한 층으로, 정공 주입층(410)과 정공 수송층(420) 사이에 위치하여 정공의 개수를 확보하여 정공 이동도 및 발광층(300)으로의 이동 능력을 개선할 수 있다.
이때 제1 정공 수송 보조층(431)과 제2 정공 수송 보조층(432)은 서로 다른 에너지 레벨을 가진 다른 물질을 포함한다. 즉 제1 정공 수송 보조층(431)은 제1 HOMO 레벨을 가지는 제1 호스트와 p형 도펀트를 포함할 수 있고, 제2 정공 수송 보조층(432)은 제1 HOMO 레벨과 다른 제2 HOMO 레벨을 가지는 제2 호스트와 p형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제2 HOMO 레벨은 상기 제1 HOMO 레벨보다 높을 수 있다.
도 2를 참고하면, 제1 정공 수송 보조층(431)과 제2 정공 수송 보조층(432)은 각각 호스트와 p형 도펀트를 포함하며, 제2 정공 수송 보조층(432)의 HOMO 레벨(HOMO2)은 제1 정공 수송 보조층(431)의 HOMO 레벨(HOMO1)보다 높을 수 있다. 여기서 HOMO 레벨이 높다는 것은 진공 레벨(vacuum level)을 기준(0 eV)으로 할 때 에너지 레벨의 절대값이 큰 것을 의미한다.
이와 같이 HOMO 레벨이 상이한 제1 정공 수송 보조층(431)과 제2 정공 수송 보조층(432)을 포함함으로써 전자의 이동은 효과적으로 차단하고 정공의 이동은 효과적으로 높임으로써 구동 전압을 낮추고 효율을 개선할 수 있다.
제1 정공 수송 보조층(431)의 호스트와 제2 정공 수송 보조층(432)의 호스트는 각각 약 5.0eV 내지 5.5eV의 HOMO 레벨을 가질 수 있으며, 예컨대 관계식 1을 만족할 수 있다.
[관계식 1]
5.0eV ≤ 제1 HOMO 레벨 ≤ 제2 HOMO 레벨 ≤ 5.5eV
제1 정공 수송 보조층(431)의 호스트와 제2 정공 수송 보조층(432)의 호스트는 약 2.5eV 이하의 LUMO 레벨을 가질 수 있다. 상기 LUMO 레벨을 가짐으로써 전자 이동을 효과적으로 차단할 수 있다.
상기 p형 도펀트는 예컨대 퀴논 유도체, 금속 산화물, 시아노 함유 화합물 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 상기 퀴논 화합물은 예컨대 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 또는 이들의 조합을 들 수 있으며, 상기 금속 산화물은 예컨대 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 조합을 들 수 있으며, 상기 시아노 함유 화합물은 예컨대 하기 화합물 HT-D1을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화합물 HT-D1]
제1 정공 수송 보조층(431)의 p형 도펀트는 상기 호스트 100 중량부에 대하여 약 0.01 내지 20 중량부로 포함될 수 있고, 제2 정공 수송 보조층(432)의 p형 도펀트는 호스트 100 중량부에 대하여 약 0.01 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
정공 수송층(420)은 제2 정공 수송 보조층(432)의 호스트와 동일 물질을 포함할 수 있다.
발광층(300)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
발광층(300)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색들의 조합에 의해 백색 발광할 수 있으며, 이 때 색의 조합은 이웃하는 화소들의 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있고 수직 방향으로 적층된 색을 조합하여 백색 발광할 수도 있다.
전자 부대층(500)은 발광층(300)과 캐소드(220) 사이에 위치하여 전자의 이동성을 높여 발광 효율을 개선할 수 있다. 전자 부대층(500)은 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 차단층 등을 포함할 수 있고, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다. 전자 부대층(500)은 경우에 따라 생략될 수 있다.
캐소드(220)는 투명 도전체 또는 불투명 도전체로 만들어질 수 있다. 캐소드(220)는 예컨대 마그네슘(Mg) 또는 마그네슘 합금을 포함할 수 있으며, 여기서 마그네슘 합금은 예컨대 마그네슘-은 합금(MgAg), 마그네슘(Mg) 층과 은(Ag)층의 이중층 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 마그네슘-은 합금(MgAg)은 예컨대 마그네슘(Mg)과 은(Ag)이 약 10:1로 공증착된 합금일 수 있다.
캐소드(220) 위에는 캡핑층(capping layer, 도시하지 않음) 및/또는 밀봉층(encapsulation layer)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층은 캐소드(220)의 전면에 형성되어 캐소드(220)를 보호할 수 있으며, 밀봉층은 외부로부터 산소 및/또는 수분이 침투하는 것을 방지하여 유기 발광 장치를 보호할 수 있다.
상술한 구조를 가지는 유기 발광 장치에 대하여, 구동 전압 및 효율이 개선되는 효과를 평가한 결과, 구동 전압은 약 0.5V 낮아지고 효율은 약 20% 높아지는 결과를 확인하였다.
도 6은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예에 따른 유기 발광 장치의 효율을 보여주는 그래프이다.
여기서, 실시예 1은 제1 정공 수송 보조층으로서 HOMO 레벨 5.1eV 및 LUMO 레벨 2.2eV를 가지는 호스트와 F4-TCNQ 도펀트를 사용하였고 제2 정공 수송 보조층으로서 HOMO 레벨 5.3eV 및 LUMO 레벨 2.4eV를 가지는 호스트와 F4-TCNQ 도펀트를 사용하였다. 실시예 2는 제1 정공 수송 보조층으로서 HOMO 레벨 5.2eV 및 LUMO 레벨 2.3eV를 가지는 호스트와 F4-TCNQ 도펀트를 사용하였고 제2 정공 수송 보조층으로서 HOMO 레벨 5.4eV 및 LUMO 레벨 2.5eV를 가지는 호스트와 F4-TCNQ 도펀트를 사용하였다. 비교예 1은 실시예 1, 2의 제1 정공 수송 보조층과 동일 두께로 HOMO 레벨 5.1eV 및 LUMO 레벨 2.2eV를 가지는 호스트와 F4-TCNQ 도펀트를 사용하여 단일의 정공 수송 보조층을 형성하였다.
도 6을 참고하면, 실시예 1, 2에 따른 유기 발광 장치는 비교예 1에 따른 유기 발광 장치와 비교하여 동일 휘도에서 효율이 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 3은 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 적색을 표시하는 적색 화소, 녹색을 표시하는 녹색 화소 및 청색을 표시하는 청색 화소를 포함한 세 개의 화소를 함께 도시하였다. 적색, 녹색 및 청색은 풀 컬러(full color)를 표현하기 위한 기본 색의 한 예이며, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소는 풀 컬러를 표현하기 위한 기본 화소가 될 수 있다. 본 구현예에서 세 개의 화소는 하나의 군(group)을 이루어 행 및 열을 따라 반복되어 있다.
도 3을 참고하면, 박막 트랜지스터(TFT) 및 배선이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판(100) 위에 적색 화소의 애노드(110R), 녹색 화소의 애노드(110G) 및 청색 화소의 애노드(110B)가 형성되어 있다.
적색 화소의 애노드(110R), 녹색 화소의 애노드(110G) 및 청색 화소의 애노드(110B)의 일면에 전술한 정공 주입층(410), 정공 수송층(420) 및 정공 수송 보조층(430)이 공통층으로 형성되어 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 정공 주입층(410), 정공 수송층(420) 및 정공 수송 보조층(430) 중 적어도 하나는 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 중 일부 화소에만 형성될 수도 있다. 정공 수송 보조층(430)은 전술한 바와 같이 제1 정공 수송 보조층(431) 및 제2 정공 수송 보조층(432)을 포함하며, 자세한 내용은 전술한 바와 같다.
정공 수송층(420) 일면에는 발광층(300)이 형성되어 있으며, 발광층(300)은 적색 화소의 적색 발광층(300R), 녹색 화소의 녹색 발광층(300G)을 포함하며, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 공통층으로 형성되어 있는 청색 발광층(300B)을 포함한다. 이와 같이 공통층으로 청색 발광층(300B)을 사용함으로써 청색 발광층(300B)을 패터닝하는 단계가 생략되어 공정을 단순화할 수 있다.
발광층(300)의 일면에는 전자 부대층(500) 및 캐소드(220)가 형성되어 있다.
도 4는 또 다른 구현예에 따른 유기 발광 장치를 도시한 단면도이다.
도 4의 유기 발광 장치는 전술한 구현예와 마찬가지로, 박막 트랜지스터 기판(100), 적색 화소의 애노드(110R), 녹색 화소의 애노드(110G) 및 청색 화소의 애노드(110B), 정공 주입층(410), 정공 수송층(420) 및 정공 수송 보조층(430), 발광층(300), 전자 부대층(500) 및 캐소드(220)를 포함한다.
그러나 전술한 구현예와 달리, 공통층인 청색 발광층(300B)이 정공 주입층(410)과 정공 수송 보조층(430) 사이에 위치한다.
도 5는 도 4의 유기 발광 장치의 에너지 레벨의 일 예를 보여주는 개략도이다.
도 5 참고하면, 제1 정공 수송 보조층(431)과 제2 정공 수송 보조층(432)은 각각 호스트와 p형 도펀트를 포함하며, 제2 정공 수송 보조층(432)의 HOMO 레벨(HOMO2)은 제1 정공 수송 보조층(431)의 HOMO 레벨(HOMO1)보다 높을 수 있다. 전술한 바와 같이 HOMO 레벨이 상이한 제1 정공 수송 보조층(431)과 제2 정공 수송 보조층(432)을 포함함으로써 전자의 이동은 효과적으로 차단하고 정공의 이동은 효과적으로 높임으로써 구동 전압을 낮추고 효율을 개선할 수 있다. 정공 수송층(420)은 제2 정공 수송 보조층(432)의 호스트와 동일 물질을 포함할 수 있다.
제1 정공 수송 보조층(431)의 호스트와 제2 정공 수송 보조층(432)의 호스트는 각각 약 5.0eV 내지 5.5eV의 HOMO 레벨을 가질 수 있으며, 예컨대 관계식 1을 만족할 수 있다.
[관계식 1]
5.0eV ≤ 제1 HOMO 레벨 ≤ 제2 HOMO 레벨 ≤ 5.5eV
상기 p형 도펀트는 예컨대 퀴논 유도체, 금속 산화물, 시아노 함유 화합물 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 상기 퀴논 화합물은 예컨대 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 또는 이들의 조합을 들 수 있으며, 상기 금속 산화물은 예컨대 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 조합을 들 수 있으며, 상기 시아노 함유 화합물은 예컨대 상기 화합물 HT-D1을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100: 박막 트랜지스터 기판
110: 애노드
400: 정공 부대층
410: 정공 주입층
420: 정공 수송층
430: 정공 수송 보조층
500: 전자 부대층
220: 캐소드

Claims (11)

  1. 애노드,
    상기 애노드의 일면에 위치하는 정공 부대층,
    상기 정공 부대층의 일면에 위치하는 발광층, 그리고
    상기 발광층의 일면에 위치하는 캐소드
    를 포함하고,
    상기 정공 부대층은
    정공 주입층,
    정공 수송층,
    상기 정공 주입층과 상기 정공 수송층 사이에 위치하고 제1 HOMO 레벨을 가지는 제1 호스트와 p형 도펀트를 포함하는 제1 정공 수송 보조층, 그리고
    상기 정공 주입층과 상기 정공 수송층 사이에 위치하고 제1 HOMO 레벨과 다른 제2 HOMO 레벨을 가지는 제2 호스트와 p형 도펀트를 포함하는 제2 정공 수송 보조층
    을 포함하는 유기 발광 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 HOMO 레벨은 상기 제1 HOMO 레벨보다 높은 유기 발광 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 정공 수송층은 상기 제2 호스트를 포함하는 유기 발광 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제2 정공 수송 보조층은 상기 정공 수송층과 맞닿아 있는 유기 발광 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트는 각각 5.0eV 내지 5.5eV의 HOMO 레벨을 가지는 유기 발광 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 정공 부대층은 상기 정공 주입층, 상기 제1 정공 수송 보조층, 상기 제2 정공 수송 보조층 및 상기 정공 수송층의 순서로 적층되는 유기 발광 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 정공 주입층과 상기 제1 정공 수송 보조층 사이에 위치하는 청색 공통층을 더 포함하는 유기 발광 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 정공 수송 보조층의 상기 p형 도펀트는 상기 제1 호스트 100 중량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부로 포함되어 있는 유기 발광 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제2 정공 수송 보조층의 상기 p형 도펀트는 상기 제2 호스트 100 중량부에 대하여 0.01 내지 20 중량부로 포함되어 있는 유기 발광 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 p형 도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물, 시아노 함유 화합물 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 발광 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 p형 도펀트는 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ), 텅스텐 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 발광 장치.
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