CN203521479U - 有机发光装置和包含该装置的有机发光显示设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种有机发光装置和包含该装置的有机发光显示设备。该有机发光装置包含像素，每个像素包含三个子像素，每个子像素包含层状结构，单个的层包含有机化合物。该层状结构可包含有机发光层，提供允许建立增强亮度的微腔效应的厚度的共振辅助层，以及促进电子在电极和诸如掺杂辅助层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层及电子传输层的有机发光层之间迁移的层。
Description
优先权要求
本申请引用、在文中结合并要求于2012年7月24日向韩国知识产权局较早递交并在该局如期给予了编号10-2012-0080799的申请有机发光装置和包含该装置的有机发光显示设备的所有权益。
技术领域
本实用新型涉及一种使用有机化合物的能够自发光的有机发光装置，更具体地，涉及一种具有改善的驱动电压特性并可使用简单的制造方法制得的有机发光装置。
背景技术
有机发光装置（OLED）为自发光装置，具有诸如宽视角、优异的对比度、快响应、高亮度和优异的驱动电压特性等优点，它们可提供多色图像。由于这些特性，OLED受到的关注程度不断增长。
典型的OLED具有包含基板以及依次堆叠在基板上的阳极、空穴传输层（HTL）、有机发光层（EML）、电子传输层（ETL）和阴极的结构。HTL、有机EML和ETL主要由有机化合物形成。当在阳极和阴极之间施加电压时，由阳极注入的空穴通过HTL移动到EML，并且由阴极注入的电子通过ETL移动到EML。空穴和电子（载体）在有机EML中重新结合以产生激子。当激子由激发态降到基态时，会发出光。
根据制造全色有机发光装置的现有技术，可用真空沉积、旋涂或激光感应热成像制造红色、绿色和蓝色的有机EML。使用真空沉积技术，用荫罩形成用于每个子像素的红色、绿色和蓝色有机EML。激光感应热成像包括使用激光而非荫罩在每个子像素中形成图案。激光感应热成像的优势为：红色、绿色和蓝色有机EML可直接形成图案以具有不同的厚度，而不需要借助于额外的化学工艺。
然而，任何方法都会包括使用沉积或转移工艺至少三次以形成用于每个子像素的红色、绿色和蓝色有机EML，并且所含的精细图案可能导致错位问题。
实用新型内容
本实用新型提供了一种具有改善的驱动电压特性的有机发光装置，所述装置具有设置在全套三个子像素上的红色、绿色和蓝色有机发光层的一层，并且不需要精细图案。后一个特征比用现有技术方法预期的具有较少的错位。每个子像素都包含p型掺杂辅助层和具有对应于子像素的共振距离的厚度的共振辅助层。
本实用新型还提供了一种具有改善的驱动电压特性和改善的所含有机发光装置效率的有机发光显示设备。
根据本实用新型的第一个实施方式，提供了一种有机发光装置，包含：基板；第一子像素、第二子像素和第三子像素；在所述第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极；与所述第一电极的每个相对设置的第二电极；第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，每层都设置在各子像素的所述第一电极和所述第二电极之间，，所述第三有机发光层设置为所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的公共层，所述第一有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第一子像素中，所述第二有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第二子像素中；在所述第三有机发光层和所述第一有机发光层之间设置的第一共振辅助层；在所述第三有机发光层和所述第二有机发光层之间设置的第二共振辅助层；以及在所述第三有机发光层和所述第一共振辅助层之间设置的第一掺杂辅助层，和在所述第三有机发光层和所述第二共振辅助层之间设置的第二掺杂辅助层，所述第一掺杂辅助层和所述第二掺杂辅助层各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂。
所述p型掺杂剂可包括2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物（1,3,2-dioxaborin derivative）、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
所述p型掺杂剂可包括由通式1A至12A，通式1B至5B和9B，通式2C、3C和5C，通式3D和5D以及通式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L和5M表示的化合物中的至少一种：
通式1A 通式1B
通式2A 通式2B
通式2C 通式3A
通式3B 通式3C
通式3D 通式4A
通式4B 通式5A
通式5B 通式5C
通式5D 通式5E
通式5F 通式5G
通式5H 通式5I
通式5J 通式5K
通式5L 式5M
通式6A 通式7A
通式8A 通式9A
通式9B 通式10A
通式11A 通式12A
通式1A至12A，通式1B至5B和9B，通式2C、3C和5C，通式3D和5D以及通式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L和5M中R101、R102、R103和R109各自独立地选自氢原子、氟原子、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的甲氧基、取代或未取代的乙氧基和取代或未取代的丙氧基。
基于各自的掺杂辅助层的总重量，所述第一掺杂辅助层和所述第二掺杂辅助层的一层中所述p型掺杂剂的浓度可为约5wt%至约10wt%。
所述第一掺杂辅助层可与所述第一共振辅助层接触，并且所述第二掺杂辅助层可与所述第二共振辅助层接触。
所述第三有机发光层可为蓝色有机发光层。
所述第一共振辅助层和所述第二共振辅助层可具有取决于所述第一子像素和所述第二子像素的共振距离（resonance distances）而不同的厚度。所述共振距离反过来取决于由各个子像素发出的光的波长。
所述的有机发光装置可进一步包含在所述第三有机发光层和所述第一掺杂辅助层之间设置的第一电荷产生层，以及在所述第三有机发光层和所述第二掺杂辅助层之间设置的第二电荷产生层。
所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层可各自独立地包含选自2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
所述有机发光装置可进一步在每个子像素中包含在对应的第一电极和所述第三有机发光层之间设置的空穴注入层和空穴传输层中的至少一层。
所述有机发光装置可进一步包含在所述第二电极和所述第三有机发光层之间设置的电子注入层和电子传输层中的至少一层。
所述电子注入层和所述电子传输层中的至少一层可包含羟基喹啉锂（LiQ）和由以下化学式表示的化合物101中的至少一种：
所述有机发光装置可进一步包含在所述有机发光层的任意层和所述电子传输层之间设置的空穴阻挡层。
所述有机发光装置可为顶端发光类型的装置。
根据本实用新型的第二个实施方式，提供了一种有机发光装置，包含：基板；第一子像素、第二子像素和第三子像素；在所述第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极；与所述第一电极的每个相对设置的第二电极；第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，每层都设置在各子像素的第一电极和所述第二电极之间，所述第三有机发光层设置为所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的公共层，所述第一有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第一子像素中，所述第二有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第二子像素中；在所述第三有机发光层和所述第一有机发光层之间设置的第一上部共振辅助层；在所述第三有机发光层和所述第二有机发光层之间设置的第二上部共振辅助层；在所述第三有机发光层和所述第一上部共振辅助层之间设置的第一掺杂辅助层；在所述第三有机发光层和所述第二上部共振辅助层之间设置的第二掺杂辅助层；在所述第三有机发光层和所述第一掺杂辅助层之间设置的第一下部共振辅助层；以及在所述第三有机发光层和所述第二掺杂辅助层之间设置的第二下部共振辅助层，所述第一掺杂辅助层和所述第二掺杂辅助层各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂。
所述p型掺杂剂可包括2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5、富勒烯（C60）和由以下化学式表示的化合物201A和201B中的至少一种：
基于各自层的总重量，所述第一掺杂辅助层和所述第二掺杂辅助层的一层中的p型掺杂剂的量为约5wt%至约10wt%。
所述第一掺杂辅助层可与所述第一上部共振辅助层和所述第一下部共振辅助层两者接触，并且所述第二掺杂辅助层可与所述第二上部共振辅助层和所述第二下部共振辅助层两者接触。
所述第三有机发光层可为蓝色有机发光层。
所述第一上部共振辅助层、所述第一下部共振辅助层、所述第二上部共振辅助层和所述第二下部共振辅助层可具有取决于所述第一子像素和所述第二子像素的共振距离而不同的厚度。所述共振距离反过来取决于由各个子像素发出的光的波长。
所述的有机发光装置可进一步包含在所述第三有机发光层和所述第一下部共振辅助层之间设置的第一电荷产生层，以及在所述第三有机发光层和所述第二下部共振辅助层之间设置的第二电荷产生层。
所述第一电荷产生层和所述第二电荷产生层可各自独立地包含选自2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
所述有机发光装置可进一步包含在至少一个第一电极和对应的有机发光层之间设置的空穴注入层和空穴传输层中的至少一层。
所述有机发光装置可进一步包含在所述第二电极和所述第三有机发光层之间设置的电子注入层和电子传输层中的至少一层。
对于特定的子像素，所述电子注入层和所述电子传输层中的至少一层可包含羟基喹啉锂（LiQ）和由以下化学式表示的化合物101中的至少一种：
所述有机发光装置可进一步包含在所述有机发光层的任意层和所述电子传输层之间设置的空穴阻挡层。
所述有机发光装置可为顶端发光类型的装置。
根据本实用新型的第三个方面，提供了一种有机发光显示设备，包含：含有源极、漏极、栅极和有源层的晶体管，以及上述有机发光装置中的任一个，所述源极和所述漏极中的一个电连接至所述有机发光装置的至少一个第一电极。
附图说明
通过参照附图详细说明本实用新型的示例性实施方式，本实用新型的以上及其它特征和优点将变得更为明显，附图中：
图1为根据本实用新型一个实施方式的有机发光装置结构的示意性截面视图；
图2为根据本实用新型另一个实施方式的有机发光装置结构的示意性截面视图；
图3为根据本实用新型再一个实施方式的有机发光装置结构的示意性截面视图；
图4为根据本实用新型又一个实施方式的有机发光装置结构的示意性截面视图；
图5为根据实施例1至4和对比例1制造的有机发光装置中电流密度对驱动电压的曲线图；且
图6为显示了根据实施例1至4和对比例1制造的有机发光装置的寿命特性的曲线图。
具体实施方式
如本文所用，术语“和/或”包含一种或多种相关的所列项目的任意和全部组合。诸如“至少一种”的表述，当位于一系列元件之前时，修饰整列元件，而不是修饰该列中的单个元件。
现将详细地参照本实用新型的示例性实施方式，其实施例在附图中说明。
为了本实用新型的清楚性，不在本文叙述与本实用新型不相关的元件。整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。在附图中，层或区域的厚度和尺寸为了清楚而放大，因此没有按比例绘制。
图1为根据本实用新型一个实施方式的有机发光装置100的结构的截面视图。
参照图1，有机发光装置100包含基板101；第一子像素SP1，第二子像素SP2和第三像素SP3；在第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极110；与第一电极110的每个相对设置的第二电极150；在第一电极110和第二电极150之间设置并包含第一有机EML130R、第二有机EML130G和第三有机EML130B的有机发光层（EML）130；在第三有机EML130B和第一有机EML130R之间设置的第一共振辅助层126R；在第三有机EML130B和第二有机EML130G之间设置的第二共振辅助层126G；在第三有机EML130B和第一共振辅助层126R之间设置的第一掺杂辅助层125R；以及设置在第三有机EML130B和第二共振辅助层126G.之间设置的第二掺杂辅助层125G。
第一子像素SP1可在基板101上形成；第二子像素SP2可在基板101上形成并与第一子像素SP1相邻；第三子像素SP3可在基板101上形成并与第二子像素SP2相邻，第一、第二和第三子像素各自包含可在基板101上设置的第一电极110中的一个。
除了以上结构，为促进空穴的注入和传输，有机发光装置100可进一步包含第一电极110和有机EML130之间的空穴注入层121和空穴传输层122。为促进电子的注入和传输，有机发光装置100可进一步包含第二电极150和有机EML130之间的电子注入层141和电子传输层142。
有机发光装置100可为具有包含第一有机EML130R、第二有机EML130G和第三有机EML130B的有机EML130的全色有机发光装置。
有机发光装置100的红色、绿色和蓝色有机EML分别在具体的子像素内不形成图案；而是，红色、绿色和蓝色有机EML中的一层在含所有子像素的整个范围上作为公共层形成。也就是说，第三有机EML130B不仅限于第三子像素SP3内，而设置为第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3上的公共层。因此，不需要将第三有机EML130B在第三子像素SP3内形成精细图案，并因此可简化整体形成图案的工艺，并且不太可能发生错位。此外，由于用于第三有机EML130B的发光材料涂覆于基板101的整个表面上，所以发光材料可较少劣化，因此有机发光装置100相对于现有的全色有机发光装置可具有改善的稳定性。第一有机EML130R设置在第一子像素SP1中的第三有机EML130B上，而第二有机EML130G设置在第二子像素SP2中的第三有机EML130B上。
第三有机EML130B可为蓝色有机EML。蓝色有机EML相对于红色和绿色有机EML具有较短的寿命。因此，如果蓝色有机EML形成为三个子像素整组的公共层，电荷泄露会达最小，并且这有助于提高有机发光装置的寿命。在蓝色有机EML中，空穴的迁移率大于电子的迁移率，因此激子的产生会不平衡。为减少这种不平衡，蓝色有机EML可设置为有机EML130的较低区域中的公共层。第一有机EML130R可为红色有机EML，并且第二有机EML130G可为绿色有机EML。
用于调节每种颜色的光学厚度的共振辅助层126R和126G设置在有机发光装置100的第一子像素SP1和第二子像素SP2中。共振辅助层126R可在第一有机EML130R和第三有机EML130B之间，并且共振辅助层126G可在第二有机EML130G和第三有机EML130B之间。第三有机EML130B可为全部三个子像素所共有的层。掺杂辅助层125R可在共振辅助层126R和第三有机EML130B之间，并且掺杂辅助层125G可在共振辅助层126G和第三有机EML130B之间。
现将根据每个像素说明上述结构。在第一子像素SP1中，第三有机EML130B、第一掺杂辅助层125R、第一共振辅助层126R和第一有机EML130R可一个接一个连续地设置。在第二子像素SP2中，第三有机EML130B、第二掺杂辅助层125G、第二共振辅助层126G和第二有机EML130G可一个接一个连续地设置。在第三子像素SP3中，作为公共层的第三有机EML130B可在没有掺杂辅助层或共振辅助层的情况下设置。
第一共振辅助层126R和第二共振辅助层126G作为用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第一子像素SP1和第二子像素SP2共振距离的不同厚度的微腔效应。在本实用新型的一些实施方式中，第一有机发光层和第二有机发光层大体上厚度相同。
微腔效应可用于提高光利用效率，即亮度。可通过控制有机EML130中产生的可见光的光程长度，即各第一电极110和第二电极150之间的距离，诱导微腔效应。这可通过分别在对应的子像素中形成共振辅助层126R和126G而实现。用于使微腔效应最大化的第一电极110和第二电极150之间的距离可根据有机发光装置的子像素发出的光的颜色而改变，该最优距离对于发红光装置而言较大而对于发蓝光装置而言较小。
因此，通过在用于不同光色的第三有机EML130B和第一、第二有机EML130R和130G中的任意层之间设置具有不同厚度的共振辅助层126R和126G，可有效地提高亮度。在发红光的第一子像素SP1中可设置具有较大厚度的第一共振辅助层126R，并且在发蓝光的第三子像素SP3中可不设置共振辅助层或设置具有较小厚度的共振辅助层。比较第一和第二共振辅助层的厚度，如果第一子像素发出的光的波长大于第二子像素发出的光的波长，第一共振辅助层可比第二共振辅助层的厚度大，并且如果第一子像素发出的光的波长小于第二子像素发出的光的波长，第一共振辅助层可比第二共振辅助层的厚度小。
共振辅助层126R和126G可提供最大化的微腔效应，因而提高了亮度。但是，共振辅助层126R和126G可增加对应的子像素中的有机层的总厚度，因而增加了有机发光装置的驱动电压。为抑制这些缺点并改善驱动电压特性，第一和第二掺杂辅助层125R和125G可分别设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中。
第一掺杂辅助层125R和第二掺杂辅助层125G可各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂，可抑制各个子像素中由包含第一共振辅助层126R和第二共振辅助层126G引起的驱动电压的增加。
例如，p型掺杂剂可为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
例如，p型掺杂剂可为含氰基的化合物。含氰基的化合物的非限制实例为由通式1A至12A，通式1B至5B和9B，通式2C、3C和5C，通式3D和5D以及通式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L和5M表示的化合物：
通式1A 通式1B
通式2A 通式2B
通式2C 通式3A
通式3B 通式3C
通式3D 通式4A
通式4B 通式5A
通式5B 通式5C
通式5D 通式5E
通式5F 通式5G
通式5H 通式5I
通式5J 通式5K
通式5L 通式5M
通式6A 通式7A
通式8A 通式9A
通式9B 通式10A
通式11A 通式12A
在通式1A至12A，通式1B至5B和9B，通式2C、3C和5C，通式3D和5D以及通式5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L和5M中，R101、R102、R103和R109可各自独立地选自氢原子、氟原子、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的甲氧基、取代或未取代的乙氧基和取代或未取代的丙氧基。
由于有机发光装置100中的第一和第二掺杂辅助层125R和125G，驱动电压的增加可被抑制而与第一和第二共振辅助层126R和126G的厚度无关。因此，可自由地选择第一和第二共振辅助层126R和126G的材料和厚度。
基于该层材料的总重量，第一掺杂辅助层125R或第二掺杂辅助层125G中p型掺杂剂的有效浓度可为约5wt%至约10wt%。p型掺杂剂可从第一掺杂辅助层125R或第二掺杂辅助层125G的空穴传输材料接收电子，并产生空穴，因而提高空穴传输能力。当p型掺杂剂的量在该范围内时，第一和第二掺杂辅助层125R和125G可在空穴传输能力和空穴产生能力两个方面都令人满意。
第一掺杂辅助层125R可与第一共振辅助层126R接触，并且第二掺杂辅助层125G可与第二共振辅助层126G接触。当第一和第二掺杂辅助层125R和125G分别接触第一和第二共振辅助层126R和126G时，可形成第一和第二掺杂辅助层125R和125G以及第一和第二共振辅助层126R和126G，而不需要增加腔室（即被装置各层包围的空白空间）的数目。
图2为根据本实用新型另一个实施方式的有机发光装置200的结构的截面视图。
参照图2，有机发光装置200包含基板201；第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3；在第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极210；与第一电极210的每个相对设置的第二电极250；在第一电极210和第二电极250之间设置并包含第一有机EML230R、第二有机EML230G和第三有机EML230B的有机EML230；在第三有机EML230B和第一有机EML330R之间设置的第一共振辅助层226R；在第三有机EML230B和第二有机EML230G之间设置的第二共振辅助层226G；在第三有机EML230B和第一共振辅助层226R之间设置的第一掺杂辅助层225R；在第三有机EML230B和第二共振辅助层226G之间设置的第二掺杂辅助层225G；在第三有机EML230B和第一掺杂辅助层225R之间设置的第一电荷产生层224R；以及在第三有机EML230B和第二掺杂辅助层225G之间设置的第二电荷产生层224G。
第一子像素SP1可在基板201上形成；第二子像素SP2可在基板201上形成并与第一子像素SP1相邻；第三子像素SP3可在基板201上形成并与第二子像素SP2相邻，第一子、第二和第三子像素各自包含可在基板201上设置的第一电极210。
除了以上结构，为促进空穴的注入和传输，有机发光装置200可进一步包含第一电极210和有机EML230R、230G、230B之间的空穴注入层221和空穴传输层222。为促进电子的注入和传输，有机发光装置200可进一步包含第二电极250和有机EML230R、230G和230B之间的电子注入层241和电子传输层242。
现将根据每个像素说明本实用新型实施方式的有机发光装置200的EML230R、230G和230B，第一和第二共振辅助层226R和226G，第一和第二掺杂辅助层225R和225G，以及第一和第二电荷产生层224R和224G。在第一子像素SP1中，所有三个子像素所共有的层第三有机EML230B、第一电荷产生层224R、第一掺杂辅助层225R、第一共振辅助层226R和第一有机EML230R一个接一个连续地设置。在第二子像素SP2中，第三有机EML230B、第二电荷产生层224G、第二掺杂辅助层225G、第二共振辅助层226G和第二有机EML230G一个接一个连续地设置。在第三子像素SP3中，不需要电荷产生层、掺杂辅助层或共振辅助层而设置所有三个子像素所共有的层第三有机EML230B。
第一和第二电荷产生层224R和224G可由会捕获电子并产生空穴的单一材料形成。在第三有机EML230B和第一掺杂辅助层225R之间设置的第一电荷产生层224R可提高从第一电极210注入并传输的空穴的密度，因而促进空穴经第三有机EML230B向第一有机EML230R的迁移。同样，在第三有机EML230B和第二掺杂辅助层225G之间设置的第二电荷产生层224G可提高从对应的第一电极210注入并传输的空穴的密度，因而促进空穴经第三有机EML230B向第二有机EML230G的迁移。
第一电荷产生层224R和第二电荷产生层224G可各自独立地包含选自2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
第一共振辅助层226R作为用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第一子像素SP1共振距离的厚度的微腔效应。同样，第二共振辅助层226G作为用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第二子像素SP2共振距离的厚度的微腔效应。
第一掺杂辅助层225R和第二掺杂辅助层225G可各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂。第一掺杂辅助层225R可抑制由包含第一共振辅助层226R引起的驱动电压的增加，并且第二掺杂辅助层225G可抑制由包含第二共振辅助层226G引起的驱动电压的增加。
由于有机发光装置200中第一和第二掺杂辅助层225R和225G的存在，无论共振辅助层的厚度，由各个子像素层压材料中包含第一和第二共振辅助层226R和226G引起的驱动电压的增加可按与共振辅助层厚度无关的方式被抑制。因此，可自由地选择第一和第二共振辅助层226R和226G的材料和厚度，不用考虑它们对装置的驱动电压的影响。
图3为根据本实用新型另一个实施方式的有机发光装置300的结构的截面视图。
参照图3，有机发光装置300包含基板301；第一子像素SP1，第二子像素SP2和第三子像素SP3；在第一子、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极310；与第一电极310的每个相对设置的第二电极350；在第一电极310和第二电极350之间设置并包括第一有机EML330R、第二有机EML330G和第三有机EML330B的有机EML330；在第三有机EML330B和第一有机EML330R之间设置的第一上部共振辅助层326R’；在第三有机EML330B和第二有机EML330G之间设置的第二上部共振辅助层326G’；在第三有机EML330B和第一上部共振辅助层326R’之间设置的第一掺杂辅助层325R；在第三有机EML330B和第二上部共振辅助层326G’之间设置的第二掺杂辅助层325G；在第三有机EML330B和第一掺杂辅助层325R之间设置的第一下部共振辅助层326R”；以及在第三有机EML330B和第二掺杂辅助层325G之间设置的第二下部共振辅助层326G’’。
第一子像素SP1可在基板301上形成；第二子像素SP2可在基板301上形成并与第一子像素SP1相邻；第三子像素SP3可在基板301上形成并与第二子像素SP2相邻，第一子、第二和第三子像素各自包含可在基板301上设置的第一电极310。
除了以上结构，为促进空穴的注入和传输，有机发光装置300可进一步包含第一电极310和有机EML330R、330G和330B之间的空穴注入层321和空穴传输层322。为促进电子的注入和传输，有机发光装置300可进一步包含第二电极350和有机EML330R、330G和330B之间的电子注入层341和电子传输层342。
有机发光装置300可为具有包含第一有机EML330R、第二有机EML330G和第三有机EML330B的有机EML330的全色有机发光装置。
有机发光装置300的红色、绿色和蓝色有机EML分别在具体的子像素内不形成图案；而是，红色、绿色和蓝色有机EML中的一层作为扩展至所有三个子像素的公共层形成。也就是说，第三有机EML330B可设置为第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的公共层。因此，不需要将第三有机EML330B在第三子像素SP3内形成精细图案，并因此可简化整体形成图案的工艺，并且不太可能发生错位。此外，由于用于第三有机EML330B的发光材料涂覆于基板301的整个表面上，所以发光材料可较少劣化，以便有机发光装置300相对于现有的全色有机发光装置可具有改善的稳定性。第一有机EML330R设置在第一子像素SP1中的第三有机EML330B上，而第二有机EML330G设置在第二子像素SP2中的第三有机EML330B上。
第三有机EML330B可为蓝色有机EML。蓝色有机EML相对于红色和绿色有机EML具有更短的寿命。因此，如果蓝色有机EML形成为全部子像素的公共层，这样会使电荷泄露最小，因此有助于提高有机发光装置的寿命。在蓝色有机EML中，空穴的迁移率大于电子的迁移率，因此激子的产生会不平衡。为减少这种不平衡，蓝色有机EML可设置为贯穿所有三个子像素的公共层。第一有机EML330R可为红色有机EML，并且第二有机EML330G可为绿色有机EML。
用于调节每种颜色的光学厚度的共振辅助层326R’、326R’’、326G’和326G’’设置在有机发光装置300的第一子像素SP1和第二子像素SP2中。
第一和第二上部共振辅助层326R'和326G'可设置在所有三个子像素所共有的第三有机EML330B和对应的子像素中对应的第一和第二有机EML330R和330G中的一层之间。第一和第二下部共振辅助层326R"和326G"可设置在第三有机EML330B和随后将说明的对应的第一和第二掺杂辅助层325R和325G中的一层之间。第一和第二掺杂辅助层325R和325G可分别设置在第一上部和下部共振辅助层326R'和326R’’之间，以及在第二上部和下部共振辅助层326G’和326G’’之间。
现将根据每个像素说明上述结构。在第一子像素SP1中，第三有机EML330B、第一下部共振辅助层326R"、第一掺杂辅助层325R、第一上部共振辅助层326R'和第一有机EML330R可一个接一个连续地设置。在第二子像素SP2中，第三有机EML330B、第二下部共振辅助层326G"、第二掺杂辅助层325G、第二上部共振辅助层326G'和第二有机EML330G可一个接一个连续地设置。在第三子像素SP3中，作为公共层的第三有机EML330B可在没有共振辅助层或掺杂辅助层的情况下设置。
第一上部共振辅助层326R'和第一下部共振辅助层326R"作为在第一子像素SP1中用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第一子像素SP1共振距离的厚度的微腔效应。同样，第二上部共振辅助层326G'和第二下部共振辅助层326G"作为在第二子像素SP2中用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第二子像素SP2共振距离的厚度的微腔效应。
可通过控制有机EML330R、330G和330B中产生的可见光的光程长度，即第一电极310和第二电极350中的每个之间的距离，诱导微腔效应。这可通过在对应的子像素中形成共振辅助层326R'、326R"、326G'和326G"而实现。用于使微腔效应最大化的第一电极310和第二电极350中的每个之间的距离可根据有机发光装置发出的光的颜色而改变，并且对于发红光装置而言较大而对于发蓝光装置而言较小。
因此，通过在第三有机EML330B和用于不同光色的对应子像素中的第一和第二有机EML330R和330G中的任意层之间设置具有不同厚度的共振辅助层326R'、326R"、326G'、326G"，可有效地提高亮度。在发红光的第一子像素SP1中可设置具有较大厚度的第一上部和下部共振辅助层326R'和326R’’，并且在发蓝光的第三子像素SP3中可不设置共振辅助层或设置具有较小厚度的共振辅助层。
共振辅助层326R'、326R"、326G'和326G"可提供最大化的微腔效应，因而提高了亮度。但是，共振辅助层326R'、326R"、326G'和326G"可增加对应的子像素中的有机层的总厚度，因而增加了有机发光装置的驱动电压。为抑制这些缺点并改善驱动电压特性，第一和第二掺杂辅助层325R和325G可分别设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中。
第一掺杂辅助层325R和第二掺杂辅助层325G可各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂，可抑制由包含第一和第二共振辅助层326R’、326R’’、326G’和326G’’引起的驱动电压的增加。
例如，p型掺杂剂可为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
例如，p型掺杂剂可为由以下化学式表示的含氰基化合物201A或201B：
通过调节在第一下部共振辅助层326R"和第一上部共振辅助层326R'之间设置的第一掺杂辅助层325R，可抑制由包含共振辅助层引起的驱动电压的增加。因此，可自由地选择第一下部和上部共振辅助层326R’’和326R’的材料和厚度，不用考虑它们对装置的驱动电压的影响，。
同样，通过调节在第二下部共振辅助层326G"和第二上部共振辅助层326G'之间设置的第二掺杂辅助层325G，可抑制由包含共振辅助层引起的驱动电压的增加。因此，可自由地选择第二下部和上部共振辅助层326G’’和326G’的材料和厚度，不用考虑它们对装置的驱动电压的影响。
基于各自层材料的总重量，第一掺杂辅助层325R或第二掺杂辅助层325G中p型掺杂剂的量可为约5wt%至约10wt%。p型掺杂剂可从第一掺杂辅助层325R或第二掺杂辅助层325G的空穴传输材料接收电子，并产生空穴，因而提高层压材料内的空穴传输能力。当p型掺杂剂的量在该范围内时，第一和第二掺杂辅助层325R和325G可在空穴传输能力和空穴产生能力两个方面都令人满意。
第一掺杂辅助层325R可同时与第一上部共振辅助层326R'和第一下部共振辅助层326R"接触，并且第二掺杂辅助层325G可同时与第二上部共振辅助层326G'和第二下部共振辅助层326G"接触。当第一和第二掺杂辅助层325R和325G接触第一和第二共振辅助层326R'、326R"、326G'和326G"时，可形成第一和第二掺杂辅助层325R和325G以及第一和第二共振辅助层326R'、326R"、326G'和326G"，而不需要增加装置内形成的腔室的数目。
图4为根据本实用新型另一个实施方式的有机发光装置400的结构的截面视图。
参照图4，有机发光装置400包含基板401；第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3；在第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极；与第一电极410的每个相对设置的第二电极450；在第一电极410和第二电极450之间设置并包含第一有机EML430R、第二有机EML430G和第三有机EML430B的有机EML430；在第三有机EML430B和第一有机EML430R之间设置的第一上部共振辅助层426R’；在第三有机EML430B和第二有机EML430G之间设置的第二上部共振辅助层426G’；在第三有机EML430B和第一上部共振辅助层426R’之间设置的第一掺杂辅助层425R；在第三有机EML430B和第二上部共振辅助层426G’之间设置的第二掺杂辅助层425G；在第三有机EML430B和第二上部共振辅助层426G’之间设置的第二掺杂辅助层425G；在第三有机EML430B和第一掺杂辅助层425R之间设置的第一下部共振辅助层426R''；在第三有机EML330B和第二掺杂辅助层425G之间设置的第二下部共振辅助层426G’’；在第三有机EML430B和第一下部共振辅助层426R"之间设置的第一电荷产生层424R；以及在第三有机EML430B和第二下部共振辅助层426G"之间设置的第二电荷产生层424G。
第一子像素SP1可在基板401上形成；第二子像素SP2可在基板401上形成并与第一子像素SP1相邻；第三子像素SP3可在基板401上形成并与第二子像素SP2相邻，第一、第二和第三子像素各自包含可在基板401上设置的第一电极410。
除了以上结构，为促进空穴的注入和传输，有机发光装置400可进一步包含第一电极410和有机EML430R、430G和430B之间的空穴注入层421和空穴传输层422。为促进电子的注入和传输，有机发光装置400可进一步包含第二电极450和有机EML430R、430G和430B之间的电子注入层441和电子传输层442。
现将根据每个像素说明有机发光装置400的EML430R、430G和430B，第一和第二共振辅助层426R'、426R"、426G'和426G"，第一和第二掺杂辅助层425R和425G，以及第一和第二电荷产生层424R和424G。在第一子像素SP1中，所有三个子像素所共有的层第三有机EML430B、第一电荷产生层424R、第一下部共振辅助层426R"、第一掺杂辅助层425R、第一上部共振辅助层426R'和第一有机EML430R一个接一个连续地设置。在第二子像素SP2中，第三有机EML430B、第二电荷产生层424G、第二下部共振辅助层426G"、第二掺杂辅助层425G、第二上部共振辅助层426G'和第二有机EML430G一个接一个连续地设置。在第三子像素SP3中，作为公共层的第三有机EML430B在没有电荷产生层、掺杂辅助层或共振辅助层的情况下设置。
第一和第二电荷产生层424R和424G可由具有捕获电子并产生空穴能力的单一材料形成。在第三有机EML430B和第一下部共振辅助层426R"之间设置的第一电荷产生层424R可提高从第一电极410注入并传输的空穴的密度，因而促进空穴经第三有机EML430B向第一有机EML430R的迁移。同样，在第三有机EML430B和第二下部共振辅助层426G"之间设置的第二电荷产生层424R可提高从第一电极410注入并传输的空穴的密度，因而促进空穴经第三有机EML430B向第二有机EML430G的迁移。
第一电荷产生层424R和第二电荷产生层424G可各自独立地包含选自2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（F4-TCNQ）、7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、六氮杂三亚苯六腈（HAT-CN）、苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种。
第一上部共振辅助层426R'和第一下部共振辅助层426R"作为在第一子像素SP1中用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第一子像素SP1共振距离的厚度的微腔效应。同样，第二上部共振辅助层426G'和第二下部共振辅助层426G"作为在第二子像素SP2中用于调节光学厚度的辅助层提供了具有取决于第二子像素SP2共振距离的厚度的微腔效应。
第一掺杂辅助层425R和第二掺杂辅助层425G可各自可独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂。第一掺杂辅助层425R可抑制由子像素层压材料中包含第一上部共振辅助层426R'和第一下部共振辅助层426R"引起的驱动电压的增加，并且第二掺杂辅助层425G可抑制由子像素层压材料中包含第二上部共振辅助层426G'和第二下部共振辅助层426G"引起的驱动电压的增加。
由于有机发光装置400中第一和第二掺杂辅助层425R和425G的存在，由包含共振辅助层引起的驱动电压的增加可被抑制而不用考虑第一和第二共振辅助层426R'、426R"、426G'和426G"的厚度。因此，可自由地选择第一和第二共振辅助层426R'、426R"、426G'和426G"的材料和厚度，不用考虑它们对装置的驱动电压的影响。
下文将参照图1说明根据本实用新型实施方式的有机发光装置100的结构和制造该装置的方法。
首先，基板101可由包含SiO2作为主要组分的透明玻璃材料形成。在实施方式中，基板101可由透明塑料材料形成，但不限于此。塑料材料的实例为包括聚醚砜（PES）、聚丙烯酸酯（PAR）、聚醚酰亚胺（PEI）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚苯硫醚（PPS）、聚烯丙酯（polyallylate）、聚酰亚胺、聚碳酸酯（PC）、三乙酸纤维素（TAC）和醋酸丙酸纤维素（CAP）的绝缘有机材料。
基板101可由金属基板形成。例如，基板101可包括碳、铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢（SUS）、因瓦合金、因科镍合金（Inconel alloy）、科瓦合金（Kovar alloy）或它们的组合，但不限于此。例如，基板101可由金属箔形成。
在平坦化基板101的上表面后，绝缘层112可在基板101的上表面形成，以防止杂质元素的渗入其中。绝缘层112可由SiO2和/或SiNx形成，但不限于此。
第一电极110可设置在基板101上。第一电极110可通过沉积、溅射等由形成第一电极的材料形成。当第一电极110构成阳极时，可促进空穴注入的具有高功函的材料可用作第一电极形成材料。第一电极110可为反射电极或发射电极。具有高电导率的透明材料，例如ITO、IZO、SnO2和ZnO可用作形成第一电极的材料。在一些实施方式中，第一电极110可用镁（Mg）、铝（Al）、铝-锂（Al-Li）、钙（Ca）、镁-铟（Mg-In）、镁-银（Mg-Ag）等的一种形成为反射电极。第一电极110可具有单层结构或包含至少两层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构，但不限于此。
有机发光装置100可为顶端发光类型的装置。在这方面，第一电极110可形成为反射电极或可形成为在发射电极下具有反射板的发射电极。
例如，第一电极110和第二电极120可分别起到阳极和阴极的作用。然而，反过来也是可能的。
HIL121可设置在第一电极110上。HIL121可用各种方法，例如真空沉积、旋涂、铸造、Langmuir-Blodgett（LB）沉积等，在第一电极110上形成。当用真空沉积形成HIL121时，沉积条件可根据用于形成HIL121以及要形成的HIL121的结构和热性质而变化。例如，真空沉积可在约100℃至约500℃的温度、约10-8托至约10-3托的压力，并以约
至约
的沉积速度进行。当用旋涂形成HIL121时，涂覆条件可根据用于形成HIL121的化合物以及要形成的HIL121的结构和热性质而变化。例如，涂覆可在约2000rpm至约5000rpm的涂覆速率下进行并且用于涂覆后进行去除溶剂的热处理的温度可为约80℃至约200℃。
HIL形成材料的非限制实例为N,N’-二苯基-N,N’-双-[4-(苯基-间-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4’-二胺（DNTPD）、酞菁化合物如酞菁铜、4,4’,4’’-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺（NPB）、4,4’4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺（TDATA）、4,4’4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺（2T-NATA）、聚苯胺/十二烷基苯磺酸（Pani/DBSA）、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)（PEDOT/PSS）、聚苯胺/樟脑磺酸（Pani/CSA）和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)（PANI/PSS）。HIL121的厚度可为约
至约
并且在一些实施方式中，可为约至约
当HIL121的厚度在这些范围内时，HIL121可具有令人满意的空穴注入能力，而不引起驱动电压的显著增加。
HTL122可在HIL121上形成。当用真空沉积或旋涂形成HTL122时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成HTL122的材料而变化，但是用于沉积和涂覆的条件可与用于形成HIL121的条件相似。
合适的已知形成HTL材料的非限制实例为诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4'-二胺（TPD）、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺（TCTA）和N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺（NPB）。HTL122的厚度可为约
至约
并且在一些实施方式中，可为约至约
当HTL385的厚度在这些范围内时，HTL385可具有令人满意的空穴传输能力，而驱动电压没有显著增加。
如果HIL121和HTL122中的一层设置在第一电极110之一上，另一层也不能排除。在一些实施方式中，可形成HIL121和HTL122中的一层以包含表示空穴注入能力和空穴传输能力两者的多层。在一些实施方式中，可形成具有空穴注入能力和空穴传输能力两者的功能层（未显示），而非形成不同的HIL和HTL层。具有空穴注入能力和空穴传输能力两者的功能层可使用空穴注入层材料和空穴传输层材料的每组中的至少一种材料形成。功能层的厚度可为约至约
并且在一些实施方式中，可为约
至约
当具有空穴注入能力和空穴传输能力两者的功能层的厚度在这些范围内时，功能层可具有令人满意的空穴注入能力和空穴传输能力，而不引起驱动电压的显著增加。
在一些实施方式中，有机EML130可设置在HTL122或具有空穴注入能力和空穴传输能力两者的功能层（未显示）上。当用真空沉积或旋涂形成有机EML130时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成EML130的材料而变化，但是沉积和涂覆的条件可与用于形成HIL的条件相似。
作为用于有机EML130的主体的有效材料的非限制实例为Alq3、DPVBi（4,4'-双-(2,2’-二苯基-乙烯-1-基)联苯）、Gaq3（三(8-羟基喹啉)镓）、CBP（4,4’-N,N’-二咔唑-联苯基）、PVK（聚(n-乙烯基咔唑)）、ADN（9,10-二(萘-2-基)蒽）、TCTA（4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺）、TPBI（1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯）、TBADN（3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽）、E3（9,9,9’,9’,9’’,9’’-六乙基-9H,9’H,9’’H-[2,2’:7’,2’’]三芴、DSA（联苯乙烯）和dmCBP。
有机EML130可包含第一有机EML130R、第二有机EML130G和第三有机EML130B，这些层可分别对应于例如红色EML、绿色EML和蓝色EML。红色EML、绿色EML和蓝色EML中的至少一层可包含以下掺杂剂（ppy=苯基吡啶）。
对于蓝色EML有用的掺杂剂的非限制实例包括由以下化学式表示的化合物：
对于红色EML有用的掺杂剂的非限制实例包括由以下化学式表示的化合物：
对于绿色EML有用的掺杂剂的非限制实例包括由以下化学式表示的化合物：
可用在有机EML130中的掺杂剂的非限制实例包括由以下化学式表示的Pd络合物和Pt络合物：
可用在有机EML130中的掺杂剂的非限制实例包括由以下化学式表示的Os络合物。
当有机EML130同时包含主体材料和掺杂剂材料时，基于100重量份的主体材料，掺杂剂材料的量可为约0.01重量份至约25重量份。然而，掺杂剂材料的量不限于该范围。
首先，第三有机EML130B可形成为第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3上的公共层。例如，当蓝色EML形成为公共层时，在全部三个子像素上形成蓝色EML，然后可形成要分别限定在对应的子像素内的红色和绿色EML。第三有机EML130B可具有约
至约的厚度。当第三有机EML130B的厚度在该范围内时，可获得令人满意的颜色再现，而不会造成驱动电压的显著增加。第一有机发光层和第二有机发光层大体上厚度相同。
接着，第一掺杂辅助层125R可在第一子像素SP1内的第三有机EML130B上形成。可用掺杂了p型掺杂剂的形成空穴传输层的材料形成第一掺杂辅助层125R，基于第一掺杂辅助层125R的总重量，p型掺杂剂的量为约5wt%至约10wt%。当p型掺杂剂的量在该范围内时，可抑制由包含共振辅助层引起的驱动电压的增加。第一掺杂辅助层125R可具有约
至约
的厚度。当第一掺杂辅助层125R的厚度在该范围内时，可获得令人满意的颜色再现，而驱动电压的不会显著增加。
然后，第一共振辅助层126R可在第一子像素SP1内的第一掺杂辅助层125R上形成。可用形成空穴传输层的材料形成第一共振辅助层126R。基于第一子像素SP1的共振距离，第一共振辅助层126R的厚度可适当地选自
至约的范围内。如果第一子像素发出的光的波长大于第二子像素发出的光的波长，第一共振辅助层的厚度可大于第二共振辅助层的厚度，而如果第一子像素发出的光的波长小于第二子像素发出的光的波长，第一共振辅助层的厚度可小于第二共振辅助层的厚度。
最后，第一有机EML130R可在第一子像素SP1内的第一共振辅助层126B上形成。第一有机EML130R可具有约
至约
的厚度。当第一有机EML130R的厚度在该范围内时，可获得令人满意的颜色再现，而驱动电压不会显著增加。
同样，第二掺杂辅助层125G、第二共振辅助层126G和第二有机EML130G可在第二子像素SP2内的第三有机EML130B上连续形成。
电子传输层141可在有机EML130R、130G和130B上形成。当用真空沉积或旋涂形成ETL141时，虽然沉积和涂覆的条件可根据用于形成ETL141的材料而变化，但是沉积和涂覆的条件可与用于形成HIL121的条件相似。用于形成ETL141的材料的非限制实例包括喹啉衍生物，例如三(8-羟基喹啉)铝（Alq3）、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑（TAZ）、BAlq、双(苯并喹啉-10-羟基)铍（Bebq2）和9,10-二(萘-2-基)蒽（ADN），ETL141稳定地传输由用作电子注入电极的第二电极注入的电子。
ETL141的厚度可为约
至约
并且在一些实施方式中，可为约
至约
当ETL141的厚度在这些范围内时，ETL141可具有令人满意的电子传输能力，而驱动电压不会显著增加。
在一些实施方式中，除了电子传输材料，ETL141可进一步包括含金属的化合物。
含金属的化合物的非限制实例为羟基喹啉锂（LiQ）、以下化合物101和它们的混合物。
除了形成ETL的材料，ETL142可进一步包含1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六腈、四氰基醌二甲烷、蒽醌、苝酰亚胺（perylenebisimide）和四氰基蒽醌二甲烷中的至少一种。在一些实施方式中，除了形成ETL的材料，ETL142可进一步包含选自锂（Li）、铯（Cs）、钠（Na）、钾（K）、钙（Ca）、镁（Mg）、钡（Ba）和镭（Ra）中的一种金属；金属碳酸盐；金属醋酸盐；金属苯甲酸盐；金属乙酰醋酸盐；金属乙酰丙酮盐；以及金属硬脂酸盐。
除了形成ETL的材料，当ETL142进一步包含以上列出的材料中的至少一种时，可提高电子注入和传输能力。
可促进电子从第二电极150注入的EIL142可设置在EIL142上。EIL142的材料没有具体的限制。适合EIL142的材料可如上述，但不限于此。
形成EIL的材料的非限制实例可为本领域中已知的LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO。虽然沉积和涂覆的条件可根据用于形成EIL的材料而变化，但是用于形成EIL142的沉积和涂覆条件可与用于形成HIL121的条件相似。
EIL142的厚度可为约
至约
并且在一些实施方式中，可为约
至约
当EIL142的厚度在这些范围内时，EIL142可具有令人满意的电子注入能力，而驱动电压的不会显著增加。
第二电极150可设置在EIL142上。第二电极150可为电子注入电极的阴极。只要选择的材料具有低功函，用于形成第二电极150的材料可为金属、合金、导电化合物和它们的混合物中的一种。在一些实施方式中，第二电极150可为发射电极，并可形成为Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In和Mg-Ag等之一的薄膜。
在一些实施方式中，为制造顶端发光的装置，发射电极可由氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）形成。
参照图2，根据本实用新型另一个实施方式的有机发光装置200包含第一电荷产生层224R和第二电荷产生层224G。
第一电荷产生层224R可用选自F4-TCNQ（2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷）、TCNQ（7,7',8,8'-四氰基醌二甲烷）、HAT-CN（六氮杂三亚苯六腈）、PTCDA（苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐）、1,3,2-二氧杂环己硼烷衍生物、MoO3、WO3、ReO3、V2O5、SnO2、MnO2、CoO2、TiO2、ZnO、NiO、Mo(tfd)3、FeCl3、FeF3、SbCl5和富勒烯（C60）中的至少一种形成，第一电荷产生层224R在第一子像素SP1内的第三有机EML130B上形成。第一电荷产生层224R与第一掺杂辅助层225R的区别在于：第一电荷产生层224R由未掺杂的单一材料形成。第一电荷产生层224R可具有约
至约
的厚度。当第一电荷产生层224R的厚度在该范围内时，可获得令人满意的颜色再现，而驱动电压的不会显著增加。
第二电荷产生层224G可在第二子像素SP2内的第三有机EML130B上形成。第二电荷产生层224G的材料和厚度可根据第一电荷产生层224R的材料和厚度合适地选择。
根据本实用新型的实施方式，有机发光显示设备可包含：具有源极、漏极、栅极和有源层的晶体管；以及上述有机发光装置，晶体管的源极和漏极中的一个电连接至有机发光装置的至少一个第一电极。
晶体管的有源层可在以下多种形式的任意一种中，例如，作为非晶硅层、晶体硅层、有机半导体层或氧化物半导体层的形式。
如文中所用，取代的甲基表示其中至少一个氢原子被氘原子、卤原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、低级烷基、低级烯基、低级炔基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、-N(Q101)(Q102)和-Si(Q103)(Q104)(Q105)(Q106)（其中，Q101至Q106各自独立地选自由氢原子、低级烷基、低级烯基、低级炔基、C6至C30芳基和C2至C30杂芳基组成的组中）所取代的甲基。
如文中所用，取代的乙基、取代的丙基、取代的丁基、取代的乙烯基、取代的甲氧基、取代的乙氧基和取代的丙氧基是指其中至少一个氢原子被所列的与取代的甲基相关的取代基所取代的那些基团。
下文将参照以下实施例更详细地说明本实用新型。然而，这些实施例仅出于说明的目的，并非旨在限制本实用新型的范围。
实施例1
为制备阳极，将康宁的15Ω/cm2（）ITO玻璃基板切成50mm×50mm×0.7mm的大小，在异丙醇和纯水中各超声5分钟，然后超声清洗，接着用紫外线（UV）照射30分钟，然后暴露于臭氧以清洗。将得到的玻璃基板装入真空沉积装置。
在ITO玻璃基板上沉积2-TNATA以形成在阳极上具有约
厚度的HIL，然后在HIL上真空沉积4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯（NPS）以形成具有约
厚度的HTL。
在HTL上以约98:2的重量比共沉积作为主体的DPVBi和Zn(BOX)2以形成具有约
厚度的公共蓝色有机EML。
接着，在红色子像素区域中的蓝色有机EML上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第一掺杂辅助层，然后在第一掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约厚度的第一共振辅助层，并且在第一共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Gaq3和作为红色掺杂剂的DCJTB（4-(二氰基亚甲基）-2-叔-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛里定基-9-烯)-4H-吡喃），从而形成具有约
厚度的红色有机EML。
然后，在绿色子像素区域中的蓝色有机EML上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第二掺杂辅助层，然后在第二掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第二共振辅助层，并且在第二共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Alq3和作为绿色掺杂剂的DPT（5,12-二苯基并四苯），从而形成具有约
厚度的绿色有机EML。
在有机EML上沉积Alq3以形成具有约
厚度的ETL。
在ETL上真空沉积LiF以形成具有约
厚度的EIL，并且在EIL上真空沉积Al以形成具有约
厚度的阴极，从而完成具有LiF/Al电极的有机发光装置的制造。
实施例2
除了以如下方式进一步形成第一电荷产生层和第二电荷产生层以外，以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置。
在红色子像素区域中的蓝色有机EML上沉积HAT-CN以形成具有约
厚度的第一电荷产生层，然后在第一电荷产生层上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第一掺杂辅助层，在第一掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第一共振辅助层，并在第一共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Gaq3和作为红色掺杂剂的DCJTB，从而形成具有约
厚度的红色有机EML。
在绿色子像素区域中的蓝色有机EML上沉积HAT-CN以形成具有约厚度的第二电荷产生层，然后在第二电荷产生层上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第二掺杂辅助层，在第二掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约厚度的第二共振辅助层，在第二共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Alq3和作为绿色掺杂剂的DPT，从而形成具有约
厚度的绿色有机EML。
实施例3
除了以如下方式形成第一上部共振辅助层和第一下部共振辅助层代替第一共振辅助层，以及形成第二上部共振辅助层和第二下部共振辅助层代替第二共振辅助层以外，以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置。
在红色子像素区域中的蓝色有机EML上沉积NPB以形成具有约
厚度的第一下部共振辅助层，然后在第一下部共振辅助层上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第一掺杂辅助层，在第一掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第一上部共振辅助层，并在第一上部共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Gaq3和作为红色掺杂剂的DCJTB，从而形成具有约厚度的红色有机EML。
在绿色子像素区域中的蓝色有机EML上沉积NPB以形成具有约
厚度的第一下部共振辅助层，然后在第一下部共振辅助层上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第二掺杂辅助层，在第二掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第二上部共振辅助层，在第二上部共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Alq3和作为绿色掺杂剂的DPT，从而形成具有约
厚度的绿色有机EML。
实施例4
除了以如下方式形成另外的第一和第二电荷产生层、第一上部共振辅助层和第一下部共振辅助层代替第一共振辅助层，以及形成第二上部共振辅助层和第二下部共振辅助层代替第二共振辅助层以外，以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置。
在红色子像素区域中的蓝色有机EML上沉积HAT-CN以形成具有约
厚度的第一电荷产生层，然后在第一电荷产生层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第一下部共振辅助层，在第一下部共振辅助层上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约厚度的第一掺杂辅助层，在第一掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第一上部共振辅助层，并在第一上部共振辅助层上以约98:2的重量比共沉积作为主体的Gaq3和作为红色掺杂剂的DCJTB，从而形成具有约
厚度的红色有机EML。
在绿色子像素区域中的蓝色有机EML上沉积HAT-CN以形成具有约
厚度的第二电荷产生层，然后在第二电荷产生层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第二下部共振辅助层，在第二下部共振辅助层上以约97:3的重量比共沉积NPB和化合物201B以形成具有约
厚度的第二掺杂辅助层，在第二掺杂辅助层上沉积NPB以形成具有约
厚度的第二上部共振辅助层，并在第二上部共振辅助层上以约98∶2的重量比共沉积作为主体的Alq3和作为绿色掺杂剂的DPT，从而形成具有约
厚度的绿色有机EML。
对比例1
除了未形成实施例1的第一掺杂辅助层和第二掺杂辅助层以外，以与实施例1中相同的方式制造有机发光装置。
评估例
使用PR650（SpectroScan）源测量单元（购自PhotoResearch，Inc.）测量根据实施例1至4和对比例1制造的有机发光装置的绿色子像素中的驱动电压、发光效率和色坐标。结果显示于下表1中。
表1
参照表1，发现实施例1至4的有机发光装置与对比例1的有机发光装置相比具有较低的驱动电压和改善的发光。实施例1、2和4的有机发光装置的驱动电压远小于对比例1的有机发光装置的驱动电压。实施例2的有机发光装置的驱动电压比对比例1的有机发光装置的驱动电压低约4V。
图5为根据实施例1至4和对比例1制造的有机发光装置中电流密度对驱动电压的曲线图。参照图5，与对比例1的有机发光装置相比，实施例1、2和4的有机发光装置具有较低的驱动电压，并且实施例3的有机发光装置具有与对比例1
Claims (19)
1.一种有机发光装置，包含：
基板；
第一子像素、第二子像素和第三子像素；
在所述第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极；
与所述第一电极的每个相对设置的第二电极；
第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，每层都设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第三有机发光层设置为所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的公共层，所述第一有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第一子像素中，所述第二有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第二子像素中；
在所述第三有机发光层和所述第一有机发光层之间设置的第一共振辅助层；
在所述第三有机发光层和所述第二有机发光层之间设置的第二共振辅助层；
在所述第三有机发光层和所述第一共振辅助层之间设置的第一掺杂辅助层；和
在所述第三有机发光层和所述第二共振辅助层之间设置的第二掺杂辅助层，所述第一掺杂辅助层和所述第二掺杂辅助层各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，所述第一掺杂辅助层与所述第一共振辅助层接触，所述第二掺杂辅助层与所述第二共振辅助层接触。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，所述第三有机发光层为蓝色有机发光层。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，所述第一共振辅助层和所述第二共振辅助层分别具有对应于所述第一子像素和所述第二子像素的共振距离的厚度。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，进一步包含在所述第三有机发光层和所述第一掺杂辅助层之间设置的第一电荷产生层，以及在所述第三有机发光层和所述第二掺杂辅助层之间设置的第二电荷产生层。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，进一步包含空穴注入层和空穴传输层中的至少一层，所述空穴注入层和空穴传输层中的至少一层设置在至少一个第一电极和所述第三有机发光层之间。
7.如权利要求1所述的有机发光装置，进一步包含电子注入层和电子传输层中的至少一层，所述电子注入层和电子传输层中的至少一层设置在所述第二电极和所述第三有机发光层之间。
8.如权利要求7所述的有机发光装置，进一步包含在所述第三有机发光层和所述 电子传输层之间设置的空穴阻挡层。
9.如权利要求1所述的有机发光装置，所述有机发光装置为顶端发光类型的装置。
10.一种有机发光装置，包含：
基板；
第一子像素、第二子像素和第三子像素；
在所述第一、第二和第三子像素的每个中设置的第一电极；
与所述第一电极的每个相对设置的第二电极；
第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，每层都设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第三有机发光层设置为所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的公共层，所述第一有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第一子像素中，所述第二有机发光层设置在所述第三有机发光层上的所述第二子像素中；
在所述第三有机发光层和所述第一有机发光层之间设置的第一上部共振辅助层；
在所述第三有机发光层和所述第二有机发光层之间设置的第二上部共振辅助层；
在所述第三有机发光层和所述第一上部共振辅助层之间设置的第一掺杂辅助层；
在所述第三有机发光层和所述第二上部共振辅助层之间设置的第二掺杂辅助层，所述第一掺杂辅助层和所述第二掺杂辅助层各自独立地包含空穴传输材料和p型掺杂剂；
在所述第三有机发光层和所述第一掺杂辅助层之间设置的第一下部共振辅助层；和
在所述第三有机发光层和所述第二掺杂辅助层之间设置的第二下部共振辅助层。
11.如权利要求10所述的有机发光装置，所述第一掺杂辅助层与所述第一上部共振辅助层和所述第一下部共振辅助层两者接触，并且所述第二掺杂辅助层与所述第二上部共振辅助层和所述第二下部共振辅助层两者接触。
12.如权利要求10所述的有机发光装置，所述第三有机发光层为蓝色有机发光层。
13.如权利要求10所述的有机发光装置，所述第一上部共振辅助层、所述第一下部共振辅助层、所述第二上部共振辅助层和所述第二下部共振辅助层具有对应于所述第一子像素和所述第二子像素的共振距离的厚度。
14.如权利要求10所述的有机发光装置，进一步包含在所述第三有机发光层和所述第一下部共振辅助层之间设置的第一电荷产生层，以及在所述第三有机发光层和所述第二下部共振辅助层之间设置的第二电荷产生层。
15.如权利要求10所述的有机发光装置，进一步包含空穴注入层和空穴传输层中 的至少一层，所述空穴注入层和空穴传输层中的至少一层设置在至少一个第一电极和所述第三有机发光层之间。
16.如权利要求10所述的有机发光装置，进一步包含电子注入层和电子传输层中的至少一层，所述电子注入层和电子传输层中的至少一层设置在所述第二电极和所述第三有机发光层之间。
17.如权利要求16所述的有机发光装置，进一步包含在所述第三有机发光层和所述电子传输层之间设置的空穴阻挡层。
18.如权利要求16所述的有机发光装置，所述有机发光装置为顶端发光类型的装置。
19.一种有机发光显示设备，包含
含有源极、漏极、栅极和有源层的晶体管；和
权利要求1至18中任一项所述的有机发光装置，
所述源极和所述漏极中的一个电连接至所述有机发光装置的第一电极中的至少一个。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140402 |
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| CX01 | Expiry of patent term |