CN114512617A - 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法，以改善发光器件中光利用率低，电子空穴注入不平衡，发光效率低的问题。所述发光器件，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述第一电极一侧的第二电极；所述第一电极与所述第二电极之间设置有至少一层光调节层，所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生载流子，所述载流子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。

Description

一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法。
背景技术
随着量子点材料的发展、器件结构的不断优化和电荷有效输运等研究的持续深入，量子点电致发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)显示将超越光致发光的量子点增亮膜和量子点彩色滤光片，有望成为下一代主流显示技术。
在QLED器件中，影响器件外量子效率的因素主要有三个，包括量子点材料的光致发光量子产率(Photoluminescence Quantum Yield，PLQY)、器件中载流子注入平衡以及出光率。由于QLED器件采用“三明治”式多层堆叠结构，其发出的光约75％被器件内部层与层之间全反射引起的波导模式、ITO玻璃与空气之间的基底模式以及金属电极之间产生的表面等离子体效应等非辐射耦合方式所耗散，最终只有约25％的光可以从器件中发射出来。因此提高光利用率是QLED器件中需要解决的问题。此外，载流子注入不平衡是QLED中常见的问题，由于器件中经常出现电子或者空穴过多的情况，会导致量子点带电，严重影响量子点的发光稳定性以及器件效率及寿命。因此，需要通过精确设计QLED器件结构来优化载流子注入平衡，从而提高器件性能。
发明内容
本发明提供一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法，以改善发光器件中光利用率低，电子空穴注入不平衡，发光效率低的问题。
本发明实施例提供一种发光器件，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述第一电极一侧的第二电极；
所述第一电极与所述第二电极之间设置有至少一层光调节层，所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生载流子，所述载流子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
在一种可能的实施方式中，所述发光层具有多个出射不同光波段的发光部，所述光调节层具有与不同所述发光部对应的调节部，不同所述调节部的带隙不同。
在一种可能的实施方式中，所述调节部的带隙与对应的所述发光部出射的光波长呈负相关。
在一种可能的实施方式中，所述发光层包括出射第一光波段的第一发光部，出射第二光波段的第二发光部，以及出射第三光波段的第三发光部，其中，所述第一光波段的波长范围大于第二光波段的波长范围，第二光波段的波长范围大于第三光波段的波长范围；
所述光调节层包括：与所述第一发光部对应的第一调节部，与所述第二发光部对应的第三调节部，与所述第三发光部对应的第三调节部；
所述第一调节部的带隙大于0eV且小于或等于1.97eV，所述第二调节部的带隙大于1.97eV且小于或等于2.3eV，所述第三调节部的带隙大于2.3eV且小于或等于2.8eV。
在一种可能的实施方式中，所述发光层发出的光经所述第一电极出射，所述光调节层位于所述第二电极与所述发光层之间。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生电子，所述电子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生空穴，所述空穴在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
在一种可能的实施方式中，所述发光层发出的光经所述第二电极出射，所述光调节层位于所述第一电极与所述发光层之间。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生空穴，所述空穴在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
在一种可能的实施方式中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生电子，所述电子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
在一种可能的实施方式中，至少一层所述光调节层位于所述发光层的一侧且与所述发光层相邻。
在一种可能的实施方式中，所述发光器件还包括：位于所述第一电极与所述发光层之间的第一功能层，位于所述发光层与所述第二电极之间的第二功能层；
所述光调节层位于所述第一功能层与所述发光层之间，或者，所述光调节层位于所述第二功能层与所述发光层之间。
在一种可能的实施方式中，所述发光器件还包括：位于所述第一电极与所述发光层之间的第一功能层，位于所述发光层与所述第二电极之间的第二功能层；
所述光调节层位于所述第一功能层与所述第一电极之间，或者，所述光调节层位于所述第二功能层与所述第二电极之间。
在一种可能的实施方式中，所述光调节层的材料为可见光光催化材料。
在一种可能的实施方式中，所述光调节层的材料包括以下之一或组合：
钒酸铋；
磷酸铋；
碘酸铋；
钛酸铋；
钒酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
磷酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
碘酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
钛酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
硼酸盐；
硼酸盐的贵金属负载衍生物；
二氧化钛；
二氧化钛的离子掺杂衍生物。
在一种可能的实施方式中，所述光调节层的厚度为1nm～100nm。
在一种可能的实施方式中，所述发光层为量子点发光层；或者，所述发光层为有机发光层。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述发光器件。
本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述发光器件的制作方法，包括：
在衬底基板的一侧形成第一电极；
在所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧形成发光层；
在所述发光层的背离所述第一电极的一侧形成第二电极；
其中，在衬底基板的一侧形成第一电极之后，以及在所述发光层的背离所述第一电极的一侧形成第二电极之前，所述制作方法还包括：
在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层。
在一种可能的实施方式中，所述在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：
形成钨酸铋光催化剂；
通过涂覆、蒸镀、溅射或打印工艺将所述钨酸铋光催化剂形成于所述第一电极与所述第二电极之间。
在一种可能的实施方式中，所述形成钨酸铋光催化剂，包括：。
按照摩尔比为第一预设比，称取Bi(NO3)3·5H2O和Na2WO4·2H2O；
将Na2WO4·2H2O溶解于蒸馏水中，经磁力搅拌第一时长，形成第一溶液；
将Bi(NO3)3·5H2O溶解于第一浓度的HNO3溶液中，经磁力搅拌第二时长，形成第二溶液；
在搅拌的同时，将所述第一溶液逐滴加入所述第二溶液中，形成混合溶液；
分别用第一浓度的HCl溶液和第二浓度的NaOH溶液，调节所述混合溶液的pH，超声分散第三时长，得到均匀混合的前驱体溶液；
将所述前驱体溶液倒入反应釜中，加蒸馏水，使反应液总体积占所述反应釜容积的第一预设比例；
密封所述反应釜，并转移至鼓风干燥箱中，设置反应温度和反应时间进行水热反应；
待反应完成后将所述反应釜自然冷却至室温，取出所述反应釜内沉淀物，用蒸馏水和无水乙醇分别离心洗涤第一预设次数；
于第一温度的烘箱中烘干第四时长，用研钵研磨，,放入马弗炉内煅烧；
再次研磨，得到钨酸铋光催化剂。
在一种可能的实施方式中，所述在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：在所述第一电极与所述发光层之间形成所述光调节层；
或者，所述在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：在所述发光层与所述第二电极之间形成所述光调节层。
本发明实施例有益效果如下：该显示面板所应用的阵列基板中，金属氧化物薄膜晶体管以金属纳米粒子层作为有源层的保护层，可以在刻蚀源电极和漏电极时对有源层进行保护，避免对有源层被腐蚀所造成的器件不良；同时金属纳米粒子层具有良好的导电性，具有较好的热稳定性，对金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺要求较低，从而实现工艺简单、低成本的金属氧化物薄膜晶体管制备。
附图说明
图1为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之二；
图3为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之三；
图4为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之四；
图5为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之五；
图6为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之六；
图7为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之七；
图8为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之八；
图9为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之九；
图10为本发明实施例提供的一种发光器件的能级结构示意图；
图11为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图之十；
图12为本发明实施例提供的一种发光器件的制作流程示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图1，本发明实施例提供一种发光器件，包括：衬底基板1，位于衬底基板1一侧的第一电极21，位于第一电极21背离衬底基板一侧的发光层3，以及位于发光层3背离第一电极21一侧的第二电极22；
第一电极21与第二电极22之间设置有至少一层光调节层4，光调节层4受发光层3发出的光照射时产生载流子，载流子在第一电极21和第二电极22产生的电场作用下进入发光层。具体的，载流子可以为电子，也可以为空穴。
本发明实施例中，第一电极与第二电极之间设置有至少一层光调节层，光调节层可以在受发光层发出的光照射时产生载流子，而载流子在第一电极和第二电极产生的电场作用下可以进入发光层，一方面，可以利用发光层发出的光产生载流子，该载流子进入发光层，可以重新参与发光过程，进而可以提高发光层发出的光的利用率，提高光利用率，另一方面，通过合理设置光调节层的位置，可以使光调节层产生的载流子改善电子空穴注入平衡，提高发光器件的效率。
在具体实施时，光调节层4可以设置于出光方向的反向路径上，可以利用非出光方向上的光产生载流子，避免对出光方向的光吸收会影响发光器件本身的出光效率，即，发光器件工作时发光层发出的光会向两个方向传播，一个方向的光从透明电极方向发出，用于显示，另一个方向的光通过器件中的另一侧传输层产生反射折射吸收或者波导效应产生光损耗，本发明实施例中，通过将光调节层设置于出光方向的反向路径上，会吸收发光层发出的非显示用的光进行激发电子跃迁，从而使载流子在发光器件电场作用下向发光层注入，从而提高光利用率。
具体的，例如，参见图2所示，发光层3发出的光经第一电极21出射，即，发光器件为底发射结构，衬底基板1的背离第一电极21的一面为显示面，光调节层4位于第二电极与发光层之间。
又例如，参见图3所示，发光层3发出的光经第二电极22出射，发光器件为顶发射结构，光调节层4位于第一电极21与发光层3之间。
在具体实施时，由光调节层4产生的、进入到发光层3的载流子具体可以是电子，也可以是空穴，可以根据光调节层4的设置位置，以及第一电极21与第二电极22产生的电场来确定。
具体的，例如，以图2所示的底发射结构为例，第一电极21可以为阳极，第二电极22可以为阴极，电场的方向为由第一电极21指向第二电极22(如图4虚线箭头所示，其中，图4中实线箭头为出光方向)，光调节层4受发光层3发出的光照射时产生电子，电子在第一电极21和第二电极22产生的电场作用下进入发光层，即，对于光调节层4位于发光层3与第二电极22之间而言，光调节层4受光照产生的电子会向发光层3一侧移动，而产生的空穴会向第二电极22一侧移动，进而最终进入到发光层3的为电子，该种光调节层4的设置结构可以应用于存在进入到发光层3的空穴数量大于电子数量的空穴-电子注入不平衡情况的发光器件。通过光调节层3产生的电子，可以对底发射结构中，单位时间内到达发光层3的空穴数量大于电子数量的空穴-电子注入不平衡情况进行调控。
又例如，以图2所示的底发射结构为例，第一电极21为阴极，第二电极22为阳极，电场的方向为由第二电极22指向第一电极21(如图5虚线箭头所示，其中，图5中实线箭头为出光方向)；光调节层4受发光层3发出的光照射时产生空穴，空穴在第一电极21和第二电极22产生的电场作用下进入发光层3，即，光调节层4受发光层3发出的光照射时产生电子，电子在第一电极21和第二电极22产生的电场作用下进入第二电极22，而产生的空穴会向发光层3一侧移动，进而最终进入到发光层3的为空穴。该种光调节层4的设置结构可以应用于存在进入到发光层3的电子数量大于空穴数量的空穴-电子注入不平衡情况的发光器件。通过光调节层3产生的空穴，可以对底发射结构中，单位时间内到达发光层3的电子数量大于空穴数量的空穴-电子注入不平衡情况进行调控。
又例如，以图3所示的顶发射结构为例，第一电极21为阳极，第二电极22为阴极，电场的方向为由第一电极21指向第二电极22(如图6虚线箭头所示，其中，图6中实线箭头为出光方向)；光调节层4受发光层3发出的光照射时产生空穴，空穴在第一电极21和第二电极22产生的电场作用下进入发光层3，即，对于光调节层4位于发光层3与第一电极21之间而言，光调节层4受光照产生的电子会向第二电极22一侧移动，而产生的空穴会向发光层3一侧移动，进而最终进入到发光层3的为空穴。该种光调节层4的设置结构可以应用于存在进入到发光层3的电子数量大于空穴数量的空穴-电子注入不平衡情况的发光器件。通过光调节层3产生的空穴，可以对顶发射结构中，单位时间内到达发光层3的电子数量大于空穴数量的空穴-电子注入不平衡情况进行调控。
又例如，以图3所示的顶发射结构为例，第一电极21为阴极，第二电极22为阳极，电场的方向为由第二电极22指向第一电极21(如图7虚线箭头所示，其中，图7中实线箭头为出光方向)；光调节层4受发光层3发出的光照射时产生电子，电子在第一电极21和第二电极22产生的电场作用下进入发光层，即，对于光调节层4位于发光层3与第一电极21之间而言，光调节层4受光照产生的电子会向发光层3一侧移动，而产生的空穴会向第一电极21一侧移动，进而最终进入到发光层3的为电子，该种光调节层4的设置结构可以适用存在进入到发光层3的空穴数量大于电子数量的空穴-电子注入不平衡发光器件。通过光调节层3产生的电子，可以对顶发射结构中，单位时间内到达发光层3的空穴数量大于电子数量的空穴-电子注入不平衡情况进行调控。
在具体实施时，对于空穴-电子注入不平衡的具体情况，可以根据具体的发光器件包括的膜层结构以及每一膜层选择的材料进行经验判断知晓，或者，也可以根据实验进行测试获得，例如，发光器件的结构为依次位于衬底基板一侧的阳极/空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层/阴极，测试该种器件结构下的发光效率，再通过再电子传输层和阴极层之间插入一层更有利于电子注入的电子注入层，若插入电子注入层后。器件的发光效率升高，则说明原发光器件存在单位时间内到达发光层3的空穴数量大于电子数量的空穴-电子注入不平衡情况。当然，在具体实施时，还可以通过其它方式测试发光器件为何种空穴-电子注入不平衡情况，本发明不以此为限。
在具体实施时，光调节层4位于发光层3的一侧且与发光层3相邻。本发明实施例中，光调节层4位于发光层3的一侧且与发光层3相邻，可以减少光调节层3产生的载流子移动到发光层的路径，进而使较多的载流子进入发光层3中。
在具体实施时，参见图8和图9所示，发光器件还包括：位于第一电极21与发光层3之间的第一功能层51(第一功能层51具体可以包括第一子功能层511和第二子功能层522)，位于发光层3与第二电极22之间的第二功能层53；光调节层4位于第一功能层51与发光层3之间，如图8所示；或者，光调节层4位于第二功能层52与发光层3之间。具体的，若第一电极21为阳极，第二电极22为阴极，第一子功能层511可以为空穴注入层，第二子功能层512可以为空穴传输层，第二功能层52可以为电子传输层。
具体的，图10示出了本发明实施例提供的一种量子点发光器件的光调节层在电场作用下的移动示意图，具体的量子点发光器件包括依次位于衬底基板一侧的阳极(具体材料可以为氧化铟锡ITO)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、量子点发光层(QDs)、光调节层(具体材料可以为光催化剂)、电子传输层(ETL)、阴极(具体材料可以为Al)，其中，光调节层在受量子点发光层(QDs)发出的光照射时，产生电子和空穴，其中，电子在由阳极指向阴极的电场(如图10中箭头所示)作用下迁移到量子点发光层(QDs)，进而可以在量子点发光层中参与电致发光过程，提高发光器件的光利用率，并对发光器件中的电子和空穴进行平衡。
在另一些实施例中，位于第一电极21与发光层3之间的第一功能层51(第一功能层51具体可以包括第一子功能层511和第二子功能层522)，位于发光层3与第二电极22之间的第二功能层53；光调节层4位于第一功能层51与第一电极21之间；或者，光调节层4位于第二功能层52与第二电极22之间。具体的，若第一电极21为阳极，第二电极22为阴极，第一子功能层511可以为空穴注入层，第二子功能层512可以为空穴传输层，第二功能层52可以为电子传输层。
在具体实施时，参见图11所示，发光层3可以具有多个出射不同光波段的发光部30，光调节层4具有与不同发光部对应的调节部40，不同调节部40的带隙不同。具体的，可以是调节部40在衬底基板1的正投影与发光部30在衬底基板1的正投影一一对应重合。具体的，发光层3包括出射第一光波段(例如，630nm～720nm，红光波段)的第一发光部31，出射第二光波段(例如，530nm～630nm，绿光波段)的第二发光部32，以及出射第三光波段(例如，450nm～530nm，蓝光波段)的第三发光部33，其中，第一光波段的波长范围大于第二光波段的波长范围，第二光波段的波长范围大于第三光波段的波长范围；光调节层4包括：与第一发光部31对应的第一调节部41，与第二发光部32对应的第三调节部42，与第三发光部33对应的第三调节部43。本发明实施例中，不同调节部40的带隙不同，可以根据出射不同光波段的发光部30对应设置不同带隙的调节部40，以使每一调节部40都可以吸收与对应的发光部30匹配的光，进而提高对应不同像素的光利用率以及发光效率。
具体的，调节部40的带隙与对应的发光部30出射的光波长呈负相关。即，例如，第一发光部31出射的光波段范围大于第二发光部32出射的光波段范围，则，与第一发光部31对应的第一调节部41的带隙，小于与第二发光部32对应的第二调节部42的带隙。具体的，第一调节部的带隙大于0eV且小于或等于1.97eV(Eg＝hv/λ＝1240/630)，第二调节部的带隙大于1.97eV且小于或等于2.3eV(Eg＝hv/λ＝1240/530)，第三调节部的带隙大于2.3eV且小于或等于2.8eV(Eg＝hv/λ＝1240/450)。
在具体实施时，光调节层可以为一层均匀致密的薄膜(例如，用于出射单色光的发光器件中)，或孤立岛状沉积(例如，用于出射多种光波段的显示器件中)，或二维纳米棒或纳米线形式。
在具体实施时，光调节层4的材料为可见光光催化材料。具体的，光调节层的材料包括以下之一或组合：
钒酸铋；
磷酸铋；
碘酸铋；
钛酸铋；
钒酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
磷酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
碘酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
钛酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
硼酸盐；
硼酸盐的贵金属负载衍生物；
二氧化钛；
二氧化钛的离子掺杂衍生物。
具体的，由钒酸铋、磷酸铋、碘酸铋、钛酸铋、钒酸铋的重金属离子掺杂衍生物、磷酸铋的重金属离子掺杂衍生物、碘酸铋的重金属离子掺杂衍生物、钛酸铋的重金属离子掺杂衍生物、硼酸盐、硼酸盐的贵金属负载衍生物、二氧化钛、二氧化钛的离子掺杂衍生物之中任意两者或两者以上的组合，可以形成二聚体或异质多聚体。具体的，对钒酸铋、磷酸铋、碘酸铋、钛酸铋、钒酸铋进行重金属离子掺杂，即，对应形成的重金属离子掺杂衍生物、磷酸铋的重金属离子掺杂衍生物、碘酸铋的重金属离子掺杂衍生物，可以实现带隙的调整。具体的，对二氧化钛离子掺杂形成的二氧化钛的离子掺杂衍生物，可以实现带隙的调整。具体的，硼酸盐的贵金属负载衍生物，相对于硼酸盐，可以具有更高的催化活性，在光照时可以产生更多的载流子。
在具体实施时，光调节层4的厚度为1nm～100nm。具体的，随着光调节层4膜层厚度的增大，能够吸收发光层发射光子被激发的材料更多，产生的载流子更多，因此其载流子贡献能力也更强，其厚度可以根据发光器件的实际电子和空穴注入情况进行调控，可以为1nm～100nm中任一数值。
在具体实施时，发光层3可以为量子点发光层。
在具体实施时，发光层3页可以为有机发光层。
为了更清楚地理解本发明实施例提供的发光器件中光调节层的设置目的，以下对本发明实施例设置的光调节层的调节原理进行如下说明：
发光器件工作时，发光层发光激发一侧的光调节层使其电子跃迁至导带，价带留下空穴，若将光调节层沉积在电子传输层一侧(如发光层与电子传输层之间)，则其导带电子会在电场作用下向量子点层注入，此种情况适用于单位时间内到达发光层的空穴数量大于电子数量的空穴-电子注入不平衡情况；若将光调节层沉积在空穴传输层一侧(如发光层与空穴传输层之间)，则其价带的空穴会在电场作用下定向注入量子点层，此种情况适用于单位时间内到达发光层的电子数量大于空穴数量的空穴-电子注入不平衡情况；在发光器件中加入一层光调节层的作用之一在于，提取发光器件中原本会损耗掉的光，利用这部分光激发光催化剂产生电子空穴，注入量子点层，提高器件载流子平衡。
在具体实施时，光调节层的厚度：光调节层的厚度可为1nm-100nm之间任一厚度，根据器件中载流子注入的实际情况进行调节。当光调节层的厚度较薄时，光调节层产生的电子空穴较少，对于载流子不平衡的修正作用较小；当光调节层的厚度很厚时，对于载流子不平衡的修正作用更强，但会使器件起亮电压提高。因此光调节层厚度需根据器件实际载流子注入情况进行调控，在具体实施时，通过调节光调节层的厚度，使单位时间内到达发光层的电子数量与单位时间内到达发光层的空穴数量之差的绝对值小于或等于一定阈值，使空穴-电子注入平衡或基本平衡，最终达到提高发光器件的发光效率的目的。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的发光器件。
基于同一发明构思，参见图12所示，本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的发光器件的制作方法，包括：
步骤S100、在衬底基板的一侧形成第一电极；
步骤S200、在第一电极的背离衬底基板的一侧形成发光层；
步骤S300、在发光层的背离第一电极的一侧形成第二电极；
其中，在衬底基板的一侧形成第一电极之后，以及在发光层的背离第一电极的一侧形成第二电极之前，制作方法还包括：
步骤S400、在第一电极与第二电极之间形成至少一层光调节层。具体的，在第一电极与第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：
步骤S410、形成钨酸铋光催化剂；
步骤S420、通过涂覆、蒸镀、溅射或打印工艺将钨酸铋光催化剂形成于第一电极与第二电极之间。
具体的，对于步骤S410，形成钨酸铋光催化剂，包括：
步骤S4111、按照摩尔比为第一预设比，称取Bi(NO3)3·5H2O和Na2WO4·2H2O；
步骤S4112、将Na2WO4·2H2O溶解于蒸馏水中，经磁力搅拌第一时长，形成第一溶液；
步骤S4113、将Bi(NO3)3·5H2O溶解于第一浓度的HNO3溶液中，经磁力搅拌第二时长，形成第二溶液；
步骤S4114、在搅拌的同时，将第一溶液逐滴加入第二溶液中，形成混合溶液；
步骤S4115、分别用第一浓度的HCl溶液和第二浓度的NaOH溶液，调节混合溶液的pH，超声分散第三时长，得到均匀混合的前驱体溶液；
步骤S4116、将前驱体溶液倒入反应釜中，加蒸馏水，使反应液总体积占反应釜容积的第一预设比例；
步骤S4117、密封反应釜，并转移至鼓风干燥箱中，设置反应温度和反应时间进行水热反应；
步骤S4118、待反应完成后将反应釜自然冷却至室温，取出反应釜内沉淀物，用蒸馏水和无水乙醇分别离心洗涤第一预设次数；
步骤S4119、于第一温度的烘箱中烘干第四时长，用研钵研磨，,放入马弗炉内煅烧；
步骤S4120、再次研磨，得到钨酸铋光催化剂。
在具体实施时，对于步骤S400，在第一电极与第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：在第一电极与发光层之间形成光调节层。即，在形成第一电极之后，形成光调节层，之后，形成发光层，再形成第二电极。
在具体实施时，对于步骤S400，在第一电极与第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：在发光层与第二电极之间形成光调节层。即，在形成第一电极之后，形成发光层，之后，形成光调节层，再形成第二电极。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例中，第一电极与第二电极之间设置有至少一层光调节层，光调节层可以在受发光层发出的光照射时产生载流子，而载流子在第一电极和第二电极产生的电场作用下可以进入发光层，一方面，可以利用发光层发出的光产生载流子，该载流子进入发光层，可以重新参与发光过程，进而可以提高发光层发出的光的利用率，提高光利用率，另一方面，通过合理设置光调节层的位置，可以使光调节层产生的载流子改善电子空穴注入平衡，提高发光器件的效率。
为了更清楚地理解本发明实施例提供的发光器件的制作方法，以下以光调节层的材料为钨酸铋为例，进行进一步详细说明：
(a)、钨酸铋光催化剂的具体制备流程如下：
按照摩尔比2∶1称取Bi(NO3)3·5H2O和Na2WO4·2H2O，将Na2WO4·2H2O溶解于一定量的蒸馏水中(记为A溶液，也即第一溶液)，Bi(NO3)3·5H2O溶解于0.4mol/L的HNO3溶液中(记为B溶液，也即第二溶液)，两种溶液经磁力搅拌30min形成无色透明溶液，然后在搅拌下将A溶液逐滴加入B溶液中，并分别用浓度为1mol/L的HCl和NaOH溶液调节混合溶液pH，超声分散30min，得到均匀混合的前驱体溶液.将前驱体溶液倒入内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中，加蒸馏水使反应液总体积占水热反应釜容积的80％，然后密封反应釜，并转移至鼓风干燥箱中，设置反应温度和反应时间进行水热反应.待反应完成后将反应釜自然冷却至室温，取出反应釜内沉淀物用蒸馏水和无水乙醇分别离心洗涤3次(离心机转速为8000r/min)，于80℃烘箱中烘干12h，用玛瑙研钵研磨，再放入马弗炉内煅烧，再次研磨，即得到Bi2WO6光催化剂；
(b)、量子点发光器件的制备：
在含有ITO阳极的衬底基板上，采用涂覆工艺制备空穴注入层，如涂覆PEDOT：PSS等空穴注入材料；而后依次涂覆空穴传输层、量子点、钨酸铋光催化剂、电子传输层(如ZnO纳米颗粒)；之后蒸镀阴极金属薄层，阴极可采用Al层等，约为500-1000nm，蒸镀结束之后进行封装，完成量子点发光器件的制备。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (22)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的第一电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述第一电极一侧的第二电极；
所述第一电极与所述第二电极之间设置有至少一层光调节层，所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生载流子，所述载流子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
2.如权利要1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层具有多个出射不同光波段的发光部，所述光调节层具有与不同所述发光部对应的调节部，不同所述调节部的带隙不同。
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述调节部的带隙与对应的所述发光部出射的光波长呈负相关。
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括出射第一光波段的第一发光部，出射第二光波段的第二发光部，以及出射第三光波段的第三发光部，其中，所述第一光波段的波长范围大于第二光波段的波长范围，第二光波段的波长范围大于第三光波段的波长范围；
所述光调节层包括：与所述第一发光部对应的第一调节部，与所述第二发光部对应的第三调节部，与所述第三发光部对应的第三调节部；
所述第一调节部的带隙大于0eV且小于或等于1.97eV，所述第二调节部的带隙大于1.97eV且小于或等于2.3eV，所述第三调节部的带隙大于2.3eV且小于或等于2.8eV。
5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层发出的光经所述第一电极出射，所述光调节层位于所述第二电极与所述发光层之间。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生电子，所述电子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
7.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生空穴，所述空穴在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
8.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层发出的光经所述第二电极出射，所述光调节层位于所述第一电极与所述发光层之间。
9.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生空穴，所述空穴在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
10.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；所述光调节层受所述发光层发出的光照射时产生电子，所述电子在所述第一电极和所述第二电极产生的电场作用下进入所述发光层。
11.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，至少一层所述光调节层位于所述发光层的一侧且与所述发光层相邻。
12.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：位于所述第一电极与所述发光层之间的第一功能层，位于所述发光层与所述第二电极之间的第二功能层；
所述光调节层位于所述第一功能层与所述发光层之间，或者，所述光调节层位于所述第二功能层与所述发光层之间。
13.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：位于所述第一电极与所述发光层之间的第一功能层，位于所述发光层与所述第二电极之间的第二功能层；
所述光调节层位于所述第一功能层与所述第一电极之间，或者，所述光调节层位于所述第二功能层与所述第二电极之间。
14.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光调节层的材料为可见光光催化材料。
15.如权利要求14所述的发光器件，其特征在于，所述光调节层的材料包括以下之一或组合：
钒酸铋；
磷酸铋；
碘酸铋；
钛酸铋；
钒酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
磷酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
碘酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
钛酸铋的重金属离子掺杂衍生物；
硼酸盐；
硼酸盐的贵金属负载衍生物；
二氧化钛；
二氧化钛的离子掺杂衍生物。
16.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述光调节层的厚度为1nm～100nm。
17.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层为量子点发光层；或者，所述发光层为有机发光层。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-17任一项所述的发光器件。
19.一种如权利要求1-16任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的一侧形成第一电极；
在所述第一电极的背离所述衬底基板的一侧形成发光层；
在所述发光层的背离所述第一电极的一侧形成第二电极；
其中，在衬底基板的一侧形成第一电极之后，以及在所述发光层的背离所述第一电极的一侧形成第二电极之前，所述制作方法还包括：
在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层。
20.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：
形成钨酸铋光催化剂；
通过涂覆、蒸镀、溅射或打印工艺将所述钨酸铋光催化剂形成于所述第一电极与所述第二电极之间。
21.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，所述形成钨酸铋光催化剂，包括：
按照摩尔比为第一预设比，称取Bi(NO3)3·5H2O和Na2WO4·2H2O；
将Na2WO4·2H2O溶解于蒸馏水中，经磁力搅拌第一时长，形成第一溶液；
将Bi(NO3)3·5H2O溶解于第一浓度的HNO3溶液中，经磁力搅拌第二时长，形成第二溶液；
在搅拌的同时，将所述第一溶液逐滴加入所述第二溶液中，形成混合溶液；
分别用第一浓度的HCl溶液和第二浓度的NaOH溶液，调节所述混合溶液的pH，超声分散第三时长，得到均匀混合的前驱体溶液；
将所述前驱体溶液倒入反应釜中，加蒸馏水，使反应液总体积占所述反应釜容积的第一预设比例；
密封所述反应釜，并转移至鼓风干燥箱中，设置反应温度和反应时间进行水热反应；
待反应完成后将所述反应釜自然冷却至室温，取出所述反应釜内沉淀物，用蒸馏水和无水乙醇分别离心洗涤第一预设次数；
于第一温度的烘箱中烘干第四时长，用研钵研磨，,放入马弗炉内煅烧；
再次研磨，得到钨酸铋光催化剂。
22.如权利要求19所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：在所述第一电极与所述发光层之间形成所述光调节层；
或者，所述在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少一层光调节层，包括：在所述发光层与所述第二电极之间形成所述光调节层。
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