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Description
[1.発光素子]
図1(A)と図2はそれぞれ、第1実施形態の表示装置100の模式的な断面図と上面図である。図2の鎖線A−A’に沿った断面が図1(A)に相当する。図2に示すように、表示装置100は複数の画素102を有している。図2では、隣接する三つの画素として、第1の画素102b、第2の画素102g、第3の画素102rが示されている。隣接するこれらの画素102は互いに異なる色を与えることができる。例えば赤色、緑色、青色の三原色を与える3種類の画素102を配置することができ、これにより、フルカラー表示を行うことが可能となる。以下、第1の画素102b、第2の画素102g、第3の画素102rがそれぞれ、青色、緑色、赤色を与えるとして説明を行うが、隣接する二つの画素102間で発光色を与えるように構成されていれば、表示装置100の構成は上記構造に限られない。例えば、第2の画素102gから得られる発光波長が、第1の画素102bから得られる発光波長よりも長く、第3の画素102rから得られる発光波長よりも短くなるよう、表示装置100を構成することができる。ここで発光波長とは、画素102から得られる発光ピーク波長、画素102内に設けられる発光素子104(後述)の発光ピーク波長、あるいは発光素子104の発光材料の発光ピーク波長に相当する。
表示装置100にはさらに、第2の電極110上に共振構造を配置することができる。共振構造は、図1(A)に示すように、複数のキャップ層(第1のキャップ層130、第2のキャップ層132、第3のキャップ層134、第4のキャップ層136)によって構成することができる。
各発光素子104上に設けられるキャップ層は、第2の電極110を通して発光素子104から取り出される光を共振さるための共振構造として機能する。例えば第1の発光素子104bの場合、共振構造は、厚さCP1の第1のキャップ層130と厚さCP4の第4のキャップ層136である。発光層118bから得られる光は直接、あるいは第1の発光素子104b内(すなわち、第1の電極106の上面と第2の電極110の底面間)で共振した後、第2の電極110を通して第1のキャップ層130へ入射する。入射した光は、第1のキャップ層130と第4のキャップ層136内で共振する。
本実施形態では、第1実施形態の表示装置100、140とは異なる構造を有する表示装置150について説明する。表示装置100では、隣接する画素102間で異なる発光層118を有するが、表示装置150は、隣接する画素102間で同一の発光層118を有する。具体的には図1(C)に示すように、表示装置150の発光層118は、第1の画素102b、第2の画素102g、第3の画素102rで共通の構造を有し、第1の画素102bから第2の画素102gを経由して第3の画素102rへ延伸する。すなわち発光層118は、第1の画素102b、第2の画素102g、第3の画素102rによって共有される。
本実施形態では、発光素子104上の共振構造だけでなく、最適化された共振構造を含有する発光素子104を有する表示装置160、170に関して説明を行う。第1、第2実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
本実施形態では、第1から第3実施形態で示した表示装置100、140、150、160、170とは異なる構造を有する表示装置180に関して説明を行う。第1から第3実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。
本実施形態では、本発明の表示装置100の製造方法に関して説明する。第1乃至第4実施形態と同様の構成については、説明を割愛することがある。
図12(A)に示すように、まず基板200上に下地膜212を形成する。基板200は、トランジスタ220など、表示領域204に含まれる半導体素子や発光素子104などを支持する機能を有する。したがって基板200には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、基板200はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。
次に平坦化膜230を、トランジスタ220を覆うように形成する(図13(A))。平坦化膜230は、トランジスタ220などに起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜230は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられる。平坦化膜230は、上述した湿式成膜法などによって形成することができる。
次に、第2の電極110上に第1のキャップ層130を形成する(図16(B))。第1のキャップ層は湿式成膜法、あるいは乾式成膜法によって形成することができる。蒸着法で形成する場合には、メタルマスクを用いて行うことができる。この場合、表示領域204の形状に対応する比較的大きな開口部を有するメタルマスクを使用することができる。このため、精度の高いマスクアライメントが不要であり、効率よく第1のキャップ層130を形成することができる。
表示装置100は、任意の構成として、パッシベーション膜(封止膜)250などを有することができる。例えば図19に示すように、第1の層252、第2の層254、第3の層256が積層されたパッシベーション膜250を形成してもよい。
Claims (20)
- 第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子をそれぞれ有する第1の画素、第2の画素、第3の画素と、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子の上に位置し、前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子からそれぞれ出射される光を共振させるキャップ層を有し、
前記キャップ層は、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子の上に重なり、前記第2の画素を経て前記第1の画素から前記第3の画素へ延伸する第1のキャップ層と、
前記第1のキャップ層上に位置し、前記第2の発光素子と重なる第2のキャップ層と、
前記第1のキャップ層上に位置し、前記第3の発光素子と重なる第3のキャップ層と、
前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層、前記第3のキャップ層上の第4のキャップ層を有し、
前記第1の画素、前記第2の画素、前記第3の画素はこの順に配列し、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子はそれぞれ、
第1の電極と、
前記第1の電極上に位置し、前記第1の電極と接する正孔輸送領域と、
前記正孔輸送領域上に位置し、前記正孔輸送領域と接する発光層と、
前記発光層上に位置し、前記発光層と接する電子輸送領域と、
前記電子輸送領域上に位置し、前記電子輸送領域と接する第2の電極を有し、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子は、前記第2の発光素子の発光波長が、前記第3の発光素子の発光波長よりも短く、前記第1の発光素子の発光波長よりも長くなるように構成され、
前記第3のキャップ層の厚さは、前記第2のキャップ層の厚さよりも大きい表示装置。 - 前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層、前記第3のキャップ層は、同一の有機化合物を含む、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層、前記第3のキャップ層の一つは、他の一つが含有する有機化合物と異なる有機化合物を含む、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第4のキャップ層は無機化合物を含み、前記第2の画素を経て前記第1の画素から前記第3の画素へ延伸する、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第4のキャップ層の厚さは、前記第1のキャップ層の厚さよりも大きく、前記第1のキャップ層の前記厚さと前記第2のキャップ層の前記厚さの和以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1のキャップ層の厚さは、前記第2のキャップ層の前記厚さよりも大きく、前記第3のキャップ層の前記厚さ以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の発光素子の前記発光層の厚さは、前記第1の発光素子の前記発光層の厚さよりも大きく、前記第3の発光素子の前記発光層の厚さ以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1のキャップ層の厚さは、前記第1の発光素子の前記発光層の前記厚さよりも大きく、
前記第1のキャップ層の前記厚さと前記第2のキャップ層の前記厚さの和は、前記第2の発光素子の前記発光層の前記厚さよりも大きく、
前記第1のキャップ層の前記厚さと前記第3のキャップ層の前記厚さの和は、前記第3の発光素子の前記発光層の厚さよりも大きい、請求項7に記載の表示装置。 - 前記第2の発光素子の前記第1の電極の上面と前記第2の電極の底面間の距離は、前記第1の発光素子のそれよりも大きく、前記第3の発光素子のそれよりも小さい、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2の発光素子の前記正孔輸送領域の厚さは、前記第1の発光素子のそれよりも大きく、前記第3の発光素子のそれよりも小さい、請求項1に記載の表示装置。
- 第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子をそれぞれ有する第1の画素、第2の画素、第3の画素と、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子の上に位置し、前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子からそれぞれ出射される光を共振させるキャップ層を有し、
前記キャップ層は、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子の上に重なり、前記第2の画素を経て前記第1の画素から前記第3の画素へ延伸する第1のキャップ層と、
前記第1のキャップ層上に位置し、前記第2の発光素子と前記第3の発光素子と重なり、前記第2の画素から前記第3の画素へ延伸する第2のキャップ層と、
前記第2のキャップ層上に位置し、前記第3の発光素子と重なる第3のキャップ層と、
前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層、前記第3のキャップ層上の第4のキャップ層を有し、
前記第1の画素、前記第2の画素、前記第3の画素はこの順に配列し、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子、前記第3の発光素子はそれぞれ、
第1の電極と、
前記第1の電極上に位置し、前記第1の電極と接する正孔輸送領域と、
前記正孔輸送領域上に位置し、前記正孔輸送領域と接する発光層と、
前記発光層上に位置し、前記発光層と接する電子輸送領域と、
前記電子輸送領域上に位置し、前記電子輸送領域と接する第2の電極を有する表示装置。 - 前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層、前記第3のキャップ層は、同一の有機化合物を含む、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層、前記第3のキャップ層の一つは、他の一つが含有する有機化合物と異なる有機化合物を含む、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第4のキャップ層は無機化合物を含み、前記第2の画素を経て前記第1の画素から前記第3の画素へ延伸する、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第4のキャップ層の厚さは、前記第1のキャップ層の厚さよりも大きく、前記第1のキャップ層の前記厚さと前記第2のキャップ層の前記厚さの和以下である、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第1のキャップ層の厚さは、前記第2のキャップ層の前記厚さよりも大きく、前記第2のキャップ層の前記厚さと前記第3のキャップ層の前記厚さの和以下である、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第2の発光素子の前記発光層の厚さは、前記第1の発光素子の前記発光層の厚さよりも大きく、前記第3の発光素子の前記発光層の厚さ以下である、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第1のキャップ層の厚さは、前記第1の発光素子の前記発光層の前記厚さよりも大きく、
前記第1のキャップ層の前記厚さと前記第2のキャップ層の前記厚さの和は、前記第2の発光素子の前記発光層の前記厚さよりも大きく、
前記第1のキャップ層の前記厚さ、前記第2のキャップ層の前記厚さ、および前記第3のキャップ層の前記厚さの和は、前記第3の発光素子の前記発光層の厚さよりも大きい、請求項17に記載の表示装置。 - 前記第2の発光素子の前記第1の電極の上面と前記第2の電極の底面間の距離は、前記第1の発光素子のそれよりも大きく、前記第3の発光素子のそれよりも小さい、請求項11に記載の表示装置。
- 前記第2の発光素子の前記正孔輸送領域の厚さは、前記第1の発光素子のそれよりも大きく、前記第3の発光素子のそれよりも小さい、請求項11に記載の表示装置。
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