WO2014027688A1 - 発光装置、電子機器および発光装置の製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a light emitting device, an electronic apparatus, and a method for manufacturing the light emitting device.
- an organic electroluminescence element (hereinafter sometimes abbreviated as an organic EL element) is used as a new light-emitting device.
- the conventional organic EL light emitting device is also being put into practical use.
- a light emitting unit including a light emitting layer is provided between an anode and a cathode, and light emission is obtained from exciton energy generated by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer.
- a three-color light emitting method and a color filter method are mainly employed.
- the three-color light emission method elements capable of emitting three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) are formed, and color display is obtained by controlling the emission intensity of each color.
- the color filter method uses a light emitting element that emits white light and a color filter, and converts white light through the color filter into three colors of RGB. Since the color filter type light emitting device does not require high-definition painting, it can be easily manufactured as compared with the above-described three-color light emitting method.
- the white light emitting element has a configuration in which two light emitting layers are stacked in one light emitting unit sandwiched between an anode and a cathode, and the light emitting unit emits white light as a whole by simultaneously emitting light. is there.
- the white light emitting element there is a so-called tandem type configuration in which a plurality of light emitting units are laminated between an anode and a cathode with an intermediate layer such as an intermediate electrode interposed.
- An intermediate layer such as an intermediate electrode interposed.
- the organic electroluminescent element included in the display device described in Patent Document 1 includes a first light emitting unit having a red light emitting layer and a green light emitting layer between an anode and a cathode, and a second light emitting unit having a blue light emitting layer. However, it has a configuration of a white light emitting element provided via a connection layer as an intermediate layer. In the display device of Patent Document 1, white light emitting elements are arranged at positions corresponding to RGB filters to emit white light, and color conversion is performed by passing the color filters.
- a light-emitting device includes a first light-emitting element configured by laminating a first light-emitting unit and a second light-emitting unit via a first intermediate layer, and the same process as the first light-emitting unit.
- An element driving unit including a first driving transistor for driving the first light emitting element and a second driving transistor for driving the second light emitting element, and the first light emitting unit and the first light emitting unit.
- Each of the three light emitting units has a first color light emitting layer that emits a first color light, and each of the second light emitting unit and the fourth light emitting unit emits a second color light.
- the first driving transistor drives only one of the first light-emitting unit and the second light-emitting unit, and transmits either the first color light or the second color light to the first light-emitting unit.
- the second drive transistor emits color light different from the color light emitted from the first light emitting element by driving only one of the third light emitting unit and the fourth light emitting unit. The light is emitted from the second light emitting element.
- a light emitting device includes a first light emitting element configured by laminating a first light emitting unit and a second light emitting unit via a first intermediate layer, and the first light emitting unit.
- a third light emitting unit formed in the same process and a fourth light emitting unit formed in the same process as the second light emitting unit are stacked via a second intermediate layer formed in the same configuration as the first intermediate layer.
- Each of the unit and the third light emitting unit has a first color light emitting layer that emits a first color light, and each of the second light emitting unit and the fourth light emitting unit emits a second color light.
- the first driving transistor drives the first light emitting unit and the second light emitting unit to emit the first color light and the second color light from the first light emitting element.
- the second driving transistor drives only one of the third light-emitting unit and the fourth light-emitting unit, and outputs either the first color light or the second color light to the second light-emitting element. It is made to radiate
- a light emitting device which is different from the above, includes a first light emitting element configured by laminating a first light emitting unit and a second light emitting unit via a first intermediate layer, A second light emitting element in which a third light emitting unit having the same configuration as one light emitting unit and a fourth light emitting unit having the same configuration as the second light emitting unit are stacked via a second intermediate layer having the same configuration as the first intermediate layer.
- an element driver having a first drive transistor for driving the first light emitting element and a second drive transistor for driving the second light emitting element, the first light emitting unit and the third light emitting unit
- Each of the light emitting units has a first color light emitting layer that emits a first color light, and each of the second light emitting unit and the fourth light emitting unit emits a second color light.
- the first driving transistor drives only one of the first light-emitting unit and the second light-emitting unit, and outputs either the first color light or the second color light to the first light-emitting element.
- the second driving transistor drives only one of the third light emitting unit and the fourth light emitting unit to emit color light different from the color light emitted from the first light emitting element.
- the above-described same configuration refers to a single or a stacked configuration having the same film thickness and the same stacking order to the extent that it can be visually recognized that it is created in the same process. The same applies to the following.
- a light emitting device which is different from the above, includes a first light emitting element configured by laminating a first light emitting unit and a second light emitting unit via a first intermediate layer, A second light emitting element in which a third light emitting unit having the same configuration as one light emitting unit and a fourth light emitting unit having the same configuration as the second light emitting unit are stacked via a second intermediate layer having the same configuration as the first intermediate layer.
- an element driver having a first drive transistor for driving the first light emitting element and a second drive transistor for driving the second light emitting element, the first light emitting unit and the third light emitting unit
- Each of the light emitting units has a first color light emitting layer that emits a first color light, and each of the second light emitting unit and the fourth light emitting unit emits a second color light.
- the first driving transistor drives the first light emitting unit and the second light emitting unit to emit the first color light and the second color light from the first light emitting element, and performs the second driving.
- the transistor drives only one of the third light emitting unit and the fourth light emitting unit to emit either the first color light or the second color light from the second light emitting element.
- a light emitting device different from the above includes a first light emitting element, a second light emitting element, a first driving transistor for driving the first light emitting element, and the second light emitting element.
- An element driving unit having a second driving transistor for driving, wherein the first light emitting element includes a first electrode, a first light emitting unit, a second electrode, a second light emitting unit, and a third electrode.
- the second light emitting element has a third light emitting unit, a fourth electrode, a fourth light emitting unit, and a fifth electrode in this order, and the first light emitting unit and the third light emitting unit are the same.
- Each having a first color light emitting layer emitting a first color light wherein the second electrode and the fourth electrode are formed in the same step, and the second light emitting unit and the fourth light emitting layer are formed in the same step.
- the light emitting unit is the same process Formed, each having a second color light emitting layer for emitting second color light, wherein the first drive transistor is electrically connected to the first electrode, and the second drive transistor is the fourth electrode It is electrically connected to.
- a light emitting device different from the above includes a first light emitting element, a second light emitting element, a first driving transistor for driving the first light emitting element, and the second light emitting element.
- An element driving unit having a second driving transistor for driving, wherein the first light emitting element includes a first electrode, a first light emitting unit, a second electrode, a second light emitting unit, and a third electrode.
- the second light emitting element has an eighth electrode, a fourth electrode, a fourth light emitting unit, and a fifth electrode in this order, and the second electrode and the fourth electrode are formed in the same process.
- the first light emitting unit has a first color light emitting layer that emits first color light, and the second light emitting unit and the fourth light emitting unit are formed in the same process, A second color light emitting layer that emits colored light; Serial first driving transistor, said first electrode and is electrically connected to the second driving transistor is characterized in that it is the eighth electrode electrically connected.
- a light emitting device different from the above includes a first light emitting element, a second light emitting element, a third light emitting element, and a first driving transistor for driving the first light emitting element, A second driving transistor for driving the second light emitting element and an element driving unit having a third driving transistor for driving the third light emitting element, and the first light emitting element includes a first electrode, A first light emitting unit, a second electrode, a second light emitting unit, and a third electrode are provided in this order, and the second light emitting element includes a third light emitting unit, a fourth electrode, a fourth light emitting unit, and a fifth electrode.
- the third light emitting element has a fifth light emitting unit, a sixth electrode, a sixth light emitting unit, and a seventh electrode in this order, and the first light emitting unit and the third light emitting unit.
- the fifth light emitting unit are formed in the same process, each having a first color light emitting layer emitting a first color light, the second electrode, the fourth electrode and the seventh electrode are formed in the same process, The second light emitting unit, the fourth light emitting unit, and the sixth light emitting unit are formed in the same process, each having a second color light emitting layer that emits second color light, and the first driving transistor is The second electrode is electrically connected to the first electrode, the second driving transistor is electrically connected to the fourth electrode, and the third driving transistor is electrically connected to the sixth electrode. And
- a light emitting device includes a first light emitting element, a second light emitting element, a first drive transistor for driving the first light emitting element, and the second light emitting element.
- An element drive unit having a second drive transistor for driving the element, wherein the first light emitting element and the second light emitting element have an intermediate electrode, and the intermediate electrode is on the first light emitting element side And the second light emitting element side are electrically cut into a second electrode and a fourth electrode by an insulating portion, and the first light emitting element includes a first electrode, a first light emitting unit, a second electrode,
- the second light emitting element has a second light emitting unit and a third electrode in this order, and the second light emitting element has a third light emitting unit, a fourth electrode, a fourth light emitting unit, and a fifth electrode in this order.
- Each of the second light emitting unit and the fourth light emitting unit has a second color light emitting layer that emits the second color light.
- the first driving transistor is electrically connected to the second electrode, and the second driving transistor is electrically connected to the fourth electrode.
- a light emitting device different from the above includes a first light emitting element, a second light emitting element, a first driving transistor for driving the first light emitting element, and the second light emitting element.
- An element driving unit having a second driving transistor for driving, wherein the first light emitting element includes a first electrode, a first light emitting unit, a second electrode, a second light emitting unit, and a third electrode.
- the second light emitting element has a third light emitting unit, a fourth electrode, a fourth light emitting unit, and a fifth electrode in this order, and the first light emitting unit and the third light emitting unit are the same.
- Each having a first color light emitting layer emitting a first color light wherein the second electrode and the fourth electrode are formed in the same step, and the second light emitting unit and the fourth light emitting layer are formed in the same step.
- the light emitting unit is the same process Formed, each having a second color light emitting layer for emitting second color light, wherein the first drive transistor is electrically connected to the first electrode, and the second drive transistor is the fourth electrode And a potential difference is not provided between both ends in the thickness direction of the third light emitting unit.
- a method for manufacturing a light emitting device is provided in a region different from a region where a first light emitting element provided on the substrate, the first light emitting element provided on the substrate, and the first light emitting element provided on the substrate.
- a light-emitting device manufacturing method for manufacturing a light-emitting device comprising a second light-emitting element, the first drive transistor for driving the first light-emitting element on the substrate, and the second light-emitting element for driving Forming a second drive transistor, and forming a first electrode in a first region on the substrate where the first light emitting element is formed, and electrically connecting the first electrode to the first drive transistor.
- Insulation having a projecting portion protruding from the substrate side and projecting toward the second region side at a position where the step, the first region, and the second region forming the second light emitting element are separated Part forming step and first color Forming a first color light emitting unit including a first color light emitting layer that emits light over the first region and the second region across the insulating portion; and the first region and the second region A step of forming an intermediate electrode over the region across the insulating portion and electrically connecting the intermediate electrode on the second region side with the second drive transistor; and a second color light for emitting a second color light Forming a second color light emitting unit including a light emitting layer over the first region and the second region across the insulating portion.
- FIG. 1 is a plan view illustrating a part of the light emitting device 1 according to the first embodiment.
- the light emitting device 1 includes a first light emitting element 10 and a second light emitting element 20.
- the first light-emitting element 10 and the second light-emitting element 20 are cases where an organic electroluminescence element (hereinafter, may be abbreviated as an organic EL element) as an organic light-emitting element is applied as an example. I will give you a description.
- this invention is not limited to the case where an organic EL element is applied as a light emitting element.
- the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 are included to constitute a pixel 1 ⁇ / b> P that is one display unit.
- the light emitting device 1 includes a plurality of pixels 1P, and the plurality of pixels 1P are arranged in a matrix as a whole to form a light emitting region.
- the first light emitting elements 10 are provided in the vertical direction at substantially equal intervals
- the second light emitting elements 20 are also provided in the vertical direction at substantially equal intervals.
- the 1st light emitting element 10 and the 2nd light emitting element 20 are provided alternately by the horizontal direction. Between the 1st light emitting element 10 and the 2nd light emitting element 20, the insulation part 60 for dividing and electrically insulating these is formed.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting device 1 according to the first embodiment in the substrate thickness direction, and shows a cross-section taken along the line II-II ′ of FIG.
- the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 are provided on the substrate 100.
- the substrate 100 is placed downward and the light emitting elements 10 and 20 are placed upward.
- the substrate 100 is a smooth plate-like member for supporting the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20.
- the light emitting device 1 is a so-called bottom emission type element in which the light extraction direction of the radiated light emitted from the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 is the substrate 100 side. Therefore, a light-transmitting member is used for the substrate 100, and the light transmittance in the visible region from 400 nm to 700 nm is preferably 50% or more.
- Specific examples of the substrate 100 include a glass plate and a polymer plate.
- the glass plate examples include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
- the polymer plate examples include those made of polycarbonate resin, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin, polyether sulfide resin, polysulfone resin, triazine resin and the like as raw materials.
- the substrate 100 is not limited to a plate shape, and may be a film shape.
- the first light emitting element 10 is provided in the first region of the substrate 100, and includes a first electrode 12, a first light emitting unit 13, a second electrode 14, a second light emitting unit 15, and a third electrode. 16
- the first electrode 12, the first light emitting unit 13, the second electrode 14, the second light emitting unit 15, and the third electrode 16 are provided in this order from the substrate 100 side.
- a second electrode 14 (intermediate electrode) included in the intermediate layer is provided between the first light emitting unit 13 and the second light emitting unit 15. This is a so-called tandem element configuration.
- the intermediate layer is a layer provided between the light emitting units.
- the intermediate layer in the tandem element configuration like the first light emitting element 10 is light emitting on the anode side. It has a function of injecting electrons into the unit and a function of injecting holes into the light emitting unit on the cathode side, and is composed of a stacked combination selected from a donor-containing layer, a conductive layer (intermediate electrode), and an acceptor-containing layer Is done.
- a stacked structure of a donor-containing layer, a conductive layer (intermediate electrode), and an acceptor-containing layer is preferable.
- a configuration consisting only of an acceptor-containing layer is also preferred.
- the intermediate layer of the first light emitting element 10 is the first intermediate layer.
- the first intermediate layer is a supply source of electrons or holes injected into each light emitting unit.
- the electric charge supplied from the intermediate layer is injected into the light emitting unit. Therefore, by providing the intermediate layer, the luminous efficiency (current efficiency) with respect to the injected current is increased. improves.
- the conductivity of the intermediate layer is preferably 10 ⁇ 2 S / cm to 10 6 S / cm.
- Examples of the material constituting the conductive layer include metals, metal oxides, mixtures of metal oxides, metal composite oxides, chalcogenide materials, and organic semiconductor materials.
- As the metal a co-deposited film of Mg, Al, Mg or Ag is preferable.
- Examples of the metal oxide include ZnO, WO 3 , MoO 3 , and MoO 2 .
- Examples of the metal oxide mixture include ITO and IZO (registered trademark).
- the acceptor-containing layer is a layer containing an electron-accepting material, and examples of the electron-accepting material include the metal oxide, the metal composite oxide, and an electron-accepting organic compound.
- Examples of the electron-accepting organic compound include organic compounds having a CN (cyano) group as a substituent.
- a triphenylene derivative, a tetracyanoquinodimethane derivative, an indenofluorene derivative, or the like is preferable.
- the triphenylene derivative hexacyanohexaazatriphenylene is preferable.
- the tetracyanoquinodimethane derivative tetrafluoroquinodimethane and dicyanoquinodimethane are preferable.
- the indenofluorene derivative compounds shown in International Publication No. 2009/011327, International Publication No. 2009/069717 or International Publication No. 2010/064655 are preferable.
- the acceptor-containing layer may be composed of an electron accepting substance alone or may be mixed with other organic compounds.
- the donor-containing layer is a layer containing an electron donating material, and is preferably a layer in which an electron transport material and a donor represented by an alkali metal are mixed.
- the electron donating material at least one selected from the group selected from a donor metal, a donor metal compound, and a donor metal complex can be selected.
- Specific examples of the compound that can be used for the donor metal, the donor metal compound, and the donor metal complex include compounds described in Japanese Patent Application No. PCT / JP2010 / 003434.
- the chalcogenide material include ZnS, ZnSe, CdS, CdTe, MgS, MgSe, ZnSSe, ZnMgSSe, ZnCdSSe, and ZnTeSe.
- Examples of the organic semiconductor material include amorphous carbon, diamond-like carbon, conductive conjugated polymer, oxidant-added polymer, reducing agent-added polymer, oxidizing agent-added low molecular compound, and reducing agent-added low molecular compound.
- the first light emitting unit 13 includes a first color light emitting layer that emits first color light
- the second light emitting unit 15 includes a second color light emitting layer that emits second color light.
- the first color light is blue
- the second color light is yellow.
- Each of the first light emitting unit 13 and the second light emitting unit 15 may be independently composed of one light emitting layer, or a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole. You may have a layer employ
- the 1st light emission unit 13 and the 2nd light emission unit 15 may contain the inorganic compound each independently.
- the first light emitting unit 13 and the second light emitting unit 15 constitute a planar light emitting region. Since each layer constituting the first light emitting unit 13 has the same configuration as that of the third light emitting unit 23 of the second light emitting element 20, when forming each layer of the first light emitting unit 13, the light emitting region of the light emitting device 1 is used. In the same process, it is not necessary to separately coat with a metal mask or the like. Further, each layer constituting the second light emitting unit 15 has the same configuration as that of the fourth light emitting unit 25 of the second light emitting element 20, and similarly, formed in the same process over substantially the entire light emitting region of the light emitting device 1. can do.
- the light emitting layer of the light emitting unit uses a light emitting material such as Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum), and has a structure showing monochromatic light such as red, green, blue, yellow, etc. The thing of the structure etc. which show the luminescent color by combination of these are used.
- the material used for the light emitting unit may be either a fluorescent light emitting type or a phosphorescent light emitting type. Even when these materials are combined, the order of the light emitting units may be either fluorescent / phosphorescent or phosphorescent / fluorescent.
- the first color light is blue
- the first color light emission layer of the first light emission unit 13 is a fluorescent light emission type
- the second color light is yellow
- the second light emission unit 15 The second color light emitting layer is a phosphorescent light emitting type.
- the present invention is not limited to the light emitting type example of the light emitting layer described in the embodiment.
- a doping system is generally employed for the light emitting layer.
- the light emitting layer is an organic layer containing a host material and a dopant material.
- the host material generally promotes recombination of electrons and holes, and transmits excitation energy generated by the recombination to the dopant material.
- the dopant material a compound having a high quantum yield is preferred, and the dopant material that has received excitation energy from the host material exhibits high light emission performance.
- the material for dopant materials used for an organic EL element is used, It selects from the dopant material which shows fluorescence emission, or the dopant material which shows phosphorescence emission.
- the dopant material exhibiting fluorescence emission is selected from fluoranthene derivatives, pyrene derivatives, arylacetylene derivatives, fluorene derivatives, boron complexes, perylene derivatives, oxadiazole derivatives, and anthracene derivatives.
- a fluoranthene derivative, a pyrene derivative, and a boron complex are used.
- the dopant material that exhibits phosphorescence emission preferably contains a metal complex.
- the metal complex has a metal atom selected from iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), gold (Au), rhenium (Re), and ruthenium (Ru) and a ligand. Is preferred. In particular, it is preferable that the ligand and the metal atom form an ortho metal bond.
- a dopant material exhibiting phosphorescence may be referred to as a phosphorescent dopant material.
- Is preferably a metal complex such as an iridium complex, an osmium complex, and a platinum complex, more preferably an iridium complex and a platinum complex, and most preferably an orthometalated iridium complex.
- an organometallic complex having a ligand selected from phenylquinoline, phenylisoquinoline, phenylpyridine, phenylpyrimidine, phenylpyrazine and phenylimidazole is preferable from the viewpoint of luminous efficiency and the like.
- a dopant material may be used independently and may use 2 or more types together.
- a host material the material for host materials used for an organic EL element is used,
- an amine derivative, an azine derivative, a condensed polycyclic aromatic derivative, etc. are mentioned.
- the amine derivative include a monoamine compound, a diamine compound, a triamine compound, a tetramine compound, and an amine compound substituted with a carbazole group.
- azine derivatives include monoazine derivatives, diazine derivatives, and triazine derivatives.
- a condensed polycyclic aromatic hydrocarbon having no heterocyclic skeleton is preferable, for example, a condensed polycyclic aromatic hydrocarbon such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, chrysene, fluoranthene, or triphenylene, or And derivatives thereof.
- host materials in the case where the light emitting layer includes a phosphorescent dopant material include carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, Phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, Anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyrandioxide derivative, carbodiimide derivative, fluorenylidenemethane derivative, Stylylpyrazine derivatives, hetero
- Examples of the various metal complexes include metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal complexes having metal phthalocyanine, benzoxazole, benzothiazole, and the like as ligands.
- Examples of the conductive polymer oligomer here include a thiophene oligomer and polythiophene.
- Examples of the polymer compound here include polythiophene derivatives, polyphenylene derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like.
- a host material may be used independently and may use 2 or more types together.
- Each light emitting layer of the first light emitting unit 13 and the second light emitting unit 15 may include the same light emitting type dopant material. That is, if the light emitting layer of the first light emitting unit 13 includes a fluorescent light emitting dopant material, the light emitting layer of the second light emitting unit 15 may also include a fluorescent light emitting dopant material, or the light emitting layer of the first light emitting unit 13. However, if the phosphorescent dopant material is included, the light emitting layer of the second light emitting unit 15 may also include the phosphorescent dopant material.
- the said light emitting layer may also contain mutually different light emitting type dopant materials. That is, one light emitting layer may contain a fluorescent light emitting dopant material, and the other light emitting layer may contain a phosphorescent light emitting dopant material. The same applies to the combination of the light emitting types of the dopant materials when three or more light emitting units are stacked.
- any compound selected from the materials used in the organic EL element should be used. Can do.
- the 1st electrode 12 is an anode and the 3rd electrode 16 becomes a cathode.
- the anode of the organic EL element plays a role of injecting holes into the hole injection layer, the hole transport layer, or the light emitting layer, and it is effective to have a work function of 4.5 eV or more.
- Specific examples of the anode material include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), indium-zinc oxide, gold, silver, platinum, copper, and the like.
- ITO indium tin oxide alloy
- NESA tin oxide
- the anode is produced by forming a thin film from these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
- the first electrode 12 as the anode is selectively formed in the first region where the first light emitting element 10 is formed.
- the light transmittance in the visible region of the anode is larger than 10%.
- the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ ( ⁇ / sq. Ohm per square) or less.
- the film thickness of the anode depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 ⁇ m, preferably 10 nm to 200 nm.
- the cathode plays a role of injecting electrons into the electron injection layer, the electron transport layer, or the light emitting layer, and a material having a small work function is preferable.
- the cathode material is not particularly limited, and specifically, indium, aluminum, magnesium, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, aluminum-lithium alloy, aluminum-scandium-lithium alloy, magnesium-silver alloy and the like can be used.
- the cathode can also be produced by forming a thin film on the electron transport layer or the electron injection layer by a method such as vapor deposition or sputtering.
- the third electrode 16 is a common electrode formed in the same process over substantially the entire light emitting region of the light emitting device 1 using the same material as the fifth electrode 26 of the second light emitting element 20. is there.
- the aspect which takes out light emission from a light emitting layer from the cathode (3rd electrode 16) side is also employable.
- the light transmittance in the visible region of the cathode be greater than 10%.
- the sheet resistance of the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less.
- the layer thickness of the cathode depends on the material, but is usually selected in the range of 10 nm to 1 ⁇ m, preferably 50 nm to 200 nm.
- the present invention is not limited to such a first embodiment.
- the third electrode 16 may be an anode and the first electrode 12 may be a cathode. Good.
- the second light emitting element 20 is provided in a second region different from the first region of the substrate 100 and is adjacent to the first light emitting element 10.
- the second light emitting element 20 includes a third light emitting unit 23, a fourth electrode 24, a fourth light emitting unit 25, and a fifth electrode 26.
- the third light emitting unit 23, the fourth electrode 24, the fourth light emitting unit 25, and the fifth electrode 26 are provided in this order from the substrate 100 side.
- the second light emitting element 20 has an element configuration in which a fourth electrode 24 as an intermediate electrode is provided between the third light emitting unit 23 and the fourth light emitting unit 25.
- the intermediate layer is a layer provided between the light emitting units.
- the second light emitting element 20 has an element configuration in which the third light emitting unit 23 and the fourth light emitting unit 25 are not provided between the pair of electrodes. Therefore, the fourth electrode 24 is an intermediate layer (second intermediate layer) in the second light emitting element 20 and corresponds to an anode in the second light emitting element 20.
- the fourth electrode 24 is electrically connected to the element driving unit and also serves as an electrode for supplying carriers (holes) to the fourth light emitting unit. Therefore, a charge generation layer or a conductive layer is included.
- the conductive layer includes a conductive material or a semiconductor material.
- the fourth electrode 24 of the second light emitting element 20 and the second electrode 14 of the first light emitting element have the same configuration, when the first intermediate layer and the second intermediate layer are formed, the light emission of the light emitting device 1 is performed. By forming the substantially entire region in the same process, it is not necessary to separately coat with a metal mask or the like.
- the fifth electrode 26 is a common electrode provided in common with the third electrode 16 of the first light emitting element 10, and is formed in the same process over substantially the entire light emitting region of the light emitting device 1. Yes.
- the third light emitting unit 23 includes a first color light emitting layer having the same ability to emit the first color light as the first light emitting unit 13, and the fourth light emitting unit 25 is the same as the second light emitting unit 15.
- a second color light emitting layer that emits second color light is provided.
- the third light emitting unit 23 and the fourth light emitting unit 25 constitute a planar light emitting region.
- the third light emitting unit 23 is not sandwiched between the electrodes, and therefore, between the opposite ends in the thickness direction of the third light emitting unit 23 when the light emitting device 1 is driven. Is not provided with a potential difference and does not emit light.
- the fourth light emitting unit 25 sandwiched between the fourth electrode 24 and the fifth electrode 26 emits second color light.
- the other structure of the 3rd light emission unit 23 and the 4th light emission unit 25 is the same as that of the case of a 1st light emitting element, description is abbreviate
- FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting device 1 in the substrate thickness direction, showing a cross-section taken along the line III-III ′ of FIG.
- an insulating portion 60 is provided between the region where the first light emitting element 10 is provided and the region where the second light emitting element 20 is provided.
- the region where the first light emitting element 10 is provided and the region where the second light emitting element 20 is provided are provided with an insulating portion 60 extending in the vertical direction to divide each region. . Therefore, as shown in FIG.
- a step is formed by the raised insulating portion 60, and by this step, each layer constituting the first light emitting element 10 and each layer constituting the second light emitting element 20 are divided, and the first The second electrode 14 of the light emitting element 10 and the fourth electrode 24 of the second light emitting element 20 are not electrically connected.
- FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting device 1 in the substrate thickness direction, and shows a cross-section taken along arrows IV-IV ′ in FIG. As shown in FIG. 4, the layers constituting the first light emitting element 10 are continuous between the first light emitting elements 10, and the second electrode 14 is not divided.
- FIG. 5 shows an element driving circuit 50 as an element driving unit.
- the light emitting device 1 includes an element driving circuit 50 for driving the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20.
- the element drive circuit 50 is supported on the substrate 100 and includes a drive transistor 51, a switching transistor 52, and a power storage element 53, and is a so-called active drive circuit.
- the driving transistor 51 corresponding to the first light emitting element 10 is the first driving transistor 51A
- the driving transistor 51 corresponding to the second light emitting element 20 is the second driving transistor 51B.
- the substrate 100 is provided with scanning electrode lines 54 arranged along one direction, and signal electrode lines 55 and common power supply lines 56 arranged so as to intersect the scanning electrode lines 54.
- interlayer insulation is made of an insulating material so that the scanning electrode line 54 and the signal electrode line 55 intersect with each other and the scanning electrode line 54 and the common power supply line 56 intersect with each other so as not to be electrically connected.
- a film or the like is formed.
- the driving transistor 51 and the switching transistor 52 are configured by a general thin film transistor (TFT).
- TFT thin film transistor
- the configuration of the TFT may be, for example, an inverted stagger structure (so-called bottom gate type) or a stagger structure (top gate type).
- the drive transistor 51 includes a drive semiconductor layer 510, a drive gate electrode 511, a drive source electrode 512, and a drive drain electrode 513 (see FIG. 2).
- the switching transistor 52 has a switching semiconductor layer, a switching gate electrode, a switching source electrode, and a switching drain electrode (not shown).
- the power storage element 53 includes a first power storage plate and a second power storage plate disposed to face each other via an interlayer insulating film as a dielectric. In the storage element 53, the storage capacity is determined by the stored charge and the voltage between both storage plates.
- the switching transistor 52 is used as a switching element that selects a light emitting element to emit light.
- the switching gate electrode is connected to the scanning electrode line 54.
- the switching source electrode is connected to the signal electrode line 55.
- the switching drain electrode is spaced apart from the switching source electrode and connected to the first power storage plate of the power storage element 53.
- the driving transistor 51 applies a driving voltage for causing the light emitting elements 10 and 20 in the selected pixel to emit light to the electrodes of the light emitting elements 10 and 20.
- Drive gate electrode 511 of drive transistor 51 is connected to the first power storage plate of power storage element 53.
- Drive source electrode 512 and the second power storage plate of power storage element 53 are each connected to common power supply line 56.
- the drive drain electrode 513 is connected to the first electrode 12 of the first light emitting element 10 or the fourth electrode 24 of the second light emitting element 20 through an electrode provided in a connection hole 591 that penetrates the planarizing film 59 in the thickness direction. And electrically connected (see FIG. 2).
- the switching transistor 52 is operated by the gate voltage applied to the scanning electrode line 54 and transmits the data voltage applied to the signal electrode line 55 to the driving transistor 51.
- a voltage corresponding to the difference between the common voltage applied to the drive transistor 51 from the common power line 56 and the data voltage transmitted from the switching transistor 52 is stored in the storage element 53.
- a current corresponding to the voltage stored in the storage element 53 flows through the driving transistor 51 to the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 to emit light.
- the driving semiconductor layer 510 is formed on the substrate 100 (see FIG. 2).
- the driving semiconductor layer 510 is composed of a polycrystalline silicon film.
- the material which comprises a drive semiconductor layer is not limited to the example demonstrated in embodiment, For example, you may apply an amorphous silicon and a continuous grain boundary silicon
- the driving semiconductor layer 510 includes a channel region 514 that is not doped with impurities, a source region 515 that is doped on both sides of the channel region 514, and a drain region 516.
- the substance to be doped is a P-type impurity such as boron. Note that the impurity to be doped is appropriately changed depending on the type of the thin film transistor.
- a PMOS thin film transistor using a P-type impurity is used as the drive transistor 51.
- the present invention is not limited to this, and an N-type impurity is used as the drive transistor 51.
- a thin film transistor having an NMOS structure or a CMOS structure may be used.
- a gate insulating film 57 is formed on the driving semiconductor layer 510 (see FIG. 2).
- the gate insulating film 57 is made of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like.
- a gate wiring including the drive gate electrode 511 is formed on the gate insulating film 57.
- the gate wiring further includes a scanning electrode line 54, a first power storage plate of the power storage element 53, and other wiring.
- the drive gate electrode 511 is formed so as to overlap with at least a part of the drive semiconductor layer 510, particularly the channel region 514.
- an interlayer insulating film 58 covering the drive gate electrode 511 is formed (see FIG. 2).
- the gate insulating film 57 and the interlayer insulating film 58 have a plurality of through holes that expose the source region 515 and the drain region 516 of the driving semiconductor layer 510.
- the interlayer insulating film 58 is formed of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or the like.
- the interlayer insulating film 58 On the interlayer insulating film 58, data wiring including the drive source electrode 512 and the drive drain electrode 513 is formed.
- the data wiring further includes a signal electrode line 55, a common power supply line 56, a second power storage plate of the power storage element 53, and other wiring.
- the drive source electrode 512 and the drive drain electrode 513 are connected to the source region 515 and the drain region 516 of the drive semiconductor layer 510 through through holes formed in the interlayer insulating film 58 and the gate insulating film 57, respectively.
- the drive transistor 51 including the drive semiconductor layer 510, the drive gate electrode 511, the drive source electrode 512, and the drive drain electrode 513 is formed.
- the configuration of the drive transistor 51 is not limited to the above-described example.
- a planarization film 59 is formed on the interlayer insulating film 58 to cover the data wiring (see FIG. 2).
- the planarizing film 59 planarizes the formation region of the light emitting elements 10 and 20 formed thereon. Further, a connection hole 591 that exposes a part of the drive drain electrode 513 is formed in the planarizing film 59.
- An electrode (first electrode 12 or relay electrode 22) is provided inside the connection hole 591, and this electrode is electrically connected to a part of the drive drain electrode 513 on the upper surface side of the interlayer insulating film 58.
- the planarization film 59 is formed of, for example, an acrylic resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polyamide resin, a polyimide resin, or an unsaturated polyester resin.
- the first electrode 12 is formed over substantially the entire first region where the first light emitting element 10 is formed on the planarizing film 59.
- a film constituting the electrode is not formed in the second region where the second light emitting element 20 is formed on the planarizing film 59.
- the relay electrode 22 is selectively formed between the first region and the second region on the planarizing film 59, and the relay electrode 22 is the second light emitting element.
- the 20th fourth electrode 24 and the drive drain electrode 513 of the drive transistor 51 are relayed and connected.
- a connection auxiliary portion 221 is formed so that the fourth electrode 24 and the relay electrode 22 can be easily connected.
- the first electrode 12 and the relay electrode 22 are formed in the same process using the same material. Moreover, after forming the relay electrode 22, the connection auxiliary
- the insulating part 60 is formed between the adjacent first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 on the planarizing film 59 so as to partition and electrically insulate them.
- the insulating part 60 includes a first insulating part 61 formed at a portion connecting the first light emitting element 10 and the first driving transistor 51A, a second light emitting element 20, and a second driving transistor 51B.
- the third insulating portion 64 for covering the edge portion of the electrode, and the third electrode 16 and the second electrode 14.
- a fourth insulating portion 65 for preventing electrical connection between the second insulating portion 62 formed at the portion connecting the first insulating portion.
- the first insulating portion 61 protrudes from the substrate 100 side and forms a step between the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20. Further, as shown in FIG. 2, the first insulating portion 61 includes a projecting portion 63 projecting toward the first region forming the first light emitting element 10 and the second region forming the second light emitting element 20. Have. Such a step formed by the first insulating portion 61 is a so-called reverse taper type. In other words, the step is an inverted trapezoid type in which the upper base has a larger dimension than the lower base. The height of the overhang portion 63 is preferably at a position higher than the height of the upper end of the fourth electrode 24. This is to ensure the separation of the second electrode 14 and the fourth electrode 24.
- the second insulating portion 62 protrudes from the substrate 100 side, covers the end portion of the first electrode 12, and is formed on the relay electrode 22 and the connection auxiliary portion 221.
- the first light emitting unit 13 of the first light emitting element 10, the second electrode 14, and the end of the second light emitting unit 15 on the second light emitting element 20 side are on the raised second insulating part 62. I'm riding.
- the third light emitting unit 23, the fourth electrode 24, and the fourth light emitting unit 25 of the second light emitting element 20 do not ride on the raised second insulating portion 62.
- the step of the second insulating portion 62 is formed between the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20.
- the second insulating part 62 is interposed between the first electrode 12 and the relay electrode 22 and between the first electrode 12 and the connection auxiliary part 221, the first light emitting element 10 and the second light emitting element Short circuit with 20 is prevented.
- the second insulating portion 62 also has an overhang portion 63 that projects toward the second region forming the second light emitting element 20.
- the step formed by the second insulating portion 62 is also a so-called reverse taper type.
- region side which forms the 1st light emitting element 10 of the 2nd insulation part 62 it inclines in the forward taper type
- the angle formed between the side surface of the insulating portions 61 and 62 and the surface of the substrate 100 is not particularly limited. 100 degrees or more is preferable. Further, from the viewpoint of production yield, it is preferably 170 degrees or less, more preferably 140 degrees or less. Also, the height dimension (step dimension) from the base surface on which the insulating portions 61 and 62 are formed, that is, in this embodiment, from the planarizing film 59 surface to the upper surface of the insulating portions 61 and 62 is at least the first level.
- the step size is preferably 100 nm to 500 nm, and more preferably 150 nm to 300 nm.
- the edge portion 12E (see FIG. 7) of the first electrode 12 and the edge portion 22E (see FIG. 7) of the relay electrode 22 are covered with a third insulating portion 64.
- the third insulating portion 64 prevents the film laminated on the electrode from being broken.
- the fourth insulating portion 65 is formed so as to fill a step at the end of the second electrode 14 on the second light emitting element 20 side so that the second electrode 14 is not exposed. Has been.
- the fourth insulating portion 65 prevents the end portion of the second electrode 14 riding on the second insulating portion 62 from being electrically connected to the third electrode 16.
- acrylic resin As a material constituting the insulating portion 60, acrylic resin, polycarbonate resin, polyimide resin, fluorinated polyimide resin, benzoguanamine resin, melamine resin, cyclic polyolefin, novolac resin, polyvinyl cinnamate, cyclized rubber, polyvinyl chloride resin, Examples include polystyrene, phenol resin, alkyd resin, epoxy resin, polyurethane resin, polyester resin, maleic acid resin, polyamide resin and the like.
- the insulating portion 60 is made of an inorganic oxide
- preferable inorganic oxides include silicon oxide (SiO 2 or SiO X ), aluminum oxide (Al 2 O 3 or AlO X ), titanium oxide (TiO 3 or TiO X).
- insulating portions 60 can be selectively formed at desired portions on the planarizing film 59 by a photolithography method or the like.
- a first region for forming the first light emitting element 10 and a second light emitting element 20 for forming the second light emitting element 20 are formed on the planarizing film 59 on which the first electrode 12, the relay electrode 22, the connection assisting part 221 and the insulating part 60 are formed.
- Each layer constituting the first light emitting unit 13 and the third light emitting unit 23 is formed over two regions. As described above, the layers constituting the first light emitting unit 13 and the third light emitting unit 23 are common and are formed of the same material, and thus are formed in the same process. Under the present circumstances, each layer which comprises the 1st light emission unit 13 and the 3rd light emission unit 23 is divided by the reverse taper type level
- the first light emitting unit 13, the second electrode 14, and the second light emitting unit 15 ride on from the first region side toward the second region side.
- the second insulating portion 62 is divided by a reverse tapered step.
- the end portions of the third light emitting unit 23, the fourth electrode 24, and the fourth light emitting unit 25 extend toward the first region side and enter the root portion of the step of the second insulating portion 62.
- the fourth electrode 24 and the connection auxiliary portion 221 formed on the relay electrode 22 are connected.
- the fourth electrode 24 is electrically connected to the drive drain electrode 513 via the connection assistant 221 and the relay electrode 22.
- the third electrode 16 and the fifth electrode 26 are common electrodes provided in common, and are not divided by the reverse tapered step of the insulating portions 61 and 62.
- the film thickness of the common electrode is preferably 90 nm or more and 150 nm or less. Further, in the case of such a common electrode film thickness, it is preferable to use a bottom emission type light-emitting device that extracts light emitted from the light-emitting unit from the translucent substrate side.
- the insulating portion 60 is provided in the longitudinal direction and extends to the end portions of the third electrode 16 and the fifth electrode 26.
- extraction electrodes 27 that are electrically connected to the third electrode 16 and the fifth electrode 26 are provided at the ends of the third electrode 16 and the fifth electrode 26.
- the extraction electrode 27 is an electrode that serves as a relay for connecting the third electrode 16 and the fifth electrode 26 to a power source.
- the extraction electrode 27 is connected to a power source or a ground point.
- the extraction electrode 27 from the cathode is provided in the lateral direction.
- the third electrode 16 and the fifth electrode 26 are electrically connected to the extraction electrode 27, respectively. Is conducting. Therefore, it is possible to prevent the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 from being energized.
- the extraction electrode 27 is not provided in the vertical direction. This is to avoid concentration of current in one place when the third electrode 16 and the fifth electrode 26 are broken.
- the element protective layer and sealing substrate On the 1st light emitting element 10 and the 2nd light emitting element 20, the element protective layer and sealing substrate which cover these may be provided.
- the element protective layer is made of an insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx).
- the sealing substrate provided on the element protective layer seals the light emitting elements 10 and 20 together with the element protective layer and the adhesive layer.
- the element protective layer and the sealing substrate are preferably made of a light-transmitting material such as glass, like the substrate 100, when transmitting the radiated light emitted from the light emitting elements 10 and 20.
- a color conversion device 80 having a color conversion unit On the light extraction side of the light emitting device 1, a color conversion device 80 having a color conversion unit is provided. Examples of the color conversion device include a color filter.
- the light emitting device 1 is a so-called bottom emission type element in which the light extraction direction of the radiated light emitted from the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 is the substrate 100 side. For this reason, the color conversion device 80 is provided on the surface of the substrate 100 opposite to the surface on which the light emitting elements 10 and 20 are provided.
- FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a stacked configuration of the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 included in the light emitting device 1, and a color conversion device 80 is provided on the light extraction side of the light emitting device 1.
- the color conversion device 80 includes a first color conversion unit 81 that transmits the first color light C1 and blocks the second color light C2, and a second color conversion unit 82 that transmits the second color light C2.
- the first color light C ⁇ b> 1 is emitted from the portion corresponding to the first light emitting element 10
- the second color light is emitted from the portion corresponding to the second light emitting element 20.
- C2 can be emitted.
- FIG. 7 to 12 are schematic views for explaining the manufacturing process of the light emitting device 1, and are shown in a cross section in the thickness direction of the substrate 100.
- FIG. 1 After the element driving circuit 50 as the above-described element driving unit is formed on the substrate 100, the first electrode 12, the relay electrode 22, and the connection assisting unit 221 are formed.
- the element driving circuit 50 can be formed in accordance with a known TFT substrate manufacturing method.
- the first electrode 12 and the relay electrode 22 are formed by forming a conductive thin film on one surface of the planarizing film 59 and patterning it by a photolithography method.
- the connection assistant 221 is formed on the relay electrode 22 by, for example, selectively applying a conductive paste material by a dispenser method or the like, and heating and baking.
- an ink containing a photosensitive resin is applied to form a film.
- the ink application method include spin coating, screen printing, and slit coating.
- the insulating film 600 is formed by pre-baking the applied film to remove the solvent.
- the insulating film 600 is patterned by photolithography to form an insulating portion 60 at a predetermined portion as shown in FIG.
- the photosensitive resin constituting the insulating film 600 includes a positive type and a negative type, and any type of photosensitive resin may be used.
- a positive type photosensitive resin is used, other portions of the insulating film 600 other than the portion where the insulating portion 60 is formed are irradiated with light to be exposed, and when developed, the portions not exposed remain as a pattern.
- the insulating portion 60 is formed.
- the portion of the insulating film 600 where the insulating portion 60 is to be formed is irradiated with light to be exposed, and when it is developed, the portion not exposed is removed and exposed. The part remains as a pattern and becomes the insulating portion 60.
- a photomask that shields light of a predetermined pattern is disposed to face the surface of the substrate 100 where the insulating film 600 is formed. Then, the portion of the insulating film 600 where the insulating portion 60 is formed is exposed by irradiating light through a photomask.
- an ultraviolet curable resin is used as the photosensitive resin, and in the exposure process, the photosensitive resin is cross-linked by irradiating with ultraviolet rays, and the insulating film 600 is cured.
- the photomask side of the insulating film 600 is adjusted so that the exposure amount is such that the insulating film 600 is sufficiently crosslinked and cured.
- the exposure amount is adjusted so that the degree of cross-linking of the insulating film 600 is low.
- the method for forming the insulating portions 61 and 62 is not limited to such a method.
- the unexposed portion of the insulating film 600 is developed and removed.
- the substrate 100 side adjusted to a low exposure amount is easily removed, and the photomask side adjusted to a large exposure amount is difficult to remove.
- a tapered step is formed.
- a method or a material used for peeling off the insulating film in photolithography can be applied, but it is appropriately selected according to the photosensitive resin to be used.
- the first light emitting unit 13 and the third light emitting unit 23 are formed in the same process.
- the material which comprises each layer which comprises the 1st light emission unit 13 and the 3rd light emission unit 23 is formed into a film ranging over the insulation parts 61 and 62 over a 1st area
- Each layer constituting the first light emitting unit 13 and the third light emitting unit 23 is divided by the inversely tapered steps of the insulating portions 61 and 62.
- the second electrode 14 and the fourth electrode 24 are formed in the same process.
- the material constituting the electrode is formed across the insulating portions 61 and 62 across the first region and the second region, and the second portion is formed by the reverse tapered step of the insulating portions 61 and 62.
- the electrode 14 and the fourth electrode 24 are electrically separated.
- the edge part is connected with the connection auxiliary
- the second light emitting unit 15 and the fourth light emitting unit 25 are formed in the same process.
- the material constituting each layer constituting the second light emitting unit 15 and the fourth light emitting unit 25 across the insulating portions 61 and 62 across the first region and the second region as described above, Each layer constituting the second light emitting unit 15 and each layer constituting the fourth light emitting unit 25 are separated by the inversely tapered step of the insulating portions 61 and 62.
- the fourth insulating portion 65 is formed.
- the fourth insulating portion 65 is formed to fill the step of the second insulating portion 62 in order to prevent the second electrode 14 from being electrically connected to the third electrode 16 at the end on the second light emitting element 20 side.
- the fourth insulating portion 65 can be formed using an insulating material by a method (by a dispenser coating method, an ink jet coating method, or the like) that can be selectively formed so as to fill the stepped portion. Thereafter, the third electrode 16 and the fifth electrode 26 as common electrodes are formed in the same process. The common electrode is formed so as not to be divided by the reverse tapered step of the insulating portions 61 and 62. Due to the previously formed fourth insulating portion 65, electrical connection between the second electrode 14 and the common electrode is prevented. As the formation of the electrode, a forming method such as a vacuum deposition method or a sputtering method can be employed.
- the light emitting unit is formed by a dry film forming method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a plasma method, an ion plating method, a wet film forming method such as a spin coating method, a dipping method, a flow coating method, and an ink jet method.
- a dry film forming method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a plasma method, an ion plating method, a wet film forming method such as a spin coating method, a dipping method, a flow coating method, and an ink jet method.
- a forming method can be adopted.
- the color conversion device 80 is used to emit light from the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 including the light emitting unit provided in a tandem type as the first color light and the second color light. Therefore, a configuration capable of full color display is adopted.
- the second driving transistor 51 ⁇ / b> B for the second light emitting element 20 is electrically connected to the fourth electrode 24 provided between the third light emitting unit 23 and the fourth light emitting unit 25. Yes. Therefore, according to the light emitting device 1, the light emitting device 1 can be driven without causing the first color light emitting layer of the third light emitting unit 23 to emit light, and the power consumption can be reduced.
- the first color light emitting layer of the light emitting device 1 is a blue fluorescent light emitting layer, according to the light emitting device 1 as compared with the case where the blue fluorescent light emitting layer of the third light emitting unit 23 emits light. The effect of reducing power consumption is increased.
- the second electrode 14 and the fourth electrode 24 are insulated by the insulating portions 61 and 62, short circuit leakage between the two electrodes is surely prevented, and light emission of the light emitting elements 10 and 20 is performed. Can be accurately controlled.
- a step is formed between the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 by the raised insulating portions 61 and 62. Therefore, even if the second electrode 14 and the fourth electrode 24 are formed in the same process, both electrodes can be electrically separated without being continuous over the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20. Thus, it is possible to more reliably prevent a short circuit between the two electrodes and control the light emission of the light emitting elements 10 and 20 with high accuracy. Further, in the light emitting device 1, the insulating portions 61 and 62 have a protruding portion 63 that protrudes toward the first region and the second region.
- the overhanging portion 63 functions as a shadow mask for electrically separating the second electrode 14 and the fourth electrode 24, so that both electrodes can be more reliably electrically separated. As a result, a short circuit between both electrodes can be prevented more reliably, and the light emission of the light emitting elements 10 and 20 can be controlled with high accuracy.
- the edge portion 22 ⁇ / b> E of the relay electrode 22 is covered with the third insulating portion 64, but the connection assisting portion 221 is provided on the relay electrode 22, thereby driving with the fourth electrode 24.
- An electrical connection with the drain electrode 513 can be reliably ensured.
- FIG. 13 is a schematic cross-sectional view in the substrate thickness direction of the light emitting device 2 according to the second embodiment.
- the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and names, and the description thereof is omitted or simplified.
- the same materials and compounds as those described in the first embodiment can be used.
- the light emitting device 2 includes a substrate 100, a first light emitting element 10, a second light emitting element 20, and a third light emitting element 30. These light emitting elements 10, 20, 30 are driven by an element driving circuit 50.
- the first light emitting element 10, the second light emitting element 20, and the third light emitting element 30 constitute a pixel 2P that is one display unit.
- the light emitting device 2 includes a plurality of pixels 2P, and the plurality of pixels 2P are arranged in a matrix as a whole to form a light emitting region.
- the third light emitting element 30 is provided in the third region of the substrate 100 where the third light emitting element is provided.
- the third region is between the first region where the first light emitting element 10 is provided and the second region where the second light emitting element 20 is provided.
- the third light emitting element 30 includes a fifth light emitting unit 33, a sixth electrode 34, a sixth light emitting unit 35, and a seventh electrode 36.
- the fifth light emitting unit 33, the sixth electrode 34, the sixth light emitting unit 35, and the seventh electrode 36 are provided in this order from the substrate 100 side.
- the third light emitting element 30 also has a tandem element configuration as in the above embodiment.
- the material constituting the third light emitting element 30 can be the same as that of the above embodiment.
- the second light emitting unit 15, the fourth light emitting unit 25, and the sixth light emitting unit 35 are formed in the same process using the same material, and these light emitting units 15, 25, and 35 emit the second color light.
- a second color light emitting layer for emitting light and a third color light emitting layer for emitting third color light are provided.
- the 1st light emission unit 13, the 3rd light emission unit 23, and the 5th light emission unit 33 are formed in the same process using the same material, These light emission units 13,23,33 are the 1st color which light-emits 1st color light.
- a light emitting layer is provided.
- the first color light emitting layer is a fluorescent light emitting layer that makes blue the first color light
- the second color light emitting layer is a phosphorescent light emitting that makes the second color light red.
- the third color light emitting layer is a phosphorescent light emitting layer in which the third color light is green.
- the seventh electrode 36 is made of the same material as the third electrode 16 of the first light emitting element 10 and the fifth electrode 26 of the second light emitting element 20, and is substantially the entire surface of the light emitting region of the light emitting device 2. This is a common electrode formed in the same process.
- the light emitting device 2 includes an element driving circuit 50 similar to that of the above embodiment, and for each third light emitting element 30, a third driving transistor 51C for driving the third light emitting element 30, a switching transistor 52, and a storage element 53.
- the third light emitting element 30 also includes a relay electrode 32 and a connection auxiliary portion 321 for electrical connection between the sixth electrode 34 and the drive drain electrode 513 of the third drive transistor 51C.
- the second region and the third region on the planarizing film 59 are formed.
- the relay electrode 32 is connected to the drive drain electrode 513 through the connection hole 591 of the planarization film 59.
- the relay electrode 32 and the connection auxiliary part 321 can be formed by the same material and method as the relay electrode 22 and the connection auxiliary part 221 of the second light emitting element 20 described in the above embodiment.
- an insulating portion 62 is also formed between the second light emitting element 20 and the third light emitting element 30, and adjacent elements are formed by an inversely tapered step as in the description in the above embodiment.
- the electrodes and the light emitting unit are electrically separated between them.
- the end portion of the sixth electrode 34 enters the root portion of the inversely tapered insulating portion 62 formed between the light emitting elements 20 and 30 and is connected to the side surface of the connection assisting portion 321, and the sixth electrode 34 and the drive drain electrode Electrical connection with 513 is achieved.
- FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a stacked configuration of the light emitting elements 10, 20, and 30 of the light emitting device 2.
- the color conversion device 80A in the light emitting device 2 is provided on the surface of the substrate 100 opposite to the surface on which the light emitting elements 10, 20, 30 and the like are provided.
- the color conversion device 80A transmits the first color light C1, transmits the second color light C2 and the third color light C3, and transmits the second color light C2, and transmits the third color light C3.
- a second color conversion unit 82A that blocks C3, and a third color conversion unit 83A that transmits the third color light C3 and blocks the second color light C2.
- FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a stacked configuration of the light emitting elements 10, 20, and 30 of the light emitting device 2.
- the color conversion device 80A in the light emitting device 2 is provided on the surface of the substrate 100 opposite to the surface on which the light emitting elements 10, 20, 30 and the like are provided.
- the color conversion device 80A transmits
- the first color light C ⁇ b> 1 blue
- the first color light C ⁇ b> 1 is displayed from the portion corresponding to the second light emitting element 20.
- the second color light C2 red
- the third color light C3 green
- full color display by RGB display becomes possible.
- the light-emitting elements 10, 20, and 30 are provided on the substrate 100, and the second drive transistor 51B of the second light-emitting element 20 is electrically connected to the fourth electrode 24 as an intermediate electrode.
- the third drive transistor 51C of the third light emitting element 30 is electrically connected to a sixth electrode 34 as an intermediate electrode. Therefore, according to the light emitting device 2, the first color light emitting layers of the third light emitting unit 23 of the second light emitting element 20 and the fifth light emitting unit 33 of the third light emitting element 30 are driven without causing light emission. Can do.
- the light emitting device 2 is configured to include a plurality of pixels 2P that display each color of RGB from the portions corresponding to the light emitting elements 10, 20, and 30. However, the power consumption can be reduced.
- FIG. 15 is a schematic cross-sectional view in the substrate thickness direction of the light emitting device 3 according to the third embodiment.
- the same components as those in the above embodiment are given the same reference numerals and names, and the description thereof is omitted or simplified.
- the same materials and compounds as those described in the above embodiment can be used.
- the light emitting device 3 is different from the light emitting device 1 in the configuration of the second light emitting element.
- the second light emitting element 20A included in the light emitting device 3 is provided in the second region of the substrate 100 and is adjacent to the first light emitting element 10 provided in the first region.
- the second light emitting element 20 ⁇ / b> A includes an eighth electrode 28, a fourth electrode 24, a fourth light emitting unit 25, and a fifth electrode 26.
- the eighth electrode 28, the fourth electrode 24, the fourth light emitting unit 25, and the fifth electrode 26 are provided in this order from the substrate 100 side.
- the eighth electrode 28 and the fourth electrode 24 are laminated and electrically connected.
- the eighth light 28, the fifth electrode 26, and the fourth light emitting unit 25 provided between the fifth electrode 26 and the eighth electrode 28 constitute a second light emitting element 20A as an organic EL element.
- the eighth electrode 28 corresponds to an anode
- the fifth electrode 26 corresponds to a cathode.
- the fifth electrode 26 is a common electrode provided in common with the third electrode 16 of the first light emitting element 10, and is formed in the same process over substantially the entire light emitting region of the light emitting device 1. Yes.
- the fourth light emitting unit 25 constitutes a planar light emitting region.
- the third light emitting unit 23 is not provided. Therefore, charges are injected into the fourth light emitting unit 25 from the fourth electrode 24 connected to the eighth electrode 28 and the fifth electrode 26. The injected charges are recombined and the fourth light emitting unit 25 emits light.
- the third light emitting unit 23 may be formed in common with the second region when the first light emitting unit 13 is formed, but may be removed thereafter. Removal is performed by laser irradiation or the like.
- the fourth electrode 24 to the fourth electrode can be used as long as a portion where the eighth electrode 28 and the fourth electrode 24 are electrically connected is secured. Since charges are injected into the light emitting unit 25, stable light emission is possible.
- Reference numeral 67 in FIG. 15 denotes a film portion that remains without being removed from the portion corresponding to the third light emitting unit 23 due to laser irradiation or the like.
- the first electrode 12 is formed over substantially the entire first region of the first light emitting element 10 on the planarizing film 59. Further, the eighth electrode 28 is formed over substantially the entire second region that forms the second light emitting element 20 ⁇ / b> A on the planarizing film 59.
- Insulating part 60 is formed between the adjacent first light emitting element 10 and the second light emitting element 20A on the planarizing film 59 so as to partition and electrically insulate them.
- the insulating part 60 is configured by the first insulating part 61 described in the first embodiment.
- the first insulating portion 61 protrudes from the substrate 100 side and forms a step between the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20A. Further, the first insulating portion 61 has a first region that forms the first light emitting element 10 and an overhanging portion 63 that protrudes toward the second region that forms the second light emitting element 20A.
- the level difference formed by the first insulating portion 61 is the reverse taper type described above.
- layers constituting each element are formed.
- the second electrode 14 and the fourth electrode 24, and the second light emitting unit 15 and the fourth light emitting unit 25 are formed of the same process and the same material over the first region and the second region, as described above. .
- the second electrode 14 and the fourth electrode 24 are separated by the reverse tapered step of the first insulating portion 61, and the second light emitting unit 15 and the fourth light emitting unit 25 are separated.
- the eighth electrode 28 is also provided in the connection hole 591 provided in the planarizing film 59, and further electrically connected to a part of the drive drain electrode 513 on the upper surface side of the interlayer insulating film 58. .
- Other configurations of the light emitting device 3 are the same as those in the above embodiment.
- the light emitting device 3 Since the light emitting device 3 does not include the third light emitting unit 23 unlike the light emitting device 1 of the first embodiment, the light emitting device 3 can be driven without causing an unnecessary light emitting layer to emit light, and power consumption can be reduced. Can be reduced. In addition, according to 3rd embodiment, there exists an effect similar to said 1st embodiment.
- FIG. 16 is a schematic cross-sectional view in the substrate thickness direction of the light emitting device 4 according to the fourth embodiment.
- the same components as those in the above embodiment are given the same reference numerals and names, and the description thereof is omitted or simplified.
- the same materials and compounds as those described in the above embodiment can be used.
- the light emitting device 4 is different from the light emitting device 3 in the configuration of the insulating portion.
- the insulating portion provided between the first light emitting element 10 and the second light emitting element 20 ⁇ / b> A constituting each pixel is a fifth insulating portion 66 that covers the edge portions of the first electrode 12 and the eighth electrode 28. It is.
- the fifth insulating portion 66 does not have a reverse tapered shape like the first insulating portion 61 and the second insulating portion 62 of the above embodiment. Therefore, in the light emitting device 4, as in the above-described embodiment, the layers constituting the element are not divided between the first light emitting element 10 and the second light emitting elements 20 and 20A.
- the four electrodes 24 are continuous, and the second light emitting unit 15 and the fourth light emitting unit 25 are continuous.
- the first light emitting unit 13 is formed on the first region side where the first light emitting element 10 is formed, but is not formed on the second region side where the second light emitting element 20A is formed. .
- Other configurations of the light emitting device 4 are the same as those in the above embodiment.
- FIG. 17 is a plan view of the light emitting device 5 according to the fifth embodiment.
- the same components as those in the above embodiment are given the same reference numerals and names, and the description thereof is omitted or simplified.
- the same materials and compounds as those described in the above embodiment can be used.
- the light emitting device 5 is different from the light emitting device 1 in the shape of the insulating portion.
- the insulating portion 60 is provided continuously in the vertical direction, whereas in the light emitting device 5, the insulating portion 60 is the first as shown in FIG. 17.
- a predetermined distance is provided between the light emitting element 10 and the second light emitting element 20 in the vertical direction.
- FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting device 5 in the substrate thickness direction, and shows a cross-section taken along the line A-A ′ of FIG.
- the portion viewed in the cross-section along the line AA ′ in FIG. 17 is an insulating portion 60 between the region where the first light emitting element 10 is provided and the region where the second light emitting element 20 is provided. Is not provided. Therefore, each layer constituting the first light emitting element 10 and each layer constituting the second light emitting element 20 are not divided.
- FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting device 5 in the substrate thickness direction, and shows a cross-section taken along the line B-B ′ of FIG. As illustrated in FIG. 19, the insulating unit 60 is discontinuous between the first light emitting elements 10.
- the insulating part 60 is provided corresponding to the area
- step difference by the reverse taper type 1st insulation part 61 and the 2nd insulation part 62 is not formed.
- the third electrode 16 and the fifth electrode 26 as the common electrode are not easily separated, and the light emitting device 5 is easily energized over the entire light emitting region.
- extraction electrodes 27 that are electrically connected to these electrodes are provided at the end portions on the longitudinal direction side and the end portions on the lateral direction side of the third electrode 16 and the fifth electrode 26. As shown in FIG. 17, the extraction electrode 27 is provided in the vertical direction and the horizontal direction. In the light emitting device 5, since the insulating portion 60 is provided at a predetermined distance in the vertical direction, the light emitting device 5 can be applied to the entire light emitting region even if the extraction electrode 27 provided at the end portion on the horizontal direction is used. It becomes easy to energize over. Other configurations of the light emitting device 5 are the same as those in the above embodiment.
- connection auxiliary portion is formed on the relay electrode and connected to the fourth electrode as the intermediate electrode.
- the connection assisting unit is not an essential configuration, and it is only necessary to secure the connection between the fourth electrode and the relay electrode and thereby secure the electrical connection between the second drive transistor and the fourth electrode.
- a pixel electrode may be formed on the substrate side of the third light emitting unit of the second light emitting element in the same process as the formation of the first electrode, and the third light emitting unit includes a fourth electrode as the intermediate electrode and the pixel electrode. It is good also as a form pinched by. However, even in such a configuration, the pixel electrode and the second drive transistor are not electrically connected, and the fourth electrode and the second drive transistor are electrically connected.
- the present invention is not limited to the structure described in the above-described embodiment, and may have a structure in which any one of the planarization film and the interlayer insulating film is omitted.
- the second light-emitting unit and the fourth light-emitting unit have been described with an example including a light-emitting layer that emits yellow as the second color light.
- the second light-emitting unit and the fourth light-emitting unit are A light emitting layer that emits red light and a light emitting layer that emits green light may be provided.
- a mixture of red and green may be regarded as the second color light.
- RGB color can be obtained by providing color conversion units corresponding to the three colors RGB of the color filter for the first light emitting element and the two second light emitting elements, respectively. It becomes possible.
- the present invention is not limited to such an embodiment.
- it is good also as an aspect which peeled, after forming into a film on a board
- Another support is, for example, a flexible substrate having flexibility.
- the first light emitting unit has been described with an example in which the color light in which the first color light and the second color light are mixed is described.
- the present invention is not limited to such an aspect.
- the first light emitting element may emit first color light from the first light emitting unit
- the second light emitting element may emit second color light from the second light emitting unit.
- the first light emitting element and the second light emitting element By configuring the light emitting layer to emit light, the power consumption can be further reduced.
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Abstract
発光装置(1)は、第一発光素子(10)と、第二発光素子(20)と、駆動トランジスタ(51A,51B)を有する素子駆動部と、を備え、第一発光素子(10)は、第一電極(12)、第一発光ユニット(13)、第二電極(14)、第二発光ユニット(15)、および第三電極(16)を有し、第二発光素子(20)は、第三発光ユニット(23)、第四電極(24)、第四発光ユニット(25)、および第五電極(26)を有し、発光ユニット(13,23)は、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する発光層を有し、第二電極(14)および第四電極(24)が、同じ工程で形成され、発光ユニット(15,25)は、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する発光層を有し、第一駆動トランジスタ(51A)は、第一電極(12)と、第二駆動トランジスタ(51B)は、第四電極(24)と、それぞれ電気的に接続されている。
Description
本発明は、発光装置、電子機器および発光装置の製造方法に関する。
従来、ディスプレイに用いられる発光装置としては、液晶表示装置などが用いられていたが、近年、新たな発光装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略記する場合がある。)を用いた有機EL発光装置も実用化されつつある。有機EL素子では、陽極と陰極との間に、発光層を含む発光ユニットを備え、発光層に注入された正孔と電子との再結合によって生じる励起子(エキシトン)エネルギーから発光を得る。
カラーディスプレイに用いられる発光装置の方式としては、主に3色発光方式とカラーフィルタ方式とが採用されている。
3色発光方式では、赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の光の三原色を発光可能な素子をそれぞれ形成し、各色の発光強度を制御することでカラー表示を得るものである。しかしながら、3色発光方式では、RGBの各色に発光する発光層を形成するために、塗布や蒸着等を行う際にメタルマスクを用いた高精細な塗り分けが必要であるという問題もある。
一方、カラーフィルタ方式は、白色発光する発光素子と、カラーフィルタとを用いる方式であって、白色光をカラーフィルタに通過させることで、RGBの3色に変換するものである。このカラーフィルタ方式の発光装置は、高精細な塗り分けが不要であることから、上述の3色発光方式と比べて容易に製造することができる。
3色発光方式では、赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の光の三原色を発光可能な素子をそれぞれ形成し、各色の発光強度を制御することでカラー表示を得るものである。しかしながら、3色発光方式では、RGBの各色に発光する発光層を形成するために、塗布や蒸着等を行う際にメタルマスクを用いた高精細な塗り分けが必要であるという問題もある。
一方、カラーフィルタ方式は、白色発光する発光素子と、カラーフィルタとを用いる方式であって、白色光をカラーフィルタに通過させることで、RGBの3色に変換するものである。このカラーフィルタ方式の発光装置は、高精細な塗り分けが不要であることから、上述の3色発光方式と比べて容易に製造することができる。
白色発光素子は、例えば、陽極と陰極との間に挟持された一つの発光ユニット内に2層の発光層を積層させ、これらを同時に発光させることにより、発光ユニット全体として白色発光を取り出す構成がある。
また、その他の白色発光素子の構成としては、陽極と陰極との間に、中間電極等の中間層を介在させて複数の発光ユニットを積層させた、いわゆるタンデム型の構成もある。
このタンデム型の有機EL素子にカラーフィルタを組み合わせた表示装置が、特許文献1に記載されている。
特許文献1に記載された表示装置が備える有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に、赤色発光層と緑色発光層とを有する第一発光ユニット、並びに青色発光層を有する第二発光ユニットが、中間層としての接続層を介して設けられた白色発光素子の構成となっている。そして、特許文献1の表示装置では、RGBの各フィルタに対応した位置にそれぞれ白色発光素子を配置して白色発光させ、カラーフィルタを通過させることで色変換させている。
また、その他の白色発光素子の構成としては、陽極と陰極との間に、中間電極等の中間層を介在させて複数の発光ユニットを積層させた、いわゆるタンデム型の構成もある。
このタンデム型の有機EL素子にカラーフィルタを組み合わせた表示装置が、特許文献1に記載されている。
特許文献1に記載された表示装置が備える有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に、赤色発光層と緑色発光層とを有する第一発光ユニット、並びに青色発光層を有する第二発光ユニットが、中間層としての接続層を介して設けられた白色発光素子の構成となっている。そして、特許文献1の表示装置では、RGBの各フィルタに対応した位置にそれぞれ白色発光素子を配置して白色発光させ、カラーフィルタを通過させることで色変換させている。
しかしながら、特許文献1に記載されたような表示装置では、RGBそれぞれの発光を白色発光から取り出すために、発光成分を無駄にしている。例えば、発光素子から青色を表示させるために、青色発光層だけでなく、赤色発光層や緑色発光層も発光させていることになり、その分、電力を無駄に消費していることになる。
近年、発光装置の低消費電力化が要望されており、特許文献1に記載された表示装置のような無駄な電力消費が課題となっていた。
近年、発光装置の低消費電力化が要望されており、特許文献1に記載された表示装置のような無駄な電力消費が課題となっていた。
本発明の目的は、消費電力を低減することができる発光装置および当該発光装置の製造方法を提供することである。また、本発明の別の目的としては、当該発光装置を備える電子機器を提供することである。
本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、前記第一発光ユニットと同じ工程で形成された第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同じ工程で形成された第四発光ユニットが、前記第一中間層と同じ工程で形成された第二中間層を介して積層される第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれか一方を前記第一発光素子から出射させ、前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一発光素子から出射させる色光とは異なる色光を前記第二発光素子から出射させることを特徴とする。
また、本発明の別の一実施形態の発光装置は、第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、前記第一発光ユニットと同じ工程で形成された第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同じ工程で形成された第四発光ユニットが、前記第一中間層と同じ構成で形成された第二中間層を介して積層される第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光を前記第一発光素子から出射させ、前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれかを前記第二発光素子から出射させることを特徴とする。
また、上述とはさらに別の本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、前記第一発光ユニットと同一構成の第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同一構成の第四発光ユニットが、前記第一中間層と同一構成の第二中間層を介して積層される第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれか一方を前記第一発光素子から出射させ、前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一発光素子から出射させる色光とは異なる色光を前記第二発光素子から出射させることを特徴とする。
なお、発光ユニットおよび中間層に関して、上述の同一構成とは、同一工程で作成されたと視認できる程度に、同一の膜厚、同一の積層順を有する単一もしくは積層構成をいう。以下においても同様である。
なお、発光ユニットおよび中間層に関して、上述の同一構成とは、同一工程で作成されたと視認できる程度に、同一の膜厚、同一の積層順を有する単一もしくは積層構成をいう。以下においても同様である。
また、上述とはさらに別の本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、前記第一発光ユニットと同一構成の第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同一構成の第四発光ユニットが、前記第一中間層と同一構成の第二中間層を介して積層される第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光を前記第一発光素子から出射させ、前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれかを前記第二発光素子から出射させることを特徴とする。
また、上述とは異なる本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光素子と、第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二電極および前記第四電極が、同じ工程で形成され、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、上述とは異なる本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光素子と、第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、前記第二発光素子は、第八電極、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、前記第二電極および前記第四電極が、同じ工程で形成され、前記第一発光ユニットは、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、前記第二駆動トランジスタは、前記第八電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、上述とは異なる本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光素子と、第二発光素子と、第三発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタ、前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタおよび前記第三発光素子を駆動するための第三駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、前記第三発光素子は、第五発光ユニット、第六電極、第六発光ユニット、および第七電極を、この順に有し、前記第一発光ユニット、前記第三発光ユニットおよび前記第五発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二電極、前記第四電極および前記第七電極が、同じ工程で形成され、前記第二発光ユニット、前記第四発光ユニットおよび前記第六発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続され、前記第三駆動トランジスタは、前記第六電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、上述とはさらに別の本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光素子と、第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光素子および前記第二発光素子は、中間電極を有し、この中間電極は、前記第一発光素子側と前記第二発光素子側との間で絶縁部によって第二電極と第四電極とに電気的に切断され、前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、前記第一発光ユニット、および前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二発光ユニット、および前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第二電極と電気的に接続され、前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、上述とは異なる本発明の一実施形態の発光装置は、第一発光素子と、第二発光素子と、前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、前記第二電極および前記第四電極が、同じ工程で形成され、前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続され、前記第三発光ユニットの厚さ方向の両端間において電位差を設けないことを特徴とする。
本発明の一実施形態の発光装置の製造方法は、基板と、前記基板に設けられた第一発光素子と、前記基板の前記第一発光素子が設けられた領域とは異なる領域に設けられた第二発光素子と、を備える発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、前記基板上に前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタ、および第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを形成する工程と、前記基板上の前記第一発光素子を形成する第一領域に第一電極を形成し、前記第一電極を前記第一駆動トランジスタと電気的に接続させる工程と、前記第一領域と、前記第二発光素子を形成する第二領域とを区分する位置に、前記基板側から隆起し、前記第二領域側へ向かって張り出す張出部を有する絶縁部を形成する工程と、第一の色光を発光する第一色光発光層を含む第一色光発光ユニットを前記第一領域および前記第二領域に亘って前記絶縁部を跨いで成膜する工程と、前記第一領域および前記第二領域に亘って前記絶縁部を跨いで中間電極を成膜し、前記第二領域側の中間電極を前記第二駆動トランジスタと電気的に接続させる工程と、第二の色光を発光する第二色光発光層を含む第二色光発光ユニットを前記第一領域および前記第二領域に亘って前記絶縁部を跨いで成膜する工程と、を有することを特徴とする。
<第一実施形態>
以下、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図1は、第一実施形態に係る発光装置1の一部を表す平面図である。
発光装置1は、第一発光素子10と、第二発光素子20と、を備える。
以下、本実施形態において、第一発光素子10および第二発光素子20は、有機発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略記する場合がある。)を適用した場合を例に挙げて説明する。なお、本発明は、発光素子として有機EL素子が適用された場合に限定されない。
発光装置1では、第一発光素子10と第二発光素子20とを含んで一つの表示単位である画素(ピクセル)1Pを構成する。発光装置1は、複数の画素1Pを有し、複数の画素1Pが、全体としてマトリックス状に配列されていることで発光領域を形成する。例えば、図1に示すように、第一発光素子10が縦方向に略等間隔で設けられ、第二発光素子20も縦方向に略等間隔で設けられている。また、図1に示すように、第一発光素子10と第二発光素子20とは、横方向で交互に設けられている。第一発光素子10と第二発光素子20との間には、これらを区画して電気的に絶縁するための絶縁部60が形成されている。
以下、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図1は、第一実施形態に係る発光装置1の一部を表す平面図である。
発光装置1は、第一発光素子10と、第二発光素子20と、を備える。
以下、本実施形態において、第一発光素子10および第二発光素子20は、有機発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略記する場合がある。)を適用した場合を例に挙げて説明する。なお、本発明は、発光素子として有機EL素子が適用された場合に限定されない。
発光装置1では、第一発光素子10と第二発光素子20とを含んで一つの表示単位である画素(ピクセル)1Pを構成する。発光装置1は、複数の画素1Pを有し、複数の画素1Pが、全体としてマトリックス状に配列されていることで発光領域を形成する。例えば、図1に示すように、第一発光素子10が縦方向に略等間隔で設けられ、第二発光素子20も縦方向に略等間隔で設けられている。また、図1に示すように、第一発光素子10と第二発光素子20とは、横方向で交互に設けられている。第一発光素子10と第二発光素子20との間には、これらを区画して電気的に絶縁するための絶縁部60が形成されている。
図2は、第一実施形態に係る発光装置1の基板厚さ方向の断面概略図であり、図1のII-II’矢視断面が示されている。
発光装置1において、第一発光素子10および第二発光素子20は、基板100上に設けられている。なお、実施形態の説明において、上下関係を説明する場合は、基板100を下にし、発光素子10,20を上にして配置した場合をいう。
発光装置1において、第一発光素子10および第二発光素子20は、基板100上に設けられている。なお、実施形態の説明において、上下関係を説明する場合は、基板100を下にし、発光素子10,20を上にして配置した場合をいう。
(基板)
基板100は、第一発光素子10と、第二発光素子20とを支持するための平滑な板状の部材である。発光装置1は、第一発光素子10および第二発光素子20から放射された放射光の光取出し方向が、基板100側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。そのため、基板100は、透光性の部材が用いられ、400nmから700nmまでの可視領域の光の透過率が50%以上であることが好ましい。基板100の具体例としては、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、トリアジン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。基板100としては、板状に限定されず、フィルム状であっても良い。
基板100は、第一発光素子10と、第二発光素子20とを支持するための平滑な板状の部材である。発光装置1は、第一発光素子10および第二発光素子20から放射された放射光の光取出し方向が、基板100側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。そのため、基板100は、透光性の部材が用いられ、400nmから700nmまでの可視領域の光の透過率が50%以上であることが好ましい。基板100の具体例としては、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルサルファイド系樹脂、ポリサルフォン系樹脂、トリアジン系樹脂等を原料として用いてなるものを挙げることができる。基板100としては、板状に限定されず、フィルム状であっても良い。
(第一発光素子)
第一発光素子10は、図2に示すように、基板100の第一領域に設けられ、第一電極12、第一発光ユニット13、第二電極14、第二発光ユニット15、および第三電極16を有する。本実施形態において、第一電極12、第一発光ユニット13、第二電極14、第二発光ユニット15、および第三電極16は、この順に基板100側から設けられている。
第一発光素子10においては、第一発光ユニット13と、第二発光ユニット15との間に、中間層に含まれる第二電極14(中間電極)が設けられており、第一発光素子10は、いわゆるタンデム型の素子構成である。中間層は、発光ユニット間に設けられる層である。一対の電極間に複数の発光ユニットが設けられ、当該複数の発光ユニット同士の間に設けられる場合、すなわち、第一発光素子10のようにタンデム型の素子構成における中間層は、陽極側の発光ユニットへ電子を注入する機能と、陰極側の発光ユニットへは正孔を注入する機能とを有し、ドナー含有層、導電層(中間電極)、およびアクセプター含有層から選択される積層組み合わせから構成される。ドナー含有層、導電層(中間電極)、およびアクセプター含有層の積層構成であることが好ましい。アクセプター含有層のみからなる構成も好ましい。第一発光素子10の中間層が第一中間層となる。
第一発光素子10は、図2に示すように、基板100の第一領域に設けられ、第一電極12、第一発光ユニット13、第二電極14、第二発光ユニット15、および第三電極16を有する。本実施形態において、第一電極12、第一発光ユニット13、第二電極14、第二発光ユニット15、および第三電極16は、この順に基板100側から設けられている。
第一発光素子10においては、第一発光ユニット13と、第二発光ユニット15との間に、中間層に含まれる第二電極14(中間電極)が設けられており、第一発光素子10は、いわゆるタンデム型の素子構成である。中間層は、発光ユニット間に設けられる層である。一対の電極間に複数の発光ユニットが設けられ、当該複数の発光ユニット同士の間に設けられる場合、すなわち、第一発光素子10のようにタンデム型の素子構成における中間層は、陽極側の発光ユニットへ電子を注入する機能と、陰極側の発光ユニットへは正孔を注入する機能とを有し、ドナー含有層、導電層(中間電極)、およびアクセプター含有層から選択される積層組み合わせから構成される。ドナー含有層、導電層(中間電極)、およびアクセプター含有層の積層構成であることが好ましい。アクセプター含有層のみからなる構成も好ましい。第一発光素子10の中間層が第一中間層となる。
第一中間層は、各発光ユニットに注入する電子又は正孔の供給源となる。一対の電極から注入される電荷に加えて、中間層から供給される電荷が発光ユニット内に注入されることになるので、中間層を設けることによって、注入した電流に対する発光効率(電流効率)が向上する。中間層の導電率は、10-2S/cm~106S/cmであることが好ましい。
導電層を構成する材料としては、金属、金属酸化物、金属酸化物の混合物、金属複合酸化物、カルコゲナイド材料、有機半導体材料が挙げられる。金属としては、Mg、Al、MgやAgの共蒸着膜等が好ましい。金属酸化物としては、ZnO、WO3、MoO3、MoO2などが挙げられる。金属酸化物の混合物としては、ITOやIZO(登録商標)等が挙げられる。アクセプター含有層は、電子受容性材料を含む層であり、電子受容性材料としては、前記金属酸化物、前記金属複合酸化物、電子受容性有機化合物が挙げられる。電子受容性有機化合物としては、CN(シアノ)基を置換基に持つ有機化合物が挙げられる。CN基を含む有機化合物としては、トリフェニレン誘導体やテトラシアノキノジメタン誘導体、インデノフルオレン誘導体等が好ましい。トリフェニレン誘導体としては、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレンが好ましい。テトラシアノキノジメタン誘導体としてはテトラフルオロキノジメタン、ジシアノキノジメタンが好ましい。インデノフルオレン誘導体としては国際公開第2009/011327号、国際公開第2009/069717号又は国際公開第2010/064655号に示されるような化合物が好ましい。なお、アクセプター含有層は電子受容性物質単独からなっても、他の有機化合物と混合されてもよい。
ドナー含有層は、電子供与性材料を含む層であり、電子輸送材料とアルカリ金属で代表されるドナーを混合された層であることが好ましい。電子供与性材料としては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体から選ばれる群のうち少なくとも一種を選ぶことができる。
ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体に使用できる化合物の具体例として、特許出願番号PCT/JP2010/003434の公報に記載の化合物が挙げられる。
また、前記カルコゲナイド材料としては、ZnS, ZnSe, CdS, CdTe, MgS, MgSe, ZnSSe, ZnMgSSe, ZnCdSSe, ZnTeSeが挙げられる。
前記有機半導体材料としては、非結晶カーボン、ダイアモンドライクカーボン、導電性共役ポリマー、酸化剤添加ポリマー、還元剤添加ポリマー、酸化剤添加低分子化合物、還元剤添加低分子化合物が挙げられる。
前記導電性酸化物としては、NbOx, LaOx, NdOx, SmOx, EuOx, MoOx, ReOx, WOx, OsOx, IrOx, PtOx (x=0.2~5)が挙げられる。
ドナー含有層は、電子供与性材料を含む層であり、電子輸送材料とアルカリ金属で代表されるドナーを混合された層であることが好ましい。電子供与性材料としては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体から選ばれる群のうち少なくとも一種を選ぶことができる。
ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体に使用できる化合物の具体例として、特許出願番号PCT/JP2010/003434の公報に記載の化合物が挙げられる。
また、前記カルコゲナイド材料としては、ZnS, ZnSe, CdS, CdTe, MgS, MgSe, ZnSSe, ZnMgSSe, ZnCdSSe, ZnTeSeが挙げられる。
前記有機半導体材料としては、非結晶カーボン、ダイアモンドライクカーボン、導電性共役ポリマー、酸化剤添加ポリマー、還元剤添加ポリマー、酸化剤添加低分子化合物、還元剤添加低分子化合物が挙げられる。
前記導電性酸化物としては、NbOx, LaOx, NdOx, SmOx, EuOx, MoOx, ReOx, WOx, OsOx, IrOx, PtOx (x=0.2~5)が挙げられる。
・発光ユニット
第一発光ユニット13は、第一の色光を発光する第一色光発光層を備え、第二発光ユニット15は、第二の色光を発光する第二色光発光層を備える。本実施形態においては、第一の色光は、青色とし、第二の色光は、黄色とする。なお、本発明は、実施形態中で説明する第一の色光および第二の色光の例に何ら限定されない。
第一発光ユニット13および第二発光ユニット15は、それぞれ独立に、一つの発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の有機EL素子で採用される層を有していてもよい。また、第一発光ユニット13および第二発光ユニット15は、それぞれ独立に、無機化合物を含んでいてもよい。本実施形態では、第一発光ユニット13および第二発光ユニット15は、面状の発光領域を構成する。
第一発光ユニット13を構成する各層は、第二発光素子20の第三発光ユニット23と同一構成であるため、第一発光ユニット13の当該各層を形成する際には、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成することで、メタルマスク等による塗り分けが不要となる。また、第二発光ユニット15を構成する各層も、第二発光素子20の第四発光ユニット25と同一構成であるため、同様に、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成することができる。
第一発光ユニット13は、第一の色光を発光する第一色光発光層を備え、第二発光ユニット15は、第二の色光を発光する第二色光発光層を備える。本実施形態においては、第一の色光は、青色とし、第二の色光は、黄色とする。なお、本発明は、実施形態中で説明する第一の色光および第二の色光の例に何ら限定されない。
第一発光ユニット13および第二発光ユニット15は、それぞれ独立に、一つの発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の有機EL素子で採用される層を有していてもよい。また、第一発光ユニット13および第二発光ユニット15は、それぞれ独立に、無機化合物を含んでいてもよい。本実施形態では、第一発光ユニット13および第二発光ユニット15は、面状の発光領域を構成する。
第一発光ユニット13を構成する各層は、第二発光素子20の第三発光ユニット23と同一構成であるため、第一発光ユニット13の当該各層を形成する際には、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成することで、メタルマスク等による塗り分けが不要となる。また、第二発光ユニット15を構成する各層も、第二発光素子20の第四発光ユニット25と同一構成であるため、同様に、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成することができる。
・発光層
発光ユニットが有する発光層には、Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)等の発光材料が用いられ、赤色、緑色、青色、黄色等の単色光を示す構成のものや、それらの組み合わせによる発光色を示す構成のもの等が用いられる。発光ユニットに使用される材料は蛍光発光型でも燐光発光型でも構わず、これらを組み合わせる場合でも発光ユニットの順序は蛍光/燐光でも燐光/蛍光でも構わない。
本実施形態では、第一の色光は青色であり、第一発光ユニット13の第一色光発光層は、蛍光発光型であり、第二の色光は、黄色であり、第二発光ユニット15の第二色光発光層は、燐光発光型である。なお、本発明は、実施形態中で説明する発光層の発光型の例に何ら限定されない。
また、発光層には、一般的にドーピングシステムが採用されている。この場合、発光層は、ホスト材料とドーパント材料を含む有機層である。ホスト材料は、一般的に電子と正孔の再結合を促し、再結合により生じた励起エネルギーをドーパント材料に伝達させる。ドーパント材料としては、量子収率の高い化合物が好まれ、ホスト材料から励起エネルギーを受け取ったドーパント材料は、高い発光性能を示す。
発光ユニットが有する発光層には、Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)等の発光材料が用いられ、赤色、緑色、青色、黄色等の単色光を示す構成のものや、それらの組み合わせによる発光色を示す構成のもの等が用いられる。発光ユニットに使用される材料は蛍光発光型でも燐光発光型でも構わず、これらを組み合わせる場合でも発光ユニットの順序は蛍光/燐光でも燐光/蛍光でも構わない。
本実施形態では、第一の色光は青色であり、第一発光ユニット13の第一色光発光層は、蛍光発光型であり、第二の色光は、黄色であり、第二発光ユニット15の第二色光発光層は、燐光発光型である。なお、本発明は、実施形態中で説明する発光層の発光型の例に何ら限定されない。
また、発光層には、一般的にドーピングシステムが採用されている。この場合、発光層は、ホスト材料とドーパント材料を含む有機層である。ホスト材料は、一般的に電子と正孔の再結合を促し、再結合により生じた励起エネルギーをドーパント材料に伝達させる。ドーパント材料としては、量子収率の高い化合物が好まれ、ホスト材料から励起エネルギーを受け取ったドーパント材料は、高い発光性能を示す。
・ドーパント材料
ドーパント材料としては、有機EL素子に用いられるドーパント材料用の材料が用いられ、蛍光発光を示すドーパント材料又は燐光発光を示すドーパント材料から選ばれる。
蛍光発光を示すドーパント材料としては、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、硼素錯体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体から選ばれる。好ましくは、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、硼素錯体が挙げられる。このような蛍光発光を示す材料を、以下、蛍光発光性ドーパント材料と称する場合がある。
燐光発光を示すドーパント材料は、金属錯体を含有するものが好ましい。該金属錯体としては、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、オスミウム(Os)、金(Au)、レニウム(Re)、およびルテニウム(Ru)から選択される金属原子と配位子とを有するものが好ましい。特に、配位子と金属原子とが、オルトメタル結合を形成していることが好ましい。このような燐光発光を示すドーパント材料を、以下、燐光発光性ドーパント材料と称する場合がある。
燐光発光性ドーパント材料としては、燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)および白金(Pt)から選ばれる金属を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体および白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。また、発光効率等の観点からフェニルキノリン、フェニルイソキノリン、フェニルピリジン、フェニルピリミジン、フェニルピラジンおよびフェニルイミダゾールから選択される配位子を有する有機金属錯体が好ましい。
ドーパント材料は、単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。
ドーパント材料としては、有機EL素子に用いられるドーパント材料用の材料が用いられ、蛍光発光を示すドーパント材料又は燐光発光を示すドーパント材料から選ばれる。
蛍光発光を示すドーパント材料としては、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、硼素錯体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体から選ばれる。好ましくは、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、硼素錯体が挙げられる。このような蛍光発光を示す材料を、以下、蛍光発光性ドーパント材料と称する場合がある。
燐光発光を示すドーパント材料は、金属錯体を含有するものが好ましい。該金属錯体としては、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、オスミウム(Os)、金(Au)、レニウム(Re)、およびルテニウム(Ru)から選択される金属原子と配位子とを有するものが好ましい。特に、配位子と金属原子とが、オルトメタル結合を形成していることが好ましい。このような燐光発光を示すドーパント材料を、以下、燐光発光性ドーパント材料と称する場合がある。
燐光発光性ドーパント材料としては、燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)および白金(Pt)から選ばれる金属を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体および白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。また、発光効率等の観点からフェニルキノリン、フェニルイソキノリン、フェニルピリジン、フェニルピリミジン、フェニルピラジンおよびフェニルイミダゾールから選択される配位子を有する有機金属錯体が好ましい。
ドーパント材料は、単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。
・ホスト材料
ホスト材料としては、有機EL素子に用いられるホスト材料用の材料が用いられ、例えば、アミン誘導体、アジン誘導体、縮合多環芳香族誘導体などが挙げられる。
アミン誘導体としては、例えば、モノアミン化合物、ジアミン化合物、トリアミン化合物、テトラミン化合物、カルバゾール基で置換されたアミン化合物などが挙げられる。
アジン誘導体としては、例えば、モノアジン誘導体、ジアジン誘導体、およびトリアジン誘導体などが挙げられる。
縮合多環芳香族誘導体としては、へテロ環骨格を有しない縮合多環芳香族炭化水素が好ましく、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、クリセン、フルオランテン、トリフェニレン等の縮合多環芳香族炭化水素、もしくは、これらの誘導体が挙げられる。
また、発光層に燐光発光性ドーパント材料を含む場合のホスト材料の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、高分子化合物等が挙げられる。ここでの各種金属錯体としては、8-キノリノール誘導体の金属錯体や、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールなどを配位子とする金属錯体などが挙げられる。ここでの導電性高分子オリゴマーとしては、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどが挙げられる。ここでの高分子化合物としては、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが挙げられる。
ホスト材料は、単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。
ホスト材料としては、有機EL素子に用いられるホスト材料用の材料が用いられ、例えば、アミン誘導体、アジン誘導体、縮合多環芳香族誘導体などが挙げられる。
アミン誘導体としては、例えば、モノアミン化合物、ジアミン化合物、トリアミン化合物、テトラミン化合物、カルバゾール基で置換されたアミン化合物などが挙げられる。
アジン誘導体としては、例えば、モノアジン誘導体、ジアジン誘導体、およびトリアジン誘導体などが挙げられる。
縮合多環芳香族誘導体としては、へテロ環骨格を有しない縮合多環芳香族炭化水素が好ましく、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、クリセン、フルオランテン、トリフェニレン等の縮合多環芳香族炭化水素、もしくは、これらの誘導体が挙げられる。
また、発光層に燐光発光性ドーパント材料を含む場合のホスト材料の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、各種金属錯体、ポリシラン系化合物、ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、高分子化合物等が挙げられる。ここでの各種金属錯体としては、8-キノリノール誘導体の金属錯体や、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールなどを配位子とする金属錯体などが挙げられる。ここでの導電性高分子オリゴマーとしては、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどが挙げられる。ここでの高分子化合物としては、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが挙げられる。
ホスト材料は、単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。
第一発光ユニット13、および第二発光ユニット15の各発光層が、互いに同じ発光型のドーパント材料を含んでもよい。すなわち、第一発光ユニット13の発光層が、蛍光発光性ドーパント材料を含むなら、第二発光ユニット15の発光層も、蛍光発光性ドーパント材料を含んでもよいし、第一発光ユニット13の発光層が、燐光発光性ドーパント材料を含むなら、第二発光ユニット15の発光層も、燐光発光性ドーパント材料を含んでもよい。
また、第一発光ユニット13、および第二発光ユニット15の各発光層が、複数の発光層を有する場合には、当該複数の発光層においても互いに異なる発光型のドーパント材料を含んでもよい。すなわち、一方の発光層が蛍光発光性ドーパント材料を含み、他方の発光層が燐光発光性ドーパント材料を含んでもよい。
このドーパント材料の発光型の組合せについては、3つ以上の発光ユニットが積層される場合も、同様である。
また、第一発光ユニット13、および第二発光ユニット15の各発光層が、複数の発光層を有する場合には、当該複数の発光層においても互いに異なる発光型のドーパント材料を含んでもよい。すなわち、一方の発光層が蛍光発光性ドーパント材料を含み、他方の発光層が燐光発光性ドーパント材料を含んでもよい。
このドーパント材料の発光型の組合せについては、3つ以上の発光ユニットが積層される場合も、同様である。
第一発光ユニット13および第二発光ユニット15の発光層、並びにその他の層において、上述の例示した化合物以外にも、有機EL素子において使用される材料の中から任意の化合物を選択して用いることができる。
・第一電極および第三電極
本実施形態において、第一電極12は、陽極であり、第三電極16は、陰極となる。
有機EL素子の陽極は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層または発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。
陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、インジウム-亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅などが挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法などの方法で薄膜を形成させることにより作製される。本実施形態では、陽極としての第一電極12は、第一発光素子10を形成する第一領域に選択的に形成されている。
発光層からの発光を陽極(第一電極12)側から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□(Ω/sq。オーム・パー・スクウェア。)以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常10nm以上1μm以下、好ましくは10nm以上200nm以下の範囲で選択される。
本実施形態において、第一電極12は、陽極であり、第三電極16は、陰極となる。
有機EL素子の陽極は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層または発光層に注入する役割を担うものであり、4.5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。
陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、インジウム-亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅などが挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法などの方法で薄膜を形成させることにより作製される。本実施形態では、陽極としての第一電極12は、第一発光素子10を形成する第一領域に選択的に形成されている。
発光層からの発光を陽極(第一電極12)側から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を10%より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/□(Ω/sq。オーム・パー・スクウェア。)以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常10nm以上1μm以下、好ましくは10nm以上200nm以下の範囲で選択される。
陰極としては、電子注入層、電子輸送層または発光層に電子を注入する役割を担うものであり、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-スカンジウム-リチウム合金、マグネシウム-銀合金などが使用できる。
陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法などの方法で、例えば、電子輸送層や電子注入層上に薄膜を形成させることにより作製することができる。本実施形態では、第三電極16は、第二発光素子20の第五電極26と同じ材料を用いて、発光装置1の発光領域の略全面に亘って、同じ工程で形成された共通電極である。
また、陰極(第三電極16)側から、発光層からの発光を取り出す態様を採用することもできる。発光層からの発光を陰極側から取り出す場合、陰極の可視領域の光の透過率を10%より大きくすることが好ましい。
陰極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。
陰極の層厚は材料にもよるが、通常10nm以上1μm以下、好ましくは50nm以上200nm以下の範囲で選択される。
なお、本発明は、このような第一実施形態に限定されるものではなく、発光装置1の駆動方法によっては、第三電極16が陽極となって、第一電極12が陰極となってもよい。
陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-スカンジウム-リチウム合金、マグネシウム-銀合金などが使用できる。
陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法などの方法で、例えば、電子輸送層や電子注入層上に薄膜を形成させることにより作製することができる。本実施形態では、第三電極16は、第二発光素子20の第五電極26と同じ材料を用いて、発光装置1の発光領域の略全面に亘って、同じ工程で形成された共通電極である。
また、陰極(第三電極16)側から、発光層からの発光を取り出す態様を採用することもできる。発光層からの発光を陰極側から取り出す場合、陰極の可視領域の光の透過率を10%より大きくすることが好ましい。
陰極のシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましい。
陰極の層厚は材料にもよるが、通常10nm以上1μm以下、好ましくは50nm以上200nm以下の範囲で選択される。
なお、本発明は、このような第一実施形態に限定されるものではなく、発光装置1の駆動方法によっては、第三電極16が陽極となって、第一電極12が陰極となってもよい。
(第二発光素子)
第二発光素子20は、図2に示すように、基板100の第一領域とは異なる第二領域に設けられ、第一発光素子10と隣接している。第二発光素子20は、第三発光ユニット23、第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26を有する。本実施形態において、第三発光ユニット23、第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26は、この順に基板100側から設けられている。
第二発光素子20も、第一発光素子10と同様、中間電極としての第四電極24が、第三発光ユニット23と第四発光ユニット25との間に設けられた素子構成となっている。中間層は、前述のとおり、発光ユニット間に設けられる層である。第二発光素子20においては、第三発光ユニット23および第四発光ユニット25が一対の電極間に設けられていない素子構成である。そのため、第四電極24が第二発光素子20における中間層(第二中間層)であるとともに、第二発光素子20における陽極に相当する。第四電極24は、素子駆動部に電気的に接続され、かつ第四発光ユニットへキャリア(正孔)を供給する電極の機能を兼ねる。そのため、電荷発生層もしくは導電層を含む。導電層は、導電性材料もしくは半導体材料を含んで構成される。第二発光素子20の第四電極24と第一発光素子の第二電極14とは、同一構成であるため、第一中間層および第二中間層を形成する際には、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成することで、メタルマスク等による塗り分けが不要となる。
第五電極26は、前述のとおり、第一発光素子10の第三電極16と共通して設けられた共通電極であり、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成されている。
第二発光素子20は、図2に示すように、基板100の第一領域とは異なる第二領域に設けられ、第一発光素子10と隣接している。第二発光素子20は、第三発光ユニット23、第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26を有する。本実施形態において、第三発光ユニット23、第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26は、この順に基板100側から設けられている。
第二発光素子20も、第一発光素子10と同様、中間電極としての第四電極24が、第三発光ユニット23と第四発光ユニット25との間に設けられた素子構成となっている。中間層は、前述のとおり、発光ユニット間に設けられる層である。第二発光素子20においては、第三発光ユニット23および第四発光ユニット25が一対の電極間に設けられていない素子構成である。そのため、第四電極24が第二発光素子20における中間層(第二中間層)であるとともに、第二発光素子20における陽極に相当する。第四電極24は、素子駆動部に電気的に接続され、かつ第四発光ユニットへキャリア(正孔)を供給する電極の機能を兼ねる。そのため、電荷発生層もしくは導電層を含む。導電層は、導電性材料もしくは半導体材料を含んで構成される。第二発光素子20の第四電極24と第一発光素子の第二電極14とは、同一構成であるため、第一中間層および第二中間層を形成する際には、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成することで、メタルマスク等による塗り分けが不要となる。
第五電極26は、前述のとおり、第一発光素子10の第三電極16と共通して設けられた共通電極であり、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成されている。
・発光ユニット
第三発光ユニット23は、第一発光ユニット13と同じ第一の色光を発光する能力を有する第一色光発光層を備え、第四発光ユニット25は、第二発光ユニット15と同じ第二の色光を発光する第二色光発光層を備える。本実施形態では、第三発光ユニット23および第四発光ユニット25は、面状の発光領域を構成する。
本実施形態においては、第三発光ユニット23は、図2に示されているように、電極間に挟持されていないため、発光装置1の駆動時に第三発光ユニット23の厚さ方向の両端間に電位差が設けられておらず、発光しない。一方、第四電極24と第五電極26とで挟持された第四発光ユニット25は、第二の色光を発光する。
なお、第三発光ユニット23および第四発光ユニット25のその他の構成は、第一発光素子の場合と同様であるので、説明を省略する。
第三発光ユニット23は、第一発光ユニット13と同じ第一の色光を発光する能力を有する第一色光発光層を備え、第四発光ユニット25は、第二発光ユニット15と同じ第二の色光を発光する第二色光発光層を備える。本実施形態では、第三発光ユニット23および第四発光ユニット25は、面状の発光領域を構成する。
本実施形態においては、第三発光ユニット23は、図2に示されているように、電極間に挟持されていないため、発光装置1の駆動時に第三発光ユニット23の厚さ方向の両端間に電位差が設けられておらず、発光しない。一方、第四電極24と第五電極26とで挟持された第四発光ユニット25は、第二の色光を発光する。
なお、第三発光ユニット23および第四発光ユニット25のその他の構成は、第一発光素子の場合と同様であるので、説明を省略する。
図3は、発光装置1の基板厚さ方向の断面概略図であり、図1のIII-III’矢視断面が示されている。
図3に示すように、第一発光素子10が設けられる領域と第二発光素子20が設けられる領域との間には、絶縁部60が設けられている。また、図1に示すように第一発光素子10が設けられる領域と第二発光素子20が設けられる領域とを、絶縁部60が縦方向に亘って設けられて、各領域を区分している。そのため、図3に示すように、隆起した絶縁部60によって段差が形成され、この段差によって、第一発光素子10を構成する各層と第二発光素子20を構成する各層とが分断され、第一発光素子10の第二電極14と第二発光素子20の第四電極24とが電気的に接続していない。
図3に示すように、第一発光素子10が設けられる領域と第二発光素子20が設けられる領域との間には、絶縁部60が設けられている。また、図1に示すように第一発光素子10が設けられる領域と第二発光素子20が設けられる領域とを、絶縁部60が縦方向に亘って設けられて、各領域を区分している。そのため、図3に示すように、隆起した絶縁部60によって段差が形成され、この段差によって、第一発光素子10を構成する各層と第二発光素子20を構成する各層とが分断され、第一発光素子10の第二電極14と第二発光素子20の第四電極24とが電気的に接続していない。
図4は、発光装置1の基板厚さ方向の断面概略図であり、図1のIV-IV’矢視断面が示されている。
図4に示すように、第一発光素子10同士の間においては、第一発光素子10を構成する各層が連続しており、第二電極14は分断されていない。
図4に示すように、第一発光素子10同士の間においては、第一発光素子10を構成する各層が連続しており、第二電極14は分断されていない。
(素子駆動部)
図5には、素子駆動部としての素子駆動回路50が示されている。
発光装置1は、第一発光素子10および第二発光素子20を駆動させるための素子駆動回路50を備える。素子駆動回路50は、基板100に支持され、駆動トランジスタ51と、スイッチングトランジスタ52と、蓄電素子53とを有し、いわゆるアクティブ型の駆動回路である。第一発光素子10に対応する駆動トランジスタ51は、第一駆動トランジスタ51Aであり、第二発光素子20に対応する駆動トランジスタ51は、第二駆動トランジスタ51Bである。
また、基板100には、一方向に沿って配置される走査電極線54と、走査電極線54に対して交差して配置される信号電極線55および共通電源線56とが設けられている。なお、走査電極線54と信号電極線55とが交差する部位、並びに、走査電極線54と共通電源線56とが交差する部位においては、電気的に接続されないように絶縁性の材料で層間絶縁膜等が形成されている。
図5には、素子駆動部としての素子駆動回路50が示されている。
発光装置1は、第一発光素子10および第二発光素子20を駆動させるための素子駆動回路50を備える。素子駆動回路50は、基板100に支持され、駆動トランジスタ51と、スイッチングトランジスタ52と、蓄電素子53とを有し、いわゆるアクティブ型の駆動回路である。第一発光素子10に対応する駆動トランジスタ51は、第一駆動トランジスタ51Aであり、第二発光素子20に対応する駆動トランジスタ51は、第二駆動トランジスタ51Bである。
また、基板100には、一方向に沿って配置される走査電極線54と、走査電極線54に対して交差して配置される信号電極線55および共通電源線56とが設けられている。なお、走査電極線54と信号電極線55とが交差する部位、並びに、走査電極線54と共通電源線56とが交差する部位においては、電気的に接続されないように絶縁性の材料で層間絶縁膜等が形成されている。
駆動トランジスタ51およびスイッチングトランジスタ52は、一般的な薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)により構成される。TFTの構成は、例えば、逆スタガー構造(いわゆるボトムゲート型)でもよいし、スタガー構造(トップゲート型)でもよい。
駆動トランジスタ51は、駆動半導体層510、駆動ゲート電極511、駆動ソース電極512および駆動ドレイン電極513を有する(図2参照)。
スイッチングトランジスタ52は、図示しないスイッチング半導体層、スイッチングゲート電極、スイッチングソース電極およびスイッチングドレイン電極を有する。
蓄電素子53は、誘電体としての層間絶縁膜を介して対向配置された第一蓄電板と、第二蓄電板とを備える。蓄電素子53において、蓄電された電荷と、両蓄電板間の電圧によって、蓄電容量が決まる。
スイッチングトランジスタ52は、発光させようとする発光素子を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極は、走査電極線54と接続される。スイッチングソース電極は、信号電極線55に接続される。スイッチングドレイン電極は、スイッチングソース電極から離隔配置されて、蓄電素子53の第一蓄電板に接続される。
駆動トランジスタ51は、選択された画素内の発光素子10,20を発光させるための駆動電圧を発光素子10,20の電極に印加する。駆動トランジスタ51の駆動ゲート電極511は、蓄電素子53の第一蓄電板と接続される。駆動ソース電極512および蓄電素子53の第二蓄電板は、それぞれ共通電源線56と接続される。駆動ドレイン電極513は、平坦化膜59の厚さ方向で貫通する接続孔591に設けられた電極を介して、第一発光素子10の第一電極12または第二発光素子20の第四電極24と電気的に接続される(図2参照)。
蓄電素子53は、誘電体としての層間絶縁膜を介して対向配置された第一蓄電板と、第二蓄電板とを備える。蓄電素子53において、蓄電された電荷と、両蓄電板間の電圧によって、蓄電容量が決まる。
スイッチングトランジスタ52は、発光させようとする発光素子を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極は、走査電極線54と接続される。スイッチングソース電極は、信号電極線55に接続される。スイッチングドレイン電極は、スイッチングソース電極から離隔配置されて、蓄電素子53の第一蓄電板に接続される。
駆動トランジスタ51は、選択された画素内の発光素子10,20を発光させるための駆動電圧を発光素子10,20の電極に印加する。駆動トランジスタ51の駆動ゲート電極511は、蓄電素子53の第一蓄電板と接続される。駆動ソース電極512および蓄電素子53の第二蓄電板は、それぞれ共通電源線56と接続される。駆動ドレイン電極513は、平坦化膜59の厚さ方向で貫通する接続孔591に設けられた電極を介して、第一発光素子10の第一電極12または第二発光素子20の第四電極24と電気的に接続される(図2参照)。
スイッチングトランジスタ52は、走査電極線54に印加されるゲート電圧によって作動し、信号電極線55に印加されるデータ電圧を駆動トランジスタ51に伝達する。共通電源線56から駆動トランジスタ51に印加される共通電圧と、スイッチングトランジスタ52から伝送されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子53に保存される。蓄電素子53に保存された電圧に対応する電流が、駆動トランジスタ51を通じて第一発光素子10および第二発光素子20に流れて発光する。
駆動半導体層510は、基板100上に形成されている(図2参照)。駆動半導体層510は、本実施形態では、多結晶シリコン膜で構成される。なお、駆動半導体層を構成する材料は、実施形態中で説明する例に限定されず、例えば、非晶質シリコンや連続粒界シリコンを適用してもよい。
駆動半導体層510は、不純物がドーピングされていないチャンネル領域514と、チャンネル領域514の両側においてドーピングされて形成されたソース領域515と、ドレイン領域516とを有する。
本実施形態では、ドーピングされる物質は、例えばホウ素のようなP型の不純物である。なお、ドーピングされる不純物は、薄膜トランジスタの種類によって適宜変更される。
また、本実施形態では、駆動トランジスタ51として、P型不純物を用いたPMOS構造の薄膜トランジスタを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、駆動トランジスタ51として、N型不純物を用いたNMOS構造やCMOS構造の薄膜トランジスタを用いてもよい。
駆動半導体層510は、不純物がドーピングされていないチャンネル領域514と、チャンネル領域514の両側においてドーピングされて形成されたソース領域515と、ドレイン領域516とを有する。
本実施形態では、ドーピングされる物質は、例えばホウ素のようなP型の不純物である。なお、ドーピングされる不純物は、薄膜トランジスタの種類によって適宜変更される。
また、本実施形態では、駆動トランジスタ51として、P型不純物を用いたPMOS構造の薄膜トランジスタを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、駆動トランジスタ51として、N型不純物を用いたNMOS構造やCMOS構造の薄膜トランジスタを用いてもよい。
駆動半導体層510の上には、ゲート絶縁膜57が形成されている(図2参照)。ゲート絶縁膜57としては、窒化ケイ素(SiNx)や酸化ケイ素(SiOx)等で構成される。ゲート絶縁膜57の上には、駆動ゲート電極511を含むゲート配線が形成される。また、ゲート配線は、走査電極線54、蓄電素子53の第一蓄電板およびその他配線をさらに含む。また、駆動ゲート電極511は、駆動半導体層510の少なくとも一部、特にチャンネル領域514と重なるように形成される。
ゲート絶縁膜57上には、駆動ゲート電極511を覆う層間絶縁膜58が形成される(図2参照)。ゲート絶縁膜57および層間絶縁膜58は、駆動半導体層510のソース領域515およびドレイン領域516を露出させる複数の貫通孔を有する。層間絶縁膜58は、ゲート絶縁膜57と同様に、窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)等で形成される。
層間絶縁膜58上には、駆動ソース電極512および駆動ドレイン電極513を含むデータ配線が形成される。また、データ配線は、信号電極線55、共通電源線56、蓄電素子53の第二蓄電板およびその他配線をさらに含む。また、駆動ソース電極512および駆動ドレイン電極513は、各々、層間絶縁膜58およびゲート絶縁膜57に形成された貫通孔を通して、駆動半導体層510のソース領域515およびドレイン領域516と接続される。
このように、駆動半導体層510、駆動ゲート電極511、駆動ソース電極512および駆動ドレイン電極513を含む駆動トランジスタ51が形成されている。駆動トランジスタ51の構成は前述した例に限定されない。
層間絶縁膜58上には、データ配線を覆う平坦化膜59が形成されている(図2参照)。平坦化膜59は、その上に形成される発光素子10,20の形成領域を平坦化させる。また、平坦化膜59には、駆動ドレイン電極513の一部を露出させる接続孔591が形成されている。接続孔591の内部には、電極(第一電極12または中継電極22)が設けられ、この電極が層間絶縁膜58上面側の駆動ドレイン電極513の一部と電気的に接続する。
平坦化膜59は、例えば、アクリル系樹脂(polyacrylates resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolicresin)、ポリアミド系樹脂(polyamides resin)、ポリイミド系樹脂(polyimidesrein)、不飽和ポリエステル系樹脂(unsaturated polyesters resin)、ポリフェニレン系樹脂(polyphenylenethers resin)、ポリフェニレンスルフィド系樹脂(polyphenylene sulfides resin)、およびベンゾシクロブテン(benzocyclobutene、BCB)からなる群の中から選択された少なくとも一つ以上の材料で構成される。
平坦化膜59は、例えば、アクリル系樹脂(polyacrylates resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolicresin)、ポリアミド系樹脂(polyamides resin)、ポリイミド系樹脂(polyimidesrein)、不飽和ポリエステル系樹脂(unsaturated polyesters resin)、ポリフェニレン系樹脂(polyphenylenethers resin)、ポリフェニレンスルフィド系樹脂(polyphenylene sulfides resin)、およびベンゾシクロブテン(benzocyclobutene、BCB)からなる群の中から選択された少なくとも一つ以上の材料で構成される。
(発光素子と素子駆動回路との接続)
平坦化膜59上の第一発光素子10を形成する第一領域の略全面に亘って、図2に示すように、第一電極12が形成されている。
また、平坦化膜59上の第二発光素子20を形成する第二領域には、電極を構成する膜が形成されていない。なお、平坦化膜59上の当該第一領域と第二領域との間には、図2に示すように、中継電極22が選択的に形成されており、中継電極22は、第二発光素子20の第四電極24と、駆動トランジスタ51の駆動ドレイン電極513とを中継して接続する。この中継電極22の上には、第四電極24と中継電極22の接続が容易になるように形成された接続補助部221が形成されている。第一電極12および中継電極22は、同じ材料を用いて、同じ工程で形成されている。また、接続補助部221は、中継電極22を形成した後に、別途、導電性の材料を用いて形成されている。
第一電極12および中継電極22は、それぞれ、平坦化膜59の接続孔591を通して駆動ドレイン電極513と接続されている。
平坦化膜59上の第一発光素子10を形成する第一領域の略全面に亘って、図2に示すように、第一電極12が形成されている。
また、平坦化膜59上の第二発光素子20を形成する第二領域には、電極を構成する膜が形成されていない。なお、平坦化膜59上の当該第一領域と第二領域との間には、図2に示すように、中継電極22が選択的に形成されており、中継電極22は、第二発光素子20の第四電極24と、駆動トランジスタ51の駆動ドレイン電極513とを中継して接続する。この中継電極22の上には、第四電極24と中継電極22の接続が容易になるように形成された接続補助部221が形成されている。第一電極12および中継電極22は、同じ材料を用いて、同じ工程で形成されている。また、接続補助部221は、中継電極22を形成した後に、別途、導電性の材料を用いて形成されている。
第一電極12および中継電極22は、それぞれ、平坦化膜59の接続孔591を通して駆動ドレイン電極513と接続されている。
・絶縁部
平坦化膜59上の隣り合う第一発光素子10と第二発光素子20との間には、これらを区画して電気的に絶縁するための絶縁部60が形成されている。
絶縁部60は、図2に示すように、第一発光素子10と第一駆動トランジスタ51Aとを接続する部位に形成された第一絶縁部61と、第二発光素子20と第二駆動トランジスタ51Bとを接続する部位に形成された第二絶縁部62と、電極のエッジ部を覆うための第三絶縁部64と、第三電極16と第二電極14との電気的接続を防止するための第四絶縁部65と、で構成される。
第一絶縁部61は、基板100側から隆起し、第一発光素子10と第二発光素子20との間に段差を形成している。さらに、第一絶縁部61は、図2に示すように、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20を形成する第二領域側へ向かって張り出す張出部63を有している。このような第一絶縁部61によって形成された段差は、いわゆる逆テーパ型であり、別の表現をすれば、下底よりも上底の方が寸法の大きい逆台形型である。張出部63の高さは、第四電極24の上端の高さよりも高い位置にあることが好ましい。第二電極14と第四電極24の分断を確実にするためである。
平坦化膜59上の隣り合う第一発光素子10と第二発光素子20との間には、これらを区画して電気的に絶縁するための絶縁部60が形成されている。
絶縁部60は、図2に示すように、第一発光素子10と第一駆動トランジスタ51Aとを接続する部位に形成された第一絶縁部61と、第二発光素子20と第二駆動トランジスタ51Bとを接続する部位に形成された第二絶縁部62と、電極のエッジ部を覆うための第三絶縁部64と、第三電極16と第二電極14との電気的接続を防止するための第四絶縁部65と、で構成される。
第一絶縁部61は、基板100側から隆起し、第一発光素子10と第二発光素子20との間に段差を形成している。さらに、第一絶縁部61は、図2に示すように、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20を形成する第二領域側へ向かって張り出す張出部63を有している。このような第一絶縁部61によって形成された段差は、いわゆる逆テーパ型であり、別の表現をすれば、下底よりも上底の方が寸法の大きい逆台形型である。張出部63の高さは、第四電極24の上端の高さよりも高い位置にあることが好ましい。第二電極14と第四電極24の分断を確実にするためである。
第二絶縁部62は、図2に示すように、基板100側から隆起し、第一電極12の端部を覆い、中継電極22および接続補助部221の上に形成されている。本実施形態では、第一発光素子10の第一発光ユニット13、第二電極14及び第二発光ユニット15の第二発光素子20側の端部において、当該隆起した第二絶縁部62の上に乗り上げている。第二発光素子20の第三発光ユニット23、第四電極24及び第四発光ユニット25は、当該隆起した第二絶縁部62に乗り上げていない。このように、本実施形態では、第一発光素子10と第二発光素子20との間に第二絶縁部62の段差が形成されている。第一電極12と、中継電極22との間、並びに第一電極12と、接続補助部221との間に第二絶縁部62が介在しているので、第一発光素子10と第二発光素子20との短絡が防止されている。
また、第二絶縁部62も、第二発光素子20を形成する第二領域側へ向かって張り出す張出部63を有している。第二絶縁部62によって形成された段差も、いわゆる逆テーパ型である。なお、第二絶縁部62の第一発光素子10を形成する第一領域側においては、なだらかに順テーパ型に傾斜して、第一電極12の端部を覆っている。
第一絶縁部61および第二絶縁部62の逆テーパ型の段差において、絶縁部61,62の側面と基板100表面との成す角度、すなわち、当該絶縁部側面の傾斜角は、特に限定されないが、100度以上が好ましい。また、製造歩留りの観点からは170度以下、さらに好ましくは140度以下が好ましい。
また、絶縁部61,62が形成されている下地面、すなわち、本実施形態では、平坦化膜59面から、絶縁部61,62の上面までの高さ寸法(段差寸法)は、少なくとも、第二電極14と第四電極24とが切断される程度である必要があり、第四電極24の厚さ寸法よりも大きいことが好ましい。段差寸法としては、100nm以上500nm以下が好ましく、150nm以上300nm以下がさらに好ましい。
また、第二絶縁部62も、第二発光素子20を形成する第二領域側へ向かって張り出す張出部63を有している。第二絶縁部62によって形成された段差も、いわゆる逆テーパ型である。なお、第二絶縁部62の第一発光素子10を形成する第一領域側においては、なだらかに順テーパ型に傾斜して、第一電極12の端部を覆っている。
第一絶縁部61および第二絶縁部62の逆テーパ型の段差において、絶縁部61,62の側面と基板100表面との成す角度、すなわち、当該絶縁部側面の傾斜角は、特に限定されないが、100度以上が好ましい。また、製造歩留りの観点からは170度以下、さらに好ましくは140度以下が好ましい。
また、絶縁部61,62が形成されている下地面、すなわち、本実施形態では、平坦化膜59面から、絶縁部61,62の上面までの高さ寸法(段差寸法)は、少なくとも、第二電極14と第四電極24とが切断される程度である必要があり、第四電極24の厚さ寸法よりも大きいことが好ましい。段差寸法としては、100nm以上500nm以下が好ましく、150nm以上300nm以下がさらに好ましい。
第一電極12のエッジ部12E(図7参照)および中継電極22のエッジ部22E(図7参照)は、第三絶縁部64によって覆われている。この第三絶縁部64は、電極上に積層される膜の破断を防止する。
また、第四絶縁部65は、図2に示されているように、第二電極14の第二発光素子20側の端部において、段差を埋めて、第二電極14が露出しないように形成されている。この第四絶縁部65によって、第二絶縁部62の上に乗り上げている第二電極14の端部が第三電極16と電気的に接続することを防止する。
また、第四絶縁部65は、図2に示されているように、第二電極14の第二発光素子20側の端部において、段差を埋めて、第二電極14が露出しないように形成されている。この第四絶縁部65によって、第二絶縁部62の上に乗り上げている第二電極14の端部が第三電極16と電気的に接続することを防止する。
絶縁部60を構成する材料としては、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
また、絶縁部60を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素(SiO2又はSiOX)、酸化アルミニウム(Al2O3又はAlOX)、酸化チタン(TiO3又はTiOX)、酸化イットリウム(Y2O3又はYOX)、酸化ゲルマニウム(GeO2又はGeOX)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、ホウ酸(B2O3)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)、酸化鉛(PbO)、ジルコニア(ZrO2)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化リチウム(Li2O)、酸化カリウム(K2O)等を挙げることができる。尚、上記の無機化合物中のxは、1≦x≦3の範囲内の値である。
これら絶縁部60は、フォトリソグラフィ(Photolithography)法などによって、平坦化膜59上の所望の部位に選択的に形成することができる。
また、絶縁部60を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素(SiO2又はSiOX)、酸化アルミニウム(Al2O3又はAlOX)、酸化チタン(TiO3又はTiOX)、酸化イットリウム(Y2O3又はYOX)、酸化ゲルマニウム(GeO2又はGeOX)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、ホウ酸(B2O3)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)、酸化鉛(PbO)、ジルコニア(ZrO2)、酸化ナトリウム(Na2O)、酸化リチウム(Li2O)、酸化カリウム(K2O)等を挙げることができる。尚、上記の無機化合物中のxは、1≦x≦3の範囲内の値である。
これら絶縁部60は、フォトリソグラフィ(Photolithography)法などによって、平坦化膜59上の所望の部位に選択的に形成することができる。
第一電極12、中継電極22、接続補助部221および絶縁部60が形成された平坦化膜59上には、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20を形成する第二領域に亘って、第一発光ユニット13および第三発光ユニット23を構成する各層が形成されている。上述のとおり、第一発光ユニット13および第三発光ユニット23を構成する各層は共通であって、同じ材料で形成されるから、同じ工程で形成されている。この際、第一絶縁部61および第二絶縁部62の逆テーパ型の段差によって、第一発光ユニット13および第三発光ユニット23を構成する各層が分断されている。第二電極14および第四電極24、並びに第二発光ユニット15および第四発光ユニット25についても、発光ユニット13,23と同様に、第一領域および第二領域に亘って同じ工程、同じ材料で形成されており、絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって分断されている。ここで、第二絶縁部62の上には、第一領域側から第二領域側に向かって、第一発光ユニット13、第二電極14、および第二発光ユニット15が乗り上げている。乗り上げたその先端部において、第二絶縁部62の逆テーパ型段差により分断されている。一方、第三発光ユニット23、第四電極24および第四発光ユニット25の端部は、第一領域側に向かって延出し、第二絶縁部62の段差の根元部に入り込んでいる。このとき、第四電極24と、中継電極22上に形成された接続補助部221とが接続している。つまり、第四電極24は、接続補助部221、中継電極22を介して駆動ドレイン電極513と電気的に接続されている。
なお、第三電極16および第五電極26は、共通して設けられた共通電極であり、絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって分断されていない。この共通電極の膜厚は、90nm以上150nm以下にすることが好ましい。さらに、このような共通電極の膜厚とする場合には、発光ユニットからの発光を透光性の基板側から取り出すボトムエミッションタイプの発光装置とすることが好ましい。
なお、第三電極16および第五電極26は、共通して設けられた共通電極であり、絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって分断されていない。この共通電極の膜厚は、90nm以上150nm以下にすることが好ましい。さらに、このような共通電極の膜厚とする場合には、発光ユニットからの発光を透光性の基板側から取り出すボトムエミッションタイプの発光装置とすることが好ましい。
本実施形態では、図1に示すように、絶縁部60が、縦方向に亘って設けられ、第三電極16および第五電極26の端部まで延びている。また、本実施形態では、第三電極16および第五電極26の端部には、これらと電気的に導通する取出電極27が設けられている。取出電極27は、第三電極16と第五電極26とが電源と接続する中継となる電極である。取出電極27は電源もしくは接地点に接続される。陰極から取出電極27は、図1に示すように、横方向に亘って設けられている。仮に、上述の共通電極が、絶縁部60の段差によって第三電極16と第五電極26との間で破断した場合でも、第三電極16および第五電極26は、それぞれ取出電極27と電気的に導通している。そのため、第一発光素子10や第二発光素子20に通電しなくなることを防止することができる。
本実施形態では、取出電極27は縦方向に亘って設けられていない。第三電極16と第五電極26との間で破断した場合における一か所への電流の集中を避けるためである。
本実施形態では、取出電極27は縦方向に亘って設けられていない。第三電極16と第五電極26との間で破断した場合における一か所への電流の集中を避けるためである。
(保護層および封止基板)
第一発光素子10および第二発光素子20の上には、これらを覆う素子保護層や封止基板が設けられていてもよい。素子保護層は、窒化ケイ素(SiNx)や酸化ケイ素(SiOx)等の絶縁材料で構成される。素子保護層の上に設けられる封止基板は、素子保護層や接着層などと共に発光素子10,20を封止するものである。素子保護層や封止基板は、発光素子10,20から放射した放射光を透過させる場合には、基板100と同様に、ガラスなどの光透過性の材料で構成されていることが好ましい。
第一発光素子10および第二発光素子20の上には、これらを覆う素子保護層や封止基板が設けられていてもよい。素子保護層は、窒化ケイ素(SiNx)や酸化ケイ素(SiOx)等の絶縁材料で構成される。素子保護層の上に設けられる封止基板は、素子保護層や接着層などと共に発光素子10,20を封止するものである。素子保護層や封止基板は、発光素子10,20から放射した放射光を透過させる場合には、基板100と同様に、ガラスなどの光透過性の材料で構成されていることが好ましい。
(色変換部)
発光装置1の光取り出し側には、色変換部を有する色変換装置80が設けられている。色変換装置としては、カラーフィルタ等が挙げられる。
本実施形態では、発光装置1は、第一発光素子10および第二発光素子20から放射された放射光の光取出し方向が、基板100側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。そのため、基板100の発光素子10,20等が設けられている面とは反対側の面に色変換装置80が設けられている。
発光装置1の光取り出し側には、色変換部を有する色変換装置80が設けられている。色変換装置としては、カラーフィルタ等が挙げられる。
本実施形態では、発光装置1は、第一発光素子10および第二発光素子20から放射された放射光の光取出し方向が、基板100側となる、いわゆるボトムエミッション型の素子である。そのため、基板100の発光素子10,20等が設けられている面とは反対側の面に色変換装置80が設けられている。
図6には、発光装置1が備える第一発光素子10および第二発光素子20の積層構成を示す概略図が示され、発光装置1の光取り出し側に色変換装置80が設けられている。
色変換装置80は、第一の色光C1を透過させ、第二の色光C2を遮断する第一色変換部81と、第二の色光C2を透過させる第二色変換部82と、を有する。図6に示すように、色変換装置80を介在させることで、第一発光素子10に対応する部位から第一の色光C1を出射させ、第二発光素子20に対応する部位から第二の色光C2を出射させることができる。
色変換装置80は、第一の色光C1を透過させ、第二の色光C2を遮断する第一色変換部81と、第二の色光C2を透過させる第二色変換部82と、を有する。図6に示すように、色変換装置80を介在させることで、第一発光素子10に対応する部位から第一の色光C1を出射させ、第二発光素子20に対応する部位から第二の色光C2を出射させることができる。
〔発光装置の製造方法〕
次に、本実施形態に係る発光装置1の製造方法について説明する。
図7~12は、発光装置1の製造工程を説明する概略図であり、基板100の厚さ方向の断面で示されている。
まず、基板100上に上述の素子駆動部としての素子駆動回路50を形成した後、第一電極12、中継電極22、接続補助部221を形成する。素子駆動回路50の形成は、公知のTFT基板の製造方法に即して行うことができる。第一電極12および中継電極22は、平坦化膜59上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることで形成する。接続補助部221は、中継電極22上に、例えば、導電性ペースト材をディスペンサ法等で選択的に塗布し、加熱および焼成することで形成する。
次に、本実施形態に係る発光装置1の製造方法について説明する。
図7~12は、発光装置1の製造工程を説明する概略図であり、基板100の厚さ方向の断面で示されている。
まず、基板100上に上述の素子駆動部としての素子駆動回路50を形成した後、第一電極12、中継電極22、接続補助部221を形成する。素子駆動回路50の形成は、公知のTFT基板の製造方法に即して行うことができる。第一電極12および中継電極22は、平坦化膜59上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることで形成する。接続補助部221は、中継電極22上に、例えば、導電性ペースト材をディスペンサ法等で選択的に塗布し、加熱および焼成することで形成する。
次に、図8に示すように、感光性樹脂を含むインキを塗布して成膜する。インキの塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スクリーン印刷法、スリットコート法などが挙げられる。塗布形成された膜に対してプリベークを行って溶媒を除去することで、絶縁膜600が形成される。
次に、絶縁膜600をフォトリソグラフィ法によってパターニングし、図9に示すように、所定部位に、絶縁部60を形成する。
絶縁膜600を構成する感光性樹脂には、ポジ型およびネガ型があり、いずれの型の感光性樹脂を用いてもよい。ポジ型の感光性樹脂を使用した場合には、絶縁膜600のうち絶縁部60を形成する部位を除く他の部位に光を照射して感光させ、現像すると感光させなかった部位がパターンとして残り、絶縁部60となる。一方、ネガ型の感光性樹脂を使用した場合には、絶縁膜600のうち絶縁部60を形成する部位に光を照射して感光させ、現像すると感光させなかった部位が除去され、感光させた部位がパターンとして残り、絶縁部60となる。
絶縁膜600を構成する感光性樹脂には、ポジ型およびネガ型があり、いずれの型の感光性樹脂を用いてもよい。ポジ型の感光性樹脂を使用した場合には、絶縁膜600のうち絶縁部60を形成する部位を除く他の部位に光を照射して感光させ、現像すると感光させなかった部位がパターンとして残り、絶縁部60となる。一方、ネガ型の感光性樹脂を使用した場合には、絶縁膜600のうち絶縁部60を形成する部位に光を照射して感光させ、現像すると感光させなかった部位が除去され、感光させた部位がパターンとして残り、絶縁部60となる。
本実施形態では、ネガ型の感光性樹脂を使用した場合を例に挙げて説明する。
所定パターンの光を遮光するフォトマスクを、基板100の絶縁膜600が形成された面に対向させて配置する。そして、絶縁膜600の絶縁部60を形成する部位にフォトマスクを介して光を照射して露光を行う。本実施形態では、感光性樹脂としては、紫外線硬化型の樹脂を用い、露光工程では、紫外線を照射して感光性樹脂を架橋させ、絶縁膜600を硬化させる。
張出部63を有する逆テーパ型の絶縁部61,62を形成するためには、例えば、絶縁膜600の厚さ方向の露光量を調整する方法が挙げられる。この場合、絶縁膜600のフォトマスク側を、当該絶縁膜600が十分に架橋して硬化する程度の露光量となるように調整する。一方、絶縁膜600の基板100側では、当該絶縁膜600の架橋度合が低くなるように露光量を調整する。なお、絶縁部61,62を形成する方法としては、このような方法に限定されない。
所定パターンの光を遮光するフォトマスクを、基板100の絶縁膜600が形成された面に対向させて配置する。そして、絶縁膜600の絶縁部60を形成する部位にフォトマスクを介して光を照射して露光を行う。本実施形態では、感光性樹脂としては、紫外線硬化型の樹脂を用い、露光工程では、紫外線を照射して感光性樹脂を架橋させ、絶縁膜600を硬化させる。
張出部63を有する逆テーパ型の絶縁部61,62を形成するためには、例えば、絶縁膜600の厚さ方向の露光量を調整する方法が挙げられる。この場合、絶縁膜600のフォトマスク側を、当該絶縁膜600が十分に架橋して硬化する程度の露光量となるように調整する。一方、絶縁膜600の基板100側では、当該絶縁膜600の架橋度合が低くなるように露光量を調整する。なお、絶縁部61,62を形成する方法としては、このような方法に限定されない。
露光後、絶縁膜600の感光されていない部位を現像して除去する。絶縁部61,62を形成する部位においては、露光量を低く調整した基板100側が除去されやすく、露光量を多く調整したフォトマスク側が除去され難く、このような除去程度の差を利用して逆テーパ型の段差を形成する。なお、接続補助部221の側面が、第二発光素子20が設けられる第二領域側に向かって露出するように現像することが好ましい。
現像には、フォトリソグラフィにおける絶縁膜の剥離の際に用いられる方法や材料が適用できるが、使用する感光性樹脂に応じて適宜選択する。
現像には、フォトリソグラフィにおける絶縁膜の剥離の際に用いられる方法や材料が適用できるが、使用する感光性樹脂に応じて適宜選択する。
次に、図10に示すように、第一発光ユニット13および第三発光ユニット23を同じ工程で形成する。第一発光ユニット13および第三発光ユニット23を構成する各層を構成する材料を、第一領域および第二領域に亘って絶縁部61,62を跨いで成膜する。当該絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって、第一発光ユニット13および第三発光ユニット23を構成する各層を分断させる。
次に、図11に示すように、第二電極14および第四電極24を同じ工程で形成する。上述と同様、当該電極を構成する材料を、第一領域および第二領域に亘って絶縁部61,62を跨いで成膜し、当該絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって、第二電極14と第四電極24とを電気的に分断させる。第四電極24については、その端部を絶縁部62の根元側で側面を露出させている接続補助部221と接続させて、第四電極24と、第二駆動トランジスタ51Bと、を電気的に接続させる。
次に、図12に示すように、第二発光ユニット15および第四発光ユニット25を同じ工程で形成する。第二発光ユニット15および第四発光ユニット25を構成する各層を構成する材料を、上述と同様、第一領域および第二領域に亘って絶縁部61,62を跨いで成膜することで、当該絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって、第二発光ユニット15を構成する各層と第四発光ユニット25を構成する各層とを分断させる。
その後、第四絶縁部65を形成する。第四絶縁部65は、第二電極14が第二発光素子20側の端部において第三電極16と電気的に接続することを防止するため、第二絶縁部62の段差を埋めるように形成する。第四絶縁部65は、絶縁性材料を用いて、当該段差部分を埋めるように選択的に形成可能な方法(ディスペンサ塗布法、インクジェット塗布法等で)で形成することができる。
この後、共通電極としての第三電極16および第五電極26を同じ工程で形成する。共通電極は、絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって分断されていないように形成する。先に形成した第四絶縁部65により、第二電極14と共通電極との電気的接続が防止される。
電極の形成としては、真空蒸着法やスパッタリング法等の形成方法を採用することができる。また発光ユニットの形成としては、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法等の乾式成膜法やスピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法等の湿式成膜法等の形成方法を採用することができる。
その後、第四絶縁部65を形成する。第四絶縁部65は、第二電極14が第二発光素子20側の端部において第三電極16と電気的に接続することを防止するため、第二絶縁部62の段差を埋めるように形成する。第四絶縁部65は、絶縁性材料を用いて、当該段差部分を埋めるように選択的に形成可能な方法(ディスペンサ塗布法、インクジェット塗布法等で)で形成することができる。
この後、共通電極としての第三電極16および第五電極26を同じ工程で形成する。共通電極は、絶縁部61,62の逆テーパ型の段差によって分断されていないように形成する。先に形成した第四絶縁部65により、第二電極14と共通電極との電気的接続が防止される。
電極の形成としては、真空蒸着法やスパッタリング法等の形成方法を採用することができる。また発光ユニットの形成としては、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法等の乾式成膜法やスピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法等の湿式成膜法等の形成方法を採用することができる。
(第一実施形態の効果)
以上のような第一実施形態によれば、次のような効果を奏する。
以上のような第一実施形態によれば、次のような効果を奏する。
発光装置1では、色変換装置80を用い、タンデム型に設けられた発光ユニットを備える第一発光素子10および第二発光素子20からの光を第一の色光および第二の色光として出射させることで、フルカラー表示が可能な構成を採用している。
そして、発光装置1において、第二発光素子20用の第二駆動トランジスタ51Bを、第三発光ユニット23と第四発光ユニット25との間に設けられた第四電極24と電気的に接続させている。
そのため、発光装置1によれば、第三発光ユニット23が有する第一色光発光層を発光させることなく、発光装置1を駆動させることができ、消費電力を低減することができる。本実施形態では、発光装置1の第一色光発光層は、青色蛍光発光層であるため、第三発光ユニット23の青色蛍光発光層を発光させた場合と比べて、発光装置1によれば、消費電力の低減効果が大きくなる。
そして、発光装置1において、第二発光素子20用の第二駆動トランジスタ51Bを、第三発光ユニット23と第四発光ユニット25との間に設けられた第四電極24と電気的に接続させている。
そのため、発光装置1によれば、第三発光ユニット23が有する第一色光発光層を発光させることなく、発光装置1を駆動させることができ、消費電力を低減することができる。本実施形態では、発光装置1の第一色光発光層は、青色蛍光発光層であるため、第三発光ユニット23の青色蛍光発光層を発光させた場合と比べて、発光装置1によれば、消費電力の低減効果が大きくなる。
また、発光装置1では、絶縁部61,62によって第二電極14と第四電極24とが絶縁されていることで、両電極間の短絡リークを確実に防止し、発光素子10,20の発光を精度良く制御をすることができる。
また、発光装置1では、隆起した絶縁部61,62によって第一発光素子10と第二発光素子20との間に段差を形成している。そのため、第二電極14および第四電極24を同じ工程で形成しても、両電極が第一発光素子10と第二発光素子20に亘って連続することなく、電気的に分断することが可能になり、両電極間の短絡をより確実に防止し、発光素子10,20の発光を精度良く制御をすることができる。
さらに、発光装置1では、当該絶縁部61,62が第一領域および第二領域に向かって張り出す張出部63を有している。この張出部63が、第二電極14と第四電極24とを電気的に分断するためのシャドーマスクとして機能し、両電極をより確実に電気的に分断することが可能になる。その結果、両電極間の短絡をさらに確実に防止し、発光素子10,20の発光を精度良く制御をすることができる。
さらに、発光装置1では、当該絶縁部61,62が第一領域および第二領域に向かって張り出す張出部63を有している。この張出部63が、第二電極14と第四電極24とを電気的に分断するためのシャドーマスクとして機能し、両電極をより確実に電気的に分断することが可能になる。その結果、両電極間の短絡をさらに確実に防止し、発光素子10,20の発光を精度良く制御をすることができる。
また、発光装置1では、中継電極22のエッジ部22Eが第三絶縁部64で覆われているものの、接続補助部221が中継電極22上に設けられていることで、第四電極24と駆動ドレイン電極513との電気的接続を確実に確保することができる。
<第二実施形態>
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図13は、第二実施形態に係る発光装置2の基板厚さ方向の断面概略図である。
第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第二実施形態では、第一実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図13は、第二実施形態に係る発光装置2の基板厚さ方向の断面概略図である。
第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第二実施形態では、第一実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
発光装置2は、基板100と、第一発光素子10と、第二発光素子20と、第三発光素子30とを備える。これら発光素子10,20,30は、素子駆動回路50によって駆動される。
発光装置2では、第一発光素子10、第二発光素子20および第三発光素子30が一つの表示単位である画素(ピクセル)2Pを構成する。発光装置2は、複数の画素2Pを有し、複数の画素2Pが、全体としてマトリックス状に配列されていることで発光領域を形成する。
発光装置2では、第一発光素子10、第二発光素子20および第三発光素子30が一つの表示単位である画素(ピクセル)2Pを構成する。発光装置2は、複数の画素2Pを有し、複数の画素2Pが、全体としてマトリックス状に配列されていることで発光領域を形成する。
第三発光素子30は、基板100の第三発光素子が設けられる第三領域に設けられる。第三領域は、第一発光素子10が設けられる第一領域と第二発光素子20が設けられる第二領域との間にある。第三発光素子30は、図13に示すように、第五発光ユニット33、第六電極34、第六発光ユニット35、および第七電極36を有する。本実施形態において、第五発光ユニット33、第六電極34、第六発光ユニット35、および第七電極36は、この順に基板100側から設けられている。第三発光素子30も上記実施形態と同様タンデム型の素子構成となっている。第三発光素子30を構成する材料は、上記実施形態と同様のものを用いることができる。
本実施形態では、第二発光ユニット15、第四発光ユニット25、第六発光ユニット35は、同じ材料を用いて同じ工程で形成され、これら発光ユニット15,25,35は、第二の色光を発光する第二色光発光層と、第三の色光を発光する第三色光発光層とを備える。
第一発光ユニット13、第三発光ユニット23および第五発光ユニット33は、同じ材料を用いて同じ工程で形成され、これら発光ユニット13,23,33は、第一の色光を発光する第一色光発光層を備える。
本実施形態では、第一色光発光層は、第一の色光を青色とする蛍光発光型の発光層であり、第二色光発光層は、第二の色光を赤色とする燐光発光型の発光層であり、第三色光発光層は、第三の色光を緑色とする燐光発光型の発光層である。
第一発光ユニット13、第三発光ユニット23および第五発光ユニット33は、同じ材料を用いて同じ工程で形成され、これら発光ユニット13,23,33は、第一の色光を発光する第一色光発光層を備える。
本実施形態では、第一色光発光層は、第一の色光を青色とする蛍光発光型の発光層であり、第二色光発光層は、第二の色光を赤色とする燐光発光型の発光層であり、第三色光発光層は、第三の色光を緑色とする燐光発光型の発光層である。
また、本実施形態では、第七電極36は、第一発光素子10の第三電極16および第二発光素子20の第五電極26と同じ材料を用いて、発光装置2の発光領域の略全面に亘って、同じ工程で形成された共通電極である。
発光装置2は、上記実施形態と同様の素子駆動回路50を備え、第三発光素子30ごとに、第三発光素子30を駆動するための第三駆動トランジスタ51Cと、スイッチングトランジスタ52と、蓄電素子53とを有する。
第三発光素子30においても、第二発光素子20と同様、第六電極34と、第三駆動トランジスタ51Cの駆動ドレイン電極513との電気的接続を図るための中継電極32および接続補助部321が、平坦化膜59上の第二領域と第三領域との間に形成されている。中継電極32は、平坦化膜59の接続孔591を通して駆動ドレイン電極513と接続されている。中継電極32および接続補助部321は、上記実施形態で説明した第二発光素子20の中継電極22および接続補助部221と同様の材料および方法で形成することができる。
第三発光素子30においても、第二発光素子20と同様、第六電極34と、第三駆動トランジスタ51Cの駆動ドレイン電極513との電気的接続を図るための中継電極32および接続補助部321が、平坦化膜59上の第二領域と第三領域との間に形成されている。中継電極32は、平坦化膜59の接続孔591を通して駆動ドレイン電極513と接続されている。中継電極32および接続補助部321は、上記実施形態で説明した第二発光素子20の中継電極22および接続補助部221と同様の材料および方法で形成することができる。
発光装置2において、第二発光素子20と第三発光素子30との間にも、絶縁部62が形成されており、逆テーパ型の段差により、上記実施形態での説明と同様、隣接する素子間で電極や発光ユニットが電気的に分断されている。第六電極34の端部は、発光素子20,30間に形成された逆テーパ型の絶縁部62の根元部に入り込み、接続補助部321の側面と接続し、第六電極34と駆動ドレイン電極513との電気的接続が図られている。
図14は、発光装置2の発光素子10,20,30の積層構成を示す概略図である。
発光装置2における色変換装置80Aは、図14に示すように、基板100の発光素子10,20,30等が設けられている面とは反対側の面に設けられている。
色変換装置80Aは、第一の色光C1を透過させ、第二の色光C2および第三の色光C3を遮断する第一色変換部81Aと、第二の色光C2を透過させ、第三の色光C3を遮断する第二色変換部82Aと、第三の色光C3を透過させ、第二の色光C2を遮断する第三色変換部83Aと、を有する。図14に示すように、色変換装置80Aを介在させることで、第一発光素子10に対応する部位から第一の色光C1(青色)を表示させ、第二発光素子20に対応する部位から第二の色光C2(赤色)を表示させ、第三発光素子30に対応する部位から第三の色光C3(緑色)を表示させることができる。すなわち、RGB表示によるフルカラー表示が可能になる。
発光装置2における色変換装置80Aは、図14に示すように、基板100の発光素子10,20,30等が設けられている面とは反対側の面に設けられている。
色変換装置80Aは、第一の色光C1を透過させ、第二の色光C2および第三の色光C3を遮断する第一色変換部81Aと、第二の色光C2を透過させ、第三の色光C3を遮断する第二色変換部82Aと、第三の色光C3を透過させ、第二の色光C2を遮断する第三色変換部83Aと、を有する。図14に示すように、色変換装置80Aを介在させることで、第一発光素子10に対応する部位から第一の色光C1(青色)を表示させ、第二発光素子20に対応する部位から第二の色光C2(赤色)を表示させ、第三発光素子30に対応する部位から第三の色光C3(緑色)を表示させることができる。すなわち、RGB表示によるフルカラー表示が可能になる。
(第二実施形態の効果)
以上のような第二実施形態によれば、上記第一実施形態の効果の他に、次のような効果を奏する。
以上のような第二実施形態によれば、上記第一実施形態の効果の他に、次のような効果を奏する。
発光装置2では、発光素子10,20,30が基板100に設けられており、第二発光素子20の第二駆動トランジスタ51Bは、中間電極としての第四電極24に電気的に接続され、同じく第三発光素子30の第三駆動トランジスタ51Cは、中間電極としての第六電極34に電気的に接続されている。そのため、発光装置2によれば、第二発光素子20の第三発光ユニット23および第三発光素子30の第五発光ユニット33がそれぞれ有する第一色光発光層を発光させることなく、駆動させることができる。このように発光装置2は、発光素子10,20,30に対応する部位からRGBの各色を表示させる画素2Pを複数備える構成であるが、消費電力を低減することができる。
<第三実施形態>
次に、本発明の第三実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図15は、第三実施形態に係る発光装置3の基板厚さ方向の断面概略図である。
第三実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第三実施形態では、前記実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
次に、本発明の第三実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図15は、第三実施形態に係る発光装置3の基板厚さ方向の断面概略図である。
第三実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第三実施形態では、前記実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
発光装置3は、発光装置1と比べて、第二発光素子の構成が異なる。
発光装置3が有する第二発光素子20Aは、基板100の第二領域に設けられ、第一領域に設けられた第一発光素子10と隣接している。第二発光素子20Aは、第八電極28第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26を有する。本実施形態において、第八電極28、第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26は、この順に基板100側から設けられている。
第二発光素子20Aにおいては、第一発光素子10と異なり、第八電極28と第四電極24とが積層されて電気的に接続している。第八電極28、第五電極26、並びに第五電極26と第八電極28との間に設けられる第四発光ユニット25によって、有機EL素子としての第二発光素子20Aが構成されている。第二発光素子20Aでは、第八電極28が陽極に相当し、第五電極26が陰極に相当する。
第五電極26は、前述のとおり、第一発光素子10の第三電極16と共通して設けられた共通電極であり、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成されている。
発光装置3が有する第二発光素子20Aは、基板100の第二領域に設けられ、第一領域に設けられた第一発光素子10と隣接している。第二発光素子20Aは、第八電極28第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26を有する。本実施形態において、第八電極28、第四電極24、第四発光ユニット25、および第五電極26は、この順に基板100側から設けられている。
第二発光素子20Aにおいては、第一発光素子10と異なり、第八電極28と第四電極24とが積層されて電気的に接続している。第八電極28、第五電極26、並びに第五電極26と第八電極28との間に設けられる第四発光ユニット25によって、有機EL素子としての第二発光素子20Aが構成されている。第二発光素子20Aでは、第八電極28が陽極に相当し、第五電極26が陰極に相当する。
第五電極26は、前述のとおり、第一発光素子10の第三電極16と共通して設けられた共通電極であり、発光装置1の発光領域の略全面に亘って同じ工程で形成されている。
・発光ユニット
本実施形態では、第四発光ユニット25は、面状の発光領域を構成する。
本実施形態においては、第一実施形態と異なり、第三発光ユニット23が設けられていない。そのため、第四発光ユニット25には、第八電極28と接続された第四電極24、並びに第五電極26から電荷が注入される。そして、注入された電荷が再結合して、第四発光ユニット25が発光する。第三発光ユニット23は、第一発光ユニット13形成時に第二領域に共通して成膜されてもよいが、その後除去されればよい。除去は、レーザー照射等によりされる。第三発光ユニットに相当する有機層が第二領域の一部に残っていても、第八電極28と第四電極24とが導通する部分が確保されていれば、第四電極24から第四発光ユニット25に電荷注入されるので、安定発光できる。図15の中の符号67は、レーザー照射等により第3発光ユニット23に相当する部位のうち除去されずに残った膜部である。
本実施形態では、第四発光ユニット25は、面状の発光領域を構成する。
本実施形態においては、第一実施形態と異なり、第三発光ユニット23が設けられていない。そのため、第四発光ユニット25には、第八電極28と接続された第四電極24、並びに第五電極26から電荷が注入される。そして、注入された電荷が再結合して、第四発光ユニット25が発光する。第三発光ユニット23は、第一発光ユニット13形成時に第二領域に共通して成膜されてもよいが、その後除去されればよい。除去は、レーザー照射等によりされる。第三発光ユニットに相当する有機層が第二領域の一部に残っていても、第八電極28と第四電極24とが導通する部分が確保されていれば、第四電極24から第四発光ユニット25に電荷注入されるので、安定発光できる。図15の中の符号67は、レーザー照射等により第3発光ユニット23に相当する部位のうち除去されずに残った膜部である。
・発光素子と素子駆動回路との接続
平坦化膜59上の第一発光素子10を形成する第一領域の略全面に亘って、第一電極12が形成されている。また、平坦化膜59上の第二発光素子20Aを形成する第二領域の略全面に亘って、第八電極28が形成されている。
平坦化膜59上の第一発光素子10を形成する第一領域の略全面に亘って、第一電極12が形成されている。また、平坦化膜59上の第二発光素子20Aを形成する第二領域の略全面に亘って、第八電極28が形成されている。
・絶縁部
平坦化膜59上の隣り合う第一発光素子10と第二発光素子20Aとの間には、これらを区画して電気的に絶縁するための絶縁部60が形成されている。絶縁部60は、第一実施形態で説明した第一絶縁部61で構成される。
第一絶縁部61は、基板100側から隆起し、第一発光素子10と第二発光素子20Aとの間に段差を形成している。さらに、第一絶縁部61は、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20Aを形成する第二領域側へ向かって張り出す張出部63を有している。このような第一絶縁部61によって形成された段差は、前述の逆テーパ型である。張出部63の下側に、第一発光素子10や第二発光素子20Aを構成する各層が入り込んでいる。
第一電極12、第八電極28および絶縁部60が形成された平坦化膜59上には、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20Aを形成する第二領域に亘って、各素子を構成する層が形成されている。第二電極14および第四電極24、並びに第二発光ユニット15および第四発光ユニット25については、前述と同様に、第一領域および第二領域に亘って同じ工程、同じ材料で形成されている。しかしながら、第一絶縁部61の逆テーパ型の段差によって、第二電極14と第四電極24とが分断され、第二発光ユニット15と第四発光ユニット25とが分断されている。
平坦化膜59上の隣り合う第一発光素子10と第二発光素子20Aとの間には、これらを区画して電気的に絶縁するための絶縁部60が形成されている。絶縁部60は、第一実施形態で説明した第一絶縁部61で構成される。
第一絶縁部61は、基板100側から隆起し、第一発光素子10と第二発光素子20Aとの間に段差を形成している。さらに、第一絶縁部61は、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20Aを形成する第二領域側へ向かって張り出す張出部63を有している。このような第一絶縁部61によって形成された段差は、前述の逆テーパ型である。張出部63の下側に、第一発光素子10や第二発光素子20Aを構成する各層が入り込んでいる。
第一電極12、第八電極28および絶縁部60が形成された平坦化膜59上には、第一発光素子10を形成する第一領域および第二発光素子20Aを形成する第二領域に亘って、各素子を構成する層が形成されている。第二電極14および第四電極24、並びに第二発光ユニット15および第四発光ユニット25については、前述と同様に、第一領域および第二領域に亘って同じ工程、同じ材料で形成されている。しかしながら、第一絶縁部61の逆テーパ型の段差によって、第二電極14と第四電極24とが分断され、第二発光ユニット15と第四発光ユニット25とが分断されている。
発光装置3において、第八電極28は、平坦化膜59に設けられた接続孔591内にも設けられ、さらに、層間絶縁膜58上面側の駆動ドレイン電極513の一部と電気的に接続する。 発光装置3におけるその他の構成は、前記実施形態と同様である。
(第三実施形態の効果)
発光装置3は、第一実施形態の発光装置1のように第三発光ユニット23を備えていないので、不要な発光層を発光させることなく、発光装置3を駆動させることができ、消費電力を低減することができる。
その他、第三実施形態によれば、上記第一実施形態と同様の効果を奏する。
発光装置3は、第一実施形態の発光装置1のように第三発光ユニット23を備えていないので、不要な発光層を発光させることなく、発光装置3を駆動させることができ、消費電力を低減することができる。
その他、第三実施形態によれば、上記第一実施形態と同様の効果を奏する。
<第四実施形態>
次に、本発明の第四実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図16は、第四実施形態に係る発光装置4の基板厚さ方向の断面概略図である。
第四実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第四実施形態では、前記実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
次に、本発明の第四実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図16は、第四実施形態に係る発光装置4の基板厚さ方向の断面概略図である。
第四実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第四実施形態では、前記実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
発光装置4は、発光装置3と比べて、絶縁部の構成が異なる。
発光装置4において、各画素を構成する第一発光素子10と第二発光素子20Aとの間に設けられる絶縁部は、第一電極12および第八電極28のエッジ部を覆う第五絶縁部66である。第五絶縁部66は、前記実施形態の第一絶縁部61や第二絶縁部62のように逆テーパ型の形状ではない。そのため、発光装置4では、前記実施形態のように、第一発光素子10と第二発光素子20,20Aとの間で、素子を構成する層が分断されておらず、第二電極14および第四電極24とが連続し、第二発光ユニット15と第四発光ユニット25とが連続している。なお、第一発光ユニット13は、第一発光素子10が形成される第一の領域側に形成されているものの、第二発光素子20Aが形成される第二の領域側には形成されていない。
発光装置4におけるその他の構成は、前記実施形態と同様である。
発光装置4において、各画素を構成する第一発光素子10と第二発光素子20Aとの間に設けられる絶縁部は、第一電極12および第八電極28のエッジ部を覆う第五絶縁部66である。第五絶縁部66は、前記実施形態の第一絶縁部61や第二絶縁部62のように逆テーパ型の形状ではない。そのため、発光装置4では、前記実施形態のように、第一発光素子10と第二発光素子20,20Aとの間で、素子を構成する層が分断されておらず、第二電極14および第四電極24とが連続し、第二発光ユニット15と第四発光ユニット25とが連続している。なお、第一発光ユニット13は、第一発光素子10が形成される第一の領域側に形成されているものの、第二発光素子20Aが形成される第二の領域側には形成されていない。
発光装置4におけるその他の構成は、前記実施形態と同様である。
(第四実施形態の効果)
発光装置4では、中間層に相当する第二電極14および第四電極24の導電率が10-10S/cm~10-2S/cmの場合、隣接画素に対して電流リークが生じない。このため、第一実施形態等のように逆テーパ型の第二絶縁部62等で段差をつくって各発光素子の中間層同士を分断しなくても、各画素の発光を独立して制御することができる。
発光装置4では、中間層に相当する第二電極14および第四電極24の導電率が10-10S/cm~10-2S/cmの場合、隣接画素に対して電流リークが生じない。このため、第一実施形態等のように逆テーパ型の第二絶縁部62等で段差をつくって各発光素子の中間層同士を分断しなくても、各画素の発光を独立して制御することができる。
<第五実施形態>
次に、本発明の第五実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図17は、第五実施形態に係る発光装置5の平面図である。
第五実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第五実施形態では、前記実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
次に、本発明の第五実施形態を図面に基づいて説明する。
〔発光装置〕
図17は、第五実施形態に係る発光装置5の平面図である。
第五実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第五実施形態では、前記実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
発光装置5は、発光装置1と絶縁部の形状において相違する。発光装置1では、図1に示すように、絶縁部60が縦方向に亘って連続して設けられていたのに対し、発光装置5では、図17に示すように絶縁部60が、第一発光素子10と第二発光素子20との間において、縦方向に所定距離ずつ隔てて設けられている。
図18は、発光装置5の基板厚さ方向の断面概略図であり、図17のA-A’矢視断面が示されている。図18に示すように、図17のA-A’矢視断面で見る部位は、第一発光素子10が設けられる領域と第二発光素子20が設けられる領域との間には、絶縁部60が設けられていない。そのため、第一発光素子10を構成する各層と第二発光素子20を構成する各層とが分断されていない。
図19は、発光装置5の基板厚さ方向の断面概略図であり、図17のB-B’矢視断面が示されている。図19に示すように、第一発光素子10同士の間においては、絶縁部60は、不連続である。
このように、発光装置5では、絶縁部60を、第一発光素子10と第二発光素子20とが近接している領域に対応させて設けており、その他の領域では、設けていない。これにより、絶縁部60を設けていない領域では、逆テーパ型の第一絶縁部61や第二絶縁部62による段差が形成されていない。その結果、前述の共通電極としての第三電極16と第五電極26とが分断され難くなり、発光装置5は、発光領域全体に亘って通電され易くなる。
また、発光装置5では、第三電極16および第五電極26の縦方向側の端部および横方向側の端部は、これら電極と電気的に導通する取出電極27が設けられている。取出電極27は、図17に示すように、縦方向および横方向に亘って設けられている。発光装置5では、絶縁部60が縦方向に所定距離ずつ隔てて設けられているため、横方向側の端部に設けられた取出電極27を用いても、発光装置5は、発光領域全体に亘って通電され易くなる。
発光装置5におけるその他の構成は、前記実施形態と同様である。
また、発光装置5では、第三電極16および第五電極26の縦方向側の端部および横方向側の端部は、これら電極と電気的に導通する取出電極27が設けられている。取出電極27は、図17に示すように、縦方向および横方向に亘って設けられている。発光装置5では、絶縁部60が縦方向に所定距離ずつ隔てて設けられているため、横方向側の端部に設けられた取出電極27を用いても、発光装置5は、発光領域全体に亘って通電され易くなる。
発光装置5におけるその他の構成は、前記実施形態と同様である。
第五実施形態によれば、上記第一実施形態と同様の効果を奏する。
<実施形態の変形>
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
上記実施形態では、中継電極の上に接続補助部を形成し、中間電極としての第四電極と接続する構成を例に挙げて説明したが、本発明は、このような構成に限定されない。すなわち、接続補助部は必須の構成ではなく、第四電極と中継電極との接続を確保し、それによる第二駆動トランジスタと第四電極との電気的接続が確保できればよい。
第二発光素子の第三発光ユニットの基板側に、第一電極の形成と同じ工程で画素電極を形成してもよく、第三発光ユニットが、中間電極としての第四電極と当該画素電極とで挟持された形態としてもよい。ただし、このような形態であっても、当該画素電極と第二駆動トランジスタとを電気的に接続せず、第四電極と第二駆動トランジスタとを電気的に接続する。
また、本発明は、前述した実施形態で説明した構造に限定されるのではなく、平坦化膜および層間絶縁膜のうち何れか一つを省略した構造とすることもできる。
上記第一実施形態では、第二発光ユニットおよび第四発光ユニットが、第二の色光として黄色で発光する発光層を備える例を挙げて説明したが、第二発光ユニットおよび第四発光ユニットが、赤色で発光する発光層と、緑色で発光する発光層とを備えていてもよい。この場合、赤色と緑色とが混色されたものを第二の色光としてみなしてもよい。そして、この場合には、カラーフィルタのRGBの3色に対応する色変換部を、第一発光素子と、2つの第二発光素子に対してそれぞれ設けることで、RGBの3色を得ることが可能になる。
また、上記実施形態では、基板上に第一発光素子や第二発光素子等を成膜した例を挙げて説明したが、このような態様に限定されない。例えば、基板上に成膜した後に剥離し、別の支持体に載せ替えた態様としてもよい。別の支持体としては、例えば、可撓性を有するフレキシブル基板等である。
また、上記実施形態では、第一発光ユニットからは、第一色光と第二色光とが混色された色光を出射させる例を挙げて説明したが、このような態様に限定されない。例えば、第一発光素子においては第一発光ユニットから第一色光を出射させ、第二発光素子においては第二発光ユニットから第二色光を出射させる構成としてもよい。このように、第一発光素子および第二発光素子ともに、第一色光および第二色光を発光する能力を有する発光層を有している構成において、第一発光素子と第二発光素子とで発光させる発光層を選択可能に構成することで、消費電力をさらに低減することができる。
1,2…発光装置
10…第一発光素子
100…基板
12…第一電極
13…第一発光ユニット
14…第二電極
15…第二発光ユニット
16…第三電極
20…第二発光素子
23…第三発光ユニット
24…第四電極
25…第四発光ユニット
26…第五電極
30…第三発光素子
32…中継電極
33…第五発光ユニット
34…第六電極
35…第六発光ユニット
36…第七電極
50…素子駆動回路(素子駆動部)
51…駆動トランジスタ
51A…第一駆動トランジスタ
51B…第二駆動トランジスタ
51C…第三駆動トランジスタ
60…絶縁部
63…張出部
80,80A…色変換装置
C1…第一の色光
C2…第二の色光
C3…第三の色光
10…第一発光素子
100…基板
12…第一電極
13…第一発光ユニット
14…第二電極
15…第二発光ユニット
16…第三電極
20…第二発光素子
23…第三発光ユニット
24…第四電極
25…第四発光ユニット
26…第五電極
30…第三発光素子
32…中継電極
33…第五発光ユニット
34…第六電極
35…第六発光ユニット
36…第七電極
50…素子駆動回路(素子駆動部)
51…駆動トランジスタ
51A…第一駆動トランジスタ
51B…第二駆動トランジスタ
51C…第三駆動トランジスタ
60…絶縁部
63…張出部
80,80A…色変換装置
C1…第一の色光
C2…第二の色光
C3…第三の色光
Claims (16)
- 第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、
前記第一発光ユニットと同じ工程で形成された第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同じ工程で形成された第四発光ユニットが、前記第一中間層と同じ工程で形成された第二中間層を介して積層される第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれか一方を前記第一発光素子から出射させ、
前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一発光素子から出射させる色光とは異なる色光を前記第二発光素子から出射させる
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、
前記第一発光ユニットと同じ工程で形成された第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同じ工程で形成された第四発光ユニットが、前記第一中間層と同じ構成で形成された第二中間層を介して積層される第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光を前記第一発光素子から出射させ、
前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれかを前記第二発光素子から出射させる
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、
前記第一発光ユニットと同一構成の第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同一構成の第四発光ユニットが、前記第一中間層と同一構成の第二中間層を介して積層される第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれか一方を前記第一発光素子から出射させ、
前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一発光素子から出射させる色光とは異なる色光を前記第二発光素子から出射させる
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光ユニットおよび第二発光ユニットが第一中間層を介して積層されて構成される第一発光素子と、
前記第一発光ユニットと同一構成の第三発光ユニットおよび前記第二発光ユニットと同一構成の第四発光ユニットが、前記第一中間層と同一構成の第二中間層を介して積層される第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一発光ユニットおよび前記第二発光ユニットを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光を前記第一発光素子から出射させ、
前記第二駆動トランジスタは、前記第三発光ユニットおよび前記第四発光ユニットのいずれか一方だけを駆動させて、前記第一の色光および前記第二の色光のいずれかを前記第二発光素子から出射させる
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光素子と、
第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、
前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二電極および前記第四電極が、同じ工程で形成され、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、
前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光素子と、
第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、
前記第二発光素子は、第八電極、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、
前記第二電極および前記第四電極が、同じ工程で形成され、
前記第一発光ユニットは、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、
前記第二駆動トランジスタは、前記第八電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項5または請求項6に記載の発光装置において、
前記第二電極および前記第四電極を電気的に絶縁する絶縁部を備える
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項7に記載の発光装置において、
前記絶縁部は、前記第一電極側から前記第三電極側へ隆起し、
当該隆起した絶縁部に前記第二電極の前記第二発光素子側の端部が乗り上げて、前記第二電極および前記第四電極が電気的に分断されている
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項8に記載の発光装置において、
前記絶縁部は、第二発光素子側へ向かって張り出す張出部を有している
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットが有する第一色光発光層は、青色蛍光発光層である
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第一発光素子の光取り出し側には、前記第一の色光を透過し、前記第二の色光を遮断する色変換部が設けられている
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光素子と、
第二発光素子と、
第三発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタ、前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタおよび前記第三発光素子を駆動するための第三駆動トランジスタを有する素子駆動部と、
を備え、
前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、
前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、
前記第三発光素子は、第五発光ユニット、第六電極、第六発光ユニット、および第七電極を、この順に有し、
前記第一発光ユニット、前記第三発光ユニットおよび前記第五発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二電極、前記第四電極および前記第七電極が、同じ工程で形成され、
前記第二発光ユニット、前記第四発光ユニットおよび前記第六発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、
前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続され、
前記第三駆動トランジスタは、前記第六電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光素子と、
第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光素子および前記第二発光素子は、中間電極を有し、
この中間電極は、前記第一発光素子側と前記第二発光素子側との間で絶縁部によって第二電極と第四電極とに電気的に切断され、
前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、
前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、
前記第一発光ユニット、および前記第三発光ユニットは、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二発光ユニット、および前記第四発光ユニットは、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第二電極と電気的に接続され、
前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする発光装置。 - 第一発光素子と、
第二発光素子と、
前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタおよび前記第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを有する素子駆動部と、を備え、
前記第一発光素子は、第一電極、第一発光ユニット、第二電極、第二発光ユニット、および第三電極を、この順に有し、
前記第二発光素子は、第三発光ユニット、第四電極、第四発光ユニット、および第五電極を、この順に有し、
前記第一発光ユニットおよび前記第三発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第一の色光を発光する第一色光発光層を有し、
前記第二電極および前記第四電極が、同じ工程で形成され、
前記第二発光ユニットおよび前記第四発光ユニットは、同じ工程で形成され、それぞれ、第二の色光を発光する第二色光発光層を有し、
前記第一駆動トランジスタは、前記第一電極と電気的に接続され、
前記第二駆動トランジスタは、前記第四電極と電気的に接続され、前記第三発光ユニットの厚さ方向の両端間において電位差を設けない
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項1から請求項14までのいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 基板と、前記基板に設けられた第一発光素子と、前記基板の前記第一発光素子が設けられた領域とは異なる領域に設けられた第二発光素子と、を備える発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、
前記基板上に前記第一発光素子を駆動するための第一駆動トランジスタ、および第二発光素子を駆動するための第二駆動トランジスタを形成する工程と、
前記基板上の前記第一発光素子を形成する第一領域に第一電極を形成し、前記第一電極を前記第一駆動トランジスタと電気的に接続させる工程と、
前記第一領域と、前記第二発光素子を形成する第二領域とを区分する位置に、前記基板側から隆起し、前記第二領域側へ向かって張り出す張出部を有する絶縁部を形成する工程と、
第一の色光を発光する第一色光発光層を含む第一色光発光ユニットを前記第一領域および前記第二領域に亘って前記絶縁部を跨いで成膜する工程と、
前記第一領域および前記第二領域に亘って前記絶縁部を跨いで中間電極を成膜し、前記第二領域側の中間電極を前記第二駆動トランジスタと電気的に接続させる工程と、
第二の色光を発光する第二色光発光層を含む第二色光発光ユニットを前記第一領域および前記第二領域に亘って前記絶縁部を跨いで成膜する工程と、を有する
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106549033A (zh) * | 2015-09-22 | 2017-03-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置和具有该有机发光装置的显示装置 |
CN107331691A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR102136789B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN105513534B (zh) * | 2016-02-04 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构、显示装置及驱动方法 |
US11244930B2 (en) * | 2018-08-10 | 2022-02-08 | Innolux Corporation | Electronic device with light emitting units with reduced power consumption |
KR102622791B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2024-01-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102622790B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2024-01-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
US11189760B2 (en) * | 2018-12-07 | 2021-11-30 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009524189A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
JP2009251458A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Fujinon Corp | 投写光学系およびこれを用いた投写型表示装置 |
JP2011521482A (ja) * | 2008-05-29 | 2011-07-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機発光部品、および有機発光部品を有する発光装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4797438B2 (ja) | 2005-05-17 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
US20080061678A1 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting device |
EP1973386B8 (en) * | 2007-03-23 | 2016-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
EP2045848B1 (en) | 2007-07-18 | 2017-09-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device |
JP5329429B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-10-30 | 出光興産株式会社 | アザインデノフルオレンジオン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2009252458A (ja) | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
EP2371812B1 (en) | 2008-12-03 | 2015-12-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Indenofluorenedione derivative, material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element |
US20100295445A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US9150954B2 (en) * | 2011-10-28 | 2015-10-06 | Lg Display Co., Ltd. | Light-emitting diode and deposition apparatus for fabricating the same |
-
2012
- 2012-08-17 JP JP2012181230A patent/JP2015215940A/ja active Pending
-
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- 2013-08-16 WO PCT/JP2013/071997 patent/WO2014027688A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009524189A (ja) * | 2006-01-18 | 2009-06-25 | エルジー・ケム・リミテッド | 積層型有機発光素子 |
JP2009251458A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Fujinon Corp | 投写光学系およびこれを用いた投写型表示装置 |
JP2011521482A (ja) * | 2008-05-29 | 2011-07-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機発光部品、および有機発光部品を有する発光装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106549033A (zh) * | 2015-09-22 | 2017-03-29 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置和具有该有机发光装置的显示装置 |
CN106549033B (zh) * | 2015-09-22 | 2022-01-25 | 三星显示有限公司 | 有机发光装置和具有该有机发光装置的显示装置 |
CN107331691A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20150208480A1 (en) | 2015-07-23 |
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