JP6297604B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光装置の光源に有機ＥＬ素子が用いられるようになっている。有機ＥＬ素子は、有機層を２つの電極で挟んだ構成を有している。そして、これら２つの電極は、配線を介して端子に接続している。

一方、発光装置には、有機ＥＬ素子の範囲を定めるために、絶縁層が設けられている。この絶縁層は、有機ＥＬ素子の周囲を囲んでいる。そして、有機ＥＬ素子に接続する配線は、厚さ方向で見た場合、この絶縁層と基板の間を延在している（例えば特許文献１参照）。

特開２００７−２６４５８３号公報

上記した絶縁層には、例えば薬液を用いて、有機ＥＬ素子となるべき領域に開口が形成される。一方、上記したように、この絶縁層の縁を跨ぐ位置に、配線などの導電層が形成される場合がある。この導電層が２層構造で形成されている場合、絶縁層と導電層の界面から薬液が浸透し、絶縁層の縁で覆われている導電層のうち上側の層が除去されることがある。この場合、絶縁層の縁は浮いた形になり、折れる可能性が出てくる。絶縁層の縁が折れた場合、この縁に起因して発光装置に不具合が生じる可能性が出てくる。

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子を囲む絶縁層の縁が折れないようにすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を囲む絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層の間に位置し、前記絶縁層のうち前記有機ＥＬ素子とは逆側の縁を跨いでいる導電層と、
を備え、
前記導電層は、第１層と、前記第１層上に形成された第２層を有しており、
前記導電層は、前記絶縁層のうち前記有機ＥＬ素子とは逆側の縁と重なる部分において、前記第２層の一部を有していない発光装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１から絶縁層を取り除いた図である。 有機ＥＬ素子の構成を説明するための断面図である。 比較例に係る発光装置の断面図である。 図２のＡ−Ａ断面図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図６から封止膜、隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図６のＢ−Ｂ断面図である。 図６のＣ−Ｃ断面図である。 図６のＤ−Ｄ断面図である。 図６のＥ−Ｅ断面図である。 図６のＦ−Ｆ断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１３のＩ−Ｉ断面図である。 実施例３に係る発光装置の構成を示す平面図である。 実施例４に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１１の変形例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から絶縁層１２０を取り除いた図である。図３は、有機ＥＬ素子１０２の構成を説明するための断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、有機ＥＬ素子１０２、絶縁層１２０、及び導電層３００を有している。有機ＥＬ素子１０２は基板１００に形成されており、絶縁層１２０は、有機ＥＬ素子１０２を囲んでいる。導電層３００は厚さ方向において基板１００と絶縁層１２０の間に位置し、絶縁層１２０のうち有機ＥＬ素子１０２とは逆側の縁１２６を跨いでいる。導電層３００は、第１層３１０及び第２層３２０を有している。第２層３２０は第１層３１０上に形成されている。そして導電層３００は、絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分において第２層３２０の一部を有していない。発光装置１０は、例えばディスプレイであるが、照明装置であってもよい。以下、詳細に説明する。

基板１００は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１００は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板１００は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。

有機ＥＬ素子１０２は、図３に示すように、第１電極１１０及び第２電極１５０の間に有機層１４０を挟んだ構成を有している。有機層１４０は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層した構成を有している。第１電極１１０が陽極の場合は、正孔輸送層が第１電極１１０の上に形成される。また、第１電極１１０が陰極の場合は、電子輸送層が第１電極１１０の上に形成される。

第１電極１１０及び第２電極１５０のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばＡｌやＡｇなどの金属によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。本図に示す例では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１０２であって、第１電極１１０は透光性の電極になっており、第２電極１５０は、Ａｌなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の有機ＥＬ素子１０２であって、基板１００の上に第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極１１０はＡｌなど光を反射する電極になっており、第２電極１５０は透光性の電極になっている。また、両方の電極（第１電極１１０、第２電極１５０）を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い（デュアルエミッション型）。

絶縁層１２０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。

導電層３００は、第１層３１０の上に第２層３２０を積層した構成を有している。導電層３００は、例えば有機ＥＬ素子１０２に接続する配線であるが、ダミーとなる導電パターンやアライメントマークであってもよい。第１層３１０は、例えば有機ＥＬ素子１０２が有する２つの電極のうち基板１００側に位置する電極と同様の材料（例えば透光性の導電材料）によって形成されている。そして第２層３２０は、第１層３１０よりも低抵抗な材料（例えばＡｌなどの金属）によって形成されている。なお、第２層３２０は多層構造を有していてもよい。

ここで、有機ＥＬ素子１０２の配線は、第１層３１０としてＩＴＯ、第２層３２０としてアルミニウムを利用する場合が多い。特に、第２層は、ＭｏＮｂ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｂの積層構造を採用している場合が多い。この理由は、以下の通りである。

まず、アルミニウムとＩＴＯとを直接接触させた場合、電気化学的効果により、ＩＴＯの化学的耐性が弱まる。また、アルミニウムとＩＴＯとの電気的な接触は粗悪であり、これらの間の接触抵抗は経時劣化してしまう。これらの問題を避けるため、アルミニウムとＩＴＯとの間にモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など異種金属を介在させ、直接の接触を絶つことが好ましい。特に、Ｍｏは、アルミニウムとＩＴＯとの反応を遮断し、両者との接触抵抗も低い。

更に、アルミニウムやアルミニウムにネオジウム（Ｎｄ）を含有したＡｌＮｄ合金には酸化しやすいものが多い。第２層３２０を形成する材料が酸化された場合、その酸化物中の酸素がアルミニウムやＡｌＮｄ合金に拡散するおそれが生じる。この現象を抑制するために、特定の数量のニオブ（Ｎｂ）を含有したＭｏＮｂ合金層を第２層３２０の表面に保護膜として形成する。この保護層（ＭｏＮｂ）およびＡｌＮｄ合金の第２層３２０は燐酸、酢酸、及び硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液で一括エッチングすることも可能である。有機ＥＬ素子を用いた一般的な発光装置において、絶縁層１２０の材料であるポリイミド膜をスピンコーティングし、フォトリソ工程でパターニングを行った後、３２０℃程度の温度で熱処理することにより、絶縁層１２０を作成する。この熱処理により、第２層３２０のＡｌＮｄ合金の抵抗を低くすることができる。この理由は、熱処理の熱でＮｄがＡｌの粒界に移動するためと考えられる。

絶縁層１２０には開口１２２が形成されている。そして開口１２２を用いて有機ＥＬ素子１０２が形成されている。発光装置１０がディスプレイの場合、導電層３００には複数の開口１２２が形成されており、これら複数の開口１２２を用いて複数の有機ＥＬ素子１０２が形成されている。また発光装置１０が照明装置の場合、導電層３００には一つの開口１２２が形成されている場合もあれば、複数の開口１２２が形成されている場合もある。後者の場合、これら複数の開口１２２を用いて複数の有機ＥＬ素子１０２が形成されている。

そして、上記したように、導電層３００は、絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分において第２層３２０を有していない。導電層３００のうち第２層３２０を形成していない部分の幅Ｗは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下である。また、絶縁層１２０の縁１２６から絶縁層１２０の下に位置する第２層３２０の縁までの距離Ｌ_１は、例えば５μｍ以上２５０μｍ以下である。また、絶縁層１２０の縁１２６から絶縁層１２０の外に位置する第２層３２０の縁までの距離Ｌ_２は、例えば５μｍ以上２５０μｍ以下である。

なお、導電層３００のうち絶縁層１２０で覆われている部分（ただし縁１２６の近くを除く）、及び導電層３００のうち絶縁層１２０で覆われていない部分（ただし縁１２６の近くを除く）は、いずれも第１層３１０の上に第２層３２０を積層した構成を有している。すなわちこれら２つの部分は、同一の層構造を有している。そして、導電層３００のうち縁１２６と重なる部分覆う構造は、上記した２つの部分のいずれとも異なる。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成する。次いで、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０及び導電層３００の第１層３１０が形成される。

次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び第１層３１０上に、導電層３００の第２層３２０となる導電層を形成する。次いで、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、第１層３１０上には第２層３２０が形成される。このとき、第１層３１０のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる領域には、第２層３２０を残さない。

次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び導電層３００に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液（例えば現像液）を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０及び開口１２２が形成される。絶縁層１２０が絶縁層で形成されている場合、絶縁層１２０及び開口１２２は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。

次いで、開口１２２内に有機層１４０を形成する。有機層１４０を構成する少なくとも一つの層（例えば正孔輸送層）は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層１４０の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。

次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。

図４は、比較例に係る発光装置１０の断面図であり、図２のＡ−Ａ断面に相当している。本図に示す発光装置１０において、絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分にも第２層３２０が形成されている。この場合、絶縁層１２０を選択的に除去するとき、第２層３２０と絶縁層１２０の界面から薬液が進入する。また、次工程のウェットプロセス時の薬液も進入する。そのため、第２層３２０のうち縁１２６の下に位置する部分は除去されることがある。この場合、絶縁層１２０の縁１２６には、浮遊部１２１が形成される。

図５は、図２のＡ−Ａ断面図である。上記したように、絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、導電層３００の第２層３２０は形成されていない。従って、縁１２６は、第１層３１０に接している。このため、絶縁層１２０を選択的に除去するとき、及び、次工程のウェットプロセス時に、第２層３２０はエッチング液や現像液などの薬液に触れない。従って、この薬液に対して第２層３２０がエッチングされやすい場合においても、第２層３２０のうち絶縁層１２０で覆われている部分はエッチングされない。従って、本実施形態によれば、縁１２６に浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。

（実施例１）
図６は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図７は、図６から封止膜２１０、隔壁１７０、第２電極１５０、有機層１４０、及び絶縁層１２０を取り除いた図である。図８は図６のＢ−Ｂ断面図であり、図９は図６のＣ−Ｃ断面図であり、図１０は図６のＤ−Ｄ断面図である。本図に示す発光装置１０は、例えばディスプレイとして用いられる。

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機ＥＬ素子１０２、絶縁層１２０、複数の開口１２２、複数の開口１２４、複数の引出配線１３０、有機層１４０、第２電極１５０、複数の引出配線１６０、及び複数の隔壁１７０を有している。引出配線１３０及び引出配線１６０は、実施形態における導電層３００に対応している。

第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、第１方向（図６におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は透光性の材料によって形成されている。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１３０に接続している。

引出配線１３０は、第１電極１１０を端子に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１３０の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１３０の他端側は端子となっている。引出配線１３０は、第１層１３２と第２層１３４とを積層した構成を有している。引出配線１３０は実施形態における導電層３００の一例である。第１層１３２は実施形態における第１層３１０に対応しており、第２層１３４は実施形態における第２層３２０に対応している。また、第２層１３４は、後述するように、複数の金属層を積層した構成を有している。ここで、金属層は、合金層の場合もある。例えば、ここで用いられる金属層はＭｏ層、Ａｌ層、ＮｉとＭｏの合金層、又はＭｏとＮｂの合金層である。特に好ましくは、前述したＭｏＮｂ合金層、ＡｌＮｄ合金層、ＭｏＮｂ合金層の積層構造である。そしてこれらの金属層を複数積層することによって、第２層１３４が形成される。なお、同一の金属層が複数回積層されてもよい。

そして、図７に示すように、実施形態と同様に、第１層１３２（第１層３１０）のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、第２層１３４（第２層３２０）が形成されていない。また、第１層１３２は、第１電極１１０と一体に形成されている。

絶縁層１２０は、図６、及び図８〜図１０に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１２０には、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成されている。複数の第２電極１５０は、詳細を後述するように、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図６におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１５０の間には、隔壁１７０が延在している。開口１２２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１５０の交点に位置している。複数の開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向（図６におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１２２は、第２電極１５０の延在方向（図６におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１２４は、平面視で複数の第２電極１５０のそれぞれの一端に位置している。また開口１２４は、開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図６におけるＹ方向）で見た場合、開口１２４は、第１電極１１０に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。開口１２４からは、引出配線１６０の一部分が露出している。

開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。有機層１４０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１４０の電子輸送層は第２電極１５０に接している。このようにして、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。

なお、図８及び図９に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図５に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１２２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１０に示すように、有機層１４０は、開口１２４には形成されていない。

上記したように、有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図６、図８〜図１０に示すように、有機層１４０より上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図６におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、有機層１４０に電気的に接続している。例えば第２電極１５０は、有機層１４０上に形成されていても良いし、有機層１４０の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２電極１５０を有している。一つの第２電極１５０は、複数の開口１２２上を通過する方向に形成されている。

第２電極１５０は引出配線１６０に接続している。図示の例では、第２電極１５０の端部が開口１２４上に位置することにより、開口１２４において第２電極１５０と引出配線１６０は接続している。

引出配線１６０は、第２電極１５０を端子に接続する配線である。引出配線１６０の一端側は開口１２４の下に位置しており、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１６０の他端側が端子となっている。引出配線１６０は、実施形態における導電層３００の一例であり、第１層１６２と第２層１６４とを積層した構成を有している。第１層１６２は実施形態における第１層３１０に対応しており、第２層１６４は実施形態における第２層３２０に対応している。そして第１層１６２は第１層１３２と同様の材料によって形成されており、第２層１６４は第２層１３４と同様の材料によって形成されている。

そして、図７に示すように、実施形態と同様に、第１層１６２（第１層３１０）のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、第２層１６４（第２層３２０）が形成されていない。

隣り合う第２電極１５０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１５０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１５０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１５０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１５０を一括で形成することができる。

また、隔壁１７０は、有機層１４０を分断する機能も有している。

第２電極１５０より上には、封止膜２１０が形成されている。封止膜２１０は、例えば酸化アルミニウム膜であり、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。封止膜２１０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。封止膜２１０は、図８〜図１０に示すように、絶縁層１２０、引出配線１６０、及び引出配線１３０を覆っている。なお、封止膜２１０は、ＡＬＤ法以外の成膜法、例えばＣＶＤ法を用いて形成されても良い。

図１１は、図６のＥ−Ｅ断面図である。本図に示す例において、封止膜２１０は、段差被覆性が高い。このため、封止膜２１０は、絶縁層１２０の端面、第２層１３４の端面、及び第１層１３２のうち絶縁層１２０及び第２層１３４のいずれにも覆われていない領域も連続して被覆している。

また、第２層１３４は、保護層３２２、金属層３２４、及び保護層３２６をこの順に積層した構成を有している。保護層３２２及び保護層３２６は、金属層３２４よりも硬くて耐食性の高い材料、例えばＭｏであり、金属層３２４は例えばＡｌである。

なお、図６のＧ−Ｇ断面も、上記した構造と同様になっている。

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１３０の第１層１３２、及び引出配線１６０の第１層１６２を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び第１層１３２，１６２上に、第２層１３４，第２層１６４となる導電層を形成し、この導電層を、ウェットエッチングなどを利用し、選択的に除去する。これにより、第２層１３４，１６４が形成される。このとき、第１層１３２，１６２のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる領域には、第２層１３４，１６４を残さない。

次いで、絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０の形成方法は、実施形態と同様である。この工程において、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成される。

次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成し、さらに有機層１４０及び第２電極１５０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

次いで、封止膜２１０を、例えばＡＬＤ法を用いて形成する。その後、封止膜２１０上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして封止膜２１０を選択的にエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）する。これにより、封止膜２１０のうち引出配線１３０の端部上に位置する部分、及び引出配線１６０の端部上に位置する部分は、除去される。

図１２は、図６のＦ−Ｆ断面図である。上記したように、第２層１３４は、保護層３２２、金属層３２４、及び保護層３２６を積層した構成を有している。そして、保護層３２６は、金属層３２４よりも耐食性の高い材料によって形成されている。一例が、前述した保護層３２２にＭｏＮｂ合金層、金属層３２４にＡｌＮｄ合金層、保護層３２６にＭｏＮｂ合金層の積層構造である。このＭｏＮｂ合金層で形成した保護膜３２２、３２６およびＡｌＮｄ合金で形成した金属層３２４は燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液（薬液）よりなるエッチング液で一括エッチングが可能である。しかし、薬液へのエッチング耐性の違いから、金属層３２４の端部はエッチングされ、金属層３２４の幅は保護層３２６の幅よりも狭くなる。このため、保護層３２６の端部の下方には空洞３２８が形成されてしまう。

第２層１３４が縁１２６の下方にも形成されている場合、空洞３２８は絶縁層１２０の下方に位置する部分まで連続して形成される。従って、空洞３２８を介して水分や酸素など、有機層１４０を劣化させる成分が有機層１４０に伝わる可能性が出てくる。これに対して本実施例では、第２層１３４は縁１２６と重なる部分で分断されている。従って、空洞３２８も縁１２６と重なる部分で分断されるため、有機層１４０を劣化させる成分が空洞３２８を介して有機層１４０に伝わることを抑制できる。

なお、図１７に示すように、第２層３２０及び第２層１３４の間の領域において、縁１２６と重なる部分で保護層３２６のみを分断し、保護層３２２及び金属層３２４はつながった状態にしても良い。この場合においても、有機層１４０を劣化させる成分が空洞３２８を介して有機層１４０に伝わることを抑制できる。

なお、図６のＨ−Ｈ断面も同様である。

また、本実施例によっても、絶縁層１２０の縁１２６に浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。

（実施例２）
図１３は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１４は、図１３のＩ−Ｉ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、例えば調光が可能な照明装置であり、以下の点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

まず、隣り合う隔壁１７０の間には、有機ＥＬ素子１０２が一つずつ形成されている。具体的には、隣り合う隔壁１７０の間において、絶縁層１２０の開口１２２は一つのみ形成されている。この一つの開口１２２は隔壁１７０と同一の方向に延在している。また、第１電極１１０も、隣り合う隔壁１７０の間に、第２電極１５０と同一方向に延在している。そして互いに異なる色（例えば赤色、緑色、及び青色）を発光する複数種類の有機ＥＬ素子１０２が、隔壁１７０と交わる方向に繰り返し配置されている。

そして、隔壁１７０が延在する方向において、隔壁１７０の一方の端部側に引出配線１３０が形成され、隔壁１７０の他方の端部側に引出配線１６０が形成されている。引出配線１３０及び引出配線１６０の構成は、実施例１と同様である。

本実施例によっても、実施例１に示した空洞３２８を縁１２６と重なる部分で分断することができるため、有機層１４０を劣化させる成分が空洞３２８を介して有機層１４０に伝わることを抑制できる。また、絶縁層１２０の縁１２６に浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。

（実施例３）
図１５は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本実施例に係る発光装置１０は、ダミーパターン３０４を備える点を除いて、実施形態、実施例１、又は実施例２に係る発光装置１０と同様の構成である。本図は、実施形態と同様の場合を示している。

ダミーパターン３０４は、第１層３１０及び第２層３２０を積層した構成を有している。そしてダミーパターン３０４のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、第２層３２０が設けられていない。

本実施例によっても、絶縁層１２０の縁１２６のうち導電層３００と重なる部分に浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。さらに、縁１２６のうちダミーパターン３０４と重なる部分に、浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。

（実施例４）
図１６は、実施例４に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。本実施例に係る発光装置１０は、アライメントマーク３０６を備える点を除いて、実施形態、実施例１、実施例２、又は実施例３に係る発光装置１０と同様の構成である。本図は、実施形態と同様の場合を示している。

アライメントマーク３０６は、第１層３１０及び第２層３２０を積層した構成を有している。そしてアライメントマーク３０６のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、第２層３２０が設けられていない。アライメントマーク３０６は、例えば絶縁層１２０に開口１２２を形成するときの位置決めの目印として使用される。

本実施例によっても、絶縁層１２０の縁１２６のうち導電層３００と重なる部分に浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。さらに、縁１２６のうちアライメントマーク３０６と重なる部分に、浮遊部１２１が形成されることを抑制できる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (6)

1. 基板と、
   開口部を有する絶縁層と、
   前記開口部の中に位置する有機ＥＬ素子と、
   前記基板と前記絶縁層の間に位置し、前記絶縁層の外周側の縁を跨いでいる導電層と、
   を備え、
   前記導電層は、第１層と、前記第１層上に形成された第２層を有しており、
   前記導電層は、前記外周側の縁と重なる部分において、前記第２層の一部を有していない発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記導電層のうち前記絶縁層で覆われている部分の層構造は、前記導電層のうち前記絶縁層で覆われていない部分の層構造と同じである発光装置。
3. 請求項２に記載の発光装置において、
   前記基板に形成され、前記絶縁層よりも外側に位置する端子を備え、
   前記導電層は、前記有機ＥＬ素子と前記端子とを接続する配線である発光装置。
4. 請求項３に記載の発光装置において、
   前記第１層は透光性を有しており、
   前記第２層は、前記第１層よりも抵抗値が低い材料によって形成されている発光装置。
5. 請求項４に記載の発光装置において、
   前記第２層は、
   金属層と、
   前記金属層の上に形成されていて前記金属層よりも硬い材料からなる保護層と、
   を有している発光装置。
6. 請求項５に記載の発光装置において、
   前記配線のうち前記絶縁層の前記縁と重なる部分の層構造は、前記配線のうち前記絶縁層で覆われている部分の層構造とは異なる発光装置。

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