JP2015056508A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 第１の半導体層と、
   連続的な前記第１の半導体層の上に位置する第１の発光構造及び第２の発光構造と、
   前記第１の半導体層の上に位置する第１の電極と、
   前記第１の発光構造の上に位置する第２の電極と、
   前記第１の発光構造と前記第２の発光構造との間に位置し、前記第１の半導体層の上面を露出させる第１の溝であって、前記第１の電極及び前記第２の電極が前記第１の溝内に位置していない、第１の溝と、を含む、発光素子。
2. 前記第１の発光構造内に位置し、前記第１の半導体層を露出させる第２の溝をさらに含み、
   前記第１の電極は、前記第２の溝内に位置する、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第２の発光構造の上に位置するもう１つの第２の電極と、
   前記第２の発光構造内に位置する第２の溝と、
   前記第２の溝内に位置するもう１つの第１の電極と、をさらに含む請求項１に記載の発光素子。
4. 前記第１の発光構造と前記第２の発光構造とは、上から見ると、同じパターンを含む、請求項３に記載の発光素子。
5. 前記第２の半導体層は側辺を含み、前記側辺と前記第１の電極との距離は約６０μｍ〜１００μｍである、請求項１に記載の発光素子。
6. 前記第１の溝は、前記第１の発光構造と前記第２の発光構造とを空間上で区切る、請求項１に記載の発光素子。
7. 前記第１の発光構造及び前記第２の発光構造それぞれは、
   前記第１の半導体層の上に位置する活性層と、
   前記活性層の上に位置する第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層の上に位置する透明導電層と、を含む、請求項１に記載の発光素子。
8. 前記第１の電極は、複数の第１の延在部を含み、
   前記第２の電極は、複数の第２の延在部を含み、
   前記複数の第１の延在部のうち１つは、前記複数の第２の延在部のうち２つの間に位置する、請求項１に記載の発光素子。
9. 前記第１の電極は、第１のワイヤボンディング部を含み、
   前記第２の電極は、第２のワイヤボンディング部を含み、
   前記第２の半導体層は、第１の側辺と、該第１の側辺から離れた第２の側辺とを含み、
   前記第１のワイヤボンディング部は前記第１の側辺に近接し、前記第２のワイヤボンディング部は前記第２の側辺に近接する、請求項１に記載の発光素子。
10. 前記第１のワイヤボンディング部と前記第１の側辺との間は間隔を含み、該間隔は前記第１のワイヤボンディング部のサイズである、請求項９に記載の発光素子。
11. 前記２つの第１の電極を接続させる電気接続線をさらに含む、請求項３に記載の発光素子。
12. 前記第１の溝と平行せず、前記第１の半導体層を露出させる第２の溝と、
    前記第２の溝内に位置する第１のブリッジ接続部と、さらに含む、請求項１に記載の発光素子。
13. 前記第１の電極と前記第１の半導体層との間に位置する電気絶縁部、をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
14. 第１の半導体層と、
    連続的な前記第１の半導体層の上に位置する第１の発光構造及び第２の発光構造であって、前記第１の発光構造と前記第２の発光構造とが第１のブリッジ接続部を介して接続される、第１の発光構造及び第２の発光構造と、
    前記第１の発光構造と前記第２の発光構造との間に位置し、前記第１の半導体層の上面を露出させる第１の溝と、
    前記第の溝と平行せず、前記第１の半導体層を露出させ、第１の領域及び第２の領域を含む第２の溝と、
    前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第２のブリッジ接続部と、
    前記第１の溝内に位置する第１の電極と、
    ワイヤボンディング部と、該ワイヤボンディング部から延在する複数の延在部とを含む第２の電極であって、前記複数の延在部のうち１つが前記第２のブリッジ接続部の上に位置する、第２の電極と、を含む、発光素子。
15. 前記ワイヤボンディング部は、前記第１のブリッジ接続部の上に位置する、請求項１４に記載の発光素子。
16. 前記第１の溝と平行せず、第３の領域及び第４の領域を含む第３の溝をさらに含み、
    前記第２のブリッジ接続部は、前記第３の領域と前記第４の領域との間に位置する、請求項１４に記載の発光素子。