JP2016039365A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016039365A5
JP2016039365A5 JP2015114762A JP2015114762A JP2016039365A5 JP 2016039365 A5 JP2016039365 A5 JP 2016039365A5 JP 2015114762 A JP2015114762 A JP 2015114762A JP 2015114762 A JP2015114762 A JP 2015114762A JP 2016039365 A5 JP2016039365 A5 JP 2016039365A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
branch
semiconductor layer
pad
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015114762A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6714328B2 (ja
JP2016039365A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020140101488A external-priority patent/KR20160017905A/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2016039365A publication Critical patent/JP2016039365A/ja
Publication of JP2016039365A5 publication Critical patent/JP2016039365A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6714328B2 publication Critical patent/JP6714328B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (11)

  1. 基板と、
    前記基板上に第1導電型半導体層と、
    前記第1導電型半導体層上に活性層と、
    前記活性層上に第2導電型半導体層と、
    前記第2導電型半導体層上に絶縁層と、前記第1導電型半導体層と電気的に連結された第1電極部と、前記第2導電型半導体層と電気的に連結された第2電極部と、
    を含み、
    前記第1電極部は、第1パッド電極と、前記第1パッド電極から水平に延長された第1分枝電極とを含み、
    前記第2電極部は、第2パッド電極と、前記第2パッド電極から水平に延長された第2分枝電極と、前記第2分枝電極から垂直に延長された貫通電極とを含み、
    前記第2パッド電極は、前記第2導電型半導体層と電気的に連結されるために、前記絶縁層を垂直に貫通するように延長され、
    前記第2分枝電極は、前記絶縁層上で延長され、
    前記貫通電極は、前記第2電極と前記第2導電型半導体層を電気的に連結するために、前記絶縁層を垂直に貫通するように延長され
    前記第1分枝電極は、
    前記第1導電型半導体層と直接接触する第1オーミック分枝電極と、
    前記第1オーミック分枝電極上に配置された第1反射分枝電極と含むことを特徴とする、発光素子。
  2. 前記絶縁層と前記第2導電型半導体層との間に配置されるオーミック層をさらに含み、
    前記第2電極部は、前記第2導電型半導体層と電気的に連結されるために、前記オーミック層と連結され
    前記オーミック層は、前記第1パッド電極と垂直に重なって配置されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記第2パッド電極は、前記オーミック層と接するために、前記絶縁層を垂直に貫通するように延長され、
    前記第2電極部の貫通電極は、前記オーミック層と接するために、前記第2分枝電極から前記絶縁層を貫通するように延長され
    前記第1電極の第1分枝電極と前記第2電極の第2分枝電極は、垂直に重ならないように水平にオフセット(offset)され、
    前記第1電極の第1分枝電極と前記第2電極の第2分枝電極は、相互平行するように延長されることを特徴とする、請求項2に記載の発光素子。
  4. 前記第1電極パッドは、前記基板の第1端部上に配置され、
    前記第2電極パッドは、前記基板の第2端部上に配置され、
    前記基板の上面図において、前記第1端部と前記第2端部は相互反対領域となり、
    前記第1電極の第1分枝電極と前記第2電極の第2分枝電極は、相互平行するように延長されることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
  5. 前記第1反射分枝電極は、2つの層を含み、
    前記第1反射分枝電極は、Al/NiまたはAg/Niを含む、請求項1に記載の発光素子。
  6. 前記第1パッド電極は、
    前記絶縁層上に配置され、前記第1電極パッドの真下に配置された前記第1導電型半導体層の領域と絶縁され
    前記第1パッド電極は、前記第1分枝電極と電気的に連結され、
    前記第1パッド電極は、前記絶縁層と垂直に重なって配置され、
    前記オーミック層は、第1パッド電極の下に配置され、
    前記絶縁層は、前記第1パッド電極とオーミック層との間に配置されることを特徴とする、請求項からのうち、いずれか1項に記載の発光素子。
  7. 前記第2電極は、複数の貫通電極を含み、少なくとも2つの貫通電極は、前記第2導電型半導体層と異なる領域で接して電気的に連結され
    それぞれの前記複数の貫通電極は、前記第2パッド電極から離れるほど前記オーミック層と接する面積が大きくなることを特徴とする、請求項1から6のうち、いずれか1項に記載の発光素子。
  8. 前記第1導電型半導体層は、前記オーミック層と前記第2導電型半導体層と前記活性層から露出した一部領域を有し、
    前記第1分枝電極は、前記第1導電型半導体層の露出した一部領域に配置されたことを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
  9. 第1方向に所定の長さを有し、第2方向に所定の幅を有し、第3方向に所定の高さを有する基板と、
    前記基板上に提供される第1導電型半導体層と、
    前記第1導電型半導体層上に提供される活性層と、
    前記活性層上に提供される第2導電型半導体層と、
    前記第2導電型半導体層上に提供される絶縁層と、
    前記第1導電型半導体層と電気的に連結された第1電極部と、
    前記第2導電型半導体層と電気的に連結された第2電極部と、
    を含み、
    前記第1電極部は、第1パッド電極と、前記第1パッド電極から延長された第1分枝電極とを含み、
    前記第2電極部は、第2パッド電極と、前記第2パッド電極から延長された第2分枝電極とを含み、
    前記第1パッド電極は、前記発光素子の一端に提供され、
    前記第2パッド電極は、前記発光素子の一端の反対側である他端に提供され、
    前記第1分枝電極は、前記第1パッド電極から前記第1方向に延長され、前記第2分枝電極は、前記第2パッド電極から前記第1方向と反対方向に延長され、前記第1分枝電極と前記第2分枝電極は相互平行し、
    前記第1分枝電極と前記第2分枝電極は、前記第2方向に所定距離離隔し、
    前記第1分枝電極と前記第2分枝電極は、垂直方向に重ならず、
    前記第1分枝電極と前記第2分枝電極は、前記第2方向である水平方向に重なることを特徴とする、発光素子。
  10. 前記第1電極部は、前記第1分枝電極から前記第3方向に延長される少なくとも1つの第1貫通電極を含み、
    前記第2電極部は、前記第2分枝電極から前記第3方向に延長される少なくとも1つの第2貫通電極を含み、
    前記第1貫通電極は、前記第1導電型半導体層と電気的に連結され、
    前記第2貫通電極は、前記第2導電型半導体層と電気的に連結され
    前記第2電極部は、相互所定の幅を有する複数の第2貫通電極を含み、
    前記複数の第2貫通電極の間の所定の幅は、前記第2パッド電極から前記第1方向に離れるほど増加することを特徴とする、請求項に記載の発光素子。
  11. 前記第1分枝電極は、前記第3方向において所定の第1高さを有するように提供され、
    前記第2分枝電極は、前記第1分枝電極の第1高さより大きい所定の第2高さを有するように提供され
    前記第1分枝電極は、前記第1導電型半導体層に直接接するように提供されることを特徴とする、請求項10に記載の発光素子。
JP2015114762A 2014-08-07 2015-06-05 発光素子及び照明システム Active JP6714328B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0101488 2014-08-07
KR1020140101488A KR20160017905A (ko) 2014-08-07 2014-08-07 발광소자 및 조명시스템

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016039365A JP2016039365A (ja) 2016-03-22
JP2016039365A5 true JP2016039365A5 (ja) 2018-07-19
JP6714328B2 JP6714328B2 (ja) 2020-06-24

Family

ID=53540677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015114762A Active JP6714328B2 (ja) 2014-08-07 2015-06-05 発光素子及び照明システム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9634192B2 (ja)
EP (1) EP2983216B1 (ja)
JP (1) JP6714328B2 (ja)
KR (1) KR20160017905A (ja)
CN (1) CN105826443B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9905729B2 (en) 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
TWD180530S (zh) * 2016-05-09 2017-01-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
JP2018006535A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
CN110383509B (zh) 2016-12-06 2022-12-13 苏州立琻半导体有限公司 发光器件
KR20180073866A (ko) * 2016-12-23 2018-07-03 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
KR102410809B1 (ko) * 2017-08-25 2022-06-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
US10937928B2 (en) 2017-11-09 2021-03-02 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element
USD894850S1 (en) * 2018-12-12 2020-09-01 Epistar Corporation Light-emitting device
CN110021691B (zh) * 2019-04-03 2020-05-01 厦门市三安光电科技有限公司 一种半导体发光器件
KR102442664B1 (ko) * 2021-01-27 2022-09-13 주식회사 어드밴스트뷰테크널러지 마이크로 led 소자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치
WO2023115325A1 (zh) * 2021-12-21 2023-06-29 联嘉光电股份有限公司 高发光效率的小尺寸垂直式发光二极管晶粒

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6693306B2 (en) 2002-07-22 2004-02-17 United Epitaxy Company, Ltd. Structure of a light emitting diode and method of making the same
JP4882792B2 (ja) * 2007-02-25 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5040355B2 (ja) * 2007-02-24 2012-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びこれを備えた発光装置
JP5223102B2 (ja) * 2007-08-08 2013-06-26 豊田合成株式会社 フリップチップ型発光素子
KR101428053B1 (ko) 2007-12-13 2014-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2010232649A (ja) 2009-03-06 2010-10-14 Showa Denko Kk Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5793292B2 (ja) * 2010-02-17 2015-10-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
US8664684B2 (en) * 2010-08-31 2014-03-04 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing
DE202011111091U1 (de) * 2010-11-18 2019-08-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld
US8564010B2 (en) * 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
KR101364721B1 (ko) 2012-03-09 2014-02-20 서울바이오시스 주식회사 전극 패드를 갖는 발광 다이오드 칩
WO2013169032A1 (ko) * 2012-05-09 2013-11-14 서울옵토디바이스주식회사 광추출 효율이 향상된 발광다이오드들
KR101946917B1 (ko) * 2012-06-08 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 제조방법
KR101405449B1 (ko) 2012-09-12 2014-06-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
JP5900284B2 (ja) * 2012-10-25 2016-04-06 豊田合成株式会社 半導体発光素子および発光装置
KR20140062945A (ko) 2012-11-15 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016039365A5 (ja)
JP2017041653A5 (ja) 発光ダイオード
JP2013135234A5 (ja)
JP2015173289A5 (ja)
JP2014093532A5 (ja)
JP2016082231A5 (ja)
JP2014053606A5 (ja)
JP2016092414A5 (ja)
JP2014039039A5 (ja)
JP2016092411A5 (ja)
WO2016129873A3 (ko) 발광소자 및 발광 다이오드
JP2018046255A5 (ja)
JP2012064849A5 (ja)
JP2013229598A5 (ja)
JP2014096591A5 (ja)
JP2020503678A5 (ja)
JP2014116604A5 (ja)
AR086303A1 (es) Parabrisas con un elemento de conexion electrica
JP2015015270A5 (ja)
JP2016127289A5 (ja)
JP2014042026A5 (ja)
JP2016163045A5 (ja)
JP2014086728A5 (ja)
JP2014150257A5 (ja)
JP2015135951A5 (ja)