JP2014086728A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 基板１０５と、
   前記基板１０５の上の第１導電型半導体層１１２と、
   前記第１導電型半導体層１１２の上の活性層１１４と、
   前記活性層１１４の上の第２導電型半導体層１１６と、
   前記基板１０５を貫通する第１ビアホールｈ１を通じて前記第１導電型半導体層１１２と接する第１ビア電極１３１と、
   前記基板１０５、前記第１導電型半導体層１１２、前記活性層１１４を貫通する第２ビアホールｈ２を通じて前記第２導電型半導体層１１６と接する第２ビア電極１３２と、を含むことを特徴とする、発光素子。
2. 前記第１ビア電極１３１の側面を覆いかぶせる第１絶縁層１２１をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１ビア電極１３１は、窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記第１ビア電極１３１は、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＣｒＡｌＮのうち、いずれか１つ以上を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
5. 前記第１ビア電極１３１は、融点が１５００℃以上の窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
6. 前記第１ビア電極１３１は、光透光性が７０％以上の窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
7. 前記第１ビア電極１３１は、電気抵抗が７０［μΩｃｍ］以下の窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
8. 前記第１ビア電極１３１の上面と接しながら前記第１ビア電極１３１から延びる第１延長電極１３３をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
9. 前記第２ビア電極１３２の上面と接しながら前記第２ビア電極１３２から延びる第２延長電極１３４をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
10. 前記第２ビア電極１３２の側面を覆いかぶせる第２絶縁層１２２をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
11. 前記第２ビア電極１３２は窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
12. 前記第２ビア電極１３２は、ＣｒＮ、ＴｉＮ、ＣｒＡｌＮのうち、いずれか１つ以上を含むことを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
13. 前記第２ビア電極１３２は、融点が１５００℃以上の窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
14. 前記第１ビア電極１３２は、光透光性が７０％以上の窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
15. 前記第２ビア電極１３２は、電気抵抗が７０［μΩｃｍ］以下の窒化物遷移金属を含むことを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
16. 前記第１ビアホールｈ１は底面から前記基板１０５を貫通し、
    前記第１ビア電極１３１が前記第１ビアホールｈ１を通じて前記第１導電型半導体層１１２の底面と接することを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
17. 前記第２ビアホールｈ２は底面から前記基板１０５、前記第１導電型半導体層１１２、及び前記活性層１１４を貫通し、
    前記第２ビア電極１３２は、前記第２ビアホールｈ２を通じて前記第２導電型半導体層１１６の底面と接することを特徴とする、請求項１乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
18. 前記第２延長電極１３４は、前記第２ビア電極１３２の一側方向に延びることを特徴とする、請求項９に記載の発光素子。
19. 前記第２延長電極１３４は、前記第２ビア電極１３２の長手方向と水平な方向に延びることを特徴とする、請求項９または１８に記載の発光素子。
20. 前記第２延長電極１３４ｂは、前記第２ビア電極１３２の両側方向に延びることを特徴とする、請求項９または１９に記載の発光素子。
21. 前記第１ビア電極１３１の上面と接しながら前記第１ビア電極１３１から延びる第１延長電極１３３と、前記第２ビア電極１３２の上面と接しながら前記第２ビア電極１３２から延びる第２延長電極１３４とをさらに含み、
    前記第１延長電極１３３及び前記第２延長電極１３４は上下に重なって配置されることを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
22. 前記第１延長電極は前記第２ビア電極と上下に重なって配置され、前記第２延長電極は前記第１ビア電極と上下に重なって配置されることを特徴とする、請求項２１に記載の発光素子。
23. 前記第２延長電極は前記第２導電型半導体層内の内部に配置され、前記第２延長電極は前記第２導電型半導体層の上部表面及び前記第２導電型半導体層の下部表面と接触しないことを特徴とする、請求項２１または２２に記載の発光素子。