JP5324076B2 - 窒化物半導体用ショットキー電極および窒化物半導体装置 - Google Patents
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- 窒化物半導体上に形成されるショットキー電極であって、
前記窒化物半導体上に形成される金属窒化物層と、
前記金属窒化物層上に形成される第1金属層と、
前記第1金属層上に前記第1金属層の全面と接触するようにして形成される第2金属層と、
を備え、
前記第1金属層は、前記金属窒化物層に含まれる金属と同一の金属元素を含み、
前記金属窒化物層に含まれる金属は、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される少なくとも1種の金属であることを特徴とする、窒化物半導体用ショットキー電極。 - 前記金属窒化物層の比抵抗が0.001Ωcm以上0.015Ωcm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体用ショットキー電極。
- 前記第2金属層は、金、銀、銅およびアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1種の金属を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体用ショットキー電極。
- 請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体用ショットキー電極を含む、窒化物半導体装置。
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