JPH10106977A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、耐熱性金属膜上に鍍金により形成さ
れた金を材料とする配線あるいは電極を備えた半導体装
置を容易に形成することのできる構造の半導体装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は、基板上の耐熱性金属膜表面に形
成された絶縁性の耐熱性金属酸化物を除去し、導電性の
耐熱性金属酸化物を残存させた後に、耐熱性金属膜の表
面に金を鍍金した半導体装置を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、特に耐熱性金属膜上に鍍金法により形成さ
れた金配線または金電極を備えた半導体装置及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を高速に動作させるために
は、電極材料または配線材料に抵抗の低い金を使うこと
は有効である。図７は、配線材料として金を用いた従来
の半導体装置の構成を示す断面図である。図７中で300
は半導体基板である。この半導体基板には図示しない回
路が形成されており、この回路の電極310 及び320 が基
板300 上の所定の位置に形成されている。図中で330 は
これら電極310 及び320 上に開口を有する絶縁膜であ
る。絶縁膜330 の材質としてはシリコン酸化膜が一般的
である。図中の340 は絶縁膜330 上に電極310 及び320
を接続する金属配線である。半導体基板300 中に形成さ
れた回路が数ＧＨｚ以上の高速な動作を要求される場
合、金属配線340 の材質としては低抵抗材料である金が
用いられる。金は工程の簡便さから鍍金法により成膜さ
れるので、鍍金工程の際に陰極となる導電層を電極310
、320上と絶縁膜330 上に形成しておく必要があり、図
中では350 として図示されている。図中の360 は鍍金工
程の前に形成された鍍金マスクであり、この鍍金マスク
360 は鍍金工程終了後剥離される。その後金属配線340
の直下以外の陰極350 は金属配線340 をマスクとした異
方性エッチング等により除去され、電極310 及び320 を
接続する配線が完成する。

【０００３】ところで、陰極350 には加工が容易である
こと、下地の絶縁膜330 及び電極310 、320との密着性が
よいこと、抵抗の低いことが求められる。これらの条件
をすべて満たす材質としてタングステン、チタン、タン
タル、モリブデン等の高融点金属あるいはこれらの酸化
物または窒化物（以下、本明細書において「耐熱性金
属」と総称する）が考えられる。しかしながら、これら
の材料からなる陰極350の上に金を鍍金で形成し、これ
を金属配線340 とすると、この金属配線340 と陰極350
の間の密着性が低く、金属配線340 が陰極350 から剥が
れるという問題が知られている。このため、従来は耐熱
性金属からなる下層膜350aと、この下層膜350aの上に金
属配線との密着性の良好な上層膜350bとからなる積層膜
を陰極350としていた。上層膜350bとしては、金属配線3
40 を形成する際の鍍金を効率よく行う事ができるとい
う理由から金属配線340 と同じ材料を蒸着法で形成され
た膜が用いられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように鍍金法によ
り金属配線を形成する場合、鍍金により形成された金属
配線340 と陰極350 の間に充分な密着性を得る為に、従
来は陰極350 を積層膜にする必要があった。このため、
陰極350 の形成工程及び金属配線340 下以外の陰極350
の除去工程が複雑になるという問題があった。

【０００５】以上、金属配線を鍍金により形成する場合
の従来の問題点を説明したが、鍍金により形成されるも
のが電極であっても、同様の問題がある。例えば、ショ
ットキーゲート型電界効果トランジスタにおいては、半
絶縁性基板上に基板との間でショットキー接合を形成す
る耐熱性金属からなるゲート電極が形成されている。し
かしながら、耐熱性金属のみでゲート電極を形成すると
十分に低いゲート抵抗を得ることができないことから、
耐熱性金属の上に所望の厚さの金などの低抵抗金属を鍍
金してゲート電極とすることが一般的である。しかし、
この場合においても上述した金属配線の場合と同様に、
耐熱性金属と鍍金により形成された金属との間の密着性
が不充分であるため、耐熱性金属と鍍金により形成する
低抵抗金属の間に蒸着により形成された低抵抗金属膜等
を介在させる必要があり、金属配線の場合と同様の問題
があった。

【０００６】一方、塩酸を加えた硝酸水溶液などを用い
て高融点金属であるタングステンまたはタングステン合
金表面の酸化膜を除去してからニッケルを鍍金すること
により、高融点金属とニッケル鍍金との密着性を向上さ
せる技術が特開平５ー３３１６１号公報に開示されてい
る。しかしながら、半導体装置の配線材料または電極材
料としては、金の約３倍の抵抗を有するニッケルは充分
な低抵抗とはいえず、この特開平５ー３３１６１号公報
の技術においても、鍍金されたニッケル薄膜の上にさら
に金を鍍金することによりこの問題を解決しており、工
程の簡易化という点でさらなる技術の革新が求められて
いる。

【０００７】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
ので、耐熱性金属膜上に鍍金により形成された金を材料
とする配線あるいは電極を備えた半導体装置を容易に形
成することのできる構造の半導体装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、基板と、この基板上に設けられた耐熱性金
属膜と、この耐熱性金属膜上に直接設けられた金鍍金膜
とを有する半導体装置を提供する。

【０００９】また、前記基板が半絶縁性基板であり、前
記耐熱性金属膜が、前記半絶縁性基板との間でショット
キー接合を有する第１耐熱性金属膜と、この第１耐熱性
金属膜上に設けられた第２耐熱性金属膜とを含み、前記
金鍍金膜は前記第２耐熱性金属膜上に直接設けられてい
ることが望ましい。

【００１０】また本発明は、基板と、この基板上に形成
された第１電極及びこの第１電極と離間して形成された
第２電極と、前記第１電極と第２電極の間の前記基板を
被覆し、前記第１電極上に設けられた第１開口及び前記
第２電極上に設けられた第２開口を有する絶縁膜と、こ
の絶縁膜上並びに前記第１及び第２開口を被覆する耐熱
性金属膜と、この耐熱性金属膜上に直接設けられた金鍍
金膜とを有する半導体装置を提供する。

【００１１】また、前記耐熱性金属膜が高融点金属もし
くは高融点金属の窒化物または珪化物からなることが望
ましい。さらに本発明は、基板上に耐熱性金属膜を形成
する工程と、前記耐熱性金属膜の表面に形成された絶縁
性の耐熱性金属酸化物を除去し、前記耐熱性金属膜表面
に形成された導電性の耐熱性金属酸化物を残存させた後
に前記耐熱性金属膜の表面に金を鍍金する工程とを有す
る半導体装置の製造方法を提供する。

【００１２】また本発明は、基板上に耐熱性金属膜を形
成する工程と、薬液処理により前記耐熱性金属膜の表面
に形成された絶縁性の耐熱性金属酸化物を除去し、前記
耐熱性金属膜表面に形成された導電性の耐熱性金属酸化
物を残存させた後に前記基板を水洗する工程と、水洗さ
れた前記基板を乾燥させることなく、前記耐熱性金属膜
の表面に金を鍍金する工程とを有する半導体装置の製造
方法を提供する。

【００１３】また本発明は、基板上にタングステン膜を
形成する工程と、薬液処理により前記タングステン膜の
表面に形成されたＷＯｘ（ｘ≧３）で表される第１の酸
化タングステンを除去し、前記タングステン膜の表面に
形成されたＷＯｙ（ｙ≦２）で表される第２の酸化タン
グステンを残存させた後に前記基板を水洗する工程と、
水洗された前記基板を乾燥させることなく、前記耐熱性
金属膜の表面に金を鍍金する工程とを有する半導体装置
の製造方法を提供する。

【００１４】また、前記金の鍍金は陰極と陽極の間に定
電圧源を接続して行うことが望ましい。上記本発明によ
れば、タングステンなどの耐熱性金属膜表面に形成され
たＷＯ、ＷＯ２等の導電性の酸化物を残して金の鍍金を
行っているので、鍍金の際の陽極と陰極の間の電界印加
を損ねることなく鍍金を行うことができる。また、この
際にＷＯ３等の絶縁性の酸化物は除去されているので、
鍍金された金と耐熱性金属膜との密着性を高くすること
ができる。

【００１５】さらに本発明によれば、鍍金された金は耐
熱性金属膜表面上に直接形成されており、両者の間に半
導体装置の電気的特性に無関係な膜あるいは電気的特性
に悪影響を与える膜等を介在させる事がないため、電気
的特性及び信頼性の優れた半導体装を提供することがで
きる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１乃至３は、本発明をシ
ョットキーゲート型電界効果トランジスタに適用した第
１の実施態様の半導体装置の製造工程を説明する断面図
である。

【００１７】まず、ＧａＡｓなどの半絶縁性基板100 の
表面全面に絶縁膜としてＳｉＯ２膜110 がＣＶＤ法、熱
酸化法等により形成される。次に、半導体基板100 表面
中のゲート電極を形成すべき位置上に開口130 を有する
レジストパターン120 をＳｉＯ２膜110 上に形成する。
尚、開口130 は後述する理由により断面がテーパ形状で
あることが望ましい。開口130 にテーパをつけること
は、ＳｉＯ２膜110 上に塗布されたレジストを露光及び
現像して、断面が基板100 の表面に対してほぼ垂直な開
口を形成した後、このレジスト加熱して開口端部を流動
化させることにより可能である。

【００１８】次に、このレジストパターン120 をマスク
にしてＳｉＯ２膜110 を基板100 が露出するまで異方性
エッチングする。このとき、開口130 断面にテーパがあ
る場合は、ＳｉＯ２とレジストとのエッチング選択比を
１：０．７〜１程度にしてＳｉＯ２膜110 のエッチング
と平行してレジストパターン120 もエッチングされるよ
うにエッチング条件を定めることにより、ＳｉＯ２膜11
0 に断面にテーパを有するゲート開口140 を形成するこ
とができる（図１参照）。

【００１９】次に、レジストパターン120 を酸処理ある
いは灰化処理等により除去する。次に基板100 の露出部
を含むＳｉ０２膜110 上全面に、ＳｉＯ２膜110 との密
着性が良く、また基板100 との間でショットキー接合を
形成する耐熱性金属としてＷＮｘ（ｘは正の数）で表さ
れる膜厚が１０００オングストロームの窒化タングステ
ン膜150 をスパッタ法により形成する。この窒化タング
ステン膜150 はショットキーゲート型電界効果トランジ
スタのゲート電極となるものであるが、電界効果トラン
ジスタを高速に動作させるためにはゲート電極の電気抵
抗は小さいことが必要であるのに対し、ＷＮｘは十分に
低い抵抗とは言い難い。そこで、窒化タングステン膜15
0 上に金を鍍金する必要があり、窒化タングステン膜15
0 をこの金鍍金の際の陰極として使用することになる。
しかしながら、窒化タングステン膜150 は陰極としても
十分に低い抵抗とは言い難い。そこで、窒化タングステ
ン膜150 上に耐熱性金属として膜厚が１０００オングス
トロームのタングステン膜160 をスパッタ法により形成
して陰極の抵抗を所望の値まで低くする。尚、鍍金条件
などによっては、このタングステン膜160 は必ずしも必
要ではない。また、本例では陰極となる窒化タングステ
ン膜150 及びタングステン膜160 の下地であるＳｉＯ２
膜110 の開口140 にテーパをつけているが、このテーパ
には陰極の膜厚が部分的に薄くなるあるいは陰極が段切
れすることを防止し、陰極の抵抗が高くすることを防い
で鍍金を均一に高速に進める機能がある。

【００２０】続いて、ゲート電極の抵抗を下げるために
タングステン膜160 上に金を選択的に鍍金形成するが、
この鍍金工程の際の鍍金マスクとなるレジストパターン
170をタングステン膜160 の上に形成する。レジストパ
ターン170 にはゲート電極形状の開口部180 が形成され
ている。

【００２１】ところで、タングステンは非常に酸化しや
すい為、このとき、開口部180 により露出したタングス
テン膜160 の表面には薄い自然酸化膜がてしまう。本発
明者らがこの点について研究したところ、この自然酸化
膜にはＷＯｘ（ｘ≧３）とＷＯｙ（ｙ≦２）の双方が含
まれていて、このうちＷＯｘ（ｘ≧３）はタングステン
膜160 上に形成する金鍍金との密着性を低下させるのに
対し、ＷＯｙ（ｙ≦２）は逆にタングステン膜160 と金
鍍金との密着性を上げる事がわかった。これはＷＯｘ
（ｘ≧３）が絶縁体であるのに対し、ＷＯｙ（ｙ≦２）
は導体であることに起因するものと予想される。

【００２２】そこで本例では、開口部180 によるタング
ステン膜160 の露出部に形成されたＷＯｘ（ｘ≧３）で
表される自然酸化膜を選択的に除去した。具体的には、
濃度が３５％の塩化水素水溶液に１０分間さらし、その
後水洗した。これにより、開口部180 の開口直後にはタ
ングステン膜160 表面には面積比でタングステンが５４
％、ＷＯｙ（ｙ≦２）が３２％、ＷＯｘ（ｘ≧３）が１
４％存在していたのが、この処理によりタングステンが
５９％、ＷＯｙ（ｙ≦２）が４１％にそれぞれ増加し、
ＷＯｘ（ｘ≧３）は検出されなかった。これにより、Ｗ
Ｏｘ（ｘ≧３）がＷＯｙ（ｙ≦２）と比較し選択的に除
去されていることがわかる。

【００２３】水洗した基板を次に、亜硫酸金系の鍍金液
中に５〜６分間含浸し、タングステン膜160 に達するよ
うに開口部180 近傍のレジストパターン170 に突き刺さ
れた図示しない針状電極を介してタングステン膜160 と
鍍金液中の陽極の間に電源を接続することにより、開口
部180 により露出したタングステン上に厚さ２マイクロ
メートルの金190 を鍍金形成する（図２参照）。

【００２４】このとき、陽極と陰極との間に接続する電
源は定電流源よりも定電圧源の方が望ましい。これは、
定電流源を使用すると電源印加直後に過渡的に高い電圧
が鍍金液に加わり、これにより金原子がタングステン膜
160 中に入り込み、これによりタングステン膜160 が変
質し、金鍍金190 とタングステン膜160 との密着性を劣
化させるためである。これに対し、定電圧源を使用する
と高い電圧が鍍金液に加わる事が無いためこのような事
がない。発明者らの実験によれば、鍍金液の濃度、印加
電力、陰極となる耐熱性金属膜の種類、膜厚等の各種条
件にもよるが、０．４ボルト以下の電圧の定電圧源を使
用すると、定電流源を使用した場合と比較して陰極とな
る耐熱性金属160 と金鍍金190 との密着性が２倍以上に
なることがわかっている。

【００２５】また、水洗後の基板は乾燥させずに直ちに
鍍金液中に含浸させることが望ましい。これは、乾燥に
よりタングステン膜表面が再酸化されることを抑止する
ためである。

【００２６】次に、レジストパターン170 を除去する。
続いて、金鍍金190 をマスクにしてタングステン膜160
及び窒化タングステン膜150 を順次除去する（図３参
照）。以上により、金鍍金を用いた事により電気抵抗が
低く、基板との間でショットキー接合を形成する耐熱性
金属と金鍍金との密着性に優れたゲート電極が完成す
る。また、この実施態様によれば、図７を用いて説明し
た従来技術における上層膜350bに相当する膜が不要にな
り、製造工程を簡略化することができる。

【００２７】次に、本発明の第２の実施態様を説明す
る。図４乃至６は本発明を低抵抗配線に適用した第２の
実施態様の半導体装置の製造工程を説明する断面図であ
る。

【００２８】まず、内部にトランジスタなどの回路素子
の不純物領域あるいは下層配線等（図示せず）が形成さ
れたＳｉ、ＳＯＩ（Semiconductor On Insulator) 、Ｇ
ａＡｓなどの基板200 上の所望の位置に一対の電極210
、220 を離間して形成する。この電極210 、220 は、
基板内部形成された特定の不純物領域、この不純物領域
と電気的に接続した引き出し電極、基板上に形成された
下層配線の特定のノード、このノードに接続したプラグ
等のうちの一種である。

【００２９】次に、基板200 全面に絶縁膜としてＳｉＯ
２膜230 がＣＶＤ法、熱酸化法等により形成される。次
に、ＳｉＯ２膜230 の電極210 、220 に対応する部分に
写真食刻法によりコンタクトホール240 、250 をそれぞ
れ開口する。このとき、コンタクトホール240 、250 は
前述した第１の実施態様における開口140 と同様に断面
がテーパ形状であることが望ましい（図４参照）。

【００３０】次に電極210 、220 の露出部を含むＳｉ０
２膜230 上全面に、ＳｉＯ２膜230との密着性が良い耐
熱性金属のタングステン膜260 をＣＶＤ法により1000オ
ングストロームの膜厚で形成する。このタングステン膜
260 は電極210 、220 間を接続する配線となるものであ
るが、半導体装置を高速に動作させるためには配線の電
気抵抗は小さいことが必要であるのに対し、タングステ
ンは十分に低い抵抗とは言い難い。そこで、タングステ
ン膜260 上に金を鍍金する必要があり、タングステン膜
260 をこの金鍍金の際の陰極として使用する。尚、本例
でも第１の実施態様と同様に陰極となるタングステン膜
260 の下地であるＳｉＯ２膜230 のコンタクトホール24
0 、250にテーパをつけているが、このテーパには陰極の
膜厚が部分的に薄くなるあるいは陰極が段切れすること
を防止し、陰極の抵抗が高くすることを防いで鍍金を均
一に高速に進める機能がある。

【００３１】続いて、配線の抵抗を下げるためにタング
ステン膜260 上に金を選択的に鍍金形成するが、この鍍
金工程の際の鍍金マスクとなるレジストパターン270 を
タングステン膜260 の上に形成する。レジストパターン
270 には配線形状の開口部280 が形成されている。

【００３２】次に、開口部280 によるタングステン膜26
0 の露出部に形成されたＷＯｘ（ｘ≧３）で表される自
然酸化膜を選択的に除去した。具体的には、自然酸化膜
が形成されたタングステン膜260 の表面を水素プラズマ
中に放置することにより自然酸化膜を還元させた。この
方法によれば、第１の実施態様における塩化水素水溶液
による除去と同様に、ＷＯｘ（ｘ≧３）がＷＯｙ（ｙ≦
２）と比較し選択的に除去することができる。また、自
然酸化膜が還元されることに加え、水素によって耐熱性
金属の表面が保護される事により耐熱性金属の再酸化を
抑制することができる。

【００３３】次に、基板を亜硫酸金系の鍍金液中に５〜
６分間含浸し、タングステン膜260に達するように開口
部280 近傍のレジストパターン270 に突き刺された図示
しない針状電極を介してタングステン膜260 と鍍金液中
の陽極の間に電源を接続することにより、開口部280 に
より露出したタングステン膜260 上に厚さ２マイクロメ
ートルの金290 を鍍金形成する（図４参照）。

【００３４】このとき、陽極と陰極との間に接続する電
源は第１の実施態様と同様の理由から定電圧源を使用す
ることが望ましい。また、自然酸化膜を還元させた後の
基板は直ちに鍍金液中に含浸させることが望ましい。こ
れは、第１の実施態様において水洗後に乾燥させないこ
とと同じ技術的意味を持つ。

【００３５】次に、レジストパターン270 を除去する。
続いて、金鍍金290 をマスクにして金鍍金290 直下以外
のタングステン膜260 を除去する（図６参照）。以上に
より、金鍍金を用いた事により電気抵抗が低く、耐熱性
金属と金鍍金との密着性に優れた金属配線が完成する。
また、この実施態様によっても図７を用いて説明した従
来技術における上層膜350bに相当する膜が不要になり、
製造工程を簡略化することができる。

【００３６】尚、絶縁性の耐熱性金属酸化物ＷＯｘ（ｘ
≧３）を導電性の耐熱性金属酸化物ＷＯｙ（ｙ≦２）に
対して選択的に除去する手段として、第１の実施態様で
は薬液（塩酸水溶液）処理を用いており、第２の実施態
様では還元反応を用いている。しかしながら本発明はこ
れに限定されるものではなく、導電性の耐熱性金属酸化
物に比較して絶縁性の耐熱性金属酸化物が時間的に早く
除去できる手段であれば良い。

【００３７】また、耐熱性金属としてタングステン及び
窒化タングステンを例示したが、本発明はこれに限るも
のではなく、チタン、タンタル、モリブデン等の高融点
金属あるいはこれらの酸化物または窒化物と置換しても
同様の効果が期待できる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば耐
熱性金属上に形成される酸化物のうち、金を鍍金する上
で有益な導電性の酸化物を残し、有害な絶縁性の酸化物
を選択に除去しているため、下地の耐熱性金属の上に金
を直接鍍金でき、耐熱性金属との密着性の優れた金鍍金
を備え、これにより高性能で高歩留まりの半導体装置及
びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施態様の半導体装置の製造
方法を説明するための工程別断面図。

【図２】 本発明の第１の実施態様の半導体装置の製造
方法を説明するための工程別断面図。

【図３】 本発明の第１の実施態様の半導体装置の製造
方法を説明するための工程別断面図。

【図４】 本発明の第２の実施態様の半導体装置の製造
方法を説明するための工程別断面図。

【図５】 本発明の第２の実施態様の半導体装置の製造
方法を説明するための工程別断面図。

【図６】 本発明の第２の実施態様の半導体装置の製造
方法を説明するための工程別断面図。

【図７】 従来の半導体装置を説明するための断面図。

【符号の説明】

１００、２００…基板 １１０、２３０…ＳｉＯ２膜 １２０…レジストパターン １５０…窒化タングステン膜 １６０、２６０…タングステン膜 １７０、２７０…鍍金マスク １９０、２９０…金鍍金 ２１０、２２０…電極

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、 この基板上に設けられた耐熱性金属膜と、 この耐熱性金属膜上に直接設けられた金鍍金膜とを有す
   る半導体装置。
2. 【請求項２】前記基板が半絶縁性基板であり、 前記耐熱性金属膜が、前記半絶縁性基板との間でショッ
   トキー接合を有する第１耐熱性金属膜と、この第１耐熱
   性金属膜上に設けられた第２耐熱性金属膜とを含み、 前記金鍍金膜は前記第２耐熱性金属膜上に直接設けられ
   ていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】基板と、 この基板上に形成された第１電極及びこの第１電極と離
   間して形成された第２電極と、 前記第１電極と第２電極の間の前記基板を被覆し、前記
   第１電極上に設けられた第１開口及び前記第２電極上に
   設けられた第２開口を有する絶縁膜と、 この絶縁膜上並びに前記第１及び第２開口を被覆する耐
   熱性金属膜と、 この耐熱性金属膜上に直接設けられた金鍍金膜とを有す
   る半導体装置。
4. 【請求項４】前記耐熱性金属膜が高融点金属もしくは高
   融点金属の窒化物または珪化物からなることを特徴とす
   る請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体装置。
5. 【請求項５】基板上に耐熱性金属膜を形成する工程と、 前記耐熱性金属膜の表面に形成された絶縁性の耐熱性金
   属酸化物を除去し、前記耐熱性金属膜表面に形成された
   導電性の耐熱性金属酸化物を残存させた後に前記耐熱性
   金属膜の表面に金を鍍金する工程とを有する半導体装置
   の製造方法。
6. 【請求項６】基板上に耐熱性金属膜を形成する工程と、 薬液処理により前記耐熱性金属膜の表面に形成された絶
   縁性の耐熱性金属酸化物を除去し、前記耐熱性金属膜表
   面に形成された導電性の耐熱性金属酸化物を残存させた
   後に前記基板を水洗する工程と、 水洗された前記基板を乾燥させることなく、前記耐熱性
   金属膜の表面に金を鍍金する工程とを有する半導体装置
   の製造方法。
7. 【請求項７】基板上にタングステン膜を形成する工程
   と、 薬液処理により前記タングステン膜の表面に形成された
   ＷＯｘ（ｘ≧３）で表される第１の酸化タングステンを
   除去し、前記タングステン膜の表面に形成されたＷＯｙ
   （ｙ≦２）で表される第２の酸化タングステンを残存さ
   せた後に前記基板を水洗する工程と、 水洗された前記基板を乾燥させることなく、前記耐熱性
   金属膜の表面に金を鍍金する工程とを有する半導体装置
   の製造方法。
8. 【請求項８】前記金の鍍金は陰極と陽極の間に定電圧源
   を接続して行うことを特徴とする請求項５乃至７のいず
   れか１項記載の半導体装置。