JP2011142316A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 透光性を有する基板の絶縁表面上に透光性を有するゲート電極と、
   前記ゲート電極上に第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に第１の電極、及び第２の電極と、
   前記酸化物半導体層と前記第１の電極の間、及び前記酸化物半導体層と前記第２の電極の間にそれぞれ透光性を有するバリア層と、
   前記酸化物半導体層に接する第２の絶縁層と、
   を有し、
   前記酸化物半導体層のキャリア濃度が、１×１０^１４／ｃｍ^３未満であり、
   前記第１の電極、及び前記第２の電極は透光性を有し、抵抗率が２０００×１０^−６Ω・ｃｍ以下である酸化物導電層を含み、
   前記バリア層が窒化物を含む半導体装置。
2. 前記第２の絶縁層に設けられた開口を介して、前記第１の電極、または前記第２の電極と電気的に接続された第１の配線を有する請求項１記載の半導体装置。
3. 前記第１の配線上に第３の絶縁層を有し、
   前記第３の絶縁層と前記第１の絶縁層が接する領域を有する請求項２記載の半導体装置。
4. 前記第１の配線上に第３の絶縁層を有し、
   前記第１の絶縁層は、第１の層と前記第１の層上の第２の層とを有し、
   前記第３の絶縁層は、前記第２の層の側面と接する領域を有し、
   前記第３の絶縁層は、前記第１の層の上面と接する領域を有する請求項２記載の半導体装置。
5. 透光性を有する基板の絶縁表面上に透光性を有するゲート電極と、
   前記ゲート電極上に第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上に第１の電極、及び第２の電極と、
   前記第１の酸化物半導体層と前記第１の電極の間、及び前記第１の酸化物半導体層と前記第２の電極の間にそれぞれ透光性を有するバリア層と、
   前記第１の酸化物半導体層に接する第２の絶縁層と、
   を有し、
   前記第１の酸化物半導体層のキャリア濃度が、１×１０ ^１４ ／ｃｍ ^３ 未満であり、
   前記第１の電極、及び前記第２の電極は透光性を有し、抵抗率が２０００×１０ ^−６ Ω・ｃｍ以下である酸化物導電層を含み、
   前記バリア層が窒化物を含み、
   前記第１の電極、または前記第２の電極と電気的に接続された第１の配線を有し、
   前記ゲート電極と電気的に接続された第２の配線を有し、
   前記第２の配線と前記第１の配線の交差部に、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び第２の酸化物半導体層を有する半導体装置。