JP2010062546A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層上にn型の導電型を有する第1のバッファ層と、
前記ドレイン電極層上にn型の導電型を有する第2のバッファ層と、
前記第1及び第2のバッファ層上に酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なり、且つ前記ゲート絶縁層に接する領域を有し、
前記第1及び第2のバッファ層のキャリア濃度は、前記酸化物半導体層のキャリア濃度より高く、
前記酸化物半導体層は、前記第1のバッファ層を介して前記ソース電極層と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記第2のバッファ層を介して前記ドレイン電極層と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1及び第2のバッファ層はn型を付与する不純物元素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は1×1017atoms/cm3未満であり、
前記第1及び第2のバッファ層のキャリア濃度は1×1018atoms/cm3以上であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層と前記第1のバッファ層の間に第3のバッファ層と、
前記酸化物半導体層と前記第2のバッファ層の間に第4のバッファ層とを有し、
前記第3のバッファ層のキャリア濃度は前記酸化物半導体層より高く、前記第1のバッファ層より低く、
前記第4のバッファ層のキャリア濃度は前記酸化物半導体層より高く、前記第2のバッファ層より低いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層はチタンを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記ドレイン電極層の側面と対向する前記ソース電極層の側面は、前記第1のバッファ層で覆われ、
前記ソース電極層の側面と対向する前記ドレイン電極層の側面は、第2のバッファ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第1及び第2のバッファ層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第1及び第2のバッファ層はマグネシウム、アルミニウム、又はチタンを含むことを特徴とする半導体装置。 - 基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にn型の導電型を有するバッファ層を形成し、
前記バッファ層上に酸化物半導体層を形成し、
前記バッファ層のキャリア濃度は、前記酸化物半導体層のキャリア濃度より高く、
前記酸化物半導体層は、前記バッファ層を介して前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10において、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なり、且つ前記ゲート絶縁層に接する領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10または請求項11において、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度は1×1017atoms/cm3未満とし、
前記バッファ層のキャリア濃度は1×1018atoms/cm3以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10乃至12のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10乃至13のいずれか一項において、
前記のバッファ層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10乃至14のいずれか一項において、
前記バッファ層にマグネシウム、アルミニウム、又はチタンを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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