JP2011119718A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 同一基板上に第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   基板上に第１の導電層と、
   前記第１の導電層上に第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に、表層部にナノ結晶を含む結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層の一部と重なる領域を有する第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層と、
   前記第１の酸化物半導体層の一部と接する領域を有する第２の絶縁層と、
   を有し、
   前記第２のトランジスタは、
   前記基板上に前記第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に、表層部にナノ結晶を含む結晶領域を有する第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層の一部と重なる領域を有する第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、
   前記第２の酸化物半導体層の一部と接する領域を有する前記第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に第２の導電層と、
   を有し、
   前記第１の導電層は、ゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第１の絶縁層は、ゲート絶縁層として機能する領域を有し、
   前記第２の導電層は、ゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第２の絶縁層は、ゲート絶縁層として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の表面に対し垂直方向にｃ軸配向をした結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第２の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層の表面に対し垂直方向にｃ軸配向をした結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体層と前記第２のソース電極層との間、及び前記第２の酸化物半導体層と前記第２のドレイン電極層との間に、それぞれ酸化物導電層を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１のトランジスタを有する画素部と、前記第２のトランジスタを有する駆動回路部と、を有することを特徴とする半導体装置。