JP2011090293A5

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Publication number: JP2011090293A5
Application number: JP2010211630A
Authority: JP
Filing date: 2010-09-22
Publication date: 2013-10-03
Anticipated expiration: 2030-09-22

Claims

同一基板上に、第１のトランジスタを含む駆動回路部と、第２のトランジスタを含む画素部とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極層と、前記第１のゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のドレイン電極層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極層と、前記第２のゲート電極層上の前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のソース電極層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のドレイン電極層と、を有し、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層上、前記第１及び前記第２のソース電極層上、及び前記第１及び前記第２のドレイン電極層上に、前記第１の酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を有し、
前記第２のソース電極層又は前記第２のドレイン電極層と電気的に接続された画素電極層を有し、
前記酸化物絶縁層上に、前記第１のゲート電極層及び前記第１の酸化物半導体層と重なる導電層を有し、
前記画素電極層上及び前記導電層上に、液晶層を有し、
前記液晶層上に対向電極層を有し、
前記駆動回路部において、前記対向電極層は開口を有することを特徴とする半導体装置。
請求項１において、
前記画素部において、前記対向電極層は平板状であることを特徴とする半導体装置。
請求項１又は２において、
前記駆動回路部において、前記対向電極層は、前記導電層と前記液晶層を介して重なることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記対向電極層は固定電位であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記開口を有する対向電極層の幅の方が前記導電層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記開口を有する対向電極層の幅の方が前記第１の酸化物半導体層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
同一基板上に、第１のトランジスタを含む駆動回路部と、第２のトランジスタを含む画素部とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極層と、前記第１のゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のソース電極層と、前記第１の酸化物半導体層上の第１のドレイン電極層と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極層と、前記第２のゲート電極層上の前記ゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のソース電極層と、前記第２の酸化物半導体層上の第２のドレイン電極層と、を有し、
前記第１及び前記第２の酸化物半導体層上、前記第１及び前記第２のソース電極層上、及び前記第１及び前記第２のドレイン電極層上に、前記酸化物半導体層の一部及び前記第２の酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を有し、
前記第２のソース電極層又は前記第２のドレイン電極層と電気的に接続された画素電極層を有し、
前記酸化物絶縁層上に、前記第１のゲート電極層及び前記第１の酸化物半導体層と重なる導電層を有し、
前記画素電極層上及び前記導電層上に、液晶層を有し、
前記画素部において、前記液晶層上に第１の対向電極層を有し、
前記駆動回路部において、前記液晶層上に前記第１の対向電極層と同電位の第２の対向電極層を有し、
前記第２の対向電極層は、開口を有することを特徴とする半導体装置。
請求項７において、
前記１の対向電極層は平板状であることを特徴とする半導体装置。
請求項７又は請求項８において、
前記第２の対向電極層は、前記導電層と前記液晶層を介して重なることを特徴とする半導体装置。
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記第１の対向電極層及び前記第２の対向電極層は固定電位であることを特徴とする半導体装置。
請求項７乃至１０のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記開口を有する対向電極層の幅の方が前記導電層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
請求項７乃至１０のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記第２の対向電極層の幅の方が前記第１の酸化物半導体層の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。