JP2004004526A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型で液晶の劣化の少ない高歩留まりの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】素子基板全体を透明有機絶縁膜で覆い、従来、シールエリアの外側にあったドライバー回路をシールエリアより内側で、且つ画素エリアとの間に配置することで、シールエリアを横切る配線の数を従来よりも少なくし、液晶を劣化させる水分の流入を抑制した。更に、ドライバー回路上部に有機絶縁膜を挟んでコモン電位に固定されないシールド電極を設けた。
【選択図】 図3
【解決手段】素子基板全体を透明有機絶縁膜で覆い、従来、シールエリアの外側にあったドライバー回路をシールエリアより内側で、且つ画素エリアとの間に配置することで、シールエリアを横切る配線の数を従来よりも少なくし、液晶を劣化させる水分の流入を抑制した。更に、ドライバー回路上部に有機絶縁膜を挟んでコモン電位に固定されないシールド電極を設けた。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の液晶表示装置の一例を図1を用いて説明する。
【0003】
この図は液晶表示装置の外観図である。
【0004】
ガラス、石英等の基板101上に画素エリア105を図1(a)のように配置し、この画素部の周辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回路103、104を配置している。対向基板102は、画素エリア105とドライバー回路103、104の間にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール材106により基板101に固定されている。また対向基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側のパッド107を通してコモン電位に固定されている。
【0005】
これは素子基板101と対向基板102の間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできるだけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはその周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによって液晶に電界をかけないためである。
【0006】
この図1のA−A’の部分での構造断面図を図1(b)に示した。基板101上に多結晶シリコン等による薄膜トランジスタ113が形成されている。薄膜トランジスタ、ソース配線、画素電極114は第2層間絶縁膜120に覆われてはいるが、画素電極114の上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極は最終的に終端部116でコンタクトホールを介して配線117に接続しており、配線117は対向基板端部より外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるドライバー回路103と接続している。
【0007】
対向基板102には透明電極111が全面に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材106により基板に固定されている。基板101、対向基板102をポリイミド等の配向膜112で覆っている。
【0008】
また図1のB−B’の部分での構造断面図を図1(c)に示した。基板101上の第1層間絶縁膜119の上層に配線306が形成されており、これらは更に酸化シリコン等の第2層間絶縁膜120で覆われているが、パッド107上は開孔してある。この上にポリイミド等の配向膜112を塗布してある。このパッド107はコモン電位になるように配線されているので、この部分に導電性接着剤118を塗布し、対向基板102を圧着すると対向基板の対向電極111はこれによりコモン電位となる。
【0009】
また図2はこの液晶表示装置の斜視図である。
【0010】
このようにシール205を横切る配線は最低でもゲート線とソース線の数だけある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の技術では、ドライバー回路は対向基板の外部に配置されているため、パネル組立時にドライバー回路を破損し歩留まりを下げてしまうことがあった。またドライバー回路がシールエリア外部に配置されているため装置全体が大型になってしまっていた。
【0012】
さらにドライバー回路がシールエリアより外部に配置されているため、シールエリアを横切る配線の数が画素数の2倍以上と多く、液晶を劣化させる水分等の流入の可能性があった。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明では第2層間絶縁膜に透明有機絶縁膜を用い、更にシールエリアの前記有機絶縁膜を剥離し、ドライバー回路は対向基板より内側でシールエリアと画素エリアの間に配置し、ドライバー回路上部に前記有機絶縁膜を挟んで、コモン電位に固定されない電極を設ける事を特徴とする。
【0014】
【実施例】
以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明する。
【0015】
図3の(a)は本発明による液晶表示装置の一例の正面外観図である。素子基板301上に対向基板302が紫外線硬化樹脂等のシール材303によって固定され、液晶が封入されている。ドライバー回路304はシールエリアより内側に配置され、斜線の電極305によって覆われている。四隅の電極306は対向基板の対向電極に電位を与えるための導通をとるためのもので、その電位は導電性接着剤等を用いて素子基板の外部接続端子307から与えられる電位に固定される。
【0016】
図3の(b)は画素エリアからシールエリアにかけての構造断面図である。基板301上に画素駆動用薄膜トランジスタ313が形成されている。シールエリアと画素エリアの中程にはトランジスタの集積回路からなるドライバー回路304が配置されており、これら素子基板の画素エリアからドライバー回路上部までをポリイミド等の透明有機絶縁膜319によって覆っている。この透明有機絶縁膜の上にITO314等の画素電極が形成されており、画素トランジスタのドレイン電極とコンタクトホール315を介して接続されている。またドライバー回路の上部の透明有機絶縁膜319の上に、ITO等の画素電極と同一の透明電極305がドライバー回路を覆うように形成されている。
【0017】
図3の(c)は画素エリアからシールエリアにかけての構造断面図である。
【0018】
対向基板302は、導電性接着剤320を通して透明有機絶縁膜上のITO等の電極306に接続され、更にこの電極はその下部にあるコモン電位を持つ電極に接続されて、コモン電位に固定される。
【0019】
なお上記有機絶縁膜319上のITO電極305はドライバー回路304及びその配線のもつ局所的静電界を緩和し、液晶への影響を少なくできる。この電極材料にクロム等遮光性のある導電膜を用いれば、ドライバー回路の消費電流の増加を防ぐことができる。
【0020】
この透明有機絶縁膜の膜厚は、この上に形成された画素電極314と信号線との容量結合を小さくするために1〜10μm程度が有効である。
【0021】
この場合の表示装置全体は図4の(a)に示したように従来の表示装置に比べドライバー回路がシールエリアより内側に配置されたためにドライバー回路の幅D1及びD2分だけ小型となっている。
【0022】
また図4の(b)にこの液晶表示装置の斜視図を示した。ドライバー回路404がシールエリア405より内側に配置されたためシールエリアを横切る配線の数は信号線、電源線等だけとなり、格段に少なくなっている。
【0023】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置の構造をとることにより以下に述べる効果がある。
【0024】
ドライバー回路を対向基板より内側に配置したことで装置全体が小型となり生産性が上がる。更にドライバー回路をシールエリアより内側に配置した事でシールエリア下部の凹凸が少なく封入された液晶への水分等の流入が減り、液晶の劣化を防ぐことができる。ドライバー上部に電極を設けたことにより、ドライバー回路部分からの電界の影響を軽減し、液晶の乱れの少ない表示が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術による液晶表示装置の構造を示す外観図。
【図2】従来の技術による液晶表示装置の構造を示す斜視図。
【図3】本発明による液晶表示装置の構造を示す断面図。
【図4】本発明による液晶表示装置の外観図及び斜視図。
【符号の説明】
101、201、301、401・・・素子基板
102、202、302、402・・・対向基板
113、207、313、407・・・画素駆動トランジスタ
116、316・・・画素駆動トランジスタのゲート電極、及びゲート配線
106、205、303、405・・・シールエリア
103、104、203、204、304、403、404・・・ドライバー回路
117、317・・・配線
105・・・画素エリア
114、314・・・画素電極
111、311・・・対向電極
305・・・ドライバー回路をシールドする電極
107、306・・・コモン電位を持つパッド
110、310・・・ブラックマトリックス
115、315・・・画素電極とのコンタクトホール
118、318・・・導電性接着剤
319・・・透明有機絶縁膜
112、312・・・配向膜
119・・・第1層間絶縁膜
120・・・第2層間絶縁膜
108、206、307、406・・・外部接続端子
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の液晶表示装置の一例を図1を用いて説明する。
【0003】
この図は液晶表示装置の外観図である。
【0004】
ガラス、石英等の基板101上に画素エリア105を図1(a)のように配置し、この画素部の周辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回路103、104を配置している。対向基板102は、画素エリア105とドライバー回路103、104の間にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール材106により基板101に固定されている。また対向基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側のパッド107を通してコモン電位に固定されている。
【0005】
これは素子基板101と対向基板102の間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできるだけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはその周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによって液晶に電界をかけないためである。
【0006】
この図1のA−A’の部分での構造断面図を図1(b)に示した。基板101上に多結晶シリコン等による薄膜トランジスタ113が形成されている。薄膜トランジスタ、ソース配線、画素電極114は第2層間絶縁膜120に覆われてはいるが、画素電極114の上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極は最終的に終端部116でコンタクトホールを介して配線117に接続しており、配線117は対向基板端部より外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるドライバー回路103と接続している。
【0007】
対向基板102には透明電極111が全面に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材106により基板に固定されている。基板101、対向基板102をポリイミド等の配向膜112で覆っている。
【0008】
また図1のB−B’の部分での構造断面図を図1(c)に示した。基板101上の第1層間絶縁膜119の上層に配線306が形成されており、これらは更に酸化シリコン等の第2層間絶縁膜120で覆われているが、パッド107上は開孔してある。この上にポリイミド等の配向膜112を塗布してある。このパッド107はコモン電位になるように配線されているので、この部分に導電性接着剤118を塗布し、対向基板102を圧着すると対向基板の対向電極111はこれによりコモン電位となる。
【0009】
また図2はこの液晶表示装置の斜視図である。
【0010】
このようにシール205を横切る配線は最低でもゲート線とソース線の数だけある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の技術では、ドライバー回路は対向基板の外部に配置されているため、パネル組立時にドライバー回路を破損し歩留まりを下げてしまうことがあった。またドライバー回路がシールエリア外部に配置されているため装置全体が大型になってしまっていた。
【0012】
さらにドライバー回路がシールエリアより外部に配置されているため、シールエリアを横切る配線の数が画素数の2倍以上と多く、液晶を劣化させる水分等の流入の可能性があった。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明では第2層間絶縁膜に透明有機絶縁膜を用い、更にシールエリアの前記有機絶縁膜を剥離し、ドライバー回路は対向基板より内側でシールエリアと画素エリアの間に配置し、ドライバー回路上部に前記有機絶縁膜を挟んで、コモン電位に固定されない電極を設ける事を特徴とする。
【0014】
【実施例】
以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明する。
【0015】
図3の(a)は本発明による液晶表示装置の一例の正面外観図である。素子基板301上に対向基板302が紫外線硬化樹脂等のシール材303によって固定され、液晶が封入されている。ドライバー回路304はシールエリアより内側に配置され、斜線の電極305によって覆われている。四隅の電極306は対向基板の対向電極に電位を与えるための導通をとるためのもので、その電位は導電性接着剤等を用いて素子基板の外部接続端子307から与えられる電位に固定される。
【0016】
図3の(b)は画素エリアからシールエリアにかけての構造断面図である。基板301上に画素駆動用薄膜トランジスタ313が形成されている。シールエリアと画素エリアの中程にはトランジスタの集積回路からなるドライバー回路304が配置されており、これら素子基板の画素エリアからドライバー回路上部までをポリイミド等の透明有機絶縁膜319によって覆っている。この透明有機絶縁膜の上にITO314等の画素電極が形成されており、画素トランジスタのドレイン電極とコンタクトホール315を介して接続されている。またドライバー回路の上部の透明有機絶縁膜319の上に、ITO等の画素電極と同一の透明電極305がドライバー回路を覆うように形成されている。
【0017】
図3の(c)は画素エリアからシールエリアにかけての構造断面図である。
【0018】
対向基板302は、導電性接着剤320を通して透明有機絶縁膜上のITO等の電極306に接続され、更にこの電極はその下部にあるコモン電位を持つ電極に接続されて、コモン電位に固定される。
【0019】
なお上記有機絶縁膜319上のITO電極305はドライバー回路304及びその配線のもつ局所的静電界を緩和し、液晶への影響を少なくできる。この電極材料にクロム等遮光性のある導電膜を用いれば、ドライバー回路の消費電流の増加を防ぐことができる。
【0020】
この透明有機絶縁膜の膜厚は、この上に形成された画素電極314と信号線との容量結合を小さくするために1〜10μm程度が有効である。
【0021】
この場合の表示装置全体は図4の(a)に示したように従来の表示装置に比べドライバー回路がシールエリアより内側に配置されたためにドライバー回路の幅D1及びD2分だけ小型となっている。
【0022】
また図4の(b)にこの液晶表示装置の斜視図を示した。ドライバー回路404がシールエリア405より内側に配置されたためシールエリアを横切る配線の数は信号線、電源線等だけとなり、格段に少なくなっている。
【0023】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置の構造をとることにより以下に述べる効果がある。
【0024】
ドライバー回路を対向基板より内側に配置したことで装置全体が小型となり生産性が上がる。更にドライバー回路をシールエリアより内側に配置した事でシールエリア下部の凹凸が少なく封入された液晶への水分等の流入が減り、液晶の劣化を防ぐことができる。ドライバー上部に電極を設けたことにより、ドライバー回路部分からの電界の影響を軽減し、液晶の乱れの少ない表示が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術による液晶表示装置の構造を示す外観図。
【図2】従来の技術による液晶表示装置の構造を示す斜視図。
【図3】本発明による液晶表示装置の構造を示す断面図。
【図4】本発明による液晶表示装置の外観図及び斜視図。
【符号の説明】
101、201、301、401・・・素子基板
102、202、302、402・・・対向基板
113、207、313、407・・・画素駆動トランジスタ
116、316・・・画素駆動トランジスタのゲート電極、及びゲート配線
106、205、303、405・・・シールエリア
103、104、203、204、304、403、404・・・ドライバー回路
117、317・・・配線
105・・・画素エリア
114、314・・・画素電極
111、311・・・対向電極
305・・・ドライバー回路をシールドする電極
107、306・・・コモン電位を持つパッド
110、310・・・ブラックマトリックス
115、315・・・画素電極とのコンタクトホール
118、318・・・導電性接着剤
319・・・透明有機絶縁膜
112、312・・・配向膜
119・・・第1層間絶縁膜
120・・・第2層間絶縁膜
108、206、307、406・・・外部接続端子
Claims (4)
- 一対の基板間のシール材の内側に液晶が挟持されてなり、
前記一対の基板の一方の基板の前記シール材内側にはトランジスタと、前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極と、前記トランジスタを駆動する複数の駆動回路と、前記各駆動回路を覆うように前記絶縁膜を介して配置された前記各駆動回路毎に独立した島状のコモン電位に固定されない遮光性導電膜とを具備することを特徴とする液晶表示装置。 - 前記一方の基板上の前記シール材に対向する領域には前記絶縁膜が配置されていないことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記一対の基板の他方の基板上には前記画素電極及び前記駆動回路に対向する領域に配置された共通電極を具備することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記絶縁膜は有機膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003011245A JP2004004526A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003011245A JP2004004526A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP7986893A Division JPH06289414A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003377308A Division JP2004110067A (ja) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | 液晶装置の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004004526A true JP2004004526A (ja) | 2004-01-08 |
Family
ID=30437857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003011245A Pending JP2004004526A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100451788C (zh) * | 2005-08-11 | 2009-01-14 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、布线基板及电子设备 |
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WO2011052382A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102902095A (zh) * | 2012-10-09 | 2013-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶装置及其制造方法 |
CN108319080A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-07-24 | 惠科股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示面板 |
US10890807B2 (en) | 2018-02-24 | 2021-01-12 | HKC Corporation Limited | Display substrate, manufacturing method of the display substrate, and display panel |
WO2022088078A1 (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
-
2003
- 2003-01-20 JP JP2003011245A patent/JP2004004526A/ja active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100451788C (zh) * | 2005-08-11 | 2009-01-14 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、布线基板及电子设备 |
US8592814B2 (en) * | 2009-09-24 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device with oxide semiconductor thin film transistor |
US20110068334A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8791458B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8988623B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011052382A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9488890B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11668988B2 (en) | 2009-10-30 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2720079A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-16 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
CN102902095A (zh) * | 2012-10-09 | 2013-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶装置及其制造方法 |
CN102902095B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶装置及其制造方法 |
US9316870B2 (en) | 2012-10-09 | 2016-04-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Liquid crystal display device and a manufacturing method thereof |
CN108319080A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-07-24 | 惠科股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示面板 |
US10890807B2 (en) | 2018-02-24 | 2021-01-12 | HKC Corporation Limited | Display substrate, manufacturing method of the display substrate, and display panel |
WO2022088078A1 (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
US11886084B2 (en) | 2020-10-30 | 2024-01-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel and display device |
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