JPH06289414A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06289414A JPH06289414A JP7986893A JP7986893A JPH06289414A JP H06289414 A JPH06289414 A JP H06289414A JP 7986893 A JP7986893 A JP 7986893A JP 7986893 A JP7986893 A JP 7986893A JP H06289414 A JPH06289414 A JP H06289414A
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- Japan
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- liquid crystal
- display device
- crystal display
- pixel
- driver circuit
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で液晶の劣化の少ない高歩留まりの液晶
表示装置を提供する。 【構成】 本発明は、素子基板全体を透明有機絶縁膜で
覆い、シールエリアより内側にドライバーを配置し、ド
ライバー上部に電極を設けることを特徴とする。
表示装置を提供する。 【構成】 本発明は、素子基板全体を透明有機絶縁膜で
覆い、シールエリアより内側にドライバーを配置し、ド
ライバー上部に電極を設けることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス型液晶表示装置に関する。
ス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の一例を図１を用い
て説明する。
て説明する。
【０００３】この図は液晶表示装置の外観図である。
【０００４】ガラス、石英等の基板１０１上に画素エリ
ア１０５を図１（ａ）のように配置し、この画素部の周
辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回
路１０３、１０４を配置している。対向基板１０２は、
画素エリア１０５とドライバー回路１０３、１０４の間
にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール
材１０６により基板１０１に固定されている。また対向
基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側の
パッド１０７を通してコモン電位に固定されている。
ア１０５を図１（ａ）のように配置し、この画素部の周
辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回
路１０３、１０４を配置している。対向基板１０２は、
画素エリア１０５とドライバー回路１０３、１０４の間
にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール
材１０６により基板１０１に固定されている。また対向
基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側の
パッド１０７を通してコモン電位に固定されている。
【０００５】これは素子基板１０１と対向基板１０２の
間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできる
だけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはそ
の周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによ
って液晶に電界をかけないためである。
間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできる
だけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはそ
の周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによ
って液晶に電界をかけないためである。
【０００６】この図１のＡ−Ａ’の部分での構造断面図
を図１（ｂ）に示した。基板１０１上に多結晶シリコン
等による薄膜トランジスタ１１３が形成されている。薄
膜トランジスタ、ソース配線、画素電極１１４は第２層
間絶縁膜１２０に覆われてはいるが、画素電極１１４の
上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極
は最終的に終端部１１６でコンタクトホールを介して配
線１１７に接続しており、配線１１７は対向基板端部よ
り外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるド
ライバー回路１０３と接続している。
を図１（ｂ）に示した。基板１０１上に多結晶シリコン
等による薄膜トランジスタ１１３が形成されている。薄
膜トランジスタ、ソース配線、画素電極１１４は第２層
間絶縁膜１２０に覆われてはいるが、画素電極１１４の
上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極
は最終的に終端部１１６でコンタクトホールを介して配
線１１７に接続しており、配線１１７は対向基板端部よ
り外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるド
ライバー回路１０３と接続している。
【０００７】対向基板１０２には透明電極１１１が全面
に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材１０６
により基板に固定されている。基板１０１、対向基板１
０２をポリイミド等の配向膜１１２で覆っている。
に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材１０６
により基板に固定されている。基板１０１、対向基板１
０２をポリイミド等の配向膜１１２で覆っている。
【０００８】また図１のＢ−Ｂ’の部分での構造断面図
を図１（ｃ）に示した。基板１０１上の第１層間絶縁膜
１１９の上層に配線３０６が形成されており、これらは
更に酸化シリコン等の第２層間絶縁膜１２０で覆われて
いるが、パッド１０７上は開孔してある。この上にポリ
イミド等の配向膜１１２を塗布してある。このパッド１
０７はコモン電位になるように配線されているので、こ
の部分に導電性接着剤１１８を塗布し、対向基板１０２
を圧着すると対向基板の対向電極１１１はこれによりコ
モン電位となる。
を図１（ｃ）に示した。基板１０１上の第１層間絶縁膜
１１９の上層に配線３０６が形成されており、これらは
更に酸化シリコン等の第２層間絶縁膜１２０で覆われて
いるが、パッド１０７上は開孔してある。この上にポリ
イミド等の配向膜１１２を塗布してある。このパッド１
０７はコモン電位になるように配線されているので、こ
の部分に導電性接着剤１１８を塗布し、対向基板１０２
を圧着すると対向基板の対向電極１１１はこれによりコ
モン電位となる。
【０００９】また図２はこの液晶表示装置の斜視図であ
る。
る。
【００１０】このようにシール２０５を横切る配線は最
低でもゲート線とソース線の数だけある。
低でもゲート線とソース線の数だけある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術では、ドライバー回路は対向基板の外部に配置されて
いるため、パネル組立時にドライバー回路を破損し歩留
まりを下げてしまうことがあった。またドライバー回路
がシールエリア外部に配置されているため装置全体が大
型になってしまっていた。
術では、ドライバー回路は対向基板の外部に配置されて
いるため、パネル組立時にドライバー回路を破損し歩留
まりを下げてしまうことがあった。またドライバー回路
がシールエリア外部に配置されているため装置全体が大
型になってしまっていた。
【００１２】さらにドライバー回路がシールエリアより
外部に配置されているため、シールエリアを横切る配線
の数が画素数の２倍以上と多く、液晶を劣化させる水分
等の流入の可能性があった。
外部に配置されているため、シールエリアを横切る配線
の数が画素数の２倍以上と多く、液晶を劣化させる水分
等の流入の可能性があった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明では第２層間絶縁
膜に透明有機絶縁膜を用い、更にシールエリアの前記有
機絶縁膜を剥離し、ドライバー回路は対向基板より内側
でシールエリアと画素エリアの間に配置し、ドライバー
回路上部に前記有機絶縁膜を挟んで、コモン電位に固定
されない電極を設ける事を特徴とする。
膜に透明有機絶縁膜を用い、更にシールエリアの前記有
機絶縁膜を剥離し、ドライバー回路は対向基板より内側
でシールエリアと画素エリアの間に配置し、ドライバー
回路上部に前記有機絶縁膜を挟んで、コモン電位に固定
されない電極を設ける事を特徴とする。
【００１４】
【実施例】以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
る。
【００１５】図３の（ａ）は本発明による液晶表示装置
の一例の正面外観図である。素子基板３０１上に対向基
板３０２が紫外線硬化樹脂等のシール材３０３によって
固定され、液晶が封入されている。ドライバー回路３０
４はシールエリアより内側に配置され、斜線の電極３０
５によって覆われている。四隅の電極３０６は対向基板
の対向電極に電位を与えるための導通をとるためのもの
で、その電位は導電性接着剤等を用いて素子基板の外部
接続端子３０７から与えられる電位に固定される。
の一例の正面外観図である。素子基板３０１上に対向基
板３０２が紫外線硬化樹脂等のシール材３０３によって
固定され、液晶が封入されている。ドライバー回路３０
４はシールエリアより内側に配置され、斜線の電極３０
５によって覆われている。四隅の電極３０６は対向基板
の対向電極に電位を与えるための導通をとるためのもの
で、その電位は導電性接着剤等を用いて素子基板の外部
接続端子３０７から与えられる電位に固定される。
【００１６】図３の（ｂ）は画素エリアからシールエリ
アにかけての構造断面図である。基板３０１上に画素駆
動用薄膜トランジスタ３１３が形成されている。シール
エリアと画素エリアの中程にはトランジスタの集積回路
からなるドライバー回路３０４が配置されており、これ
ら素子基板の画素エリアからドライバー回路上部までを
ポリイミド等の透明有機絶縁膜３１９によって覆ってい
る。この透明有機絶縁膜の上にＩＴＯ３１４等の画素電
極が形成されており、画素トランジスタのドレイン電極
とコンタクトホール３１５を介して接続されている。ま
たドライバー回路の上部の透明有機絶縁膜３１９の上
に、ＩＴＯ等の画素電極と同一の透明電極３０５がドラ
イバー回路を覆うように形成されている。
アにかけての構造断面図である。基板３０１上に画素駆
動用薄膜トランジスタ３１３が形成されている。シール
エリアと画素エリアの中程にはトランジスタの集積回路
からなるドライバー回路３０４が配置されており、これ
ら素子基板の画素エリアからドライバー回路上部までを
ポリイミド等の透明有機絶縁膜３１９によって覆ってい
る。この透明有機絶縁膜の上にＩＴＯ３１４等の画素電
極が形成されており、画素トランジスタのドレイン電極
とコンタクトホール３１５を介して接続されている。ま
たドライバー回路の上部の透明有機絶縁膜３１９の上
に、ＩＴＯ等の画素電極と同一の透明電極３０５がドラ
イバー回路を覆うように形成されている。
【００１７】図３の（ｃ）は画素エリアからシールエリ
アにかけての構造断面図である。
アにかけての構造断面図である。
【００１８】対向基板３０２は、導電性接着剤３２０を
通して透明有機絶縁膜上のＩＴＯ等の電極３０６に接続
され、更にこの電極はその下部にあるコモン電位を持つ
電極に接続されて、コモン電位に固定される。
通して透明有機絶縁膜上のＩＴＯ等の電極３０６に接続
され、更にこの電極はその下部にあるコモン電位を持つ
電極に接続されて、コモン電位に固定される。
【００１９】なお上記有機絶縁膜３１９上のＩＴＯ電極
３０５はドライバー回路３０４及びその配線のもつ局所
的静電界を緩和し、液晶への影響を少なくできる。この
電極材料にクロム等遮光性のある導電膜を用いれば、ド
ライバー回路の消費電流の増加を防ぐことができる。
３０５はドライバー回路３０４及びその配線のもつ局所
的静電界を緩和し、液晶への影響を少なくできる。この
電極材料にクロム等遮光性のある導電膜を用いれば、ド
ライバー回路の消費電流の増加を防ぐことができる。
【００２０】この透明有機絶縁膜の膜厚は、この上に形
成された画素電極３１４と信号線との容量結合を小さく
するために１〜１０μｍ程度が有効である。
成された画素電極３１４と信号線との容量結合を小さく
するために１〜１０μｍ程度が有効である。
【００２１】この場合の表示装置全体は図４の（ａ）に
示したように従来の表示装置に比べドライバー回路がシ
ールエリアより内側に配置されたためにドライバー回路
の幅Ｄ１及びＤ２分だけ小型となっている。
示したように従来の表示装置に比べドライバー回路がシ
ールエリアより内側に配置されたためにドライバー回路
の幅Ｄ１及びＤ２分だけ小型となっている。
【００２２】また図４の（ｂ）にこの液晶表示装置の斜
視図を示した。ドライバー回路４０４がシールエリア４
０５より内側に配置されたためシールエリアを横切る配
線の数は信号線、電源線等だけとなり、格段に少なくな
っている。
視図を示した。ドライバー回路４０４がシールエリア４
０５より内側に配置されたためシールエリアを横切る配
線の数は信号線、電源線等だけとなり、格段に少なくな
っている。
【００２３】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の構造をとること
により以下に述べる効果がある。
により以下に述べる効果がある。
【００２４】ドライバー回路を対向基板より内側に配置
したことで装置全体が小型となり生産性が上がる。更に
ドライバー回路をシールエリアより内側に配置した事で
シールエリア下部の凹凸が少なく封入された液晶への水
分等の流入が減り、液晶の劣化を防ぐことができる。ド
ライバー上部に電極を設けたことにより、ドライバー回
路部分からの電界の影響を軽減し、液晶の乱れの少ない
表示が得られる。
したことで装置全体が小型となり生産性が上がる。更に
ドライバー回路をシールエリアより内側に配置した事で
シールエリア下部の凹凸が少なく封入された液晶への水
分等の流入が減り、液晶の劣化を防ぐことができる。ド
ライバー上部に電極を設けたことにより、ドライバー回
路部分からの電界の影響を軽減し、液晶の乱れの少ない
表示が得られる。
【図１】 従来の技術による液晶表示装置の構造を示す
外観図。
外観図。
【図２】 従来の技術による液晶表示装置の構造を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】 本発明による液晶表示装置の構造を示す断面
図。
図。
【図４】 本発明による液晶表示装置の外観図及び斜視
図。
図。
１０１、２０１、３０１、４０１・・・素子基板 １０２、２０２、３０２、４０２・・・対向基板 １１３、２０７、３１３、４０７・・・画素駆動トラン
ジスタ １１６、３１６・・・画素駆動トランジスタのゲート電
極、及びゲート配線 １０６、２０５、３０３、４０５・・・シールエリア １０３、１０４、２０３、２０４、３０４、４０３、４
０４・・・ドライバー回路 １１７、３１７・・・配線 １０５・・・画素エリア １１４、３１４・・・画素電極 １１１、３１１・・・対向電極 ３０５・・・ドライバー回路をシールドする電極 １０７、３０６・・・コモン電位を持つパッド １１０、３１０・・・ブラックマトリックス １１５、３１５・・・画素電極とのコンタクトホール １１８、３１８・・・導電性接着剤 ３１９・・・透明有機絶縁膜 １１２、３１２・・・配向膜 １１９・・・第１層間絶縁膜 １２０・・・第２層間絶縁膜 １０８、２０６、３０７、４０６・・・外部接続端子
ジスタ １１６、３１６・・・画素駆動トランジスタのゲート電
極、及びゲート配線 １０６、２０５、３０３、４０５・・・シールエリア １０３、１０４、２０３、２０４、３０４、４０３、４
０４・・・ドライバー回路 １１７、３１７・・・配線 １０５・・・画素エリア １１４、３１４・・・画素電極 １１１、３１１・・・対向電極 ３０５・・・ドライバー回路をシールドする電極 １０７、３０６・・・コモン電位を持つパッド １１０、３１０・・・ブラックマトリックス １１５、３１５・・・画素電極とのコンタクトホール １１８、３１８・・・導電性接着剤 ３１９・・・透明有機絶縁膜 １１２、３１２・・・配向膜 １１９・・・第１層間絶縁膜 １２０・・・第２層間絶縁膜 １０８、２０６、３０７、４０６・・・外部接続端子
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶表示装置の素子基板において、画素
駆動用薄膜トランジスタが有機膜に覆われており、画素
電極が前記有機膜上に形成されることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 少なくともシールエリア下部の前記有機
膜が剥離されていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項３】 ドライバー回路を画素エリアの外周でシ
ールエリアより内側に配置したことを特徴とする請求項
２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 ドライバー回路上部に前記画素電極と同
層に電極を有することを特徴とする請求項３に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 ドライバー回路上部で画素電極と同層の
電極の電位はコモン電位に固定していない事を特徴とす
る請求項４に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7986893A JPH06289414A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7986893A JPH06289414A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003011245A Division JP2004004526A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06289414A true JPH06289414A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13702194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7986893A Pending JPH06289414A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06289414A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09311348A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6268898B1 (en) | 1998-09-07 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| JP2003035909A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 平面表示素子および平面表示素子の製造方法 |
| US6982768B2 (en) | 1996-02-20 | 2006-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7023518B1 (en) | 1995-12-19 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same |
| US7046312B2 (en) | 1995-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| US7098985B2 (en) | 2002-09-12 | 2006-08-29 | Seiko Epson Corporation | Multilayer external connection structure having third layer covering sidewalls of the first and second, made of reflective conductive material |
| JP2006227053A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
| JP2008122959A (ja) * | 2007-11-06 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス基板とその製造方法及び液晶装置 |
| JP2011100148A (ja) * | 2010-12-27 | 2011-05-19 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置、電子機器 |
-
1993
- 1993-04-06 JP JP7986893A patent/JPH06289414A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023518B1 (en) | 1995-12-19 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same |
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| US6982768B2 (en) | 1996-02-20 | 2006-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JPH09311348A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法 |
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| JP2003035909A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 平面表示素子および平面表示素子の製造方法 |
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| JP2008122959A (ja) * | 2007-11-06 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス基板とその製造方法及び液晶装置 |
| JP2011100148A (ja) * | 2010-12-27 | 2011-05-19 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置、電子機器 |
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