WO2017024708A1 - 显示基板及其制作方法、显示器件 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示器件 Download PDF

Info

Publication number
WO2017024708A1
WO2017024708A1 PCT/CN2015/097010 CN2015097010W WO2017024708A1 WO 2017024708 A1 WO2017024708 A1 WO 2017024708A1 CN 2015097010 W CN2015097010 W CN 2015097010W WO 2017024708 A1 WO2017024708 A1 WO 2017024708A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
light
display
display area
pattern
Prior art date
Application number
PCT/CN2015/097010
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
汪锐
尚飞
金在光
雷嗣军
李少茹
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
重庆京东方光电科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司, 重庆京东方光电科技有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Priority to US15/521,905 priority Critical patent/US10203541B2/en
Publication of WO2017024708A1 publication Critical patent/WO2017024708A1/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Abstract

提供了一种显示基板（10）及其制作方法、显示器件。显示基板（10）包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，其中，显示基板（10）的非显示区域包括遮光图形（2），使得整个非显示区域不透光，从而能够解决显示器件的边框存在漏光的问题。

Description

显示基板及其制作方法、显示器件
相关申请的交叉引用
本申请主张在2015年8月7日在中国提交的中国专利申请No.201510483812.0的优先权，其全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示器件。
背景技术
由于液晶本身不发光，在液晶显示器、液晶电视等各种液晶显示设备(Liquid Crystal Display，以下简称“LCD”)中，都需要依靠外部背光源来实现显示。如图1所示，液晶显示模组包括背光模组和显示面板，其中显示面板包括对盒设置的阵列基板10′和彩膜基板20，并通过封框胶30密封，在阵列基板10′和彩膜基板20之间形成填充液晶的空间。彩膜基板20包括黑矩阵21，用于限定多个亚像素区域，其中的每个亚像素区域内设置有彩膜树脂层，用于实现彩色显示。所述背光模组包括背光源组件(图中未示出)、胶框40和光学膜材60(包括增亮膜、扩散膜等)，显示面板放置在胶框40上，背光源组件发出的光经过光学膜材40的调整后，提供给显示面板，用于显示。并且，通过前框50固定组装显示面板和背光模组。
相关技术中，液晶显示设备的边框普遍存在狭缝漏光问题，客户对此抱怨严重，成为亟待解决的技术问题。其中，液晶显示设备的边框一般对应于前框50位于显示面板显示画面侧的部分。
发明内容
本公开提供一种显示基板及其制作方法、显示器件，用以解决显示器件的边框存在狭缝漏光的技术问题。
为解决上述技术问题，本公开至少一个实施例中提供一种显示基板，包 括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，其中，在基底上形成有位于非显示区域的遮光图形，使得整个所述非显示区域不透光。
本公开至少一个实施例中还提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述制作方法包括：
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形，使得整个所述非显示区域不透光。
本公开至少一个实施例中还提供一种显示器件，采用如上所述的显示基板。
本公开的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，显示基板的非显示区域包括遮光图形，使得整个所述非显示区域不透光，从而光线不能过显示基板的非显示区域射出，因此能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本公开至少一个实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示相关技术中液晶显示器件的局部结构示意图；
图2表示相关技术中薄膜晶体管阵列基板的扇形区域的局部结构示意图；
图3表示图2沿A-A的剖视图；
图4表示本公开至少一个实施例中液晶显示器件的局部结构示意图；
图5表示本公开至少一个实施例中薄膜晶体管阵列基板的扇形区域的局部结构示意图；
图6表示图5沿A-A的剖视图；以及
图7表示本公开至少一个实施例中液晶显示面板对应于显示器件的边框位置的局部结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本公开的具体实施方式做进一步描述。以下实施例仅用于说明本公开，但不用来限制本公开的范围。
为使本公开的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开的实施例的附图，对本公开的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开文本保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
下面将结合本公开的实施例中的附图，对本公开的实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开文本保护的范围。
为了解决液晶显示器件的边框存在狭缝漏光的问题，发明人对造成该技术问题的原因进行了分析，发现狭缝漏光的位置与阵列基板上对应边框处的布线位置一致。结合图1-图3所示(图中的箭头方向表示光线的传播方向)，阵列基板10′上对应边框处设置有间隔分布的遮光走线1，背光源发出的光线能够经过遮光走线1之间所在的区域射出，光透过率高达73％左右。由于黑矩阵21的边缘与彩膜基板20的边缘存在缝隙，而封框胶30也具有较强的光散射作用，使得经过遮光走线1之间所在的区域透出的光线能够经过前框50和显示面板之间的缝隙射出，导致显示器件的边框存在狭缝漏光。
基于上述分析，为了解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题，本公开提供一种显示基板，所述显示面板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，其中，显示基板的非显示区域包括设置在基底上的遮光图形，使得显示基板的整个非显示区域不透光，从而光线不能透过显示基板的非显示区域射出，因此能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
本公开的技术方案不仅适用于液晶显示器件，还适合其他因为非显示区域透光导致边框存在狭缝漏光问题的显示器件。
下面将结合附图和实施例，对本公开的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本公开，但不用来限制本公开的范围。
本公开至少一个实施例中以液晶显示器件为例来具体介绍本公开的技术方案。
图4所示为本公开至少一个实施例中液晶显示器件的局部结构示意图，图7所示为本公开至少一个实施例中液晶显示面板对应于显示器件的边框位置的局部结构示意图。
结合图4和图7所示，本公开至少一个实施例中的显示基板10包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述非显示区域对应于显示器件的边框位置。
显示基板10的非显示区域包括设置在基底100上的多条遮光走线1，用于为显示区域提供显示所需的信号。对应于相邻两个遮光走线1之间所在的区域设置有遮光图形2，遮光图形2与遮光走线1配合，用以保证显示基板10的整个非显示区域不透光，从而光线不能透过显示基板10的非显示区域射出，因此能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
具体地，如图4所示(图中的箭头方向表示光线的传播方向)，对于液晶显示器件，当没有光线透过显示基板10的非显示区域时，彩膜基板20的边缘与其上黑矩阵21的边缘之间的缝隙没有光线射出，也没有光线被封框胶30散射射出，从而前框50与显示面板之间的缝隙就没有光线透出，因此解决了液晶显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
图5所示为本公开至少一个实施例中薄膜晶体管阵列基板的扇形区域的局部结构示意图，图6所示为图5沿A-A的剖视图
结合图5和图6所示，在一个可选的实施方式中，遮光走线1包括相邻的第一遮光走线11和第二遮光走线12，在对应于第一遮光走线11和第二遮光走线12之间所在的区域设置有遮光图形2，遮光图形2与第一遮光走线11、第二遮光走线12在基底100上的投影仅部分交叠，以形成第一区域200。当遮光图形2由导电材料制成时，通过将第一区域200的面积控制在很小范围内，能够减小遮光走线1充电时的负载，降低遮光图形2与遮光走线1互相串扰的风险。另外，随着显示器件的边框越来越窄，遮光图形2的长度(与边框的宽度延伸方向一致)较小，增加的负载很小，与遮光走线1互相串扰的风险也很低。当遮光图形2位于遮光走线1上时，遮光图形2的设置还能够改善遮光走线1被划伤的问题。
其中，第一区域200具体可以为条状结构，如图5所示。每一条状结构的宽度为1.5um-4um。实际制作过程中，受工艺影响，每一条状结构的宽度大于2um。但是，第一区域200的形状并非局限于条状结构，只需与遮光走线1的形状配合，保证显示基板10的整个非显示区域不透光即可。
对于遮光图形2，其也可以由不导电材料制成，此时，可以设置遮光图形2覆盖显示基板10的整个非显示区域，以使得显示基板10的整个非显示区域不透光，从而解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
当然，当遮光图形2由不导电材料制成时，也可以设置遮光图形2与遮光走线1在基底100上的投影仅部分交叠，以形成第一区域200。
薄膜晶体管液晶显示器件(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的显示面板包括对盒设置的薄膜晶体管阵列基板10和彩膜基板20，薄膜晶体管阵列基板10包括横纵交叉分布的多条栅线和多条数据线，在显示区域限定出多个像素区域，其中的每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，通过栅线逐行打开每行的薄膜晶体管，数据线上传输的像素电压通过薄膜晶体管传输至像素电极，用于形成驱动液晶分子偏转的电场，以实现显示。
当本公开至少一个实施例中的显示基板为TFT-LCD的薄膜晶体管阵列基板10时，阵列基板10的非显示区域的遮光走线1包括栅扫描线和数据驱 动线，在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形，和/或，在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有遮光图形。其中，栅扫描线用于为栅线提供栅扫描信号，数据线用于为数据线提供所需的像素电压。所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边。
可选地，遮光图形2与薄膜晶体管阵列基板10的某一信号线通过对同一膜层的构图工艺同时形成，即遮光图形2与薄膜晶体管阵列基板10的某一信号线为同层同材料设置，从而不需要增加制作遮光图形2的材料和工艺，以降低生产成本。
在至少一个具体的实施方式中，对于薄膜晶体管阵列基板10，仅对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有遮光图形2，遮光图形2与数据驱动线、数据线为同层同材料设置。具体地，在基底100上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，以形成包括遮光图形2、数据驱动线和数据线的图形。所述源漏金属层的材料为Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，所述源漏金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。
在至少一个具体的实施方式中，对于薄膜晶体管阵列基板10，仅对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有遮光图形2，遮光图形2与栅扫描线、栅线为同层同材料设置。具体地，在基底100上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，以形成包括遮光图形2、栅扫描线和栅线的图形。所述栅金属层的材料为Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，所述栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。
本公开至少一个实施例中也可以在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置遮光图形2。可选地，对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置的遮光图形2与数据驱动线、数据线为同层同材料设置，对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置的遮光图形2与栅扫描线、栅线为同层同材料设置，从而不需要增加制作遮光图形2的材料和工艺，以降低生产成本。
当本公开至少一个实施例中的遮光走线1为薄膜晶体管阵列基板10的栅 扫描线(或数据驱动线)，对应于相邻两个栅扫描线1(或数据驱动线)之间所在的区域设置有遮光图形2时，作为一个可选的方式，设置遮光图形2与栅扫描线1(或数据驱动线)在基底100上的投影仅部分交叠，以形成第一区域200。当遮光图形2由导电材料(具体为栅金属或源漏金属)制成时，控制第一区域200的面积在很小范围内，以减小栅扫描线1(或数据驱动线)充电时的负载，降低遮光图形2与栅扫描线1(或数据驱动线)互相串扰的风险。另外，随着显示器件的边框越来越窄，遮光图形2的长度(与边框的宽度延伸方向一致)较小，增加的负载很小，与栅扫描线(或数据驱动线)互相串扰的风险也很低。当遮光图形2位于栅扫描线1上时，遮光图形2的设置还能够改善栅扫描线或(数据驱动线)被划伤的问题。
结合图5和图6所示，本公开至少一个实施例中的薄膜晶体管阵列基板具体包括：
基底100，如：玻璃基板、石英基板、有机树脂基板等透明基板；
设置在基底100上的栅线、栅扫描线1和薄膜晶体管的栅电极，栅线、栅扫描线1和薄膜晶体管的栅电极为同层同材料设置，栅线和薄膜晶体管的栅电极为一体结构；
覆盖栅线、栅扫描线1和薄膜晶体管的栅电极的栅绝缘层101，栅绝缘层101的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层101的材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x；
设置在栅绝缘层101上的有源层，所述有源层的材料为硅半导体或金属氧化物半导体；
设置在基底100上的数据线、数据驱动线(图中未示出)和薄膜晶体管的源电极、漏电极，数据线、数据驱动线(图中未示出)和薄膜晶体管的源电极、漏电极为同层同材料设置，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层的相对两侧，所述数据线与薄膜晶体管的源电极为一体结构；
覆盖薄膜晶体管的钝化层102，钝化层102中具有过孔，露出薄膜晶体管的漏电极。钝化层102的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体地，钝化层102的材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x；以及
设置在钝化层102上的像素电极，通过钝化层102中的过孔与薄膜晶体管的漏电极电性连接。
相应地，本公开至少一个实施例中还提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述制作方法包括：
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形，使得整个所述非显示区域不透光。
上述技术方案中，由于形成了所述遮光图形，使得显示基板的整个非显示区域不透光，从而光线不能透过显示基板的非显示区域射出，因此能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
当显示基板的非显示区域包括多条遮光走线时，所述制作方法还包括：
在基底上形成位于非显示区域的多条遮光走线，用于为显示区域提供显示所需的信号。
由于所述遮光走线本身具有遮光作用，因此在基底上形成遮光图形的步骤具体可以为：
在对应于至少部分所述遮光走线之间所在的区域形成所述遮光图形。
通过上述步骤形成的遮光图形与所述遮光走线配合，使得显示基板的整个非显示区域不透光。
对于薄膜晶体管阵列基板，所述遮光走线具体包括栅扫描线和数据驱动线，所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边。则在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤具体可以为：
在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域形成所述遮光图形，和/或，在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域形成所述遮光图形。
其中，所述遮光图形可以由导电材料或不导电材料制成。
当所述遮光图形由导电材料时，可选地，所述遮光图形与显示基板的某一信号线通过对同一膜层的构图工艺同时形成，即所述遮光图形与显示基板的某一信号线为同层同材料设置，从而不需要增加制作所述遮光图形的材料和工艺，以降低生产成本。
在至少一个具体的实施方式中，对于薄膜晶体管阵列基板，仅对应于相 邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形，则所述制作方法具体包括：
在所述基底上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，以形成包括所述遮光图形与数据驱动线的图形。
在至少一个具体的实施方式中，仅对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形，则所述制作方法包括：
在所述基底上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，以形成包括所述遮光图形与栅扫描线的图形。
当然，也可以在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置所述遮光图形，则所述制作方法包括：
在所述基底上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，以形成包括所述遮光图形与数据驱动线的图形；
在所述基底上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，以形成包括所述遮光图形与栅扫描线的图形。
本公开至少一个实施例中还提供一种显示器件，采用上述的显示基板，用以解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
如图7所示，所述显示器件具体可以为薄膜晶体管液晶显示器件，并且包括彩膜基板20。显示基板10为薄膜晶体管阵列基板，彩膜基板20与阵列基板10对盒设置，彩膜基板20包括黑矩阵21。其中，黑矩阵21在阵列基板10上的投影与阵列基板10的非显示区域的遮光图形2部分交叠，部分交叠既可保证非显示区域不透光，又能节约遮光图形的材料，同时保证黑矩阵20的边缘与彩膜基板20的边缘之间的缝隙不透光，因此解决了显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
以上所述仅是本公开的可选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本公开的保护范围。

Claims (19)

  1. 一种显示基板，包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，其中，在基底上形成有位于非显示区域的遮光图形，使得整个所述非显示区域不透光。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述非显示区域还包括设置在所述基底上的多条遮光走线，用于为显示区域提供显示所需的信号；在对应于相邻两个遮光走线之间所在的区域设置有所述遮光图形。
  3. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述遮光走线包括相邻的第一遮光走线和第二遮光走线，在对应于所述第一遮光走线和第二遮光走线之间所在的区域设置有所述遮光图形，所述遮光图形与所述第一遮光走线、第二遮光走线在所述基底上的投影仅部分交叠，以形成第一区域。
  4. 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第一区域为条状结构，其中的每一条状结构的宽度为1.5um-4um。
  5. 根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述遮光走线包括栅扫描线和数据驱动线，在对应于所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形，和/或，在对应于所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形。
  6. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边；以及
    当仅在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形时，所述遮光图形与数据驱动线为同层同材料设置。
  7. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述栅扫描线和数据驱动线 位于所述阵列基板的相邻两侧边；以及
    当仅在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形时，所述遮光图形与栅扫描线为同层同材料设置。
  8. 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边；
    当在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置有所述遮光图形时，在对应于所述栅扫描线之间所在的区域设置的遮光图形与数据驱动线为同层同材料设置，并且在对应于所述数据驱动线之间所在的区域设置的遮光图形与栅扫描线为同层同材料设置。
  9. 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述遮光图形覆盖所述显示基板的整个非显示区域。
  10. 根据权利要求1-9中任一项所述的显示基板，其中，所述遮光图形由导电材料或不导电材料制成。
  11. 一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域，所述制作方法包括：
    在基底上形成位于非显示区域的遮光图形，使得整个所述非显示区域不透光。
  12. 根据权利要求11所述的制作方法，还包括：
    在基底上形成位于非显示区域的多条遮光走线，用于为显示区域提供显示所需的信号；以及
    在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤包括：
    在对应于相邻两个所述遮光走线之间所在的区域形成所述遮光图形。
  13. 根据权利要求12所述的制作方法，其中，所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述遮光走线包括栅扫描线和数据驱动线；
    在基底上形成位于非显示区域的多条遮光走线的步骤包括：
    在基底上形成位于非显示区域的栅扫描线和数据驱动线；以及
    在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤包括：
    在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域形成所述遮光图形，和/或，在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域形成所述遮光图形。
  14. 根据权利要求13所述的制作方法，其中，所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边；以及
    当仅在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形时，所述制作方法包括：
    在所述基底上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，以形成包括所述遮光图形与数据驱动线的图形。
  15. 根据权利要求13所述的制作方法，其中，所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边；以及
    当仅在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形时，所述制作方法包括：
    在所述基底上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，以形成包括所述遮光图形与栅扫描线的图形。
  16. 根据权利要求13所述的制作方法，其中，所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边；
    当在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置有所述遮光图形时，所述制作方法包括：
    在所述基底上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，以形成包括在对应于所述栅扫描线之间所在的区域设置的遮光图形与数据驱动线 的图形；以及
    在所述基底上形成栅金属层，对所述栅金属层进行构图工艺，以形成包括在对应于所述数据驱动线之间所在的区域设置的遮光图形与栅扫描线的图形。
  17. 根据权利要求11所述的制作方法，其中，在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤包括：
    形成覆盖所述显示基板的整个非显示区域的遮光图形。
  18. 一种显示器件，采用权利要求1-10任一项所述的显示基板。
  19. 根据权利要求18所述的显示器件，其中，所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述显示器件还包括彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述黑矩阵在所述阵列基板上的投影与所述阵列基板的非显示区域的遮光图形部分交叠。
PCT/CN2015/097010 2015-08-07 2015-12-10 显示基板及其制作方法、显示器件 WO2017024708A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/521,905 US10203541B2 (en) 2015-08-07 2015-12-10 Display substrate and method for manufacturing the same, and display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510483812.0A CN105093744A (zh) 2015-08-07 2015-08-07 显示基板及其制作方法、显示器件
CN201510483812.0 2015-08-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017024708A1 true WO2017024708A1 (zh) 2017-02-16

Family

ID=54574506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2015/097010 WO2017024708A1 (zh) 2015-08-07 2015-12-10 显示基板及其制作方法、显示器件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10203541B2 (zh)
CN (1) CN105093744A (zh)
WO (1) WO2017024708A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093744A (zh) 2015-08-07 2015-11-25 重庆京东方光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示器件
CN105652543A (zh) * 2016-03-31 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示器件
CN106992166A (zh) * 2016-11-11 2017-07-28 福州京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
TWI644151B (zh) * 2018-01-04 2018-12-11 友達光電股份有限公司 陣列基板
CN111308814A (zh) * 2020-04-02 2020-06-19 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268895B1 (en) * 1995-10-27 2001-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
TW200512513A (en) * 2003-09-24 2005-04-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal display device and the fabricating method thereof
CN1763948A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 中华映管股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN103424925A (zh) * 2013-08-14 2013-12-04 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105093744A (zh) * 2015-08-07 2015-11-25 重庆京东方光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示器件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7439565B2 (en) * 2006-06-08 2008-10-21 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Active devices array substrate and repairing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268895B1 (en) * 1995-10-27 2001-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
TW200512513A (en) * 2003-09-24 2005-04-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal display device and the fabricating method thereof
CN1763948A (zh) * 2004-10-22 2006-04-26 中华映管股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN103424925A (zh) * 2013-08-14 2013-12-04 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105093744A (zh) * 2015-08-07 2015-11-25 重庆京东方光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN105093744A (zh) 2015-11-25
US10203541B2 (en) 2019-02-12
US20170336670A1 (en) 2017-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9276017B2 (en) Disply device for minimizing thickness of bezel area
WO2019227806A1 (zh) Tft阵列基板及液晶显示面板
JP6747068B2 (ja) 液晶表示パネルおよび当該液晶表示パネルを備えた液晶表示装置
JP5659708B2 (ja) 液晶表示パネル、及び液晶表示装置
US10379411B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
TWI514055B (zh) 顯示面板與其製造方法
JP5523864B2 (ja) 液晶表示装置
WO2017024708A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示器件
TWI753527B (zh) 顯示裝置
US10185196B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
TWI628498B (zh) 顯示裝置及其顯示面板
JP5638403B2 (ja) 表示装置
US9733532B2 (en) Display device and method of manufacturing thin film transistor
JP2012203348A (ja) 液晶表示装置
KR102059788B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP6850540B2 (ja) 表示パネル及び表示装置
CN106066551A (zh) 一种阵列基板及显示装置
US20110304791A1 (en) Display device
JP2009193051A (ja) 横電界方式の液晶表示装置
JP2009069806A (ja) 液晶表示パネル、液晶表示パネルを備えた電子機器、及び液晶表示パネルの製造方法
CN110867453B (zh) 半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法
WO2014054558A1 (ja) 半導体装置及び表示装置
WO2016027758A1 (ja) 半導体装置及び液晶表示装置
JP5879384B2 (ja) 液晶表示装置
KR102188068B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15900901

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15900901

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15900901

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 22/08/2018)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15900901

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1