CN105093744A - 显示基板及其制作方法、显示器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示基板及其制作方法、显示器件。所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,其中,所述显示基板的非显示区域包括遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光,从而光线不能透过显示基板的非显示区域射出,能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示器件。
背景技术
由于液晶本身不发光,在液晶显示器、液晶电视等各种液晶显示设备(LiquidCrystalDisplay,以下简称“LCD”)中,都需要依靠外部背光源来实现显示。如图1所示,液晶显示模组的具体结构为:包括背光模组和显示面板,显示面板包括对盒设置的阵列基板10'和彩膜基板20,并通过封框胶30密封,在阵列基板10'和彩膜基板20之间形成填充液晶的空间。彩膜基板20包括黑矩阵21,用于限定多个亚像素区域,每个亚像素区域内设置有彩膜树脂层,用于实现彩色显示。所述背光模组包括背光源组件(图中未示出)、胶框40和光学膜材60(包括增亮膜、扩散膜等),显示面板放置在胶框40上,背光源组件发出的光学经过光学膜材40的调整后,提供给显示面板,用于显示。并通过前框50固定组装显示面板和背光模组。
现有技术中,液晶显示设备的边框普遍存在狭缝漏光问题,客户端抱怨严重,成为亟待解决的技术问题。其中,液晶显示设备的边框一般对应于前框50位于显示面板显示画面侧的部分。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示器件,用以解决显示器件的边框存在狭缝漏光的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种显示基板,包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,其特征在于,所述非显示区域包括设置在基底上的遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光。
本发明实施例中还提供一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,所述制作方法包括:
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光。
本发明实施例中还提供一种显示器件,采用如上所述的显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,显示基板的非显示区域包括遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光,从而光线不能过显示基板的非显示区域射出,能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示现有技术中液晶显示器件的局部结构示意图;
图2表示现有技术中薄膜晶体管阵列基板的扇形区域的局部结构示意图;
图3表示图2沿A-A的剖视图;
图4表示本发明实施例中液晶显示器件的局部结构示意图;
图5表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的扇形区域的局部结构示意图;
图6表示图5沿A-A的剖视图;
图7表示本发明实施例中液晶显示面板对应于显示器件的边框位置的局部结构示意图。
具体实施方式
为了解决液晶显示器件的边框存在狭缝漏光的问题,发明人对造成该技术问题的原因进行了分析,发现狭缝漏光的位置与阵列基板上对应边框处的布线位置一致。结合图1-图3所示(图中的箭头方向表示光线的传播方向),阵列基板10'上对应边框处设置有间隔分布的遮光走线1,背光源发出的光线能够经过遮光走线1之间所在的区域射出,光透过率高达73%左右。由于黑矩阵21的边缘与彩膜基板20的边缘存在缝隙,而封框胶30也具有较强的光散射作用,使得经过遮光走线1之间所在的区域透出的光线能够经过前框50和显示面板之间的缝隙射出,导致显示器件的边框存在狭缝漏光。
基于上述分析,为了解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题,本发明提供一种显示基板,所述显示面板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,其中,显示基板的非显示区域包括设置在基底上的遮光图形,使得显示基板的整个非显示区域不透光,从而光线不能透过显示基板的非显示区域射出,能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
本发明的技术方案不仅适用于液晶显示器件,还适合其他因为非显示区域透光导致边框存在狭缝漏光问题的显示器件。
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例中以液晶显示器件为例来具体介绍本发明的技术方案。
图4所示为本发明实施例中液晶显示器件的局部结构示意图,图7所示为本发明实施例中液晶显示面板对应于显示器件的边框位置的局部结构示意图。
结合图4和图7所示,本发明实施例中的显示基板10包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,所述非显示区域对应于显示器件的边框位置。
显示基板10的非显示区域包括设置在基底100上的多条遮光走线1,用于为显示区域提供显示所需的信号。对应于相邻两个遮光走线1之间所在的区域设置有遮光图形2,遮光图形2与遮光走线1配合,用以保证显示基板10的整个非显示区域不透光,从而光线不能透过显示基板10的非显示区域射出,能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
具体的,如图4所示(图中的箭头方向表示光线的传播方向),对于液晶显示器件,当没有光线透过显示基板10的非显示区域时,彩膜基板20的边缘与其上黑矩阵21的边缘之间的缝隙没有光线射出,也没有光线被封框胶30散射射出,从而前框50与显示面板之间的缝隙就没有光线透出,解决了液晶显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
图5所示为本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的扇形区域的局部结构示意图,图6所示为图5沿A-A的剖视图
结合图5和图6所示,在一个优选的实施方式中,遮光走线1包括相邻的第一遮光走线11和第二遮光走线12,在对应于第一遮光走线11和第二遮光走线12之间所在的区域设置有遮光图形2,遮光图形2与第一遮光走线11、第二遮光走线12在基底100上的投影仅部分交叠,形成第一区域200。当遮光图形2由导电材料制成时,通过将第一区域200的面积控制在很小范围内,能够减小遮光走线1充电时的负载,降低遮光图形2与遮光走线1互相串扰的风险。另外,随着显示器件的边框越来越窄,遮光图形2的长度(与边框的宽度延伸方向一致)较小,增加的负载很小,与遮光走线1互相串扰的风险也很低。当遮光图形2位于遮光走线1上时,遮光图形2的设置还能够改善遮光走线1被划伤的问题。
其中,第一区域200具体可以为条状结构,如图5所示。每一条状结构的宽度为1.5um-4um。实际制作过程中,受工艺影响,每一条状结构的宽度大于2um。但是,第一区域200的形状并局限于条状结构,只需与遮光走线1的形状配合,保证显示基板10的整个非显示区域不透光即可。
对于遮光图形2,其也可以由不导电材料制成,此时,可以设置遮光图形2覆盖显示基板10的整个非显示区域,以使得显示基板10的整个非显示区域不透光,解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
当然,当遮光图形2由不导电材料制成时,也可以设置遮光图形2与遮光走线1在基底100上的投影仅部分交叠,形成第一区域200。
薄膜晶体管液晶显示器件(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,简称TFT-LCD)具有体积小,功耗低,无辐射等特点,近年来得到迅速发展,在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的显示面板包括对盒设置的薄膜晶体管阵列基板10和彩膜基板20,薄膜晶体管阵列基板10包括横纵交叉分布的多条栅线和多条数据线,在显示区域限定多个像素区域,每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极,通过栅线逐行打开每行的薄膜晶体管,数据线上传输的像素电压通过薄膜晶体管传输至像素电极,用于形成驱动液晶分子偏转的电场,实现显示。
当本发明实施例中的显示基板为TFT-LCD的薄膜晶体管阵列基板10时,阵列基板10的非显示区域的遮光走线1包括栅扫描线和数据驱动线,在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形,和/或,在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有遮光图形。其中,栅扫描线用于为栅线提供栅扫描信号,数据线用于为数据线提供所需的像素电压。所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边。
优选地,遮光图形2与薄膜晶体管阵列基板10的某一信号线通过对同一膜层的构图工艺同时形成,即遮光图形2与薄膜晶体管阵列基板10的某一信号线为同层同材料设置,从而不需要增加制作遮光图形2的材料和工艺,降低生产成本。
一具体的实施方式中,对于薄膜晶体管阵列基板10,仅对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有遮光图形2,遮光图形2与数据驱动线、数据线为同层同材料设置。具体的,在基底100上形成源漏金属层,对所述源漏金属层进行构图工艺,形成包括遮光图形2、数据驱动线和数据线的图形。所述源漏金属层的材料为Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,Mn,Ti,Ta,W等金属以及这些金属的合金,所述源漏金属层可以为单层结构或者多层结构,多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti,Mo\Al\Mo等。
另一具体的实施方式中,对于薄膜晶体管阵列基板10,仅对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有遮光图形2,遮光图形2与栅扫描线、栅线为同层同材料设置。具体的,在基底100上形成栅金属层,对所述栅金属层进行构图工艺,形成包括遮光图形2、栅扫描线和栅线的图形。所述栅金属层的材料为Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,Mn,Ti,Ta,W等金属以及这些金属的合金,所述栅金属层可以为单层结构或者多层结构,多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti,Mo\Al\Mo等。
本发明实施例中也可以在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置遮光图形2。优选地,对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置的遮光图形2与数据驱动线、数据线为同层同材料设置,对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置的遮光图形2与栅扫描线、栅线为同层同材料设置,从而不需要增加制作遮光图形2的材料和工艺,降低生产成本。
当本发明实施例中的遮光走线1为薄膜晶体管阵列基板10的栅扫描线(或数据驱动线),对应于相邻两个栅扫描线1(或数据驱动线)之间所在的区域设置有遮光图形2时,作为一个优选的方式,设置遮光图形2与栅扫描线1(或数据驱动线)在基底100上的投影仅部分交叠,形成第一区域200。当遮光图形2由导电材料(具体为栅金属或源漏金属)制成时,控制第一区域200的面积在很小范围内,以减小栅扫描线1(或数据驱动线)充电时的负载,降低遮光图形2与栅扫描线1(或数据驱动线)互相串扰的风险。另外,随着显示器件的边框越来越窄,遮光图形2的长度(与边框的宽度延伸方向一致)较小,增加的负载很小,与栅扫描线(或数据驱动线)互相串扰的风险也很低。当遮光图形2位于栅扫描线1上时,遮光图形2的设置还能够改善栅扫描线或(数据驱动线)被划伤的问题。
结合图5和图6所示,本发明实施例中的薄膜晶体管阵列基板具体包括:
基底100,如:玻璃基板、石英基板、有机树脂基板等透明基板;
设置在基底100上的栅线、栅扫描线1和薄膜晶体管的栅电极,栅线、栅扫描线1和薄膜晶体管的栅电极为同层同材料设置,栅线和薄膜晶体管的栅电极为一体结构;
覆盖栅线、栅扫描线1和薄膜晶体管的栅电极的栅绝缘层101,栅绝缘层101的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物,可以为单层、双层或多层结构。具体地,栅绝缘层101的材料可以是SiNx,SiOx或Si(ON)x;
设置在栅绝缘层101上的有源层,所述有源层的材料为硅半导体或金属氧化物半导体;
设置在基底100上的数据线、数据驱动线(图中未示出)和薄膜晶体管的源电极、漏电极,数据线、数据驱动线(图中未示出)和薄膜晶体管的源电极、漏电极为同层同材料设置,所述源电极和漏电极搭接在所述有源层的相对两侧,所述数据线与薄膜晶体管的源电极为一体结构;
覆盖薄膜晶体管的钝化层102,钝化层102中具有过孔,露出薄膜晶体管的漏电极。钝化层102的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物,可以为单层、双层或多层结构。具体地,钝化层102的材料可以是SiNx,SiOx或Si(ON)x;
设置在钝化层102上的像素电极,通过钝化层102中的过孔与薄膜晶体管的漏电极电性连接。
相应地,本发明实施例中还提供一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,所述制作方法包括:
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光。
上述技术方案中,由于形成了所述遮光图形,使得显示基板的整个非显示区域不透光,从而光线不能透过显示基板的非显示区域射出,能够解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
当显示基板的非显示区域包括多条遮光走线时,所述制作方法还包括:
在基底上形成位于非显示区域的多条遮光走线,用于为显示区域提供显示所需的信号。
由于所述遮光走线本身具有遮光作用,则在基底上形成遮光图形的步骤具体可以为:
在对应于至少部分所述遮光走线之间所在的区域形成所述遮光图形。
通过上述步骤形成的遮光图形与所述遮光走线配合,使得显示基板的整个非显示区域不透光。
对于薄膜晶体管阵列基板,所述遮光走线具体包括栅扫描线和数据驱动线,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边。则在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤具体可以为:
在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域形成所述遮光图形,和/或,在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域形成所述遮光图形。
其中,所述遮光图形可以由导电材料或不导电材料制成。
当所述遮光图形由导电材料时,优选地,所述遮光图形与显示基板的某一信号线通过对同一膜层的构图工艺同时形成,即所述遮光图形与显示基板的某一信号线为同层同材料设置,从而不需要增加制作所述遮光图形的材料和工艺,降低生产成本。
一具体的实施方式中,对于薄膜晶体管阵列基板,仅对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形,则所述制作方法具体包括:
在所述基底上形成源漏金属层,对所述源漏金属层进行构图工艺,形成包括所述遮光图形与数据驱动线的图形。
另一具体的实施方式中,仅对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形,则所述制作方法包括:
在所述基底上形成栅金属层,对所述栅金属层进行构图工艺,形成包括所述遮光图形与栅扫描线的图形。
当然,也可以在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置所述遮光图形,则所述制作方法包括:
在所述基底上形成源漏金属层,对所述源漏金属层进行构图工艺,形成包括所述遮光图形与数据驱动线的图形;
在所述基底上形成栅金属层,对所述栅金属层进行构图工艺,形成包括所述遮光图形与栅扫描线的图形。
本发明实施例中还提供一种显示器件,采用上述的显示基板,用以解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
如图7所示,所述显示器件具体可以为薄膜晶体管液晶显示器件,还包括彩膜基板20。显示基板10为薄膜晶体管阵列基板,彩膜基板20与阵列基板10对盒设置,彩膜基板20包括黑矩阵21。其中,黑矩阵21在阵列基板10上的投影与阵列基板10的非显示区域的遮光图形2部分交叠,部分交叠既可保证非显示区域不透光,又能节约遮光图形的材料,同时保证黑矩阵20的边缘与彩膜基板20的边缘之间的缝隙不透光,解决显示器件的边框存在狭缝漏光的问题。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (18)
1.一种显示基板,包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,其特征在于,所述非显示区域包括设置在基底上的遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述非显示区域还包括设置在所述基底上的多条遮光走线,用于为显示区域提供显示所需的信号;在对应于相邻两个遮光走线之间所在的区域设置有所述遮光图形。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述遮光走线包括相邻的第一遮光走线和第二遮光走线,在对应于所述第一遮光走线和第二遮光走线之间所在的区域设置有所述遮光图形,所述遮光图形与所述第一遮光走线、第二遮光走线在所述基底上的投影仅部分交叠,形成第一区域。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一区域为条状结构,每一条状结构的宽度为1.5um-4um。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,所述遮光走线包括栅扫描线和数据驱动线,在对应于所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形,和/或,在对应于所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边;
当仅对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形时,所述遮光图形与数据驱动线为同层同材料设置。
7.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边;
当仅对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形时,所述遮光图形与栅扫描线为同层同材料设置。
8.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边;
当对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置有所述遮光图形时,对应于所述栅扫描线之间所在的区域设置的遮光图形与数据驱动线为同层同材料设置,对应于所述数据驱动线之间所在的区域设置的遮光图形与栅扫描线为同层同材料设置。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述遮光图形覆盖所述显示基板的整个非显示区域。
10.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括显示区域和位于显示区域周边的非显示区域,其特征在于,所述制作方法包括:
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形,使得整个所述非显示区域不透光。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
在基底上形成位于非显示区域的多条遮光走线,用于为显示区域提供显示所需的信号;
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤具体为:
在对应于相邻两个所述遮光走线之间所在的区域形成所述遮光图形。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,所述遮光走线包括栅扫描线和数据驱动线;
在基底上形成位于非显示区域的多条遮光走线的步骤包括:
在基底上形成位于非显示区域的栅扫描线和数据驱动线;
在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤具体为:
在对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域形成所述遮光图形,和/或,在对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域形成所述遮光图形。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边;
当仅对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域设置有所述遮光图形时,所述制作方法包括:
在所述基底上形成源漏金属层,对所述源漏金属层进行构图工艺,形成包括所述遮光图形与数据驱动线的图形。
14.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边;
当仅对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域设置有所述遮光图形时,所述制作方法包括:
在所述基底上形成栅金属层,对所述栅金属层进行构图工艺,形成包括所述遮光图形与栅扫描线的图形。
15.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述栅扫描线和数据驱动线位于所述阵列基板的相邻两侧边;
当对应于相邻两个所述栅扫描线之间所在的区域和对应于相邻两个所述数据驱动线之间所在的区域均设置有所述遮光图形时,所述制作方法包括:
在所述基底上形成源漏金属层,对所述源漏金属层进行构图工艺,形成包括对应于所述栅扫描线之间所在的区域设置的遮光图形与数据驱动线的图形;
在所述基底上形成栅金属层,对所述栅金属层进行构图工艺,形成包括对应于所述数据驱动线之间所在的区域设置的遮光图形与栅扫描线的图形。
16.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在基底上形成位于非显示区域的遮光图形的步骤具体为:
形成覆盖所述显示基板的整个非显示区域的遮光图形。
17.一种显示器件,其特征在于,采用权利要求1-9任一项所述的显示基板。
18.根据权利要求17所述的显示器件,其特征在于,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,所述显示器件还包括彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置,所述彩膜基板包括黑矩阵,所述黑矩阵在所述阵列基板上的投影与所述阵列基板的非显示区域的遮光图形部分交叠。
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