TWI642176B

TWI642176B - 陣列基板以及顯示面板

Info

Publication number: TWI642176B
Application number: TW107101439A
Authority: TW
Inventors: 奚鵬博; 蘇松宇
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-01-15
Filing date: 2018-01-15
Publication date: 2018-11-21
Also published as: TW201933589A; CN108469696B; CN108469696A

Abstract

一種陣列基板，包括畫素陣列、電路、平坦層以及凸起結構。畫素陣列位於主動區內。電路與畫素陣列電性連接，並位於外圍區內，其中外圍區位於主動區與接合區之間。平坦層位於主動區、外圍區及接合區內，且實質上位於電路上。凸起結構配置於平坦層上且位於外圍區內，其中凸起結構的厚度約為0.3 µm至0.7 µm，且凸起結構至少從主動區之一邊連續延伸於接合區之一邊。

Description

陣列基板以及顯示面板

本發明是有關於一種陣列基板以及顯示面板，且特別是有關於一種具有凸塊的陣列基板以及顯示面板。

為了精準地控制顯示面板的陣列基板與對向基板之間的間隙（cell gap），在兩個基板之間會加入間隙物以維持間隙。目前，在顯示面板中，為了避免顯示面板被彎曲或按壓時，因間隙物的錯位或滑動而導致漏光問題，通常會在陣列基板中的平坦層上設計對應間隙物的凸塊，以抵頂所對應的間隙物。然而，所述凸塊的設計，將使得周邊驅動電路上方具有不平坦的地形，而導致電性上的問題。

本發明提供一種陣列基板及顯示面板，其目的之一為可避免陣列基板的外圍區內存在電容值偏高的問題。

本發明提供一種陣列基板及顯示面板，其目的之一為可避免陣列基板的等效片電阻值不均勻的問題。

本發明之一實施例的陣列基板包括畫素陣列、電路、平坦層以及凸起結構。畫素陣列位於主動區內。電路與畫素陣列電性連接，並位於外圍區內，其中外圍區位於主動區與接合區之間。平坦層位於主動區、外圍區及接合區內，且實質上位於電路上。凸起結構配置於平坦層上且位於外圍區內，其中凸起結構的厚度約為0.3 µm至0.7 µm，且凸起結構至少從主動區之一邊連續延伸於接合區之一邊。

本發明之一實施例的顯示面板包括如前所述的畫素陣列、對向基板、多個第一間隙物以及多個第二間隙物。對向基板與陣列基板對向設置。多個第一間隙物配置於對向基板上，且對應主動區與接合區設置。多個第二間隙物配置於對向基板上，且對應主動區與外圍區設置，其中第一間隙物的厚度大於第二間隙物的厚度，凸起結構與對應外圍區的第二間隙物重疊。

基於上述，本發明之一實施例的顯示面板透過包括位於外圍區內且與畫素陣列電性連接的電路，位於主動區、外圍區及接合區內且實質上位於電路上的平坦層，以及配置在位於外圍區內的平坦層上、厚度約為0.3 µm至0.7 µm且至少從主動區之一邊連續延伸於接合區之一邊的凸起結構，使得可避免外圍區內存在電容值偏高及等效片電阻值不均勻的問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是依照本發明的一實施方式的顯示面板的局部上視示意圖。圖2是沿圖1之剖線I-I’的剖面示意圖。圖3是沿圖1之剖線II-II’的剖面示意圖。圖4是圖1之畫素陣列中的畫素單元的上視示意圖。

請同時參照圖1至圖3，顯示面板10包括陣列基板100、對向基板110、多個第一間隙物PS1、及多個第二間隙物PS2。另外，顯示面板10可更包括密封材120以及液晶層130。也就是說，在本實施方式中，顯示面板10可為液晶顯示面板。為了方便說明起見，圖1中省略繪示對向基板110、多個第一間隙物PS1、多個第二間隙物PS2、密封材120以及液晶層130等構件。

在本實施方式中，陣列基板100可具有主動區A、外圍區B以及接合區C，其中外圍區B位於主動區A與接合區C之間。

在本實施方式中，陣列基板100包括基板102、畫素陣列104、電路106、平坦層IL以及凸起結構X。另外，在本實施方式中，陣列基板100可更包括多個凸塊Y、共用電極層CM、共用金屬層M3、層間絕緣層IL1以及層間絕緣層IL2。

基板102的材質可為玻璃、石英或有機聚合物。畫素陣列104配置在基板102上，且位於主動區A內，主動區A主要用以顯示影像。在本實施方式中，畫素陣列104包括陣列排列的多個畫素單元P。

請參照圖4，在本實施方式中，每一畫素單元P可包括掃描線SL、資料線DL、主動元件T、畫素電極PE以及共用電極CE，但本發明並不以此為限。在其他實施方式中，多個畫素單元P中也可至少一者包括掃描線SL、資料線DL、主動元件T、畫素電極PE以及共用電極CE。

在本實施方式中，掃描線SL的延伸方向與資料線DL的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL的延伸方向與資料線DL的延伸方向垂直。此外，掃描線SL與資料線DL可位於不相同的膜層，且掃描線SL與資料線DL之間可夾有絕緣層（未繪示）。基於導電性的考量，掃描線SL與資料線DL一般是使用金屬材料。然而，本發明並不限於此，根據其他實施方式，掃描線SL與資料線DL也可以使用例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料，或是金屬材料與前述其它導電材料的堆疊層。另外，所述絕緣層的材質可為無機材料、有機材料或其組合，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層；有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。

在本實施方式中，主動元件T可以是領域中具有通常知識者所周知的任一種底部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極G、通道層CH、源極S以及汲極D。在本實施方式中，主動元件T與掃描線SL及資料線DL電性連接。在本實施方式中，掃描線SL的部分區域是作為閘極G，此表示閘極G與掃描線SL彼此電性連接。在本實施方式中，源極S與資料線DL為一連續的導電圖案，此表示源極S與資料線DL彼此電性連接。在本實施方式中，通道層CH位於閘極G的上方，且源極S以及汲極D位於通道層CH的上方。在本實施方式中，雖然是以底部閘極型薄膜電晶體為例來說明，但本發明不限於此。在其他實施方式中，主動元件T也可以是頂部閘極型薄膜電晶體、或是其它合適類型的薄膜電晶體。

畫素電極PE與主動元件T電性連接。在本實施方式中，畫素電極PE藉由接觸窗H與主動元件T的汲極D電性連接。在本實施方式中，畫素電極PE的材質可包括金屬氧化物導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。另外，在本實施方式中，畫素電極PE可包括多個條狀電極圖案。

在本實施方式中，共用電極層CM與畫素電極PE結構上分離。在本實施方式中，層間絕緣層IL2設置於共用電極層CM與畫素電極PE之間。如圖2及圖3所示，畫素電極PE設置在層間絕緣層IL2的上方，且共用電極層CM設置在層間絕緣層IL2的下方。值得一提的是，當顯示面板10處於顯示模式時，畫素電極PE可與共用電極層CM產生邊緣電場。也就是說，在本實施方式中，共用電極層CM與畫素電極PE對應的部分即作為畫素單元P的共用電極CE。從另一觀點而言，在本實施方式中，顯示面板10可為邊際場切換式（fringe field switching，FFS）顯示面板。在本實施方式中，共用電極層CM電性連接至共用電壓，例如約0伏特。另外，在本實施方式中，共用電極層CM與畫素電極PE設置於不同平面上，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，共用電極層CM與畫素電極PE也可實質上設置於同一平面上，例如顯示面板係為平面切換式（in plane switching，IPS）顯示面板。

共用電極層CM例如是透明導電層，其材質包括金屬氧化物導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。層間絕緣層IL2的材質可為無機材料、有機材料或其組合，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層；有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。

電路106配置在基板102上，且位於外圍區B內。在本實施方式中，電路106可包括接墊BP以及驅動電路DC。如圖2所示，共用電極層CM會經由接觸洞J與接墊BP電性連接。如此一來，在本實施方式中，外部電路可經由接墊BP將共用電壓傳遞至共用電極層CM。另外，在本實施方式中，驅動電路DC可與畫素單元P電性連接，以驅動畫素單元P。驅動電路DC例如是顯示面板10的閘極驅動電路（gate driver on array，GOA）、源極驅動電路（source driver on array，SOA）或位移暫存器（shift register）。也就是說，在本實施方式中，電路106會與畫素陣列104電性連接，以驅動畫素陣列104。從另一觀點而言，在本實施方式中，外圍區B不用以顯示影像，亦可稱為非顯示區。

在本實施方式中，驅動電路DC會與共用電極層CM相重疊。也就是說，在本實施方式中，共用電極層CM會自主動區A延伸設置至外圍區B，亦即共用電極層CM是設置在主動區A與外圍區B內。從另一觀點而言，透過共用電極層CM與驅動電路DC相重疊，可阻擋外部訊號干擾到驅動電路DC的訊號或是阻擋驅動電路DC的訊號干擾到位於共用電極層CM上方之其餘訊號線路之訊號，而發生訊號干擾的問題。換言之，在本實施方式中，對應設置在外圍區B內的共用電極層CM可作用為遮蔽電極。

平坦層IL位於主動區A、外圍區B及接合區C內。也就是說，在本實施方式中，平坦層IL全面性地形成在基板102上。在本實施方式中，平坦層IL實質上位於電路106上。另外，在本實施方式中，平坦層IL的材質可為光阻材料。

凸起結構X配置於平坦層IL上。在本實施方式中，凸起結構X的厚度t約為0.3 µm至0.7 µm。在一實施方式中，凸起結構X的厚度t約為0.5 µm。另外，在本實施方式中，凸起結構X的材質可與平坦層IL的材質相同。據此，凸起結構X與平坦層IL可在同一微影蝕刻製程中形成，其中微影蝕刻製程例如是半調式微影蝕刻製程（half-tone mask process，HTM process）或灰階遮光光罩微影蝕刻製程（gray mask process，GM process）。

在本實施方式中，凸起結構X位於外圍區B內。請同時參考圖1至圖3，在本實施方式中，凸起結構X未完全覆蓋外圍區B內的平坦層IL上。在本實施方式中，共用電極層CM是經由位在平坦層IL中的接觸洞J而與接墊BP連接，故外圍區B內之共用電極層CM與接墊BP連接的區域不重疊於凸起結構X。從另一觀點而言，在本實施方式中，凸起結構X至少從主動區A之一邊連續延伸於接合區C之一邊，如圖3所示。在本實施方式中，在外圍區B內，除了共用電極層CM與接墊BP連接的區域外，平坦層IL上皆設置有凸起結構X。

另外，在本實施方式中，凸起結構X與驅動電路DC相重疊。也就是說，在本實施方式中，驅動電路DC上方的地形具有良好的平坦性。一般而言，在習知的顯示面板中，因具有多個凸塊而導致驅動電路上方的地形不平整。如此一來，與習知的顯示面板相比，在顯示面板10中，位於凸起結構X上之部分的共用電極層CM與驅動電路DC之垂直距離d較為一致。從另一觀點而言，在本實施方式中，凸起結構X的厚度t約為0.3 µm至0.7 µm，因此與習知的顯示面板相比，顯示面板10的垂直距離d不但較為一致也較大。在一實施方式中，所述垂直距離d約為1微米至4微米，較佳係約為1.5微米至4微米。有鑑於此，在本實施方式中，透過凸起結構X配置在位於外圍區B內的平坦層IL上，厚度t約為0.3 µm至0.7 µm，且至少從主動區A之一邊連續延伸於接合區C之一邊，使得與習知的顯示面板相比，顯示面板10之位在外圍區B中的電容器（例如：由共用電極層CM與驅動電路DC構成的電容器）的電容值可降低。在一實施方式中，與習知的顯示面板，顯示面板10的電容器的電容值降低約25%。

在本實施方式中，多個凸塊Y配置於平坦層IL上，且位於主動區A及接合區C內。在本實施方式中，外圍區B內不設置有凸塊Y。在本實施方式中，凸塊Y的材質可與平坦層IL的材質相同。據此，凸塊Y可與凸起結構X及平坦層IL一起在同一微影蝕刻製程中形成，其中微影蝕刻製程例如是半調式微影蝕刻製程（half-tone mask process，HTM process）或灰階遮光光罩微影蝕刻製程（gray mask process，GM process）。另外，在本實施方式中，凸塊Y的厚度可與凸起結構X的厚度相同。

在本實施方式中，共用金屬層M3配置於凸起結構X上，且層間絕緣層IL1配置於共用金屬層M3上。在本實施方式中，共用電極層CM經由位於層間絕緣層IL1中的接觸洞I與共用金屬層M3電性連接。如前文所述，在本實施方式中，共用電極層CM電性連接至共用電壓，故與其連接的共用金屬層M3同樣電性連接至共用電壓，並藉此可提升顯示面板10中共用電壓的穩定性，以降低發生畫面閃爍（flicker）或殘影（Image sticking）的現象。共用金屬層M3的材質可包括（但不限於）：鋁、鉬或鈦。層間絕緣層IL1的材質可為無機材料、有機材料或其組合，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層；有機材料例如是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。

值得說明的是，如前文所述，顯示面板10透過包括凸起結構X而使得外圍區B內的地形平坦性增加，藉此不但可讓配置於凸起結構X上的共用金屬層M3的走線設計較具彈性，進而降低走線設計的複雜度並提升訊號傳遞品質；還可使得配置於凸起結構X及平坦層IL上的共用電極層CM具有均勻的厚度，進而具有均勻的等效片電阻值。

另外，在本實施方式中，共用金屬層M3位於共用電極層CM與凸起結構X之間，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，共用金屬層M3也可位於共用電極層CM之上。此時，領域中具有通常知識者應可理解，共用電極層CM可直接形成在凸起結構X及平坦層IL上，因而厚度分布更加均一。

另外，在本實施方式中，顯示面板10的陣列基板100包括共用金屬層M3，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，顯示面板10的陣列基板100也可以不包括共用金屬層M3。此時，領域中具有通常知識者應可理解，顯示面板10的陣列基板100也不包括層間絕緣層IL1，而共用電極層CM可直接形成在凸起結構X及平坦層IL上，因而厚度分布更加均一。

對向基板110與陣列基板100對向設置。在本實施方式中，對向基板110可包括基板112、遮蔽圖案層BM以及彩色濾光圖案層CF。基板112的材質可為玻璃、石英或有機聚合物。遮蔽圖案層BM配置於基板112上。在本實施方式中，遮蔽圖案層BM可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的用於液晶顯示面板中的任一遮蔽圖案層。遮蔽圖案層BM可用以遮蔽不欲被使用者觀看到的元件及走線，例如包括掃描線SL、資料線DL、主動元件T、電路106、第一間隙物PS1、第二間隙物PS2等。遮蔽圖案層BM的材質可為黑色樹脂或是遮光金屬（例如：鉻）等反射性較低的材料。

彩色濾光圖案層CF配置於基板112上。在本實施方式中，彩色濾光圖案層CF可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的用於液晶顯示面板中的任一彩色濾光圖案層。彩色濾光圖案層CF對應多個畫素單元P設置，以用來達成彩色畫面的顯示。另外，彩色濾光圖案層CF可包括紅色濾光圖案、綠色濾光圖案或是藍色濾光圖案。

多個第一間隙物PS1配置於對向基板110上，且對應主動區A與接合區B設置。在本實施方式中，如圖2及圖3所示，第一間隙物PS1分別與凸塊Y重疊。在本實施方式中，第一間隙物PS1分別與位於凸塊Y上的膜層接觸。也就是說，在本實施方式中，第一間隙物PS1可視為支撐陣列基板100與對向基板110之間的間隙（cell gap）的主間隙物（main spacer）。

多個第二間隙物PS2配置於對向基板110上，且對應主動區A與外圍區B設置。在本實施方式中，如圖2及圖3所示，對應外圍區B設置的第二間隙物PS2與凸起結構X重疊，而對應主動區A設置的第二間隙物PS2分別與凸塊Y重疊。在本實施方式中，第二間隙物PS2皆不與位於凸起結構X或凸塊Y上的膜層接觸。也就是說，在本實施方式中，第一間隙物PS1的厚度大於第二間隙物PS2的厚度。從另一觀點而言，在本實施方式中，第二間隙物PS2可視為子間隙物（sub spacer），以在特殊情況下（例如：顯示面板10過度受壓而第一間隙物PS1形變時），抵接至位於凸起結構X或凸塊Y上的膜層來使陣列基板100與對向基板110之間仍維持一定的距離。另外，在本實施方式中，第一間隙物PS1與第二間隙物PS2的材質可包括光阻材料或其他合適的材料。

在本實施方式中，密封材120位於陣列基板100與對向基板110之間且位於接合區C內，以將陣列基板100與對向基板110組立在一起，並使液晶層130密封於所述陣列基板100與對向基板110之間。也就是說，在本實施方式中，接合區C不用以顯示影像，亦可稱為非顯示區。另外，在本實施方式中，對應接合區C的第一間隙物PS1分布於密封材120內。如此一來，密封材120也可提供支撐陣列基板100與對向基板110之間的間隙的作用。另外，密封材120可以是玻璃膠（frit material）、紫外光膠、熱固性膠、壓克力樹脂（acrylic resin）或環氧樹脂（epoxy resin）。

在本實施方式中，液晶層130位於陣列基板100與對向基板110之間。在本實施方式中，液晶層130可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的用於液晶顯示面板中的任一液晶層，液晶層130包括多個液晶分子。

基於前文可知，顯示面板10透過包括位於外圍區B內且與畫素陣列104電性連接的電路106，以及配置在位於外圍區B內的平坦層IL上、厚度t約為0.3 µm至0.7 µm且至少從主動區A之一邊連續延伸於接合區C之一邊的凸起結構X，使得顯示面板10之外圍區B內的地形平坦性增加，因而位於外圍區B內的共用電極層CM得以具有均勻的等效片電阻值，以及使得顯示面板10之位於外圍區B內的電容器（例如：由共用電極層CM與驅動電路DC構成的電容器）的電容值可降低。

另外，雖然前述實施方式中，顯示面板10為液晶顯示面板，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，本發明的顯示面板也可以是有機發光顯示面板。以下，將參照圖5及圖6進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。

圖5是依照本發明的另一實施方式的顯示面板的局部剖面示意圖。圖6是圖5之顯示面板中的畫素單元的等效電路示意圖。值得注意的是，圖5的顯示面板20的上視示意圖可參考圖1，而圖5的剖面位置可參照圖1中之剖線I-I’的位置。

請同時參照圖5及圖2，圖5的顯示面板20與圖1的顯示面板10相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。以下，將就兩者間的差異處做說明。

請同時參照圖5及圖6，在本實施方式中，每一畫素單元P可包括掃描線SL、資料線DL、驅動單元DU、電源線PL、發光元件OLED，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，多個畫素單元P中也可至少一者包括掃描線SL、資料線DL、驅動單元DU、電源線PL、發光元件OLED。

在本實施方式中，驅動單元DU可包括主動元件T1、主動元件T2以及電容器CS。主動元件T1、主動元件T2可以是領域中具有通常知識者所周知的任一種薄膜電晶體，因此主動元件T1與主動元件T2的結構可參考前述實施方式中關於主動元件T的描述。在本實施方式中，主動元件T1可稱為開關薄膜電晶體，其與掃描線SL以及資料線DL電性連接；而主動元件T2可稱為驅動薄膜電晶體，其與主動元件T、電源線PL以及發光元件OLED電性連接。在本實施方式中，電容器CS與主動元件T1、T2以及電源線PL電性連接。基於上述，在本實施方式中，畫素單元P是以兩個主動元件（主動元件T1、T2）搭配一個電容器（電容器CS）（意即2T1C）的結構為例來說明，但本發明並不以此為限。換言之，本發明不限制畫素單元P內的主動元件與電容器的數量。

在本實施方式中，發光元件OLED包括第一電極E1、發光層LL以及第二電極E2。在本實施方式中，第一電極E1與驅動單元DU電性連接。在本實施方式中，第一電極E1會經由位於平坦層IL中的接觸窗（未繪示）與驅動單元DU中的主動元件T2電性連接。第一電極E1的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬。

在本實施方式中，發光層LL位於第一電極E1上。發光層LL可以是領域中具有通常知識者所周知的用於有機發光顯示面板中的任一種發光層。發光層LL可為紅色有機發光層、綠色有機發光層、藍色有機發光層、其他顏色有機發光層或上述發光層之組合。此外，領域中具有通常知識者可更選擇性地將電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層、電洞注入層或上述四種膜層的組合設置於第一電極E1及第二電極E2之間適當的位置。

在本實施方式中，第二電極E2位於發光層LL上且覆蓋發光層LL。第二電極E2的材質可為透明導電材料或是不透明導電材料。所述透明導電材料可包括金屬氧化物導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包括金屬。另外，在本實施方式中，多個畫素單元P中的第二電極E2彼此連接以形成電極層EL。也就是說，在本實施方式中，電極層EL與發光層LL對應的部分即作為發光元件OLED的第二電極E2。

在本實施方式中，如圖5所示，電極層EL經由位於平坦層IL中的接觸洞K與接墊BP電性連接。如此一來，在本實施方式中，外部電路可經由接墊BP將電壓訊號輸入至電極層EL。在一實施方式中，輸入至電極層EL的電壓訊號例如是接地電壓。另一方面，如前文所述，接墊BP位於外圍區B內，因此在本實施方式中，電極層EL是自主動區A延伸設置至外圍區B。也就是說，電極層EL是設置在主動區A與外圍區B內。

在本實施方式中，驅動電路DC會與電極層EL相重疊。透過電極層EL與驅動電路DC相重疊，可阻擋外部訊號干擾到驅動電路DC的訊號或是阻擋驅動電路DC的訊號干擾到位於電極層EL上方之其餘訊號線路之訊號，而發生訊號干擾的問題。換言之，在本實施方式中，對應設置在外圍區B內的電極層EL可作用為遮蔽電極。

如前文所述，凸起結構X與驅動電路DC相重疊，以在驅動電路DC上方提供平坦性良好的地形，因此與習知的顯示面板相比，在顯示面板20中，位於凸起結構X上之部分的電極層EL與驅動電路DC之垂直距離d較為一致。從另一觀點而言，如前文所述，凸起結構X的厚度t約為0.3 µm至0.7 µm，因此與習知的顯示面板相比，顯示面板20的垂直距離d不但較為一致也較長。在一實施方式中，所述垂直距離d約為1.5微米至4微米。在本實施方式中，透過凸起結構X配置在位於外圍區B內的平坦層IL上，厚度t約為0.3 µm至0.7 µm，且至少從主動區A之一邊連續延伸於接合區C之一邊，使得與習知的顯示面板相比，顯示面板20之位在外圍區B中的電容器（例如：由電極層EL與驅動電路DC構成的電容器）的電容值可降低。在一實施方式中，與習知的顯示面板相比，位在外圍區B中的電容器的電容值降低約25%。

另外，在顯示面板20中，雖然對向基板110包括彩色濾光圖案層CF，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，對向基板110也可以不包括彩色濾光圖案層。

基於前述圖1至圖4的實施方式及本實施方式的內容可知，顯示面板20透過包括位於外圍區B內且與畫素陣列104電性連接的電路106，以及配置在位於外圍區B內的平坦層IL上、厚度t約為0.3 µm至0.7 µm且至少從主動區A之一邊連續延伸於接合區C之一邊的凸起結構X，使得顯示面板20之外圍區B內的地形平坦性增加，因而位於外圍區B內的電極層EL得以具有均勻的等效片電阻值，以及使得顯示面板20之位於外圍區B內的電容器（例如：由電極層EL與驅動電路DC構成的電容器）的電容值可降低。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20‧‧‧顯示面板
100‧‧‧陣列基板
102、112‧‧‧基板
104‧‧‧畫素陣列
106‧‧‧電路
110‧‧‧對向基板
120‧‧‧密封材
130‧‧‧液晶層
A‧‧‧主動區
B‧‧‧外圍區
BM‧‧‧遮蔽圖案層
BP‧‧‧接墊
C‧‧‧接合區
CE‧‧‧共用電極
CF‧‧‧彩色濾光圖案層
CH‧‧‧通道層
CM‧‧‧共用電極層
CS‧‧‧電容器
D‧‧‧汲極
d‧‧‧垂直距離
DC‧‧‧驅動電路
DL‧‧‧資料線
DU‧‧‧驅動單元
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
G‧‧‧閘極
H、I、J、K‧‧‧接觸窗
IL‧‧‧平坦層
IL1、IL2‧‧‧層間絕緣層
LL‧‧‧發光層
M3‧‧‧共用金屬層
OLED‧‧‧發光元件
P‧‧‧畫素單元
PE‧‧‧畫素電極
PL‧‧‧電源線
PS1‧‧‧第一間隙物
PS2‧‧‧第二間隙物
S‧‧‧源極
SL‧‧‧掃描線
T、T1、T2‧‧‧主動元件
t‧‧‧厚度
X‧‧‧凸起結構
Y‧‧‧凸塊

圖1是依照本發明的一實施方式的顯示面板的局部上視示意圖。圖2是沿圖1之剖線I-I’的剖面示意圖。圖3是沿圖1之剖線II-II’的剖面示意圖。圖4是圖1之畫素陣列中的畫素單元的上視示意圖。圖5是依照本發明的另一實施方式的顯示面板的局部剖面示意圖。圖6是圖5之顯示面板中的畫素單元的等效電路示意圖。

Claims

一種陣列基板，包括：一畫素陣列，位於一主動區內；一電路，與該畫素陣列電性連接，並位於一外圍區內，其中該外圍區位於該主動區與一接合區之間；一平坦層，位於該主動區、該外圍區及該接合區內，且實質上位於該電路上；以及一凸起結構，配置於該平坦層上且位於該外圍區內，其中該凸起結構的厚度約為0.3 µm至0.7 µm，且該凸起結構至少從該主動區之一邊連續延伸於該接合區之一邊。
如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，更包括多個凸塊，配置於該平坦層上且位於該主動區及該接合區內。
如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中該凸起結構的材質與該平坦層的材質相同，且該些凸塊的材質與該平坦層的材質相同。
如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中該凸起結構的厚度與該些凸塊的厚度相同。
如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中該畫素陣列包括：多個畫素單元，該些畫素單元中之至少一個包括：一主動元件；以及一畫素電極，與該主動元件電性連接。
如申請專利範圍第5項所述的陣列基板，其中該陣列基板更包括一共用電極層，位於該凸起結構以及該平坦層上，且與該些畫素電極結構上分離。
如申請專利範圍第6項所述的陣列基板，其中該電路包括：一接墊，其中該共用電極層經由一接觸洞與該接墊電性連接；以及一驅動電路，與該些畫素單元電性連接，其中該共用電極層與該驅動電路相重疊。
如申請專利範圍第7項所述的陣列基板，其中該凸起結構與該驅動電路相重疊，使得位於該凸起結構上之部分該共用電極層與該驅動電路之垂直距離約為1.5微米至4微米。
如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中該畫素陣列包括：多個畫素單元，該些畫素單元中之每一個包括：一驅動單元；一第一電極，與該驅動單元電性連接；一發光層，位於該第一電極上；以及一第二電極，位於該發光層上，其中該些畫素單元的該些第二電極彼此連接以形成一電極層。
如申請專利範圍第9項所述的陣列基板，其中該電路包括：一接墊，其中該電極層經由一接觸洞與該接墊電性連接；以及一驅動電路，與該些畫素單元電性連接，其中該電極層與該驅動電路相重疊。
如申請專利範圍第10項所述的陣列基板，其中該凸起結構與該驅動電路相重疊，使得位於該凸起結構上之部分該電極層與該驅動電路之垂直距離約為1.5微米至4微米。
一種顯示面板，包括：一種如申請專利範圍第1項所述的陣列基板；一對向基板，與該陣列基板對向設置；多個第一間隙物，配置於該對向基板上，且對應該主動區與該接合區設置；以及多個第二間隙物，配置於該對向基板上，且對應該主動區與該外圍區設置，其中該些第一間隙物的厚度大於該些第二間隙物的厚度，該凸起結構與對應該外圍區的該些第二間隙物重疊。
如申請專利範圍第12項所述的顯示面板，其中該些凸塊分別與該些第一間隙物重疊或分別與該些第二間隙物重疊，該顯示面板更包括：一密封材，位於該陣列基板與該對向基板之間，且位於該接合區內；以及一液晶層，位於該陣列基板與該對向基板之間。