JP2009020421A

JP2009020421A - 液晶装置及び電子機器

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Publication number: JP2009020421A
Application number: JP2007184389A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kosuge; 将洋小菅
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2007-07-13
Filing date: 2007-07-13
Publication date: 2009-01-29

Abstract

【課題】シール材の密着性のバラツキを抑制した液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】シール材１４の少なくとも一部が、素子基板１１及び対向基板１２の積層方向において周縁遮光膜４３と重なり、対向基板１２が、周縁遮光膜４３とシール材１４との間に配置されてシール材１４と接触する第２下地膜４６と、周縁遮光膜４３と液晶層１３との間に配置されて周縁遮光膜４３よりも液晶層１３への溶解度が低い被覆膜４５とを有し、第２下地膜４６が、珪素を構成元素とする無機材料で形成されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。

液晶装置の広視野角化を図る一手段として、液晶層に対して基板面内方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する）を用いることが知られており、このような横電界方式としてＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が知られている。横電界方式を用いた液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板の一方に、液晶分子を駆動するための一対の電極である画素電極及び共通電極が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
ここで、横電界方式を用いた液晶装置では、液晶層に対して基板面内方向の電界を発生させることから、液晶層において基板面に対する垂直方向の電界が発生することを防止することが望ましい。そのため、他方の基板に形成されて複数の画素領域で構成される画像表示領域の周縁を縁取る周縁遮光膜には、金属材料ではなく絶縁性の樹脂材料を用いることが好ましい。これにより、周縁遮光膜のモノマー成分が液晶層に溶出することを抑制することを目的として、周縁遮光膜と液晶層との間に周縁遮光膜よりも液晶層に溶出しにくい被覆膜を形成する必要がある。
特開平１１−２０２３５６号公報

しかしながら、上記従来の液晶装置には以下の課題がある。すなわち、液晶装置は、画像表示領域の外側の領域である額縁領域の狭小化が求められている。そして、一対の基板を貼り合わせるシール材を被覆膜上において周縁遮光膜と重なる領域に形成する必要がある。そのため、液晶層へ溶出を抑制するためにシール材との密着性に優れる材料を常に被覆膜として用いることができるとは限られない。したがって、被覆膜として用いられる材料に応じてシール材と被覆膜との密着性にバラツキが生じるという問題がある。

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、シール材の密着性のバラツキを抑制した液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる液晶装置は、シール材により貼り合わされた一対の基板間に液晶層を挟持し、前記一対の基板の一方が、樹脂材料で形成されて画像表示領域の周縁に配置される周縁遮光膜を有する液晶装置であって、前記シール材の少なくとも一部が、前記一対の基板の積層方向において前記周縁遮光膜と重なり、前記一方の基板が、前記周縁遮光膜と前記シール材との間に配置されて前記シール材と接触する下地膜と、前記周縁遮光膜と前記液晶層との間に配置されて前記周縁遮光膜よりも前記液晶層への溶解度が低い被覆膜とを有し、前記下地膜が、珪素を構成元素とする無機材料で形成されていることを特徴とする。

この発明では、被覆膜とは別に下地膜を形成することにより、被覆膜の形成材料によらずに一方の基板とシール材との高い密着強度が得られる。すなわち、下地膜が珪素（Ｓｉ）を構成元素とする無機材料で形成されていることから、下地膜とシール材とが高い密着性を有する。そのため、被覆膜としてシール材との密着性が低くても液晶層に対して溶解しにくい材料を用いた場合でも、一方の基板とシール材との良好な密着性が得られる。
また、下地膜とシール材との密着性が向上することで、下地膜とシール材との界面を介して液晶装置の外部から水分が侵入することを抑制できる。これにより、液晶装置の長寿命化が図れる。

また、本発明の液晶装置は、前記下地膜の内縁が、前記被覆膜の外縁と隣接して配置されていることが好ましい。
この発明では、下地膜を被覆膜の外縁に連続して形成して下地膜と被覆膜とを同層上に形成することで、下地膜と被覆膜との間に段差が形成されにくくなる。このため、一対の基板間の距離を確保するためにシール材がギャップ材を含有している場合であっても、シール材により一対の基板を貼り合わせたときにギャップ材にひずみが発生することを抑制できる。

また、本発明の液晶装置は、前記下地膜の表面が、凹形状または凸形状であることが好ましい。
この発明では、下地膜とシール材との接触面積が増大するため、下地膜とシール材との密着強度がより高くなる。

また、本発明の液晶装置は、前記一方の基板が、前記周縁遮光膜が前記液晶層側に形成された基体である基板本体を有し、前記下地膜がシール材と周縁遮光膜との重なり部から前記基板本体上にわたって形成されていることが好ましい。
この発明では、下地膜を基板本体と接触させることで、基板本体における液晶層側の界面へ水分が侵入することを抑制できる。したがって、液晶装置のさらなる長寿命化が図れる。

また、本発明の液晶装置は、前記下地膜が、スパッタ法により形成されていることとしてもよい。
この発明では、下地膜が無機材料で形成されていることから、スパッタ法を用いて下地膜を形成できる。

また、本発明の液晶装置は、前記他方の基板が、珪素を構成元素とする無機材料で形成されて前記シール材と接触する他の下地膜を有することが好ましい。
この発明では、他方の基板にも下地膜を形成することにより、シール材と他方の基板との接着強度が増大する。

また、本発明の液晶装置は、前記他方の基板が、前記液晶層を駆動する一対の電極を有することとしてもよい。
この発明では、他方の基板に一対の電極を形成することで、液晶装置がいわゆる横電界方式を用いた電極構造を有することとなる。ここで、周縁遮光膜が樹脂材料で形成されていることから、液晶層に基板面に対する垂直方向の電界が発生すること防止できる。

また、本発明の電子機器は、上記記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、被覆膜とは別に下地膜を形成することにより、被覆膜の形成材料によらずに一方の基板とシール材との高い密着強度が得られる。

［第１の実施形態］
以下、本発明における液晶装置及び電子機器の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は液晶装置を示す外観斜視図、図２は液晶装置の等価回路図、図３（ａ）はサブ画素領域を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図４は画像表示領域の周縁近傍における断面図である。

〔液晶装置〕
本実施形態における液晶装置１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリックス型の液晶装置である。
液晶装置１は、図１に示すように、素子基板（他方の基板）１１と、素子基板１１と対向配置された対向基板（一方の基板）１２と、素子基板１１及び対向基板１２の間に挟持されて正の誘電異方性を有するネマチック液晶が用いられた液晶層１３とを備えている。また、液晶装置１は、素子基板１１及び対向基板１２が対向する対向領域の外周部に設けられた枠状のシール材１４によって素子基板１１と対向基板１２とを貼り合わせている。そして、液晶装置１におけるシール材１４の内側に、画像表示領域１５が形成されている。
また、液晶装置１は、素子基板１１において液晶層１３から離間する外面側と対向基板１２において液晶層１３から離間する外面側とのそれぞれに設けられた偏光板（図示略）を備えている。さらに、この素子基板１１の外面側には、バックライト（図示略）が設けられている。
そして、液晶装置１は、素子基板１１に設けられたＩＣチップなどの半導体装置であるデータ線駆動回路１６及び走査線駆動回路１７を備えている。

液晶装置１の画像表示領域１５には、図２に示すように、複数の画素領域がマトリックス状に配置されている。複数の画素領域それぞれは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域を有している。
この複数のサブ画素領域それぞれには、画素電極（一方の電極）２１と、画素電極２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子２２とが形成されている。また、画像表示領域１５には、複数のデータ線２３及び走査線２４が格子状に配置されている。
ＴＦＴ素子２２は、ソースがデータ線２３に接続され、ゲートが走査線２４に接続されると共に、ドレインが画素電極２１に接続されている。
データ線２３は、データ線駆動回路１６から画像信号Ｓ１〜Ｓｎがサブ画素領域それぞれに供給される構成となっている。また、走査線２４は、走査線駆動回路１７から走査信号Ｇ１〜Ｇｍがサブ画素領域それぞれに供給される構成となっている。

次に、液晶装置の詳細な構成について、図３及び図４を参照しながら説明する。ここで、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域において長軸方向をＸ軸方向、短軸方向をＹ軸方向とする。なお、素子基板１１及び対向基板１２それぞれの外側に配置された一対の偏光板は、一方の吸収軸がＸ軸方向であると共に他方の吸収軸がＹ軸方向となっている。

素子基板１１は、図３（ｂ）及び図４に示すように、例えばガラスや石英などの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層１３側）から順次積層された駆動素子形成層３２、共通電極（他方の電極）３３、層間絶縁膜３４、画素電極２１、配向膜３５及び第１下地膜（他の下地膜）３６とを備えている。
駆動素子形成層３２には、図２に示すＴＦＴ素子２２、データ線２３及び走査線２４と適宜の絶縁膜とが形成されている。そして、ＴＦＴ素子２２は、ソースがデータ線２３に接続され、ゲートが走査線２４に接続され、ドレインが画素電極２１に接続されている。

共通電極３３は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で形成されており、駆動素子形成層３２を覆っている。また、共通電極３３には、例えば液晶層１３の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは０Ｖ、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的（フレーム期間ごとまたはフィールド期間ごと）に切り替わる信号が印加される。
層間絶縁膜３４は、例えば感光性のアクリル樹脂などの透光性材料で形成されており、共通電極３３を覆っている。

画素電極２１は、共通電極３３と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で形成されており、平面視でほぼ梯子形状となっている。そして、画素電極２１は、図３（ａ）に示すように、平面視で矩形の枠状の枠部２１ａと、ほぼサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）に延在すると共にサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）で間隔をあけて複数配置された帯状部２１ｂとを備えている。
枠部２１ａは、２対の帯状電極を平面視でほぼ矩形の枠状となるように接続した構成となっており、互いに対向する２対の辺がそれぞれ長軸方向（Ｘ軸方向）及び短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って延在している。
帯状部２１ｂは、サブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）に沿って互いが平行となるように形成されており、その両端がそれぞれ枠部２１ａのうちＸ軸方向に沿って延在する部分と接続されている。また、帯状部２１ｂは、その延在方向がＹ軸方向から傾くように形成されている。
以上より、液晶装置１は、帯状部２１ｂと共通電極３３との間に電圧を印加し、これにより生じる基板平面方向の電界（横電界）によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極２１及び共通電極３３とは、ＦＦＳ方式の電極構造を構成している。

配向膜３５は、図３（ｂ）に示すように、例えばポリイミドなどの樹脂材料で形成されており、表面に液晶層１３を構成する液晶分子の初期配向方向をサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）とする配向処理が施されている。また、配向膜３５は、画像表示領域１５内において層間絶縁膜３４及び画素電極２１を覆うように形成されている。
第１下地膜３６は、図４に示すように、層間絶縁膜３４における画像表示領域１５の外側に枠状に形成されている。また、第１下地膜３６は、例えばＳｉＮ（窒化珪素）やＳｉＯ_２（二酸化珪素）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）などのＳｉ（珪素）を構成元素とする無機材料で形成されており、その膜厚が例えば１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となっている。ここで、第１下地膜３６は、層間絶縁膜３４上に所定の開口を有するマスクを用いたスパッタ法により形成されている。

一方、対向基板１２は、図３（ｂ）及び図４に示すように、基板本体４１と、基板本体４１の内側の表面に順次積層された遮光膜４２、周縁遮光膜４３、カラーフィルタ層４４、被覆膜４５及び第２下地膜（下地膜）４６とを備えている。
遮光膜４２は、基板本体４１の表面において平面視でサブ画素領域と重なる領域に形成されており、サブ画素領域を縁取っている。そして、遮光膜４２は、黒色に着色された樹脂材料で形成されている。
周縁遮光膜４３は、図４に示すように、基板本体４１の表面において平面視で画像表示領域の周縁に配置されており、画像表示領域を縁取っている。そして、周縁遮光膜４３は、遮光膜４２と同様に、黒色に着色された樹脂材料で形成されている。

カラーフィルタ層４４は、図３（ｂ）及び図４に示すように、各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリル樹脂などで形成されて、各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。また、カラーフィルタ層４４は、周縁遮光膜４３を被覆している。
被覆膜４５は、遮光膜４２、周縁遮光膜４３及びカラーフィルタ層４４それぞれよりも液晶層１３に溶出しにくいアクリル樹脂で形成されており、カラーフィルタ層４４を覆っている。
第２下地膜４６は、図４に示すように、第１下地膜３６と同様に、被覆膜４５上における画像表示領域の周縁に形成されており、画像表示領域１５を縁取っている。また、第２下地膜４６は、例えばＳｉＮやＳｉＯ_２、ＳｉＣなどのＳｉを構成元素とする無機材料で形成されており、その膜厚が例えば１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となっている。ここで、第２下地膜４６は、被覆膜４５上に所定の開口を有するマスクを用いたスパッタ法により形成されている。

シール材１４は、例えばエポキシ樹脂で形成されており、シランカップリング材を含有している。また、シール材１４には、素子基板１１と対向基板１２との間隔を保持するための球状のギャップ材５１が分散配置されている。シール材１４は、シランカップリング材を含有していることから、被覆膜４５と比較して、Ｓｉを構成元素とする第１及び第２下地膜３６、４６それぞれと十分な密着強度で密着している。

〔電子機器〕
以上のような構成の液晶装置１は、例えば図５に示すような携帯電話機（電子機器）１００の表示部１０１として適用される。この携帯電話機１００は、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部１０５を備えている。

以上のように、本実施形態における液晶装置１及び携帯電話機１００によれば、被覆膜４５として遮光膜４２、周縁遮光膜４３及びカラーフィルタ層４４よりも液晶層１３に溶出しにくい材料を用いても、対向基板１２とシール材１４との高い密着強度が安定して得られる。また、第１及び第２下地膜３６、４６それぞれとシール材１４との密着性が向上することで、液晶装置１の長寿命化が図れる。

［第２の実施形態］
次に、本発明における液晶装置の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図６は画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。なお、本実施形態では、第１の実施形態と画像表示領域の周縁近傍の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態における液晶装置１１０は、図６に示すように、対向基板１１１に形成された被覆膜１１２及び第２下地膜１１３が同一層上に形成されている点である。
すなわち、被覆膜１１２は、カラーフィルタ層４４上における画像表示領域１５内に形成されている。また、第２下地膜１１３は、カラーフィルタ層４４上における画像表示領域１５の周縁であって被覆膜１１２の外縁に連続して形成されている。

以上のように、本実施形態における液晶装置１１０においても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏するが、被覆膜１１２及び第２下地膜１１３を共にカラーフィルタ層４４上に形成することで、被覆膜１１２及び第２下地膜１１３の間で段差が形成されにくくなる。したがって、シール材１４に分散配置されたギャップ材５１にひずみが発生することを抑制できる。

［第３の実施形態］
次に、本発明における液晶装置の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図７は画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。なお、本実施形態では、第１の実施形態と画像表示領域の周縁近傍の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態における液晶装置１２０は、図７に示すように、対向基板１２１に形成された第２下地膜１２２の表面に凹凸形状が付されている。
すなわち、被覆膜１２３は、カラーフィルタ層４４上における画像表示領域１５内に形成されている。また、カラーフィルタ層４４上における画像表示領域１５の周縁であってシール材１４の形成領域には、複数の凸部１２４が形成されている。この凸部１２４は、被覆膜１２３と同一材料で形成されており、島状に分散して形成されている。そして、凸部１２４は、カラーフィルタ層４４上の全面に被覆膜１２３及び凸部１２４の形成材料からなる膜を形成した後にこれをパターニングすることによって被覆膜１２３と共に形成されている。
第２下地膜１２２は、カラーフィルタ層４４及び複数の凸部１２４を覆うように形成されている。これにより、第２下地膜１２２の表面は、複数の凸部１２４それぞれの形状に応じた凹凸面となっている。そのため、第２下地膜１２２とシール材１４との接触面積は、凸部１２４を形成しない場合と比較して増大している。
また、素子基板１１に設けられた第１下地膜３６の表面に凹凸形状を付してもよい。

以上のように、本実施形態における液晶装置１２０においても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏するが、第２下地膜１２２とシール材１４との接触面積が増大するので、第２下地膜１２２とシール材１４とのさらに高い密着性が得られる。
なお、本実施形態において、凸部１２４が被覆膜１２３と同一材料であってパターニングにより一括して形成されているが、第２下地膜１２２の液晶層１３側の表面に凹凸形状が付されていればよく、凸部１２４を被覆膜１２３とは別に形成してもよい。例えば、被覆膜１２３が上述した第１の実施形態と同様にカラーフィルタ層４４の全面を被覆し、この被覆膜１２３上に形成された凸部を覆うように第２下地膜１２２を形成する構成としてもよい。

［第４の実施形態］
次に、本発明における液晶装置の第４の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図８は画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。なお、本実施形態では、第１の実施形態と画像表示領域の周縁近傍の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態における液晶装置１３０は、図８に示すように、対向基板１３１に形成された第２下地膜１３２がシール材１４と周縁遮光膜１３３との重なり部分から基板本体４１上にわたって形成されている。
すなわち、周縁遮光膜１３３の外縁は、基板本体４１の外縁よりも内側に位置している。また、カラーフィルタ層１３４の外縁は、平面視で周縁遮光膜１３３の外縁とほぼ重なっており、基板本体４１の外縁よりも内側に位置している。そして、被覆膜１３５は、カラーフィルタ層１３４を覆っており、その外縁が周縁遮光膜１３３、カラーフィルタ層１３４の外縁とほぼ重なって基板本体４１の外縁よりも内側に位置している。
第２下地膜１３２は、被覆膜１３５上における画像表示領域１５の外側と、周縁遮光膜１３３、カラーフィルタ層１３４及び被覆膜１３５それぞれの外側の側面と、基板本体４１の上面とを覆っている。したがって、第２下地膜１３２は、基板本体４１の上面において周縁遮光膜１３３、カラーフィルタ層１３４及び被覆膜１３５から露出した領域を覆っており、基板本体４１の上面と接触している。ここで、第２下地膜１３２が例えばＳｉＮやＳｉＯ_２、ＳｉＣなどのＳｉを構成元素とする無機材料で形成されており、基板本体４１が例えばガラスや石英など形成されていることから、第２下地膜１３２と基板本体４１とは高い密着性を有している。

以上のように、本実施形態における液晶装置１３０においても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏するが、第２下地膜１３２と基板本体４１とを接触させることで、基板本体４１のうち液晶層１３側の界面を介して液晶装置１３０の外部から液晶層１３に水分が侵入することを抑制できる。したがって、液晶装置１３０のさらなる長寿命化が図れる。
なお、本実施形態において、第２の実施形態と同様に、被覆膜１３５が画像表示領域１５内のみに形成され、第２下地膜１３２がカラーフィルタ層１３４上に形成される構成としてもよい。このようにすることで、第２の実施形態と同様の作用、効果を奏する。
また、素子基板１１に設けられた第１下地膜３６と基板本体３１とを接触させてもよい。このようにすることで、基板本体３１のうち液晶層１３側の界面を介して外部から液晶層１３に水分が侵入することを抑制できる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第１及び第２下地膜それぞれは、画像表示領域の周縁であって平面視でシール材と重なる領域の全面を含んで形成されているが、少なくとも平面視でシール材と重なる領域の一部に形成されていればよい。ここで、第１及び第２下地膜それぞれが、平面視でシール材と重なる領域において島状に分散して形成されていてもよい。
また、第１及び第２下地膜それぞれは、Ｓｉを構成元素とする無機材料であれば、黒色などに着色した材料で形成されてもよい。これにより、画像表示領域の周縁部における光抜けをより確実に防止でき、コントラストが向上する。
そして、対向基板は、第２下地膜がシール材と接触していれば、液晶層を構成する液晶分子の初期配向方向を規制する配向膜を有する構成としてもよい。
さらに、カラーフィルタ層は、周縁遮光膜を覆っているが、周縁遮光膜を覆わない構成としてもよい。

また、素子基板は、シール材との良好な密着性が得られれば、第１下地膜を設けない構成としてもよい。例えば、層間絶縁膜がＳｉＯ_２のようにＳｉを構成元素とする無機材料で形成されている場合には、層間絶縁膜とシール材との間で良好な密着性が得られるため、第１下地膜を設けなくてもよい。
そして、画素電極及び共通電極は、ＦＦＳ方式の電極構造を有しているが、ＩＰＳ方式など、いわゆる横電界方式を用いた他の電極構造を採用してもよい。また、液晶層を駆動する一対の電極が素子基板に形成されているが、一対の電極構造はこのような横電界方式を用いた電極構造に限られない。

また、電子機器は、液晶装置を表示部として備えていれば上述した携帯電話機に限らず、電子ブックやパーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末などの画像表示手段であってもよい。

本発明の第１の実施形態における液晶装置を示す外観斜視図である。図１の液晶装置を示す等価回路図である。図１のサブ画素領域を示す平面図及び断面図である。画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。本発明の液晶装置を備える携帯電話機を示す外観斜視図である。第２の実施形態における画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。第３の実施形態における画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。第４の実施形態における画像表示領域の周縁近傍を示す断面図である。

符号の説明

１，１１０，１２０，１３０液晶装置、１１素子基板（他方の基板）、１２，１１１，１２１，１３１対向基板（一方の基板）、１３液晶層、１４シール材、１５画像表示領域、２１画素電極（一方の電極）、３３共通電極（他方の電極）、３６第１下地膜（他の下地膜）、４１基板本体、４３，１３３周縁遮光膜、４５，１１２，１２３，１３５被覆膜、４６，１１３，１２２，１３２第２下地膜（下地膜）、１００携帯電話機（電子機器）

Claims

シール材により貼り合わされた一対の基板間に液晶層を挟持し、
前記一対の基板の一方が、樹脂材料で形成されて画像表示領域の周縁に配置される周縁遮光膜を有する液晶装置であって、
前記シール材の少なくとも一部が、前記一対の基板の積層方向において前記周縁遮光膜と重なり、
前記一方の基板が、前記周縁遮光膜と前記シール材との間に配置されて前記シール材と接触する下地膜と、前記周縁遮光膜と前記液晶層との間に配置されて前記周縁遮光膜よりも前記液晶層への溶解度が低い被覆膜とを有し、
前記下地膜が、珪素を構成元素とする無機材料で形成されていることを特徴とする液晶装置。
前記下地膜の内縁が、前記被覆膜の外縁と隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
前記下地膜の表面が、凹形状または凸形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
前記一方の基板が、前記周縁遮光膜が前記液晶層側に形成された基体である基板本体を有し、
前記下地膜がシール材と周縁遮光膜との重なり部から前記基板本体上にわたって形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶装置。
前記下地膜が、スパッタ法により形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶装置。
前記他方の基板が、珪素を構成元素とする無機材料で形成されて前記シール材と接触する他の下地膜を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶装置。
前記他方の基板が、前記液晶層を駆動する一対の電極を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶装置。
請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。