CN108469696A - 阵列基板以及显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板,包括像素阵列、电路、平坦层以及凸起结构。像素阵列位于有源区内。电路与像素阵列电性连接,并位于外围区内,其中外围区位于有源区与接合区之间。平坦层位于有源区、外围区及接合区内,且实质上位于电路上。凸起结构配置于平坦层上且位于外围区内,其中凸起结构的厚度约为0.3μm至0.7μm,且凸起结构至少从有源区的一边连续延伸于接合区的一边。

Description

阵列基板以及显示面板
技术领域
本发明是有关于一种阵列基板以及显示面板,且特别是有关于一种具有凸块的阵列基板以及显示面板。
背景技术
为了精准地控制显示面板的阵列基板与对向基板之间的间隙(cell gap),在两个基板之间会加入间隙物以维持间隙。目前,在显示面板中,为了避免显示面板被弯曲或按压时,因间隙物的错位或滑动而导致漏光问题,通常会在阵列基板中的平坦层上设计对应间隙物的凸块,以抵顶所对应的间隙物。然而,所述凸块的设计,将使得周边驱动电路上方具有不平坦的地形,而导致电性上的问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示面板,其目的之一为可避免阵列基板的外围区内存在电容值偏高的问题。
本发明提供一种阵列基板及显示面板,其目的之一为可避免阵列基板的等效片电阻值不均匀的问题。
本发明的一实施例的阵列基板包括像素阵列、电路、平坦层以及凸起结构。像素阵列位于有源区内。电路与像素阵列电性连接,并位于外围区内,其中外围区位于有源区与接合区之间。平坦层位于有源区、外围区及接合区内,且实质上位于电路上。凸起结构配置于平坦层上且位于外围区内,其中凸起结构的厚度约为0.3μm至0.7μm,且凸起结构至少从有源区的一边连续延伸于接合区的一边。
本发明的一实施例的显示面板包括如前所述的像素阵列、对向基板、多个第一间隙物以及多个第二间隙物。对向基板与阵列基板对向设置。多个第一间隙物配置于对向基板上,且对应有源区与接合区设置。多个第二间隙物配置于对向基板上,且对应有源区与外围区设置,其中第一间隙物的厚度大于第二间隙物的厚度,凸起结构与对应外围区的第二间隙物重叠。
基于上述,本发明的一实施例的显示面板通过包括位于外围区内且与像素阵列电性连接的电路,位于有源区、外围区及接合区内且实质上位于电路上的平坦层,以及配置在位于外围区内的平坦层上、厚度约为0.3μm至0.7μm且至少从有源区的一边连续延伸于接合区的一边的凸起结构,使得可避免外围区内存在电容值偏高及等效片电阻值不均匀的问题。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。
图2是沿图1的剖线I-I’的剖面示意图。
图3是沿图1的剖线II-II’的剖面示意图。
图4是图1的像素阵列中的像素单元的上视示意图。
图5是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。
图6是图5的显示面板中的像素单元的等效电路示意图。
其中,附图标记:
10、20:显示面板
100:阵列基板
102、112:基板
104:像素阵列
106:电路
110:对向基板
120:密封材料
130:液晶层
A:有源区
B:外围区
BM:屏蔽图案层
BP:接垫
C:接合区
CE:共用电极
CF:彩色滤光图案层
CH:沟道层
CM:共用电极层
CS:电容器
D:漏极
d:垂直距离
DC:驱动电路
DL:数据线
DU:驱动单元
E1:第一电极
E2:第二电极
G:栅极
H、I、J、K:接触孔
IL:平坦层
IL1、IL2:层间绝缘层
LL:发光层
M3:共用金属层
OLED:发光元件
P:像素单元
PE:像素电极
PL:电源线
PS1:第一间隙物
PS2:第二间隙物
S:源极
SL:扫描线
T、T1、T2:有源元件
t:厚度
X:凸起结构
Y:凸块
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
图1是依照本发明的一实施方式的显示面板的局部上视示意图。图2是沿图1的剖线I-I’的剖面示意图。图3是沿图1的剖线II-II’的剖面示意图。图4是图1的像素阵列中的像素单元的上视示意图。
请同时参照图1至图3,显示面板10包括阵列基板100、对向基板110、多个第一间隙物PS1、及多个第二间隙物PS2。另外,显示面板10可更包括密封材料120以及液晶层130。也就是说,在本实施方式中,显示面板10可为液晶显示面板。为了方便说明起见,图1中省略示出对向基板110、多个第一间隙物PS1、多个第二间隙物PS2、密封材料120以及液晶层130等构件。
在本实施方式中,阵列基板100可具有有源区A、外围区B以及接合区C,其中外围区B位于有源区A与接合区C之间。
在本实施方式中,阵列基板100包括基板102、像素阵列104、电路106、平坦层IL以及凸起结构X。另外,在本实施方式中,阵列基板100可更包括多个凸块Y、共用电极层CM、共用金属层M3、层间绝缘层IL1以及层间绝缘层IL2。
基板102的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。像素阵列104配置在基板102上,且位于有源区A内,有源区A主要用以显示图像。在本实施方式中,像素阵列104包括阵列排列的多个像素单元P。
请参照图4,在本实施方式中,每一像素单元P可包括扫描线SL、数据线DL、有源元件T、像素电极PE以及共用电极CE,但本发明并不以此为限。在其他实施方式中,多个像素单元P中也可至少一者包括扫描线SL、数据线DL、有源元件T、像素电极PE以及共用电极CE。
在本实施方式中,扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不相同,较佳的是扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。此外,扫描线SL与数据线DL可位于不相同的膜层,且扫描线SL与数据线DL之间可夹有绝缘层(未示出)。基于导电性的考量,扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料。然而,本发明并不限于此,根据其他实施方式,扫描线SL与数据线DL也可以使用例如合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物等的其他导电材料,或是金属材料与前述其它导电材料的堆叠层。另外,所述绝缘层的材质可为无机材料、有机材料或其组合,其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层;有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。
在本实施方式中,有源元件T可以是领域中具有通常知识者所周知的任一种底部栅极型薄膜晶体管,其包括栅极G、沟道层CH、源极S以及漏极D。在本实施方式中,有源元件T与扫描线SL及数据线DL电性连接。在本实施方式中,扫描线SL的部分区域是作为栅极G,此表示栅极G与扫描线SL彼此电性连接。在本实施方式中,源极S与数据线DL为一连续的导电图案,此表示源极S与数据线DL彼此电性连接。在本实施方式中,沟道层CH位于栅极G的上方,且源极S以及漏极D位于沟道层CH的上方。在本实施方式中,虽然是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。在其他实施方式中,有源元件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管、或是其它合适类型的薄膜晶体管。
像素电极PE与有源元件T电性连接。在本实施方式中,像素电极PE藉由接触孔H与有源元件T的漏极D电性连接。在本实施方式中,像素电极PE的材质可包括金属氧化物导电材料,例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。另外,在本实施方式中,像素电极PE可包括多个条状电极图案。
在本实施方式中,共用电极层CM与像素电极PE结构上分离。在本实施方式中,层间绝缘层IL2设置于共用电极层CM与像素电极PE之间。如图2及图3所示,像素电极PE设置在层间绝缘层IL2的上方,且共用电极层CM设置在层间绝缘层IL2的下方。值得一提的是,当显示面板10处于显示模式时,像素电极PE可与共用电极层CM产生边缘电场。也就是说,在本实施方式中,共用电极层CM与像素电极PE对应的部分即作为像素单元P的共用电极CE。从另一观点而言,在本实施方式中,显示面板10可为边缘长开关式(fringe field switching,FFS)显示面板。在本实施方式中,共用电极层CM电性连接至共用电压,例如约0伏特。另外,在本实施方式中,共用电极层CM与像素电极PE设置于不同平面上,但本发明并不限于此。在其他实施方式中,共用电极层CM与像素电极PE也可实质上设置于同一平面上,例如显示面板系为平面转换式(in plane switching,IPS)显示面板。
共用电极层CM例如是透明导电层,其材质包括金属氧化物导电材料,例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。层间绝缘层IL2的材质可为无机材料、有机材料或其组合,其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层;有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。
电路106配置在基板102上,且位于外围区B内。在本实施方式中,电路106可包括接垫BP以及驱动电路DC。如图2所示,共用电极层CM会经由接触孔J与接垫BP电性连接。如此一来,在本实施方式中,外部电路可经由接垫BP将共用电压传递至共用电极层CM。另外,在本实施方式中,驱动电路DC可与像素单元P电性连接,以驱动像素单元P。驱动电路DC例如是显示面板10的栅极驱动电路(gate driver on array,GOA)、源极驱动电路(source driveron array,SOA)或位移寄存器(shift register)。也就是说,在本实施方式中,电路106会与像素阵列104电性连接,以驱动像素阵列104。从另一观点而言,在本实施方式中,外围区B不用以显示图像,亦可称为非显示区。
在本实施方式中,驱动电路DC会与共用电极层CM相重叠。也就是说,在本实施方式中,共用电极层CM会自有源区A延伸设置至外围区B,亦即共用电极层CM是设置在有源区A与外围区B内。从另一观点而言,通过共用电极层CM与驱动电路DC相重叠,可阻挡外部信号干扰到驱动电路DC的信号或是阻挡驱动电路DC的信号干扰到位于共用电极层CM上方的其余信号线路的信号,而发生信号干扰的问题。换言之,在本实施方式中,对应设置在外围区B内的共用电极层CM可作用为屏蔽电极。
平坦层IL位于有源区A、外围区B及接合区C内。也就是说,在本实施方式中,平坦层IL全面性地形成在基板102上。在本实施方式中,平坦层IL实质上位于电路106上。另外,在本实施方式中,平坦层IL的材质可为光阻材料。
凸起结构X配置于平坦层IL上。在本实施方式中,凸起结构X的厚度t约为0.3μm至0.7μm。在一实施方式中,凸起结构X的厚度t约为0.5μm。另外,在本实施方式中,凸起结构X的材质可与平坦层IL的材质相同。据此,凸起结构X与平坦层IL可在同一影印蚀刻工艺中形成,其中影印蚀刻工艺例如是半调式影印蚀刻工艺(half-tone mask process,HTMprocess)或灰阶遮光掩模影印蚀刻工艺(gray mask process,GM process)。
在本实施方式中,凸起结构X位于外围区B内。请同时参考图1至图3,在本实施方式中,凸起结构X未完全覆盖外围区B内的平坦层IL上。在本实施方式中,共用电极层CM是经由位在平坦层IL中的接触孔J而与接垫BP连接,故外围区B内的共用电极层CM与接垫BP连接的区域不重叠于凸起结构X。从另一观点而言,在本实施方式中,凸起结构X至少从有源区A的一边连续延伸于接合区C的一边,如图3所示。在本实施方式中,在外围区B内,除了共用电极层CM与接垫BP连接的区域外,平坦层IL上皆设置有凸起结构X。
另外,在本实施方式中,凸起结构X与驱动电路DC相重叠。也就是说,在本实施方式中,驱动电路DC上方的地形具有良好的平坦性。一般而言,在习知的显示面板中,因具有多个凸块而导致驱动电路上方的地形不平整。如此一来,与习知的显示面板相比,在显示面板10中,位于凸起结构X上的部分的共用电极层CM与驱动电路DC的垂直距离d较为一致。从另一观点而言,在本实施方式中,凸起结构X的厚度t约为0.3μm至0.7μm,因此与习知的显示面板相比,显示面板10的垂直距离d不但较为一致也较大。在一实施方式中,所述垂直距离d约为1微米至4微米,较佳系约为1.5微米至4微米。有鉴于此,在本实施方式中,通过凸起结构X配置在位于外围区B内的平坦层IL上,厚度t约为0.3μm至0.7μm,且至少从有源区A的一边连续延伸于接合区C的一边,使得与习知的显示面板相比,显示面板10的位在外围区B中的电容器(例如:由共用电极层CM与驱动电路DC构成的电容器)的电容值可降低。在一实施方式中,与习知的显示面板,显示面板10的电容器的电容值降低约25%。
在本实施方式中,多个凸块Y配置于平坦层IL上,且位于有源区A及接合区C内。在本实施方式中,外围区B内不设置有凸块Y。在本实施方式中,凸块Y的材质可与平坦层IL的材质相同。据此,凸块Y可与凸起结构X及平坦层IL一起在同一影印蚀刻工艺中形成,其中影印蚀刻工艺例如是半调式影印蚀刻工艺(half-tone mask process,HTM process)或灰阶遮光掩模影印蚀刻工艺(gray mask process,GM process)。另外,在本实施方式中,凸块Y的厚度可与凸起结构X的厚度相同。
在本实施方式中,共用金属层M3配置于凸起结构X上,且层间绝缘层IL1配置于共用金属层M3上。在本实施方式中,共用电极层CM经由位于层间绝缘层IL1中的接触孔I与共用金属层M3电性连接。如前文所述,在本实施方式中,共用电极层CM电性连接至共用电压,故与其连接的共用金属层M3同样电性连接至共用电压,并藉此可提升显示面板10中共用电压的稳定性,以降低发生画面闪烁(flicker)或残影(Image sticking)的现象。共用金属层M3的材质可包括(但不限于):铝、钼或钛。层间绝缘层IL1的材质可为无机材料、有机材料或其组合,其中无机材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层;有机材料例如是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。
值得说明的是,如前文所述,显示面板10通过包括凸起结构X而使得外围区B内的地形平坦性增加,藉此不但可让配置于凸起结构X上的共用金属层M3的走线设计较具弹性,进而降低走线设计的复杂度并提升信号传递品质;还可使得配置于凸起结构X及平坦层IL上的共用电极层CM具有均匀的厚度,进而具有均匀的等效片电阻值。
另外,在本实施方式中,共用金属层M3位于共用电极层CM与凸起结构X之间,但本发明并不限于此。在其他实施方式中,共用金属层M3也可位于共用电极层CM之上。此时,领域中具有通常知识者应可理解,共用电极层CM可直接形成在凸起结构X及平坦层IL上,因而厚度分布更加均匀。
另外,在本实施方式中,显示面板10的阵列基板100包括共用金属层M3,但本发明并不限于此。在其他实施方式中,显示面板10的阵列基板100也可以不包括共用金属层M3。此时,领域中具有通常知识者应可理解,显示面板10的阵列基板100也不包括层间绝缘层IL1,而共用电极层CM可直接形成在凸起结构X及平坦层IL上,因而厚度分布更加均匀。
对向基板110与阵列基板100对向设置。在本实施方式中,对向基板110可包括基板112、屏蔽图案层BM以及彩色滤光图案层CF。基板112的材质可为玻璃、石英或有机聚合物。屏蔽图案层BM配置于基板112上。在本实施方式中,屏蔽图案层BM可以是任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的用于液晶显示面板中的任一屏蔽图案层。屏蔽图案层BM可用以屏蔽不欲被使用者观看到的元件及走线,例如包括扫描线SL、数据线DL、有源元件T、电路106、第一间隙物PS1、第二间隙物PS2等。屏蔽图案层BM的材质可为黑色树脂或是遮光金属(例如:铬)等反射性较低的材料。
彩色滤光图案层CF配置于基板112上。在本实施方式中,彩色滤光图案层CF可以是任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的用于液晶显示面板中的任一彩色滤光图案层。彩色滤光图案层CF对应多个像素单元P设置,以用来达成彩色画面的显示。另外,彩色滤光图案层CF可包括红色滤光图案、绿色滤光图案或是蓝色滤光图案。
多个第一间隙物PS1配置于对向基板110上,且对应有源区A与接合区B设置。在本实施方式中,如图2及图3所示,第一间隙物PS1分别与凸块Y重叠。在本实施方式中,第一间隙物PS1分别与位于凸块Y上的膜层接触。也就是说,在本实施方式中,第一间隙物PS1可视为支撑阵列基板100与对向基板110之间的间隙(cell gap)的主间隙物(main spacer)。
多个第二间隙物PS2配置于对向基板110上,且对应有源区A与外围区B设置。在本实施方式中,如图2及图3所示,对应外围区B设置的第二间隙物PS2与凸起结构X重叠,而对应有源区A设置的第二间隙物PS2分别与凸块Y重叠。在本实施方式中,第二间隙物PS2皆不与位于凸起结构X或凸块Y上的膜层接触。也就是说,在本实施方式中,第一间隙物PS1的厚度大于第二间隙物PS2的厚度。从另一观点而言,在本实施方式中,第二间隙物PS2可视为子间隙物(sub spacer),以在特殊情况下(例如:显示面板10过度受压而第一间隙物PS1形变时),抵接至位于凸起结构X或凸块Y上的膜层来使阵列基板100与对向基板110之间仍维持一定的距离。另外,在本实施方式中,第一间隙物PS1与第二间隙物PS2的材质可包括光阻材料或其他合适的材料。
在本实施方式中,密封材料120位于阵列基板100与对向基板110之间且位于接合区C内,以将阵列基板100与对向基板110组立在一起,并使液晶层130密封于所述阵列基板100与对向基板110之间。也就是说,在本实施方式中,接合区C不用以显示图像,亦可称为非显示区。另外,在本实施方式中,对应接合区C的第一间隙物PS1分布于密封材料120内。如此一来,密封材料120也可提供支撑阵列基板100与对向基板110之间的间隙的作用。另外,密封材料120可以是玻璃胶(frit material)、紫外光胶、热固性胶、压克力树脂(acrylicresin)或环氧树脂(epoxy resin)。
在本实施方式中,液晶层130位于阵列基板100与对向基板110之间。在本实施方式中,液晶层130可以是任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的用于液晶显示面板中的任一液晶层,液晶层130包括多个液晶分子。
基于前文可知,显示面板10通过包括位于外围区B内且与像素阵列104电性连接的电路106,以及配置在位于外围区B内的平坦层IL上、厚度t约为0.3μm至0.7μm且至少从有源区A的一边连续延伸于接合区C的一边的凸起结构X,使得显示面板10的外围区B内的地形平坦性增加,因而位于外围区B内的共用电极层CM得以具有均匀的等效片电阻值,以及使得显示面板10的位于外围区B内的电容器(例如:由共用电极层CM与驱动电路DC构成的电容器)的电容值可降低。
另外,虽然前述实施方式中,显示面板10为液晶显示面板,但本发明并不限于此。在其他实施方式中,本发明的显示面板也可以是有机发光显示面板。以下,将参照图5及图6进行详细说明。在此必须说明的是,下述实施方式沿用了前述实施方式的元件符号与部分内容,其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式,下述实施方式不再重复赘述。
图5是依照本发明的另一实施方式的显示面板的局部剖面示意图。图6是图5的显示面板中的像素单元的等效电路示意图。值得注意的是,图5的显示面板20的上视示意图可参考图1,而图5的剖面位置可参照图1中的剖线I-I’的位置。
请同时参照图5及图2,图5的显示面板20与图1的显示面板10相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式。以下,将就两者间的差异处做说明。
请同时参照图5及图6,在本实施方式中,每一像素单元P可包括扫描线SL、数据线DL、驱动单元DU、电源线PL、发光元件OLED,但本发明并不限于此。在其他实施方式中,多个像素单元P中也可至少一者包括扫描线SL、数据线DL、驱动单元DU、电源线PL、发光元件OLED。
在本实施方式中,驱动单元DU可包括有源元件T1、有源元件T2以及电容器CS。有源元件T1、有源元件T2可以是领域中具有通常知识者所周知的任一种薄膜晶体管,因此有源元件T1与有源元件T2的结构可参考前述实施方式中关于有源元件T的描述。在本实施方式中,有源元件T1可称为开关薄膜晶体管,其与扫描线SL以及数据线DL电性连接;而有源元件T2可称为驱动薄膜晶体管,其与有源元件T、电源线PL以及发光元件OLED电性连接。在本实施方式中,电容器CS与有源元件T1、T2以及电源线PL电性连接。基于上述,在本实施方式中,像素单元P是以两个有源元件(有源元件T1、T2)搭配一个电容器(电容器CS)(意即2T1C)的结构为例来说明,但本发明并不以此为限。换言之,本发明不限制像素单元P内的有源元件与电容器的数量。
在本实施方式中,发光元件OLED包括第一电极E1、发光层LL以及第二电极E2。在本实施方式中,第一电极E1与驱动单元DU电性连接。在本实施方式中,第一电极E1会经由位于平坦层IL中的接触孔(未示出)与驱动单元DU中的有源元件T2电性连接。第一电极E1的材质可为透明导电材料或是不透明导电材料。所述透明导电材料可包括金属氧化物导电材料,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其他合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。所述不透明导电材料可包括金属。
在本实施方式中,发光层LL位于第一电极E1上。发光层LL可以是领域中具有通常知识者所周知的用于有机发光显示面板中的任一种发光层。发光层LL可为红色有机发光层、绿色有机发光层、蓝色有机发光层、其他颜色有机发光层或上述发光层的组合。此外,领域中具有通常知识者可更选择性地将电子传输层、电子注入层、空穴传输层、空穴注入层或上述四种膜层的组合设置于第一电极E1及第二电极E2之间适当的位置。
在本实施方式中,第二电极E2位于发光层LL上且覆盖发光层LL。第二电极E2的材质可为透明导电材料或是不透明导电材料。所述透明导电材料可包括金属氧化物导电材料,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其他合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。所述不透明导电材料可包括金属。另外,在本实施方式中,多个像素单元P中的第二电极E2彼此连接以形成电极层EL。也就是说,在本实施方式中,电极层EL与发光层LL对应的部分即作为发光元件OLED的第二电极E2。
在本实施方式中,如图5所示,电极层EL经由位于平坦层IL中的接触孔K与接垫BP电性连接。如此一来,在本实施方式中,外部电路可经由接垫BP将电压信号输入至电极层EL。在一实施方式中,输入至电极层EL的电压信号例如是接地电压。另一方面,如前文所述,接垫BP位于外围区B内,因此在本实施方式中,电极层EL是自有源区A延伸设置至外围区B。也就是说,电极层EL是设置在有源区A与外围区B内。
在本实施方式中,驱动电路DC会与电极层EL相重叠。通过电极层EL与驱动电路DC相重叠,可阻挡外部信号干扰到驱动电路DC的信号或是阻挡驱动电路DC的信号干扰到位于电极层EL上方的其余信号线路的信号,而发生信号干扰的问题。换言之,在本实施方式中,对应设置在外围区B内的电极层EL可作用为屏蔽电极。
如前文所述,凸起结构X与驱动电路DC相重叠,以在驱动电路DC上方提供平坦性良好的地形,因此与习知的显示面板相比,在显示面板20中,位于凸起结构X上的部分的电极层EL与驱动电路DC的垂直距离d较为一致。从另一观点而言,如前文所述,凸起结构X的厚度t约为0.3μm至0.7μm,因此与习知的显示面板相比,显示面板20的垂直距离d不但较为一致也较长。在一实施方式中,所述垂直距离d约为1.5微米至4微米。在本实施方式中,通过凸起结构X配置在位于外围区B内的平坦层IL上,厚度t约为0.3μm至0.7μm,且至少从有源区A的一边连续延伸于接合区C的一边,使得与习知的显示面板相比,显示面板20的位在外围区B中的电容器(例如:由电极层EL与驱动电路DC构成的电容器)的电容值可降低。在一实施方式中,与习知的显示面板相比,位在外围区B中的电容器的电容值降低约25%。
另外,在显示面板20中,虽然对向基板110包括彩色滤光图案层CF,但本发明并不限于此。在其他实施方式中,对向基板110也可以不包括彩色滤光图案层。
基于前述图1至图4的实施方式及本实施方式的内容可知,显示面板20通过包括位于外围区B内且与像素阵列104电性连接的电路106,以及配置在位于外围区B内的平坦层IL上、厚度t约为0.3μm至0.7μm且至少从有源区A的一边连续延伸于接合区C的一边的凸起结构X,使得显示面板20的外围区B内的地形平坦性增加,因而位于外围区B内的电极层EL得以具有均匀的等效片电阻值,以及使得显示面板20的位于外围区B内的电容器(例如:由电极层EL与驱动电路DC构成的电容器)的电容值可降低。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
一像素阵列,位于一有源区内;
一电路,与该像素阵列电性连接,并位于一外围区内,其中该外围区位于该有源区与一接合区之间;
一平坦层,位于该有源区、该外围区及该接合区内,且实质上位于该电路上;以及
一凸起结构,配置于该平坦层上且位于该外围区内,其中该凸起结构的厚度约为0.3μm至0.7μm,且该凸起结构至少从该有源区的一边连续延伸于该接合区的一边。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,更包括多个凸块,配置于该平坦层上且位于该有源区及该接合区内。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,其中该凸起结构的材质与该平坦层的材质相同,且该些凸块的材质与该平坦层的材质相同。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,其中该凸起结构的厚度与该些凸块的厚度相同。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中该像素阵列包括:
多个像素单元,该些像素单元中的至少一个包括:
一有源元件;以及
一像素电极,与该有源元件电性连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,其中该阵列基板更包括一共用电极层,位于该凸起结构以及该平坦层上,且与该些像素电极结构上分离。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,其中该电路包括:
一接垫,其中该共用电极层经由一接触孔与该接垫电性连接;以及
一驱动电路,与该些像素单元电性连接,其中该共用电极层与该驱动电路相重叠。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,其中该凸起结构与该驱动电路相重叠,使得位于该凸起结构上的部分该共用电极层与该驱动电路的垂直距离约为1.5微米至4微米。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其中该像素阵列包括:
多个像素单元,该些像素单元中的每一个包括:
一驱动单元;
一第一电极,与该驱动单元电性连接;
一发光层,位于该第一电极上;以及
一第二电极,位于该发光层上,其中该些像素单元的该些第二电极彼此连接以形成一电极层。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,其中该电路包括:
一接垫,其中该电极层经由一接触孔与该接垫电性连接;以及
一驱动电路,与该些像素单元电性连接,其中该电极层与该驱动电路相重叠。
11.如权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,其中该凸起结构与该驱动电路相重叠,使得位于该凸起结构上的部分该电极层与该驱动电路的垂直距离约为1.5微米至4微米。
12.一种显示面板,其特征在于,包括:
一种如权利要求1所述的阵列基板;
一对向基板,与该阵列基板对向设置;
多个第一间隙物,配置于该对向基板上,且对应该有源区与该接合区设置;以及
多个第二间隙物,配置于该对向基板上,且对应该有源区与该外围区设置,其中该些第一间隙物的厚度大于该些第二间隙物的厚度,该凸起结构与对应该外围区的该些第二间隙物重叠。
13.如权利要求12所述的显示面板,其特征在于,其中该些凸块分别与该些第一间隙物重叠或分别与该些第二间隙物重叠,该显示面板更包括:
一密封材料,位于该阵列基板与该对向基板之间,且位于该接合区内;以及
一液晶层,位于该阵列基板与该对向基板之间。
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