JP2013243372A5 - 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 - Google Patents
半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013243372A5 JP2013243372A5 JP2013132948A JP2013132948A JP2013243372A5 JP 2013243372 A5 JP2013243372 A5 JP 2013243372A5 JP 2013132948 A JP2013132948 A JP 2013132948A JP 2013132948 A JP2013132948 A JP 2013132948A JP 2013243372 A5 JP2013243372 A5 JP 2013243372A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- conductive film
- film
- transistor
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (10)
- 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第2の導電膜は、透光性を有し、
前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第3の配線と、前記第3の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第2の導電膜は、透光性を有し、
前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタ及び前記第3の配線と重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第2の導電膜は、透光性を有し、
前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
前記第2の配線は、前記トランジスタの第1のゲート電極として機能する第1の領域と、前記トランジスタの第2のゲート電極として機能する第2の領域とを有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、容量配線としての機能を有する第3の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第4の配線と、容量と、前記第4の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第2の配線は、第1の方向に延在しており、
前記第3の配線は、前記第1の方向に沿うように延在しており、
前記第4配線は、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在しており、
前記第3の配線は、前記第2の配線と同層に設けられており、
前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第2の導電膜は、透光性を有し、
前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
前記トランジスタが有する半導体層は、前記第1の方向に延在する第1の領域と、前記第2の方向に延在する第2の領域とを有し、
前記第2の領域は、前記第4の配線と重なる部分を有し、
前記第2の領域において、前記トランジスタは前記第4の配線と電気的に接続されており、
前記容量は、前記半導体層の前記第1の領域の一部と、前記第3の配線の一部の領域とを有し、
前記第3の配線の前記一部の領域は、前記第2の方向に突出した部分を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記絶縁膜は、第1の膜と、前記第1の膜上方の第2の膜とを有し、
前記第1の膜は、シリコンと窒素とを有し、
前記第2の膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、容量配線としての機能を有する第3の配線と、容量と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第2の導電膜は、透光性を有し、
前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
前記トランジスタが有する半導体層は、第2の絶縁膜を介して前記第2の配線と重なる第1の領域と、前記第2の絶縁膜を介して前記第3の配線と重なる第2の領域とを有し、
前記第3の配線は、前記第2の配線と同層に設けられており、
前記容量は、前記半導体層の一部と、前記第2の絶縁膜の一部と、前記第3の配線の一部とを有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、容量配線としての機能を有する第3の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第4の配線と、前記第4の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第2の導電膜は、透光性を有し、
前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
前記トランジスタが有する半導体層は、第2の絶縁膜を介して前記第2の配線と重なる第1の領域と、前記第2の絶縁膜を介して前記第3の配線と重なる第2の領域とを有し、
前記第3の配線は、前記第2の配線と同層に設けられており、
前記第3の配線は、第3の絶縁膜を介して、前記第4の配線と同層に設けられた導電層と重なる領域を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6又は7において、
前記第1の絶縁膜は、第1の膜と、前記第1の膜上方の第2の膜とを有し、
前記第1の膜は、シリコンと窒素とを有し、
前記第2の膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器。
- 請求項1乃至8のいずれか一に記載の半導体装置と、タッチパネルと、LEDバックライトとを有する携帯型情報端末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013132948A JP5487352B2 (ja) | 1999-07-22 | 2013-06-25 | 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1999207041 | 1999-07-22 | ||
JP20704199 | 1999-07-22 | ||
JP2013132948A JP5487352B2 (ja) | 1999-07-22 | 2013-06-25 | 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012138472A Division JP5386614B2 (ja) | 1999-07-22 | 2012-06-20 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013249228A Division JP5712273B2 (ja) | 1999-07-22 | 2013-12-02 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013243372A JP2013243372A (ja) | 2013-12-05 |
JP2013243372A5 true JP2013243372A5 (ja) | 2014-02-06 |
JP5487352B2 JP5487352B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=16533238
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000219727A Expired - Fee Related JP4627843B2 (ja) | 1999-07-22 | 2000-07-19 | 半導体装置 |
JP2010209269A Expired - Lifetime JP5138013B2 (ja) | 1999-07-22 | 2010-09-17 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
JP2012138472A Expired - Lifetime JP5386614B2 (ja) | 1999-07-22 | 2012-06-20 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
JP2013132948A Expired - Lifetime JP5487352B2 (ja) | 1999-07-22 | 2013-06-25 | 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 |
JP2013249228A Expired - Lifetime JP5712273B2 (ja) | 1999-07-22 | 2013-12-02 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
JP2014229680A Withdrawn JP2015096952A (ja) | 1999-07-22 | 2014-11-12 | 表示装置 |
JP2016182946A Expired - Lifetime JP6650853B2 (ja) | 1999-07-22 | 2016-09-20 | 表示装置 |
JP2019044790A Withdrawn JP2019109545A (ja) | 1999-07-22 | 2019-03-12 | 電子機器 |
JP2019087400A Withdrawn JP2019139248A (ja) | 1999-07-22 | 2019-05-07 | 半導体装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000219727A Expired - Fee Related JP4627843B2 (ja) | 1999-07-22 | 2000-07-19 | 半導体装置 |
JP2010209269A Expired - Lifetime JP5138013B2 (ja) | 1999-07-22 | 2010-09-17 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
JP2012138472A Expired - Lifetime JP5386614B2 (ja) | 1999-07-22 | 2012-06-20 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013249228A Expired - Lifetime JP5712273B2 (ja) | 1999-07-22 | 2013-12-02 | 半導体装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
JP2014229680A Withdrawn JP2015096952A (ja) | 1999-07-22 | 2014-11-12 | 表示装置 |
JP2016182946A Expired - Lifetime JP6650853B2 (ja) | 1999-07-22 | 2016-09-20 | 表示装置 |
JP2019044790A Withdrawn JP2019109545A (ja) | 1999-07-22 | 2019-03-12 | 電子機器 |
JP2019087400A Withdrawn JP2019139248A (ja) | 1999-07-22 | 2019-05-07 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US7411211B1 (ja) |
JP (9) | JP4627843B2 (ja) |
KR (1) | KR100790525B1 (ja) |
CN (3) | CN1282106B (ja) |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4627843B2 (ja) | 1999-07-22 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US6825488B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6580475B2 (en) * | 2000-04-27 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
SG160191A1 (en) | 2001-02-28 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20020083249A (ko) | 2001-04-26 | 2002-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 배선의 접촉 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP4650656B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法 |
JP4256087B2 (ja) | 2001-09-27 | 2009-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7098069B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
JP4271413B2 (ja) | 2002-06-28 | 2009-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7361027B2 (en) | 2002-12-25 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure, display device and electronic device |
US7408611B2 (en) * | 2003-07-29 | 2008-08-05 | Tpo Hong Kong Holding Limited | Electronic apparatus with a wiring terminal |
KR100886292B1 (ko) * | 2003-09-09 | 2009-03-04 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 소자를 포함하는 반도체 모듈과 반도체 장치, 그들의 제조 방법 및 표시 장치 |
JP4266768B2 (ja) | 2003-10-17 | 2009-05-20 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 画像表示装置 |
KR100544138B1 (ko) * | 2003-11-12 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
JP4085094B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2008-04-30 | シャープ株式会社 | 導電素子基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法 |
JP2006003493A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 形状転写方法 |
JP2006047827A (ja) | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP5244293B2 (ja) * | 2004-12-02 | 2013-07-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7916263B2 (en) | 2004-12-02 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
JP5091391B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 表示装置及びその製造方法 |
JP5201381B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2013-06-05 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
CN103257491B (zh) | 2006-09-29 | 2017-04-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体设备 |
TWI354851B (en) * | 2006-12-22 | 2011-12-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Structure of bonding substrates and its inspection |
KR100787464B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법 |
JP5205012B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器 |
TWI334503B (en) * | 2007-10-12 | 2010-12-11 | Au Optronics Corp | Touch-sensing flat panel display and method for manufacturing the same |
CN101520401B (zh) * | 2008-02-29 | 2012-08-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 粒子统计方法及装置 |
US8465795B2 (en) * | 2008-05-20 | 2013-06-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Annealing a buffer layer for fabricating electronic devices on compliant substrates |
TWI372899B (en) * | 2008-08-01 | 2012-09-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Connecting structure between display panel and flexible printed circuit board |
TWI386656B (zh) * | 2009-07-02 | 2013-02-21 | Novatek Microelectronics Corp | 電容值測量電路與方法 |
EP2463759A1 (en) * | 2009-09-15 | 2012-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Touch panel and display device provided with same |
KR101094294B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP5421751B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2014-02-19 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
KR20110090408A (ko) | 2010-02-03 | 2011-08-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법, 표시판용 금속 배선 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
WO2011126726A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-13 | Semprius, Inc. | Electrically bonded arrays of transfer printed active components |
US9161448B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
US8455895B2 (en) * | 2010-11-08 | 2013-06-04 | Bridgelux, Inc. | LED-based light source utilizing asymmetric conductors |
US9478719B2 (en) * | 2010-11-08 | 2016-10-25 | Bridgelux, Inc. | LED-based light source utilizing asymmetric conductors |
US8859330B2 (en) * | 2011-03-23 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR20130016938A (ko) * | 2011-08-09 | 2013-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
JP5721601B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-05-20 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 |
WO2013137081A1 (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | シャープ株式会社 | 表示パネル |
CN102799311B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-03-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 触摸屏、包含该触摸屏的电子设备及触摸屏的制造方法 |
JP5840598B2 (ja) | 2012-12-17 | 2016-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出機能付き表示装置、電子機器及びタッチ検出機能付き表示装置の製造方法 |
KR102006637B1 (ko) | 2013-03-20 | 2019-10-01 | 한국전자통신연구원 | 범프의 형성 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자의 형성방법 |
KR102032271B1 (ko) | 2013-08-09 | 2019-10-16 | 한국전자통신연구원 | 전자기기의 접합구조 |
KR102214942B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2021-02-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 |
TWI528074B (zh) * | 2014-03-28 | 2016-04-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
JP2016009419A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | タッチパネル構造及びその製造方法並びに表示装置及びその製造方法 |
WO2016012409A2 (en) | 2014-07-20 | 2016-01-28 | X-Celeprint Limited | Apparatus and methods for micro-transfer printing |
JP6428089B2 (ja) | 2014-09-24 | 2018-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN104407740B (zh) * | 2014-12-03 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控面板及其制备方法、显示装置 |
US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
US10283945B2 (en) | 2016-03-23 | 2019-05-07 | Eaton Intelligent Power Limited | Load center thermally conductive component |
US10115657B2 (en) * | 2016-03-23 | 2018-10-30 | Eaton Intelligent Power Limited | Dielectric heat path devices, and systems and methods using the same |
CN109073923B (zh) * | 2016-04-21 | 2021-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 调光膜、夹层玻璃及调光膜的制造方法 |
CN107343352A (zh) * | 2016-05-03 | 2017-11-10 | 琦芯科技股份有限公司 | 具显示介面的软性电路连接架构与其制作方法 |
WO2018020333A1 (en) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
JP6981812B2 (ja) | 2016-08-31 | 2021-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102425705B1 (ko) | 2016-08-31 | 2022-07-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US10369664B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
CN106784390A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于显示面板的基板及其制作方法、显示面板及封装方法 |
KR102356741B1 (ko) * | 2017-05-31 | 2022-01-28 | 삼성전자주식회사 | 절연층들을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP6953886B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2021-10-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法 |
JP6813461B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2021-01-13 | タツタ電線株式会社 | シートセンサ |
CN108933179B (zh) * | 2018-07-05 | 2020-06-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法 |
CN110911382B (zh) * | 2018-09-14 | 2021-06-25 | 群创光电股份有限公司 | 天线装置 |
CN111352516B (zh) * | 2018-12-24 | 2022-08-19 | 江西卓讯微电子有限公司 | 触摸屏及电子设备 |
KR102078855B1 (ko) * | 2019-01-03 | 2020-02-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 터치 센서 모듈, 이를 포함하는 윈도우 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
US10748793B1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-18 | X Display Company Technology Limited | Printing component arrays with different orientations |
US10903618B2 (en) * | 2019-03-20 | 2021-01-26 | Chroma Ate Inc. | Fixture assembly for testing edge-emitting laser diodes and testing apparatus having the same |
KR20200129224A (ko) * | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN115940872B (zh) * | 2022-12-12 | 2024-03-08 | 武汉润晶汽车电子有限公司 | 一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器 |
Family Cites Families (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5598832A (en) * | 1979-01-23 | 1980-07-28 | Nec Kyushu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS5690525A (en) * | 1979-11-28 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS57147253A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS5928344A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS59214228A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0616506B2 (ja) | 1984-12-26 | 1994-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
JPS63160352A (ja) | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
JPS63161645A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4960719A (en) | 1988-02-04 | 1990-10-02 | Seikosha Co., Ltd. | Method for producing amorphous silicon thin film transistor array substrate |
JP2820147B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1998-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JPH02244631A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Fujitsu Ltd | 配線パターン形成方法 |
JPH06208132A (ja) * | 1990-03-24 | 1994-07-26 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH0439625A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
JPH04133027A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
JP2963529B2 (ja) * | 1990-10-29 | 1999-10-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
JPH04333224A (ja) * | 1991-05-09 | 1992-11-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR930002855A (ko) * | 1991-07-15 | 1993-02-23 | 이헌조 | 액정표시소자의 제조방법 |
US5485019A (en) * | 1992-02-05 | 1996-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
JPH05289109A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JP3391485B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2003-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶素子の製造方法 |
JP3162220B2 (ja) * | 1993-02-01 | 2001-04-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JPH0756184A (ja) * | 1993-08-12 | 1995-03-03 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP3006985B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2000-02-07 | シャープ株式会社 | 表示用基板およびその実装構造 |
JP3023052B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2000-03-21 | シャープ株式会社 | 表示用基板 |
TW340192B (en) * | 1993-12-07 | 1998-09-11 | Sharp Kk | A display board having wiring with three-layered structure and a display device including the display board |
JP3445276B2 (ja) * | 1993-12-14 | 2003-09-08 | 株式会社東芝 | 配線形成用Mo−WターゲットとMo−W配線薄膜、およびそれを用いた液晶表示装置 |
US5364817A (en) * | 1994-05-05 | 1994-11-15 | United Microelectronics Corporation | Tungsten-plug process |
JP3504993B2 (ja) * | 1995-01-20 | 2004-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス回路 |
JP2555987B2 (ja) * | 1994-06-23 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
TW321731B (ja) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JPH08227079A (ja) | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH08234212A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
JPH08234225A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
US5757456A (en) | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
JPH08292443A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Kyocera Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US5648674A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-15 | Xerox Corporation | Array circuitry with conductive lines, contact leads, and storage capacitor electrode all formed in layer that includes highly conductive metal |
JP3565993B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2004-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JP3208294B2 (ja) * | 1995-08-29 | 2001-09-10 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及び携帯端末 |
JP3650405B2 (ja) | 1995-09-14 | 2005-05-18 | 株式会社 日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3663261B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
GB2307341B (en) * | 1995-11-15 | 2000-06-14 | Hyundai Electronics Ind | Method of forming a tungsten plug of a semiconductor device |
EP0775931B1 (en) | 1995-11-21 | 2005-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display |
JP3842852B2 (ja) * | 1995-11-27 | 2006-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2865039B2 (ja) * | 1995-12-26 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JPH10133216A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH09189737A (ja) | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
JP3574270B2 (ja) | 1996-04-17 | 2004-10-06 | 三菱電機株式会社 | Alテーパドライエッチング方法 |
KR0169443B1 (ko) | 1996-06-04 | 1999-03-20 | 김광호 | 액정 표시 장치 |
JP3871736B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2007-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置 |
JPH1039334A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Toshiba Corp | アレイ基板および液晶表示装置 |
JP3667893B2 (ja) * | 1996-09-24 | 2005-07-06 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6445004B1 (en) | 1998-02-26 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
US6081308A (en) | 1996-11-21 | 2000-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display |
US6337520B1 (en) | 1997-02-26 | 2002-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof |
JP2988399B2 (ja) * | 1996-11-28 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
JPH10170940A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH10197891A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示素子 |
JP3753827B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2006-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JPH10228022A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
TW400556B (en) * | 1997-02-26 | 2000-08-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
TW376547B (en) * | 1997-03-27 | 1999-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for plasma processing |
JP3784491B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2006-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型の表示装置 |
JPH10275683A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜積層型導電体 |
JPH112830A (ja) * | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法 |
JP3312151B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2002-08-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3847419B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2006-11-22 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH1152423A (ja) * | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Advanced Display:Kk | 液晶表示装置および該装置に用いられるアクティブマトリクス基板の製法 |
JPH1184386A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-26 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3907804B2 (ja) | 1997-10-06 | 2007-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP3699828B2 (ja) * | 1997-10-06 | 2005-09-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JPH11125837A (ja) | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Nanokkusu Kk | チップオンガラス液晶表示装置 |
JP4131297B2 (ja) | 1997-10-24 | 2008-08-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3361278B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-01-07 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法 |
KR100320007B1 (ko) | 1998-03-13 | 2002-01-10 | 니시무로 타이죠 | 표시장치용 어레이기판의 제조방법 |
JP2000002892A (ja) | 1998-04-17 | 2000-01-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置、マトリクスアレイ基板およびその製造方法 |
KR100320661B1 (ko) | 1998-04-17 | 2002-01-17 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치, 매트릭스 어레이기판 및 그 제조방법 |
KR19990083510A (ko) | 1998-04-27 | 1999-11-25 | 가나이 쓰도무 | 액티브매트릭스형액정표시장치 |
JP4017754B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2007-12-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US6297519B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
CN1139837C (zh) | 1998-10-01 | 2004-02-25 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
US6909114B1 (en) * | 1998-11-17 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having LDD regions |
US6287899B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
TWI255957B (en) | 1999-03-26 | 2006-06-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
TW459275B (en) | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
JP4627843B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2001257350A (ja) | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000219727A patent/JP4627843B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-19 US US09/619,477 patent/US7411211B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-22 KR KR1020000042234A patent/KR100790525B1/ko active IP Right Grant
- 2000-07-24 CN CN001217372A patent/CN1282106B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-24 CN CN201110233050.0A patent/CN102339812B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-24 CN CN2007101603985A patent/CN101241886B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-07-29 US US12/219,787 patent/US7626202B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-25 US US12/625,592 patent/US7956359B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-17 JP JP2010209269A patent/JP5138013B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-03-21 US US13/052,337 patent/US8258515B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-03 US US13/462,957 patent/US8368076B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-20 JP JP2012138472A patent/JP5386614B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-01-24 US US13/748,869 patent/US8624253B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-25 JP JP2013132948A patent/JP5487352B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-12-02 JP JP2013249228A patent/JP5712273B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-11-12 JP JP2014229680A patent/JP2015096952A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-09-20 JP JP2016182946A patent/JP6650853B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2019
- 2019-03-12 JP JP2019044790A patent/JP2019109545A/ja not_active Withdrawn
- 2019-05-07 JP JP2019087400A patent/JP2019139248A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013243372A5 (ja) | 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 | |
JP2013190824A5 (ja) | El表示装置 | |
JP2013016831A5 (ja) | ||
JP2012134520A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2012138590A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2013149961A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013231986A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2014002387A5 (ja) | ||
JP2014199404A5 (ja) | ||
JP2014063179A5 (ja) | ||
JP2014029529A5 (ja) | ||
JP2013211573A5 (ja) | ||
JP2015165329A5 (ja) | 表示装置の作製方法、及び表示装置 | |
JP2015128163A5 (ja) | ||
JP2015127951A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2014150273A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011119718A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014059574A5 (ja) | 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 | |
JP2011155255A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013029847A5 (ja) | El表示装置 | |
JP2015073101A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014078027A5 (ja) | 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話 | |
JP2013033998A5 (ja) | ||
JP2013012483A5 (ja) | 発光装置 | |
JP2011049540A5 (ja) |