JP2013243372A5 - 半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末 - Google Patents

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  1. 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
    前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
    前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
    前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
    前記第2の導電膜は、透光性を有し、
    前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
    前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
    前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
    前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
    前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第3の配線と、前記第3の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
    前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
    前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
    前記第2の導電膜は、透光性を有し、
    前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
    前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
    前記スペーサは、前記トランジスタ及び前記第3の配線と重なる領域を有し、
    前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
    前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
    前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
    前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
    前記第2の導電膜は、透光性を有し、
    前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
    前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
    前記第2の配線は、前記トランジスタの第1のゲート電極として機能する第1の領域と、前記トランジスタの第2のゲート電極として機能する第2の領域とを有し、
    前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
    前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
    前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、容量配線としての機能を有する第3の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第4の配線と、容量と、前記第4の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
    前記第2の配線は、第1の方向に延在しており、
    前記第3の配線は、前記第1の方向に沿うように延在しており、
    前記第4配線は、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在しており、
    前記第3の配線は、前記第2の配線と同層に設けられており、
    前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
    前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
    前記第2の導電膜は、透光性を有し、
    前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
    前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
    前記トランジスタが有する半導体層は、前記第1の方向に延在する第1の領域と、前記第2の方向に延在する第2の領域とを有し、
    前記第2の領域は、前記第4の配線と重なる部分を有し、
    前記第2の領域において、前記トランジスタは前記第4の配線と電気的に接続されており、
    前記容量は、前記半導体層の前記第1の領域の一部と、前記第3の配線の一部の領域とを有し、
    前記第3の配線の前記一部の領域は、前記第2の方向に突出した部分を有し、
    前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
    前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一において、
    前記絶縁膜は、第1の膜と、前記第1の膜上方の第2の膜とを有し、
    前記第1の膜は、シリコンと窒素とを有し、
    前記第2の膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
  6. 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
    前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、容量配線としての機能を有する第3の配線と、容量と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
    前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
    前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
    前記第2の導電膜は、透光性を有し、
    前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
    前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
    前記トランジスタが有する半導体層は、第2の絶縁膜を介して前記第2の配線と重なる第1の領域と、前記第2の絶縁膜を介して前記第3の配線と重なる第2の領域とを有し、
    前記第3の配線は、前記第2の配線と同層に設けられており、
    前記容量は、前記半導体層の一部と、前記第2の絶縁膜の一部と、前記第3の配線の一部とを有し、
    前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
    前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 基板上方に、画素部と、FPCと電気的に接続された第1の配線と、を有し、
    前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第2の配線と、容量配線としての機能を有する第3の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第4の配線と、前記第4の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
    前記第1の配線は、第1の導電膜と、前記第1の導電膜上方の第2の導電膜とを有し、
    前記第1の導電膜は、前記第2の配線と同層に設けられた領域を有し、
    前記第2の導電膜は、透光性を有し、
    前記第1の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
    前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は、テーパー部を有し、
    前記トランジスタが有する半導体層は、第2の絶縁膜を介して前記第2の配線と重なる第1の領域と、前記第2の絶縁膜を介して前記第3の配線と重なる第2の領域とを有し、
    前記第3の配線は、前記第2の配線と同層に設けられており、
    前記第3の配線は、第3の絶縁膜を介して、前記第4の配線と同層に設けられた導電層と重なる領域を有し、
    前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
    前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項6又は7において、
    前記第1の絶縁膜は、第1の膜と、前記第1の膜上方の第2の膜とを有し、
    前記第1の膜は、シリコンと窒素とを有し、
    前記第2の膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器。
  10. 請求項1乃至8のいずれか一に記載の半導体装置と、タッチパネルと、LEDバックライトとを有する携帯型情報端末。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4627843B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6825488B2 (en) * 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
SG160191A1 (en) 2001-02-28 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20020083249A (ko) 2001-04-26 2002-11-02 삼성전자 주식회사 배선의 접촉 구조 및 그의 제조 방법과 이를 포함하는박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4650656B2 (ja) * 2001-07-19 2011-03-16 ソニー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法
JP4256087B2 (ja) 2001-09-27 2009-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP4271413B2 (ja) 2002-06-28 2009-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7361027B2 (en) 2002-12-25 2008-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contact structure, display device and electronic device
KR101061915B1 (ko) * 2003-07-29 2011-09-02 티피오 홍콩 홀딩 리미티드 배선 단자를 구비한 전자 장치
CN100524734C (zh) 2003-09-09 2009-08-05 三洋电机株式会社 含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
JP4266768B2 (ja) 2003-10-17 2009-05-20 Nec液晶テクノロジー株式会社 画像表示装置
KR100544138B1 (ko) * 2003-11-12 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자
JP4085094B2 (ja) * 2004-02-19 2008-04-30 シャープ株式会社 導電素子基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法
JP2006003493A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Nikon Corp 形状転写方法
JP2006047827A (ja) 2004-08-06 2006-02-16 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP5244293B2 (ja) * 2004-12-02 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7916263B2 (en) * 2004-12-02 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI569441B (zh) * 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
JP5091391B2 (ja) * 2005-07-21 2012-12-05 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 表示装置及びその製造方法
JP5201381B2 (ja) * 2006-08-03 2013-06-05 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
CN103257491B (zh) * 2006-09-29 2017-04-19 株式会社半导体能源研究所 半导体设备
TWI354851B (en) * 2006-12-22 2011-12-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Structure of bonding substrates and its inspection
KR100787464B1 (ko) * 2007-01-08 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
JP5205012B2 (ja) * 2007-08-29 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器
TWI334503B (en) * 2007-10-12 2010-12-11 Au Optronics Corp Touch-sensing flat panel display and method for manufacturing the same
CN101520401B (zh) * 2008-02-29 2012-08-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 粒子统计方法及装置
US8465795B2 (en) * 2008-05-20 2013-06-18 Palo Alto Research Center Incorporated Annealing a buffer layer for fabricating electronic devices on compliant substrates
TWI372899B (en) * 2008-08-01 2012-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Connecting structure between display panel and flexible printed circuit board
TWI386656B (zh) * 2009-07-02 2013-02-21 Novatek Microelectronics Corp 電容值測量電路與方法
US20120169665A1 (en) * 2009-09-15 2012-07-05 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panel and display device provided with the same
KR101094294B1 (ko) * 2009-11-17 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP5421751B2 (ja) * 2009-12-03 2014-02-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR20110090408A (ko) 2010-02-03 2011-08-10 삼성전자주식회사 박막 형성 방법, 표시판용 금속 배선 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US9049797B2 (en) * 2010-03-29 2015-06-02 Semprius, Inc. Electrically bonded arrays of transfer printed active components
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9478719B2 (en) 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US8455895B2 (en) * 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US8859330B2 (en) * 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20130016938A (ko) * 2011-08-09 2013-02-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
JP5721601B2 (ja) * 2011-09-30 2015-05-20 富士フイルム株式会社 タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法
US9230997B2 (en) * 2012-03-12 2016-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel
CN102799311B (zh) * 2012-07-13 2015-03-04 北京京东方光电科技有限公司 触摸屏、包含该触摸屏的电子设备及触摸屏的制造方法
JP5840598B2 (ja) 2012-12-17 2016-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置、電子機器及びタッチ検出機能付き表示装置の製造方法
KR102006637B1 (ko) 2013-03-20 2019-10-01 한국전자통신연구원 범프의 형성 방법 및 이를 포함하는 반도체 소자의 형성방법
KR102032271B1 (ko) 2013-08-09 2019-10-16 한국전자통신연구원 전자기기의 접합구조
KR102214942B1 (ko) * 2013-12-20 2021-02-09 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치
TWI528074B (zh) * 2014-03-28 2016-04-01 群創光電股份有限公司 顯示面板
JP2016009419A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 三菱電機株式会社 タッチパネル構造及びその製造方法並びに表示装置及びその製造方法
EP3170197B1 (en) 2014-07-20 2021-09-01 X Display Company Technology Limited Apparatus and methods for micro-transfer printing
JP6428089B2 (ja) 2014-09-24 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN104407740B (zh) * 2014-12-03 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板及其制备方法、显示装置
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10283945B2 (en) 2016-03-23 2019-05-07 Eaton Intelligent Power Limited Load center thermally conductive component
US10115657B2 (en) * 2016-03-23 2018-10-30 Eaton Intelligent Power Limited Dielectric heat path devices, and systems and methods using the same
WO2017183692A1 (ja) * 2016-04-21 2017-10-26 大日本印刷株式会社 調光フィルム、合わせガラス及び調光フィルムの製造方法
CN107343352A (zh) * 2016-05-03 2017-11-10 琦芯科技股份有限公司 具显示介面的软性电路连接架构与其制作方法
KR102389537B1 (ko) 2016-07-29 2022-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
JP6981812B2 (ja) 2016-08-31 2021-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102425705B1 (ko) 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN106784390A (zh) * 2017-03-06 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 用于显示面板的基板及其制作方法、显示面板及封装方法
KR102356741B1 (ko) * 2017-05-31 2022-01-28 삼성전자주식회사 절연층들을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6953886B2 (ja) * 2017-08-10 2021-10-27 富士通株式会社 半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法
JP6813461B2 (ja) * 2017-09-19 2021-01-13 タツタ電線株式会社 シートセンサ
CN108933179B (zh) * 2018-07-05 2020-06-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法
CN110911382B (zh) * 2018-09-14 2021-06-25 群创光电股份有限公司 天线装置
CN111352516B (zh) * 2018-12-24 2022-08-19 江西卓讯微电子有限公司 触摸屏及电子设备
KR102078855B1 (ko) 2019-01-03 2020-02-19 동우 화인켐 주식회사 터치 센서 모듈, 이를 포함하는 윈도우 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US10903618B2 (en) * 2019-03-20 2021-01-26 Chroma Ate Inc. Fixture assembly for testing edge-emitting laser diodes and testing apparatus having the same
KR20200129224A (ko) * 2019-05-07 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115940872B (zh) * 2022-12-12 2024-03-08 武汉润晶汽车电子有限公司 一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5598832A (en) * 1979-01-23 1980-07-28 Nec Kyushu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5690525A (en) * 1979-11-28 1981-07-22 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS57147253A (en) * 1981-03-06 1982-09-11 Seiko Epson Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5928344A (ja) * 1982-08-10 1984-02-15 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS59214228A (ja) * 1983-05-20 1984-12-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0616506B2 (ja) 1984-12-26 1994-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法
JPS63160352A (ja) 1986-12-24 1988-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の実装方法
JPS63161645A (ja) * 1986-12-24 1988-07-05 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US4960719A (en) * 1988-02-04 1990-10-02 Seikosha Co., Ltd. Method for producing amorphous silicon thin film transistor array substrate
JP2820147B2 (ja) * 1988-04-20 1998-11-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JPH02244631A (ja) * 1989-03-16 1990-09-28 Fujitsu Ltd 配線パターン形成方法
JPH06208132A (ja) * 1990-03-24 1994-07-26 Sony Corp 液晶表示装置
JPH0439625A (ja) * 1990-06-06 1992-02-10 Ricoh Co Ltd 液晶表示素子
JPH04133027A (ja) * 1990-09-25 1992-05-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置
JP2963529B2 (ja) * 1990-10-29 1999-10-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
JPH04333224A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Nec Corp 半導体装置の製造方法
KR930002855A (ko) * 1991-07-15 1993-02-23 이헌조 액정표시소자의 제조방법
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JPH05289109A (ja) * 1992-04-08 1993-11-05 Sony Corp 液晶表示装置
JP3391485B2 (ja) * 1992-12-10 2003-03-31 セイコーエプソン株式会社 液晶素子の製造方法
JP3162220B2 (ja) * 1993-02-01 2001-04-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH0756184A (ja) * 1993-08-12 1995-03-03 Sharp Corp 表示装置
JP3023052B2 (ja) * 1994-05-31 2000-03-21 シャープ株式会社 表示用基板
JP3006985B2 (ja) * 1993-12-07 2000-02-07 シャープ株式会社 表示用基板およびその実装構造
TW340192B (en) * 1993-12-07 1998-09-11 Sharp Kk A display board having wiring with three-layered structure and a display device including the display board
DE69430439T2 (de) * 1993-12-14 2003-02-06 Toshiba Kawasaki Kk Molybdän-wolfram-material zum verdrahten, molybdän-wolfram-target zum verdrahten, verfahren zu deren herstellung und dünne molybdän-wolfram verdrahtung
US5364817A (en) * 1994-05-05 1994-11-15 United Microelectronics Corporation Tungsten-plug process
JP3504993B2 (ja) * 1995-01-20 2004-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路
JP2555987B2 (ja) * 1994-06-23 1996-11-20 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板
TW321731B (ja) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
JPH08227079A (ja) 1995-02-21 1996-09-03 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH08234225A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Sony Corp 液晶表示装置
JPH08234212A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
JPH08292443A (ja) * 1995-04-24 1996-11-05 Kyocera Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US5648674A (en) * 1995-06-07 1997-07-15 Xerox Corporation Array circuitry with conductive lines, contact leads, and storage capacitor electrode all formed in layer that includes highly conductive metal
JP3565993B2 (ja) * 1995-06-20 2004-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP3208294B2 (ja) * 1995-08-29 2001-09-10 三洋電機株式会社 表示装置及び携帯端末
JP3650405B2 (ja) * 1995-09-14 2005-05-18 株式会社 日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US5835177A (en) * 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
JP3663261B2 (ja) * 1995-10-05 2005-06-22 株式会社東芝 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
GB2307341B (en) * 1995-11-15 2000-06-14 Hyundai Electronics Ind Method of forming a tungsten plug of a semiconductor device
DE69635239T2 (de) 1995-11-21 2006-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige
JP3842852B2 (ja) * 1995-11-27 2006-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2865039B2 (ja) * 1995-12-26 1999-03-08 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法
JPH10133216A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH09189737A (ja) 1996-01-11 1997-07-22 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JP3574270B2 (ja) 1996-04-17 2004-10-06 三菱電機株式会社 Alテーパドライエッチング方法
KR0169443B1 (ko) 1996-06-04 1999-03-20 김광호 액정 표시 장치
JP3871736B2 (ja) * 1996-06-25 2007-01-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置
JPH1039334A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Toshiba Corp アレイ基板および液晶表示装置
JP3667893B2 (ja) * 1996-09-24 2005-07-06 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6337520B1 (en) 1997-02-26 2002-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof
US6081308A (en) 1996-11-21 2000-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display
US6445004B1 (en) 1998-02-26 2002-09-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof
JP2988399B2 (ja) * 1996-11-28 1999-12-13 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板
JPH10170940A (ja) * 1996-12-06 1998-06-26 Sharp Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JPH10197891A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
JP3753827B2 (ja) * 1997-01-20 2006-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10228022A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
TW400556B (en) * 1997-02-26 2000-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof
TW376547B (en) * 1997-03-27 1999-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for plasma processing
JP3784491B2 (ja) * 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
JPH10275683A (ja) * 1997-03-28 1998-10-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜積層型導電体
JPH112830A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法
JP3312151B2 (ja) * 1997-06-24 2002-08-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3847419B2 (ja) * 1997-07-02 2006-11-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JPH1152423A (ja) * 1997-08-06 1999-02-26 Advanced Display:Kk 液晶表示装置および該装置に用いられるアクティブマトリクス基板の製法
JPH1184386A (ja) * 1997-09-01 1999-03-26 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3699828B2 (ja) * 1997-10-06 2005-09-28 シャープ株式会社 液晶表示素子およびその製造方法
JP3907804B2 (ja) 1997-10-06 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH11125837A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Nanokkusu Kk チップオンガラス液晶表示装置
JP4131297B2 (ja) 1997-10-24 2008-08-13 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置の製造方法
JP3361278B2 (ja) * 1997-12-26 2003-01-07 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置とその製造方法、ならびに回路基板の製造方法
US6528357B2 (en) * 1998-03-13 2003-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing array substrate
KR100320661B1 (ko) * 1998-04-17 2002-01-17 니시무로 타이죠 액정표시장치, 매트릭스 어레이기판 및 그 제조방법
JP2000002892A (ja) 1998-04-17 2000-01-07 Toshiba Corp 液晶表示装置、マトリクスアレイ基板およびその製造方法
US6300926B1 (en) * 1998-04-27 2001-10-09 Hitachi, Ltd. Active matrix type liquid crystal display
JP4017754B2 (ja) * 1998-07-07 2007-12-05 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6297519B1 (en) * 1998-08-28 2001-10-02 Fujitsu Limited TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals
CN1139837C (zh) * 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US6909114B1 (en) * 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
TWI255957B (en) * 1999-03-26 2006-06-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4627843B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法

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