JPH0616506B2 - 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 - Google Patents
積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法Info
- Publication number
- JPH0616506B2 JPH0616506B2 JP59277412A JP27741284A JPH0616506B2 JP H0616506 B2 JPH0616506 B2 JP H0616506B2 JP 59277412 A JP59277412 A JP 59277412A JP 27741284 A JP27741284 A JP 27741284A JP H0616506 B2 JPH0616506 B2 JP H0616506B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminate
- organic resin
- substrate
- laminated body
- resin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- GFXQUCWFEPCALC-UHFFFAOYSA-N 1-(4-isothiocyanato-2-nitrophenyl)imidazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(N=C=S)=CC=C1N1C=NC=C1 GFXQUCWFEPCALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 この発明は、積層体の側周辺に選択的に絶縁被膜を形成
することにより、半導体装置、表示装置、イメージセン
サまたは液晶プリンタに応用するデバイスの作製方法に
関するものである。
することにより、半導体装置、表示装置、イメージセン
サまたは液晶プリンタに応用するデバイスの作製方法に
関するものである。
「従来の技術」 従来、基板上に凸状の積層体を有し、その側周辺にのみ
絶縁物を充填する方法はきわめてむずかしいプロセスと
されていた。特にフォトマスクをまったく用いることな
く、かつ積層体とその周辺部(端部)との間に1μ以上
の凸部、凹部を有さず、滑らかに連続させる方法は皆無
であった。
絶縁物を充填する方法はきわめてむずかしいプロセスと
されていた。特にフォトマスクをまったく用いることな
く、かつ積層体とその周辺部(端部)との間に1μ以上
の凸部、凹部を有さず、滑らかに連続させる方法は皆無
であった。
また、フォトマスクを用いたリソグラフィー技術を使う
ならば、側周辺に対しても絶縁物を形成することが可能
であるが、それぞれの上面を概略同一にその境界を滑ら
かに連続して形成することはきわめてむずかしかった。
特にその1つの応用としての固体表示装置等を考えるな
らば、20cm×20cmという大きな基板上にきわめて細い巾
の積層体を設ける必要がある。また、積層体の上面以上
の大きな滑らかな面積を有する平面を必要とする。
ならば、側周辺に対しても絶縁物を形成することが可能
であるが、それぞれの上面を概略同一にその境界を滑ら
かに連続して形成することはきわめてむずかしかった。
特にその1つの応用としての固体表示装置等を考えるな
らば、20cm×20cmという大きな基板上にきわめて細い巾
の積層体を設ける必要がある。また、積層体の上面以上
の大きな滑らかな面積を有する平面を必要とする。
特に液晶表示素子における配向処理のダビング工程にお
いてピーリングを防ぐため平坦であることが求められ
た。しかしこのための答えは皆無であった。
いてピーリングを防ぐため平坦であることが求められ
た。しかしこのための答えは皆無であった。
「発明が解決しようとする問題点」 本発明方法は凸状の積層体の側周辺に絶縁物を充填する
に際し、フォトリソグラフィー技術を用いることをしな
い。また積層体と絶縁膜との境界にクレパスの如き凹状
の「亀裂」が発生しない。
に際し、フォトリソグラフィー技術を用いることをしな
い。また積層体と絶縁膜との境界にクレパスの如き凹状
の「亀裂」が発生しない。
積層体と絶縁膜の上面とは概略同一平面(滑らかに連続
している)を有する。加えて積層体の上面を露呈させ
る。これらの諸点を工程上の歩留り低下を誘発すること
なく成就することが求められていた。
している)を有する。加えて積層体の上面を露呈させ
る。これらの諸点を工程上の歩留り低下を誘発すること
なく成就することが求められていた。
「問題を解決するための手段」 本発明はかかる問題を解決するため、透光性基板上に積
層体を構成せしめる。さらに紫外光に対し感光性の有機
樹脂をコートする。紫外光を基板側(裏面側)より照射
し、積層体を陰(実質的なマスク)として、その側周辺
に対してのみ感光させ、上部の非照射領域を非感光とす
る。この後現像、リンス、キュアを行う。かくして積層
体と絶縁膜とをその間に凹部の亀裂を発生せしめること
なく、積層体の側周辺に有機樹脂を充填させた。特に例
えば非線型素子が上側電極下に半導体とその下の下側電
極とを有している。この非線型素子の側周辺を絶縁物で
充填したものである。そしてこの絶縁物の上表面を上側
電極の上表面と概略一致させる(それぞれの表面が多少
の平坦性を欠いても滑らかに連続している場合を含む、
例えば積層体の高さの1/3以下)ことにより第2の電極
より広い電極を平坦な表面上面にわたって形成させた。
層体を構成せしめる。さらに紫外光に対し感光性の有機
樹脂をコートする。紫外光を基板側(裏面側)より照射
し、積層体を陰(実質的なマスク)として、その側周辺
に対してのみ感光させ、上部の非照射領域を非感光とす
る。この後現像、リンス、キュアを行う。かくして積層
体と絶縁膜とをその間に凹部の亀裂を発生せしめること
なく、積層体の側周辺に有機樹脂を充填させた。特に例
えば非線型素子が上側電極下に半導体とその下の下側電
極とを有している。この非線型素子の側周辺を絶縁物で
充填したものである。そしてこの絶縁物の上表面を上側
電極の上表面と概略一致させる(それぞれの表面が多少
の平坦性を欠いても滑らかに連続している場合を含む、
例えば積層体の高さの1/3以下)ことにより第2の電極
より広い電極を平坦な表面上面にわたって形成させた。
かくすことにより、大面積の電極に対し、液晶配向用の
ダビングをこの電極上に塗布されたポリイミド樹脂に対
して非線型素子およびリードのピーリングを誘発するこ
となしに容易に行い得ることが可能となった。
ダビングをこの電極上に塗布されたポリイミド樹脂に対
して非線型素子およびリードのピーリングを誘発するこ
となしに容易に行い得ることが可能となった。
かかる本発明に用いる非線型素子は、一対の電極(下側
および上側の電極)とはそれぞれオーム接触性を有する
が、逆向整流特性を構成する複合ダイオードを有する素
子よりなるもので、その代表例は水素またはハロゲン元
素が添加されたN型半導体(Si)−I型(以下真性または
実質的に真性という)半導体(SixC1- x(0<X≦1))−N
型半導体(Si)を積層して設けたNIN 構造、即ちNI接合と
NI接合とこ電気的に逆向きに連結され、かつ半導体と
して一体化したNIN 接合を有する半導体をはじめ、その
変形であるNN-N,NP-N,NIPIN,NIP-INまたはNIP+IN構造を
有せしめた複合ダイオード(以下簡単のためこれらをま
とめてNIN 型ダイオードという)である。
および上側の電極)とはそれぞれオーム接触性を有する
が、逆向整流特性を構成する複合ダイオードを有する素
子よりなるもので、その代表例は水素またはハロゲン元
素が添加されたN型半導体(Si)−I型(以下真性または
実質的に真性という)半導体(SixC1- x(0<X≦1))−N
型半導体(Si)を積層して設けたNIN 構造、即ちNI接合と
NI接合とこ電気的に逆向きに連結され、かつ半導体と
して一体化したNIN 接合を有する半導体をはじめ、その
変形であるNN-N,NP-N,NIPIN,NIP-INまたはNIP+IN構造を
有せしめた複合ダイオード(以下簡単のためこれらをま
とめてNIN 型ダイオードという)である。
「作用」 かくして、透光性基板上に設けた積層体の側周辺にマス
クを用いることなく単なる感光性有機樹脂を用いるのみ
で、積層体の上面と概略同一平面を有する有機樹脂を積
層体の上面を露呈させて形成させることができた。
クを用いることなく単なる感光性有機樹脂を用いるのみ
で、積層体の上面と概略同一平面を有する有機樹脂を積
層体の上面を露呈させて形成させることができた。
特にこの有機樹脂は耐熱性ポリイミド樹脂を用いるた
め、化学的に安定であり、半導体デバイス、ハイブリッ
ドIC等への応用も期待される。
め、化学的に安定であり、半導体デバイス、ハイブリッ
ドIC等への応用も期待される。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例1」 この第1図の製造工程に従って本発明を説明する。
第1図(A),(B),(C),(D) は第1図(E) のA-A′の縦断面
図に対応している。
図に対応している。
第1図(A) において、透光性絶縁基板としてコーニング
7059ガラス(1) を用いた。この上面にスパッタ法または
電子ビーム蒸着法によりクロム膜(2) を0.1〜0.5
μの厚さに形成した。
7059ガラス(1) を用いた。この上面にスパッタ法または
電子ビーム蒸着法によりクロム膜(2) を0.1〜0.5
μの厚さに形成した。
この後、これらの全面にプラズマ気相反応法を用いてNI
N(NP-N,NIPIN,NIPI-INを含む)構造を有する非単結晶半
導体(3) よりなる非線型素子を形成した。即ち、N型半
導体をシランに13.56MHz の高周波グロー放電を行
うことにより、200 〜300 ℃に保持された基板上の被形
成面上に非単結晶半導体を作る。
N(NP-N,NIPIN,NIPI-INを含む)構造を有する非単結晶半
導体(3) よりなる非線型素子を形成した。即ち、N型半
導体をシランに13.56MHz の高周波グロー放電を行
うことにより、200 〜300 ℃に保持された基板上の被形
成面上に非単結晶半導体を作る。
その電気伝導度は、10-7〜10-4(Ωcm)-を有し、500
〜2500Åの厚さとした。次に10-6〜10-7torrまで、十分
真空引きをした。シラン(SimH2m+2例えばm=1の Si
H4)とDMS(Si(CH3)3)とを用いさらに必要に応じてB2H6を
添加してI型の非単結晶半導体を300 Å〜0.5μの厚
さに形成した。例えば0.2μの厚さに、DMS/(DMS+SiH
4)=1/80,B2H6/SiH4=7PPMとしてP-型のSixC1-Xを形成
した。さらに10-6〜10-7torrまで十分真空引きをした。
その上にN型半導体を50〜500 Åの厚さに積層してNP-N
接合のSi−SixC1-X(0<X<1)−Siへテロ接合を形成させ
た。
〜2500Åの厚さとした。次に10-6〜10-7torrまで、十分
真空引きをした。シラン(SimH2m+2例えばm=1の Si
H4)とDMS(Si(CH3)3)とを用いさらに必要に応じてB2H6を
添加してI型の非単結晶半導体を300 Å〜0.5μの厚
さに形成した。例えば0.2μの厚さに、DMS/(DMS+SiH
4)=1/80,B2H6/SiH4=7PPMとしてP-型のSixC1-Xを形成
した。さらに10-6〜10-7torrまで十分真空引きをした。
その上にN型半導体を50〜500 Åの厚さに積層してNP-N
接合のSi−SixC1-X(0<X<1)−Siへテロ接合を形成させ
た。
この後、この上面に、遮光用のクロム(4) とアルミニュ
ーム(8) との多層膜(1000 〜2500Å)を電子ビーム蒸着
法またはスパッタ法により第2の電極として積層した。
ーム(8) との多層膜(1000 〜2500Å)を電子ビーム蒸着
法またはスパッタ法により第2の電極として積層した。
さらに、第1図(A),(B) に示す如く、第1のフォトマス
クにより周辺部(27)が垂直になるように異方性プラズ
マエッチ(リアクティブ・イオン・エッチ)を行い、積
層体(7) を構成させた。次にこれらの全面に感光性ポリ
イミド樹脂(6) をコーティング法にて約2μの厚さに形
成させた。コーティング状態では全芳香族ポリイミド前
駆体溶液である。かくして、積層体(7) の上面(17)とポ
リイミド樹脂(6) の上面(16)とは積層体(7) の凸部を除
きキュア後で概略同一平面(絶縁物表面と積層体表面と
がなめらかに連続している)となるようにさせた。例え
ば現像とキュアにより40〜50 %減少する場合は、積層体
が約1μである場合、約2μの厚さとした。次にプリベ
ークをクリーンオーブン中80℃、60分行った。さらにガ
ラス基板(1) 側の裏面側より紫外光(10)を公知のマスク
アライナによりマスクを用いることなく露光させた。
クにより周辺部(27)が垂直になるように異方性プラズ
マエッチ(リアクティブ・イオン・エッチ)を行い、積
層体(7) を構成させた。次にこれらの全面に感光性ポリ
イミド樹脂(6) をコーティング法にて約2μの厚さに形
成させた。コーティング状態では全芳香族ポリイミド前
駆体溶液である。かくして、積層体(7) の上面(17)とポ
リイミド樹脂(6) の上面(16)とは積層体(7) の凸部を除
きキュア後で概略同一平面(絶縁物表面と積層体表面と
がなめらかに連続している)となるようにさせた。例え
ば現像とキュアにより40〜50 %減少する場合は、積層体
が約1μである場合、約2μの厚さとした。次にプリベ
ークをクリーンオーブン中80℃、60分行った。さらにガ
ラス基板(1) 側の裏面側より紫外光(10)を公知のマスク
アライナによりマスクを用いることなく露光させた。
例えばコビルト社のアライナーでは約2分間露光した。
その強度が300 〜400nmの波長の紫外光(10mW/cm2)にお
いて15〜30秒で十分である。
その強度が300 〜400nmの波長の紫外光(10mW/cm2)にお
いて15〜30秒で十分である。
すると第1図(B) に示す如く、(27)の側面を有する積層
体に対し陰となるその上方の凸領域は感光せず、その側
周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リンス液
により非感光性の凸部を溶去した。
体に対し陰となるその上方の凸領域は感光せず、その側
周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リンス液
により非感光性の凸部を溶去した。
次にこれらすべてを180 ℃30分+300℃30分+400 ℃30
分の加熱を窒素中で行いキュアさせた。かくして積層体
の上面である非線型素子の第2の電極をフォトマスクを
用いることなく露光せしめるに加えて、その上面と周辺
部のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とを概略同一平面を
構成させることが可能となった。かくして第2図(C) を
得た。
分の加熱を窒素中で行いキュアさせた。かくして積層体
の上面である非線型素子の第2の電極をフォトマスクを
用いることなく露光せしめるに加えて、その上面と周辺
部のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とを概略同一平面を
構成させることが可能となった。かくして第2図(C) を
得た。
さらに図面においてはこの第1図(C) の上面全面にCTF
(18) をITO または酸化スズにより0.1〜0.5μの
厚さに形成せしめた。さらに第2のフォトマスクにより
このCTF を選択エッチングをした。
(18) をITO または酸化スズにより0.1〜0.5μの
厚さに形成せしめた。さらに第2のフォトマスクにより
このCTF を選択エッチングをした。
第1図(D) の縦断面図に対応した平面図を第1図(E) に
示す。この図面で積層体(7) との境界(19)の部分を拡大
し、この部分に亀裂がないかどうかまた表面(17),(16)
は概略同一平面を有するかを調べた。
示す。この図面で積層体(7) との境界(19)の部分を拡大
し、この部分に亀裂がないかどうかまた表面(17),(16)
は概略同一平面を有するかを調べた。
第2図は第1図(E) における(30)の部分の拡大図であ
る。第1図(E) に示す如く、完成後これらを(20)にてへ
き開し、断面の走査電子顕微鏡写真の写真を第2図に示
す。この写真は21.3×103 倍(加速電圧10KV)である。
る。第1図(E) に示す如く、完成後これらを(20)にてへ
き開し、断面の走査電子顕微鏡写真の写真を第2図に示
す。この写真は21.3×103 倍(加速電圧10KV)である。
図面より、ガラス基板(1),クロム(2),半導体(3),クロム
(4) アルミニューム(8),ITO(18) が見られる。右半分は
有機樹脂の断面(6) である。へき開の際、樹脂の上面
(6′)も同時に見られる。境界(19)には何等の亀裂もな
く、有機樹脂が十分な密着性を有して積層体に密接して
いることがわかる。また上面も概略同一平面を有してい
ることが判明した。
(4) アルミニューム(8),ITO(18) が見られる。右半分は
有機樹脂の断面(6) である。へき開の際、樹脂の上面
(6′)も同時に見られる。境界(19)には何等の亀裂もな
く、有機樹脂が十分な密着性を有して積層体に密接して
いることがわかる。また上面も概略同一平面を有してい
ることが判明した。
「効果」 本発明は以上に示す如く、基板上の巾が狭く高さの高い
積層体に対し、それが基板よりピーリングしたり、また
折れたりすることがないようにその側周辺を有機樹脂で
充填したものである。その際、積層体の上面はこの充填
をまったく行わないと同様に露呈している。また、その
境界は何等の亀裂もなく、かつキュアにて体積収縮を考
慮すると、積層体と有機樹脂の表面とが概略同一平面と
することが可能となった。
積層体に対し、それが基板よりピーリングしたり、また
折れたりすることがないようにその側周辺を有機樹脂で
充填したものである。その際、積層体の上面はこの充填
をまったく行わないと同様に露呈している。また、その
境界は何等の亀裂もなく、かつキュアにて体積収縮を考
慮すると、積層体と有機樹脂の表面とが概略同一平面と
することが可能となった。
もちろんキュア後にて積層体の上面に比べ絶縁物の上面
を高くし、または低く形成することはその設計事項とし
て可能である。
を高くし、または低く形成することはその設計事項とし
て可能である。
本発明の積層体の応用として、非線型素子はNIN接合ま
たはSi−SixC1-X(0<X<1)−Si接合とした。
たはSi−SixC1-X(0<X<1)−Si接合とした。
しかし他方、PIN 接合を複数ケ並列に設けるダイオード
・リング、MIM(金属−絶縁膜−金属)または直列に設け
るBACK-TO-BACK方式、MIM(金属−絶縁膜−金属)構造そ
の他ツェナ特性またはアバランシェ特性を用いた原点対
称特性を有する他の非線型半導体装置に対しても本発明
は有効である。
・リング、MIM(金属−絶縁膜−金属)または直列に設け
るBACK-TO-BACK方式、MIM(金属−絶縁膜−金属)構造そ
の他ツェナ特性またはアバランシェ特性を用いた原点対
称特性を有する他の非線型半導体装置に対しても本発明
は有効である。
そして積層体の上面と有機樹脂により側周辺を充填しそ
の上面とを概略同一平面としたため、CTFの上面を平坦
にでき、配向処理を均一に行うことができるに加えて、
絶縁物が積層体と基板との密着性を補強するため、積層
体のガラス基板からの剥離を防ぐことが可能となった。
の上面とを概略同一平面としたため、CTFの上面を平坦
にでき、配向処理を均一に行うことができるに加えて、
絶縁物が積層体と基板との密着性を補強するため、積層
体のガラス基板からの剥離を防ぐことが可能となった。
第1図は本発明の製造工程を示す一方の縦断面図であ
る。 第2図は本発明の積層体とその周辺部の絶縁物を示す。
る。 第2図は本発明の積層体とその周辺部の絶縁物を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 舜平 東京都世田谷区北烏山7丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 審査官 中西 一友 (56)参考文献 特開 昭58−77263(JP,A) 特開 昭58−92226(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】透光性基板上に凸状の積層体を形成する工
程と、前記積層体および側周辺の前記基板上に光感光性
を有する有機樹脂膜を形成する工程と、前記基板側より
光を照射して前記積層体上方を除く他部の有機樹脂膜に
光化学反応を生ぜしめる工程と、前記積層体上方の非感
光領域の前記有機樹脂膜を除去する工程とを有すること
を特徴とする積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する
方法。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項において、積層体の
上面と有機樹脂膜の上面とは概略同一平面を構成せしめ
るごとくに光感光性有機樹脂膜を形成することを特徴と
する積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法。 - 【請求項3】特許請求の範囲第1項において、積層体は
基板上の第1の電極、非線型素子および第2の電極の構
成を有することを特徴とする積層体の側周辺に選択的に
被膜を形成する方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59277412A JPH0616506B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
CN85109696.4A CN1005944B (zh) | 1984-12-26 | 1985-12-25 | 电子器件及其制造方法 |
KR1019850009810A KR900007300B1 (ko) | 1984-12-26 | 1985-12-26 | 전자장치 및 그의 제조방법 |
EP85309515A EP0187535B1 (en) | 1984-12-26 | 1985-12-30 | Electronic device and its manufacturing method |
DE3587780T DE3587780T2 (de) | 1984-12-26 | 1985-12-30 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung. |
US06/875,211 US4828967A (en) | 1984-12-26 | 1986-06-17 | Electronic device and its manufacturing method |
US07/082,908 US4780794A (en) | 1984-12-26 | 1987-08-10 | Electronic device |
US07/086,646 US4820612A (en) | 1984-12-26 | 1987-08-18 | Electronic device and its manufacturing method |
CN87106448.0A CN1005946B (zh) | 1984-12-26 | 1987-09-21 | 电子器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59277412A JPH0616506B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61154039A JPS61154039A (ja) | 1986-07-12 |
JPH0616506B2 true JPH0616506B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=17583184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59277412A Expired - Lifetime JPH0616506B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US4828967A (ja) |
EP (1) | EP0187535B1 (ja) |
JP (1) | JPH0616506B2 (ja) |
KR (1) | KR900007300B1 (ja) |
CN (2) | CN1005944B (ja) |
DE (1) | DE3587780T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2153722A1 (de) | 2008-08-05 | 2010-02-17 | Lanxess Deutschland GmbH | Antifungische Flüssigformulierungen enthaltend 3-Iodpropargylbutylcarbamat (IPBC) und N-octylisothiazolinon (NOIT) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62112128A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
US4918504A (en) * | 1987-07-31 | 1990-04-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix cell |
JPH0191881A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Sankyo Kk | 弾球遊技機における入賞球装置 |
US5219712A (en) * | 1987-11-28 | 1993-06-15 | Thorn Emi Plc | Method of forming a solid article |
US4948706A (en) * | 1987-12-30 | 1990-08-14 | Hoya Corporation | Process for producing transparent substrate having thereon transparent conductive pattern elements separated by light-shielding insulating film, and process for producing surface-colored material |
US4916275A (en) * | 1988-04-13 | 1990-04-10 | Square D Company | Tactile membrane switch assembly |
US5344745A (en) * | 1988-10-16 | 1994-09-06 | Yamanochi Kazuhiko | Method for the manufacture of surface acoustic wave transducer |
JP3077182B2 (ja) * | 1990-09-26 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 印刷配線板の製造方法 |
WO1993007629A1 (en) * | 1991-10-04 | 1993-04-15 | Motorola, Inc. | Integrated deposited vertical resistor in a sequential multilayer substrate |
GB9203595D0 (en) * | 1992-02-20 | 1992-04-08 | Philips Electronics Uk Ltd | Methods of fabricating thin film structures and display devices produced thereby |
US5300403A (en) * | 1992-06-18 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Line width control in a radiation sensitive polyimide |
JP3051627B2 (ja) * | 1993-02-03 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
JPH06313899A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
FR2737927B1 (fr) * | 1995-08-17 | 1997-09-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de formation de trous dans une couche de materiau photosensible, en particulier pour la fabrication de sources d'electrons |
US5935763A (en) * | 1996-06-11 | 1999-08-10 | International Business Machines Corporation | Self-aligned pattern over a reflective layer |
US7411211B1 (en) | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
ATE438927T1 (de) | 2000-04-18 | 2009-08-15 | E Ink Corp | Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren |
US7893435B2 (en) | 2000-04-18 | 2011-02-22 | E Ink Corporation | Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough |
US7079377B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-07-18 | Joachim Hossick Schott | Capacitor and method for producing a capacitor |
US7361027B2 (en) * | 2002-12-25 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure, display device and electronic device |
US7256982B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-08-14 | Philip Michael Lessner | Electrolytic capacitor |
CN101765908A (zh) * | 2007-08-01 | 2010-06-30 | 夏普株式会社 | 半导体装置的制造方法、半导体装置以及曝光装置 |
JP2012196651A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | 静電霧化装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2955351A (en) * | 1954-12-28 | 1960-10-11 | Plast O Fab Circuits Inc | Method of making a printed circuit |
US3142783A (en) * | 1959-12-22 | 1964-07-28 | Hughes Aircraft Co | Electrical circuit system |
US3290756A (en) * | 1962-08-15 | 1966-12-13 | Hughes Aircraft Co | Method of assembling and interconnecting electrical components |
US3508209A (en) * | 1966-03-31 | 1970-04-21 | Ibm | Monolithic integrated memory array structure including fabrication and package therefor |
US3405227A (en) * | 1966-09-16 | 1968-10-08 | Control Data Corp | Multilayer universal printed circuit board |
US3740280A (en) * | 1971-05-14 | 1973-06-19 | Rca Corp | Method of making semiconductor device |
GB1336254A (en) * | 1972-03-17 | 1973-11-07 | Acheson Ind Inc | Devices |
US3818279A (en) * | 1973-02-08 | 1974-06-18 | Chromerics Inc | Electrical interconnection and contacting system |
US4174217A (en) * | 1974-08-02 | 1979-11-13 | Rca Corporation | Method for making semiconductor structure |
US4019043A (en) * | 1975-05-05 | 1977-04-19 | General Electric Company | Photoflash lamp array having shielded switching circuit |
EP0019391B1 (en) * | 1979-05-12 | 1982-10-06 | Fujitsu Limited | Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure |
US4242156A (en) * | 1979-10-15 | 1980-12-30 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating an SOS island edge passivation structure |
EP0122371B1 (en) * | 1980-05-20 | 1988-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JPS5734522A (en) * | 1980-08-09 | 1982-02-24 | Dainippon Printing Co Ltd | Production of electrode substrate for liquid crystal display element |
US4369247A (en) * | 1980-09-03 | 1983-01-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of producing relief structures using polyamide ester resins |
DE3131216C3 (de) * | 1981-04-14 | 1994-09-01 | Gao Ges Automation Org | Ausweiskarte mit IC-Baustein |
US4501960A (en) * | 1981-06-22 | 1985-02-26 | Motorola, Inc. | Micropackage for identification card |
JPS5877263A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-05-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子 |
JPS5892226A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路素子の製造方法 |
US4656314A (en) * | 1982-02-08 | 1987-04-07 | Industrial Science Associates | Printed circuit |
JPS58170067A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPS599635A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
US4611261A (en) * | 1982-09-21 | 1986-09-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic equipment |
US4535219A (en) * | 1982-10-12 | 1985-08-13 | Xerox Corporation | Interfacial blister bonding for microinterconnections |
US4544836A (en) * | 1982-12-22 | 1985-10-01 | American District Telegraph Company | Optically-based access control system |
JPS60149025A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
US4562513A (en) * | 1984-05-21 | 1985-12-31 | International Business Machines Corporation | Process for forming a high density metallurgy system on a substrate and structure thereof |
JPS60257171A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Hitachi Ltd | 薄半素子の製造方法およびその素子 |
US4566186A (en) * | 1984-06-29 | 1986-01-28 | Tektronix, Inc. | Multilayer interconnect circuitry using photoimageable dielectric |
JPS6145224A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-05 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
US4730903A (en) * | 1985-01-23 | 1988-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ferroelectric crystal display panel and manufacturing method thereof |
FR2579775B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-05-15 | Thomson Csf | Procede de realisation d'elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electro-optique et ecran plat realise selon ce procede |
US4621045A (en) * | 1985-06-03 | 1986-11-04 | Motorola, Inc. | Pillar via process |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59277412A patent/JPH0616506B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-12-25 CN CN85109696.4A patent/CN1005944B/zh not_active Expired
- 1985-12-26 KR KR1019850009810A patent/KR900007300B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-12-30 EP EP85309515A patent/EP0187535B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-12-30 DE DE3587780T patent/DE3587780T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-06-17 US US06/875,211 patent/US4828967A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-08-10 US US07/082,908 patent/US4780794A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-18 US US07/086,646 patent/US4820612A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-21 CN CN87106448.0A patent/CN1005946B/zh not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2153722A1 (de) | 2008-08-05 | 2010-02-17 | Lanxess Deutschland GmbH | Antifungische Flüssigformulierungen enthaltend 3-Iodpropargylbutylcarbamat (IPBC) und N-octylisothiazolinon (NOIT) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4828967A (en) | 1989-05-09 |
JPS61154039A (ja) | 1986-07-12 |
EP0187535B1 (en) | 1994-03-16 |
KR860005568A (ko) | 1986-07-23 |
US4780794A (en) | 1988-10-25 |
US4820612A (en) | 1989-04-11 |
CN1005946B (zh) | 1989-11-29 |
CN85109696A (zh) | 1986-07-16 |
KR900007300B1 (ko) | 1990-10-08 |
CN87106448A (zh) | 1988-05-11 |
DE3587780T2 (de) | 1994-06-23 |
DE3587780D1 (de) | 1994-04-21 |
CN1005944B (zh) | 1989-11-29 |
EP0187535A3 (en) | 1988-07-20 |
EP0187535A2 (en) | 1986-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0616506B2 (ja) | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 | |
US5677240A (en) | Method for forming a semiconductor device | |
US5808315A (en) | Thin film transistor having transparent conductive film | |
EP0304657B1 (en) | Active matrix cell and method of manufacturing the same | |
JP2000077669A (ja) | 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置 | |
JP2002303879A (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 | |
JPH0462569B2 (ja) | ||
JPH07142737A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPS6269566A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
JPH01115162A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2594114B2 (ja) | 液晶表示パネル用電極基板の製造方法 | |
JPH02295132A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPS61151615A (ja) | 半導体装置 | |
JPH02234123A (ja) | 液晶表示装置における薄膜ダイオードの製造方法 | |
JPS59108373A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2639645B2 (ja) | 光電変換装置の作成方法 | |
KR940007455B1 (ko) | 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법 | |
JPS62158371A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS62158361A (ja) | 光電変換装置の作成方法 | |
JPH02117142A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 | |
WO2021031392A1 (zh) | 阵列基板的制备方法及阵列基板 | |
JPS62158362A (ja) | 光電変換装置の作成方法 | |
JPS61139069A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH02146527A (ja) | 薄膜ダイオードの製造方法 | |
JPH02210882A (ja) | ホトトランジスタとその作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |