JPS5877263A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPS5877263A JPS5877263A JP56176340A JP17634081A JPS5877263A JP S5877263 A JPS5877263 A JP S5877263A JP 56176340 A JP56176340 A JP 56176340A JP 17634081 A JP17634081 A JP 17634081A JP S5877263 A JPS5877263 A JP S5877263A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−この発明は、非品質薄膜に発生するピンホールに絶縁
物を充填し，透明導電膜と金属膜との短絡を防ぎ、物件
の低下を防止するようにした光起電力素子に関する。
物を充填し，透明導電膜と金属膜との短絡を防ぎ、物件
の低下を防止するようにした光起電力素子に関する。
従来、低コスト化および大面績化が容易な光起電力素子
として、製造が容易で基板材料に大きな・制約がない等
の理由から、非晶質薄膜ケ用いた太陽；−池が注目され
ており，弟１図に示すように構成！されている。
として、製造が容易で基板材料に大きな・制約がない等
の理由から、非晶質薄膜ケ用いた太陽；−池が注目され
ており，弟１図に示すように構成！されている。
ｊ同図において、（１）は絶縁性透光性基鈑であるガラ
ス基板、（２》はガラス基板（υ上に層状に形成された
透明導電膜、品は透明導電膜（２）土Ｋ Ｗ ｒｋに形
成された非晶質薄膜，（４）は非晶質＃暎（３）上に形
成され電極を構成する金属膜であり、ガラス基板（１）
。
ス基板、（２》はガラス基板（υ上に層状に形成された
透明導電膜、品は透明導電膜（２）土Ｋ Ｗ ｒｋに形
成された非晶質薄膜，（４）は非晶質＃暎（３）上に形
成され電極を構成する金属膜であり、ガラス基板（１）
。
により、透明導電膜（２］上に非晶質材の付層しない部
分が発生し、非晶質薄膜（３）を貫通してピンホール（
６）が形成される。そして、ピンホール−〇）を有する
非晶質薄膜（３）土に金属膜（４）を形成すると、ピン
ホール（６）を金挑材が貫通し、透明導′酸−（３］と
金属膜（４）とが、ピンホール（６）内の全綱により類
Ｎ者されるため、太陽電池（５）内で発生した正孔、電
子がこの短絡部で打ち消し合い、太陽電池（５）の狩性
金低下させている。さらに、太陽電池（５）の面積が大
きくなると、ピンホール（６）が多数発生し、短絡によ
、この発明は、前記の点に留意してなさｆｌ、 ７ｊも
のであり、・つぎにこの発明を、そのｌ実施Ｉ！ＡＪｅ
示した％２図以下の図面とともに詳細に哄明する。
分が発生し、非晶質薄膜（３）を貫通してピンホール（
６）が形成される。そして、ピンホール−〇）を有する
非晶質薄膜（３）土に金属膜（４）を形成すると、ピン
ホール（６）を金挑材が貫通し、透明導′酸−（３］と
金属膜（４）とが、ピンホール（６）内の全綱により類
Ｎ者されるため、太陽電池（５）内で発生した正孔、電
子がこの短絡部で打ち消し合い、太陽電池（５）の狩性
金低下させている。さらに、太陽電池（５）の面積が大
きくなると、ピンホール（６）が多数発生し、短絡によ
、この発明は、前記の点に留意してなさｆｌ、 ７ｊも
のであり、・つぎにこの発明を、そのｌ実施Ｉ！ＡＪｅ
示した％２図以下の図面とともに詳細に哄明する。
）れらの図面において、前記と異なる点は、透：非晶質
薄膜（３）と同色で予め脱躍したフォトレジストｖの感
光性絶縁物（７）紫均−に塗布するとともに、ピンホー
ル（６１に感光性絶縁物（７）を充填する。そして、第
４図の実線矢印に示すように、ガラス基ｔ（１月期から
光を照射すると、非晶質薄膜（３）が感光性ピンホール
（６）内の固化した感光性絶縁物（７）を残し、非晶質
薄膜（３）上の他の感光性絶縁ｗＪ（７） ｘドライエ
ツチングまたはウェットエン チ ングにより、すべて
収り除き、第６図に示すように、非晶質薄膜（３）上に
金褐膜（４）全形成し、光層′畦力累子である太陽′電
池（８）が構成される。
薄膜（３）と同色で予め脱躍したフォトレジストｖの感
光性絶縁物（７）紫均−に塗布するとともに、ピンホー
ル（６１に感光性絶縁物（７）を充填する。そして、第
４図の実線矢印に示すように、ガラス基ｔ（１月期から
光を照射すると、非晶質薄膜（３）が感光性ピンホール
（６）内の固化した感光性絶縁物（７）を残し、非晶質
薄膜（３）上の他の感光性絶縁ｗＪ（７） ｘドライエ
ツチングまたはウェットエン チ ングにより、すべて
収り除き、第６図に示すように、非晶質薄膜（３）上に
金褐膜（４）全形成し、光層′畦力累子である太陽′電
池（８）が構成される。
したがって、ピンホール（６）Ｖｃ感光性杷縁物（７）
を充填して固化させることにより、透明導電ｍ ｔ２７
、！：金ｍ膜（４）との短絡を容易に防止することが
でき。
を充填して固化させることにより、透明導電ｍ ｔ２７
、！：金ｍ膜（４）との短絡を容易に防止することが
でき。
なお、感光性ＩＰ３縁’１ｉ（７）は非晶質薄膜ＩＪと
ｌｒ＋Ｊ色でなくてもよいことはもちろんである。
ｌｒ＋Ｊ色でなくてもよいことはもちろんである。
以上のように、この究明の光起電力素子によると、絶縁
性透光性基板上に透明導電１喚を形成するとともに、透
明導電膜上に非晶質渾１１０形成し。
性透光性基板上に透明導電１喚を形成するとともに、透
明導電膜上に非晶質渾１１０形成し。
非晶質？ｓｉ膜の形成時に非晶質薄膜を貫通して生じる
１、１ピンホールに絶縁物を充填し、非晶質＃’Ｎ土に
釡ｍ膜を形成した員により、透明導電ｉ鵡と金属膜との
短絡を防ぎ、特性の低下を防止することかできる。
１、１ピンホールに絶縁物を充填し、非晶質＃’Ｎ土に
釡ｍ膜を形成した員により、透明導電ｉ鵡と金属膜との
短絡を防ぎ、特性の低下を防止することかできる。
第１図は従来の光起電力素子の切Ｗ「正面図、弔２図以
下の図面はこの発明の光起電力素子の１実に充填した状
態の平面図および＋ＪＪ＠正面図、第５図は非晶質薄膜
上の感光性絶縁物を月メり除いた状態の切断正面図、第
６図は冗反状態の切−１正面図である。 （υ・・・ガラス基板、（２し・透明導亀嘆、１３し・
非晶質薄膜、（４）・・・金属膜、（６）・・・ピンホ
ール、（７）・・・感光性絶縁物、（８）−・・太１１
’［？ｌＩＩ！。 第１図 第２図 第３図 も 第４図
下の図面はこの発明の光起電力素子の１実に充填した状
態の平面図および＋ＪＪ＠正面図、第５図は非晶質薄膜
上の感光性絶縁物を月メり除いた状態の切断正面図、第
６図は冗反状態の切−１正面図である。 （υ・・・ガラス基板、（２し・透明導亀嘆、１３し・
非晶質薄膜、（４）・・・金属膜、（６）・・・ピンホ
ール、（７）・・・感光性絶縁物、（８）−・・太１１
’［？ｌＩＩ！。 第１図 第２図 第３図 も 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性透光性基板上に透明導電膜を形成すると１ともに
、前記透明４電膜上に非晶質薄膜を形成し１、前記非晶
質薄膜の形成時に前記非晶質薄膜を貫通して生じるピン
ホールに絶縁物を充填し、前ｉば非晶質薄膜上に金属膜
を形成したことを特徴と、する光起電力素子。 ＼（リ ピンホールに感光性絶縁物を充填するととも
に、前記感光性絶縁物を光により固化させたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の光起電力素子。 ■ 非晶′Ｘ薄膜上に感光性絶縁物を塗布するとともに
、ピンホールに感光性絶縁物を充填し、絶縁性透光性基
板側から光を照射して前記ピノホール内の感光性絶縁物
のみを固化させ、前記非晶質薄膜上の感光性絶縁物を取
り除いたこ壬を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の光起電力素子。 Ａ） ピンホールに非晶質薄膜と同色の感゛光注絶縁吻
τ光填して固化させたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の光起電力素子。 ■ ピンホールに予め脱泡した感光性絶縁物を充填・し
て固化させたことを特徴とする請求ｉ！Ｆｌ第１項に記
載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176340A JPS5877263A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176340A JPS5877263A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877263A true JPS5877263A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS624869B2 JPS624869B2 (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=16011865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176340A Granted JPS5877263A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877263A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986270A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS61154039A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPS6254478A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US4774193A (en) * | 1986-03-11 | 1988-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for avoiding shorts in the manufacture of layered electrical components |
| US4786607A (en) * | 1985-08-24 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device free from current leakage through a semiconductor layer |
| US4812415A (en) * | 1985-09-21 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making semiconductor device free from electrical short circuits through a semiconductor layer |
| US5458695A (en) * | 1993-01-27 | 1995-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and process for fabricating the same |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56176340A patent/JPS5877263A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986270A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS61154039A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPS6254478A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US4786607A (en) * | 1985-08-24 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device free from current leakage through a semiconductor layer |
| US4937651A (en) * | 1985-08-24 | 1990-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device free from the current leakage through a semiconductor layer and method for manufacturing same |
| US4812415A (en) * | 1985-09-21 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making semiconductor device free from electrical short circuits through a semiconductor layer |
| US4774193A (en) * | 1986-03-11 | 1988-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for avoiding shorts in the manufacture of layered electrical components |
| US5458695A (en) * | 1993-01-27 | 1995-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and process for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS624869B2 (ja) | 1987-02-02 |
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