JPS5877263A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
- Publication number
- JPS5877263A JPS5877263A JP56176340A JP17634081A JPS5877263A JP S5877263 A JPS5877263 A JP S5877263A JP 56176340 A JP56176340 A JP 56176340A JP 17634081 A JP17634081 A JP 17634081A JP S5877263 A JPS5877263 A JP S5877263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- amorphous thin
- insulator
- filled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−この発明は、非品質薄膜に発生するピンホールに絶縁
物を充填し，透明導電膜と金属膜との短絡を防ぎ、物件
の低下を防止するようにした光起電力素子に関する。
物を充填し，透明導電膜と金属膜との短絡を防ぎ、物件
の低下を防止するようにした光起電力素子に関する。
従来、低コスト化および大面績化が容易な光起電力素子
として、製造が容易で基板材料に大きな・制約がない等
の理由から、非晶質薄膜ケ用いた太陽；−池が注目され
ており，弟１図に示すように構成！されている。
として、製造が容易で基板材料に大きな・制約がない等
の理由から、非晶質薄膜ケ用いた太陽；−池が注目され
ており，弟１図に示すように構成！されている。
ｊ同図において、（１）は絶縁性透光性基鈑であるガラ
ス基板、（２》はガラス基板（υ上に層状に形成された
透明導電膜、品は透明導電膜（２）土Ｋ Ｗ ｒｋに形
成された非晶質薄膜，（４）は非晶質＃暎（３）上に形
成され電極を構成する金属膜であり、ガラス基板（１）
。
ス基板、（２》はガラス基板（υ上に層状に形成された
透明導電膜、品は透明導電膜（２）土Ｋ Ｗ ｒｋに形
成された非晶質薄膜，（４）は非晶質＃暎（３）上に形
成され電極を構成する金属膜であり、ガラス基板（１）
。
により、透明導電膜（２］上に非晶質材の付層しない部
分が発生し、非晶質薄膜（３）を貫通してピンホール（
６）が形成される。そして、ピンホール−〇）を有する
非晶質薄膜（３）土に金属膜（４）を形成すると、ピン
ホール（６）を金挑材が貫通し、透明導′酸−（３］と
金属膜（４）とが、ピンホール（６）内の全綱により類
Ｎ者されるため、太陽電池（５）内で発生した正孔、電
子がこの短絡部で打ち消し合い、太陽電池（５）の狩性
金低下させている。さらに、太陽電池（５）の面積が大
きくなると、ピンホール（６）が多数発生し、短絡によ
、この発明は、前記の点に留意してなさｆｌ、 ７ｊも
のであり、・つぎにこの発明を、そのｌ実施Ｉ！ＡＪｅ
示した％２図以下の図面とともに詳細に哄明する。
分が発生し、非晶質薄膜（３）を貫通してピンホール（
６）が形成される。そして、ピンホール−〇）を有する
非晶質薄膜（３）土に金属膜（４）を形成すると、ピン
ホール（６）を金挑材が貫通し、透明導′酸−（３］と
金属膜（４）とが、ピンホール（６）内の全綱により類
Ｎ者されるため、太陽電池（５）内で発生した正孔、電
子がこの短絡部で打ち消し合い、太陽電池（５）の狩性
金低下させている。さらに、太陽電池（５）の面積が大
きくなると、ピンホール（６）が多数発生し、短絡によ
、この発明は、前記の点に留意してなさｆｌ、 ７ｊも
のであり、・つぎにこの発明を、そのｌ実施Ｉ！ＡＪｅ
示した％２図以下の図面とともに詳細に哄明する。
）れらの図面において、前記と異なる点は、透：非晶質
薄膜（３）と同色で予め脱躍したフォトレジストｖの感
光性絶縁物（７）紫均−に塗布するとともに、ピンホー
ル（６１に感光性絶縁物（７）を充填する。そして、第
４図の実線矢印に示すように、ガラス基ｔ（１月期から
光を照射すると、非晶質薄膜（３）が感光性ピンホール
（６）内の固化した感光性絶縁物（７）を残し、非晶質
薄膜（３）上の他の感光性絶縁ｗＪ（７） ｘドライエ
ツチングまたはウェットエン チ ングにより、すべて
収り除き、第６図に示すように、非晶質薄膜（３）上に
金褐膜（４）全形成し、光層′畦力累子である太陽′電
池（８）が構成される。
薄膜（３）と同色で予め脱躍したフォトレジストｖの感
光性絶縁物（７）紫均−に塗布するとともに、ピンホー
ル（６１に感光性絶縁物（７）を充填する。そして、第
４図の実線矢印に示すように、ガラス基ｔ（１月期から
光を照射すると、非晶質薄膜（３）が感光性ピンホール
（６）内の固化した感光性絶縁物（７）を残し、非晶質
薄膜（３）上の他の感光性絶縁ｗＪ（７） ｘドライエ
ツチングまたはウェットエン チ ングにより、すべて
収り除き、第６図に示すように、非晶質薄膜（３）上に
金褐膜（４）全形成し、光層′畦力累子である太陽′電
池（８）が構成される。
したがって、ピンホール（６）Ｖｃ感光性杷縁物（７）
を充填して固化させることにより、透明導電ｍ ｔ２７
、！：金ｍ膜（４）との短絡を容易に防止することが
でき。
を充填して固化させることにより、透明導電ｍ ｔ２７
、！：金ｍ膜（４）との短絡を容易に防止することが
でき。
なお、感光性ＩＰ３縁’１ｉ（７）は非晶質薄膜ＩＪと
ｌｒ＋Ｊ色でなくてもよいことはもちろんである。
ｌｒ＋Ｊ色でなくてもよいことはもちろんである。
以上のように、この究明の光起電力素子によると、絶縁
性透光性基板上に透明導電１喚を形成するとともに、透
明導電膜上に非晶質渾１１０形成し。
性透光性基板上に透明導電１喚を形成するとともに、透
明導電膜上に非晶質渾１１０形成し。
非晶質？ｓｉ膜の形成時に非晶質薄膜を貫通して生じる
１、１ピンホールに絶縁物を充填し、非晶質＃’Ｎ土に
釡ｍ膜を形成した員により、透明導電ｉ鵡と金属膜との
短絡を防ぎ、特性の低下を防止することかできる。
１、１ピンホールに絶縁物を充填し、非晶質＃’Ｎ土に
釡ｍ膜を形成した員により、透明導電ｉ鵡と金属膜との
短絡を防ぎ、特性の低下を防止することかできる。
第１図は従来の光起電力素子の切Ｗ「正面図、弔２図以
下の図面はこの発明の光起電力素子の１実に充填した状
態の平面図および＋ＪＪ＠正面図、第５図は非晶質薄膜
上の感光性絶縁物を月メり除いた状態の切断正面図、第
６図は冗反状態の切−１正面図である。 （υ・・・ガラス基板、（２し・透明導亀嘆、１３し・
非晶質薄膜、（４）・・・金属膜、（６）・・・ピンホ
ール、（７）・・・感光性絶縁物、（８）−・・太１１
’［？ｌＩＩ！。 第１図 第２図 第３図 も 第４図
下の図面はこの発明の光起電力素子の１実に充填した状
態の平面図および＋ＪＪ＠正面図、第５図は非晶質薄膜
上の感光性絶縁物を月メり除いた状態の切断正面図、第
６図は冗反状態の切−１正面図である。 （υ・・・ガラス基板、（２し・透明導亀嘆、１３し・
非晶質薄膜、（４）・・・金属膜、（６）・・・ピンホ
ール、（７）・・・感光性絶縁物、（８）−・・太１１
’［？ｌＩＩ！。 第１図 第２図 第３図 も 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性透光性基板上に透明導電膜を形成すると１ともに
、前記透明４電膜上に非晶質薄膜を形成し１、前記非晶
質薄膜の形成時に前記非晶質薄膜を貫通して生じるピン
ホールに絶縁物を充填し、前ｉば非晶質薄膜上に金属膜
を形成したことを特徴と、する光起電力素子。 ＼（リ ピンホールに感光性絶縁物を充填するととも
に、前記感光性絶縁物を光により固化させたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の光起電力素子。 ■ 非晶′Ｘ薄膜上に感光性絶縁物を塗布するとともに
、ピンホールに感光性絶縁物を充填し、絶縁性透光性基
板側から光を照射して前記ピノホール内の感光性絶縁物
のみを固化させ、前記非晶質薄膜上の感光性絶縁物を取
り除いたこ壬を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の光起電力素子。 Ａ） ピンホールに非晶質薄膜と同色の感゛光注絶縁吻
τ光填して固化させたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の光起電力素子。 ■ ピンホールに予め脱泡した感光性絶縁物を充填・し
て固化させたことを特徴とする請求ｉ！Ｆｌ第１項に記
載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176340A JPS5877263A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176340A JPS5877263A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877263A true JPS5877263A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS624869B2 JPS624869B2 (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=16011865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176340A Granted JPS5877263A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877263A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986270A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS61154039A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPS6254478A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US4774193A (en) * | 1986-03-11 | 1988-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for avoiding shorts in the manufacture of layered electrical components |
| US4786607A (en) * | 1985-08-24 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device free from current leakage through a semiconductor layer |
| US4812415A (en) * | 1985-09-21 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making semiconductor device free from electrical short circuits through a semiconductor layer |
| US5458695A (en) * | 1993-01-27 | 1995-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and process for fabricating the same |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP56176340A patent/JPS5877263A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986270A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JPS61154039A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JPS6254478A (ja) * | 1985-08-24 | 1987-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US4786607A (en) * | 1985-08-24 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device free from current leakage through a semiconductor layer |
| US4937651A (en) * | 1985-08-24 | 1990-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device free from the current leakage through a semiconductor layer and method for manufacturing same |
| US4812415A (en) * | 1985-09-21 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making semiconductor device free from electrical short circuits through a semiconductor layer |
| US4774193A (en) * | 1986-03-11 | 1988-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for avoiding shorts in the manufacture of layered electrical components |
| US5458695A (en) * | 1993-01-27 | 1995-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and process for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS624869B2 (ja) | 1987-02-02 |
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