JPH0535581B2 - - Google Patents
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- JPH0535581B2 JPH0535581B2 JP60104375A JP10437585A JPH0535581B2 JP H0535581 B2 JPH0535581 B2 JP H0535581B2 JP 60104375 A JP60104375 A JP 60104375A JP 10437585 A JP10437585 A JP 10437585A JP H0535581 B2 JPH0535581 B2 JP H0535581B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
本発明は透明絶縁基板上に、半導体薄膜および
その両面に接触する電極層をそれぞれパターン状
に形成して積層する薄膜太陽電池の製造方法に関
する。
その両面に接触する電極層をそれぞれパターン状
に形成して積層する薄膜太陽電池の製造方法に関
する。
【従来技術とその問題点】
薄膜太陽電池はユニツトセルを直列接続する場
合が多い。第２図はそのような太陽電池を示し、
ａは平面図、ｂはそのＸ−Ｘ線矢視断面図であ
る。ガラス板などの透明絶縁基板１の上に形成さ
れた三つの透明電極２１，２２，２３はITO、
SnO2またはその両者の積層膜からなり、透明導
電膜を電子ビーム蒸着法あるいはスパツタ蒸着法
により基板１上に全面に被着した後、ホトリソグ
ラフイ法を用いて第２図ａでは破線で輪郭を示し
たようにパターン状に形成される。この上にpin
接合型非晶質シリコン（以下ａ−Siと記す）層の
三つの領域３１，３２，３３が形成される。この
ａ−Si層は、透明電極２１，２２，２３を覆つて
基板１の全面に厚さがそれぞれ約100Åの形層、
約0.5μｍのｉ層、約500Åのｎ形層の順に被着し、
ホトリそグラフイ法を用いて第２図ａでは実線で
輪郭を示したようにパターン状に形成される。こ
のパターンは透明電極２１，２２，２３のパター
ンと類似しているが、若千同一方向（図では右方
向）にずらされており、透明電極の一部を露出さ
せる。次に同様に金属薄膜を蒸着法等により全面
被着の後、ホトリソグラフイ法を用いて金属電極
４４，４１，４２，４３を形成する。第２図ａに
おいて輪郭が鎖線で示され、斜線を引かれたこの
ようなパターンをAl等の金属膜をりん酸、硝酸、
混酸などの酸を用いてエツチングすることにより
形成すると、発生機の水素が生じ、透明電極もエ
ツチングされてしまう問題があり、これを避ける
ためにCl2、BCl3、CCl4のガスを用いてプラズマ
エツチングすることもある。こうして金属電極４
４，４１，４２がそれぞれ透明電極２１，２２，
２３と接触するように形成されるので、透明電極
２１、ａ−Si層３１、金属電極４１からなるユニ
ツトセル１１、透明電極２２、ａ−Si層３２、金
属電極４２からなるユニツトセル１２、透明電極
２３、ａ−Si層３３、金属電極４３からなるユニ
ツトセル１３が直列接続された薄膜太陽電池がで
き上がる。しかしこの製造方法では、透明導電
膜、ａ−Si層、金属膜のホトリングラフイ法によ
りパターニングする際、それぞれホトレジストを
塗布し乾燥する工程をバツチ式で行わねばならな
い。また液状ホトレジストを均一に塗布し、ホト
マスクを用いての露光、焼付けを行うための装置
が太陽面積の大面積化に伴い大型化し、高価にな
り、さらにホトマスクのコストも高くなる。 このような問題を解決するために透明電極、ａ
−Si光電変換領域、金属電極のハターニングをレ
ーザビームを用いて行うことが提案されている。
この方法によればホトジストの塗布、ホトマスク
の使用が不要となり、連続加工によつて大面積の
太陽電池を一つの基板上に作成することが可能に
なる。 しかし、レーザビームによる加工は線状である
ため、第２図で符号１０で示されているように太
陽電池をとり囲む領域の透明導電膜、ａ−Si層、
金属膜を全面除去することは手数がかかる。とこ
ろがこのような周辺部分ではａ−Si層に欠陥が生
じやすく、両電極間のリークの原因となるため、
除去しないでおくことはできない。さらに各層の
レーザ加工によるパターニングの際の位置決めの
ためのマーカをこのような周辺領域に形成しなけ
ればならないが、透明基板上の所定の位置に精度
よく不透明のマーカを形成するための特別な工程
を必要とする。そのため、マーカを形成しないで
基板の端面合わせ方式をとつていたが、パターン
の位置合わせ精度が低く、透明電極と金属電極と
の短絡が起きて特性不良を招くことがあつた。
合が多い。第２図はそのような太陽電池を示し、
ａは平面図、ｂはそのＸ−Ｘ線矢視断面図であ
る。ガラス板などの透明絶縁基板１の上に形成さ
れた三つの透明電極２１，２２，２３はITO、
SnO2またはその両者の積層膜からなり、透明導
電膜を電子ビーム蒸着法あるいはスパツタ蒸着法
により基板１上に全面に被着した後、ホトリソグ
ラフイ法を用いて第２図ａでは破線で輪郭を示し
たようにパターン状に形成される。この上にpin
接合型非晶質シリコン（以下ａ−Siと記す）層の
三つの領域３１，３２，３３が形成される。この
ａ−Si層は、透明電極２１，２２，２３を覆つて
基板１の全面に厚さがそれぞれ約100Åの形層、
約0.5μｍのｉ層、約500Åのｎ形層の順に被着し、
ホトリそグラフイ法を用いて第２図ａでは実線で
輪郭を示したようにパターン状に形成される。こ
のパターンは透明電極２１，２２，２３のパター
ンと類似しているが、若千同一方向（図では右方
向）にずらされており、透明電極の一部を露出さ
せる。次に同様に金属薄膜を蒸着法等により全面
被着の後、ホトリソグラフイ法を用いて金属電極
４４，４１，４２，４３を形成する。第２図ａに
おいて輪郭が鎖線で示され、斜線を引かれたこの
ようなパターンをAl等の金属膜をりん酸、硝酸、
混酸などの酸を用いてエツチングすることにより
形成すると、発生機の水素が生じ、透明電極もエ
ツチングされてしまう問題があり、これを避ける
ためにCl2、BCl3、CCl4のガスを用いてプラズマ
エツチングすることもある。こうして金属電極４
４，４１，４２がそれぞれ透明電極２１，２２，
２３と接触するように形成されるので、透明電極
２１、ａ−Si層３１、金属電極４１からなるユニ
ツトセル１１、透明電極２２、ａ−Si層３２、金
属電極４２からなるユニツトセル１２、透明電極
２３、ａ−Si層３３、金属電極４３からなるユニ
ツトセル１３が直列接続された薄膜太陽電池がで
き上がる。しかしこの製造方法では、透明導電
膜、ａ−Si層、金属膜のホトリングラフイ法によ
りパターニングする際、それぞれホトレジストを
塗布し乾燥する工程をバツチ式で行わねばならな
い。また液状ホトレジストを均一に塗布し、ホト
マスクを用いての露光、焼付けを行うための装置
が太陽面積の大面積化に伴い大型化し、高価にな
り、さらにホトマスクのコストも高くなる。 このような問題を解決するために透明電極、ａ
−Si光電変換領域、金属電極のハターニングをレ
ーザビームを用いて行うことが提案されている。
この方法によればホトジストの塗布、ホトマスク
の使用が不要となり、連続加工によつて大面積の
太陽電池を一つの基板上に作成することが可能に
なる。 しかし、レーザビームによる加工は線状である
ため、第２図で符号１０で示されているように太
陽電池をとり囲む領域の透明導電膜、ａ−Si層、
金属膜を全面除去することは手数がかかる。とこ
ろがこのような周辺部分ではａ−Si層に欠陥が生
じやすく、両電極間のリークの原因となるため、
除去しないでおくことはできない。さらに各層の
レーザ加工によるパターニングの際の位置決めの
ためのマーカをこのような周辺領域に形成しなけ
ればならないが、透明基板上の所定の位置に精度
よく不透明のマーカを形成するための特別な工程
を必要とする。そのため、マーカを形成しないで
基板の端面合わせ方式をとつていたが、パターン
の位置合わせ精度が低く、透明電極と金属電極と
の短絡が起きて特性不良を招くことがあつた。
本発明は、透明絶縁基板上に順次全面に被着さ
れる透明導電膜、半導体薄膜および金属膜をその
都度レーザビームによる加工によつてパターニン
グして半導体薄膜とその両面の電極層からなる隣
接配置される複数のユニツトセルを形成するにあ
たり、レーザ加工の際の位置決めの基準となるマ
ーカの作成が容易に行われる薄膜太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。
れる透明導電膜、半導体薄膜および金属膜をその
都度レーザビームによる加工によつてパターニン
グして半導体薄膜とその両面の電極層からなる隣
接配置される複数のユニツトセルを形成するにあ
たり、レーザ加工の際の位置決めの基準となるマ
ーカの作成が容易に行われる薄膜太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、透明絶縁基板上に基板側に透
明電極、反対側に金属電極が接触する半導体薄膜
発電領域からなる複数のユニツトセルを形成する
ために、基板上に透明導電膜を全面に被着後、そ
の周辺部の一部を不透明化し、レーザビームによ
つて線状加工することによりその不透明化部分よ
り内側の透明導電膜より各ユニツトセルに属する
透明電極を分離すると共に不透明化部分の一部を
線状除去して透光性マーカを形成し、次いで半導
体薄膜をそのマーカ部を除く全面に被着後、マー
カを用いて位置合わせしてレーザビームによつて
線状加工することにより半導体薄膜より各ユニツ
トセルに属する発電領域を分離し、さらに金属膜
を前記マーカ部を除く全面に被着後、マーカを用
いて位置合わせしてレーザビームによつて線状加
工することにより金属膜より各ユニツトセルに属
する金属電極を分離することによつて上記の目的
を達成する。
明電極、反対側に金属電極が接触する半導体薄膜
発電領域からなる複数のユニツトセルを形成する
ために、基板上に透明導電膜を全面に被着後、そ
の周辺部の一部を不透明化し、レーザビームによ
つて線状加工することによりその不透明化部分よ
り内側の透明導電膜より各ユニツトセルに属する
透明電極を分離すると共に不透明化部分の一部を
線状除去して透光性マーカを形成し、次いで半導
体薄膜をそのマーカ部を除く全面に被着後、マー
カを用いて位置合わせしてレーザビームによつて
線状加工することにより半導体薄膜より各ユニツ
トセルに属する発電領域を分離し、さらに金属膜
を前記マーカ部を除く全面に被着後、マーカを用
いて位置合わせしてレーザビームによつて線状加
工することにより金属膜より各ユニツトセルに属
する金属電極を分離することによつて上記の目的
を達成する。
第１、第３図は本発明の一実施例を示し、第１
図はでき上がつた薄膜太陽電池でａは平面図、
ｂ，ｃ，ｄはそれぞれａのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、
Ｃ−Ｃ線矢視断面図、第３図ａ〜ｆは製造工程を
順次示す断面図である。 先ず、第３図ａに示すようにガラス基板１の上
にITO、SnO2またはその複合膜からなる透明導
電膜２０を全面に被着し、透明導電膜２０の二つ
の隅に不透明薄膜５を形成した。不透明薄膜５は
Cr、Mo、Ｗ等を500〜2000Åの厚さに蒸着して
形成する。膜厚は薄いほどよいが、光透過率が３
０％以下であることが必要である。不透明部分５
の寸法は、太陽電池の有効面積を大きくするため
にできるだけ小さくする方が望ましく、基板１の
縁から２〜３mm程度の区域に形成する。不透明薄
膜の変わりに透明導電膜の還元によつて不透明部
分を形成してもよい。これは不透明部分の形成さ
れる領域以外を米シプレー（Shipley）社製
AZ111などのレジスト膜で覆い、その表面にZn
粉をつけた後、還元液、例えば米ミンエツチ
（MinEtch）社製ATO−Etchを用いて還元し、
In、Sbを析出させることにより形成できる。こ
うして透過率５％の不透明膜が得られる。次に
YAGレーザ光を照射してパターニングした。レ
ーザ光は、スポツト径６０μｍ、照射パワー４〜
8W、パルス幅300ns、シングルモード
（TEMOOモード）において30kHzで線状加工を
行つた。加工線は第１図ａに一点鎖線７１，７２
で示す。この結果、第３図ｂに示すように第２図
と同様な透明電極２１，２２，２３のパターンが
形成されると共に、その外周に透明導電膜領域２
４，２５，２６，２７が生ずる。領域２６に存在
する不透明薄膜５には同様なレーザ加工により十
字形のマーカ６を形成した。 次に第３図ｃに示すようにpin接合を有するａ
−Si層を形成する。ただしマーカ６を覆わないよ
うに、その付近３mm平方程度の区域はメタルマス
ク等を用いてａ−Si層を形成しない。ｐ、ｉ、ｎ
各層の膜厚はそれぞれ約100Å、0.5μｍ、500Åに
した。次いでマーカ６を利用してレーザパターニ
ング装置にセツトし、YAGレーザを用いて第１
図ａに実線で示す加工線７３，７４でパターニン
グした。この結果第３図ｄに示すようにａ−Si発
電領域３１，３２，３３が形成される。レーザ光
は、スポツト径60μｍ、照射パワー１〜4W、
TEMOOモードで30kHzであつた。この条件の場
合ａ−Si層の下の透明電極２１，２２，２３は損
傷を受けず、良好な結果が生じた。この発電領域
３１，３２，３３の周囲には欠陥の生じやすいａ
−Si層領域３４，３５，３６，３７が分離され
る。 同様にマーカ６付近の３mm平方程度の領域を除
いて、アルミニウム、チタン、モリブデン、タン
グステン、クロムなどのいずれかからなる金属膜
４０を第３図ｅのように形成した。次にレーザパ
ターニング装置にマーカ６を用いて位置合わせを
行い、第１図ａに破線で示す加工線７５，７６に
よつてパターニングを行つた。この結果第３図ｆ
に示すように金属電極４１，４２，４３が得ら
れ、また切り離された領域４４，４５，４６，４
７が生ずる。金属膜のレーザパターニングの条件
は、スポツト径60μｍ、照射パワー１〜3W、
TEMOOモードで30kHzであつた。 第４図のレーザパターニング装置を示し、基板
１を支持台８１にセツトする。この場合マーカ６
の下側に発光ダイオード８２が、上側にテレビカ
メラ等のセンサ８３が配置される。従つて図では
見ることができないが、二つのマーカ６に対しそ
れぞれ発光ダイオード８２およびセンサ８３が一
組ずつ備えられる。マーカ６は不透明部分５の中
にあつて透光性であるから、支持台８１を移動さ
せてマーカ６の十字形パターンが発光ダイオード
８２とセンサ８３を結ぶ線上に来るようにするこ
とにより位置合わせすることは容易であり、自動
化も可能である。 以上のような工程により台２図の場合と同様に
金属電極４４，４１，４２と透明電極２１，２
２，２３がそれぞれ電気的に接続され、太陽電池
のユニツトセル１１，１２，１３が直列接続され
る。こうして得られた太陽電池において、VOC＝
2.64V、JSC＝15ｍＡ／cm2、FF＝0.66、η＝8.7％
の出力が得られた。 なお上記の実施例ではマーカ部６の上にマスク
を用いて上層を形成しなかつたが、全面被着の後
マーカに重なるようにレーザ加工して除去しても
よい。 また、上記の実施例によれば、ユニツトセルと
欠陥の生じやすい周辺領域との分離も、レーザビ
ームによる線状加工により行われるので、ユニツ
トセルを囲む周辺部全面の除去は、必要でなくな
る。
図はでき上がつた薄膜太陽電池でａは平面図、
ｂ，ｃ，ｄはそれぞれａのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、
Ｃ−Ｃ線矢視断面図、第３図ａ〜ｆは製造工程を
順次示す断面図である。 先ず、第３図ａに示すようにガラス基板１の上
にITO、SnO2またはその複合膜からなる透明導
電膜２０を全面に被着し、透明導電膜２０の二つ
の隅に不透明薄膜５を形成した。不透明薄膜５は
Cr、Mo、Ｗ等を500〜2000Åの厚さに蒸着して
形成する。膜厚は薄いほどよいが、光透過率が３
０％以下であることが必要である。不透明部分５
の寸法は、太陽電池の有効面積を大きくするため
にできるだけ小さくする方が望ましく、基板１の
縁から２〜３mm程度の区域に形成する。不透明薄
膜の変わりに透明導電膜の還元によつて不透明部
分を形成してもよい。これは不透明部分の形成さ
れる領域以外を米シプレー（Shipley）社製
AZ111などのレジスト膜で覆い、その表面にZn
粉をつけた後、還元液、例えば米ミンエツチ
（MinEtch）社製ATO−Etchを用いて還元し、
In、Sbを析出させることにより形成できる。こ
うして透過率５％の不透明膜が得られる。次に
YAGレーザ光を照射してパターニングした。レ
ーザ光は、スポツト径６０μｍ、照射パワー４〜
8W、パルス幅300ns、シングルモード
（TEMOOモード）において30kHzで線状加工を
行つた。加工線は第１図ａに一点鎖線７１，７２
で示す。この結果、第３図ｂに示すように第２図
と同様な透明電極２１，２２，２３のパターンが
形成されると共に、その外周に透明導電膜領域２
４，２５，２６，２７が生ずる。領域２６に存在
する不透明薄膜５には同様なレーザ加工により十
字形のマーカ６を形成した。 次に第３図ｃに示すようにpin接合を有するａ
−Si層を形成する。ただしマーカ６を覆わないよ
うに、その付近３mm平方程度の区域はメタルマス
ク等を用いてａ−Si層を形成しない。ｐ、ｉ、ｎ
各層の膜厚はそれぞれ約100Å、0.5μｍ、500Åに
した。次いでマーカ６を利用してレーザパターニ
ング装置にセツトし、YAGレーザを用いて第１
図ａに実線で示す加工線７３，７４でパターニン
グした。この結果第３図ｄに示すようにａ−Si発
電領域３１，３２，３３が形成される。レーザ光
は、スポツト径60μｍ、照射パワー１〜4W、
TEMOOモードで30kHzであつた。この条件の場
合ａ−Si層の下の透明電極２１，２２，２３は損
傷を受けず、良好な結果が生じた。この発電領域
３１，３２，３３の周囲には欠陥の生じやすいａ
−Si層領域３４，３５，３６，３７が分離され
る。 同様にマーカ６付近の３mm平方程度の領域を除
いて、アルミニウム、チタン、モリブデン、タン
グステン、クロムなどのいずれかからなる金属膜
４０を第３図ｅのように形成した。次にレーザパ
ターニング装置にマーカ６を用いて位置合わせを
行い、第１図ａに破線で示す加工線７５，７６に
よつてパターニングを行つた。この結果第３図ｆ
に示すように金属電極４１，４２，４３が得ら
れ、また切り離された領域４４，４５，４６，４
７が生ずる。金属膜のレーザパターニングの条件
は、スポツト径60μｍ、照射パワー１〜3W、
TEMOOモードで30kHzであつた。 第４図のレーザパターニング装置を示し、基板
１を支持台８１にセツトする。この場合マーカ６
の下側に発光ダイオード８２が、上側にテレビカ
メラ等のセンサ８３が配置される。従つて図では
見ることができないが、二つのマーカ６に対しそ
れぞれ発光ダイオード８２およびセンサ８３が一
組ずつ備えられる。マーカ６は不透明部分５の中
にあつて透光性であるから、支持台８１を移動さ
せてマーカ６の十字形パターンが発光ダイオード
８２とセンサ８３を結ぶ線上に来るようにするこ
とにより位置合わせすることは容易であり、自動
化も可能である。 以上のような工程により台２図の場合と同様に
金属電極４４，４１，４２と透明電極２１，２
２，２３がそれぞれ電気的に接続され、太陽電池
のユニツトセル１１，１２，１３が直列接続され
る。こうして得られた太陽電池において、VOC＝
2.64V、JSC＝15ｍＡ／cm2、FF＝0.66、η＝8.7％
の出力が得られた。 なお上記の実施例ではマーカ部６の上にマスク
を用いて上層を形成しなかつたが、全面被着の後
マーカに重なるようにレーザ加工して除去しても
よい。 また、上記の実施例によれば、ユニツトセルと
欠陥の生じやすい周辺領域との分離も、レーザビ
ームによる線状加工により行われるので、ユニツ
トセルを囲む周辺部全面の除去は、必要でなくな
る。
本発明は、レーザビームによる線状加工によ
り、各ユニツトセル間の分離を行い、さらに各層
のレーザ加工の際の位置合わせ用マーカを透明基
板上の透明導電膜の不透明化部分をレーザによつ
て線状に除去することによつて形成するもので、
バツチ処理を必要とするホトレジストの塗布、乾
燥等の工程を必要とせず、連続製造が可能にな
る。また、位置合わせも±10μｍの精度で行われ
るため、透明電極と金属電極の短絡が起こらず特
性が向上する。しかも限られた数のパターニング
ラインの形成のみですむため、パターニング時間
が短縮できるなど得られる効果は極めて大きい。
り、各ユニツトセル間の分離を行い、さらに各層
のレーザ加工の際の位置合わせ用マーカを透明基
板上の透明導電膜の不透明化部分をレーザによつ
て線状に除去することによつて形成するもので、
バツチ処理を必要とするホトレジストの塗布、乾
燥等の工程を必要とせず、連続製造が可能にな
る。また、位置合わせも±10μｍの精度で行われ
るため、透明電極と金属電極の短絡が起こらず特
性が向上する。しかも限られた数のパターニング
ラインの形成のみですむため、パターニング時間
が短縮できるなど得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例により製造された薄
膜太陽電池を示し、ａが平面図、ｂ，ｃ，ｄがそ
れぞれａのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線矢視断
面図、第２図は従来の薄膜太陽電池を示し、ａが
平面図、ｂがａのＸ−Ｘ線矢視断面図、第３図は
本発明の一実施例の工程を順次示す各ユニツトセ
ルおよび一つのマーカ部を通る断面図、第４図は
本発明の実施例に用いられるレーザパターニング
装置の断面図である。 １：ガラス基板、１１，１２，１３：ユニツト
セル、２０：透明導電膜、２１，２２，２３：透
明電極、３０：ａ−Si層、３１，３２，３３：ａ
−Si層発電領域、４０：金属膜、４１，４２，４
３：金属電極、５：不透明薄膜、６：マーカ、７
１，７２，７３，７４，７５，７６：レーザ加工
線。
膜太陽電池を示し、ａが平面図、ｂ，ｃ，ｄがそ
れぞれａのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線矢視断
面図、第２図は従来の薄膜太陽電池を示し、ａが
平面図、ｂがａのＸ−Ｘ線矢視断面図、第３図は
本発明の一実施例の工程を順次示す各ユニツトセ
ルおよび一つのマーカ部を通る断面図、第４図は
本発明の実施例に用いられるレーザパターニング
装置の断面図である。 １：ガラス基板、１１，１２，１３：ユニツト
セル、２０：透明導電膜、２１，２２，２３：透
明電極、３０：ａ−Si層、３１，３２，３３：ａ
−Si層発電領域、４０：金属膜、４１，４２，４
３：金属電極、５：不透明薄膜、６：マーカ、７
１，７２，７３，７４，７５，７６：レーザ加工
線。
Claims (1)
- １ 透明絶縁基板上に基板側に透明電極、反対側
に金属電極が接触する半導体薄膜発電領域からな
る複数のユニツトセルを形成するために、基板上
に透明導電膜を全面に被着後、その周辺部の一部
を不透明化し、レーザビームによつて線状加工す
ることにより該不透明化部分より内側の透明導電
膜より各ユニツトセルに属する透明電極を分離す
ると共に不透明化部分の一部を線状に除去して透
光性マーカを形成し、次いで半導体薄膜を該マー
カ部を除く全面に被着後、マーカを用いて位置合
わせしてレーザビームによつて線状加工すること
により半導体薄膜より各ユニツトセルに属する発
電領域を分解し、さらに金属膜を前記マーカ部を
除く全面に被着後、マーカを用いて位置合わせし
てレーザビームによつて線状加工することにより
金属膜より各ユニツトセルに属する金属電極を分
離することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60104375A JPS61263172A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US06/863,426 US4689874A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-15 | Process for fabricating a thin-film solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60104375A JPS61263172A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263172A JPS61263172A (ja) | 1986-11-21 |
| JPH0535581B2 true JPH0535581B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=14379036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60104375A Granted JPS61263172A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4689874A (ja) |
| JP (1) | JPS61263172A (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815223B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1996-02-14 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| US4943710A (en) * | 1987-06-25 | 1990-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method for the same |
| CA2024662A1 (en) * | 1989-09-08 | 1991-03-09 | Robert Oswald | Monolithic series and parallel connected photovoltaic module |
| US4978601A (en) * | 1989-10-30 | 1990-12-18 | International Lead Zinc Research Organization, Inc. | Lead alloy battery grids by laser treatment |
| EP0482240A1 (de) * | 1990-10-24 | 1992-04-29 | Siemens Solar GmbH | Verfahren zur massgenauen Bearbeitung von flachen oder leicht gewölbten Werkstücken |
| US5497181A (en) * | 1992-06-29 | 1996-03-05 | Xerox Corporation | Dynamic control of individual spot exposure in an optical output device |
| EP1868249B1 (en) * | 1999-09-28 | 2011-07-13 | Kaneka Corporation | Method of controlling manufacturing process of photoelectric conversion apparatus |
| US6559411B2 (en) | 2001-08-10 | 2003-05-06 | First Solar, Llc | Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings |
| JP3749531B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2006-03-01 | 日東電工株式会社 | 透明導電積層体の製造方法 |
| US7888584B2 (en) * | 2003-08-29 | 2011-02-15 | Lyden Robert M | Solar cell, module, array, network, and power grid |
| JP4713100B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2011-06-29 | 株式会社カネカ | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
| JP4637244B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2011-02-23 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール |
| US8563351B2 (en) * | 2010-06-25 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing photovoltaic device |
| US20120080414A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | General Electric Company | Method and system for laser patterning a semiconductor substrate |
| CN102610691A (zh) * | 2010-10-12 | 2012-07-25 | 上方能源技术(杭州)有限公司 | 薄膜太阳能电池模组的制备方法及其设备 |
| CN103489964A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-01-01 | 山东禹城汉能光伏有限公司 | 一种bipv薄膜太阳能电池的制作方法 |
| TWI644448B (zh) * | 2017-10-18 | 2018-12-11 | 台灣中油股份有限公司 | 鈣鈦礦太陽能電池模組及其製備方法 |
| US10490682B2 (en) | 2018-03-14 | 2019-11-26 | National Mechanical Group Corp. | Frame-less encapsulated photo-voltaic solar panel supporting solar cell modules encapsulated within multiple layers of optically-transparent epoxy-resin materials |
| US11207988B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-12-28 | Robert M. Lyden | Electric or hybrid vehicle with wireless device and method of supplying electromagnetic energy to vehicle |
| US10840707B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-11-17 | Robert M. Lyden | Utility pole with solar modules and wireless device and method of retrofitting existing utility pole |
| US11588421B1 (en) | 2019-08-15 | 2023-02-21 | Robert M. Lyden | Receiver device of energy from the earth and its atmosphere |
| CN113921630A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-01-11 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种器件结构及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
| JPS59201472A (ja) * | 1983-04-29 | 1984-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置作製方法 |
| JPS6010627A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4594471A (en) * | 1983-07-13 | 1986-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP60104375A patent/JPS61263172A/ja active Granted
-
1986
- 1986-05-15 US US06/863,426 patent/US4689874A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
| JPS59201472A (ja) * | 1983-04-29 | 1984-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置作製方法 |
| JPS6010627A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61263172A (ja) | 1986-11-21 |
| US4689874A (en) | 1987-09-01 |
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|---|---|---|---|
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