JPS62205668A - 集積型太陽電池の製造方法 - Google Patents
集積型太陽電池の製造方法Info
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- JPS62205668A JPS62205668A JP61049183A JP4918386A JPS62205668A JP S62205668 A JPS62205668 A JP S62205668A JP 61049183 A JP61049183 A JP 61049183A JP 4918386 A JP4918386 A JP 4918386A JP S62205668 A JPS62205668 A JP S62205668A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、絶縁性透明基板上に透明電極、半厚体薄膜、
金属電極を積層してなる単位太陽電池の複数個を直列接
続した集積型太陽電池の製造方決に関する。
金属電極を積層してなる単位太陽電池の複数個を直列接
続した集積型太陽電池の製造方決に関する。
非晶質シリコン膜（以下ａ−Ｓｉ膜と記す）は、大面積
化が容易であることから、低コスト太陽電池として存望
視され、開発が進められている。第２図にガラス基板を
用いたａ −５Ｌ太陽電池の典型的な単位構造例を示す
。ガラス基板１上に酸化錫等からなる透明電極２を設け
、その上にｐｒｆ！Ｊ、 ４層、ｎＮの順にａ−３ｉ
ｌＰＪ３を堆積し、最後にアルミニウム、錫等の裏面金
属電極４を形成したものであって、ガラス基板ｌの側か
ら入射する光７により光起電力を生ずる。この構造のａ
−５ｉ太１ｕｆｆｉ池を大面積集積型にしたものが第
３図であり、その製造工程図を第４図に示す。第４図に
おいて、まずガラス基板１上に透明感電膜２を全面に形
成し （図ａ）、レーザバターニング法により分離し透
明電極２１２２．２３を形成した後（図ｂ）、ａ −５
ｉ膜３を全面に堆積し （図Ｃ）、同様にレーザバター
ニング法によりａ −５ｉ膜領域３１．３２．３３に分
離する （図ｄ）、そして金属膜４を被着し （図ｅ）
裏面金属電極４１．４２．４３に分離する （図ｆ）が
、その際レーザバターニング法では、金属膜表面の反耐
重が高いためレーザ光エネルギーを高くする必要があり
、これに伴い金属膜の下のａ −５ＬＩＱおよび透明導
電膜をも同時に除去してしまい、金属膜４のみを除去す
るように制御できない。それゆえに、裏面金属電極の分
離は、フォトエツチング法を用いなければならない。し
たがって一連の製造工程中にはレーザバターニング工程
が２回、フォトエツチング工程が１回合まれることにな
り、工程数が多く量産化に通さないといった問題点を有
する。一方、透明電極、ａ−５ｔ膜および裏面電極の各
層を分離形成す′るのに、各層の堆積時にマスクを用い
る方法があるが、この場合マスクの加工限度の制限を受
け、分離可能な最小線幅は０．５ 薦ｍ程度以下にはで
きない。したがって第４図ｆｄｌのａ−５ｉ膜除去部５
の線幅は、レーザパターニング法の場合の線幅約５０μ
ｍに比べ１０倍程度大きくなり、そのため発電しない部
分の面積が著しく大きくなって発電有効面積が大幅に低
減する。
化が容易であることから、低コスト太陽電池として存望
視され、開発が進められている。第２図にガラス基板を
用いたａ −５Ｌ太陽電池の典型的な単位構造例を示す
。ガラス基板１上に酸化錫等からなる透明電極２を設け
、その上にｐｒｆ！Ｊ、 ４層、ｎＮの順にａ−３ｉ
ｌＰＪ３を堆積し、最後にアルミニウム、錫等の裏面金
属電極４を形成したものであって、ガラス基板ｌの側か
ら入射する光７により光起電力を生ずる。この構造のａ
−５ｉ太１ｕｆｆｉ池を大面積集積型にしたものが第
３図であり、その製造工程図を第４図に示す。第４図に
おいて、まずガラス基板１上に透明感電膜２を全面に形
成し （図ａ）、レーザバターニング法により分離し透
明電極２１２２．２３を形成した後（図ｂ）、ａ −５
ｉ膜３を全面に堆積し （図Ｃ）、同様にレーザバター
ニング法によりａ −５ｉ膜領域３１．３２．３３に分
離する （図ｄ）、そして金属膜４を被着し （図ｅ）
裏面金属電極４１．４２．４３に分離する （図ｆ）が
、その際レーザバターニング法では、金属膜表面の反耐
重が高いためレーザ光エネルギーを高くする必要があり
、これに伴い金属膜の下のａ −５ＬＩＱおよび透明導
電膜をも同時に除去してしまい、金属膜４のみを除去す
るように制御できない。それゆえに、裏面金属電極の分
離は、フォトエツチング法を用いなければならない。し
たがって一連の製造工程中にはレーザバターニング工程
が２回、フォトエツチング工程が１回合まれることにな
り、工程数が多く量産化に通さないといった問題点を有
する。一方、透明電極、ａ−５ｔ膜および裏面電極の各
層を分離形成す′るのに、各層の堆積時にマスクを用い
る方法があるが、この場合マスクの加工限度の制限を受
け、分離可能な最小線幅は０．５ 薦ｍ程度以下にはで
きない。したがって第４図ｆｄｌのａ−５ｉ膜除去部５
の線幅は、レーザパターニング法の場合の線幅約５０μ
ｍに比べ１０倍程度大きくなり、そのため発電しない部
分の面積が著しく大きくなって発電有効面積が大幅に低
減する。
本発明は、集積型火陥電池の製造方法における透明導電
膜、半導体薄模、金属膜の分離のために従来行われてい
た１ノ−ザバターニング工程およびフォトエツチング工
程の実施回数を減少させて量産性を向上させるとともに
、半４体薄膜の分離のための除去による太陽電池基板上
の発電有効面積のｄ友少を従来より少なくすることを目
的とする。
膜、半導体薄模、金属膜の分離のために従来行われてい
た１ノ−ザバターニング工程およびフォトエツチング工
程の実施回数を減少させて量産性を向上させるとともに
、半４体薄膜の分離のための除去による太陽電池基板上
の発電有効面積のｄ友少を従来より少なくすることを目
的とする。
本発明は、一面が板面の広がり方向に垂直な面によって
連結された？ｊＩ数の傾斜した面からなる鋸の状に形成
された絶耘性透明基板上にマスクを用いて垂直面部分で
分離される透明導電膜および半導体薄膜を被着し、透明
電極および半導体薄膜領域を分離部をずらして形成した
のち、その上を覆った金属膜を傾斜面と垂直面の上部交
差稜部においてレーザ光の照射により除去して裏面金属
電極を形成するもので、フォトエツチング工程を必要と
せず、レーザパターニング工程を１回必要とするだけで
あり、半導体薄膜をマスクを用いて成膜することにより
分離するにもかかわらず、分離部が基板面に垂直な面に
存在するため発電有効面積が増大し、上記の目的が達成
される。
連結された？ｊＩ数の傾斜した面からなる鋸の状に形成
された絶耘性透明基板上にマスクを用いて垂直面部分で
分離される透明導電膜および半導体薄膜を被着し、透明
電極および半導体薄膜領域を分離部をずらして形成した
のち、その上を覆った金属膜を傾斜面と垂直面の上部交
差稜部においてレーザ光の照射により除去して裏面金属
電極を形成するもので、フォトエツチング工程を必要と
せず、レーザパターニング工程を１回必要とするだけで
あり、半導体薄膜をマスクを用いて成膜することにより
分離するにもかかわらず、分離部が基板面に垂直な面に
存在するため発電有効面積が増大し、上記の目的が達成
される。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を示し、第２ない
し第４図と共通の部分には同一の符号が付されている。 第１図において、ガラス基板１は片方の表面を鋸歯状に
加工されている。この基板上に、その垂直面部上に帯状
分離部６１が形成されるように透明導電膜を蒸着マスク
を使って電子ビーム蒸着法により堆積して透明電極２１
．２２．２３を形成する （図ａ）。この際使用する蒸
着マスクの構造を第５図に示す。外枠７１の中に格子７
２を設けたもので、このマスクをガラス基板の鋸歯形成
面の上から覆いかぶせ、格子７２が亜直面部に密着する
ようにセソトシたうえで、透明電極２Ｌ、 ２２．２３
・・・を形成する。さらに第１図中）では、ａ −Ｓｉ
膜を分離部６２が形成さるようにプラズマＣｖＤ法の際
にマスクを使って堆積する。この場合も、第５図と同型
のマスクを用いるが、ａ −５ｉｌｌｌの分離部６２の
位置は透明電極の分離部とずらされるので、格子７２の
位置を変えておく。これにより分離されたａ −ＳＬ膜
領領域３１３２．３３・・・が形成される。最後に第１
図（ｃｌで金属膜４を電子ビーム蒸着法やスパッタ法で
設けたうえで、第１図（ｄ＋に示すように金属ｌ漠の傾
斜面と垂直面が交わる稜部８に向かう方向でレーザビー
ム９を照射し、２面合属電臘４１．４２゜４３・・・を
分離する除去部６３を形成する。この場合、第６図に拡
大して示したように除去部分は裏面金属膜４を傾斜面方
向に切断することによってできるものであるため、レー
ザ光のビーム径をしぼることによってａ−Ｓｉ［３は一
部を除去するのみでとどめることができる。なお、透明
電極分離部６１゜ａ−Ｓｉ膜分離部６２０線幅はｌ ＋
ｎ程度に設計することが望ましい。 以上より、！！！８１造工程中にレーザバターニング工
程を１回用いるだけですみ、しかもａ −３ｔ膜分雌部
６３が鋸山部の垂直面部分に設けているため、無効にな
る発電面積の情はａ−Ｓｉ膜の厚さ０．５ ｐｅａ程度
ですみ、マスクによる分離部幅０．５鶴にはもちろん、
レーザパターニングによる分離部幅５０μｍにム。らべ
てもはるかに小さくなり、発電有効面積が畦 Ｓ・ン、 大幅に向上する。 ガラス基板の（頃斜面部の幅はｌＯ鶴程度１垂直面部の
深さは５重態以上に形成され、このような鋸歯状面は平
板ガラスの精密加工によるかあるいはガラス板を鋸歯状
面をもつ型を用いて成形することにより容易に得ること
ができる。 【発明の効果］ 本発明によれば、集積型薄膜太陽電池を製造する際に、
片面を傾斜面と垂直面からなる鋸歯状に成形した絶縁性
透明基板上に透明電極および半導体薄膜領域をマスクを
用いて分離形成し、それらの分離部を基板の鋸歯状部の
垂直面部分に設けた上で裏面金属電極膜を被着し、レー
ザバターニング法による鋸歯稜部上を除去して分離する
ことにより、レーザパターニング工程は１回だけでよく
、量産性が向上し製造コストの低減が可能になる上、分
離のために無効になる基板上の発電面積が少なくてすむ
ため発電有効面積が増大するなど得られる効果は極めて
大きい。
し第４図と共通の部分には同一の符号が付されている。 第１図において、ガラス基板１は片方の表面を鋸歯状に
加工されている。この基板上に、その垂直面部上に帯状
分離部６１が形成されるように透明導電膜を蒸着マスク
を使って電子ビーム蒸着法により堆積して透明電極２１
．２２．２３を形成する （図ａ）。この際使用する蒸
着マスクの構造を第５図に示す。外枠７１の中に格子７
２を設けたもので、このマスクをガラス基板の鋸歯形成
面の上から覆いかぶせ、格子７２が亜直面部に密着する
ようにセソトシたうえで、透明電極２Ｌ、 ２２．２３
・・・を形成する。さらに第１図中）では、ａ −Ｓｉ
膜を分離部６２が形成さるようにプラズマＣｖＤ法の際
にマスクを使って堆積する。この場合も、第５図と同型
のマスクを用いるが、ａ −５ｉｌｌｌの分離部６２の
位置は透明電極の分離部とずらされるので、格子７２の
位置を変えておく。これにより分離されたａ −ＳＬ膜
領領域３１３２．３３・・・が形成される。最後に第１
図（ｃｌで金属膜４を電子ビーム蒸着法やスパッタ法で
設けたうえで、第１図（ｄ＋に示すように金属ｌ漠の傾
斜面と垂直面が交わる稜部８に向かう方向でレーザビー
ム９を照射し、２面合属電臘４１．４２゜４３・・・を
分離する除去部６３を形成する。この場合、第６図に拡
大して示したように除去部分は裏面金属膜４を傾斜面方
向に切断することによってできるものであるため、レー
ザ光のビーム径をしぼることによってａ−Ｓｉ［３は一
部を除去するのみでとどめることができる。なお、透明
電極分離部６１゜ａ−Ｓｉ膜分離部６２０線幅はｌ ＋
ｎ程度に設計することが望ましい。 以上より、！！！８１造工程中にレーザバターニング工
程を１回用いるだけですみ、しかもａ −３ｔ膜分雌部
６３が鋸山部の垂直面部分に設けているため、無効にな
る発電面積の情はａ−Ｓｉ膜の厚さ０．５ ｐｅａ程度
ですみ、マスクによる分離部幅０．５鶴にはもちろん、
レーザパターニングによる分離部幅５０μｍにム。らべ
てもはるかに小さくなり、発電有効面積が畦 Ｓ・ン、 大幅に向上する。 ガラス基板の（頃斜面部の幅はｌＯ鶴程度１垂直面部の
深さは５重態以上に形成され、このような鋸歯状面は平
板ガラスの精密加工によるかあるいはガラス板を鋸歯状
面をもつ型を用いて成形することにより容易に得ること
ができる。 【発明の効果］ 本発明によれば、集積型薄膜太陽電池を製造する際に、
片面を傾斜面と垂直面からなる鋸歯状に成形した絶縁性
透明基板上に透明電極および半導体薄膜領域をマスクを
用いて分離形成し、それらの分離部を基板の鋸歯状部の
垂直面部分に設けた上で裏面金属電極膜を被着し、レー
ザバターニング法による鋸歯稜部上を除去して分離する
ことにより、レーザパターニング工程は１回だけでよく
、量産性が向上し製造コストの低減が可能になる上、分
離のために無効になる基板上の発電面積が少なくてすむ
ため発電有効面積が増大するなど得られる効果は極めて
大きい。
第１図は本発明の一実施例の工程要部を順次示す断面図
、第２図は単位ａ −Ｓｉ太陽電池の断面図、第３図は
従来の集積型太陽電池の断面図、第４図はその製造工程
を順次示す断面図、第５図は本発明の一実施例に用いる
成膜マスクの斜視図、第６図は第１図（ｄｌの部分拡大
図である。 １ニガラス基板、２１．２２．２１ ｉＳ明電極、３１
゜３２、３３： ａ Ｓｉ膜、４１．４２．４：ｌ金
属電極、６１゜６２．６３：分計Ｌ９：レーザ光。 第１図 第２図 Ｍ３図 第４図 第６図
、第２図は単位ａ −Ｓｉ太陽電池の断面図、第３図は
従来の集積型太陽電池の断面図、第４図はその製造工程
を順次示す断面図、第５図は本発明の一実施例に用いる
成膜マスクの斜視図、第６図は第１図（ｄｌの部分拡大
図である。 １ニガラス基板、２１．２２．２１ ｉＳ明電極、３１
゜３２、３３： ａ Ｓｉ膜、４１．４２．４：ｌ金
属電極、６１゜６２．６３：分計Ｌ９：レーザ光。 第１図 第２図 Ｍ３図 第４図 第６図
Claims (1)
- １）一面が板面の広がり方向に垂直な面によって連結さ
れた複数の傾斜した面からなる鋸歯状面に形成された絶
縁性透明基板上にマスクを用いて垂直面部分で分離され
る透明導電膜および半導体薄膜を被着し、透明電極およ
び半導体薄膜領域を分離部をずらして形成したのち、そ
の上を金属膜で覆い、該金属膜を傾斜面と垂直面の上部
交差稜部においてレーザ光の照射により除去して裏面金
属電極を形成することを特徴とする集積型太陽電池の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049183A JPS62205668A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 集積型太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049183A JPS62205668A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 集積型太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205668A true JPS62205668A (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=12823923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049183A Pending JPS62205668A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 集積型太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62205668A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008102809A1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Lintec Corporation | 透光性太陽電池モジュールとその製造方法及び太陽電池パネル |
| JP2008311662A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Schott Solar Gmbh | 半導体素子および金属−半導体コンタクトを製造する方法 |
| JP2010010664A (ja) * | 2008-05-27 | 2010-01-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその作製方法 |
| JP2012510730A (ja) * | 2008-12-03 | 2012-05-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 間隔をおいて配置された傾斜部を有する光電池および製造方法 |
| EP2740158A4 (en) * | 2011-08-01 | 2015-06-17 | Lg Innotek Co Ltd | SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE THEREWITH |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049183A patent/JPS62205668A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008102809A1 (ja) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Lintec Corporation | 透光性太陽電池モジュールとその製造方法及び太陽電池パネル |
| US7804021B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-09-28 | Lintec Corporation | Light transmissible solar cell module, process for manufacturing same, and solar cell panel thereof |
| US7812248B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-10-12 | Lintec Corporation | Light transmissible solar cell module, process for manufacturing same, and solar cell panel thereof |
| JP5415252B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2014-02-12 | リンテック株式会社 | 透光性太陽電池モジュールとその製造方法及び太陽電池パネル |
| JP2008311662A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Schott Solar Gmbh | 半導体素子および金属−半導体コンタクトを製造する方法 |
| US8610289B2 (en) | 2007-06-13 | 2013-12-17 | Schott Solar Ag | Semiconductor component and method for producing a metal-semiconductor contact |
| JP2010010664A (ja) * | 2008-05-27 | 2010-01-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその作製方法 |
| JP2012510730A (ja) * | 2008-12-03 | 2012-05-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 間隔をおいて配置された傾斜部を有する光電池および製造方法 |
| EP2740158A4 (en) * | 2011-08-01 | 2015-06-17 | Lg Innotek Co Ltd | SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE THEREWITH |
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