JPH04320380A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH04320380A JPH04320380A JP3087111A JP8711191A JPH04320380A JP H04320380 A JPH04320380 A JP H04320380A JP 3087111 A JP3087111 A JP 3087111A JP 8711191 A JP8711191 A JP 8711191A JP H04320380 A JPH04320380 A JP H04320380A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換層からの光起
電力の取出しのために光電変換層の光入射側に透明導電
材料からなる透明電極が設けられる太陽電池の製造方法
に関する。
電力の取出しのために光電変換層の光入射側に透明導電
材料からなる透明電極が設けられる太陽電池の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池はクリーンなエネルギー源とし
て期待されているが、その出力は受光面積に比例するの
で、できるだけ大きな面積の太陽電池を製造することが
望まれる。一方、光電変換層から光起電力を取出すため
に光電変換層の光入射側に設ける電極は、透光性である
必要がある。しかし、透光性の電極の形成のために用い
られるＳｎＯ２ ， ＩＴＯ （インジウムすず酸化物
） あるいはＺｎＯなどの透明導電材料は、抵抗率が１
×１０−３Ωｃｍ程度で１０−６Ωｃｍ台の金属にくら
べて高いため、抵抗による損失を少なくするための考慮
が必要となる。
て期待されているが、その出力は受光面積に比例するの
で、できるだけ大きな面積の太陽電池を製造することが
望まれる。一方、光電変換層から光起電力を取出すため
に光電変換層の光入射側に設ける電極は、透光性である
必要がある。しかし、透光性の電極の形成のために用い
られるＳｎＯ２ ， ＩＴＯ （インジウムすず酸化物
） あるいはＺｎＯなどの透明導電材料は、抵抗率が１
×１０−３Ωｃｍ程度で１０−６Ωｃｍ台の金属にくら
べて高いため、抵抗による損失を少なくするための考慮
が必要となる。
【０００３】図２（ａ）， （ｂ）は従来の太陽電池の
一例でステンレス鋼からなる基板１の上に非晶質シリコ
ン （以下ａ−Ｓｉと記す）からなるｐ−ｉ−ｎ接合を
有する光電変換層２が積層され、その上の光入射側の電
極としてＳｎＯ２ 層３が設けられている。ＳｎＯ２
層の厚さは５０００〜１００００ Åでそのシート抵抗
は１０〜２０Ω／□と高いので、それを補うために金属
マスクを用いてＡｌなどを蒸着し、櫛歯状の集電電極４
が表面上に形成されている。集電電極４の幹部４１は、
その幅が一端で５ｍｍ程度であり、枝部４２はその幅が
２００ μｍ程度である。このような櫛歯状集電電極は
、多結晶シリコン板を用いた太陽電池でも用いられてい
る。なお、図２の基板１には表面に金属を蒸着したガラ
ス板が用いられることもある。
一例でステンレス鋼からなる基板１の上に非晶質シリコ
ン （以下ａ−Ｓｉと記す）からなるｐ−ｉ−ｎ接合を
有する光電変換層２が積層され、その上の光入射側の電
極としてＳｎＯ２ 層３が設けられている。ＳｎＯ２
層の厚さは５０００〜１００００ Åでそのシート抵抗
は１０〜２０Ω／□と高いので、それを補うために金属
マスクを用いてＡｌなどを蒸着し、櫛歯状の集電電極４
が表面上に形成されている。集電電極４の幹部４１は、
その幅が一端で５ｍｍ程度であり、枝部４２はその幅が
２００ μｍ程度である。このような櫛歯状集電電極は
、多結晶シリコン板を用いた太陽電池でも用いられてい
る。なお、図２の基板１には表面に金属を蒸着したガラ
ス板が用いられることもある。
【０００４】図３は従来の集積型太陽電池の一例で、ガ
ラス基板５の上にＳｎＯ２ あるいはＩＴＯからなる透
明電極３１， ３２， ３３・・・を短冊状に形成し、
その上にａ−Ｓｉからなるｐ−ｉ−ｎ接合を有する光電
変換層２１， ２２， ２３・・・をやはり短冊状に形
成し、次いで金属からなる裏面電極６１， ６２， ６
３・・・をやはり短冊状に、そして縁部が下層の光電変
換層の間隙に入って隣接する透明電極の縁部に重なるよ
うに形成したもので横方向に並べられたユニットセルが
直列接続された構造である。
ラス基板５の上にＳｎＯ２ あるいはＩＴＯからなる透
明電極３１， ３２， ３３・・・を短冊状に形成し、
その上にａ−Ｓｉからなるｐ−ｉ−ｎ接合を有する光電
変換層２１， ２２， ２３・・・をやはり短冊状に形
成し、次いで金属からなる裏面電極６１， ６２， ６
３・・・をやはり短冊状に、そして縁部が下層の光電変
換層の間隙に入って隣接する透明電極の縁部に重なるよ
うに形成したもので横方向に並べられたユニットセルが
直列接続された構造である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示す太陽電池で
は、集電電極４を蒸着によって形成するため、蒸着装置
により基板１および光電変換層２の面積が制限され、ま
た集電電極４の寸法が大きくなると、蒸着時に特に細い
枝部４２で金属マスクが浮上がり、蒸着パターンにぼけ
が生ずるため、大面積化が困難であった。
は、集電電極４を蒸着によって形成するため、蒸着装置
により基板１および光電変換層２の面積が制限され、ま
た集電電極４の寸法が大きくなると、蒸着時に特に細い
枝部４２で金属マスクが浮上がり、蒸着パターンにぼけ
が生ずるため、大面積化が困難であった。
【０００６】図３に示す集積型太陽電池では、例えば短
冊状の透明電極３１， 光電変換層２１および裏面電極
６１からなるユニットセルの幅を広くすると、透明電極
での抵抗損失が大きくなるため、ユニットセルの幅は１
ｃｍ以下に制限され、大面積の集積型太陽電池をつくる
には直列接続数が多くなって接続による損失が増加する
問題があった。
冊状の透明電極３１， 光電変換層２１および裏面電極
６１からなるユニットセルの幅を広くすると、透明電極
での抵抗損失が大きくなるため、ユニットセルの幅は１
ｃｍ以下に制限され、大面積の集積型太陽電池をつくる
には直列接続数が多くなって接続による損失が増加する
問題があった。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題を解決し、大
面積化が容易な太陽電池の製造方法を提供することにあ
る。
面積化が容易な太陽電池の製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の太陽電池の製造方法は、他面に電極を備
えた光電変換層の一面上にＳｎＯ２あるいはＩＴＯから
なる第一透明導電層とＺｎＯからなる第二透明導電層を
順次積層したのち、第二透明導電層に第一透明導電層に
達する細溝を形成し、次いで水素 （Ｈ２ ） 処理に
より露出した第一透明導電層の表面層を還元するものと
する。その場合還元層を第二透明導電層上に形成した線
状の金属電極で接続することも有効である。本発明の別
の太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板上にＳｎＯ２
あるいはＩＴＯからなる第一透明導電層とＺｎＯから
なる第二透明導電層を順次積層したのち、両透明導電層
を加工して一方向に間隔を介して配列された複数の短冊
状に分割し、またその配列方向と平行に第一透明導電層
に達する細溝を第二透明導電層に形成し、Ｈ２ 処理に
より露出した第一透明導電層の表面層を還元し、そのあ
と短冊状の光電変換層を各透明電極の同一側の縁部を露
出させて形成し、さらに短冊状の裏面電極を同一側の縁
部が直下にある透明電極に隣接する透明電極の露出した
縁部に重なるように形成するものとする。
めに、本発明の太陽電池の製造方法は、他面に電極を備
えた光電変換層の一面上にＳｎＯ２あるいはＩＴＯから
なる第一透明導電層とＺｎＯからなる第二透明導電層を
順次積層したのち、第二透明導電層に第一透明導電層に
達する細溝を形成し、次いで水素 （Ｈ２ ） 処理に
より露出した第一透明導電層の表面層を還元するものと
する。その場合還元層を第二透明導電層上に形成した線
状の金属電極で接続することも有効である。本発明の別
の太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板上にＳｎＯ２
あるいはＩＴＯからなる第一透明導電層とＺｎＯから
なる第二透明導電層を順次積層したのち、両透明導電層
を加工して一方向に間隔を介して配列された複数の短冊
状に分割し、またその配列方向と平行に第一透明導電層
に達する細溝を第二透明導電層に形成し、Ｈ２ 処理に
より露出した第一透明導電層の表面層を還元し、そのあ
と短冊状の光電変換層を各透明電極の同一側の縁部を露
出させて形成し、さらに短冊状の裏面電極を同一側の縁
部が直下にある透明電極に隣接する透明電極の露出した
縁部に重なるように形成するものとする。
【０００９】
【作用】ＳｎＯ２ あるいはＩＴＯからなる第一透明導
電層の上にＺｎＯからなる第二透明導電層を積層し、第
二透明導電層を加工して線状に第一透明導電層を露出さ
せＨ２処理を行うと、露出したＳｎＯ２ あるいはＩＴ
Ｏの１００ 〜２００ｎｍ 程度の厚さの表面層は還元
されて低抵抗のＳｎあるいはＳｎ−Ｉｎ合金となるが、
ＺｎＯはプラズマ耐性が強く、Ｈ２ 処理によって変質
しない。すなわち、プラズマ処理のマスクとなる。この
低抵抗の還元層を形成することにより櫛歯状蒸着電極を
形成しなくても透明電極の抵抗が低減する。あるいは短
冊状透明電極の幅を自由に広げることができる。
電層の上にＺｎＯからなる第二透明導電層を積層し、第
二透明導電層を加工して線状に第一透明導電層を露出さ
せＨ２処理を行うと、露出したＳｎＯ２ あるいはＩＴ
Ｏの１００ 〜２００ｎｍ 程度の厚さの表面層は還元
されて低抵抗のＳｎあるいはＳｎ−Ｉｎ合金となるが、
ＺｎＯはプラズマ耐性が強く、Ｈ２ 処理によって変質
しない。すなわち、プラズマ処理のマスクとなる。この
低抵抗の還元層を形成することにより櫛歯状蒸着電極を
形成しなくても透明電極の抵抗が低減する。あるいは短
冊状透明電極の幅を自由に広げることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図２， 図３と共通の部分には同一の
符号を付した図を引用して本発明の実施例について説明
する。図１（ａ）， （ｂ）に示した太陽電池は、本発
明の一実施例により次のようにして製造された。まず、
金属基板１の上に主としてａ−Ｓｉよりなる光電変換層
２を形成し、その上にＳｎＯ２ 層３を５０００〜１０
０００ Å、ＺｎＯ層７を１００ 〜１０００Åの厚さ
にそれぞれＣＶＤ法で順次積層する。つぎにレーザ光に
より選択的にＺｎＯ層７をパターニングし、ＳｎＯ２
層３まで達する深さで幅４００ μｍの細溝７０を１ｃ
ｍ間隔で平行に形成する。これを、１Ｔｏｒｒ程度のＨ
２ 雰囲気中で基板温度２５０ 〜３５０ ℃でプラズ
マ処理することにより、細溝７０の底に露出したＳｎＯ
２が還元され膜厚１００ 〜２００ｎｍ の還元層８が
形成される。ＺｎＯ層７に覆われたＳｎＯ２ 層３およ
びＨ２ プラズマ処理で還元されないＺｎＯ層７はとも
に透明であり、透明電極として機能する。一方、ＳｎＯ
２ が還元されて生ずるＳｎの抵抗率は１１．５×１０
−６Ωｃｍで、ＺｎＯ， ＳｎＯ２ の１００ 分の１
の抵抗率をもつので図２の集電電極枝部４２と同様に機
能する。集電電極の幹部４１は図２の場合と同様にＡｌ
のマスク蒸着によって形成する。これにより、マスク蒸
着の際に欠陥のあらわれやすい枝部には蒸着層を用いな
いで集電電極が形成できるため、従来最大面積が２０ｃ
ｍ角であった単一型太陽電池の面積を３０ｃｍ角以上に
大きくすることができた。しかし、幹部にも還元層８を
用いてもよく、あるいは還元層の上に線状金属電極を重
ねてもよい。なお、金属基板１の代わりに表面に金属を
蒸着したガラス板を用いてもよい。また、ＳｎＯ２ の
代わりにＩＴＯを用いたときも、また光電変換層に多結
晶Ｓｉを用いたときも全く同様に実施できる。
符号を付した図を引用して本発明の実施例について説明
する。図１（ａ）， （ｂ）に示した太陽電池は、本発
明の一実施例により次のようにして製造された。まず、
金属基板１の上に主としてａ−Ｓｉよりなる光電変換層
２を形成し、その上にＳｎＯ２ 層３を５０００〜１０
０００ Å、ＺｎＯ層７を１００ 〜１０００Åの厚さ
にそれぞれＣＶＤ法で順次積層する。つぎにレーザ光に
より選択的にＺｎＯ層７をパターニングし、ＳｎＯ２
層３まで達する深さで幅４００ μｍの細溝７０を１ｃ
ｍ間隔で平行に形成する。これを、１Ｔｏｒｒ程度のＨ
２ 雰囲気中で基板温度２５０ 〜３５０ ℃でプラズ
マ処理することにより、細溝７０の底に露出したＳｎＯ
２が還元され膜厚１００ 〜２００ｎｍ の還元層８が
形成される。ＺｎＯ層７に覆われたＳｎＯ２ 層３およ
びＨ２ プラズマ処理で還元されないＺｎＯ層７はとも
に透明であり、透明電極として機能する。一方、ＳｎＯ
２ が還元されて生ずるＳｎの抵抗率は１１．５×１０
−６Ωｃｍで、ＺｎＯ， ＳｎＯ２ の１００ 分の１
の抵抗率をもつので図２の集電電極枝部４２と同様に機
能する。集電電極の幹部４１は図２の場合と同様にＡｌ
のマスク蒸着によって形成する。これにより、マスク蒸
着の際に欠陥のあらわれやすい枝部には蒸着層を用いな
いで集電電極が形成できるため、従来最大面積が２０ｃ
ｍ角であった単一型太陽電池の面積を３０ｃｍ角以上に
大きくすることができた。しかし、幹部にも還元層８を
用いてもよく、あるいは還元層の上に線状金属電極を重
ねてもよい。なお、金属基板１の代わりに表面に金属を
蒸着したガラス板を用いてもよい。また、ＳｎＯ２ の
代わりにＩＴＯを用いたときも、また光電変換層に多結
晶Ｓｉを用いたときも全く同様に実施できる。
【００１１】図４（ａ）， （ｂ）は本発明の他の実施
例により製造される集積型太陽電池に用いられた基板で
ある。この基板は次のようにして作製された。まず、ガ
ラス基板５の上に５０００〜１００００ Åの厚さのＳ
ｎＯ２ 層および１００ 〜１０００Åの厚さのＺｎＯ
層を順次積層する。次に図の左右方向にレーザスクライ
ブを行い、ＳｎＯ２ 層３にＺｎＯ層７に達する幅４０
０ μｍの細溝を１ｃｍ間隔で平行に形成する。 次いで、Ｈ２ プラズマ処理することにより、細溝の底
に露出したＳｎＯ２ 層３の表面層が１００ 〜２００
ｎｍの深さまで還元されて、金属Ｓｎからなる還元層
８が形成される。次に、図の上下方向にレーザスクライ
ブを行いＺｎＯ層を７１， ７２， ７３・・・、Ｓｎ
Ｏ２ 層を３１， ３２， ３３・・・に短冊状に分割
する。これにより表面に低抵抗の還元層８を平行に有す
るＳｎＯ２ 層およびＺｎＯ層からなる短冊状透明電極
が設けられた基板ができ上がる。この基板を用いて図５
に示すように図３の場合と同様にａ−Ｓｉを主材料とす
る光電変換層２１， ２２， ２３・・・、裏面電極６
１， ６２， ６３・・・を形成すれば、集積型太陽電
池ができ上がる。この太陽電池では透明電極の幅方向の
シート抵抗が、還元層８によって図３の場合の１１Ω／
□から４Ω／□に低減した。このように透明電極の幅方
向の抵抗が減少するので、透明電極の幅、すなわちユニ
ットセルの幅を自由に広げることができる。なお、この
場合もＳｎＯ２ の代わりにＩＴＯを用いることができ
る。
例により製造される集積型太陽電池に用いられた基板で
ある。この基板は次のようにして作製された。まず、ガ
ラス基板５の上に５０００〜１００００ Åの厚さのＳ
ｎＯ２ 層および１００ 〜１０００Åの厚さのＺｎＯ
層を順次積層する。次に図の左右方向にレーザスクライ
ブを行い、ＳｎＯ２ 層３にＺｎＯ層７に達する幅４０
０ μｍの細溝を１ｃｍ間隔で平行に形成する。 次いで、Ｈ２ プラズマ処理することにより、細溝の底
に露出したＳｎＯ２ 層３の表面層が１００ 〜２００
ｎｍの深さまで還元されて、金属Ｓｎからなる還元層
８が形成される。次に、図の上下方向にレーザスクライ
ブを行いＺｎＯ層を７１， ７２， ７３・・・、Ｓｎ
Ｏ２ 層を３１， ３２， ３３・・・に短冊状に分割
する。これにより表面に低抵抗の還元層８を平行に有す
るＳｎＯ２ 層およびＺｎＯ層からなる短冊状透明電極
が設けられた基板ができ上がる。この基板を用いて図５
に示すように図３の場合と同様にａ−Ｓｉを主材料とす
る光電変換層２１， ２２， ２３・・・、裏面電極６
１， ６２， ６３・・・を形成すれば、集積型太陽電
池ができ上がる。この太陽電池では透明電極の幅方向の
シート抵抗が、還元層８によって図３の場合の１１Ω／
□から４Ω／□に低減した。このように透明電極の幅方
向の抵抗が減少するので、透明電極の幅、すなわちユニ
ットセルの幅を自由に広げることができる。なお、この
場合もＳｎＯ２ の代わりにＩＴＯを用いることができ
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、透明電極をＳｎＯ２
あるいはＩＴＯからなるＨ２ 処理により還元される透
明透明導電層とＨ２ 処理により還元されないＺｎＯか
らなる透明透明導電層により形成し、ＺｎＯ層に細溝を
加工して露出させたＳｎＯ２ 層あるいはＩＴＯ層の表
面層をＨ２ 処理で還元して低抵抗にすることにより、
蒸着電極を用いないで透明電極の抵抗を低減させること
ができる。さらに還元層と金属電極とを併用して低抵抗
化を図ることもできる。この結果、大面積の光電変換層
からの集電あるいは集積型太陽電池のユニットセル幅の
増大などが可能になったので、出力の大きな大面積太陽
電池の製造に極めて有効である。
あるいはＩＴＯからなるＨ２ 処理により還元される透
明透明導電層とＨ２ 処理により還元されないＺｎＯか
らなる透明透明導電層により形成し、ＺｎＯ層に細溝を
加工して露出させたＳｎＯ２ 層あるいはＩＴＯ層の表
面層をＨ２ 処理で還元して低抵抗にすることにより、
蒸着電極を用いないで透明電極の抵抗を低減させること
ができる。さらに還元層と金属電極とを併用して低抵抗
化を図ることもできる。この結果、大面積の光電変換層
からの集電あるいは集積型太陽電池のユニットセル幅の
増大などが可能になったので、出力の大きな大面積太陽
電池の製造に極めて有効である。
【図１】本発明の一実施例による太陽電池を示し、（ａ
） は平面図、（ｂ） は（ａ） のＡ−Ａ線断面図
） は平面図、（ｂ） は（ａ） のＡ−Ａ線断面図
【
図２】従来の太陽電池を示し、（ａ） は平面図、（ｂ
） は（ａ） のＢ−Ｂ線断面図
図２】従来の太陽電池を示し、（ａ） は平面図、（ｂ
） は（ａ） のＢ−Ｂ線断面図
【図３】従来の集積型太陽電池の断面図
【図４】本発明
の他の実施例による集積型太陽電池の基板を示し、（ａ
）は平面図、（ｂ）は断面図
の他の実施例による集積型太陽電池の基板を示し、（ａ
）は平面図、（ｂ）は断面図
【図５】図４に示した基板
を用いた集積型太陽電池の断面図
を用いた集積型太陽電池の断面図
１ 金属基板
２ 光電変換層
３ ＳｎＯ２ 層
３１ ＳｎＯ２ 層
３２ ＳｎＯ２ 層
３３ ＳｎＯ２ 層
４１ Ａｌ電極
５ ガラス基板
６１ 裏面電極
６２ 裏面電極
６３ 裏面電極
７ ＺｎＯ層
７０ 細溝
７１ ＺｎＯ層
７２ ＺｎＯ層
７３ ＺｎＯ層
８ 還元層
Claims (5)
- 【請求項１】他面に電極を備えた光電変換層の一面上に
酸化すず （ＳｎＯ２ ）からなる第一透明導電層と酸
化亜鉛 （ＺｎＯ） からなる第二透明導電層を順次積
層したのち、第二透明導電層に第一透明導電層に達する
細溝を形成し、次いで水素（Ｈ２ ） 処理により露出
した第一透明導電層の表面層を還元することを特徴とす
る太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】他面に電極を備えた光電変換層の一面上に
酸化インジウムすず（ＩＴＯ） からなる第一透明導電
層とＺｎＯからなる第二透明導電層を順次積層したのち
、第二透明導電層に第一透明導電層に達する細溝を形成
し、次いでＨ２ 処理により露出した第一透明導電層の
表面層を還元することを特徴とする太陽電池の製造方法
。 - 【請求項３】第一透明導電層の還元層を第二透明導電層
上に形成した線状の金属電極によって接続する請求項１
あるいは２記載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】透光性絶縁基板上にＳｎＯ２ からなる第
一透明導電層とＺｎＯからなる第二透明導電層を順次積
層したのち、両透明導電層を加工して一方向に間隔を介
して配列された複数の短冊状に分割し、またその配列方
向と平行に第一透明導電層に達する細溝を第二透明導電
層に形成し、Ｈ２ 処理により露出した第一透明導電層
の表面層を還元し、そのあと短冊状の光電変換層を各透
明電極の同一側の縁部を露出させて形成し、さらに短冊
状の裏面電極を同一側の縁部が直下にある透明電極に隣
接する透明電極の露出した縁部に重なるように形成する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】透光性絶縁基板上にＩＴＯからなる第一透
明導電層とＺｎＯからなる第二透明導電層を順次積層し
たのち、両透明導電層を加工して一方向に間隔を介して
配列された複数の短冊状に分割し、またその配列方向と
平行に第一透明導電層に達する細溝を第二透明導電層に
形成し、Ｈ２ 処理により露出した第一透明導電層の表
面層を還元し、そのあと短冊状の光電変換層を各透明電
極の同一側の縁部を露出させて形成し、さらに短冊状の
裏面電極を同一側の縁部が直下にある透明電極に隣接す
る透明電極の露出した縁部に重なるように形成すること
を特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087111A JPH04320380A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087111A JPH04320380A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320380A true JPH04320380A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=13905846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3087111A Pending JPH04320380A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320380A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998029902A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Radiant Technologies, Inc. | Method for restoring the resistance of indium oxide semiconductors after heating while in sealed structures |
| US5840620A (en) * | 1994-06-15 | 1998-11-24 | Seager; Carleton H. | Method for restoring the resistance of indium oxide semiconductors after heating while in sealed structures |
| JP2011176010A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Sharp Corp | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| JP2013089766A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
| CN104241418A (zh) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能电池 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3087111A patent/JPH04320380A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5840620A (en) * | 1994-06-15 | 1998-11-24 | Seager; Carleton H. | Method for restoring the resistance of indium oxide semiconductors after heating while in sealed structures |
| WO1998029902A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Radiant Technologies, Inc. | Method for restoring the resistance of indium oxide semiconductors after heating while in sealed structures |
| JP2011176010A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Sharp Corp | 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
| JP2013089766A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
| CN104241418A (zh) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能电池 |
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