JPS61284974A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池

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JPS61284974A
JPS61284974A JP60126475A JP12647585A JPS61284974A JP S61284974 A JPS61284974 A JP S61284974A JP 60126475 A JP60126475 A JP 60126475A JP 12647585 A JP12647585 A JP 12647585A JP S61284974 A JPS61284974 A JP S61284974A
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田近 淳
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蒲池 誠
Bunji Sotai
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田渕 俊宏
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    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、太fil電池に係り、特に太陽電池における
電流収集用の集電体の占有面積を減少せしめ、太陽電池
の実効効率を高めるようにしたものである。
[従来の技術およびその問題点] 半導体の光起電力効果を利用して、光エネルギーを直接
電気エネルギーに変換する太陽電池は、少NR源国であ
る我が国では、その有効利用が注目されているデバイス
である。
太陽電池は、光エネルギーを有効に変換するために (1)光エネルギーを半導体部(光電変換部)に有効に
導き入れること。
(2)光キャリアの生成。
(3)内部電界による光生成キャリアの分極。
(4)分極キャリアの有効な収集。
の4つの基本的機能を備えている。
通常、太陽電池では光電変換層を2つの電極で挾んだ構
造がとられるが、2つの電極のうち光の入射方向側に配
置される電極は、透光性の導電膜で形成される。この透
光性の34電膜は、透光性を維持するためには、薄く形
成されなければならないが、薄く形成されると太I11
電池の大面積化が進むにつれて、電極そのものの抵抗が
大きくなり、集電効率が低下するという問題があった。
そこで、特開昭56−130977号公報にも記載され
ているように、透光性の導電股上に良導電性物質からな
るくし形の集電体くグリッド電極)を形成する構造が提
案されている。
すなわち、第7図(a)〜(e)にその構成を製造工程
と共に示す如く、例えば、透光性のガラス基板101上
に、集電用電極として電力取り出し用の帯状部Bを有す
るくし型グリッド電極102が形成されており、その上
層に通常の如く、透光性のS電膜103としての酸化イ
ンジウム錫CITO)?4極、光電変換層104として
のアモルファスシリコン(a−si)11、金属電極1
05としてのクロム電極とが積層せしめられて太陽電池
を構成している。そしてこの太陽電池出力は集電用電極
102と金属電極105との間で取り出される。
このような構造では電力取り出し部による抵抗は小さく
なるが、集電用電極の存在する部分は(入射光量の減衰
により)太陽電池として働がないため、受光面積がその
分だけ小さくなり、特に、電力取り出し用の帯状部Bの
存在は光の有効利用という観点では、大きな問題となっ
ている。この問題は集電用電極の形状の最適化をはかる
ことにより多少の改善は可能であるが、根本的に解決す
るのは困難であった。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、透
光性の第1電極と第2電極とによって光電変換層を挾ん
だ太陽電池において、太陽電池の裏面すなわち光の入射
方向の反対側に絶縁層を介して集電用の電極を形成する
と共に、この電極を前記第1電極と電気的に接続するよ
うにしている。
[作用1 すなわち、本発明の太陽電池では、各部で発生した電流
は、例えば透光性の第1電極から、光電変換層を越えて
裏面に形成されている集電用の電極に導かれ、太陽電池
の裏面側で電流の取り出しが行なわれる。
従って、従来必要とされていた電力取り出し用の帯状部
分「が不用となり、有効受光面積が増大する。
[発明の実施例] 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
(実施例1) この太陽電池は、第1図(a)に上面図、第1図(b)
〜(d)に、夫々館記第1図(a)のA−A断面図、B
−8断面図、C−C断面図を示す如く、透光性のガラス
基板1の表面全体に形成された表面電極としての酸化イ
ンジウム錫(ITO)電極2(透光性導電膜)と、該酸
化インジウム錫電極2上に互いに所定の間隔をおいて多
数の短冊状に、順次積層せしめられた光電変換層として
のアモルファスシリコン層3および裏面電極としての第
1のアルミニウム電極4と、短冊状の該光電変換層およ
びアルミニウム電極の積層体を各短冊毎に被覆する絶縁
層としての窒化シリコン膜5と、更にこの上層に電極取
り出し部T1を除いて基板表面全体に形成された集′R
N極としての第2のアルミニウム電極6とから構成され
ておりガラス基板1の側から矢印L1で示す如く光が入
射するように配置される。
次に、この太陽電池の製造方法について説明する。
まず、第2図(a)に示す如く、透光性のガラス基板1
に対し、酸化インジウム95m01%+酸化錫(Sn0
2 )5mo 1%からなるターゲットを用いてスパッ
タリングを行ない、II!厚約5000Aの酸化インジ
ウム錫電極2を形成する。この酸化インジウム錫電極は
シート抵抗が5Ω/口であった。
次いで、第2図(b)に示す如くモノシラン(SfH4
)ガスのグロー放電分解法により、メタルマスク(図示
せず)を介して、アモルファス・シリコンP層3P、ア
モルファスシリコン1M3I、アモルファスシリコンN
層3Nの3層からなるアモルファスシリコン層3を形成
する。このときアモルファスシリコンP層、アモルファ
スシリコン目しアモルファスシリコンN層の各層の厚さ
は夫々100A、5000A、500Aとし、P層を形
成するためのドーパントとしてはジボラン(B2 H6
)、N層を形成するためのドーパントとしてはホスフィ
ン(PH3)を夫々添加した。
続いて、メタルマスクをそのままにして、電子ビーム蒸
着法により第2図(C)に示す如く、裏面電極としての
第1のアルミニウム電極4をアモルファスシリコン層3
上にのみ形成する。
この後、メタルマスクを幅の小さいものと変換し、モノ
シラン(S!H4)とアンモニア(NH3)の混合ガス
を用いたグロー放電分解法により、第2図(d)に示す
如く、前記アモルファスシリコン層3および第1のアル
ミニウム電極4を被覆するように窒化シリコン膜(Si
3N4)5を形成する。このとき、裏面電極側の電力取
り出し部にも窒化シリコン膜が形成されないように、メ
タルマスクを設置する必要がある。
そして最後に第2図(e)に示す如く、電子ビーム蒸着
法により、膜厚1μmの第2のアルミニウム電極6を裏
面電極の電力取り出し部を除く基板表面全体に形成して
、本発明の太陽電池が完成する。
この太陽電池のΔMl、100mW/−の光照度下にお
ける電圧−電流出力特性は第3図に示す如くであった。
この電池の面積は10X10”である。ここで縦軸は出
力M流(A)、横軸は出力電圧(V)とした。この図か
らも明らかなように開放ff1JI812mV、 ’f
nNTa流1.47A、!高出力0.77Wで、太WA
電池の外形に対して、大きな出力を得ることができる。
すなわち、この太陽電池では透光性の表面電極のための
集電電極を裏面電極側に絶縁層を介してほぼ全面に形成
し、表面電極で得られた電流をこの集電電極に導くよう
にしているため、第7図(e)に示した従来例の太l!
l電池のように表面電極からの電力取り出し部を設ける
必要がなく、太陽電池の有効面積を大きくすることがで
き、実効効率を高めることができる。
また、第7図(e)に示した従来例の太陽電池のように
、集電電極としてくし状のグリッド電極をgQけた場合
、グリッドの抵抗を下げるためグリッドをできるだけ高
く(厚く)形成しなければならないが、本発明の太陽電
池では表面の集電電極は整面全体に形成されており、比
較的薄い膜厚で所望の抵抗値を得ることができるため集
電電極の形成が容易である。
なお、実施例においては、表面電極としての酸化インジ
ウム錫の形成にはスパッタリング法を用いたが電子ビー
ム蒸着法等、他の方法を用いてもよい。
また、集電電極と裏面電極とを絶縁するための絶縁層と
しては窒化シリコン膜を用いたが、酸化シリコンS10
をターゲットとして電子ビーム蒸着法により形成される
酸化シリコン膜、スクリーン印刷法により形成されるエ
ポキシ系の樹脂膜等も適用可能である。
(実施例2) この太陽電池は、第4図(a)、(b)、(c)(第4
図(b)、(C)は、夫々第4図(a)のa−a断面お
よびb−b断面を示す図)に示す如く、ステンレス基板
11上に短冊状をなすように形成されたポリイミド樹脂
からなる複数の絶縁層12と、該絶縁層12十に順次積
層せしめられた裏面電極13としてのアルミニウム層お
よび光電変換層14としてのアモルファスシリコン層と
、その上層に基板表面全体を覆うように形成された表面
電極15として透光性の酸化インジウム錫層を形成して
なるもので、該アモルファスシリコン層は表面電極13
の側面をも被覆し、表面電極15と裏面電極13との短
絡を防ぐと共に、表面電極15はステンレス基板11に
1部で接触し、電気的に接続され、これを集電電極とし
て用いるように構成されており、ステンレス基板11の
表面すなわち、光電変換部の形成面側から矢印L2で示
す如く、光が入射するように配置して使用される。
次に、この太陽電池の製造方法について説明する。
まず、第5図(a)に示す如く、ステンレス基板11上
に、スクリーン印刷法により、幅W=する。
ず)を用いた部分蒸着法により裏面電極13としてのア
ルミニウム層を選択的に形成する。このときも、第4図
(a)に示す如く、基板1の側面の1部にもアルミニウ
ム層を延設するようにする。
この後、更に幅の小さいメタルマスクを用いて、モノシ
ラン(SiH2)ガスのグロー放電分解法によりアモル
ファスシリコンNIH14N、アモルファスシリコンl
ff1、アモルファス29321層14Pの3層からな
る光電変換層14を選択的に形成する(第5図(C))
。このとき裏面電極形成時のメタルマスクよりも幅の小
さいメタルマスクを用いているため、短冊状の裏面電極
13の各側面を夫々覆うような形状に光電変換層が形成
される。
そして最接に第5図(d)に示す如く、基板表面仝休に
真空蒸着法により表面電極15としての酸化インジウム
錫層15を形成して、本発明の太陽電池が完成する。
この太陽電池では、表面電極としての透光性の酸化イン
ジウム錫電極はステンレス基板11とオーミック接続し
ており表面電極で得られた電流を、集電電極としてのス
テンレス基板11に導くようにしているため、集電部で
の電力損失を大幅に低下することができる。また、従来
のようなくし状のグリッド電極を集電電極として用いた
場合のように電力取り出し部を大きく形成しなくてもよ
いため、有効電池面積が大きくなり、太陽電池の実効効
率が向上する。
また、電池の側面に電力取り出し部を設けているため、
電池相豆間の直列接続が容易である。例えば第6図に示
す如く、2つの太陽電池31゜82を支持台り上に並べ
、ステンレス基板11の側面をWffi性接着剤Pで接
続することにより、太l!l電池31.32を直列接続
することができる。
このようにして多数の太陽電池を面積損失なしに直列接
続することも可能である。
なお、実施例では、裏面電極として短冊状パターンをな
すように形成されたアルミニウム電極13と表面電極1
5としての酸化インジウム錫電極との短絡を防ぐため、
光電変換層を延設することによって各短冊パターン毎に
、裏面電極の側面をも被覆するように形成したが、光電
変換層とは別に裏面電極の側面を覆うように絶縁層を形
成するようにしてもよい。
また、裏面電極として短冊状の導電膜を形成するに際し
てはメタルマスクを用いて部分蒸着を行なう他、全面に
形成した後、フォトリソエツチングによりパターン形成
を行なうようにしてもよいことはいうまでもない。
更に、(実施例1)においても(実施例2)においても
、短冊状に裏面電極および光電変換層を分割し、その間
の部分で表面電極と集電電極との電気的接続を行なうよ
うにしたが、必ずしもこれに限定されることなく、格子
状に接続部分を形成する等、適宜変更nJ能である。
[発明の効果J 以上、説明したように、本発明によれば、太陽電池の裏
面すなわち、光の入射方向の反対側に集電電極を形成し
、表面の透光性電極からの電流を導くようにしているた
め、集電電極として従来のくし状のグリッド電極を用い
た場合に比べ、有効電池面積が大幅に向上する上、集電
電極の面積を大きくとることができるため電力損失も低
減される。
また、くし状のグリッド電極を形成する場合、抵抗を下
げるために厚く(約10μm)形成しなければならず、
蒸着後、メッキ法等により、所定の膜厚を得る等、形成
が困難であったが、本発明の方法によれば、集電電極の
形成が極めて容易となる。
更に、電力取り出し部を側面あるいは裏面にとることが
でき、電気的接続が容易である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(d)は、本発明の第1の実施例の太陽
電池を示す図、(第1図(b)〜(d)は、夫々第1図
(a)のA−A断面、B−8断面、C−C断面を示す図
)、第2図(a)乃至(e)は、第1図(a)〜(d)
に示した太陽電池の製造工程図、第3図は、同太陽電池
の電流−電圧特性曲線、第4図(a)〜(C)は、本発
明の第2の実施例の太陽電池を示す図、(第4図(b)
および(C)は、夫々第4図(a)のa−a断面および
b−b断面を示す図〕、第5図(a)〜(d)は、第4
図(a)〜(C)に示した太陽電池の製造工程図、第6
図は、本発明の太陽電池の接続例を示す図、第7図(a
)〜(e)は従来例の太陽電池の構造をその製造工程と
共に示す図である。 101・・・ガラス基板、102・・・くし型グリッド
電極、103・・・透光性の導電膜、104・・・光電
変換層、105・・・金属電極、1・・・ガラス基板、
2・・・酸化インジウム錫電極、3・・・アモルファス
シ・リコン層、4・・・第1のアルミニウム電極、5・
・・窒化シリコン膜、6・・・第2のアルミニウム電極
、11・・・ステンレス基板、12・・・絶縁層、13
・・・裏面電極、14・・・光電変換層、15・・・表
面電極、D・・・支持台。 出願人代理人  木 村 高 久 !、1 第1図(b) !、1 第1図(C) 會L1 第1図(d) 第2図(Q)       第2図(e)第2図(b) 第2図(C) 第2図(d) 00.51.0 出力電圧 (V) 第3図 B1 第4図(a) 第4図<c> 第5図(a) 第5図(b) 第5図(C) 第5図(d) Sl          52 第6図 第7図(b) 第7図(C) 第7図(d)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光電変換層を透光性の第1の電極と、第2の電極
    とによつて挾み、前記第1の電極側から光が入射するよ
    うにした太陽電池において、 前記第2の電極の裏面側に絶縁層を介して集電用の第3
    の電極を配設し、該第3の電極が前記第1の電極と電気
    的に接続されるようにしたことを特徴とする太陽電池。
  2. (2)前記第1の電極は、透光性の基板上に形成されて
    おり、光が該基板の裏面側から入射するように構成した
    ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の太陽
    電池。
  3. (3)前記第2の電極および前記光導電体層は、両者を
    貫通するように所定の間隔をおいて形成された複数の細
    溝を有しており、 前記第2の電極および前記光電変換層を前記第1の電極
    から電気的に絶縁すべく、 前記絶縁層が、前記細溝の側壁にも配設されるようにし
    たことを特徴とする特許請求の範囲第(2)項記載の太
    陽電池。
  4. (4)前記第3の電極は、導電性の基板からなり、該導
    電性の基板上に順次、前記絶縁層、前記第2の電極、前
    記光電変換層、前記第1の電極が積層せしめられており
    、 光が前記基板の表面側から入射するように構成したこと
    を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の太陽電池
  5. (5)前記絶縁層および前記第2の電極は、前記導電性
    の基板上に、所定の間隔をおいて、複数の短冊パターン
    を形成するように、順次積層せしめられており、 前記光電変換層は、前記短冊パターンの側壁まで被覆す
    るように延設されており、 各短冊パターンの間で、前記導電性の基板と前記第1の
    電極の電気的接続がなされるようにしたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第(4)項記載の太陽電池。
  6. (6)前記第1の電極は前記短冊パターン間に露呈する
    前記導電性の基板上にも接触するよう一体的に形成され
    た透光性の導電膜からなることを特徴とする特許請求の
    範囲第(5)項記載の太陽電池。
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