JPS6077471A - 光発電装置 - Google Patents
光発電装置Info
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- JPS6077471A JPS6077471A JP58185193A JP18519383A JPS6077471A JP S6077471 A JPS6077471 A JP S6077471A JP 58185193 A JP58185193 A JP 58185193A JP 18519383 A JP18519383 A JP 18519383A JP S6077471 A JPS6077471 A JP S6077471A
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- Japan
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- electrode
- resin
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- electrodes
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同一絶縁基板上に形成された複数個の独立の発
電部（領域）を持つ薄膜太陽電池系の電気的接続の改良
に関するものである。
電部（領域）を持つ薄膜太陽電池系の電気的接続の改良
に関するものである。
まず第１図に基づき従来例に係る光発電装置（太陽電池
）の構造を説明する。
）の構造を説明する。
従来この種の装置は絶縁基板１上に順次第１電極２、半
導体ＮＩｊ３、第２電極４を債み重ねて形成された発電
部が複数個直列に接続された構造となっていた。
導体ＮＩｊ３、第２電極４を債み重ねて形成された発電
部が複数個直列に接続された構造となっていた。
半導体層３は発電層としての役割を持つと同時に、高抵
抗層のため電極２，４の絶縁膜としての役割を果たして
いた。第２電極４は第１電極２０対極であり、かつ隣り
の発電部（領域）の電極２と電気的に接続する。従って
第Ｉ電極２〜第２電極４間の膜厚には、第１電極２の膜
厚く半導体層３の膜厚く第２電極４の膜厚と云う大小関
係が必須であり、この様な関係を形成することを余儀な
くされるため、素子の最適設計をする上で大きな障害と
なっていた。
抗層のため電極２，４の絶縁膜としての役割を果たして
いた。第２電極４は第１電極２０対極であり、かつ隣り
の発電部（領域）の電極２と電気的に接続する。従って
第Ｉ電極２〜第２電極４間の膜厚には、第１電極２の膜
厚く半導体層３の膜厚く第２電極４の膜厚と云う大小関
係が必須であり、この様な関係を形成することを余儀な
くされるため、素子の最適設計をする上で大きな障害と
なっていた。
本発明はこの様な従来例の欠点に鑑みてなされたもので
あり、各発電部間の電気的短絡を引き起こすことなしに
、素子設計性に優れた光起電力装置を提供することを目
的とするものである。
あり、各発電部間の電気的短絡を引き起こすことなしに
、素子設計性に優れた光起電力装置を提供することを目
的とするものである。
以下本発明の一実施例を第２図に基づき説明する。
第２図においてガラス基板５（絶縁基板）上に短冊状の
Ｃｒ電極６（第１電極）を真空中で電子ビーム蒸着法に
よりｓ、ｏｏｏ Ｘ、形成しである。そしてＣｒ電極６
の右側の一部を除き、この上でプラズマＣＶＤ法により
順次ｐ型、Ｌ型、ｎｍ−アモルファスＳＬを堆精し、半
導体層７を形成する。
Ｃｒ電極６（第１電極）を真空中で電子ビーム蒸着法に
よりｓ、ｏｏｏ Ｘ、形成しである。そしてＣｒ電極６
の右側の一部を除き、この上でプラズマＣＶＤ法により
順次ｐ型、Ｌ型、ｎｍ−アモルファスＳＬを堆精し、半
導体層７を形成する。
このときｐ＋ ” ｒ及びｎ型層の厚みは、それその半
導体層７上に真空中で電子ビーム蒸着法により２，１０
０Ａ 厚のＩＴＯ（インジュウム、スズ合金酸化物）電
極８（第２電極）を形成する。モしてＣｒ電極６の左端
部の露出部を被うように電気的に高抵抗なエポキシ樹脂
（絶縁樹脂）９を塗布する。
導体層７上に真空中で電子ビーム蒸着法により２，１０
０Ａ 厚のＩＴＯ（インジュウム、スズ合金酸化物）電
極８（第２電極）を形成する。モしてＣｒ電極６の左端
部の露出部を被うように電気的に高抵抗なエポキシ樹脂
（絶縁樹脂）９を塗布する。
最後にＩＴＯ電極９と、ｐ型り合う発電部のＣｒ電極６
を電気的に接続するように、導電性銀エポキシ樹脂（導
電性樹脂）１０を塗布する。
を電気的に接続するように、導電性銀エポキシ樹脂（導
電性樹脂）１０を塗布する。
即ち、隣接する発電部の第２電極と第１電極を導電性樹
脂で電気的に接続すると共に、該導電性樹脂と少なくと
も該第２電極と同−発電部の第１電極との間を絶縁樹脂
で遮断したものである。
脂で電気的に接続すると共に、該導電性樹脂と少なくと
も該第２電極と同−発電部の第１電極との間を絶縁樹脂
で遮断したものである。
木兄ＢＩＪはこの様に薄膜太陽電池等の光発電装置を構
成したものであるからＣｒ電極、半導体層及びＩＴＯ電
極間の膜厚に制限がなくなり、 Ｃｒ電極の厚木を十分
とることで直列抵抗の低減、ＩＴＯ電極の厚みの最適化
による光の反射撰失の低減が出来、太陽電池のエネルギ
ー変換効率を約３０％改善できる。更に、ＣｒＮ、極と
対向する■１゛０電枦閤の半導体層を十分厚くすること
ができ、電極間の短絡をほとんど無くすことが可能どな
る。
成したものであるからＣｒ電極、半導体層及びＩＴＯ電
極間の膜厚に制限がなくなり、 Ｃｒ電極の厚木を十分
とることで直列抵抗の低減、ＩＴＯ電極の厚みの最適化
による光の反射撰失の低減が出来、太陽電池のエネルギ
ー変換効率を約３０％改善できる。更に、ＣｒＮ、極と
対向する■１゛０電枦閤の半導体層を十分厚くすること
ができ、電極間の短絡をほとんど無くすことが可能どな
る。
第１図は従来例に係る薄膜太陽電池の外観斜視図、第２
図は本発明の一実施例に係る薄１１負太陽電池の外観斜
視図である。 ５・・・・・・絶縁基板、６・・・・・・第１電極、７
・・・・・・半導体層、８・・・・・・第２電極、９・
・・・・・絶縁樹脂、１０・・・・・・導電性樹脂。
図は本発明の一実施例に係る薄１１負太陽電池の外観斜
視図である。 ５・・・・・・絶縁基板、６・・・・・・第１電極、７
・・・・・・半導体層、８・・・・・・第２電極、９・
・・・・・絶縁樹脂、１０・・・・・・導電性樹脂。
Claims (1)
- 同一絶縁基板上に、第１電極、半導体層、第２電極の順
にａｌｉ層した発電部を複数個電気的に直列接続した薄
膜光発電装置において、隣接する発電部の第２電極と第
１電極を導電性樹脂で接続すると共に、該導電性樹脂と
少くとも該第２電極と同一発電部の第１電極との間を絶
縁樹脂で遮断するように構成したことを／ｌｆ″徴とす
るう“６発電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185193A JPS6077471A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 光発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185193A JPS6077471A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 光発電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077471A true JPS6077471A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16166484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58185193A Pending JPS6077471A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 光発電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077471A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259891A (en) * | 1991-03-04 | 1993-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated type solar battery |
| JP2009231502A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光電変換素子、光電変換モジュールおよび光電変換素子の製造方法 |
| US20110000545A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device and Manufacturing Method Thereof |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58185193A patent/JPS6077471A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259891A (en) * | 1991-03-04 | 1993-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated type solar battery |
| JP2009231502A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光電変換素子、光電変換モジュールおよび光電変換素子の製造方法 |
| US20110000545A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device and Manufacturing Method Thereof |
| US9496428B2 (en) * | 2009-07-03 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
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