JP2022537499A - バックコンタクト型太陽電池モジュール及び製造方法 - Google Patents

バックコンタクト型太陽電池モジュール及び製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は太陽電池の技術分野に関し、バックコンタクト型太陽電池モジュール及び製造方法を開示する。当該方法は可包括：Ｎ個の小電池セル、小電池セルの裏面に互い違いに設けられるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域を有し、小電池セルのｐ＋ドープ領域に正極ファイングリッド線が設けられ、小電池セルのｎ＋ドープ領域に負極ファイングリッド線が設けられ、各小電池セルのいずれにも前記ｎ＋ドープ領域及びｐ＋ドープ領域電流を集めるメイングリッド線が設けられず、（Ｎ－１）本の導電条毎に基板と基板に設けられた導電パターンが含まれ、各基板は隣接する２つの小電池セルの間にそれぞれ設けられ、導電パターンは、各小電池セルが直列接続されるように、隣接する２つの小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を順に間隔をあけて電気的に接続するために使用されるものである。当該実施形態が提供するバックコンタクト型太陽電池モジュールは高い効率安定性を有し、且つ、銀グリッド線上の電気抵抗損失が減り、モジュールのフィルファクタが高い。【選択図】 図１

Description

関連出願の相互参照
本出願は以下の優先権を主張する：２０２０年５月２１日に出願された中国特許出願Ｎｏ．２０２０１０４３６１３５．８“バックコンタクト型太陽電池モジュール及びその製造方法”および２０２０年６月１０日に出願された中国特許出願Ｎｏ．２０２０１０５２２９５３．Ｘ“太陽電池モジュール及び製造方法”。本文では上記中国特許出願の公開内容を本出願の一部として引用する。
本発明は太陽電池の技術分野に関し、特にバックコンタクト型太陽電池モジュール及び製造方法に関する。
太陽電池の技術分野では、より低い生産コスト及びより高い光電変換効率を追求することが太陽電池工業の核心的な目標となっている。全バックコンタクト型太陽電池は通常の太陽電池と異なり、正負電極をすべて電池の裏面に設置することで、通常の太陽電池正面における光学損失を回避して電池の光電変換効率を向上させることができるため、高効率電池技術分野において広く注目、研究されている電池の一つである。
従来の全バックコンタクト型太陽電池はメイングリッド設計を有し、メイングリッドは電流を集める作用と溶着バンドを接続する作用を兼ね備える。全バックコンタクト型太陽電池には比較の高い短絡電流があるため、メイングリッド線及びファイングリッド線上の配線電気抵抗による電力損失を減少させるために、全バックコンタクト型太陽電池では、より多くのメイングリッド設計を採用するしかなく、通常の太陽電池よりも更に多くの銀ペーストを消費する。それと同時に、平行に配置される短冊状のｎ＋ドープ領域、ｐ＋ドープ領域及び両者にそれぞれ接続されるファイングリッド線は間隔を開けて設けられているため、電池メイングリッドの設計時に電池正負極短絡による電池の不具合をどのように防ぐかについても考慮しなければならない。
現在、一つの手段として、絶縁材料と工程ステップを別途導入することで正負極メイングリッドは極性が一致するファイングリッド線のみに接続する手段があるが、このような方法工程は複雑であり、電池製造コストが高く、電池効率及びモジュール功率の安定性が低く、また、将来的に数十年の発電過程においてモジュール功率の更なる低下や電気安全問題が存在する。もう一つの手段として、正負電極を中国語の「豐」の簡体字の形状に設計し、負電極のファイングリッド線に正電極のメイングリッド線を回避させ、正電極のファイングリッド線に負電極のメイングリッド線を回避させる手段がある。このような正負電極の二次元パターンには互い違いの部分が存在しないため、これにより逆方向に漏電する問題を解決できる。しかし、このような設計の場合、キャリアの横方向の伝送距離が長すぎて、正負極性のファイングリッド線に收集されにくいため、電池の直列抵抗が急激に上昇し、電池フィルファクタや光電変換効率は大きな影響を受ける。
この他、正面にメイングリッドを設計する従来の全バックコンタクト型太陽電池モジュールの作製工程においては、電池モジュールに、溶着バンドの大量使用によりシリコンウエハが反ってひび割れやフラグメントが生じる問題、また、一体成型されたバックシート設計を用いることにより精度制御の難度や作製コストが高くなる問題も存在する。よって、どのように、バックコンタクト型太陽電池モジュールの作製工程を簡素化し、性能を安定させ、且つ、市場に受け入れられる全バックコンタクト型太陽電池モジュールを量産するかは早急に解決しなければならない問題である。
以上に鑑み、本発明はバックコンタクト型太陽電池モジュール及びその製造方法を提供する。当該製造方法によれば、バックコンタクト型太陽電池モジュールの製造工程が大幅に簡素化され、電池製造コストが削減され、電池セルのひび割れやフラグメントの発生を防ぐことができる。当該方法により製造されたバックコンタクト型太陽電池モジュールは高い効率安定性を有し、且つ、銀グリッド線上の電気抵抗損失が減り、モジュールのフィルファクタが高い。
上記目的を実現するために、本発明の実施例の一つの態様に基づき、
Ｎ個の小電池セルと、（Ｎ－１）本の導電条と、を備え、
Ｎ個の小電池セルは、前記小電池セルの裏面に互い違いに設けられるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域を有し、前記小電池セルのｐ＋ドープ領域に正極ファイングリッド線が設けられ、前記小電池セルのｎ＋ドープ領域に負極ファイングリッド線が設けられ、前記小電池セルのいずれにも前記ｎ＋ドープ領域及び前記ｐ＋ドープ領域電流が集まるメイングリッド線が設けられず、
（Ｎ－１）本の導電条は、前記導電条毎に基板と前記基板に設けられた導電パターンが含まれ、各前記基板は隣接する２つの小電池セルの間にそれぞれ設けられ、前記導電パターンは、各前記小電池セルが直列接続されるように、隣接する２つの小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を順に間隔をあけて電気的に接続するために使用されるものである、
バックコンタクト型太陽電池モジュールを提供する。
好ましくは、隣接する２つの前記小電池セル上のｎ＋ドープ領域とｐ＋ドープ領域は一対一に対応して設けられ、前記導電パターンは複数本の導電折線が列状に配列されてなり、前記導電折線はステップ状である。
好ましくは、隣接する２つの前記小電池セル上のｎ＋ドープ領域及びｐ＋ドープ領域が互い違いに対応して設けられ、前記導電条の導電パターンは複数本の直線が列状に配列されてなる。
好ましくは、前記導電パターンには多段導電性ペーストまたは多段ハンダが含まれる。
好ましくは、各段の前記導電性ペーストまたは各段の前記ハンダは、一方の前記小電池セルの一つの前記正電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方の前記小電池セルの一つの前記負電極接触ファイングリッドを接続する。
好ましくは、前記小電池セルはバックコンタクト型太陽電池セルが切断されてなる。
好ましくは、前記（Ｎ－１）本の導電条は同一バックシートに位置し、各前記基板は前記バックシートの部分的な領域である。
好ましくは、隣接する前記ｐ＋ドープ領域及び前記ｎ＋ドープ領域の隣接する２つの側面の構造は相補的である。
好ましくは、前記ｐ＋ドープ領域及び前記ｎ＋ドープ領域の構造は長方形構造、台形、鋸歯形、方形波形のうちのいずれか一種である。
好ましくは、前記ｎ＋ドープ領域は互い違いに設けられた幅広矩形条及び幅狭矩形条を含む条状であり、前記ｐ＋ドープ領域は隣接する２本のｎ＋ドープ領域の間に充填される。
好ましくは、前記Ｎ個の小電池セルの関係には、隣接する２つの小電池セルにおいて、同じタイプのドープ領域が対向して設けられる関係および隣接する２つの小電池セルにおいて、反対タイプのドープ領域が対向して設けられる関係の組み合わせが含まれる。
好ましくは、前記基板の膨張係数はシリコンに近い。
好ましくは、前記基板は伝導シリコンウエハである。
第二の態様に基づき、本発明の実施例は、
複数のバックコンタクト型太陽小電池セル、及び少なくとも一段の導電性ペーストが設けられるバックシートを備え、
前記バックコンタクト型太陽小電池セルは、シリコン基材、前記シリコン基材の背面に交互に配列されるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域、前記ｐ＋ドープ領域に設けられる正電極接触ファイングリッドおよび前記ｎ＋ドープ領域に設けられる負電極接触ファイングリッドを備え、
前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルは並列に配列され、そのうち、各隣接する２つの前記バックコンタクト型太陽小電池セルの側面が向かい合い、
隣接する２つの前記バックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端は当該一方側と電気的に分離し、前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端は当該他方側と電気的に分離し、
各段の前記導電性ペーストは隣接する２つの前記バックコンタクト型太陽小電池セルの間に分布し、
各段の前記導電性ペーストは、一方の前記バックコンタクト型太陽小電池セルの前記負電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方の前記バックコンタクト型太陽小電池セルの前記正電極接触ファイングリッドを接続する、
バックコンタクト型太陽電池モジュールを提供する。
好ましくは、前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端に絶縁層が被覆され、前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端に絶縁層が被覆される。
好ましくは、前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端は当該一方側に対して短端であり、
前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端は当該他方側に対して短端である。
好ましくは、前記導電性ペーストは長尺状構造であり、
前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端に前記長尺状構造の一方の長辺が接続され、
前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端に前記長尺状構造の他方の長辺が接続される。
好ましくは、前記導電性ペーストは、長尺状本体と長尺状構造本体の両側に別々に設けられて当該長尺状本体に接続する複数の分岐段を含み、そのうち、長尺状構造本体一方側の各分岐段は、隣接する一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの正電極接触ファイングリッドと接触し、長尺状構造本体の他方側の各分岐段は、隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの負電極接触ファイングリッドと接触する。
好ましくは、前記小電池セルと前記バックシートの間の隙間を充填するための第一封止層をさらに含むバックコンタクト型太陽電池モジュール。
好ましくは、ガラス板と、第二封止層と、をさらに含み、
前記ガラス板は前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルと向かい合い、
前記第二封止層は前記ガラス板と前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの間に設けられ、
前記第一封止層及び前記第二封止層は前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを前記ガラス板と前記バックシートの間に封止するために使用される、バックコンタクト型太陽電池モジュール。
第三の態様に基づき、本発明の実施例は、
複数の小電池セルを得られるよう、バックコンタクト型太陽小電池セルを前記ｎ＋ドープ領域又は前記ｐ＋ドープ領域の短辺方向に等間隔に切断するステップＳ１と、
基板上に導電パターンを設けて導電条を形成し、各前記小電池セルを前記導電条により順に直列接続して電池ストリングを形成するステップＳ２と、
前記電池ストリングを順に集約、積層及びラミネートして封止を行い、バックコンタクト型太陽電池モジュールを得るステップＳ３と、
を含むバックコンタクト型太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
好ましくは、ステップＳ１において２≦Ｎ≦２０である。
好ましくは、ステップＳ２において前記導電パターンはハンダ又は導電性ペーストを印刷する方式で前記基板に乾燥固化させ、前記乾燥固化の温度は１００～５００℃であり、時間は３０－６００ｓである。
好ましくは、前記ハンダは錫、錫鉛合金、錫ビスマス合金又は錫鉛銀合金であり、前記導電性ペーストは導電粒子が包まれた接着剤であり、前記接着剤はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、熱可塑性樹脂又はポリイミドのうちの一種以上であり、前記導電粒子は銀、金、銅又は銀、金、銅のうちの二種以上からなる合金粒子である。
第四の態様に基づき、本発明の実施例は、
バックコンタクト型太陽電池セルを製造するステップと、
バックシートの一つの表面に導電性ペーストを印刷するステップと、
複数の前記バックコンタクト型太陽小電池セルを前記バックシート上に配列し、前記導電性ペーストにより複数の前記バックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続し、乾燥固化するステップと、を含むバックコンタクト型太陽電池モジュールの方法を提供する。
上記発明における一つの実施例は以下の長所又は有益な效果を有する：
まず、本発明が提供するバックコンタクト型太陽電池モジュールは通常のメイングリッド線設計を完全に廃止しているため、電池製造工程が大幅に簡素化され、電池効率安定性が向上し、電池製造コストが削減される。
次に、本発明では導電条を採用して各小電池セルを直列接続する。そのうち、導電条は基板及び導電パターンからなり、基板は載置板であり、導電パターンは隣接する２つの小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を電気的に接続するために使用されるものである。これにより、小電池セルを直列接続する時、導電パターンと２つの小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を順に間隔をあけて電気的に接続するだけでよく、こうして、電池ストリング上の電流を、導電パターンにより、電気的に接続されるドープ領域に導出させる。このように小電池セルを生産する時、メイングリッド線の集電領域設計の制限は受けず（例えば正電極ファイングリッド及び負電極ファイングリッドは互いに平行且つ交互に設けられるが、正電極ファイングリッドの両端と負電極ファイングリッドの両端は揃えない設置が必要となり、即ち正電極ファイングリッドの一端が負電極ファイングリッドの一端に対して突出端を有し、正電極ファイングリッドの他端が負電極ファイングリッドの他端に対して短端を有する等）、本出願における短冊状ｎ＋ドープ領域及びｐ＋ドープ領域は生産時に電池セル全体を直接貫通でき、その後、当該電池セルを直接ｎ＋ドープ領域又はｐ＋ドープ領域の短辺に沿って切断して複数の小電池セルを形成し、その後、特定の導電パターンを印刷した導電片により電池ストリングになるように互いに接続すればよく、従来技術に比べ、電池製造工程が簡素化され、生産能力が向上し、電池製造コストが削減される。
また、本発明は複数の小電池セルが直列接続されてなり、一枚のバックコンタクト型太陽電池セルに比べ、電池セルストリング毎の電流が小さく、銀グリッド線上の電気抵抗損失の影響が低減され、モジュールのフィルファクタが向上する。
また、バックコンタクト型太陽電池モジュールは全体にわたり、電池ストリングの集約領域に溶着バンドを用いる以外、他の部分はいずれも無溶着バンド設計であるため、モジュールコストが大幅に低減される。また、モジュール電流が、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セルの間を伝送する中、本発明に示される伝送ルートの電気抵抗は最小であることが発明者の複数回の実験により証明されており、銀グリッド線上の電気抵抗損失の影響が低減され、モジュールのフィルファクタが向上する。
この他、本発明の導電条の基板膨張係数はシリコンに近い、または電池セル基体と一致するシリコンウエハとすることができるため、両者の熱膨張係数が一致しないことによるひび割れやフラグメントの発生を防ぐことができる。
また、導電性ペーストは直列接続される複数のバックコンタクト型太陽小電池セル間の距離を短くでき、且つ導電性ペーストと正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドは、メイングリッドによる横方向の伝送損失及び電極シャドーイングを排除でき、また、多段導電性ペーストは各隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に分布すると同時に、一段の導電性ペーストに、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの正電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの負電極接触ファイングリッドが接続されるため、複数のバックコンタクト型太陽小電池セルと多段導電性ペーストが形成する直列回路の間は相対的に独立し、即ち正電極接触ファイングリッドと負電極接触ファイングリッドの間は一対一の直列接続であり、電流伝送ルートを固定し、且つ互いに独立させるため、隣接する直列回路の干渉を有意に減少させ、電流の分散及び拡散を防止でき、電流損失を有意に低減させ、全バックコンタクト型太陽電池モジュールのフィルファクタ、光電変換効率および光電変換効率の安定性をさらに向上させることができる
上記非慣用的な任意選択的な方式が有する更なる效果については発明を実施するための形態と合わせて以下に説明する。
図面は本発明を理解し易くするためのものであり、本発明を限定するものではない。
本発明の実施例１～２に基づき提供する全バックコンタクト型太陽電池セルの断面図である。 図１に基づく底面図である。 実施例１に基づき全バックコンタクト型太陽電池セルが切断された後に配置される小電池セルである。 本発明の一つの実施例に基づき提供する導電条の構造概略図である。 本発明の実施例１に基づき提供する全バックコンタクト型太陽電池ストリングである。 実施例２に基づき全バックコンタクト型太陽電池セルが切断された後に配置される小電池セルである。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する導電条の構造概略図である。 本発明の実施例２に基づき提供する全バックコンタクト型太陽電池ストリングである。 本発明の実施例３～４に基づき提供する全バックコンタクト型太陽電池セルの構造概略図である。 実施例３に基づき全バックコンタクト型太陽電池セルが切断された後に配置される小電池セルである。 本発明の実施例３に基づき提供する全バックコンタクト型太陽電池ストリングである。 実施例４に基づき全バックコンタクト型太陽電池セルが切断された後に配置される小電池セルである。 本発明の実施例４に基づき提供する全バックコンタクト型太陽電池ストリングである。 本発明の実施例に基づき提供する導電条が同一バックシートに位置する構造概略図である。 本発明ももう一つの実施例に基づき提供する導電条が同一バックシートに位置する構造概略図である。 本発明の実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 発明の実施例に基づき提供する導電性ペーストの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する導電性ペーストの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明の一つの実施例に基づく隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係の概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づく隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係の概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づく隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係の概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づく隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係の概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づくバックシート上に設けられる導電性ペーストの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づき提供する同一バックシートに位置する導電条が直列接続された全バックコンタクト型太陽電池ストリングの構造概略図である。 本発明のまた一つの実施例に基づくバックコンタクト型太陽電池モジュールの構造概略図である。 本発明の実施例に基づく太陽電池モジュールの製造方法の主要フローの概略図である。 本発明のもう一つの実施例に基づくバックコンタクト型太陽電池セルの概略図である。
以下に図面と合わせて本発明の技術方案について記述する。
図３を参照し、図３は全バックコンタクト型太陽電池セルが切断された後に配置される小電池セルである。本発明は複数の小電池セルと、導電条７とを備えるバックコンタクト型太陽電池モジュールを提供する。そのうち、各小電池セルの裏面にその長さ方向に互い違いに設けられるｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３が平らに敷き詰められ、ｐ＋ドープ領域２上に、接触する正極ファイングリッド線（正電極２１）が印刷され、ｎ＋ドープ領域３上に、接触する負極ファイングリッド線（負電極３１）が印刷され、正極ファイングリッド線（正電極２１）及び負極ファイングリッド線（負電極３１）の長さは小電池セルの幅に限りなく近い。図４を参照し、導電条７は基板７１および基板７１上に設けられる導電パターン７２を含み、図５を参照し、基板７１は隣接する２つの小電池セルの間に設けられ、導電パターン７２は、各前記小電池セルが直列接続されるように、隣接する２つの小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を順に間隔をあけて電気的に接続するために使用されるものであり、具体的に、相対的に左側の小電池セル上に位置する全ての正極ファイングリッド線（正電極２１）とその隣接する小電池セル上に設けられる全ての負極ファイングリッド線（負電極３１）を電気的に接続する、または相対的に右側の小電池セル上に位置する全ての負極ファイングリッド線（負電極３１）とその隣接する小電池セル上に設けられる全ての正極ファイングリッド線（正電極２１）を電気的に接続し、各小電池セルは導電条７により直列接続されるためのものとすることができる。
本発明が提供するバックコンタクト型太陽電池モジュールは従来技術に比べ、まず、通常のメイングリッド線設計を完全に廃止しているため、電池製造工程が大幅に簡素化され、電池効率安定性が向上し、電池製造コストが削減される。次に、メイングリッド線の集電領域設計の制限を受けず、短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２は電池セル全体を貫通できるため、電池製造工程が簡略化され、生産能力が向上し、電池製造コストが削減される。さらに、本発明が提供するバックコンタクト型太陽電池モジュールは一枚のバックコンタクト型太陽電池セルを切断してなる複数の小電池セルが直列接続されてなるため、電池セルストリング毎の電流が小さく、銀グリッド線上の電気抵抗損失の影響が低減され、モジュールのフィルファクタが向上する。最後に、バックコンタクト型太陽電池モジュールは全体にわたり、電池ストリングの集約領域に溶着バンドを用いる以外、他の部分はいずれも無溶着バンド設計であるため、モジュールコストが大幅に削減される。また、モジュール電流が、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セルの間を伝送する際、本発明に示される伝送ルートの電気抵抗は最小であることが発明者の複数回の実験により証明されており、銀グリッド線上の電気抵抗損失の影響が低減され、モジュールのフィルファクタが向上する。
導電条７において基板７１と電池セルのシリコン基材１が両者の熱膨張係数が一致しないことによるひび割れやフラグメントを防ぐために、本実施例において、導電条７の基板７１の膨張係数をシリコンに近づける。勿論、電池セルのシリコン基材１と一致する伝導シリコンウエハでもよい。伝導シリコンウエハはコーティングが施されたもの、または高電気抵抗率を有する伝導シリコンウエハを用いるのが最適であり、こうすれば、伝導シリコンウエハ及び電池セルの間の電気的接触を有意に低減できる。導電パターン７２は、ハンダ又は導電性ペーストにより形成され、ハンダは錫、錫鉛合金、錫ビスマス合金又は錫鉛銀合金とすることができる。導電性ペーストは具体的に導電粒子が包まれた接着剤であり、接着剤はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、熱可塑性樹脂又はポリイミドのうちの一種以上とすることができ、導電粒子は銀、金、銅又は銀、金、銅のうちの二種以上からなる合金粒子とすることができる。
本実施例において、バックコンタクト型太陽電池モジュールのｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２はいずれも幅が等しい矩形条であり、隣接する２つの小電池セル上のｎ＋ドープ領域３とｐ＋ドープ領域２は一対一に対応して設けられ、導電条７の導電パターン７２は矩形条の長さ方向に列状に配列される複数本の導電折線からなり、導電折線はステップ状である。
そのうち、隣接する２つの小電池セル上のｎ＋ドープ領域３とｐ＋ドープ領域２は一対一に対応して設けられ、具体的に、図３に示されるように、隣接する２つの小電池セルにおいて一方の小電池セルのｎ＋ドープ領域３と他方の小電池セルのｎ＋ドープ領域３が一対一で対応し、且つ隣接する２つの小電池セルにおいて一方の小電池セルのｐ＋ドープ領域２と他方の小電池セルのｐ＋ドープ領域２が一対一で対応する。
実施例１
本実施例におけるバックコンタクト型太陽電池モジュールの製造方法は以下ステップを含む：
（１）バックコンタクト型太陽電池セルの製造：
図１を参照し、ｎ型単結晶シリコン基材１を用い、その電気抵抗率は１～３０Ω・ｃｍ、厚さは５０～３００μｍ、長さは１５６．７５ｍｍである。当該ｎ型単結晶シリコン基材１は使用する前に先に表面テクスチャー処理を行い、その後、拡散、レーザー穴あけ、イオン注入及び焼鈍、マスク、エッチング等の技術の組み合わせによりｎ型単結晶シリコン基材１の背面に互いに交互に配列されるｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３を作製し、ｎ型単結晶シリコン基材１の前面に低表面ドープ濃度のｎ＋前面フィールド（ＦＳＦ）４を作製する。図２を参照し、ｐ＋ドープ領域２はｎ型単結晶シリコン基材１の長さと等しく、１５６．７５ｍｍであり、その幅はＷ１＝９．８ｍｍであり、ｎ＋ドープ領域３もｎ型単結晶シリコン基材１の長さと等しく、１５６．７５ｍｍであり、その幅はＷ２＝９．８ｍｍである。
引き続き図１を参照し、前面に減反射積層不活性化膜５を堆積して低表面ドープ濃度のｎ＋前面フィールド（ＦＳＦ）４を不活性化する。例えばＡｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２／ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ等から選択でき、ここではＳｉＯ２／ＳｉＮｘを正面不活性化膜とし、膜厚は６０～２００ｎｍである。後面に増反射積層不活性化膜６を堆積してｎ＋ドープ領域３、ｐ＋ドープ領域２を領域毎に不活性化、または同時に不活性化する。増反射積層不活性化膜６はＡｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２／ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２／ＳｉＣＮ、ＳｉＯ２／ＳｉＯＮ等から選択でき、ここではＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘを裏面不活性化膜とし、膜厚は１００ｎｍである。
引き続き図１及び図２を参照し、ｐ＋ドープ領域２上に正極ファイングリッド線からなる正電極２１を作製し、ｎ＋ドープ領域３上に負極ファイングリッド線からなる負電極３１を作製し、正電極２１及び負電極３１は銀ペーストを印刷して直接、増反射積層不活性化膜６を裏面に焼成貫通する方式を採用しても、先にレーザーで開口してから印刷する又は金属を電気めっきする方式を採用してもよい。こうして、電極及びｎ型単結晶シリコン基材１のオーミック接触を形成し、電流を導させる。図２を参照し、正電極２１及び負電極３１はいずれもｐ＋ドープ領域２、ｎ＋ドープ領域３及びｎ型単結晶シリコン基材１の長さと等しく、１５６．７５ｍｍであり、正電極１３の幅Ｗ３は１００μｍであり、負電極４３の幅Ｗ４は１００μｍであり、正極ファイングリッド線及び負極ファイングリッド線はインターデジタル型配列である。
（２）小電池セルの製造
図３を参照し、上記バックコンタクト型太陽電池セルを切断し、切断した後に４つのバックコンタクト型太陽小電池セルを形成する。バックコンタクト型太陽小電池セルの幅はＬ１１＝３９ ．１８７５ｍｍである。この４つのバックコンタクト型太陽小電池セル上のｎ＋ドープ領域３とｐ＋ドープ領域２は一対一に対応して設けられ、この時、全てのバックコンタクト型太陽小電池セルの方向及び元のバックコンタクト型太陽電池セルは一致する。バックコンタクト型太陽小電池セルの裏面には短冊状ｎ＋ドープ領域３とオーミック接触を形成する負極ファイングリッド線、およびｐ＋ドープ領域２とオーミック接触を形成する正極ファイングリッド線のみが設けられ、短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の電流をそれぞれ集めるためのメイングリッド線は存在しない。
（３）導電条７の製造
図４を参照し、基板７１上に導電パターン７２が設けられ、導電パターン７２は矩形条の長さ方向に平行に配置される複数本の導電折線からなり、導電折線はステップ状であり、導電パターン７２はハンダ又は導電性ペーストを印刷する方式で基板７１に乾燥固化する。本実施例においては、ハンダを採用して印刷し、ハンダの材料は錫鉛合金であり、ハンダを上記パターンに基づき基板７１上に印刷し、２００℃で２分間乾燥固化する。
引き続き図４を参照し、本実施例において、基板７１の長さはＬ３６＝１５６．７５ｍｍであり、幅はＬ３１＝１９．６ｍｍである。導電パターン７２の折線はステップ状であり、各折線の幅はＬ３２＝１．５ｍｍであり、隣接する２本の折線の間の距離はＬ３３＝１９．６ｍｍであり、段差状折線の高さはＬ３４＝９．８ｍｍであり、段差状折線の各層の段差の幅はＬ３５＝９．８ｍｍである。
（４）電池ストリングの製造
図５を参照し、導電条４により全バックコンタクト型太陽小電池セルを全バックコンタクト型太陽電池ストリングになるように互いに直列接続し、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を基板７１上のハンダからなる導電パターン７２により互いに接続し、これにより、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の長辺方向に導出されることを確保する。
（５）封止出荷
全バックコンタクト型太陽電池ストリング作製の完了後、後続の集約、積層、ラミネート等のモジュール封止工程は通常モジュール作製方式と変わらない。
実施例２
図８を参照し、実施例１と異なるのは、本実施例において、４つのバックコンタクト型太陽小電池セルが図６に示されるように配列される。即ち、隣接する２つの小電池セル上のｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２は互い違いに設けられ、当該図６に示される小電池セル幅はＬ２１である。この時、半分のバックコンタクト型太陽小電池セルの方向は元のバックコンタクト型太陽電池セルと反対である。バックコンタクト型太陽小電池セルの裏面には短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２とオーミック接触を形成する銀グリッド線のみが設けられ、短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の電流をそれぞれ集めるためのメイングリッド線は存在しない。
図７を参照し、本実施例における導電条７は導電性ペーストが基板７１に印刷されて導電パターン７２が形成され、導電性ペーストはエポキシ樹脂を接着剤として含有する銀金属粒子である。導電パターンの形状は矩形条の長さ方向に列状に配列される複数本の直線からなる。導電性ペーストを上記形状に基づき基板７１上に印刷し、２００℃で２分間乾燥固化する。基板７１は伝導シリコンウエハを用い、伝導シリコンウエハの長さはＬ４４＝１５６．７５ｍｍであり、幅はＬ４１＝１９．６ｍｍである。導電パターンにおいて平行に配置される直線幅はＬ４２＝１．５ｍｍであり、隣接する２本の直線間の距離はＬ４３＝１９．６ｍｍである。
実施例３
実施例１と異なるのは、図９のとおり、ｎ型単結晶シリコン基材１上のｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の一部の幅が異なる形状であり、具体的に、次のように理解できる：ｎ＋ドープ領域３は互い違いに設けられた幅広矩形条及び幅狭矩形条を含む条状であり、ｐ＋ドープ領域２は隣接する２本のｎ＋ドープ領域３の間に充填される。そのうち、ｎ＋ドープ領域３の長さは１５６．７５ｍｍであり、ｎ＋ドープ領域３における幅狭矩形条の幅はＷ１＝９．８ｍｍであり、幅広矩形条の幅はＷ１１＝１２．７ｍｍであり、幅広矩形条の長さはＷ６＝Ｗ７＝Ｗ８＝１３．８ｍｍであり、勿論、切断の位置が異なるため、Ｗ５とＷ９の長さは切断の違いにより変わるが、Ｗ５とＷ９の長さを等しくするのが最適である。本実施例においてはＷ５＝Ｗ９＝６．９ｍｍである。そして、隣接する２本のｎ＋ドープ領域３の間に充填されるｐ＋ドープ領域２の長さは１５６．７５ｍｍであり、理解できるように、これも幅の異なる矩形条を互い違いに接続してなり、本実施例において、ｐ＋ドープ領域３における幅広矩形条の幅はＷ２＝９．８ｍｍであり、幅狭矩形条の幅はＷ２２＝６．９ｍｍである。
本実施例において、上記バックコンタクト型太陽電池セルを切断し、切断した後に４つのバックコンタクト型太陽小電池セルを形成する。バックコンタクト型太陽小電池セルの幅はＬ３１＝３９．１８７５ｍｍである。この４つのバックコンタクト型太陽小電池セルを図１０に示されるように配列される。即ち、隣接する２つの小電池セル上のｎ＋ドープ領域３とｐ＋ドープ領域２は一対一に対応して設けられ、この時、全てのバックコンタクト型太陽小電池セルの方向及び元のバックコンタクト型太陽電池セルは一致する。バックコンタクト型太陽小電池セルの裏面には短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２とオーミック接触を形成する銀グリッド線のみが設けられ、短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の電流をそれぞれ集めるためのメイングリッド線は存在しない。
図４を参照し、導電条の構造は実施例１と同じであり、導電条７により本実施例における全バックコンタクト型太陽小電池セルを全バックコンタクト型太陽電池ストリングになるよう互いに直列接続し、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を基板７１上のハンダからなる導電印刷パターン７２により互いに接続し、これにより、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の長辺方向に導出されることを確保する。全バックコンタクト型太陽電池ストリング製の作製完成後、後続の集約、積層、ラミネート等のモジュール封止工程は通常のモジュール作製方式と変わらない。最終的に得られたバックコンタクト型太陽電池モジュール構造は図１１に示されるとおり。
実施例４
実施例３と異なるのは、実施例３で提供されたバックコンタクト型太陽電池セルを切断し、図１２のとおり、切断した後に４つのバックコンタクト型太陽小電池セルを形成する。バックコンタクト型太陽小電池セルの幅はＬ５１＝３９．１８７５ｍｍである。この４つのバックコンタクト型太陽小電池セルは図１２に示されるように配列される。即ち、隣接する２つの小電池セル上のｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２は互い違いに対応して設けられ、この時、半分のバックコンタクト型太陽小電池セルの方向は元のバックコンタクト型太陽電池セルと反対である。バックコンタクト型太陽小電池セルの裏面には短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２とオーミック接触を形成する銀グリッド線のみが設けられ、短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の電流をそれぞれ集めるためのメイングリッド線は存在しない。
導電条７の製造過程も異なり、本実施例において基板７１上の導電パターン７２は導電性ペーストが印刷されてなる。導電条７の導電パターン７２は矩形条の長さ方向に平行に配置される複数本の直線からなる、導電性ペーストはエポキシ樹脂を接着剤として含有する銀金属粒子である。導電性ペーストを上記パターンに基づき基板７１上に印刷し、２００℃で２分間乾燥固化する。引き続き図７を参照し、基板７１は伝導シリコンウエハを用い、伝導シリコンウエハの長さはＬ４４＝１５６．７５ｍｍであり、幅はＬ４１＝１９．６ｍｍである。導電パターン７２の形状は図７に示されるとおりである。そのうちＬ４２＝１．５ｍｍ、Ｌ４３＝１９．６ｍｍである。
上記導電条７により本実施例における全バックコンタクト型太陽小電池セルを全バックコンタクト型太陽電池ストリングになるように互いに直列接続し、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を基板７１上のハンダからなる導電印刷パターン７１により互いに接続し、これにより、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２の長辺方向に導出されることを確保する。全バックコンタクト型太陽電池ストリング作製の完了後、後続の集約、積層、ラミネート等のモジュール封止工程は通常のモジュール作製方式と変わらない。最終的に得られたバックコンタクト型太陽電池モジュール構造は図１３に示されるとおり。
そのうち、上記各実施例で言及した隣接する２つの小電池セル上のｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２は互い違いに対応して設けられるとは、具体的に、隣接する２つの小電池セルにおいて、一方の小電池セルの側面と他方の小電池セルの側面が向かい合い、且つ一方の小電池セルのｎ＋ドープ領域３と他方の小電池セルのｎ＋ドープ領域３は互い違いに設けられ、同時に一方の小電池セルのｐ＋ドープ領域２と他方の小電池セルのｐ＋ドープ領域２は互い違いに設けられることを指す。即ち、一方の小電池セルのｎ＋ドープ領域３と他方の小電池セルのｐ＋ドープ領域２は対応して設けられ、且つ一方の小電池セルのｐ＋ドープ領域２と他方の小電池セルのｎ＋ドープ領域３は対応して設けられることを実現する。
また、シリコン基材はｎ型単結晶シリコン基材でも、ｐ型単結晶シリコン基材等でもよい。
また、シリコン基材の電気抵抗率は０～３０Ω・ｃｍとすることができる。
また、シリコン基材の厚さ５０～３００μｍとすることができる。
特筆すべきは、シリコン基材１の辺の長さは実際の必要に応じて定めることができる。例えば、従来の常用シリコン基材１の主面は正方形であり、その辺の長さは１５８．７５ｍｍ等とする。その場合、実際の生産において従来のシリコン基材を用いてバックコンタクト型太陽電池セルを作製し、その後、切断により本発明の実施例で用いるバックコンタクト型電池セルを得ることができる（当該バックコンタクト型電池セルがバックコンタクト型太陽小電池セル又は小電池セルである）。後述するように、切断により本発明の実施例で用いるバックコンタクト型電池セル／バックコンタクト型太陽小電池セル／小電池セルを得る。このような方式により、バックコンタクト型太陽小電池セルの作製難度を有意に低減できる。
特筆すべきは、一つのバックコンタクト型太陽電池モジュールに含まれる複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの出所は同一のバックコンタクト型太陽電池セルでも、異なるバックコンタクト型太陽電池セルでもよい。当該バックコンタクト型太陽電池セルは従来のバックコンタクト型太陽電池セル作製工程を採用して得てもよい。一般的に、バックコンタクト型太陽電池セルは２～２００個のバックコンタクト型太陽小電池セルに切断でき、この２～２００個とは２～２００の間の任意の整数を指し、例えば、４、８、２０、５０、８０、１００、１５０等である。具体的に、切断されるバックコンタクト型太陽小電池セルの個数は、バックコンタクト型太陽電池セルのサイズ、所望とされるバックコンタクト型太陽小電池セルのサイズ、工程切断可能状況等、実際の状況に応じて確定できる。一つの好ましい実施例において、一つのバックコンタクト型太陽電池セルから切断されるバックコンタクト型太陽小電池セルの数は４個以上とする。
また、上記各実施例から分かるとおり、一つのバックコンタクト型太陽小電池セル毎に、当該バックコンタクト型太陽小電池セルの同一方側の極性が同じ電極接触ファイングリッドが導電性ペースト又はハンダに接続される。一つのバックコンタクト型太陽小電池セルの同一方側の正電極接触ファイングリッドまたは負電極接触ファイングリッドが導電パターン（例えば導電性ペーストからなる導電パターン等）に接続される。
また、図５、図８、図１６および図１７に示されるように、複数のバックコンタクト型太陽小電池セルは並列に配列され、そのうち、各隣接する２つのバックコンタクト型電池セルの側面が向かい合う。特筆すべきは、バックコンタクト型太陽小電池セルの側面には交互に配列されるｐ＋ドープ領域２の側面及びｎ＋ドープ領域３の側面が含まれ、当該バックコンタクト型太陽小電池セルの側面は図１に示される構造と一致する。太陽電池モジュールの電力効率が確保できるよう、並列に配列されることにより受光面の面積が最大になることを確保できる。
本発明の実施例において、図１４及び図１５に示されるように、（Ｎ－１）本の導電条（７）は同一バックシート７０に位置することができ、各基板７１はバックシート７０の部分的な領域である。導電パターンはバックシート７０上に設けられると理解できる。図３及び図１４を合わせて得られるバックコンタクト型太陽電池モジュールは図１６に示され、図６及び図１５を合わせて得られるバックコンタクト型太陽電池モジュールは図１７に示される。
本発明の実施例において、図４、図７、図１４、図１５に示される導電パターン７２は多段導電性ペースト又はハンダであり、これに対応して、一つの電極接触ファイングリッド（正電極２１または負電極３１）は一段の導電性ペーストのみに接続され、且つ、一つの電極接触ファイングリッドは一端のみが導電性ペースト又はハンダに接続される。隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対の電極接触ファイングリッドはバックシート７０上に設けられた導電性ペースト又はハンダにより接続され、電流の導出を確保する。
そのうち、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの直径は２０～３００μｍとすることができる。正電極接触ファイングリッドはｐ＋ドープ領域と、負電極接触ファイングリッドはｎ＋ドープ領域とオーミック接触できる。
そのうち、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの材質は一般的に金属銀である。銀ペーストを印刷して直接、不活性化膜を裏面に焼成貫通する方式を採用しても、先にレーザーで開口してから印刷する方式を採用してもよく、または、金属を電気めっきする方式等を採用して正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを作製してもよい。こうして、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッド及びシリコン基材のオーミック接触を形成し、電流を導出させる。
本発明の実施例において、隣接するｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の隣接する２つの側面の構造は相補的である。例えば、ｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の隣接する２つの側面のうちの一方の側面に突起構造を有し、ｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の隣接する２つの側面のうちの他方の側面に突起構造と相補的である又は噛合する陥没構造を有するものとする。例えば、ｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の隣接する２つの側面は互いに噛合する鋸歯形構造であり、ｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の隣接する２つの側面は相補的な方形波形構造であり、ｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の隣接する２つの側面は相補的な台形構造等とする。図９に示されるように、相補的な方形波形のｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３を例示的に示す。
太陽電池モジュールを示し易くするために、図３、図５、図６、図８、図１６および図１７はｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の長方形構造を例示的に示す。また、当該長方形構造を台形、鋸歯形、方形波形等他の構造で差し替えても、同じ效果を達成できる。
特筆すべきは、シリコン基材は相対する２つの主面を有し、そのうち一方の主面はテクスチャー処理された後、交互に配列されるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域を設けるために使用され、シリコン基材の背面とされる。他方の主面は前面電界が設けられ、シリコン基材の前面とされる。当該シリコン基材はｎ型単結晶シリコン基材またはｐ型単結晶シリコン基材とすることができ、そのうち、ｎ型単結晶シリコン基材は、前面フィールドがｎ＋ＦＳＦであり、ｐ型単結晶シリコン基材は前面フィールドがｐ＋ＦＳＦである。一つの好ましい実施例において、シリコン基材はｎ型単結晶シリコン基材を選び、これに対応して、ｎ＋ＦＳＦは低表面ドープ濃度のｎ＋ ＦＳＦである。
具体的に、バックコンタクト型太陽電池モジュールにおける隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係として、以下の複数の種類を含むことができる。
第一種：隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、同じタイプのドープ領域が対向して設けられる。
図３、図５および図１６に示されるように、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｐ＋ドープ領域２と他方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｐ＋ドープ領域２が相対的に設けられ、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｎ＋ドープ領域３と他方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｎ＋ドープ領域３が対向して設けられる。
特筆すべきは、図３、図５および図１６はバックコンタクト型太陽小電池セルの両端はそれぞれｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２である状況を例示的に示す。バックコンタクト型太陽小電池セルの両端はいずれもｎ＋ドープ領域３とすることもでき、バックコンタクト型太陽小電池セルの両端はいずれもｐ＋ドープ領域２とすることもできる。バックコンタクト型太陽小電池セル上のｎ＋ドープ領域３及びｐ＋ドープ領域２は交互に配列されればよい。
第二種：隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、反対のタイプのドープ領域が対向して設けられる。
図６、図８および図１７に示されるように、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｐ＋ドープ領域２と他方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｎ＋ドープ領域３が対向して設けられる。隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれるｐ＋ドープ領域の数及びｎ＋ドープ領域の数は等しいと理解できる。一つの比較的好ましい実施例において、上記二種類の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係は、図３、図５、図６、図８、図１６および図１７に示されるように隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に含まれるｐ＋ドープ領域２とｎ＋ドープ領域３が一対一で対応する。
これに基づき、第一種の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係について言えば、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれるｐ＋ドープ領域２の幅とその隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれるｐ＋ドープ領域２の幅は同じであり、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれるｎ＋ドープ領域３の幅とその隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれるｎ＋ドープ領域３の幅も同じである。即ち、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、相対する２つのｐ＋ドープ領域２の幅は同じであり、相対する２つのｎ＋ドープ領域３幅は同じである。そして、同一のバックコンタクト型太陽小電池セルに属す複数のｐ＋ドープ領域２の幅は同じあっても、異なってもよく、同一のバックコンタクト型太陽小電池セルに属す複数のｎ＋ドープ領域３の幅は同じであっても、異なってもよい。一つの好ましい実施例において、同一のバックコンタクト型太陽小電池セルに属す複数のｐ＋ドープ領域２の幅は同じであり、複数のｎ＋ドープ領域３の幅は同じである。一つのさらに好ましい実施例において、同一のバックコンタクト型太陽小電池セルに属す複数のｐ＋ドープ領域２及び複数のｎ＋ドープ領域３の幅はいずれも同じである。こうすればｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域が作製し易い。
また、第二種の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係について言えば、相対するｐ＋ドープ領域２の幅及びｎ＋ドープ領域３の幅は同じである。一つの好ましい実施例において、バックコンタクト型太陽小電池セルにおける全てのｐ＋ドープ領域２及び全てのｎ＋ドープ領域３はいずれも同じである。こうすればｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域が作製し易い。
特筆すべきは、ｐ＋ドープ領域２の幅とは、ｐ＋ドープ領域２のｎ＋ドープ領域の２本の交界線の間の距離を指し、ｐ＋ドープ領域２が長方形である時、ｐ＋ドープ領域２の幅は、交互に配列されるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域方向上の一辺の辺の長さとすることができる。
特筆すべきは、各実施例に記載のｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域が交互に配列されるとは、前述のｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域が互い違いに設けられることである。
ｎ＋ドープ領域３の幅とは、ｎ＋ドープ領域３のｐ＋ドープ領域と２本の交界線の間の距離を指し、ｎ＋ドープ領域３が長方形である時、ｎ＋ドープ領域３の幅は、交互に配列されるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域方向上の一辺の辺の長さとすることができる。
一般的に、ｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の幅はバックコンタクト型太陽電池モジュールの性能に影響し、ｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の幅が狭いほど、一つのバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の数は多くなり、太陽電池モジュール性能も良くなる。本発明の実施例において、ｐ＋ドープ領域の幅は０．１～２０ｍｍであり、ｎ＋ドープ領域の幅は０．１～１０ｍｍである。
また、図３に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係については、直接、バックコンタクト型太陽電池セルを切断したバックコンタクト型太陽小電池セルの配列と関係を採用して後続の工程を実施できる。図６に示される関係については、バックコンタクト型太陽電池セルをバックコンタクト型太陽小電池セルに切断した後、間隔をあけて、奇数位置に配列される、または偶数位に配列されるバックコンタクト型太陽小電池セルを１８０度（°）水平回転させ、図６に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係を実現する必要がある。
本発明の実施例において、図３および図５に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係については、導電パターン７２における各段の導電性ペースト又は導電ハンダは、Ｚ型構造又はＺ型変形構造又は段差構造とされる。図５に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、当該Ｚ型構造又はＺ型変形構造又は段差構造の導電性ペースト又は導電ハンダの一端に、一つの正電極接触ファイングリッド（正電極２１）が接続され、他端に、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セルにおける一つの負電極接触ファイングリッド（負電極３１）が接続される。導電性ペースト又は導電ハンダが接続する正電極接触ファイングリッド（正電極２１）及び負電極接触ファイングリッド（負電極３１）は一対一で対応する。任意の二段導電性ペースト又は導電ハンダの間は交差しない。図５に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、複数の導電パターンは複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続できる。
図６に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係について、導電パターン７２における各段の導電性ペースト又は導電ハンダは線段形構造である。図６に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、複数の導電パターンは複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続する。
即ち、図５、図８、図１６および図１７に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールの隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に分布する導電パターンにおける多段導電性ペースト又は導電ハンダは、ｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域が交互に配列される方向に平行に配列される。隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッドは導電性ペースト又は導電ハンダの一端に一対一で接続される。向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッドは導電性ペースト又は導電ハンダの他端に一対一で接続される。各二段導電性ペースト又は導電ハンダは交わらない。
本発明の実施例において、バックコンタクト型太陽電池モジュールにおける複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの関係には、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、同じタイプのドープ領域が対向して設けられる関係および隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルにおいて、反対タイプのドープ領域が対向して設けられる相対関係の組み合わせが含まれてもよい。
本発明の実施例において、多段導電性ペースト又は導電ハンダの構造は線段型構造、Ｚ型変形構造および段差構造の任意の組み合わせとすることができる。一般的に、同組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する多段導電性ペースト又は導電ハンダの構造は同じである。
特筆すべきは、上記図５、図８、図１６および図１７に示されるのは隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係及び導電性ペースト又は導電ハンダの構造の組み合わせ形式の一部である。即ち、同一のバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、一種の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係及び一種の導電性ペースト又は導電ハンダの構造のみを含む。こうして、太陽電池モジュールの作製工程および作製コストを有意に簡素化できる。また、バックコンタクト型太陽電池モジュールにおける複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの関係は、図５及び図８の関係の組み合わせとすることもできる。また、バックシート上に設けられる多段導電性ペースト又は導電ハンダの構造も上記複数の導電性ペースト又は導電ハンダの構造の組み合わせとすることができる。図５～図８に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールの他の変形構造も本発明の実施例の保護範囲内に入る。
特筆すべきは、導電性ペースト又は導電ハンダの一端に、一つの正電極接触ファイングリッドが接続されることは、導電性ペースト又は導電ハンダの一端が正電極接触ファイングリッドとオーミック接触するものとすることができ、導電性ペースト又は導電ハンダの他端に、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セルにおける一つの負電極接触ファイングリッドが接続されることは、導電性ペースト又は導電ハンダの他端が負電極接触ファイングリッドとオーミック接触するものとすることができる。
本発明の実施例において、導電性ペーストには、接着剤および接着剤に分散する金属粒子が含まれる。このような導電性ペーストにより電流伝送を有意に確保でき、また、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドと導電性ペーストの間の接着性を確保できる。
本発明の実施例において、図１８～図２１、図２５および図２８に示されるように、もう一つのバックコンタクト型太陽電池モジュールを提供する。当該バックコンタクト型太陽電池モジュールは、複数のバックコンタクト型太陽小電池セル、及び少なくとも一段の導電性ペーストが設けられるバックシートを備えることができる。
そのうち、図１に示されるように、バックコンタクト型太陽小電池セルは、シリコン基材１、シリコン基材１の背面に交互に配列されるｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３、ｐ＋ドープ領域に設けられる正電極接触ファイングリッド（正電極２１）およびｎ＋ドープ領域３に設けられる負電極接触ファイングリッド（負電極３１）を備え、
図１８～図２１、図２５および図２８に示されるように、複数のバックコンタクト型太陽小電池セルは並列に配列され、そのうち、各隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの側面が向かい合い、
隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端は当該一方側と電気的に分離し、向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端は当該他方側と電気的に分離し、
各段の導電性ペーストは隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に分布し、
各段の導電性ペーストに、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの負電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの正電極接触ファイングリッドが接続される。
また、バックコンタクト型太陽電池モジュールにおける複数のバックコンタクト型太陽小電池セルのサイズは同じでも、まったく同じでなくても、まったく異なってもよい。しかし、バックコンタクト型太陽電池モジュールにおける複数のバックコンタクト型太陽小電池セルのタイプは一致しなければならない。例えば、いずれもバックコンタクト型とし、例えば、いずれも交互に配列されるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域を有するものとする。
そのうち、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係は図１８～図２１、図２５および図２８に示される相対関係のうちのいずれか一種とすることができる。
そのうち、電気的分離を実現する方式は複数あってもよい。例えば、バックシートと複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの間に設けられる絶縁封止層、絶縁層等により電気的分離を実現してもよく、直接、バックコンタクト型太陽小電池セル上に堆積した増反射積層不活性化膜等により電気的分離を実現してもよい。
一つの実施例において、絶縁層により電気的分離を実現する方式は以下のとおりである：
隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、一方側の正電極接触ファイングリッド端に絶縁層が被覆され、他方側の負電極接触ファイングリッド端に絶縁層が被覆される。当該絶縁層を設けることにより直列接続に不具合が生じる確率を有意に低減でき、漏電の発生も低減できる。一つの好ましい実施例において、図２９に示されるように、上記第一種の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係に基づき、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、一方側の正電極接触ファイングリッド端に絶縁層８が被覆され、他方側の負電極接触ファイングリッド端に絶縁層８が被覆される。図３０に示されるように、上記第二種の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの相対関係に基づき、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、一方側の正電極接触ファイングリッド端に絶縁層８が被覆され、他方側の負電極接触ファイングリッド端に絶縁層８が被覆される。一方側及び他方側は、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側を区別するためだけのものである、と理解できる。
特筆すべきは、図２９及び図３０に示される絶縁層の幅は一般的に被覆する電極接触ファイングリッドの幅以上である。一つの好ましい実施例において、絶縁層の幅は一般的に自身が位置するドープ領域の幅以上である。但し一枚の絶縁層は反対の極性の接触ファイングリッドを同時に被覆しない。
同一のバックコンタクト型太陽小電池セルの両側にそれぞれ絶縁層を有する時、当該両側の絶縁層は反対の電極接触ファイングリッド上に位置する、と理解できる。上記の設置により、正電極接触ファイングリッドと負電極接触ファイングリッドの間の回路の長さを有意に短くでき、伝送過程で生じる電気抵抗損失を減らすことができ、バックコンタクト型太陽電池モジュールの作製工程を簡素化できると同時に電気エネルギー損失を低減させ、光電変換効率を有意に向上させることができる。また、上記絶縁層は電極接触ファイングリッドがｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の表面に堆積された増反射積層不活性化膜を焼成貫通することによる漏電を防ぐことができる。こうして、バックコンタクト型太陽電池モジュールの安定性をさらに向上させることができる。
もう一つの実施例において、バックコンタクト型太陽小電池セル上に増反射積層不活性化膜を堆積させることにより電気的に分離する方式を実現できる。
隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、一方側の正電極接触ファイングリッド端は短端であり、他方側の負電極接触ファイングリッド端は短端であり、短端とその隣接する側との間に絶縁層が被覆される。当該短端を設けることにより、直列接続に不具合が生じる確率を有意に低減することができ、漏電の発生も低減できる。一つの好ましい実施例において、図３１及び図３２に示されるように、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、一方側の正電極接触ファイングリッド端は当該一方側に対して短端２１′であり、他方側１１７の負電極接触ファイングリッド端は当該他方側に対して短端３１′であり、ｐ＋ドープ領域２及びｎ＋ドープ領域３の表面に増反射積層不活性化膜６が堆積する。上記の設置により、正電極接触ファイングリッドと負電極接触ファイングリッドの間の回路の長さを有意に短くでき、伝送過程で生じる電気抵抗損失を減らすことができ、バックコンタクト型太陽電池モジュールの作製工程を簡素化できると同時に電気エネルギー損失を低減させ、光電変換効率を有意に向上させることができる。
本発明の実施例において、図３１及び図３２を基に、電気的な分離をさらに強化するために、一方側の正電極接触ファイングリッド端は当該側に対して短端２１′であり、他方側の負電極接触ファイングリッド端は当該他方側に対して短端３１′であり、短端２１′と向かい合う当該一方側の間のｐ＋ドープ領域に絶縁層が被覆され、短端３１′と向かい合う当該他方側の間のｎ＋ドープ領域に絶縁層が被覆される。上記プロセスにより絶縁性をさらに向上させることができる。
そのうち、短端とは、一つの電極接触ファイングリッドの一端（正電極接触ファイングリッド端または負電極接触ファイングリッド端）が、当該電極接触ファイングリッドと同一のバックコンタクト型太陽小電池セルに属す一方側に対して縮んでおり、且つ当該一方側は隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側のうちの一方側であるものを指す。
特筆すべきは、上記絶縁層のサイズは実際の状況（バックコンタクト型太陽小電池セルのサイズ、正電極接触ファイングリッドの長さ、負電極接触ファイングリッドの長さ）等に応じて設定できる。短端からそれに近いバックコンタクト型太陽小電池セルの側面までの距離は一般的に実際の状況に応じて設定できる。
本発明の実施例が提供するバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル間の距離はできるだけ近づけることができ、導電性ペースト用量を少なくすると同時に、短正電極接触ファイングリッドと負電極接触ファイングリッドの間の電流伝送回路の長さを有意に短くでき、伝送過程で生じる電気抵抗損失を減らすことができる。
本発明の実施例において、図２９に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係およびバックシート７０上に設けられる導電性ペーストが長尺状構造であるものを合わせて、図１８に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図３０に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係およびバックシート７０上に設けられる導電性ペーストが長尺状構造であるものを合わせて、図１９に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュール１０が得られる。図３１に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係およびバックシート７０上に設けられる導電性ペーストが長尺状構造であるものを合わせて、図２０に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュール１０が得られる。図３２に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係およびバックシート７０上に設けられる導電性ペーストが長尺状構造であるものを合わせて、図２１に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図１８～図２１に示される当該バックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、一方側の全ての正電極接触ファイングリッドは長尺状構造の一方の長辺７２１に接続され、当該一方側の全ての負電極接触ファイングリッドはいずれも当該一方の長辺７２１に接続されない。他方側の全ての負電極接触ファイングリッドは長尺状構造の他方の長辺７２２に接続され、当該側の全ての正電極接触ファイングリッドはいずれも当該他方の長辺７２２に接続されない。即ち、バックシート７０上に設けられる一本の導電性ペーストにより隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続することを実現でき、バックコンタクト型太陽小電池セルの直列接続工程および太陽電池モジュールの作製工程を有意に簡素化できる。
特筆すべきは、絶縁層は、被覆する正電極接触ファイングリッド又は負電極接触ファイングリッドと導電性ペーストの接触を防止するものであるため、導電性ペーストの２本の長辺は絶縁層に位置し、絶縁層エッジの限界を超えない。
本発明の実施例において、図３、図６、図２９～図３２に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係のうちのいずれか一種に基づき、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する導電性ペーストの構造はさらに図２２及び図２３に示されるようにすることができ、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する導電性ペーストは、長尺状本体７２３および長尺状構造本体７２３の両側に別々に設けられて当該長尺状本体に接続する複数の分岐段７２４を含み、そのうち、長尺状構造本体７２３の一方側の各分岐段７２４は、隣接する一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの正電極接触ファイングリッドと接触し、長尺状構造本体７２３の他方側の各分岐段７２４は、隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの負電極接触ファイングリッドと接触する。
上記図２２及び図２３に示される導電性ペーストの構造により、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する導電性ペーストの一致性を確保でき、導電性ペーストがバックシート上に設けられて生じるゆがみを有意に低減でき、工程作製製品（例えば、導電性ペーストが設けられたバックシート、太陽電池モジュール）の合格率を確保できる。
そのうち、図２２に示される導電性ペーストの構造を採用し、長尺状構造本体７２３の両側に別々に設けられる多段分岐段７２４が交互に配列される。図２２に示される導電性ペーストを図３に示される構造に応用したのを例とし、図２４に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図２２に示される導電性ペーストを図２９に示される構造に応用したのを例とし、図２５に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図２２に示される導電性ペーストを図３１に応用して図２６に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。
そのうち、図６、図３０および図３２に示される隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係は、図２３に示される導電性ペーストの構造を採用する。長尺状構造本体７２３の両側に別々に設けられた各２つの分岐段７２４が相対する。図２３に示される導電性ペーストを図６に示される構造に応用したのを例とし、図２７に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図２３に示される導電性ペーストを図３０に示される構造に応用したのを例とし、図２８に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図２３に示される導電性ペーストを図３２に示される構造に応用したのを例に、図３３に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。
特筆すべきは、上記図３、図４、図２９～図３２に示されるのは隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係及び導電性ペーストの構造の組み合わせ形式の一部である。即ち、同一のバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、一種類の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係及び一種類の導電性ペーストの構造のみを含む。こうして、太陽電池モジュールの作製工程および作製コストを有意に簡素化できる。
本発明の実施例において、バックコンタクト型太陽電池モジュールは、図５、図８、図１８～図２１、図２４～図２８および図３３に示される複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの関係およびバックシート上に設けられる多段導電性ペーストの構造の複数の組み合わせを含むことができる。
バックコンタクト型太陽電池モジュールは、少なくとも二組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルを備えることができ、そのうち、少なくとも一組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に、同じタイプのドープ領域が相対的に設けられ、残りの隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｐ＋ドープ領域と他方のバックコンタクト型太陽小電池セルのｎ＋ドープ領域が対向して設けられる。少なくとも一組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端は当該一方側と電気的に分離し、向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端は当該他方側と電気的に分離し、そのうち、電気的分離が存在する隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルは、図３４に示されるバックシート上に設けられる長尺状導電性ペースト、または図２２又は図２３に示されるバックシート上に設けられ、導電性ペースト本体構造の両側に分布する導電性ペースト分岐段により接続される。電気的分離が存在しない隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルは、バックシート上に設けられる多段導電性ペーストにより接続され、当該多段導電性ペースト構造は図１５に示される線段型構造、図１４に示されるＺ型変形構造、段差構造および図２２及び図２３に示される導電性ペースト本体構造と接続される導電性ペースト分岐段のうちのいずれか一種とすることができる。図３５に例示するバックコンタクト型太陽電池モジュールのように、当該バックコンタクト型太陽電池モジュールは複数の構造の組み合わせを含むことができる。図１６～図２１および図２４～図２８に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールに基づく他の変形構造も本発明の実施例の保護範囲内に入る。
本発明の実施例において、図３６に示されるように、太陽電池モジュールは複数のバックコンタクト型太陽小電池セルとバックシート７０の間を充填するための第一封止層（封止層１０）をさらに含むことができる。当該第一封止層（封止層１０）によりバックコンタクト型太陽小電池セルとバックシート７０の間の隙間を充填でき、さらに太陽電池モジュールの性能を向上させることができる。また、当該第一封止層はバックコンタクト型太陽小電池セルをバックシート上により好適に固定でき、太陽電池モジュールの運搬及び設置又は保管がし易くなる。
本発明の実施例において、図３６に示されるように、バックコンタクト型太陽電池モジュールは、ガラス板９と、第二封止層（封止層１０）と、をさらに含むことができ、そのうち、
ガラス板９は複数のバックコンタクト型太陽小電池セルと向かい合い、
第二封止層（封止層１０）はガラス板９と複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの間に設けられ、
第一封止層及び第二封止層は複数のバックコンタクト型太陽小電池セルをガラス板９とバックシート７０の間に封止するために使用される。
また、上記太陽電池モジュールは、モジュール電流を集めて導出するためのバスバー（未図示）をさらに備え、これは従来のバックコンタクト型太陽電池モジュールの配置位置及び接続方式と同じであるため、ここでは説明を省略する。
上記各実施例が提供するバックコンタクト型太陽電池モジュールは、第一に、メイングリッド線設計を完全に廃止しているため、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの設置過程でメイングリッドを考慮する必要がない。第二に、導電性ペーストはバックシート上に設けられ、導電性ペーストの固定が実現され、当該固定された導電性ペーストにより複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続し易くなる。よって、本発明の実施例が提供する方案は全バックコンタクト型太陽電池モジュールの作製工程を簡素化できる。
また、導電性ペースト又はハンダは直列接続される複数のバックコンタクト型太陽小電池セル間の距離を短くでき、且つ導電性ペースト又はハンダと正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドは、メイングリッドによる横方向の伝送損失及び電極シャドーイングを排除できるため、全バックコンタクト型太陽電池モジュールのフィルファクタ、光電変換効率および光電変換効率の安定性がさらに向上する。
また、各段の導電性ペースト又はハンダに、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの正電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの負電極接触ファイングリッドが接続されるため、導電性ペーストの幅を可能な限り縮小させることができ、導電性ペーストの用量を節約できるだけでなく、導電性ペースト又はハンダによる電気抵抗損失を低減させることができる。
また、バックコンタクト型太陽電池モジュールの全体はその集約領域に溶着バンドを用いる以外、他の部分（正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの直列接続など）に無溶着バンド設計を採用するため、モジュールコストが大幅に削減される。同時に、バックコンタクト型太陽電池モジュールの電流が、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セルの間を伝送する中、本発明の実施例が提供する方案の伝送ルートの電気抵抗は小さく、電極接触ファイングリッド（正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッド）上の電気抵抗損失の影響が低減され、モジュールのフィルファクタが向上する。
また、本発明の実施例に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールにおいて、ｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の間は絶縁バンドギャップまたは絶縁層を含まず、このような設置により、バックコンタクト型太陽小電池セル又はバックコンタクト型太陽電池モジュールの作製工程をさらに簡素化でき、そして、バックコンタクト型太陽電池モジュールのホットスポットも低減でき、太陽電池モジュールの寿命および電力効率の安定性を有意に向上させることができる。
また、多段導電性ペースト又はハンダは各隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に分布すると同時に、一段の導電性ペースト又はハンダに、一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの正電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの負電極接触ファイングリッドが接続されるため、複数のバックコンタクト型太陽小電池セルと多段導電性ペースト又はハンダが形成する直列回路の間は相対的に独立し、即ち正電極接触ファイングリッドと負電極接触ファイングリッドの間は一対一の直列接続であり、電流伝送ルートを固定し、且つ互いに独立させるため、隣接する直列回路の干渉を有意に減少させ、電流分散及び拡散を防止でき、電流損失を有意に低減させ、全バックコンタクト型太陽電池モジュールのフィルファクタ、光電変換効率および光電変換効率の安定性をさらに向上させることができる。
本発明の実施例はバックコンタクト型太陽電池モジュールの製造方法を提供する。図３７に示されるように、当該バックコンタクト型太陽電池モジュールの製造方法は、
Ｓ３７０１：バックコンタクト型太陽小電池セルを製造するステップと、
Ｓ３７０２：バックシートの一つの表面に導電性ペーストを印刷するステップと、
Ｓ３７０３：複数のバックコンタクト型太陽小電池セルをバックシート上に配列し、導電性ペーストにより複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続し、乾燥固化するステップと、
を含むことができる。
上記製造方法により上記各実施例が提供する太陽電池モジュールを製造することができる。
そのうち、バックコンタクト型太陽小電池セルを製造するステップは、従来の作製工程を採用してバックコンタクト型太陽電池セルを作製し、当該バックコンタクト型太陽電池セルを交互に配列されるｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の方向に切断し、複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを得ることができる。当該切断プロセスはレーザー等の方式を採用して切断することができる。
そのうち、バックシートの一つの表面に導電性ペーストを印刷することは、導電性ペーストをバックシートに印刷しても、導電性ペーストをバックシートに塗布してもよい。ステップＳ３７０２で得られた導電性ペーストのバックシート上の分布は図１４、図１５、図２２、図２３および図３４に示されるとおりであり、一つのバックシート上に同種の構造の導電性ペーストを含むことができる。こうすれば工程操作がし易い。そのうち、図１４に示される構造及び図３に示される構造を合わせて図１６に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図１５に示される構造及び図６に示される構造を合わせて図１７に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図２２に示される構造及び図３に示される構造を合わせて図２４に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。図２３に示される構造及び図６に示される構造を合わせて図２７に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。
よって、バックシートの一つの表面に多段導電性ペーストを印刷することは、並列に配列された多段長尺状導電性ペーストを印刷することを含むことができる、そのうち、隣接する二段長尺状導電性ペーストの隣接する２つの長辺の間の距離はバックコンタクト型太陽小電池セルに含まれる負電極接触ファイングリッド又は正電極接触ファイングリッドの長さ以下であり、図３４に示されるバックシート及び多段導電性ペーストが得られる。
また、上記ステップＳ３７０２により得られる印制された多段導電性ペーストは多行多列で配列することができ、各段の導電性ペーストは線段型構造又はＺ型変形構造とすることができ、図４および図１４に示されるとおりである。
特筆すべきは、上記図１４、図１５、図２２、図２４および図３４に例示的に示されるのはバックシートに印刷された多段導電性ペーストの分布及び／又は多段導電性ペーストの構造の一部であり、Ｚ型構造などの導電性ペーストの他の構造又は複数の構造の導電性ペーストの組み合わせ等も上記ステップＳ３７０２により得られる。
本発明の実施例において、乾燥固化の温度は１００～５００度（℃）である。当該乾燥固化の温度により正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドと導電性ペーストの間に比較的良好なオーミック接触を形成することができ、太陽電池モジュールの安定性及び電力効率性能は優れた効果を達成できる。
本発明の実施例において、乾燥固化の時間は５～１８００ｓである。
太陽電池モジュールの製造方法を明確に説明するために、以下に具体的実施例を幾つか挙げて説明する。
下記の幾つかの実施例において、バックコンタクト型太陽電池セルを製造するステップは上記実施例１～実施例４と同じであるが、後続の導電条の製造過程が少し異なる。以下、直接、導電条の製造（バックシートの一つの表面に導電性ペーストを印刷する）から説明する。
実施例５：
具体的に以下のステップを含む：
Ａ１：導電性ペーストが印刷されたバックシートを製造する。
例えば、導電性ペーストを図１４に示される構造に基づき、バックシートに印刷する（当該プロセスは、図１４に示される構造に対応する特定パターンを出し、工程によって特定パターンのパラメータ等を調整することにより、図１４に示される構造に対応する特定パターンに基づき、導電性ペーストをバックシートに印刷する）。特筆すべきは、図中のバックシートはその用途を示すためだけに使用されるのであって、実際の寸法及び位置情報を示すのではない。導電性ペーストの長さ、幅、導電性ペーストの間の距離等は、実際の状況に応じて確定できる。例えば、図１４に示されるように、導電性ペーストにおける正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドと接触する段の幅（即ちＺ型構造又はＺ型変形構造の２本の横線の幅）は１．５ｍｍであり、導電性ペーストの長さは９．９ｍｍであり（導電性ペーストの長さはＺ型構造又はＺ型変形構造の２本の横線のセンターラインの間の距離である）、同組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する隣接する二段導電性ペーストの間の距離は１９．８ｍｍであり（隣接する二段導電性ペーストの間の距離は同組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する、隣接する２つのＺ型構造又はＺ型変形構造の、Ｚ型構造又はＺ型変形構造上の位置が一致する２本の横線のセンターラインの間の距離である）、隣接する二列導電性ペーストの間の距離は４５ｍｍとする（当該隣接する二列導電性ペーストの間の距離は二列導電性ペーストにおいて、導電性ペーストの同一側に位置する位置の間の距離である）。
Ａ２：バックシート上の導電性ペースト配列に基づき、バックコンタクト型太陽小電池セルにおける正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを導電性ペーストに貼着し、互いに直列接続される太陽電池モジュールを形成し、２００℃で２分間乾燥固化する。図１６に示される太陽電池モジュールが得られる。
当該プロセスは主に、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対の電極接触ファイングリッドをバックシートに印刷された導電性ペーストにより互いに接続し、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋及びｐ＋ドープ領域の長辺方に導出されることを確保する。
実施例６：
具体的に以下のステップを含む：
Ｂ１：導電性ペーストが印刷されたバックシートを製造する。
例えば、導電性ペーストを図１５に示される構造に基づき、バックシートに印刷する（当該プロセスは図１５に示される構造に対応する特定パターンを出し、工程によって特定パターンのパラメータ等を調整することにより、図１５に示される構造に対応する特定パターンに基づき、導電性ペーストをバックシートに印刷する）。特筆すべきは、図中のバックシートはその用途を示すためだけに使用されるのであって、実際の寸法及び位置情報を示すのではない。導電性ペーストの長さ、幅、導電性ペーストの間の距離等は、実際の状況に応じて確定できる。例えば、図１５に示されるように、導電性ペーストの幅は１．５ｍｍであり、導電性ペーストの長さは５ｍｍであり、同組の隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの間に位置する隣接する二段導電性ペーストの間の距離は１９．８ｍｍであり（当該隣接する二段導電性ペーストの間の距離は二段導電性ペーストのセンターラインの間の距離である）、隣接する二列導電性ペーストの間の距離は４５ｍｍとする（当該隣接する二列導電性ペーストの間の距離は二列導電性ペーストにおいて、導電性ペーストの同一側に位置する位置の間の距離である）。
Ｂ２：バックシート上の導電性ペースト配列に基づき、バックコンタクト型太陽小電池セルにおける正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを導電性ペーストに貼着し、互いに直列接続される太陽電池モジュールを形成し、３００℃で１分間乾燥固化する。図１７に示される太陽電池モジュールが得られる。
当該プロセスは主に、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対の電極接触ファイングリッドをバックシートに印刷された導電性ペーストにより互いに接続し、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋及びｐ＋ドープ領域の長辺方向に導出されることを確保する。
実施例７：
具体的に以下のステップを含む：
Ｃ１：実施例１のステップ（Ａ１）で得られたバックコンタクト型太陽電池セル上の特定の位置において正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドに絶縁層を被覆する。
当該特定位置は図２９又は図３０に示される絶縁層を有する対応位置とすることができる。
Ｃ２：上記ステップＣ１で得られたバックコンタクト型太陽電池セルを切断し、切断後に５個のバックコンタクト型太陽小電池セルを形成する。
バックコンタクト型太陽小電池セルの幅は実際の必要に応じて設定できる。例えば、切断した各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅はそれぞれ異なっても良い。一つの比較的好ましい実施例では切断した各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅を同じとする。こうすれば工程操作及び工程実現が容易である。例えば、各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅をいずれも２６．４５８３ｍｍとする。この５個のバックコンタクト型太陽小電池セルは図１８に示されるように配列される。この時、一部のバックコンタクト型太陽小電池セルの方向及び元のバックコンタクト型太陽電池セルは一致する。正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドには、短冊状ｎ＋及びｐ＋ドープ領域の電流をそれぞれ集めるメイングリッド線が存在しない。
Ｃ３：導電性ペーストが印刷されたバックシートを製造する。
例えば、導電性ペーストを図３４に示される構造に基づきバックシートに印刷する（当該プロセスは図３４に示される構造に対応する特定パターンを出し、工程によって特定パターンのパラメータ等を調整し、図３４に示される構造に対応する特定パターンに基づき、導電性ペーストをバックシートに印刷する）。特筆すべきは、図中のバックシートはその用途を示すためだけに使用されるのであって、実際の寸法及び位置情報を示すものではない。導電性ペーストの長さ、幅、導電性ペーストの間の距離等は、実際の状況に応じて確定できる。
Ｃ４：バックシート上の導電性ペースト配列に基づき、バックコンタクト型太陽小電池セルにおける正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを導電性ペーストに貼着し、互いに直列接続される太陽電池モジュールを形成し、１５０℃で５分間乾燥固化する。図１８に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。
当該プロセスは主に、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対の電極接触ファイングリッドをバックシート上の導電性ペーストにより互いに接続し、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋ドープ領域及びｐ＋ドープ領域の長辺方向に導出されることを確保する。
実施例８：
具体的に以下のステップを含む：
Ｄ１：実施例１に示されるステップ（１）バックコンタクト型太陽電池セルを製造する過程において、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを作製する時、一つのｐ＋ドープ領域毎に多段正電極接触ファイングリッドを作製し、一つのｎ＋ドープ領域毎に多段負電極接触ファイングリッドを作製し、図３８に示される構造を得る。各段の正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの長さ、隣接する二段正電極接触ファイングリッドの間の距離および隣接する二段負電極接触ファイングリッドの間の距離は必要に応じて設定でき、工程パラメータを調節する形式により各ｐ＋ドープ領域における多段正電極接触ファイングリッドの作製及び各ｎ＋ドープ領域における多段負電極接触ファイングリッドの作製を実現する。
当該正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを作製することは、銀ペーストを印刷して直接、不活性化膜を裏面に焼成貫通する方式を採用しても、先にレーザーで開口してから印刷しても、金属を電気めっきする方式を採用してもよく、こうして、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッド及びシリコン基材のオーミック接触を形成し、電流を導出させる。そのうち、正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの幅はいずれも１００μｍとすることができる。当該正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドの長さは太陽電池モジュールを作製する構造に応じて調整できる。
Ｄ２：上記ステップＤ１で得られたバックコンタクト型太陽電池セルを切断し、切断後に４個のバックコンタクト型太陽小電池セルを形成する。
バックコンタクト型太陽小電池セルの幅は実際の必要に応じて設定できる。例えば、切断した各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅はそれぞれ異なっても良い。一つの比較的好ましい実施例では切断した各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅を同じとする。こうすれば工程操作及び工程実現が容易である。例えば、各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅をいずれも３９．６８７５ｍｍとする。この４つのバックコンタクト型太陽小電池セルは図３１に示されるように配列される。この時、一部のバックコンタクト型太陽小電池セルの方向及び元のバックコンタクト型太陽電池セルは一致する。正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドには、短冊状ｎ＋及びｐ＋ドープ領域電流をそれぞれ集めるメイングリッド線が存在しない。
Ｄ３：導電性ペーストが印刷されたバックシートを製造する。当該ステップは実施例７に示されるステップＣ３と同じであるため、ここでは説明を省略する。
Ｄ４：バックシート上の導電性ペースト配列に基づき、バックコンタクト型太陽小電池セルにおける正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッドを導電性ペーストに貼着し、互いに直列接続される太陽電池モジュールを形成し、２５０℃で３分間乾燥固化する。図２０に示されるバックコンタクト型太陽電池モジュールが得られる。
当該プロセスは主に、隣接するバックコンタクト型太陽小電池セル上の極性が反対の電極接触ファイングリッドをバックシートに印刷された導電性ペーストにより互いに接続し、電池セル上の電流が短冊状ｎ＋及びｐ＋ドープ領域の長辺方向に導出されることを確保する。
上記実施例１～実施例８における太陽電池モジュール作製の完了後、後続の集約、積層、ラミネート等のモジュール封止工程は通常のモジュール作製方式と変わらないため、ここでは説明を省略する。
特筆すべきは、上記各パラメータは単に例示的に示されたものである。例えば、各バックコンタクト型太陽小電池セルの幅、ｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の幅、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セル間の距離、導電性ペーストの寸法パラメータはいずれも調整可能である。例えば、導電性ペーストの長さはさらに１ｍｍ、５００μｍ、２００μｍ又は更に小さく調整可能であり、導電性ペーストの幅も１ｍｍ、５００μｍ、２００μｍ、１００μｍ、５０μｍ又は更に小さく調整可能である。他の各種パラメータは工程実現範囲内で調整可能であり、ここでは説明を省略する。
本発明の実施例を上記のように公開したが、これらは本発明の保護範囲を限定するものではない。例えば、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セルの関係とバックシート上導電性ペーストの分布又は導電性ペーストの構造は差し替え又は組み合わせ可能であり、ｐ＋ドープ領域及びｎ＋ドープ領域の間の位置を差し替え、同時に、これに合わせて正電極接触ファイングリッド及び負電極接触ファイングリッド等を調整することもできる。また、バックコンタクト型太陽電池セルをより多くのバックコンタクト型太陽小電池セルに切断してもよい。また、例えば、導電性ペーストの幅を２００μｍ等、できる限り小さくし、隣接する２つのバックコンタクト型太陽小電池セル間の距離も２００μｍ未満等、できる限り小さくできる。本出願の構想及び範囲を逸脱しない範囲内で行う変更や修飾もすべて本出願の保護範囲に入ると理解することができる。
１…シリコン基材、２…ｐ＋ドープ領域、２１…正電極、２１′…正電極接触ファイングリッドの短端、３…ｎ＋ドープ領域、３１…負電極、３１′…負電極接触ファイングリッドの短端、４…低表面ドープ濃度のｎ＋前面フィールド（ＦＳＦ）、５…減反射積層不活性化膜、６…増反射積層不活性化膜、７…導電条、７０…バックシート、７１…基板、７２…導電パターン、７２１…長尺状構造の導電性ペーストの一方の長辺、７２２…長尺状構造の導電性ペーストの他方の長辺、７２３…長尺状構造本体、７２４…分岐段、８…絶縁層、９…ガラス板、１０…封止層（第一封止層又は第二封止層）。

Claims (23)

  1. Ｎ個の小電池セルと、（Ｎ－１）本の導電条（７）と、を備え、
    Ｎ個の小電池セルは、前記小電池セルの裏面に互い違いに設けられるｐ＋ドープ領域（２）及びｎ＋ドープ領域（３）を有し、前記小電池セルのｐ＋ドープ領域（２）に正極ファイングリッド線が設けられ、前記小電池セルのｎ＋ドープ領域に負極ファイングリッド線が設けられ、前記小電池セルのいずれにも前記ｎ＋ドープ領域（３）及び前記ｐ＋ドープ領域（２）電流が集まるメイングリッド線が設けられず、
    （Ｎ－１）本の導電条（７）は、前記導電条（７）毎に基板（７１）と前記基板（７１）に設けられた導電パターン（７２）が含まれ、各前記基板（７１）は隣接する２つの小電池セルの間にそれぞれ設けられ、前記導電パターン（７２）は、各前記小電池セルが直列接続されるように、隣接する２つの小電池セル上の極性が反対のファイングリッド線を順に間隔をあけて電気的に接続するために使用されるものである、
    ことを特徴とするバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  2. 隣接する２つの前記小電池セル上のｎ＋ドープ領域（３）とｐ＋ドープ領域（２）は一対一に対応して設けられ、前記導電パターン（７２）は複数本の導電折線が列状に配列されてなり、前記導電折線はステップ状である、
    ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  3. 隣接する２つの前記小電池セル上のｎ＋ドープ領域（３）及びｐ＋ドープ領域（２）は互い違いに対応して設けられ、前記導電条（７）の導電パターン（７２）は複数本の直線が列状に配列されてなる、
    ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  4. 前記導電パターン（７２）には多段導電性ペーストまたは多段ハンダが含まれる、
    ことを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  5. 各段の前記導電性ペーストまたは各段の前記ハンダは、一方の前記小電池セルの一つの前記正電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方の前記小電池セルの一つの前記負電極接触ファイングリッドを接続する、
    ことを特徴とする請求項４に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  6. 前記小電池セルはバックコンタクト型太陽電池セルが切断されてなる、
    ことを特徴とする請求項１～３、５のいずれかに記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  7. 前記（Ｎ－１）本の導電条（７）は同一バックシートに位置し、各前記基板（７１）は前記バックシートの部分的な領域である、
    ことを特徴とする請求項１に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  8. 隣接する前記ｐ＋ドープ領域（２）及び前記ｎ＋ドープ領域（３）の隣接する２つの側面の構造は相補的である、
    ことを特徴とする請求項１～３、５、７のいずれかに記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  9. 前記ｐ＋ドープ領域（２）及び前記ｎ＋ドープ領域（３）の構造は長方形構造、台形、鋸歯形、方形波形のうちのいずれか一種である、
    または、
    前記ｎ＋ドープ領域（３）は互い違いに設けられた幅広矩形条及び幅狭矩形条を含む条状であり、前記ｐ＋ドープ領域（２）は隣接する２本のｎ＋ドープ領域（３）の間に充填される、
    ことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池モジュール。
  10. 前記Ｎ個の小電池セルの関係には、隣接する２つの小電池セルにおいて、同じタイプのドープ領域が対向して設けられる関係および隣接する２つの小電池セルにおいて、反対タイプのドープ領域が対向して設けられる関係の組み合わせが含まれる、
    ことを特徴とする請求項１～３、５、７、９に記載の太陽電池モジュール。
  11. 前記基板（７１）の膨張係数はシリコンに近い、
    ことを特徴とする請求項１～３、５、７、９に記載の太陽電池モジュール。
  12. 前記基板（７１）は伝導シリコンウエハである、
    ことを特徴とする請求項１～３、５、７、９に記載の太陽電池モジュール。
  13. 複数のバックコンタクト型太陽小電池セル、及び少なくとも一段の導電性ペーストが設けられるバックシート（７０）を備え、
    前記バックコンタクト型太陽小電池セルは、シリコン基材（１）、前記シリコン基材の背面に交互に配列されるｐ＋ドープ領域（２）及びｎ＋ドープ領域（３）、前記ｐ＋ドープ領域に設けられる正電極接触ファイングリッドおよび前記ｎ＋ドープ領域に設けられる負電極接触ファイングリッドを備え、
    前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルは並列に配列され、そのうち、各隣接する２つの前記バックコンタクト型太陽小電池セルの側面が向かい合い、
    隣接する２つの前記バックコンタクト型太陽小電池セルが向かい合う両側において、前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端は当該一方側と電気的に分離し、前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端は当該他方側と電気的に分離し、
    各段の前記導電性ペーストは隣接する２つの前記バックコンタクト型太陽小電池セルの間に分布し、
    各段の前記導電性ペーストは、一方の前記バックコンタクト型太陽小電池セルの前記負電極接触ファイングリッドおよび隣接する他方の前記バックコンタクト型太陽小電池セルの前記正電極接触ファイングリッドを接続する、
    ことを特徴とするバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  14. 前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端に絶縁層が被覆され、前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端に絶縁層が被覆される、
    または、
    前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端は当該一方側に対して短端であり、
    前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端は当該他方側に対して短端である、
    ことを特徴とする請求項１３に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  15. 前記導電性ペーストは長尺状構造であり、
    前記向かい合う両側のうちの一方側に位置する正電極接触ファイングリッド端に前記長尺状構造の一方の長辺が接続され、
    前記向かい合う両側のうちの他方側に位置する負電極接触ファイングリッド端に前記長尺状構造の他方の長辺が接続される、
    ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  16. 前記導電性ペーストは、長尺状本体と長尺状構造本体の両側に別々に設けられて当該長尺状本体に接続する複数の分岐段を含み、そのうち、長尺状構造本体の一方側の各分岐段は、隣接する一方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの正電極接触ファイングリッドと接触し、長尺状構造本体の他方側の各分岐段は、隣接する他方のバックコンタクト型太陽小電池セルの一つの負電極接触ファイングリッドと接触する、
    を特徴とする請求項１３又は１４に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  17. 前記小電池セルと前記バックシートの間の隙間を充填するための第一封止層をさらに含む、
    ことを特徴とする請求項７、１３および１４のいずれかに記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  18. ガラス板と、第二封止層とをさらに含み、
    前記ガラス板は前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルと相対し、
    前記第二封止層は前記ガラス板と前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルの間に設けられ、
    前記第一封止層及び前記第二封止層は前記複数のバックコンタクト型太陽小電池セルを前記ガラス板と前記バックシートの間に封止するために使用される、
    ことを特徴とする請求項１７に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュール。
  19. 複数の小電池セルを得られるよう、バックコンタクト型太陽小電池セルを前記ｎ＋ドープ領域（３）又は前記ｐ＋ドープ領域（２）の短辺方向に等間隔に切断するステップＳ１と、
    基板（７１）上に導電パターン（７２）を設けて導電条（７）を形成し、各前記小電池セルを前記導電条（７）により順に直列接続して電池ストリングを形成するステップＳ２と、
    前記電池ストリングを順に集約、積層及びラミネートして封止を行い、バックコンタクト型太陽電池モジュールを得るステップＳ３と、
    を含むことを特徴とする請求項１～１２のいずれかに記載のバックコンタクト型太陽電池モジュールの製造方法。
  20. ステップＳ１において２≦Ｎ≦２０である、
    ことを特徴とする請求項１９に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュールの方法。
  21. ステップＳ２において前記導電パターン（７２）はハンダ又は導電性ペーストを印刷する方式で前記基板（７１）に乾燥固化させ、前記乾燥固化の温度は１００～５００℃であり、時間は３０－６００ｓである、
    ことを特徴とする請求項１９に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュールの方法。
  22. 前記ハンダは錫、錫鉛合金、錫ビスマス合金又は錫鉛銀合金であり、
    前記導電性ペーストは導電粒子が包まれた接着剤であり、前記接着剤はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、熱可塑性樹脂又はポリイミドのうちの一種以上であり、前記導電粒子は銀、金、銅又は銀、金、銅のうちの二種以上からなる合金粒子である、
    ことを特徴とする請求項２１に記載のバックコンタクト型太陽電池モジュールの方法。
  23. バックコンタクト型太陽電池セルを製造するステップと、
    バックシートの一つの表面に導電性ペーストを印刷するステップと、
    複数の前記バックコンタクト型太陽小電池セルを前記バックシート上に配列し、前記導電性ペーストにより複数の前記バックコンタクト型太陽小電池セルを直列接続し、乾燥固化するステップと、
    を含むことを特徴とする請求項１３～１６のいずれかに記載のバックコンタクト型太陽電池モジュールの製造方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284393B (zh) * 2022-01-04 2022-10-28 武汉美格科技股份有限公司 一种太阳能电池组件及其制备方法、太阳能装置
CN114597278A (zh) * 2022-01-12 2022-06-07 上海晶澳太阳能科技有限公司 一种光伏组件及其制作方法
CN114530512B (zh) * 2022-02-18 2024-03-19 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 柔性太阳电池组件及其制备方法
CN114649443B (zh) * 2022-03-03 2024-04-16 浙江爱旭太阳能科技有限公司 背接触太阳能电池串及其制备方法、电池组件及光伏系统
CN116544287A (zh) * 2023-01-05 2023-08-04 广东爱旭科技有限公司 背接触太阳能电池的电极结构、电池及其组件和光伏系统
CN117080313B (zh) * 2023-10-12 2024-01-09 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种减小背接触电池弯曲程度的串焊方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法
US20080216887A1 (en) * 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules
JP2009266848A (ja) * 2008-04-21 2009-11-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2011108969A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi Cable Ltd 太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池用配線基板
WO2013005475A1 (ja) * 2011-07-04 2013-01-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池
WO2013146414A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 凸版印刷株式会社 バックコンタクトタイプ太陽電池モジュール
JP2015063590A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 三井化学株式会社 導電ペースト組成物および焼成体
JP2015159287A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池モジュール
JP2017529704A (ja) * 2014-09-28 2017-10-05 蘇州中来光伏新材股▲ふん▼有限公司Ｊｏｌｙｗｏｏｄ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｓｕｎｗａｔｔ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． メインゲートフリーで高効率なバックコンタクト太陽電池モジュール、アセンブリ及び製造プロセス
JP2019523564A (ja) * 2016-08-02 2019-08-22 泰州中来光電科技有限公司Ｊｏｌｙｗｏｏｄ （Ｔａｉｚｈｏｕ） Ｓｏｌａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バックコンタクト型太陽電池ストリング及びその製造方法、モジュール、システム
CN209843729U (zh) * 2019-03-05 2019-12-24 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触太阳能电池互联结构

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009025147A1 (ja) * 2007-08-23 2009-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP5252472B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
CN111477702A (zh) * 2020-05-21 2020-07-31 晶澳太阳能有限公司 背接触太阳能电池组件及其制备方法
CN111599885A (zh) * 2020-06-10 2020-08-28 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 太阳能电池组件及制备方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法
US20080216887A1 (en) * 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules
JP2009266848A (ja) * 2008-04-21 2009-11-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2011108969A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi Cable Ltd 太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池用配線基板
WO2013005475A1 (ja) * 2011-07-04 2013-01-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池
WO2013146414A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 凸版印刷株式会社 バックコンタクトタイプ太陽電池モジュール
JP2015063590A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 三井化学株式会社 導電ペースト組成物および焼成体
JP2015159287A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池モジュール
JP2017529704A (ja) * 2014-09-28 2017-10-05 蘇州中来光伏新材股▲ふん▼有限公司Ｊｏｌｙｗｏｏｄ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｓｕｎｗａｔｔ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． メインゲートフリーで高効率なバックコンタクト太陽電池モジュール、アセンブリ及び製造プロセス
JP2019523564A (ja) * 2016-08-02 2019-08-22 泰州中来光電科技有限公司Ｊｏｌｙｗｏｏｄ （Ｔａｉｚｈｏｕ） Ｓｏｌａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バックコンタクト型太陽電池ストリング及びその製造方法、モジュール、システム
CN209843729U (zh) * 2019-03-05 2019-12-24 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触太阳能电池互联结构

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