JPWO2008090718A1 - 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008090718A1
JPWO2008090718A1 JP2008554990A JP2008554990A JPWO2008090718A1 JP WO2008090718 A1 JPWO2008090718 A1 JP WO2008090718A1 JP 2008554990 A JP2008554990 A JP 2008554990A JP 2008554990 A JP2008554990 A JP 2008554990A JP WO2008090718 A1 JPWO2008090718 A1 JP WO2008090718A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
solar cell
electrode
pattern
cell array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008554990A
Other languages
English (en)
Inventor
康志 舩越
康志 舩越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JPWO2008090718A1 publication Critical patent/JPWO2008090718A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Abstract

半導体基板（１）の表面にｐ電極（１１）とｎ電極（１２）とが形成された太陽電池ウェハ（１０）と、絶縁性基板（３６）の受光面にｐ配線（３４）とｎ配線（３５）とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板（３８）とを含み、配線基板（３８）には複数の太陽電池ウェハ（１０）が隣接して配置され、ｐ電極（１１）とｐ配線（３４）とが電気的に接続され、ｎ電極（１２）とｎ配線（３５）とが電気的に接続され、太陽電池ウェハ（１０）のうち一の太陽電池ウェハ（１０）に電気的に接続されたｐ配線（３４）と、一の太陽電池ウェハ（１０）に隣接して配置された太陽電池ウェハ（１０）に電気的に接続されたｎ配線（３５）と、が受光面およびその反対側の面において、電気的に接続されてなる配線（３２）を備える、太陽電池アレイおよび該太陽電池アレイを含む太陽電池モジュール等に関する。

Description

本発明は、太陽電池としての高い特性を有する太陽電池セルおよび太陽電池アレイならびにその製造方法に関する。また、複数の該太陽電池セルおよび該太陽電池アレイを封止して形成された太陽電池モジュールに関する。
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題などからクリーンなエネルギの開発が望まれており、特に太陽電池を用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
太陽電池は、従来から、例えば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面にシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐｎ接合を形成し、シリコン基板の受光面とその反対側にある裏面にそれぞれ電極を形成して製造されたものが主流となっている。また、シリコン基板の裏面にはシリコン基板と同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも一般的となっている。
また、シリコン基板の受光面には電極を形成せず、シリコン基板の裏面にｐｎ接合を形成するいわゆる裏面接合型太陽電池が開発されている（米国特許第４，９２７，７７０号公報明細書（特許文献１）参照）。裏面接合型太陽電池は一般的に受光面に電極を有しないことから、電極によるシャドーロスがなく、シリコン基板の受光面および裏面にそれぞれ電極を有する上述の太陽電池と比べて高い出力を得ることが期待できる。このような特性を活かしてソーラカーや集光用太陽電池などの用途に使用されており、近年住宅用としての開発も行なわれている。また、受光面側にｐｎ接合がある太陽電池に較べ、シリコン基板を薄くしても太陽電池としての特性が低下することがないため、ワットあたりのシリコン使用量が少なくて済み、原材料費の低減が期待できる。
ここで、図１４は、従来の裏面接合型太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。シリコン基板７０の上にｐ電極７１およびｎ電極７２がそれぞれ櫛型状に形成されている。複数の裏面接合型太陽電池ウェハをインターコネクタで接続して裏面接合型太陽電池を作製するために、図１４に示す櫛型状のｐ電極７１およびｎ電極７２のバスバ電極部分にインターコネクタを接続することが提案されている（特開２００５−０１１８６９号公報（特許文献２）参照）。
さらに高いＦｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ（以下、Ｆ．Ｆという）を有する裏面接合型太陽電池セルおよび裏面接合型太陽電池モジュールを安価に製造するために、太陽電池ウェハのｐ電極とｎ電極とをそれに対応するｐ配線とｎ配線とが予め形成されている配線基板に接続する方法が提案されている（特開２００５−３４０３６２号公報（特許文献３）参照）。
米国特許第４，９２７，７７０号公報明細書 特開２００５−０１１８６９号公報 特開２００５−３４０３６２号公報
図１４に示すｐ電極７１およびｎ電極７２のバスバ電極部分にインターコネクタを接続する場合、該インターコネクタのためのスペースを、作製される裏面接合型太陽電池に確保する必要がある。また、複数のストリングを接続してなる裏面接合型太陽電池を作製する場合、ストリング間の接続でＦ．Ｆが低下する。Ｆ．Ｆの低下を抑えた裏面接合型太陽電池を製造しようとすると、該インターコネクタのために大きなスペースを確保する必要がある。しかし、インターコネクタのスペースが大きくなるに従って、作製された裏面接合型太陽電池の面積のうち、実際に発電に寄与する太陽電池ウェハが占める面積は小さくなるとの問題が生じる。
また、図１４に示す櫛型状のｐ電極７１およびｎ電極７２のバスバ電極部分にインターコネクタを接続することで複数の裏面接合型太陽電池ウェハを直列に接続した裏面接合型太陽電池を作製した場合、高い電流が発生する。この問題を解決するために、特許文献３に記載の方法が提案されている。しかし、該方法では配線基板に形成されているｐ配線およびｎ配線は櫛型形状をしているのに対して、太陽電池ウェハのｐ電極およびｎ電極はドット形状であるため、リフローによる接続時に太陽電池ウェハと配線基板とが様々な方向にずれることがあった。
そこで、本発明では、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールの面積に対して太陽電池ウェハが占める面積が大きく、モジュール効率が高い太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールを提供することを目的とする。また、リフローによる接続時に太陽電池ウェハと配線基板とが様々な方向にずれにくい太陽電池アレイの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体基板の表面にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池ウェハと、絶縁性基板の受光面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板とを含み、配線基板には複数の太陽電池ウェハが隣接して配置され、配置される太陽電池ウェハの数に対応したｐ配線とｎ配線とが絶縁性基板の表面に形成され、ｐ電極とｐ配線とが電気的に接続され、ｎ電極とｎ配線とが電気的に接続され、太陽電池ウェハのうち一の太陽電池ウェハに電気的に接続されたｐ配線と、一の太陽電池ウェハに隣接して配置された太陽電池ウェハに電気的に接続されたｎ配線と、が電気的に接続されてなる配線を備え、絶縁性基板の受光面側の反対側の面においても、ｐ配線およびｎ配線が形成され、反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む第１太陽電池アレイに関する。
また、本発明の第１太陽電池アレイにおいて、ｐ配線およびｎ配線の少なくとも一部が絶縁性基板のスルーホールを通過し、絶縁性基板の受光面側の反対側の面において、ｐ配線およびｎ配線が形成され、反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含むことが好ましい。
また、本発明の第１太陽電池アレイにおいて、ｐ配線およびｎ配線は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、ｐ電極とｐ配線との接続およびｎ電極とｎ配線との接続は、はんだもしくは導電性接着剤を介してなることが好ましい。
また、本発明の第１太陽電池アレイにおいて、ｐ電極の形成のパターンとｐ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極の形成のパターンはｐ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極の形成のパターンとｎ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極の形成のパターンはｎ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。
また、本発明は、半導体基板の表面にｐ電極とｎ電極とが形成された１枚の太陽電池ウェハと、絶縁性基板の受光面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている１枚の配線基板とからなり、ｐ電極とｐ配線とが電気的に接続されｎ電極とｎ配線とが電気的に接続された太陽電池セル、が複数隣接して配置されて、一の太陽電池セルのｐ配線と、一の太陽電池セルに隣接して配置された太陽電池セルのｎ配線と、が電気的に接続されてなる配線を備え、絶縁性基板の反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む第２太陽電池アレイに関する。
また、本発明の第２太陽電池アレイにおいて、太陽電池セルのｐ配線およびｎ配線が絶縁性基板のスルーホールを通過し、絶縁性基板の受光面側の反対側の面において、ｐ配線およびｎ配線が形成され、絶縁性基板の反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含むことが好ましい。
また、本発明の第２太陽電池アレイにおいて、ｐ配線およびｎ配線は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、ｐ電極とｐ配線との接続およびｎ電極とｎ配線との接続は、はんだもしくは導電性接着剤を介してなることが好ましい。
また、本発明の第２太陽電池アレイにおいて、太陽電池セルが、ｐ電極の形成のパターンとｐ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極の形成のパターンはｐ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極の形成のパターンとｎ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極の形成のパターンはｎ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。
また、本発明は、上述した第１太陽電池アレイを隣接して配置し、第１太陽電池アレイのｐ配線と、一の第１太陽電池アレイに隣接して配置された第１太陽電池アレイのｎ配線と、が電気的に接続されてなる配線を含む第３太陽電池アレイに関する。
また、本発明の第３太陽電池アレイにおいて、第１太陽電池アレイを隣接して配置し、第１太陽電池アレイのｐ配線と、一の第１太陽電池アレイに隣接して配置された第１太陽電池アレイのｎ配線と、が絶縁性基板の反対側の面において電気的に接続されてなる配線を含むことが好ましい。
また、本発明は、半導体基板の表面にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池ウェハと、絶縁性基板の受光面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板とを含み、絶縁性基板の受光面側でｐ電極とｐ配線とが電気的に接続され、ｎ電極とｎ配線とが電気的に接続され、ｐ配線およびｎ配線が、絶縁性基板の受光面側の反対側の面においても形成された太陽電池セルに関する。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ配線およびｎ配線が絶縁性基板のスルーホールを通過し、絶縁性基板の受光面側の反対側の面において、ｐ配線およびｎ配線が形成された太陽電池セルに関する。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ配線およびｎ配線は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、ｐ電極とｐ配線との電気的な接続およびｎ電極とｎ配線との電気的な接続は、はんだもしくは導電性接着剤を介してなることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極の形成のパターンとｐ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極の形成のパターンはｐ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極の形成のパターンとｎ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極の形成のパターンはｎ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極の形成のパターンと絶縁体基板の受光面に形成されたｐ配線のパターンとは一致し、ｎ電極の形成のパターンと絶縁体基板の受光面に形成されたｎ配線のパターンとは一致することが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極およびｎ電極が太陽電池ウェハの１表面に形成されていることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極とｎ電極との形成のパターンは、ｐ電極とｎ電極とがそれぞれ、１辺の直線状電極と１辺の直線状電極に垂直に交わる複数の櫛歯状電極とからなる櫛型状に形成され、ｐ電極とｎ電極とが互いにそれぞれの櫛歯状電極を向き合わせて形成され、ｐ電極の櫛歯状電極とｎ電極の櫛歯状電極とが半導体基板の一面に沿って交互に配列されることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、半導体基板は、厚さ２００μｍ以下であるシリコン基板であることが好ましい。
また、本発明は、上述した第１太陽電池アレイの製造方法であって、はんだもしくは導電性接着剤を介した接続が、リフロー炉を用いて行なう第１太陽電池アレイの製造方法に関する。
また、本発明は、太陽電池セルの製造方法であって、はんだもしくは導電性接着剤を介した接続が、リフロー炉を用いて行なう第２太陽電池アレイの製造方法に関する。
また、本発明は、上述した第１太陽電池アレイ、第２太陽電池アレイ、第３太陽電池アレイまたは太陽電池セルのいずれかを樹脂および保護基板で封止してなる太陽電池モジュールに関する。
歩留りがよく、高い変換効率（モジュール効率）の太陽電池アレイ、太陽電池モジュールおよび太陽電池セルを提供できる。
本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。 本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 本発明の第１太陽電池アレイ用の配線基板の好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。 本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の裏面側からの平面図である。 本発明の第３太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 本発明の太陽電池セルの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 Ａは、図７のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線に沿った断面図であり、Ｂは、図７のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿った断面図である。 本発明の配線基板の別の一形態の断面図である。 Ａは、本発明の太陽電池ウェハの好ましい一形態を示した裏面側からの平面図であり、Ｂは、配線基板の好ましい一形態を示した受光面側からの平面図である。 本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態を示した工程図である。 本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態における各工程の断面図である。 本発明の太陽電池モジュールの好ましい形態の断面図である。 従来の太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。 従来技術である比較例１における太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。 従来技術である比較例２における太陽電池アレイの裏面側からの平面図である。
符号の説明
１ 半導体基板、２ 反射防止膜、３ パッシベーション膜、４ テクスチャ構造、５ ｐ＋層、６ ｎ＋層、７ テクスチャマスク、８ 拡散マスク、１０，９０ 太陽電池ウェハ、１１，７１ ｐ電極、１２，７２ ｎ電極、１３，３３ アライメントマーク、１４，２４，３４ ｐ配線、１５，２５，３５ ｎ配線、１６，２６，３６，６１ 絶縁性基板、１８，２８，３８，５１ 配線基板、１９，３９，４９ はんだ、２０ 太陽電池セル、３０，６０ 第１太陽電池アレイ、３２ 配線、３７，４７，５２，６２，７７ インターコネクタ、４０ 第２太陽電池アレイ、５０ 第３太陽電池アレイ、７０ シリコン基板、８０ 太陽電池モジュール、８１ ガラス基板、８２ 耐候性フィルム、８３ 樹脂。
本明細書において、太陽電池セルおよび第１太陽電池アレイの部材の太陽光が入射する側の面を受光面とし、受光面の反対側にあって太陽光が入射しない側の面を裏面とする。本発明の太陽電池セル、第１太陽電池アレイ、第２太陽電池アレイおよび第３太陽電池アレイは、太陽電池ウェハの１表面、特に裏面にｐ電極とｎ電極とを有する裏面電極型太陽電池であることが好ましい。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
〔第１太陽電池アレイ〕
図１は、本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。本発明において、第１太陽電池アレイとは、１枚の配線基板３８の上に２つ以上の太陽電池ウェハ１０を電気的に接続してなるものをいう。また、太陽電池ウェハ１０が複数個、一列で直列に接続され、かつ配線基板３８に設置されてなるものを以下、ストリングという。図１は、４つの太陽電池ウェハ１０を含むストリングを示している。
配線基板３８は、絶縁性基板３６の受光面側の表面にｐ配線３４とｎ配線３５とを互いに絶縁した状態で配置したものである。太陽電池ウェハ１０のｐ電極１１およびｎ電極１２は、それぞれｐ配線３４およびｎ配線３５と、はんだ３９を介して電気的に接続されている。そして、一の太陽電池ウェハ１０が電気的に接続されているｎ配線３５は、隣接する太陽電池ウェハ１０が接続されているｐ配線３４と、絶縁性基板３６の受光面における配線３２を介して電気的に接続されている。また、配線基板３８に配置される一の太陽電池ウェハ１０と電気的に接続されたｐ配線３４が、該太陽電池ウェハ１０に隣接する別の太陽電池ウェハと接続されたｎ配線３５と、絶縁性基板３６の受光面における配線３２で電気的に接続されている。そして、ストリング両端のｐ配線３４およびｎ配線３５はスルーホールを通過させて絶縁性基板３６の裏面にも形成されている。絶縁性基板３６の裏面に形成されたストリング端のｐ配線３４を他のストリング端のｎ配線３５と、配線であるインターコネクタ３７を介して接続することで第１太陽電池アレイ全体を電気的に接続することができる。ｐ配線３４およびｎ配線３５と、インターコネクタ３７との接続は例えば、はんだを介して行なうことが可能である。そして、インターコネクタ３７は、別のストリングの絶縁性基板３６の裏面に形成されたｐ配線またはｎ配線と接続される。つまり、ストリング間の電気的な接続は、絶縁性基板の裏面でなされる。
従来、第１太陽電池アレイの配線時には第１太陽電池アレイの形状の制約によりストリング間の接続のための配線であるインターコネクタに十分な幅（断面積）を確保できないことが多く、第１太陽電池アレイのＦ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）を低下させる要因となっていた。本発明における第１太陽電池アレイは、ストリング間のインターコネクタを絶縁性基板の裏面に設置することで、ストリング間の配線材料のためのスペースが必要なくなる。したがって、第１太陽電池アレイに対する太陽電池ウェハの充填率が大きくなるため、第１太陽電池アレイのモジュール効率を従来のものより高くできる。
さらに本発明によれば、インターコネクタ３７の幅をいくら広げても、絶縁性基板３６の反対側にある太陽電池ウェハ１０との接触を心配する必要は無く、Ｆ．Ｆを低下させないように十分な幅（断面積）を有するインターコネクタ３７を使用することが可能となる。
ここで、太陽電池ウェハ１０は、シリコン基板などからなる半導体基板１を材料とし、半導体基板１に後述するようなさまざまな処理を施すことで形成される。太陽電池ウェハ１０の裏面には、ｐ＋層５とｎ＋層６とが交互に間隔をあけてそれぞれ複数形成されている。ｐ＋層５およびｎ＋層６上には、ｐ電極１１およびｎ電極１２が形成されている。ｐ電極１１およびｎ電極１２は、金属材料で形成されることが好ましく、特に銀で形成されていることが好ましい。また、ｐ電極１１およびｎ電極１２が形成された箇所以外の太陽電池ウェハ１０の裏面には、パッシベーション膜３で被覆されている。また、太陽電池ウェハ１０の受光面は、テクスチャ構造４が形成されており、反射防止膜２で覆われている。
図２は、本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。該配線基板５１の上の太陽電池ウェハ１０どうしは、直列に接続されていることが好ましい。図２を参照して第１太陽電池アレイの一例を示す。予め数十枚の太陽電池ウェハ１０が直列に電気的な接続ができるようにｐ配線およびｎ配線を絶縁性基板上に形成してなる配線基板５１を用意し、その配線基板５１上に太陽電池ウェハ１０を設置し、電気的に接続させる。そして、１列の７つの太陽電池ウェハ１０を絶縁性基板の受光面に形成する配線で接続し、ストリングを６列形成する。そして、各ストリング端のｐ配線およびｎ配線は、スルーホールを通過して該絶縁性基板の裏面でインターコネクタ５２によって電気的に接続される。
図３は、本発明の第１太陽電池アレイ用の配線基板の好ましい一形態の受光面側からの平面図である。配線基板３８は、絶縁性基板３６上に複数の太陽電池ウェハと電気的な接続をするためのｐ配線３４およびｎ配線３５を形成したものである。ｐ配線３４とｎ配線３５とは配線３２によって絶縁性基板３６上で接続されている。
図３は、４個の太陽電池ウェハが一列につながれて形成される２つのストリングどうしが、インターコネクタ３７によって電気的に接続されるように構成されている。つまり、配線基板３８においては、８個の太陽電池ウェハを接続できるようにｐ配線３４およびｎ配線３５が形成されている。ストリング両端のｐ配線３４およびｎ配線３５はスルーホールを通過させて絶縁性基板３６の裏面にも形成されている。絶縁性基板３６の裏面に形成されたストリング端のｐ配線３４を他のストリング端のｎ配線３５とインターコネクタ３７を介して接続することができる。
ｐ配線３４およびｎ配線３５は、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されることが好ましい。ここで、配線３２は、ｐ配線３４およびｎ配線３５の材料と同じもので形成されても異なるもので形成されてもよい。配線３２の材料がｐ配線３４およびｎ配線３５と同じもので形成される場合には、例えばｐ配線３４と配線３２とｎ配線３５とが一つなぎの配線として形成されていてもよい。
また、絶縁性基板３６としては、例えばガラス基板、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルムなどを用いることができる。絶縁性基板３６としては、０．５〜２ｍｍ程度のガラス基板もしくはガラスエポキシ基板を用いることが、薄く脆い太陽電池ウェハ１０を補強するという見地からより好ましい。そして、ｐ配線３４およびｎ配線３５は、太陽電池ウェハ１０のｐ電極１１およびｎ電極１２の形成のパターンに実質的に重なるように形成されていることが好ましい。
また、ｐ配線３４およびｎ配線３５は例えば、絶縁性基板３６に銅箔、アルミニウム箔、銀箔、熱膨張性を調整するためこれらの箔とインバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）を積層した金属箔、もしくは少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む導電性ペーストなどを所望のパターンに印刷するなどして形成することができる。このとき、上述した配線３２とｐ配線３４および／またはｎ配線３５とが接続されたパターンの当該印刷をすることも可能である。また、ｐ配線３４およびｎ配線３５の形成される厚さおよびパターンの線幅は、適宜調整して設定することができる。また、配線基板３８は、太陽電池ウェハと配線基板３８との接続のずれを防止するためのアライメントマーク３３が受光面に形成されている。
なお、ｐ配線３４およびｎ配線３５は、例えば、絶縁性基板３６の端部から折り返すようにして絶縁性基板３６の裏面に形成されてもよい。
ここで、第１太陽電池アレイの製造方法は、例えば、太陽電池ウェハ１０の作製の工程、配線基板３８の作製の工程、および太陽電池ウェハ１０と配線基板３８との電気的な接続の工程からなる。これらの工程は、後述する太陽電池ウェハおよび太陽電池セルの製造方法と同様の方法で行なうことができる。ただし、太陽電池ウェハ１０と配線基板３８との接続の工程において、リフロー炉を用いて、はんだもしくは導電性接着剤を介して接続する場合には、リフロー炉内の温度分布を考慮する必要がある。上述した第１太陽電池アレイの製造方法によると、数十枚の太陽電池ウェハと配線基板の接続をリフロー炉により一度に行なうことができ、大きなＦ．Ｆを有する第１太陽電池アレイを短時間で作製することが可能である。
また、ｐ電極１１の形成のパターンとｐ配線３４の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極１１の形成のパターンはｐ配線３４の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極１２の形成のパターンとｎ配線３５の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極１２の形成のパターンはｎ配線３５の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。セルフアライメント効果によってはんだを介した接続時のリフロー炉における太陽電池ウェハ１０と配線基板とのズレを防止することができるためである。なお、ｐ電極１１およびｎ電極１２は、例えばドット状に形成されたものでもよい。
〔第２太陽電池アレイ〕
ここで以下、本発明において、太陽電池セルとは１枚の独立した配線基板につき１つの太陽電池ウェハが電気的に接続されてなるものを指す。太陽電池セルの構造についての詳細は後述する。
また、本発明において、第２太陽電池アレイとは、複数の太陽電池セルが相互に隣接して配置され、一の太陽電池セルのｐ配線と、該太陽電池セルに隣接して配置された太陽電池セルのｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む太陽電池アレイを意味する。
図４は、本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。第２太陽電池アレイ４０は、太陽電池セルのｐ配線１４およびｎ配線１５それぞれが、出力取出し用の端子として、絶縁性基板１６の裏面に形成されている。一の太陽電池セルのｐ配線１４と他の太陽電池セルのｎ配線１５とをインターコネクタ４７を介して直列に接続していくことによって第２太陽電池アレイ４０が作製される。インターコネクタ４７とｐ配線１４およびｎ配線１５との接続は、はんだ４９を介して行なわれることが好ましい。
従来、第２太陽電池アレイの配線時には太陽電池セルの形状の制約により接続のためのインターコネクタに十分な幅（断面積）を確保できないことが多く、第２太陽電池アレイのＦ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）を低下させる要因となっていた。本発明の第２太陽電池アレイによれば、インターコネクタ４７の幅をいくら広げても、絶縁性基板１６の反対側にある太陽電池ウェハ１０との接触を心配する必要は無く、Ｆ．Ｆを低下させないように十分な幅（断面積）を有するインターコネクタを使用することが可能となる。
図５は、本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の裏面側からの平面図である。太陽電池セル１０は、上述したとおり絶縁性基板１６の裏面に出力取出し用の端子としてｐ配線およびｎ配線を取回されている。そして、図５に示すように該ｐ配線および該ｎ配線それぞれが、絶縁性基板１６の裏面でインターコネクタ４７によって電気的に接続されている。図５においては、太陽電池セル１０が１６個直列に電気的に接続されることで第２太陽電池アレイ４０が形成されている。図５に示すような第２太陽電池アレイ４０は、数十枚の太陽電池セル１０を接続した後の検査工程において、などにより一枚の太陽電池セル１０に問題があることがわかったときなどに該太陽電池セル１０の交換が容易である。該当する太陽電池セル１０を接続するインターコネクタ４７のみを取り外すのみで、該太陽電池セル１０を除去することができるためである。
例えばリフロー炉によるはんだ、もしくは導電性接着剤接続により、太陽電池ウェハ１０と配線基板とを電気的に接続することにより、太陽電池セル２０が完成する。ｐ配線１４およびｎ配線１５は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されることが好ましい。
〔第３太陽電池アレイ〕
本発明において、第３太陽電池アレイとは、以下の二つの形態をいうものとする。
（１）複数の第１太陽電池アレイが隣接して配置され、一の第１太陽電池アレイと電気的に接続されたｐ配線と、該第１太陽電池アレイに隣接して配置された第１太陽電池アレイに電気的に接続されたｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む太陽電池アレイ。
（２）複数の太陽電池セルおよび第１太陽電池アレイが混在して隣接して配置され、隣接する太陽電池セルおよび／または第１太陽電池アレイどうしのｐ配線およびｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む太陽電池アレイ。
つまり、より具体的にいうと、はんだもしくは導電性接着剤を介した太陽電池ウェハと配線基板との接続を行なうことで作製された第１太陽電池アレイを複数個、または、第１太陽電池アレイおよび太陽電池セルを混在して複数個、電気的に接続してなるものを第３太陽電池アレイという。
図６は、本発明の第３太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。図６に示す第３太陽電池アレイ５０において、予め例えば７個の太陽電池ウェハ１０を含むストリングである第１太陽電池アレイ６０を複数準備し、隣接して配置する。そして、隣接しあう第１太陽電池アレイ６０どうしの絶縁性基板６１の裏面に形成されている端部のｐ配線とｎ配線とをインターコネクタ６２によって電気的に接続している。このような第３太陽電池アレイ５０は、上述した複数の太陽電池セル１０を接続してなる第２太陽電池アレイ４０に比べて、製造工程を簡略化できる。また、数十枚の太陽電池ウェハからなる第１太陽電池アレイに比べ、ストリング状の第１太陽電池アレイを複数接続することで、リフロー炉の幅を小さくすることができ、リフロー炉の温度分布の制御が容易になる。
〔太陽電池セル〕
図７は、本発明の太陽電池セルの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。図８Ａは、図７のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線に沿った断面図である。図８Ｂは、図７のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿った断面図である。図７に示すように、本発明の太陽電池セル２０は、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０とが電気的に接続されている。本発明の太陽電池セル２０は、太陽電池ウェハ１０と配線基板１８とから形成される。
まず、太陽電池セル２０の好ましい一形態について、図８Ａおよび図８Ｂに基づいて説明する。
配線基板１８は、絶縁性基板１６の受光面側の表面にｐ配線１４およびｎ配線１５を配置したものである。ｐ配線１４とｎ配線１５とは、互いに電気的に絶縁されて形成されている。図８Ｂに示すとおり、ｐ配線１４およびｎ配線１５は、絶縁性基板１６のスルーホールを通過して、絶縁性基板１６の裏面側に形成されることが好ましい。裏面側に形成されたｐ配線１４およびｎ配線１５は、出力取出し用の端子としての機能を果たす。このｐ配線１４およびｎ配線１５を裏面側に形成することで、絶縁性基板１６の裏面側における電気的接続を簡易なものとすることができる。また、裏面に配線基板１８と太陽電池ウェハ１０とは、ｐ配線１４とｐ電極１１とがはんだ１９を介して接続され、ｎ配線１５とｎ電極１２とがはんだ１９を介して接続されることによって、電気的に接続されている。そして、ｐ配線１４の形成のパターンとｐ電極１１の形成のパターンとが実質的に重なり、ｎ配線１５の形成のパターンとｎ電極１２の形成のパターンとが実質的に重なることが好ましい。ここで以下、本発明において、実質的に重なるとは、少なくともｐ電極およびｎ電極の形成パターンは、それぞれｐ配線およびｎ配線の形成パターンと重なり、ｐ配線およびｎ配線においては、それぞれｐ電極およびｎ電極と重ならない部分があり得ることを言うものとする。したがって、例えばｐ電極およびｎ電極は、ドット状に形成されたものでもよい。
図９は、本発明の配線基板の別の一形態の断面図である。図８Ｂにおける配線基板１８は、ｐ配線１４およびｎ配線１５が、絶縁性基板１６のスルーホールを通過して、絶縁性基板１６の裏面側に形成されているのに対して、図９における配線基板２８は、ｐ配線２４およびｎ配線２５が、絶縁性基板２６の端部から折り返すようにして絶縁性基板２６の裏面側に形成されている。本形態の配線基板２８によると、スルーホールを形成する必要がなく、配線基板２８の加工がより簡単に行なうことができる。
また、図７に示すように、太陽電池ウェハ１０の裏面には、ｐ電極１１とｎ電極１２とがそれぞれ、１辺の直線状電極と該電極に垂直に交わる複数の櫛歯状電極とからなる櫛型状に形成されていることが好ましい。ｐ電極１１およびｎ電極１２は、互いにそれぞれの櫛歯状電極を向き合わせて形成され、ｐ電極１１の櫛歯状電極とｎ電極１２の櫛歯状電極とが太陽電池ウェハ１０の裏面の一面に沿って交互に形成されている。また、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０との接続のずれを防止するためのアライメントマーク１３が、配線基板１８および太陽電池ウェハ１０の双方に形成されている。
ｐ電極とｐ配線とが、およびｎ電極とｎ配線とが、実質的に重なるパターンとしては、例えばｐ電極とｎ電極とが櫛型状に形成されている場合には、少なくとも該櫛型状のうち櫛歯状電極の形成パターンとｐ配線とｎ配線の形成パターンとが一致することが好ましい。
ここで、本実施の形態の説明においては、ｐ配線１４とｐ電極１１との接続、およびｎ配線１５とｎ電極１２との接続は、はんだ１９を介してなされているが、はんだ１９の代わりに導電性接着剤を用いることも可能である。導電性接着剤とは、例えば１５０℃程度で溶融するＳｎ−Ｂｉ系はんだを利用したものや、同じく１５０℃程度で硬化する低温硬化型の銀ペーストを挙げることができる。
絶縁性基板１６として、例えばガラス基板、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルムなどを用いることができる。絶縁性基板１６として０．５〜２ｍｍ程度のガラス基板もしくはガラスエポキシ基板を用いることが、薄く脆い太陽電池ウェハ１０を補強するという見地からより好ましい。また、ｐ配線１４およびｎ配線１５は、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されることが好ましい。例えば、絶縁性基板１６に銅箔、アルミニウム箔、銀箔、もしくは熱膨張率を調整するためこれらの箔とインバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）を積層した金属箔、もしくは、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む導電性ペーストなどを所望のパターンに印刷するなどして形成することができる。
太陽電池ウェハ１０は、シリコン基板などからなる半導体基板１を材料とし、半導体基板１に後述するようなさまざまな処理を施すことで形成される。太陽電池ウェハ１０の裏面には、ｐ＋層５とｎ＋層６とが交互に間隔をあけてそれぞれ複数形成されている。ｐ＋層５およびｎ＋層６上には、それぞれ上述したような櫛型状のｐ電極１１およびｎ電極１２が形成されている。ｐ電極１１およびｎ電極は、金属材料で形成されることが好ましく、特に銀で形成されていることが好ましい。また、ｐ電極１１およびｎ電極１２が形成された箇所以外の太陽電池ウェハ１０の裏面には、パッシベーション膜３で被覆されている。また、太陽電池ウェハ１０の受光面は、テクスチャ構造４が形成されており、反射防止膜２で覆われている。
図１０Ａは、本発明の太陽電池ウェハの好ましい一形態を示した裏面側からの平面図である。図１０Ｂは、配線基板の好ましい一形態を示した受光面側からの平面図である。図１０Ａのｐ電極１１およびｎ電極１２の形成のパターンは、上述したとおり櫛型状であって、図１０Ｂのｐ配線１４およびｎ配線１５の形成のパターンと鏡面構造であることが好ましい。つまり、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０とを接続した際にそれぞれｐ配線１４およびｐ電極１１の形成のパターン、ならびにｎ配線１５およびｎ電極１２の形成のパターンが一致することが好ましい。そして、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０との接続のずれを防止するためのアライメントマーク１３が、配線基板１８および太陽電池ウェハ１０に形成されていることが好ましい。
ここで、従来の裏面接合型太陽電池は、本実施の形態の太陽電池セル２０と同様に、ｐ＋層上にｐ電極を形成し、ｎ＋層上にｎ電極を形成されている。従来の裏面接合型太陽電池において、ｐ電極およびｎ電極は直列抵抗成分を抑える役目を有するため、ｐ電極およびｎ電極の形成される線幅は、ｐ電極とｎ電極とが接触しない限界の幅まで広げる必要があった。しかし、本実施の形態の太陽電池セル２０においては、ｐ電極１１およびｎ電極１２の形成のパターンはそれぞれ、ｐ配線１４およびｎ配線１５の形成のパターンと一致するため、直列抵抗成分を抑える役目は、ｐ配線１４およびｎ配線１５が担うことになる。したがって、ｐ電極１１およびｎ電極１２は、それぞれｐ配線１４およびｎ配線１５と電気的に接続されるためだけに作製すればよいため、ｐ電極１１およびｎ電極１１の仕上がり厚さは数μｍ程度で十分であり、ｐ電極１１およびｎ電極１２の形成される線幅は、従来よりも細くすることが可能である。その結果、ｐ電極１１およびｎ電極１２の作製に用いられる金属材料の使用量は、従来とくらべ１０分の１程度に抑えられ、安価に太陽電池セル２０を作製することが可能となる。特にｐ電極１１およびｎ電極の金属材料として高額な銀材料を用い、ｐ配線１４およびｎ配線１５の材料に例えば銅を選択し、はんだを介した接続をした場合には、大きなコストダウンを図ることができ、銀材料の資源の有効利用にもつながる。
また、上述のとおり、従来の裏面接合型太陽電池は、ｐ電極およびｎ電極を太陽電池ウェハの裏面のほぼ全面に可能な限り厚く形成されていた。これにより、太陽電池ウェハに電極による応力がかかり、半導体基板が２００μｍ以下であった場合には太陽電池ウェハの反りが大きくなり、太陽電池セルの作製が困難となっていた。しかし、上述したとおり本実施の形態の太陽電池セル２０は、ｐ電極１１およびｎ電極１２の作製に用いられる金属材料が従来の１／１０程度であることからも示されるとおり、ｐ電極１１およびｎ電極１２は、従来よりも薄く形成される。したがって、太陽電池ウェハ１０の反りが抑えられ半導体基板１の厚さを２００μｍ以下に設定することができ、１００μｍにまで薄型化することができる。半導体基板１を薄型化することで、高価なシリコン材料の使用量を削減することができる。また、本発明の太陽電池セル２０は、ｐ配線およびｎ配線の厚さを調整することにより、太陽電池セルの配線抵抗を十分に下げることができるため、使用する電極の金属材料の量が少なくても、高いＦ．Ｆ値を有する。
なお、本実施の形態において、裏面接合型の太陽電池ウェハ１０を例に説明をしたが、本発明は、これに限定されず、太陽電池ウェハの裏面にｐ電極とｎ電極とを有する裏面電極型であればよい。
〔太陽電池ウェハの製造方法〕
図１１は、本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態を示した工程図である。図１２は、本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態における各工程の断面図である。図１１に示したＳ１（ステップ１）〜Ｓ１０（ステップ１０）は、それぞれ図１２に示した（ａ）〜（ｊ）に対応する。なお、図１２においては説明の便宜のためシリコン基板の裏面にｎ＋層とｐ＋層を１つずつしか形成していないが、実際には複数形成できる。以下、図１１に示した工程ごとに図１２に基づいて太陽電池ウェハ１０の製造方法について説明する。
〈Ｓ１：ｎ型の半導体基板〉
図１２（ａ）に示すｎ型のシリコン基板などからなる半導体基板１を用意する。半導体基板１は、スライス時に生じたスライスダメージを除去したものなどが用いられる。ここで、半導体基板１のスライスダメージの除去は、半導体基板１の表面をフッ化水素水溶液と硝酸の混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングを行なうことにより実施される。半導体基板１の大きさおよび形状は特に限定されないが、例えば厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下、１辺１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下の四角形状とすることができる。
〈Ｓ２：受光面のテクスチャ構造の形成〉
図１２（ｂ）に示すように、半導体基板１の裏面に酸化シリコン膜からなるテクスチャマスク７を常圧ＣＶＤ法により形成したのちに半導体基板１の受光面にテクスチャ構造４を形成する。受光面のテクスチャ構造４は、テクスチャマスク７を形成した半導体基板１をエッチング液でエッチングすることにより形成することができる。該エッチング液としては、例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液を例えば７０℃以上８０℃以下に加熱したものなどを用いることができる。テクスチャ構造４を形成したのちに、半導体基板１の裏面のテクスチャマスク７は、フッ化水素水溶液などを用いて除去される。
〈Ｓ３：拡散マスクの開口部形成〉
図１２（ｃ）に示すように、半導体基板１の受光面および裏面に拡散マスク８を形成し、裏面の拡散マスク８に開口部を形成する。まず、半導体基板１の受光面および裏面のそれぞれに酸化シリコン膜からなる拡散マスク８を常圧ＣＶＤ法により形成する。そして、半導体基板１の裏面の拡散マスク８に開口部を形成したいところに、拡散マスク８の上から、エッチングペーストを塗布する。そして、半導体基板１を加熱処理し、続けて洗浄してエッチングペーストの残渣を除去することにより、拡散マスク８に開口部を設けることができる。このとき該開口部は、後述するｐ＋層５の箇所に相当する部分に形成される。また、該エッチングペーストとは、拡散マスク８をエッチングするためのエッチング成分を含有するものである。
〈Ｓ４：ｐ型不純物拡散後ＨＦクリーニング〉
図１２（ｄ）に示すように、ｐ型不純物を拡散した後、Ｓ３で形成した拡散マスク８をフッ化水素（ＨＦ）水溶液などでクリーニングすることで、導電型不純物拡散層としてのｐ＋層５を形成する。まず、例えばＢＢｒ3を用いた気相拡散によって半導体基板１の露出した裏面に導電型不純物としてのｐ型不純物を拡散させる。該拡散後、半導体基板１の受光面および裏面の上述した拡散マスク８、ならびにボロンが拡散して形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液などを用いてすべて除去する。
〈Ｓ５：拡散マスクの開口部形成〉
図１２（ｅ）に示すように、半導体基板１の受光面および裏面に拡散マスク８を形成し、裏面の拡散マスク８に開口部を形成する。操作はＳ３と同様であるが、Ｓ５においては、拡散マスク８の開口部は、後述するｎ＋層６の箇所に相当する部分に形成される。
〈Ｓ６：ｎ型不純物拡散後ＨＦクリーニング〉
図１２（ｆ）に示すように、ｎ型不純物を拡散した後、Ｓ５で形成した拡散マスク８をフッ化水素水溶液などでクリーニングすることで、導電型不純物拡散層としてのｎ＋層６を形成する。まず、例えばＰＯＣｌ3を用いた気相拡散によって半導体基板１の露出した裏面に導電型不純物としてのｎ型不純物を拡散させる。該拡散後、半導体基板１の受光面および裏面の上述した拡散マスク８、ならびにリンが拡散して形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液などを用いてすべて除去する。
〈Ｓ７：窒化シリコン膜の形成〉
図１２（ｇ）に示すように、半導体基板１の受光面に窒化シリコン膜からなる反射防止膜２、裏面に窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜３を形成する。まず、半導体基板１の裏面に例えば屈折率が２．６〜３．６の窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜３を形成する。次いで半導体基板１の受光面に例えば屈折率が１．９〜２．１の窒化シリコン膜からなる反射防止膜２を形成する。窒化シリコン膜は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
〈Ｓ８：コンタクトホールの形成〉
図１２（ｈ）に示すように、ｐ＋層５およびｎ＋層６の一部を露出させるために半導体基板１の裏面のパッシベーション膜３を一部除去して、コンタクトホールを作製する。該コンタクトホールは、例えば、上述したエッチングペーストを用いて作製することができる。
〈Ｓ９：電極の形成〉
図１２（ｉ）に示すように、ｐ＋層５の露出面およびｎ＋層６の露出面のそれぞれに接触するｐ電極１１およびｎ電極１２を形成する。形成方法は、例えば、銀ペーストを上述したコンタクトホール面に沿ってスクリーン印刷またはインクジェット方式の印刷をした後、焼成することが挙げられる。該焼成によって、半導体基板１とコンタクトをとれた銀からなるｐ電極１１およびｎ電極１２が形成される。
〈Ｓ１０：はんだコーティング〉
図１２（ｊ）に示すように、ｐ電極１１およびｎ電極１２をはんだ浴に浸漬させて、ｐ電極１１およびｎ電極１２の表面にはんだ１９のコーティングを施す。なお、はんだ１９の代わりに導電性接着剤でコーティングしてもよい。
ここで、ｐ＋層５およびｎ＋層６は、１辺の直線と該直線に垂直に交わる複数の直線からなる櫛歯部分とからなる櫛型状に形成され、ｐ＋層５の櫛歯部分に対して、ｎ＋層６の櫛歯部分が向き合わせて形成され、ｐ＋層５の櫛歯部分とｎ＋層６との櫛歯部分とが一面に沿って交互に形成されていることが好ましい。
また、本実施の形態において、半導体基板１はｎ型のものを利用して説明したが、半導体基板１は、ｐ型であってもよい。そして、半導体基板１がｎ型である場合には半導体基板１の裏面のｐ＋層５と半導体基板１とによって該裏面にｐｎ接合が形成される。半導体基板１がｐ型である場合には半導体基板１の裏面のｎ＋層６とｐ型の半導体基板１とによって該裏面にｐｎ接合が形成される。また、半導体基板１にシリコン基板を用いる場合には、例えば多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどを用いることができる。また、上述したとおり、本発明の太陽電池ウェハに形成するｐ電極１１およびｎ電極１２の厚さは、数μｍ程度でよいため、インクジェット方式の印刷を利用することができる。インクジェット方式の印刷は、スクリーン印刷よりも半導体基板１に対する負荷が小さいため、更に太陽電池ウェハ１０の割れが抑えられる。以上より、太陽電池ウェハ１０が完成する。
なお、本実施の形態において、裏面接合型の太陽電池ウェハ１０を例に製造方法を説明をしたが、本発明の太陽電池ウェハの製造方法は、これに限定されず、太陽電池ウェハの裏面にｐ電極とｎ電極とを有する裏面電極型であればよい。
〔太陽電池セルの製造方法〕
続いて、図１０Ａおよび図１０Ｂに基づいて、太陽電池ウェハ１０と配線基板１８とからなる太陽電池セルの製造方法について説明する。まず、絶縁性基板１６の受光面上にｐ配線１４とｎ配線１５とが形成されている配線基板１８が用意される。ｐ配線１４およびｎ配線１５は、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されていることが好ましい。ｐ配線１４およびｎ配線１５は、例えば絶縁性基板１６の上に１０μｍ以上の厚さの銅箔、アルミニウム箔または銀箔のいずれかを設置し、それをエッチングして形成することができる。少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む導電性ペーストなどを所望のパターンに印刷するなどして形成してもよい。ここで配線基板１８は太陽電池ウェハ１０のｐ電極１１とｎ電極１２と同様に、ｐ配線１４とｎ配線１５とがそれぞれ櫛型状に形成され、ｐ配線１４とｎ配線１５とが互いにそれぞれの櫛歯を向き合わせて設置されていることが好ましい。
形成されたｐ配線１４およびｎ配線１５の表面にははんだコーティングをしてもよい。該はんだコーティングは、太陽電池ウェハ１０の製造方法と同様に配線基板１８をはんだ浴に浸漬させて形成してもよいし、クリームはんだの印刷によって形成してもよい。
そして、この配線基板１８が太陽電池ウェハ１０の裏面上に設置され、図８Ａ、図８Ｂに示すようにｐ電極１１上およびｎ電極１２上にそれぞれｐ配線１４およびｎ配線１５が設置される。そして、例えばリフロー炉によるはんだ、もしくは導電性接着剤接続により、太陽電池ウェハ１０と配線基板１８とを電気的に接続することにより、太陽電池セル２０が完成する。ここで十分な強度を有する配線基板１８に太陽電池ウェハ１０を接続することによって、太陽電池セル２０の補強効果を得ることもでき、薄いシリコン基板などからなる半導体基板１を用いたときのセル割れ抑制効果も期待できる。
ここでリフロー炉による該はんだ接続の際には、はんだ溶融時におけるはんだの表面張力によって接続されるべき正確な位置に移動する効果（セルフアライメント効果）が期待される。しかし、従来の太陽電池ウェハは、ドット状のｐ電極およびｎ電極を形成していたため、リフロー炉投入時の搬送での振動などにより配線基板に対してθズレやｘ軸方向、ｙ軸方向へのズレが起こることがあった。ここで、ｘ軸とｙ軸とは互いに垂直に交わるものとする。そして、ｐ電極およびｎ電極は狭い間隔で交互に存在するため、太陽電池ウェハと配線基板との若干のズレが生じた場合にも、例えばｐ電極とｎ配線とが接触するなどして、太陽電池セルの特性を大きく低下させることがあった。本発明においては、太陽電池ウェハ２０のｐ電極１１およびｎ電極１２を櫛型状とし、ｐ電極１１およびｎ電極１２とｐ配線１４およびｎ配線１５とを同一形状とすることではんだ接合の際の太陽電池ウェハと配線基板とのズレを防止することができる。
なお、ｐ配線１４とｐ電極１１との接続、およびｎ配線１５とｎ電極１２との接続は、はんだを用いる代わりに導電性接着剤を用いて行なってもよい。
〔太陽電池モジュール〕
図１３は、本発明の太陽電池モジュールの好ましい形態の断面図である。図１３に示すように、太陽電池モジュール８０は、例えば、図４に示したような第２太陽電池アレイを樹脂８３で挟んだ後に、受光面側の保護基材としてガラス基板８１、裏面側の保護基材として耐候性フィルム８２で封止されて形成されるものである。樹脂８３は、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂などの透明の熱可塑性であることが好ましい。太陽電池モジュール８０は、耐久性が高い。なお、図１３において、太陽電池アレイとして図４に示したものと同様のものを用いて説明したが、これに限定されるものではない。つまり、本発明の太陽電池モジュールは、本発明の太陽電池セル、第１太陽電池アレイ、第２太陽電池アレイ、または第３太陽電池アレイのいずれかを上述するような方法で封止されることで形成される。
本発明で作製された太陽電池モジュールは、第１〜３太陽電池アレイがストリング間を接続するインターコネクタを配線基板の裏面側で接続しているため、ストリング接続用のインターコネクタのスペースが必要なくなる。したがって、太陽電池モジュール中の太陽電池ウェハの充填率が高くなり、結果として高いモジュール変換効率が得られる。そして、ストリング接続用インターコネクタを配線基板の裏側に配置することにより、インターコネクタの設計自由度が高くなり、十分な幅を有するインターコネクタを使用することにより、太陽電池モジュール作製時のＦ．Ｆの低下を防ぎ、高い変換効率のモジュールを作製することが可能となる。
＜実施例＞
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜実施例１＞
まず、太陽電池ウェハを作製した。作製の手順を図１１に示した工程に準じて、以下に示す。
〈Ｓ１〉
１辺１００ｍｍ、厚さ２００μｍのｎ型のシリコン基板を用意した。該シリコン基板は、スライス時に生じたスライスダメージをアルカリ溶液を用いて除去したものであった。
〈Ｓ２〉
次に、水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを少量添加して８０℃に加熱したエッチング用アルカリ溶液を用いて、シリコン基板の受光面をエッチングすることによって、テクスチャ構造を形成した。なお、該エッチング前にシリコン基板の裏面は、常圧ＣＶＤによりテクスチャマスクとして酸化シリコン膜を成膜することで該エッチングから保護した。そして、後の工程で使用するアライメントマークをレーザマーカにてシリコン基板の裏面に形成して、フッ化水素水溶液を用いて、シリコン基板の裏面に形成した酸化シリコン膜を一旦除去した。
〈Ｓ３〉
次に、シリコン基板の受光面側、裏面側ともに拡散マスクとして、２５０ｎｍの酸化シリコン膜を常圧ＣＶＤにて成膜した。上述したアライメントマークを考慮して、シリコン基板の裏面側の酸化シリコン膜の上から所望のｐ＋層の形成のパターンに合わせてリン酸を主成分とするエッチングペーストを印刷した。その後、シリコン基板を３２０℃に加熱し、水洗することにより該酸化シリコン膜にｐ＋拡散を行なうための窓を形成した。
〈Ｓ４〉
次に、１０００℃の雰囲気下でＢＢｒ3を用いた気相拡散を６０分間行なうことによって、シリコン基板の裏面の該窓に導電型不純物拡散層であるｐ＋層を形成した。その後、シリコン基板の受光面および裏面の酸化シリコン膜ならびにボロンが拡散して形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液を用いてすべて除去した。
〈Ｓ５〉
次に、常圧ＣＶＤによりシリコン基板の両面に２５０ｎｍの拡散マスクとしての酸化シリコン膜を再び成膜した。そして、上述したアライメントマークを考慮して、シリコン基板の裏面側の酸化シリコン膜の上から所望のｎ＋層の形成のパターンに合わせてリン酸を主成分とするエッチングペーストを印刷した。その後、シリコン基板を３２０℃に加熱し、水洗することにより、該酸化シリコン膜にｎ＋拡散を行なうための窓を形成した。
〈Ｓ６〉
次に、９００℃の雰囲気下でＰＯＣｌ3を用いた気相拡散を３０分間行なうことによって、シリコン基板の裏面の該窓に導電型不純物拡散層であるｎ＋層を形成した。その後、シリコン基板の受光面および裏面の酸化シリコン膜ならびにリンが拡散して形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液を用いてすべて除去した。
〈Ｓ７〉
次に、プラズマＣＶＤ法により、シリコン基板の裏面にパッシベーション膜として屈折率３の窒化シリコン膜を形成した。そして、シリコン基板の受光面には、反射防止膜として屈折率２で厚さ７０ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。
〈Ｓ８〉
次に、ｎ＋層およびｐ＋層の上に、リン酸を主成分とするエッチングペーストを所望のパターンで印刷した。そして、該シリコン基板を２５０℃で加熱し、水洗することにより、パッシベーション膜にコンタクトホールを形成した。
〈Ｓ９〉
次に、該コンタクトホールの形成のパターンに応じたかたちで銀ペーストを印刷し、焼成することでｐ電極およびｎ電極を形成した。
〈Ｓ１０〉
そして、ｐ電極およびｎ電極をはんだ浴に浸漬させることでｐ電極、ｎ電極の上にはんだコーティングした。
ここでｐ電極およびｎ電極は互いに櫛型状に形成されており、ｐ電極の櫛歯状電極とｎ電極の櫛歯状電極とが向き合い、かつ双方の櫛歯状電極が交互に配列されるように形成された。また、ｐ電極とｎ電極はともに高さが約４μｍ、幅が全て約２００μｍであった。
以上の操作で太陽電池ウェハを形成した。次に配線基板の作製をした。
まず、一辺１００．５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの正方形のガラスエポキシ基板からなる絶縁性基板を準備した。そして、絶縁性基板の一面に、厚さ３５μｍの銅からなるｐ配線とｎ配線とを形成することで配線基板を作製した。ｐ配線およびｎ配線は、ｐ電極およびｎ電極の形成のパターンに一致して重なるように形成した。また、ｐ配線およびｎ配線に干渉せず、かつ、後の工程で太陽電池ウェハとの接続のずれを回避するためのアライメントマークを形成した。また、ｐ配線およびｎ配線は、スルーホールを通過させることで電気取り出し用として絶縁性基板の裏面にも配置した。その後、該ｐ配線および該ｎ配線の上には、はんだ浴に浸漬させることで、はんだコーティングをした。以上の操作で配線基板を形成した。
そして太陽電池ウェハおよび配線基板上のアライメントマークを利用して、ｐ電極、ｎ電極がｐ配線、ｎ配線上にくるように位置合せをして、配線基板上に太陽電池ウェハを重ね合わせ、リフロー炉に投入した。１００℃の予備加熱の後、２００℃の本加熱を経て太陽電池ウェハと配線基板とが電気的に接続され太陽電池セルを完成した。
この太陽電池セルの短絡電流密度Ｊｓｃ（ｍＡ／ｃｍ2）、開放電圧Ｖｏｃ（Ｖ）、Ｆ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）値を表１に示す。
＜比較例１＞
図１５は、従来技術である比較例１における太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。太陽電池ウェハ９０については、形成されたｐ電極７１およびｎ電極７２の高さが約２０μｍ、櫛歯状電極の幅が約４００μｍ、バスバ電極の幅が１ｍｍであること以外は、実施例１と同様に作製した。なお、該高さおよび該幅の値が、実施例１のものよりも大きい理由は、従来は電極にかかる直列抵抗成分を低減するため可能な限り、幅と高さを取っているからである。
図１５に示すように、太陽電池ウェハ９０を配線基板を用いずバスバ電極にインターコネクタ７７を接続し、実施例１と同様にＪｓｃ、Ｖｏｃ、Ｆ．Ｆを測定したところ表１に示す値となった。
表１のとおり、本発明による実施例１と比較例１とは、Ｆ．Ｆの値に大きな差がみられた。これにより、ｐ電極７１およびｎ電極７２のみでは十分に直列抵抗成分を抑えることができていないことが分かった。また、比較例１において、これ以上ｐ電極７１およびｎ電極７２を厚く形成することは、太陽電池の反りが大きくなることから不可能であった。本発明の太陽電池セルは、ｐ電極およびｎ電極の材料である銀の使用量が比較例１より少量であるにもかかわらず、比較例１より大幅に太陽電池特性が大幅に改善したことがわかった。
Figure 2008090718
＜実施例２＞
まず、一辺１００．５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの正方形のガラスエポキシ基板からなる絶縁性基板を準備した。そして、絶縁性基板の一面に、厚さ３５μｍの銅からなるｐ配線とｎ配線とを形成することで配線基板を作製した。また、ｐ配線およびｎ配線に干渉せず、かつ、後の工程で太陽電池ウェハとの接続のずれを回避するためのアライメントマークを形成した。また、ｐ配線およびｎ配線は、スルーホールを通過させることで電気取り出し用として配線基板の裏面にも配置した。その後、該ｐ配線および該ｎ配線の上には、はんだ浴に浸漬させることで、はんだコーティングをした。
ｐ配線およびｎ配線の形成のパターンに一致して重なるように形成したｐ電極およびｎ電極を有する一辺１００ｍｍ、厚さ２００μｍの正方形の太陽電池ウェハを、実施例１に記載の方法と同様にして用意した。そして、アライメントマークを用いてｐ電極、ｎ電極がそれぞれｐ配線、ｎ配線上にくるように位置合せをして、配線基板上に太陽電池ウェハを重ね合わせ、リフロー炉に投入した。１００℃の予備加熱の後、２００℃の本加熱を経て太陽電池ウェハと配線基板が電気的に接続された太陽電池セルを完成した。なお、ｐ電極、ｎ電極、ｐ配線およびｎ配線の線幅は全て２００μｍであった。
このようにして完成した一の太陽電池セルの絶縁性基板裏面のｐ配線を他の一の太陽電池セルの絶縁性基板裏面のｎ配線とインターコネクタにより直列に４つの太陽電池セルを接続した。このようにして４枚の太陽電池セルからなるストリング状の第２太陽電池アレイを形成した。そして、同様のストリング状の第２太陽電池アレイを４つ準備した。このストリング状の第２太陽電池アレイの絶縁性基板裏面のｐ配線を、他の一のストリング状の第２太陽電池アレイの絶縁性基板裏面のｎ配線をインターコネクタにより接続するというようにして、結果として、１６枚の太陽電池セルを直列に接続したこととなった。そして、この後ＥＶＡ樹脂とガラス、耐候性フィルムで該第２太陽電池アレイを封止して、太陽電池モジュールを作製した。この太陽電池モジュールの面積は４２０ｍｍ×４２０ｍｍであった。
このとき、太陽電池セル間の接続には厚さ２０μｍ、面積９０ｍｍ×５ｍｍのはんだコートを施した銅箔のインターコネクタを使用し、ストリング状の第２太陽電池アレイ間の接続には厚さ２０μｍ、面積３０ｍｍ×１９０ｍｍのはんだコートを施した銅箔のインターコネクタを使用した。この太陽電池モジュールの短絡電流Ｉｓｃ（Ａ）、開放電圧Ｖｏｃ（Ｖ）、Ｆ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）値を表２に示す。表２に示すように、特にＦ．Ｆにおいて、１６枚の太陽電池セルを接続しているにも関わらず、太陽電池セル１枚の値と遜色のない値が得られた。
＜比較例２＞
図１６は、従来技術である比較例２における太陽電池アレイの裏面側からの平面図である。図１６のように比較例１の太陽電池ウェハ９０を用いて、配線基板を用いずにインターコネクタ７７のみで、４枚の太陽電池ウェハ９０が４つ直列に接続されてなるストリング状の形態のものを４つ準備し、これをさらに直列に接続した従来の太陽電池アレイを作製した。そして、この太陽電池をＥＶＡ樹脂とガラス、耐候性フィルムで封止することで従来の太陽電池モジュールを作製した。該太陽電池モジュールの面積は４２０ｍｍ×４２０ｍｍであった。ストリング状の形態のものを製造するための太陽電池ウェハ９０間の接続に使用したインターコネクタ７７は、該太陽電池モジュール面積の関係上、厚さ２０μｍで面積９０ｍｍ×５ｍｍの実施例２と同じものを使用した。また、上述したストリング状の形態のもの間の接続に使用したインターコネクタ７７は、該太陽電池モジュール面積の関係上、厚さ２０μｍで面積５ｍｍ×１９０ｍｍのものを使用した。該太陽電池モジュールは、実施例２と同等の方法で短絡電流Ｉｓｃ（Ａ）、開放電圧Ｖｏｃ（Ｖ）、Ｆ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）値を測定した。結果を表２に示す。なお、「変換効率」とは「モジュール効率」をさすものとする。
比較例２のＦ．Ｆは、比較例１のＦ．Ｆよりも更に低下した値であった。これは、上述したストリング状の形態のもの間の接続に使用したインターコネクタ７７は、実施例２におけるストリング状の第２太陽電池アレイ間の接続に使用したインターコネクタの面積より小さくなったことに起因すると考えた。比較例２においても実施例２と同様形態のインターコネクタを使用したならばＦ．Ｆは改善すると考えられたが、該太陽電池モジュールの面積が大きくなってしまい、結果として比較例２の太陽電池モジュールの変換効率が低下してしまうことが予想された。以上より、本発明の太陽電池モジュールは、ストリング間接続用のインターコネクタを幅の広い（断面積の大きい）ものを使用しても太陽電池モジュールに対する太陽電池セルの充填率を高くできることから、従来よりも高いＦ．Ｆが得られ、結果として高いモジュール効率が得られることが示された。
Figure 2008090718
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、太陽電池モジュールとしての高い特性を有する太陽電池セルおよび太陽電池アレイならびにその製造方法に関する。また、複数の該太陽電池セルおよび該太陽電池アレイを封止して形成された太陽電池モジュールに関する。
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題などか
らクリーンなエネルギの開発が望まれており、特に太陽電池ウェハを用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
太陽電池ウェハは、従来から、例えば単結晶または多結晶のシリコン基板の受光面にシリコン基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによってｐｎ接合を形成し、シリコン基板の受光面とその反対側にある裏面にそれぞれ電極を形成して製造されたものが主流となっている。また、シリコン基板の裏面にはシリコン基板と同じ導電型の不純物を高濃度で拡散することによって、裏面電界効果による高出力化を図ることも一般的となっている。
また、シリコン基板の受光面には電極を形成せず、シリコン基板の裏面にｐｎ接合を形成するいわゆる裏面接合型太陽電池ウェハが開発されている（米国特許第４，９２７，７７０号公報明細書（特許文献１）参照）。裏面接合型太陽電池ウェハは一般的に受光面に電極を有しないことから、電極によるシャドーロスがなく、シリコン基板の受光面および裏面にそれぞれ電極を有する上述の太陽電池ウェハと比べて高い出力を得ることが期待できる。このような特性を活かしてソーラカーや集光用太陽電池モジュールなどの用途に使用されており、近年住宅用としての開発も行なわれている。また、受光面側にｐｎ接合がある太陽電池ウェハに較べ、シリコン基板を薄くしても太陽電池ウェハとしての特性が低下することがないため、ワットあたりのシリコン使用量が少なくて済み、原材料費の低減が期待できる。
ここで、図１４は、従来の裏面接合型太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。シリコン基板７０の上にｐ電極７１およびｎ電極７２がそれぞれ櫛型状に形成されている。複数の裏面接合型太陽電池ウェハをインターコネクタで接続して裏面接合型太陽電池ストリングを作製するために、図１４に示す櫛型状のｐ電極７１およびｎ電極７２のバスバ電極部分にインターコネクタを接続することが提案されている（特開２００５−０１１８６９号公報（特許文献２）参照）。
さらに高いＦｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ（以下、Ｆ．Ｆという）を有する裏面接合型太陽電池セルおよび裏面接合型太陽電池モジュールを安価に製造するために、太陽電池ウェハのｐ電極とｎ電極とをそれに対応するｐ配線とｎ配線とが予め形成されている配線基板に接続する方法が提案されている（特開２００５−３４０３６２号公報（特許文献３）参照）。
米国特許第４，９２７，７７０号公報明細書 特開２００５−０１１８６９号公報 特開２００５−３４０３６２号公報
図１４に示すｐ電極７１およびｎ電極７２のバスバ電極部分にインターコネクタを接続する場合、該インターコネクタのためのスペースを、作製される裏面接合型太陽電池ウェハに確保する必要がある。また、複数のストリングを接続してなる裏面接合型太陽電池アレイを作製する場合、ストリング間の接続でＦ．Ｆが低下する。Ｆ．Ｆの低下を抑えた裏面接合型太陽電池アレイを製造しようとすると、該インターコネクタのために大きなスペースを確保する必要がある。しかし、インターコネクタのスペースが大きくなるに従って、作製された裏面接合型太陽電池ウェハの面積のうち、実際に発電に寄与する太陽電池ウェハが占める面積は小さくなるとの問題が生じる。
また、図１４に示す櫛型状のｐ電極７１およびｎ電極７２のバスバ電極部分にインターコネクタを接続することで複数の裏面接合型太陽電池ウェハを直列に接続した裏面接合型太陽電池ストリングを作製した場合、高い電流が発生する。この問題を解決するために、特許文献３に記載の方法が提案されている。しかし、該方法では配線基板に形成されているｐ配線およびｎ配線は櫛型形状をしているのに対して、太陽電池ウェハのｐ電極およびｎ電極はドット形状であるため、リフローによる接続時に太陽電池ウェハと配線基板とが様々な方向にずれることがあった。
そこで、本発明では、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールの面積に対して太陽電池ウェハが占める面積が大きく、モジュール効率が高い太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールを提供することを目的とする。また、リフローによる接続時に太陽電池ウェハと配線基板とが様々な方向にずれにくい太陽電池アレイの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体基板の表面にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池ウェハと、絶縁性基板の受光面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板とを含み、配線基板には複数の太陽電池ウェハが隣接して配置され、配置される太陽電池ウェハの数に対応したｐ配線とｎ配線とが絶縁性基板の表面に形成され、ｐ電極とｐ配線とが電気的に接続され、ｎ電極とｎ配線とが電気的に接続され、太陽電池ウェハのうち一の太陽電池ウェハに電気的に接続されたｐ配線と、一の太陽電池ウェハに隣接して配置された太陽電池ウェハに電気的に接続されたｎ配線と、が電気的に接続されてなる配線を備え、絶縁性基板の受光面側の反対側の面においても、ｐ配線およびｎ配線が形成され、反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む第１太陽電池アレイに関する。
また、本発明の第１太陽電池アレイにおいて、ｐ配線およびｎ配線の少なくとも一部が絶縁性基板のスルーホールを通過し、絶縁性基板の受光面側の反対側の面において、ｐ配線およびｎ配線が形成され、反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含むことが好ましい。
また、本発明の第１太陽電池アレイにおいて、ｐ配線およびｎ配線は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、ｐ電極とｐ配線との接続およびｎ電極とｎ配線との接続は、はんだもしくは導電性接着剤を介してなることが好ましい。
また、本発明の第１太陽電池アレイにおいて、ｐ電極の形成のパターンとｐ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極の形成のパターンはｐ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極の形成のパターンとｎ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極の形成のパターンはｎ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。
また、本発明は、半導体基板の表面にｐ電極とｎ電極とが形成された１枚の太陽電池ウェハと、絶縁性基板の受光面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている１枚の配線基板とからなり、ｐ電極とｐ配線とが電気的に接続されｎ電極とｎ配線とが電気的に接続された太陽電池セル、が複数隣接して配置されて、一の太陽電池セルのｐ配線と、一の太陽電池セルに隣接して配置された太陽電池セルのｎ配線と、が電気的に接続されてなる配線を備え、絶縁性基板の反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む第２太陽電池アレイに関する。
また、本発明の第２太陽電池アレイにおいて、太陽電池セルのｐ配線およびｎ配線が絶縁性基板のスルーホールを通過し、絶縁性基板の受光面側の反対側の面において、ｐ配線およびｎ配線が形成され、絶縁性基板の反対側の面で、ｐ配線とｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含むことが好ましい。
また、本発明の第２太陽電池アレイにおいて、ｐ配線およびｎ配線は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、ｐ電極とｐ配線との接続およびｎ電極とｎ配線との接続は、はんだもしくは導電性接着剤を介してなることが好ましい。
また、本発明の第２太陽電池アレイにおいて、太陽電池セルが、ｐ電極の形成のパターンとｐ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極の形成のパターンはｐ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極の形成のパターンとｎ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極の形成のパターンはｎ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。
また、本発明は、上述した第１太陽電池アレイを隣接して配置し、第１太陽電池アレイのｐ配線と、一の第１太陽電池アレイに隣接して配置された第１太陽電池アレイのｎ配線と、が電気的に接続されてなる配線を含む第３太陽電池アレイに関する。
また、本発明の第３太陽電池アレイにおいて、第１太陽電池アレイを隣接して配置し、第１太陽電池アレイのｐ配線と、一の第１太陽電池アレイに隣接して配置された第１太陽電池アレイのｎ配線と、が絶縁性基板の反対側の面において電気的に接続されてなる配線を含むことが好ましい。
また、本発明は、半導体基板の表面にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池ウェハと、絶縁性基板の受光面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板とを含み、絶縁性基板の受光面側でｐ電極とｐ配線とが電気的に接続され、ｎ電極とｎ配線とが電気的に接続され、ｐ配線およびｎ配線が、絶縁性基板の受光面側の反対側の面においても形成された太陽電池セルに関する。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ配線およびｎ配線が絶縁性基板のスルーホールを通過し、絶縁性基板の受光面側の反対側の面において、ｐ配線およびｎ配線が形成された太陽電池セルに関する。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ配線およびｎ配線は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、ｐ電極とｐ配線との電気的な接続およびｎ電極とｎ配線との電気的な接続は、はんだもしくは導電性接着剤を介してなることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極の形成のパターンとｐ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極の形成のパターンはｐ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極の形成のパターンとｎ配線の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極の形成のパターンはｎ配線の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極の形成のパターンと絶縁体基板の受光面に形成されたｐ配線のパターンとは一致し、ｎ電極の形成のパターンと絶縁体基板の受光面に形成されたｎ配線のパターンとは一致することが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極およびｎ電極が太陽電池ウェハの１表面に形成されていることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、ｐ電極とｎ電極との形成のパターンは、ｐ電極とｎ電極とがそれぞれ、１辺の直線状電極と１辺の直線状電極に垂直に交わる複数の櫛歯状電極とからなる櫛型状に形成され、ｐ電極とｎ電極とが互いにそれぞれの櫛歯状電極を向き合わせて形成され、ｐ電極の櫛歯状電極とｎ電極の櫛歯状電極とが半導体基板の一面に沿って交互に配列されることが好ましい。
また、本発明の太陽電池セルにおいて、半導体基板は、厚さ２００μｍ以下であるシリコン基板であることが好ましい。
歩留りがよく、高い変換効率（モジュール効率）の太陽電池アレイ、太陽電池モジュールおよび太陽電池セルを提供できる。
本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。 本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 本発明の第１太陽電池アレイ用の配線基板の好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。 本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の裏面側からの平面図である。 本発明の第３太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 本発明の太陽電池セルの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。 Ａは、図７のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線に沿った断面図であり、Ｂは、図７のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿った断面図である。 本発明の配線基板の別の一形態の断面図である。 Ａは、本発明の太陽電池ウェハの好ましい一形態を示した裏面側からの平面図であり、Ｂは、配線基板の好ましい一形態を示した受光面側からの平面図である。 本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態を示した工程図である。 本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態における各工程の断面図である。 本発明の太陽電池モジュールの好ましい形態の断面図である。 従来の太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。 従来技術である比較例１における太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。 従来技術である比較例２における太陽電池アレイの裏面側からの平面図である。
１ 半導体基板、２ 反射防止膜、３ パッシベーション膜、４ テクスチャ構造、５ ｐ＋層、６ ｎ＋層、７ テクスチャマスク、８ 拡散マスク、１０，９０ 太陽電池ウェハ、１１，７１ ｐ電極、１２，７２ ｎ電極、１３，３３ アライメントマーク、１４，２４，３４ ｐ配線、１５，２５，３５ ｎ配線、１６，２６，３６，６１ 絶縁性基板、１８，２８，３８，５１ 配線基板、１９，３９，４９ はんだ、２０ 太陽電池セル、３０，６０ 第１太陽電池アレイ、３２ 配線、３７，４７，５２，６２，７７ インターコネクタ、４０ 第２太陽電池アレイ、５０ 第３太陽電池アレイ、７０ シリコン基板、８０ 太陽電池モジュール、８１ ガラス基板、８２ 耐候性フィルム、８３ 樹脂。
本明細書において、太陽電池セルおよび第１太陽電池アレイの部材の太陽光が入射する側の面を受光面とし、受光面の反対側にあって太陽光が入射しない側の面を裏面とする。本発明の太陽電池セル、第１太陽電池アレイ、第２太陽電池アレイおよび第３太陽電池アレイは、太陽電池ウェハの１表面、特に裏面にｐ電極とｎ電極とを有する裏面電極型太陽電池ウェハであることが好ましい。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
〔第１太陽電池アレイ〕
図１は、本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。本発明において、第１太陽電池アレイとは、１枚の配線基板３８の上に２つ以上の太陽電池ウェハ１０を電気的に接続してなるものをいう。また、太陽電池ウェハ１０が複数個、一列で直列に接続され、かつ配線基板３８に設置されてなるものを以下、ストリングという。図１は、４つの太陽電池ウェハ１０を含むストリングを示している。
配線基板３８は、絶縁性基板３６の受光面側の表面にｐ配線３４とｎ配線３５とを互いに絶縁した状態で配置したものである。太陽電池ウェハ１０のｐ電極１１およびｎ電極１２は、それぞれｐ配線３４およびｎ配線３５と、はんだ３９を介して電気的に接続されている。そして、一の太陽電池ウェハ１０が電気的に接続されているｎ配線３５は、隣接する太陽電池ウェハ１０が接続されているｐ配線３４と、絶縁性基板３６の受光面における配線３２を介して電気的に接続されている。また、配線基板３８に配置される一の太陽電池ウェハ１０と電気的に接続されたｐ配線３４が、該太陽電池ウェハ１０に隣接する別の太陽電池ウェハと接続されたｎ配線３５と、絶縁性基板３６の受光面における配線３２で電気的に接続されている。そして、ストリング両端のｐ配線３４およびｎ配線３５はスルーホールを通過させて絶縁性基板３６の裏面にも形成されている。絶縁性基板３６の裏面に形成されたストリング端のｐ配線３４を他のストリング端のｎ配線３５と、配線であるインターコネクタ３７を介して接続することで第１太陽電池アレイ全体を電気的に接続することができる。ｐ配線３４およびｎ配線３５と、インターコネクタ３７との接続は例えば、はんだを介して行なうことが可能である。そして、インターコネクタ３７は、別のストリングの絶縁性基板３６の裏面に形成されたｐ配線またはｎ配線と接続される。つまり、ストリング間の電気的な接続は、絶縁性基板の裏面でなされる。
従来、第１太陽電池アレイの配線時には第１太陽電池アレイの形状の制約によりストリング間の接続のための配線であるインターコネクタに十分な幅（断面積）を確保できないことが多く、第１太陽電池アレイのＦ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）を低下させる要因となっていた。本発明における第１太陽電池アレイは、ストリング間のインターコネクタを絶縁性基板の裏面に設置することで、ストリング間の配線材料のためのスペースが必要なくなる。したがって、第１太陽電池アレイに対する太陽電池ウェハの充填率が大きくなるため、第１太陽電池アレイのモジュール効率を従来のものより高くできる。
さらに本発明によれば、インターコネクタ３７の幅をいくら広げても、絶縁性基板３６の反対側にある太陽電池ウェハ１０との接触を心配する必要は無く、Ｆ．Ｆを低下させないように十分な幅（断面積）を有するインターコネクタ３７を使用することが可能となる。
ここで、太陽電池ウェハ１０は、シリコン基板などからなる半導体基板１を材料とし、半導体基板１に後述するようなさまざまな処理を施すことで形成される。太陽電池ウェハ１０の裏面には、ｐ＋層５とｎ＋層６とが交互に間隔をあけてそれぞれ複数形成されている。ｐ＋層５およびｎ＋層６上には、ｐ電極１１およびｎ電極１２が形成されている。ｐ電極１１およびｎ電極１２は、金属材料で形成されることが好ましく、特に銀で形成されていることが好ましい。また、ｐ電極１１およびｎ電極１２が形成された箇所以外の太陽電池ウェハ１０の裏面には、パッシベーション膜３で被覆されている。また、太陽電池ウェハ１０の受光面は、テクスチャ構造４が形成されており、反射防止膜２で覆われている。
図２は、本発明の第１太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。該配線基板５１の上の太陽電池ウェハ１０どうしは、直列に接続されていることが好ましい。図２を参照して第１太陽電池アレイの一例を示す。予め数十枚の太陽電池ウェハ１０が直列に電気的な接続ができるようにｐ配線およびｎ配線を絶縁性基板上に形成してなる配線基板５１を用意し、その配線基板５１上に太陽電池ウェハ１０を設置し、電気的に接続させる。そして、１列の７つの太陽電池ウェハ１０を絶縁性基板の受光面に形成する配線で接続し、ストリングを６列形成する。そして、各ストリング端のｐ配線およびｎ配線は、スルーホールを通過して該絶縁性基板の裏面でインターコネクタ５２によって電気的に接続される。
図３は、本発明の第１太陽電池アレイ用の配線基板の好ましい一形態の受光面側からの平面図である。配線基板３８は、絶縁性基板３６上に複数の太陽電池ウェハと電気的な接続をするためのｐ配線３４およびｎ配線３５を形成したものである。ｐ配線３４とｎ配線３５とは配線３２によって絶縁性基板３６上で接続されている。
図３は、４個の太陽電池ウェハが一列につながれて形成される２つのストリングどうしが、インターコネクタ３７によって電気的に接続されるように構成されている。つまり、配線基板３８においては、８個の太陽電池ウェハを接続できるようにｐ配線３４およびｎ配線３５が形成されている。ストリング両端のｐ配線３４およびｎ配線３５はスルーホールを通過させて絶縁性基板３６の裏面にも形成されている。絶縁性基板３６の裏面に形成されたストリング端のｐ配線３４を他のストリング端のｎ配線３５とインターコネクタ３７を介して接続することができる。
ｐ配線３４およびｎ配線３５は、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されることが好ましい。ここで、配線３２は、ｐ配線３４およびｎ配線３５の材料と同じもので形成されても異なるもので形成されてもよい。配線３２の材料がｐ配線３４およびｎ配線３５と同じもので形成される場合には、例えばｐ配線３４と配線３２とｎ配線３５とが一つなぎの配線として形成されていてもよい。
また、絶縁性基板３６としては、例えばガラス基板、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルムなどを用いることができる。絶縁性基板３６としては、０．５〜２ｍｍ程度のガラス基板もしくはガラスエポキシ基板を用いることが、薄く脆い太陽電池ウェハ１０を補強するという見地からより好ましい。そして、ｐ配線３４およびｎ配線３５は、太陽電池ウェハ１０のｐ電極１１およびｎ電極１２の形成のパターンに実質的に重なるように形成されていることが好ましい。
また、ｐ配線３４およびｎ配線３５は例えば、絶縁性基板３６に銅箔、アルミニウム箔、銀箔、熱膨張性を調整するためこれらの箔とインバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）を積層した金属箔、もしくは少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む導電性ペーストなどを所望のパターンに印刷するなどして形成することができる。このとき、上述した配線３２とｐ配線３４および／またはｎ配線３５とが接続されたパターンの当該印刷をすることも可能である。また、ｐ配線３４およびｎ配線３５の形成される厚さおよびパターンの線幅は、適宜調整して設定することができる。また、配線基板３８は、太陽電池ウェハと配線基板３８との接続のずれを防止するためのアライメントマーク３３が受光面に形成されている。
なお、ｐ配線３４およびｎ配線３５は、例えば、絶縁性基板３６の端部から折り返すようにして絶縁性基板３６の裏面に形成されてもよい。
ここで、第１太陽電池アレイの製造方法は、例えば、太陽電池ウェハ１０の作製の工程、配線基板３８の作製の工程、および太陽電池ウェハ１０と配線基板３８との電気的な接続の工程からなる。これらの工程は、後述する太陽電池ウェハおよび太陽電池セルの製造方法と同様の方法で行なうことができる。ただし、太陽電池ウェハ１０と配線基板３８との接続の工程において、リフロー炉を用いて、はんだもしくは導電性接着剤を介して接続する場合には、リフロー炉内の温度分布を考慮する必要がある。上述した第１太陽電池アレイの製造方法によると、数十枚の太陽電池ウェハと配線基板の接続をリフロー炉により一度に行なうことができ、大きなＦ．Ｆを有する第１太陽電池アレイを短時間で作製することが可能である。
また、ｐ電極１１の形成のパターンとｐ配線３４の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｐ電極１１の形成のパターンはｐ配線３４の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、ｎ電極１２の形成のパターンとｎ配線３５の形成のパターンとが電気的に接続された際に、ｎ電極１２の形成のパターンはｎ配線３５の形成のパターンに実質的に重なるパターンであることが好ましい。セルフアライメント効果によってはんだを介した接続時のリフロー炉における太陽電池ウェハ１０と配線基板とのズレを防止することができるためである。なお、ｐ電極１１およびｎ電極１２は、例えばドット状に形成されたものでもよい。
〔第２太陽電池アレイ〕
ここで以下、本発明において、太陽電池セルとは１枚の独立した配線基板につき１つの太陽電池ウェハが電気的に接続されてなるものを指す。太陽電池セルの構造についての詳細は後述する。
また、本発明において、第２太陽電池アレイとは、複数の太陽電池セルが相互に隣接して配置され、一の太陽電池セルのｐ配線と、該太陽電池セルに隣接して配置された太陽電池セルのｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む太陽電池アレイを意味する。
図４は、本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の断面図である。第２太陽電池アレイ４０は、太陽電池セルのｐ配線１４およびｎ配線１５それぞれが、出力取出し用の端子として、絶縁性基板１６の裏面に形成されている。一の太陽電池セルのｐ配線１４と他の太陽電池セルのｎ配線１５とをインターコネクタ４７を介して直列に接続していくことによって第２太陽電池アレイ４０が作製される。インターコネクタ４７とｐ配線１４およびｎ配線１５との接続は、はんだ４９を介して行なわれることが好ましい。
従来、第２太陽電池アレイの配線時には太陽電池セルの形状の制約により接続のためのインターコネクタに十分な幅（断面積）を確保できないことが多く、第２太陽電池アレイのＦ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）を低下させる要因となっていた。本発明の第２太陽電池アレイによれば、インターコネクタ４７の幅をいくら広げても、絶縁性基板１６の反対側にある太陽電池ウェハ１０との接触を心配する必要は無く、Ｆ．Ｆを低下させないように十分な幅（断面積）を有するインターコネクタを使用することが可能となる。
図５は、本発明の第２太陽電池アレイの好ましい一形態の裏面側からの平面図である。太陽電池セル１０は、上述したとおり絶縁性基板１６の裏面に出力取出し用の端子としてｐ配線およびｎ配線を取回されている。そして、図５に示すように該ｐ配線および該ｎ配線それぞれが、絶縁性基板１６の裏面でインターコネクタ４７によって電気的に接続されている。図５においては、太陽電池セル１０が１６個直列に電気的に接続されることで第２太陽電池アレイ４０が形成されている。図５に示すような第２太陽電池アレイ４０は、数十枚の太陽電池セル１０を接続した後の検査工程において、一枚の太陽電池セル１０に問題があることがわかったときなどに該太陽電池セル１０の交換が容易である。該当する太陽電池セル１０を接続するインターコネクタ４７のみを取り外すのみで、該太陽電池セル１０を除去することができるためである。
例えばリフロー炉によるはんだ、もしくは導電性接着剤接続により、太陽電池ウェハ１０と配線基板とを電気的に接続することにより、太陽電池セル２０が完成する。ｐ配線１４およびｎ配線１５は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されることが好ましい。
〔第３太陽電池アレイ〕
本発明において、第３太陽電池アレイとは、以下の二つの形態をいうものとする。
（１）複数の第１太陽電池アレイが隣接して配置され、一の第１太陽電池アレイと電気的に接続されたｐ配線と、該第１太陽電池アレイに隣接して配置された第１太陽電池アレイに電気的に接続されたｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む太陽電池アレイ。
（２）複数の太陽電池セルおよび第１太陽電池アレイが混在して隣接して配置され、隣接する太陽電池セルおよび／または第１太陽電池アレイどうしのｐ配線およびｎ配線とが電気的に接続されてなる配線を含む太陽電池アレイ。
つまり、より具体的にいうと、はんだもしくは導電性接着剤を介した太陽電池ウェハと配線基板との接続を行なうことで作製された第１太陽電池アレイを複数個、または、第１太陽電池アレイおよび太陽電池セルを混在して複数個、電気的に接続してなるものを第３太陽電池アレイという。
図６は、本発明の第３太陽電池アレイの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。図６に示す第３太陽電池アレイ５０において、予め例えば７個の太陽電池ウェハ１０を含むストリングである第１太陽電池アレイ６０を複数準備し、隣接して配置する。そして、隣接しあう第１太陽電池アレイ６０どうしの絶縁性基板６１の裏面に形成されている端部のｐ配線とｎ配線とをインターコネクタ６２によって電気的に接続している。このような第３太陽電池アレイ５０は、上述した複数の太陽電池セル１０を接続してなる第２太陽電池アレイ４０に比べて、製造工程を簡略化できる。また、数十枚の太陽電池ウェハからなる第１太陽電池アレイに比べ、ストリング状の第１太陽電池アレイを複数接続することで、リフロー炉の幅を小さくすることができ、リフロー炉の温度分布の制御が容易になる。
〔太陽電池セル〕
図７は、本発明の太陽電池セルの好ましい一形態の受光面側からの平面図である。図８Ａは、図７のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線に沿った断面図である。図８Ｂは、図７のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿った断面図である。図７に示すように、本発明の太陽電池セル２０は、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０とが電気的に接続されている。本発明の太陽電池セル２０は、太陽電池ウェハ１０と配線基板１８とから形成される。
まず、太陽電池セル２０の好ましい一形態について、図８Ａおよび図８Ｂに基づいて説明する。
配線基板１８は、絶縁性基板１６の受光面側の表面にｐ配線１４およびｎ配線１５を配置したものである。ｐ配線１４とｎ配線１５とは、互いに電気的に絶縁されて形成されている。図８Ｂに示すとおり、ｐ配線１４およびｎ配線１５は、絶縁性基板１６のスルーホールを通過して、絶縁性基板１６の裏面側に形成されることが好ましい。裏面側に形成されたｐ配線１４およびｎ配線１５は、出力取出し用の端子としての機能を果たす。このｐ配線１４およびｎ配線１５を裏面側に形成することで、絶縁性基板１６の裏面側における電気的接続を簡易なものとすることができる。また、裏面に配線基板１８と太陽電池ウェハ１０とは、ｐ配線１４とｐ電極１１とがはんだ１９を介して接続され、ｎ配線１５とｎ電極１２とがはんだ１９を介して接続されることによって、電気的に接続されている。そして、ｐ配線１４の形成のパターンとｐ電極１１の形成のパターンとが実質的に重なり、ｎ配線１５の形成のパターンとｎ電極１２の形成のパターンとが実質的に重なることが好ましい。ここで以下、本発明において、実質的に重なるとは、少なくともｐ電極およびｎ電極の形成パターンは、それぞれｐ配線およびｎ配線の形成パターンと重なり、ｐ配線およびｎ配線においては、それぞれｐ電極およびｎ電極と重ならない部分があり得ることを言うものとする。したがって、例えばｐ電極およびｎ電極は、ドット状に形成されたものでもよい。
図９は、本発明の配線基板の別の一形態の断面図である。図８Ｂにおける配線基板１８は、ｐ配線１４およびｎ配線１５が、絶縁性基板１６のスルーホールを通過して、絶縁性基板１６の裏面側に形成されているのに対して、図９における配線基板２８は、ｐ配線２４およびｎ配線２５が、絶縁性基板２６の端部から折り返すようにして絶縁性基板２６の裏面側に形成されている。本形態の配線基板２８によると、スルーホールを形成する必要がなく、配線基板２８の加工がより簡単に行なうことができる。
また、図７に示すように、太陽電池ウェハ１０の裏面には、ｐ電極１１とｎ電極１２とがそれぞれ、１辺の直線状電極と該電極に垂直に交わる複数の櫛歯状電極とからなる櫛型状に形成されていることが好ましい。ｐ電極１１およびｎ電極１２は、互いにそれぞれの櫛歯状電極を向き合わせて形成され、ｐ電極１１の櫛歯状電極とｎ電極１２の櫛歯状電極とが太陽電池ウェハ１０の裏面の一面に沿って交互に形成されている。また、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０との接続のずれを防止するためのアライメントマーク１３が、配線基板１８および太陽電池ウェハ１０の双方に形成されている。
ｐ電極とｐ配線とが、およびｎ電極とｎ配線とが、実質的に重なるパターンとしては、例えばｐ電極とｎ電極とが櫛型状に形成されている場合には、少なくとも該櫛型状のうち櫛歯状電極の形成パターンとｐ配線とｎ配線の形成パターンとが一致することが好ましい。
ここで、本実施の形態の説明においては、ｐ配線１４とｐ電極１１との接続、およびｎ配線１５とｎ電極１２との接続は、はんだ１９を介してなされているが、はんだ１９の代わりに導電性接着剤を用いることも可能である。導電性接着剤とは、例えば１５０℃程度で溶融するＳｎ−Ｂｉ系はんだを利用したものや、同じく１５０℃程度で硬化する低温硬化型の銀ペーストを挙げることができる。
絶縁性基板１６として、例えばガラス基板、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルムなどを用いることができる。絶縁性基板１６として０．５〜２ｍｍ程度のガラス基板もしくはガラスエポキシ基板を用いることが、薄く脆い太陽電池ウェハ１０を補強するという見地からより好ましい。また、ｐ配線１４およびｎ配線１５は、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されることが好ましい。例えば、絶縁性基板１６に銅箔、アルミニウム箔、銀箔、もしくは熱膨張率を調整するためこれらの箔とインバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）を積層した金属箔、もしくは、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む導電性ペーストなどを所望のパターンに印刷するなどして形成することができる。
太陽電池ウェハ１０は、シリコン基板などからなる半導体基板１を材料とし、半導体基板１に後述するようなさまざまな処理を施すことで形成される。太陽電池ウェハ１０の裏面には、ｐ＋層５とｎ＋層６とが交互に間隔をあけてそれぞれ複数形成されている。ｐ＋層５およびｎ＋層６上には、それぞれ上述したような櫛型状のｐ電極１１およびｎ電極１２が形成されている。ｐ電極１１およびｎ電極は、金属材料で形成されることが好ましく、特に銀で形成されていることが好ましい。また、ｐ電極１１およびｎ電極１２が形成された箇所以外の太陽電池ウェハ１０の裏面には、パッシベーション膜３で被覆されている。また、太陽電池ウェハ１０の受光面は、テクスチャ構造４が形成されており、反射防止膜２で覆われている。
図１０Ａは、本発明の太陽電池ウェハの好ましい一形態を示した裏面側からの平面図である。図１０Ｂは、配線基板の好ましい一形態を示した受光面側からの平面図である。図１０Ａのｐ電極１１およびｎ電極１２の形成のパターンは、上述したとおり櫛型状であって、図１０Ｂのｐ配線１４およびｎ配線１５の形成のパターンと鏡面構造であることが好ましい。つまり、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０とを接続した際にそれぞれｐ配線１４およびｐ電極１１の形成のパターン、ならびにｎ配線１５およびｎ電極１２の形成のパターンが一致することが好ましい。そして、配線基板１８と太陽電池ウェハ１０との接続のずれを防止するためのアライメントマーク１３が、配線基板１８および太陽電池ウェハ１０に形成されていることが好ましい。
ここで、従来の裏面接合型太陽電池ウェハは、本実施の形態の太陽電池セル２０と同様に、ｐ＋層上にｐ電極を形成し、ｎ＋層上にｎ電極を形成されている。従来の裏面接合型太陽電池ウェハにおいて、ｐ電極およびｎ電極は直列抵抗成分を抑える役目を有するため、ｐ電極およびｎ電極の形成される線幅は、ｐ電極とｎ電極とが接触しない限界の幅まで広げる必要があった。しかし、本実施の形態の太陽電池セル２０においては、ｐ電極１１およびｎ電極１２の形成のパターンはそれぞれ、ｐ配線１４およびｎ配線１５の形成のパターンと一致するため、直列抵抗成分を抑える役目は、ｐ配線１４およびｎ配線１５が担うことになる。したがって、ｐ電極１１およびｎ電極１２は、それぞれｐ配線１４およびｎ配線１５と電気的に接続されるためだけに作製すればよいため、ｐ電極１１およびｎ電極１１の仕上がり厚さは数μｍ程度で十分であり、ｐ電極１１およびｎ電極１２の形成される線幅は、従来よりも細くすることが可能である。その結果、ｐ電極１１およびｎ電極１２の作製に用いられる金属材料の使用量は、従来とくらべ１０分の１程度に抑えられ、安価に太陽電池セル２０を作製することが可能となる。特にｐ電極１１およびｎ電極の金属材料として高額な銀材料を用い、ｐ配線１４およびｎ配線１５の材料に例えば銅を選択し、はんだを介した接続をした場合には、大きなコストダウンを図ることができ、銀材料の資源の有効利用にもつながる。
また、上述のとおり、従来の裏面接合型太陽電池ウェハは、ｐ電極およびｎ電極を太陽電池ウェハの裏面のほぼ全面に可能な限り厚く形成されていた。これにより、太陽電池ウェハに電極による応力がかかり、半導体基板が２００μｍ以下であった場合には太陽電池ウェハの反りが大きくなり、太陽電池セルの作製が困難となっていた。しかし、上述したとおり本実施の形態の太陽電池セル２０は、ｐ電極１１およびｎ電極１２の作製に用いられる金属材料が従来の１／１０程度であることからも示されるとおり、ｐ電極１１およびｎ電極１２は、従来よりも薄く形成される。したがって、太陽電池ウェハ１０の反りが抑えられ半導体基板１の厚さを２００μｍ以下に設定することができ、１００μｍにまで薄型化することができる。半導体基板１を薄型化することで、高価なシリコン材料の使用量を削減することができる。また、本発明の太陽電池セル２０は、ｐ配線およびｎ配線の厚さを調整することにより、太陽電池セルの配線抵抗を十分に下げることができるため、使用する電極の金属材料の量が少なくても、高いＦ．Ｆ値を有する。
なお、本実施の形態において、裏面接合型の太陽電池ウェハ１０を例に説明をしたが、本発明は、これに限定されず、太陽電池ウェハの裏面にｐ電極とｎ電極とを有する裏面電極型であればよい。
〔太陽電池ウェハの製造方法〕
図１１は、本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態を示した工程図である。図１２は、本発明の太陽電池ウェハの製造方法の一実施形態における各工程の断面図である。図１１に示したＳ１（ステップ１）〜Ｓ１０（ステップ１０）は、それぞれ図１２に示した（ａ）〜（ｊ）に対応する。なお、図１２においては説明の便宜のためシリコン基板の裏面にｎ＋層とｐ＋層を１つずつしか形成していないが、実際には複数形成できる。以下、図１１に示した工程ごとに図１２に基づいて太陽電池ウェハ１０の製造方法について説明する。
〈Ｓ１：ｎ型の半導体基板〉
図１２（ａ）に示すｎ型のシリコン基板などからなる半導体基板１を用意する。半導体基板１は、スライス時に生じたスライスダメージを除去したものなどが用いられる。ここで、半導体基板１のスライスダメージの除去は、半導体基板１の表面をフッ化水素水溶液と硝酸の混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングを行なうことにより実施される。半導体基板１の大きさおよび形状は特に限定されないが、例えば厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下、１辺１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下の四角形状とすることができる。
〈Ｓ２：受光面のテクスチャ構造の形成〉
図１２（ｂ）に示すように、半導体基板１の裏面に酸化シリコン膜からなるテクスチャマスク７を常圧ＣＶＤ法により形成したのちに半導体基板１の受光面にテクスチャ構造４を形成する。受光面のテクスチャ構造４は、テクスチャマスク７を形成した半導体基板１をエッチング液でエッチングすることにより形成することができる。該エッチング液としては、例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液を例えば７０℃以上８０℃以下に加熱したものなどを用いることができる。テクスチャ構造４を形成したのちに、半導体基板１の裏面のテクスチャマスク７は、フッ化水素水溶液などを用いて除去される。
〈Ｓ３：拡散マスクの開口部形成〉
図１２（ｃ）に示すように、半導体基板１の受光面および裏面に拡散マスク８を形成し、裏面の拡散マスク８に開口部を形成する。まず、半導体基板１の受光面および裏面のそれぞれに酸化シリコン膜からなる拡散マスク８を常圧ＣＶＤ法により形成する。そして、半導体基板１の裏面の拡散マスク８に開口部を形成したいところに、拡散マスク８の上から、エッチングペーストを塗布する。そして、半導体基板１を加熱処理し、続けて洗浄してエッチングペーストの残渣を除去することにより、拡散マスク８に開口部を設けることができる。このとき該開口部は、後述するｐ＋層５の箇所に相当する部分に形成される。また、該エッチングペーストとは、拡散マスク８をエッチングするためのエッチング成分を含有するものである。
〈Ｓ４：ｐ型不純物拡散後ＨＦクリーニング〉
図１２（ｄ）に示すように、ｐ型不純物を拡散した後、Ｓ３で形成した拡散マスク８をフッ化水素（ＨＦ）水溶液などでクリーニングすることで、導電型不純物拡散層としてのｐ＋層５を形成する。まず、例えばＢＢｒ3を用いた気相拡散によって半導体基板１の露出した裏面に導電型不純物としてのｐ型不純物を拡散させる。該拡散後、半導体基板１の受光面および裏面の上述した拡散マスク８、ならびにボロンが拡散して形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液などを用いてすべて除去する。
〈Ｓ５：拡散マスクの開口部形成〉
図１２（ｅ）に示すように、半導体基板１の受光面および裏面に拡散マスク８を形成し、裏面の拡散マスク８に開口部を形成する。操作はＳ３と同様であるが、Ｓ５においては、拡散マスク８の開口部は、後述するｎ＋層６の箇所に相当する部分に形成される。
〈Ｓ６：ｎ型不純物拡散後ＨＦクリーニング〉
図１２（ｆ）に示すように、ｎ型不純物を拡散した後、Ｓ５で形成した拡散マスク８をフッ化水素水溶液などでクリーニングすることで、導電型不純物拡散層としてのｎ＋層６を形成する。まず、例えばＰＯＣｌ3を用いた気相拡散によって半導体基板１の露出した裏面に導電型不純物としてのｎ型不純物を拡散させる。該拡散後、半導体基板１の受光面および裏面の上述した拡散マスク８、ならびにリンが拡散して形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液などを用いてすべて除去する。
〈Ｓ７：窒化シリコン膜の形成〉
図１２（ｇ）に示すように、半導体基板１の受光面に窒化シリコン膜からなる反射防止膜２、裏面に窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜３を形成する。まず、半導体基板１の裏面に例えば屈折率が２．６〜３．６の窒化シリコン膜からなるパッシベーション膜３を形成する。次いで半導体基板１の受光面に例えば屈折率が１．９〜２．１の窒化シリコン膜からなる反射防止膜２を形成する。窒化シリコン膜は、例えばプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
〈Ｓ８：コンタクトホールの形成〉
図１２（ｈ）に示すように、ｐ＋層５およびｎ＋層６の一部を露出させるために半導体基板１の裏面のパッシベーション膜３を一部除去して、コンタクトホールを作製する。該コンタクトホールは、例えば、上述したエッチングペーストを用いて作製することができる。
〈Ｓ９：電極の形成〉
図１２（ｉ）に示すように、ｐ＋層５の露出面およびｎ＋層６の露出面のそれぞれに接触するｐ電極１１およびｎ電極１２を形成する。形成方法は、例えば、銀ペーストを上述したコンタクトホール面に沿ってスクリーン印刷またはインクジェット方式の印刷をした後、焼成することが挙げられる。該焼成によって、半導体基板１とコンタクトをとれた銀からなるｐ電極１１およびｎ電極１２が形成される。
〈Ｓ１０：はんだコーティング〉
図１２（ｊ）に示すように、ｐ電極１１およびｎ電極１２をはんだ浴に浸漬させて、ｐ電極１１およびｎ電極１２の表面にはんだ１９のコーティングを施す。なお、はんだ１９の代わりに導電性接着剤でコーティングしてもよい。
ここで、ｐ＋層５およびｎ＋層６は、１辺の直線と該直線に垂直に交わる複数の直線からなる櫛歯部分とからなる櫛型状に形成され、ｐ＋層５の櫛歯部分に対して、ｎ＋層６の櫛歯部分が向き合わせて形成され、ｐ＋層５の櫛歯部分とｎ＋層６との櫛歯部分とが一面に沿って交互に形成されていることが好ましい。
また、本実施の形態において、半導体基板１はｎ型のものを利用して説明したが、半導体基板１は、ｐ型であってもよい。そして、半導体基板１がｎ型である場合には半導体基板１の裏面のｐ＋層５と半導体基板１とによって該裏面にｐｎ接合が形成される。半導体基板１がｐ型である場合には半導体基板１の裏面のｎ＋層６とｐ型の半導体基板１とによって該裏面にｐｎ接合が形成される。また、半導体基板１にシリコン基板を用いる場合には、例えば多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどを用いることができる。また、上述したとおり、本発明の太陽電池ウェハに形成するｐ電極１１およびｎ電極１２の厚さは、数μｍ程度でよいため、インクジェット方式の印刷を利用することができる。インクジェット方式の印刷は、スクリーン印刷よりも半導体基板１に対する負荷が小さいため、更に太陽電池ウェハ１０の割れが抑えられる。以上より、太陽電池ウェハ１０が完成する。
なお、本実施の形態において、裏面接合型の太陽電池ウェハ１０を例に製造方法を説明をしたが、本発明の太陽電池ウェハの製造方法は、これに限定されず、太陽電池ウェハの裏面にｐ電極とｎ電極とを有する裏面電極型であればよい。
〔太陽電池セルの製造方法〕
続いて、図１０Ａおよび図１０Ｂに基づいて、太陽電池ウェハ１０と配線基板１８とからなる太陽電池セルの製造方法について説明する。まず、絶縁性基板１６の受光面上にｐ配線１４とｎ配線１５とが形成されている配線基板１８が用意される。ｐ配線１４およびｎ配線１５は、少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成されていることが好ましい。ｐ配線１４およびｎ配線１５は、例えば絶縁性基板１６の上に１０μｍ以上の厚さの銅箔、アルミニウム箔または銀箔のいずれかを設置し、それをエッチングして形成することができる。少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む導電性ペーストなどを所望のパターンに印刷するなどして形成してもよい。ここで配線基板１８は太陽電池ウェハ１０のｐ電極１１とｎ電極１２と同様に、ｐ配線１４とｎ配線１５とがそれぞれ櫛型状に形成され、ｐ配線１４とｎ配線１５とが互いにそれぞれの櫛歯を向き合わせて設置されていることが好ましい。
形成されたｐ配線１４およびｎ配線１５の表面にははんだコーティングをしてもよい。該はんだコーティングは、太陽電池ウェハ１０の製造方法と同様に配線基板１８をはんだ浴に浸漬させて形成してもよいし、クリームはんだの印刷によって形成してもよい。
そして、この配線基板１８が太陽電池ウェハ１０の裏面上に設置され、図８Ａ、図８Ｂに示すようにｐ電極１１上およびｎ電極１２上にそれぞれｐ配線１４およびｎ配線１５が設置される。そして、例えばリフロー炉によるはんだ、もしくは導電性接着剤接続により、太陽電池ウェハ１０と配線基板１８とを電気的に接続することにより、太陽電池セル２０が完成する。ここで十分な強度を有する配線基板１８に太陽電池ウェハ１０を接続することによって、太陽電池セル２０の補強効果を得ることもでき、薄いシリコン基板などからなる半導体基板１を用いたときのセル割れ抑制効果も期待できる。
ここでリフロー炉による該はんだ接続の際には、はんだ溶融時におけるはんだの表面張力によって接続されるべき正確な位置に移動する効果（セルフアライメント効果）が期待される。しかし、従来の太陽電池ウェハは、ドット状のｐ電極およびｎ電極を形成していたため、リフロー炉投入時の搬送での振動などにより配線基板に対してθズレやｘ軸方向、ｙ軸方向へのズレが起こることがあった。ここで、ｘ軸とｙ軸とは互いに垂直に交わるものとする。そして、ｐ電極およびｎ電極は狭い間隔で交互に存在するため、太陽電池ウェハと配線基板との若干のズレが生じた場合にも、例えばｐ電極とｎ配線とが接触するなどして、太陽電池セルの特性を大きく低下させることがあった。本発明においては、太陽電池ウェハ２０のｐ電極１１およびｎ電極１２を櫛型状とし、ｐ電極１１およびｎ電極１２とｐ配線１４およびｎ配線１５とを同一形状とすることではんだ接合の際の太陽電池ウェハと配線基板とのズレを防止することができる。
なお、ｐ配線１４とｐ電極１１との接続、およびｎ配線１５とｎ電極１２との接続は、はんだを用いる代わりに導電性接着剤を用いて行なってもよい。
〔太陽電池モジュール〕
図１３は、本発明の太陽電池モジュールの好ましい形態の断面図である。図１３に示すように、太陽電池モジュール８０は、例えば、図４に示したような第２太陽電池アレイを樹脂８３で挟んだ後に、受光面側の保護基材としてガラス基板８１、裏面側の保護基材として耐候性フィルム８２で封止されて形成されるものである。樹脂８３は、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂などの透明の熱可塑性であることが好ましい。太陽電池モジュール８０は、耐久性が高い。なお、図１３において、太陽電池アレイとして図４に示したものと同様のものを用いて説明したが、これに限定されるものではない。つまり、本発明の太陽電池モジュールは、本発明の太陽電池セル、第１太陽電池アレイ、第２太陽電池アレイ、または第３太陽電池アレイのいずれかを上述するような方法で封止されることで形成される。
本発明で作製された太陽電池モジュールは、第１〜３太陽電池アレイがストリング間を接続するインターコネクタを配線基板の裏面側で接続しているため、ストリング接続用のインターコネクタのスペースが必要なくなる。したがって、太陽電池モジュール中の太陽電池ウェハの充填率が高くなり、結果として高いモジュール変換効率が得られる。そして、ストリング接続用インターコネクタを配線基板の裏側に配置することにより、インターコネクタの設計自由度が高くなり、十分な幅を有するインターコネクタを使用することにより、太陽電池モジュール作製時のＦ．Ｆの低下を防ぎ、高い変換効率のモジュールを作製することが可能となる。
＜実施例＞
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜実施例１＞
まず、太陽電池ウェハを作製した。作製の手順を図１１に示した工程に準じて、以下に示す。
〈Ｓ１〉
１辺１００ｍｍ、厚さ２００μｍのｎ型のシリコン基板を用意した。該シリコン基板は、スライス時に生じたスライスダメージをアルカリ溶液を用いて除去したものであった。
〈Ｓ２〉
次に、水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを少量添加して８０℃に加熱したエッチング用アルカリ溶液を用いて、シリコン基板の受光面をエッチングすることによって、テクスチャ構造を形成した。なお、該エッチング前にシリコン基板の裏面は、常圧ＣＶＤによりテクスチャマスクとして酸化シリコン膜を成膜することで該エッチングから保護した。そして、後の工程で使用するアライメントマークをレーザマーカにてシリコン基板の裏面に形成して、フッ化水素水溶液を用いて、シリコン基板の裏面に形成した酸化シリコン膜を一旦除去した。
〈Ｓ３〉
次に、シリコン基板の受光面側、裏面側ともに拡散マスクとして、２５０ｎｍの酸化シリコン膜を常圧ＣＶＤにて成膜した。上述したアライメントマークを考慮して、シリコン基板の裏面側の酸化シリコン膜の上から所望のｐ＋層の形成のパターンに合わせてリン酸を主成分とするエッチングペーストを印刷した。その後、シリコン基板を３２０℃に加熱し、水洗することにより該酸化シリコン膜にｐ＋拡散を行なうための窓を形成した。
〈Ｓ４〉
次に、１０００℃の雰囲気下でＢＢｒ3を用いた気相拡散を６０分間行なうことによって、シリコン基板の裏面の該窓に導電型不純物拡散層であるｐ＋層を形成した。その後、シリコン基板の受光面および裏面の酸化シリコン膜ならびにボロンが拡散して形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液を用いてすべて除去した。
〈Ｓ５〉
次に、常圧ＣＶＤによりシリコン基板の両面に２５０ｎｍの拡散マスクとしての酸化シリコン膜を再び成膜した。そして、上述したアライメントマークを考慮して、シリコン基板の裏面側の酸化シリコン膜の上から所望のｎ＋層の形成のパターンに合わせてリン酸を主成分とするエッチングペーストを印刷した。その後、シリコン基板を３２０℃に加熱し、水洗することにより、該酸化シリコン膜にｎ＋拡散を行なうための窓を形成した。
〈Ｓ６〉
次に、９００℃の雰囲気下でＰＯＣｌ3を用いた気相拡散を３０分間行なうことによって、シリコン基板の裏面の該窓に導電型不純物拡散層であるｎ＋層を形成した。その後、シリコン基板の受光面および裏面の酸化シリコン膜ならびにリンが拡散して形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）をフッ化水素水溶液を用いてすべて除去した。
〈Ｓ７〉
次に、プラズマＣＶＤ法により、シリコン基板の裏面にパッシベーション膜として屈折率３の窒化シリコン膜を形成した。そして、シリコン基板の受光面には、反射防止膜として屈折率２で厚さ７０ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。
〈Ｓ８〉
次に、ｎ＋層およびｐ＋層の上に、リン酸を主成分とするエッチングペーストを所望のパターンで印刷した。そして、該シリコン基板を２５０℃で加熱し、水洗することにより、パッシベーション膜にコンタクトホールを形成した。
〈Ｓ９〉
次に、該コンタクトホールの形成のパターンに応じたかたちで銀ペーストを印刷し、焼成することでｐ電極およびｎ電極を形成した。
〈Ｓ１０〉
そして、ｐ電極およびｎ電極をはんだ浴に浸漬させることでｐ電極、ｎ電極の上にはんだコーティングした。
ここでｐ電極およびｎ電極は互いに櫛型状に形成されており、ｐ電極の櫛歯状電極とｎ電極の櫛歯状電極とが向き合い、かつ双方の櫛歯状電極が交互に配列されるように形成された。また、ｐ電極とｎ電極はともに高さが約４μｍ、幅が全て約２００μｍであった。
以上の操作で太陽電池ウェハを形成した。次に配線基板の作製をした。
まず、一辺１００．５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの正方形のガラスエポキシ基板からなる絶縁性基板を準備した。そして、絶縁性基板の一面に、厚さ３５μｍの銅からなるｐ配線とｎ配線とを形成することで配線基板を作製した。ｐ配線およびｎ配線は、ｐ電極およびｎ電極の形成のパターンに一致して重なるように形成した。また、ｐ配線およびｎ配線に干渉せず、かつ、後の工程で太陽電池ウェハとの接続のずれを回避するためのアライメントマークを形成した。また、ｐ配線およびｎ配線は、スルーホールを通過させることで電気取り出し用として絶縁性基板の裏面にも配置した。その後、該ｐ配線および該ｎ配線の上には、はんだ浴に浸漬させることで、はんだコーティングをした。以上の操作で配線基板を形成した。
そして太陽電池ウェハおよび配線基板上のアライメントマークを利用して、ｐ電極、ｎ電極がｐ配線、ｎ配線上にくるように位置合せをして、配線基板上に太陽電池ウェハを重ね合わせ、リフロー炉に投入した。１００℃の予備加熱の後、２００℃の本加熱を経て太陽電池ウェハと配線基板とが電気的に接続され太陽電池セルを完成した。
この太陽電池セルの短絡電流密度Ｊｓｃ（ｍＡ／ｃｍ2）、開放電圧Ｖｏｃ（Ｖ）、Ｆ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）値を表１に示す。
＜比較例１＞
図１５は、従来技術である比較例１における太陽電池ウェハの裏面側からの平面図である。太陽電池ウェハ９０については、形成されたｐ電極７１およびｎ電極７２の高さが約２０μｍ、櫛歯状電極の幅が約４００μｍ、バスバ電極の幅が１ｍｍであること以外は、実施例１と同様に作製した。なお、該高さおよび該幅の値が、実施例１のものよりも大きい理由は、従来は電極にかかる直列抵抗成分を低減するため可能な限り、幅と高さを取っているからである。
図１５に示すように、太陽電池ウェハ９０を配線基板を用いずバスバ電極にインターコネクタ７７を接続し、実施例１と同様にＪｓｃ、Ｖｏｃ、Ｆ．Ｆを測定したところ表１に示す値となった。
表１のとおり、本発明による実施例１と比較例１とは、Ｆ．Ｆの値に大きな差がみられた。これにより、ｐ電極７１およびｎ電極７２のみでは十分に直列抵抗成分を抑えることができていないことが分かった。また、比較例１において、これ以上ｐ電極７１およびｎ電極７２を厚く形成することは、太陽電池ウェハの反りが大きくなることから不可能であった。本発明の太陽電池セルは、ｐ電極およびｎ電極の材料である銀の使用量が比較例１より少量であるにもかかわらず、比較例１より大幅に太陽電池ウェハ特性が大幅に改善したことがわかった。
Figure 2008090718
＜実施例２＞
まず、一辺１００．５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの正方形のガラスエポキシ基板からなる絶縁性基板を準備した。そして、絶縁性基板の一面に、厚さ３５μｍの銅からなるｐ配線とｎ配線とを形成することで配線基板を作製した。また、ｐ配線およびｎ配線に干渉せず、かつ、後の工程で太陽電池ウェハとの接続のずれを回避するためのアライメントマークを形成した。また、ｐ配線およびｎ配線は、スルーホールを通過させることで電気取り出し用として配線基板の裏面にも配置した。その後、該ｐ配線および該ｎ配線の上には、はんだ浴に浸漬させることで、はんだコーティングをした。
ｐ配線およびｎ配線の形成のパターンに一致して重なるように形成したｐ電極およびｎ電極を有する一辺１００ｍｍ、厚さ２００μｍの正方形の太陽電池ウェハを、実施例１に記載の方法と同様にして用意した。そして、アライメントマークを用いてｐ電極、ｎ電極がそれぞれｐ配線、ｎ配線上にくるように位置合せをして、配線基板上に太陽電池ウェハを重ね合わせ、リフロー炉に投入した。１００℃の予備加熱の後、２００℃の本加熱を経て太陽電池ウェハと配線基板が電気的に接続された太陽電池セルを完成した。なお、ｐ電極、ｎ電極、ｐ配線およびｎ配線の線幅は全て２００μｍであった。
このようにして完成した一の太陽電池セルの絶縁性基板裏面のｐ配線を他の一の太陽電池セルの絶縁性基板裏面のｎ配線とインターコネクタにより直列に４つの太陽電池セルを接続した。このようにして４枚の太陽電池セルからなるストリング状の第２太陽電池アレイを形成した。そして、同様のストリング状の第２太陽電池アレイを４つ準備した。このストリング状の第２太陽電池アレイの絶縁性基板裏面のｐ配線を、他の一のストリング状の第２太陽電池アレイの絶縁性基板裏面のｎ配線をインターコネクタにより接続するというようにして、結果として、１６枚の太陽電池セルを直列に接続したこととなった。そして、この後ＥＶＡ樹脂とガラス、耐候性フィルムで該第２太陽電池アレイを封止して、太陽電池モジュールを作製した。この太陽電池モジュールの面積は４２０ｍｍ×４２０ｍｍであった。
このとき、太陽電池セル間の接続には厚さ２０μｍ、面積９０ｍｍ×５ｍｍのはんだコートを施した銅箔のインターコネクタを使用し、ストリング状の第２太陽電池アレイ間の接続には厚さ２０μｍ、面積３０ｍｍ×１９０ｍｍのはんだコートを施した銅箔のインターコネクタを使用した。この太陽電池モジュールの短絡電流Ｉｓｃ（Ａ）、開放電圧Ｖｏｃ（Ｖ）、Ｆ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）値を表２に示す。表２に示すように、特にＦ．Ｆにおいて、１６枚の太陽電池セルを接続しているにも関わらず、太陽電池セル１枚の値と遜色のない値が得られた。
＜比較例２＞
図１６は、従来技術である比較例２における太陽電池アレイの裏面側からの平面図である。図１６のように比較例１の太陽電池ウェハ９０を用いて、配線基板を用いずにインターコネクタ７７のみで、４枚の太陽電池ウェハ９０が４つ直列に接続されてなるストリング状の形態のものを４つ準備し、これをさらに直列に接続した従来の太陽電池アレイを作製した。そして、この太陽電池アレイをＥＶＡ樹脂とガラス、耐候性フィルムで封止することで従来の太陽電池モジュールを作製した。該太陽電池モジュールの面積は４２０ｍｍ×４２０ｍｍであった。ストリング状の形態のものを製造するための太陽電池ウェハ９０間の接続に使用したインターコネクタ７７は、該太陽電池モジュール面積の関係上、厚さ２０μｍで面積９０ｍｍ×５ｍｍの実施例２と同じものを使用した。また、上述したストリング状の形態のもの間の接続に使用したインターコネクタ７７は、該太陽電池モジュール面積の関係上、厚さ２０μｍで面積５ｍｍ×１９０ｍｍのものを使用した。該太陽電池モジュールは、実施例２と同等の方法で短絡電流Ｉｓｃ（Ａ）、開放電圧Ｖｏｃ（Ｖ）、Ｆ．Ｆ（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）値を測定した。結果を表２に示す。なお、「変換効率」とは「モジュール効率」をさすものとする。
比較例２のＦ．Ｆは、比較例１のＦ．Ｆよりも更に低下した値であった。これは、上述したストリング状の形態のもの間の接続に使用したインターコネクタ７７は、実施例２におけるストリング状の第２太陽電池アレイ間の接続に使用したインターコネクタの面積より小さくなったことに起因すると考えた。比較例２においても実施例２と同様形態のインターコネクタを使用したならばＦ．Ｆは改善すると考えられたが、該太陽電池モジュールの面積が大きくなってしまい、結果として比較例２の太陽電池モジュールの変換効率が低下してしまうことが予想された。以上より、本発明の太陽電池モジュールは、ストリング間接続用のインターコネクタを幅の広い（断面積の大きい）ものを使用しても太陽電池モジュールに対する太陽電池セルの充填率を高くできることから、従来よりも高いＦ．Ｆが得られ、結果として高いモジュール効率が得られることが示された。
Figure 2008090718
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Claims (25)

  1. 半導体基板（１）の表面にｐ電極（１１）とｎ電極（１２）とが形成された太陽電池ウェハ（１０）と、
    絶縁性基板（３６）の受光面にｐ配線（３４）とｎ配線（３５）とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板（３８）とを含み、
    前記配線基板（３８）には複数の前記太陽電池ウェハ（１０）が隣接して配置され、
    配置される前記太陽電池ウェハ（１０）の数に対応した前記ｐ配線（３４）と前記ｎ配線（３５）とが前記絶縁性基板（３６）の表面に形成され、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｐ配線（３４）とが電気的に接続され、前記ｎ電極（１２）と前記ｎ配線（３５）とが電気的に接続され、
    前記太陽電池ウェハ（１０）のうち一の太陽電池ウェハ（１０）に電気的に接続された前記ｐ配線（３４）と、
    前記一の太陽電池ウェハ（１０）に隣接して配置された前記太陽電池ウェハ（１０）に電気的に接続された前記ｎ配線（３５）と、が電気的に接続されてなる配線（３２）を備え、
    前記絶縁性基板（３６）の受光面側の反対側の面においても、前記ｐ配線（３４）および前記ｎ配線（３５）が形成され、
    前記反対側の面で、前記ｐ配線（３４）と前記ｎ配線（３５）とが電気的に接続されてなる配線を含む第１太陽電池アレイ（３０）。
  2. 前記ｐ配線（３４）および前記ｎ配線（３５）の少なくとも一部が前記絶縁性基板（３６）のスルーホールを通過し、前記絶縁性基板（３６）の受光面側の反対側の面において、前記ｐ配線（３４）および前記ｎ配線（３５）が形成され、
    前記反対側の面で、前記ｐ配線（３４）と前記ｎ配線（３５）とが電気的に接続されてなる配線を含む請求の範囲１に記載の第１太陽電池アレイ（３０）。
  3. 前記ｐ配線（３４）および前記ｎ配線（３５）は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｐ配線（３４）との接続および前記ｎ電極（１２）と前記ｎ配線（３５）との接続は、はんだ（３９）もしくは導電性接着剤を介してなる請求の範囲１に記載の第１太陽電池アレイ（３０）。
  4. 前記ｐ電極（１１）の形成のパターンと前記ｐ配線（３４）の形成のパターンとが電気的に接続された際に、前記ｐ電極（１１）の形成のパターンは前記ｐ配線（３４）の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、
    前記ｎ電極（１２）の形成のパターンと前記ｎ配線（３５）の形成のパターンとが電気的に接続された際に、前記ｎ電極（１２）の形成のパターンは前記ｎ配線（３５）の形成のパターンに実質的に重なるパターンである請求の範囲１に記載の第１太陽電池アレイ（３０）。
  5. 半導体基板（１）の表面にｐ電極（１１）とｎ電極（１２）とが形成された１枚の太陽電池ウェハ（１０）と、
    絶縁性基板（１６）の受光面にｐ配線（１４）とｎ配線（１５）とが互いに電気的に絶縁されて形成されている１枚の配線基板（１８）とからなり、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｐ配線（１４）とが電気的に接続され前記ｎ電極（１２）と前記ｎ配線（１５）とが電気的に接続された太陽電池セル（２０）、が複数隣接して配置されて、
    一の太陽電池セル（２０）のｐ配線（１４）と、
    前記一の太陽電池セル（２０）に隣接して配置された前記太陽電池セル（２０）のｎ配線（１５）と、が電気的に接続されてなる配線を備え、
    前記絶縁性基板（１６）の前記反対側の面で、前記ｐ配線（１４）と前記ｎ配線（１５）とが電気的に接続されてなる配線を含む第２太陽電池アレイ（４０）。
  6. 前記太陽電池セル（２０）の前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）が前記絶縁性基板（１６）のスルーホールを通過し、
    前記絶縁性基板（１６）の受光面側の反対側の面において、前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）が形成されてなる
    前記絶縁性基板（１６）の前記反対側の面で、前記ｐ配線（１４）と前記ｎ配線（１５）とが電気的に接続されてなる配線を含む請求の範囲５に記載の第２太陽電池アレイ（４０）。
  7. 前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｐ配線（１４）との接続および前記ｎ電極（１２）と前記ｎ配線（１５）との接続は、はんだ（１９）もしくは導電性接着剤を介してなる請求の範囲５に記載の第２太陽電池アレイ（４０）。
  8. 前記太陽電池セル（２０）が、前記ｐ電極（１１）の形成のパターンと前記ｐ配線（１４）の形成のパターンとが電気的に接続された際に、前記ｐ電極（１１）の形成のパターンはｐ配線（１４）の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、
    前記ｎ電極（１２）の形成のパターンと前記ｎ配線（１５）の形成のパターンとが電気的に接続された際に、前記ｎ電極（１２）の形成のパターンはｎ配線（１５）の形成のパターンに実質的に重なるパターンである請求の範囲５に記載の第２太陽電池アレイ（４０）。
  9. 請求の範囲１に記載の前記第１太陽電池アレイ（３０）を隣接して配置し、
    前記第１太陽電池アレイ（３０）のｐ配線（３４）と、
    前記一の第１太陽電池アレイ（３０）に隣接して配置された前記第１太陽電池アレイ（３０）のｎ配線（３５）と、が電気的に接続されてなる配線（３２）を含む、
    第３太陽電池アレイ（５０）。
  10. 請求の範囲２に記載の前記第１太陽電池アレイ（３０）を隣接して配置し、
    前記第１太陽電池アレイ（３０）のｐ配線（３４）と、
    前記一の第１太陽電池アレイ（３０）に隣接して配置された前記第１太陽電池アレイ（３０）のｎ配線（３５）と、が前記絶縁性基板（３６）の前記反対側の面において電気的に接続されてなる配線を含む、
    第３太陽電池アレイ（５０）。
  11. 半導体基板（１）の表面にｐ電極（１１）とｎ電極（１２）とが形成された太陽電池ウェハ（１０）と、
    絶縁性基板（１６）の受光面にｐ配線（１４）とｎ配線（１５）とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板（１８）とを含み、
    前記絶縁性基板（１６）の受光面側で前記ｐ電極（１１）と前記ｐ配線（１４）とが電気的に接続され、前記ｎ電極（１２）と前記ｎ配線（１５）とが電気的に接続され、
    前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）が、前記絶縁性基板（１６）の受光面側の反対側の面においても形成された太陽電池セル（２０）。
  12. 前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）が前記絶縁性基板（１６）のスルーホールを通過し、前記絶縁性基板（１６）の受光面側の反対側の面において、前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）が形成された請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）。
  13. 前記ｐ配線（１４）および前記ｎ配線（１５）は少なくとも銅、アルミニウムまたは銀のいずれか１つを含む材料によって形成され、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｐ配線（１４）との電気的な接続および前記ｎ電極（１２）と前記ｎ配線（１５）との電気的な接続は、はんだ（１９）もしくは導電性接着剤を介してなる請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）。
  14. 前記ｐ電極（１１）の形成のパターンと前記ｐ配線（１４）の形成のパターンとが電気的に接続された際に、前記ｐ電極（１１）の形成のパターンは前記ｐ配線（１４）の形成のパターンに実質的に重なるパターンであり、
    前記ｎ電極（１２）の形成のパターンと前記ｎ配線（１５）の形成のパターンとが電気的に接続された際に、前記ｎ電極（１２）の形成のパターンは前記ｎ配線（１５）の形成のパターンに実質的に重なるパターンである請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）。
  15. 前記ｐ電極（１１）の形成のパターンと前記絶縁体基板（１６）の受光面に形成された前記ｐ配線（１４）のパターンとは一致し、
    前記ｎ電極（１２）の形成のパターンと前記絶縁体基板（１６）の受光面に形成された前記ｎ配線（１５）のパターンとは一致する請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）。
  16. 前記ｐ電極（１１）および前記ｎ電極（１２）が太陽電池ウェハ（１０）の１表面に形成されている請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）。
  17. 前記ｐ電極（１１）と前記ｎ電極（１２）との形成のパターンは、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｎ電極（１２）とがそれぞれ、１辺の直線状電極と１辺の前記直線状電極に垂直に交わる複数の櫛歯状電極とからなる櫛型状に形成され、
    前記ｐ電極（１１）と前記ｎ電極（１２）とが互いにそれぞれの櫛歯状電極を向き合わせて形成され、
    前記ｐ電極（１１）の櫛歯状電極と前記ｎ電極（１２）の櫛歯状電極とが前記半導体基板（１）の一面に沿って交互に配列された請求の範囲１６に記載の太陽電池セル（２０）。
  18. 前記半導体基板（１）は、厚さ２００μｍ以下であるシリコン基板である請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）。
  19. 請求の範囲３に記載の第１太陽電池アレイ（３０）の製造方法であって、前記はんだもしく（３９）は導電性接着剤を介した接続は、リフロー炉を用いて行なう第１太陽電池アレイ（３０）の製造方法。
  20. 請求の範囲７に記載の第２太陽電池アレイ（４０）の製造方法であって、前記はんだ（１９）もしくは導電性接着剤を介した接続は、リフロー炉を用いて行なう第２太陽電池アレイ（４０）の製造方法。
  21. 請求の範囲１に記載の第１太陽電池アレイ（３０）を樹脂（８３）および保護基板で封止してなる太陽電池モジュール（８０）。
  22. 請求の範囲５に記載の第２太陽電池アレイ（４０）を樹脂（８３）および保護基板で封止してなる太陽電池モジュール（８０）。
  23. 請求の範囲９に記載の第３太陽電池アレイ（５０）を樹脂（８３）および保護基板で封止してなる太陽電池モジュール（８０）。
  24. 請求の範囲１０に記載の第３太陽電池アレイを樹脂（８３）および保護基板で封止してなる太陽電池モジュール（８０）。
  25. 請求の範囲１１に記載の太陽電池セル（２０）を樹脂（８３）および保護基板で封止してなる太陽電池モジュール（８０）。
JP2008554990A 2007-01-25 2007-12-27 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール Pending JPWO2008090718A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007015143 2007-01-25
JP2007015143 2007-01-25
PCT/JP2007/075126 WO2008090718A1 (ja) 2007-01-25 2007-12-27 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールならびに太陽電池アレイの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008090718A1 true JPWO2008090718A1 (ja) 2010-05-13

Family

ID=39644293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008554990A Pending JPWO2008090718A1 (ja) 2007-01-25 2007-12-27 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100018565A1 (ja)
EP (1) EP2109149A4 (ja)
JP (1) JPWO2008090718A1 (ja)
WO (1) WO2008090718A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10181543B2 (en) 2009-11-03 2019-01-15 Lg Electronics Inc. Solar cell module having a conductive pattern part

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101181820B1 (ko) * 2005-12-29 2012-09-11 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지의 제조 방법
JP5252472B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
CN101855730A (zh) * 2007-11-09 2010-10-06 夏普株式会社 太阳能电池模块以及太阳能电池模块的制造方法
JP2009176782A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
EP2320477A4 (en) * 2008-08-22 2012-08-08 Sanyo Electric Co SOLAR CELL MODULE, SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL MODULE
EP2329530A4 (en) * 2008-08-27 2013-03-20 Applied Materials Inc PHOTOPIL MODULES WITH REAR CONTACTS
US9379265B2 (en) 2008-09-29 2016-06-28 Sol Chip Ltd. Integrated circuit combination of a target integrated circuit, photovoltaic cells and light sensitive diodes connected to enable a self-sufficient light detector device
US8952473B2 (en) * 2008-09-29 2015-02-10 Sol Chip Ltd. Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of cells connected thereto using the top conductive layer
US8921967B2 (en) 2008-09-29 2014-12-30 Sol Chip Ltd. Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of photovoltaic cells connected thereto using the top conductive layer
JP2010092981A (ja) * 2008-10-06 2010-04-22 Sharp Corp 太陽電池、裏面電極型太陽電池、配線基板および太陽電池の製造方法
US8669461B2 (en) * 2008-10-17 2014-03-11 Massachusetts Institute Of Technology Ultra-high efficiency multi-junction solar cells using polychromatic diffractive concentrators
US9029687B2 (en) * 2008-10-23 2015-05-12 Alta Devices, Inc. Photovoltaic device with back side contacts
US9029680B2 (en) * 2008-10-23 2015-05-12 Alta Devices, Inc. Integration of a photovoltaic device
JP2010147170A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池セルの裏面パターン観察方法
JP5203176B2 (ja) * 2008-12-26 2013-06-05 シャープ株式会社 配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP5424235B2 (ja) * 2008-12-26 2014-02-26 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
CN102356472A (zh) * 2009-01-16 2012-02-15 夏普株式会社 太阳能电池模块及太阳能电池模块的制造方法
JP4958187B2 (ja) * 2009-02-05 2012-06-20 シャープ株式会社 太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
US8409911B2 (en) 2009-02-24 2013-04-02 Sunpower Corporation Methods for metallization of solar cells
JP2010199228A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用配線部品及びその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
WO2010110083A1 (ja) * 2009-03-25 2010-09-30 シャープ株式会社 裏面電極型太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法
JP2010258158A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Sharp Corp 配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
CN102405534A (zh) * 2009-04-23 2012-04-04 夏普株式会社 布线板、带布线板的太阳能电池单元以及太阳能电池模块
WO2010150749A1 (ja) * 2009-06-22 2010-12-29 シャープ株式会社 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2011002210A2 (ko) 2009-06-30 2011-01-06 엘지이노텍주식회사 태양광 발전장치
US20120097245A1 (en) * 2009-07-02 2012-04-26 Tomohiro Nishina Solar cell with interconnection sheet, solar cell module, and method for producing solar cell with internconnection sheet
JP2011054831A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Sharp Corp バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP5376590B2 (ja) * 2009-09-18 2013-12-25 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
KR101708243B1 (ko) * 2009-11-03 2017-02-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
WO2011072153A2 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Solexel, Inc. High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using three-dimensional semiconductor absorbers
JP5590047B2 (ja) * 2010-01-06 2014-09-17 大日本印刷株式会社 太陽電池用集電シート
JP2011155132A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Sharp Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
DE102010027747A1 (de) * 2010-04-14 2011-10-20 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikmoduls mit rückseitenkontaktierten Halbleiterzellen und Photovoltaikmodul
AT12058U1 (de) * 2010-04-27 2011-09-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum kontaktieren eines photovoltaischen moduls mit einem anschlussgehäuse sowie system bestehend aus einem photovoltaischen modul und einem anschlussgehäuse
JP5558940B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-23 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP6008475B2 (ja) * 2010-07-16 2016-10-19 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
KR100997111B1 (ko) * 2010-08-25 2010-11-30 엘지전자 주식회사 태양 전지
WO2012030758A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-08 First Solar, Inc. Photovoltaic module cover
KR101733055B1 (ko) * 2010-09-06 2017-05-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
JP2012069881A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
JP2012074426A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
JP5159860B2 (ja) * 2010-10-21 2013-03-13 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法
KR101847470B1 (ko) * 2010-12-06 2018-04-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 태양전지 및 태양전지 모듈
JP2012164772A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極作製用光硬化性導電ペースト、該ペーストを用いた太陽電池電極の作製方法及び該ペーストを用いて作製された太陽電池電極
DE102011001207A1 (de) * 2011-03-10 2012-09-13 Q-Mo Solar Ag Solarmodul für elektrische Kleingeräte
KR101254564B1 (ko) * 2011-05-18 2013-04-19 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
CN103597915B (zh) * 2011-06-06 2017-05-24 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 金属箔图案层叠体、金属箔层叠体、金属箔层叠基板、太阳能电池模块和金属箔图案层叠体的制造方法
EP2752889B1 (en) * 2011-08-31 2018-11-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for producing solar cell module
JP5881050B2 (ja) * 2011-09-14 2016-03-09 トヨタ自動車東日本株式会社 光電変換デバイス
US9490376B2 (en) 2011-09-29 2016-11-08 Lg Electronics Inc. Solar cell module
US8328077B1 (en) * 2011-11-01 2012-12-11 Flextronics Ap, Llc PV cell mass reflow
TWI497731B (zh) 2011-12-15 2015-08-21 Au Optronics Corp 太陽能電池及太陽能發電模組
WO2013121558A1 (ja) * 2012-02-16 2013-08-22 三洋電機株式会社 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
US9331631B2 (en) 2012-08-31 2016-05-03 First Solar, Inc. Direct connection of lead bar to conductive ribbon in a thin film photovoltaic device
CN102938432B (zh) * 2012-10-30 2016-01-20 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种mwt太阳电池组件的制备方法
CN103310093B (zh) * 2013-04-19 2016-03-02 中国航天标准化研究所 一种基于相关性回归分析的卫星太阳能电池阵故障数据提取方法
KR102087156B1 (ko) * 2013-07-09 2020-03-10 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
KR102319721B1 (ko) * 2013-10-29 2021-11-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102124520B1 (ko) * 2013-10-29 2020-06-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR102219793B1 (ko) * 2013-11-13 2021-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102132939B1 (ko) * 2013-11-29 2020-07-10 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR102132941B1 (ko) * 2014-02-05 2020-07-10 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102175893B1 (ko) * 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
KR20150100146A (ko) 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR102327041B1 (ko) * 2014-02-24 2021-11-16 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
US10790406B2 (en) 2014-04-07 2020-09-29 Solaero Technologies Corp. Parallel interconnection of neighboring space-qualified solar cells via a common back plane
US20150364631A1 (en) * 2014-04-07 2015-12-17 Solaero Technologies Corp. Solar cell module with interconnection of neighboring solar cells on a common back plane
US20180108794A1 (en) * 2014-04-07 2018-04-19 Solaero Technologies Corp. Space-qualified solar cell module with interconnection of neighboring solar cells on a common back plane
US10263131B2 (en) 2014-04-07 2019-04-16 Solaero Technologies Corp. Parallel interconnection of neighboring solar cells with dual common back planes
EP2958152B1 (en) * 2014-06-18 2021-04-21 LG Electronics Inc. Solar cell module
KR102244597B1 (ko) * 2014-06-18 2021-04-26 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
US10164136B1 (en) * 2014-07-18 2018-12-25 Solaero Technologies Corp. Flexible solar array and method for fabricating the same
KR102316782B1 (ko) * 2014-08-11 2021-10-25 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
CN105374897A (zh) * 2014-08-15 2016-03-02 英稳达科技股份有限公司 太阳能电池模组及其制造方法
US9559233B2 (en) * 2014-09-25 2017-01-31 Sunpower Corporation Solar cell interconnection
US20160126380A1 (en) * 2014-10-30 2016-05-05 Sung Un CHANG Flexible solar panel and method of fabricating the same
US20160284909A1 (en) * 2015-03-27 2016-09-29 Gabriel Harley Multi-diode solar cells
DE102015009004A1 (de) 2015-06-05 2016-12-08 Solaero Technologies Corp. Automatisierte Anordnung und Befestigung von Solarzellen auf Paneelen für Weltraumanwendungen
US9608156B2 (en) 2015-07-09 2017-03-28 SolAcro Technologies Corp. Assembly and mounting of solar cells on space panels
US20170054045A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Institute of Nuclear Energy Research, Atomic Energy Council, Executive Yuan, R.O.C. Method for packaging solar cell device and structure thereof
CN105720112B (zh) * 2016-02-23 2018-01-02 深圳市创益科技发展有限公司 一种背接触式太阳能电池的电极引出结构及制造方法
US11502213B2 (en) * 2016-12-30 2022-11-15 Sunpower Corporation Solar cell having a plurality of sub-cells coupled by cell level interconnection
EP3406961A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-28 OSRAM GmbH A light-emitting device and corresponding method
KR102397977B1 (ko) * 2017-05-25 2022-05-13 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
KR102183580B1 (ko) * 2017-08-09 2020-11-26 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
JP6927245B2 (ja) * 2019-03-26 2021-08-25 カシオ計算機株式会社 ソーラーパネル、表示装置及び時計
JP6891914B2 (ja) * 2019-03-26 2021-06-18 カシオ計算機株式会社 ソーラーパネル、表示装置及び時計
KR102198277B1 (ko) * 2020-09-16 2021-01-05 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102374147B1 (ko) * 2021-01-27 2022-03-15 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
CN114038921B (zh) * 2021-11-05 2024-03-29 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及光伏组件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5394194A (en) * 1977-01-28 1978-08-17 Toshiba Corp Substrate for photoelectric transducer
JPS6167966A (ja) * 1984-09-11 1986-04-08 Sharp Corp 太陽電池アレイ
JPH08298334A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池板
JP2001102617A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Tdk Corp 電子部品およびその製造方法
JP2005340362A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1234828A (en) * 1968-10-14 1971-06-09 Mini Of Aviat Supply Solar cell arrays
US3902920A (en) * 1972-11-03 1975-09-02 Baldwin Co D H Photovoltaic cell
US4582953A (en) * 1983-06-24 1986-04-15 Kyocera Corporation Solar cell module
US4927770A (en) 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US5266125A (en) * 1992-05-12 1993-11-30 Astropower, Inc. Interconnected silicon film solar cell array
JP3360919B2 (ja) * 1993-06-11 2003-01-07 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法，及び薄膜太陽電池
US5972732A (en) * 1997-12-19 1999-10-26 Sandia Corporation Method of monolithic module assembly
US6476314B2 (en) * 2001-03-20 2002-11-05 The Boeing Company Solar tile and associated method for fabricating the same
JP2005011869A (ja) 2003-06-17 2005-01-13 Sekisui Jushi Co Ltd 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP4121928B2 (ja) * 2003-10-08 2008-07-23 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5394194A (en) * 1977-01-28 1978-08-17 Toshiba Corp Substrate for photoelectric transducer
JPS6167966A (ja) * 1984-09-11 1986-04-08 Sharp Corp 太陽電池アレイ
JPH08298334A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池板
JP2001102617A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Tdk Corp 電子部品およびその製造方法
JP2005340362A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10181543B2 (en) 2009-11-03 2019-01-15 Lg Electronics Inc. Solar cell module having a conductive pattern part

Also Published As

Publication number Publication date
US20100018565A1 (en) 2010-01-28
WO2008090718A1 (ja) 2008-07-31
EP2109149A4 (en) 2011-04-20
EP2109149A1 (en) 2009-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008090718A1 (ja) 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュール
US9691925B2 (en) Light receiving element module and manufacturing method therefor
US8569100B2 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
US8440907B2 (en) Solar cell, solar cell string and solar cell module
JP6328606B2 (ja) 背面接触型太陽光発電モジュールの半導体ウエハのセル及びモジュール処理
JP4174545B1 (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP4040659B2 (ja) 太陽電池、太陽電池ストリング、および太陽電池モジュール
US20090277491A1 (en) Solar Cell, Interconnector-Equipped Solar Cell, Solar Cell String And Solar Cell Module
JP4684075B2 (ja) 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
US20110120530A1 (en) Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
US20120097245A1 (en) Solar cell with interconnection sheet, solar cell module, and method for producing solar cell with internconnection sheet
JP5273728B2 (ja) 配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP2015159276A (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US20230044021A1 (en) Solar cells having junctions retracted from cleaved edges
JP4040662B1 (ja) 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP4519080B2 (ja) 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP4467337B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP4931445B2 (ja) インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP2007288113A (ja) 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP6785964B2 (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP2007165785A (ja) インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP5019777B2 (ja) インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP2007173288A (ja) 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
KR20190043291A (ko) 분할셀 및 포일을 이용한 태양전지 모듈
JP2017212315A (ja) 配線シート付き裏面電極型太陽電池セル

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120906

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121106