KR102132939B1 - 태양 전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판에 형성되는 에미터부; 반도체 기판의 후면에 형성되며, 에미터부에 연결되는 복수의 제1 전극; 반도체 기판의 후면에 복수의 제1 전극과 각각 이격되어 배치되며, 반도체 기판에 연결되는 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극과 접속하는 제1 보조 전극; 및 복수의 제2 전극과 접속하는 제2 보조 전극;을 포함하고, 제1 전극에서 제1 보조 전극과 접속하는 제1 부분의 두께는 제1 보조 전극과 접속하지 않는 제2 부분의 두께보다 작고, 제2 전극에서 제2 보조 전극과 접속하는 제1 부분의 두께는 제2 보조 전극과 접속하지 않는 제2 부분의 두께보다 작다.

Description

태양 전지{SOLAR CELL}
본 발명은 태양 전지에 관한 것이다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
이와 같이 반도체 기판을 사용하는 태양 전지는 구조에 따라 컨벤셔널 타입, 후면 컨텍 타입 등 다양한 종류로 나눌 수 있다.
컨벤셔널 타입은 에미터부가 기판의 전면에 위치하고, 에미터부에 연결된 전극이 기판의 전면에, 기판에 연결되는 전극이 기판의 후면에 위치하며, 후면 컨텍 타입은 에미터부가 기판의 후면에 위치하며, 전극이 모두 기판의 후면에 위치한다.
본 발명은 효율이 보다 향상된 태양 전지를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판에 형성되는 에미터부; 반도체 기판의 후면에 형성되며, 에미터부에 연결되는 복수의 제1 전극; 반도체 기판의 후면에 복수의 제1 전극과 각각 이격되어 배치되며, 반도체 기판에 연결되는 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극과 접속하는 제1 보조 전극; 및 복수의 제2 전극과 접속하는 제2 보조 전극;을 포함하고, 제1 전극에서 제1 보조 전극과 접속하는 제1 부분의 두께는 제1 보조 전극과 접속하지 않는 제2 부분의 두께보다 작고, 제2 전극에서 제2 보조 전극과 접속하는 제1 부분의 두께는 제2 보조 전극과 접속하지 않는 제2 부분의 두께보다 작다.
여기서, 제1 전극에서 제2 부분의 두께는 제1 전극의 제1 부분과 인접한 부분부터 제1 전극의 끝단으로 진행할수록 점진적으로 증가할 수 있고, 이때, 제1 전극에서 제1 부분의 두께는 5㎛ ~ 40㎛ 사이이고, 제1 전극에서 제2 부분의 최대 두께는 15㎛ ~ 60㎛ 사이일 수 있다.
아울러, 제2 전극에서 제2 부분의 두께는 제2 전극의 제1 부분과 인접한 부분부터 제2 전극의 끝단으로 진행할수록 점진적으로 증가할 수 있고, 이때, 제2 전극에서 제1 부분의 두께는 5㎛ ~ 40㎛ 사이이고, 제2 전극에서 제2 부분의 최대 두께는 15㎛ ~ 60㎛ 사이일 수 있다.
또한, 제1 보조 전극 또는 제2 보조 전극의 두께는 5㎛ ~ 35㎛ 사이일 수 있다.
여기서, 반도체 기판은 제1 영역과 제2 영역으로 구분되며, 제1 전극의 제1 부분은 반도체 기판의 제1 영역에 위치하고, 제1 전극의 제2 부분은 반도체 기판의 제2 영역에 위치하고, 제2 전극의 제1 부분은 반도체 기판의 제2 영역에 위치하고, 제2 전극의 제2 부분은 반도체 기판의 제1 영역에 위치할 수 있다.
여기서, 일례로, 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극 각각은 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극은 반도체 기판의 제1 영역에 위치하고, 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극은 제1 영역과 다른 반도체 기판의 제2 영역에 위치할 수 있다.
이때, 반도체 기판의 제1 영역에서 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극은 제1 전극의 제1 부분에 접속되고, 반도체 기판의 제2 영역에서 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극은 제2 전극의 제1 부분에 접속될 수 있다.
이때, 제1 전극의 제2 부분은 반도체 기판의 제2 영역에서 제2 보조 전극과 이격되고, 제2 전극의 제2 부분은 반도체 기판의 제1 영역에서 제1 보조 전극과 이격될 수 있다.
또한, 반도체 기판의 제1 영역에서 제1 전극의 두께는 제2 전극의 두께보다 작을 수 있으며, 반도체 기판의 제2 영역에서 제2 전극의 두께는 제1 전극의 두께보다 작을 수 있다.
이때, 제1 전극의 제1 부분과 제1 보조 전극, 및 제2 전극의 제1 부분과 제2 보조 전극은 전도성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속될 수 있으며, 제1 전극의 제2 부분과 제2 보조 전극 사이, 제2 전극의 제2 부분과 제1 보조 전극 사이에는 절연층이 형성될 수 있다.
아울러, 다른 일례로, 제1 보조 전극은 제1 전극과 접속되는 복수 개의 제1 접속부와 일단이 복수 개의 제1 접속부의 끝단에 연결되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 전극과 접속되는 복수 개의 제2 접속부와 일단이 복수 개의 제2 접속부의 끝단에 연결되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.
여기서, 복수 개의 제1 접속부는 반도체 기판의 제1 영역에 위치하고, 복수 개의 제2 접속부는 반도체 기판의 제2 영역에 위치할 수 있고, 복수 개의 제1 접속부는 반도체 기판의 제2 영역에 위치하지 않고, 복수 개의 제2 접속부는 반도체 기판의 제1 영역에 위치하지 않을 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판의 후면에 형성된 제1 전극과 제2 전극에서 보조 전극에 접속하지 않는 부분의 두께를 보다 크게 함으로써, 태양 전지의 전류 특성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2은 본 발명에 따른 태양 전지에서 보조 전극을 제외한 태양 전지 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3 내지 도 4c는 도 1 및 도 2에 도시된 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴의 일례을 설명하기 위한 도이다.
도 5 내지 도 7은 도 3 내지 도 4c에서 설명한 반도체 기판(110)의 후면에 보조 전극이 형성된 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 도 5에 도시된 태양 전지에 인터커넥터(IC)가 부착되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9 내지 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각이 하나의 통전극으로 형성되는 경우 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 12는 도 5에 형성된 보조 전극과 다른 패턴을 가지는 보조 전극의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 13은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 12에서 설명한 제1 절연성 부재(200A)와 제2 절연성 부재(200B)가 일체로 접속된 일례이다.
도 14의 (a)는 CSC1- CSC1 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 14의 (b)는 CSC2- CSC2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면 또는 전면 유리 기판의 반대면일 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 및 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 태양 전지는 태양 전지 구조에서 반도체 기판의 후면에 보조 전극이 더 형성된 구조를 가지고 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지의 구조에 대한 이해의 편의를 위해, 이하의 설명에서는 먼저 보조 전극이 제외된 태양 전지 구조에 대해 설명한 다음, 태양 전지에 보조 전극이 더 형성된 구조를 설명한다.
도 1 및 도 2은 본 발명에 따른 태양 전지에서 보조 전극을 제외한 태양 전지 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 2은 도 1에 도시한 태양 전지를 2-2선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략되는 것도 가능하나, 이하에서는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 1 및 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다.
제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 연장된다. 따라서, 예를 들어, 에미터부(121)가 제1 방향으로 길게 형성된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향으로 길게 형성될 수 있다.
또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. 따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향으로 길게 형성된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향으로 길게 형성될 수 있다.
이와 같은 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 후면에 전극 형성을 위한 시드층(seed layer)을 형성한 이후, 일례로 도금 방식이나 스크린 프린팅에 의해 형성될 수 있고, 재질은 일례로 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.
따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
이와 같이 후면 접합 구조의 태양 전지의 동작은 다음과 같다.
태양 전지로 빛이 조사되어 반사 방지막(130)을 통과하여 반도체 기판(110)으로 입사되면 빛 에너지에 의해 반도체 기판(110)에서 전자-정공 쌍이 발생한다.
이들 전자-정공 쌍은 반도체 기판(110)과 에미터부(121)의 p-n 접합에 의해 서로 분리되어 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 복수의 에미터부(121)쪽으로 이동하고, 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 복수의 후면 전계부(172)쪽으로 이동하여, 각각 제1 전극(C141)과 에 제2 전극(C142)에 의해 수집된다. 이러한 제1 전극(C141)과 에 제2 전극(C142)을 도선으로 연결하면 전류가 흐르게 되고, 이를 외부에서 전력으로 이용하게 된다.
지금까지는 반도체 기판(110)이 단결정 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.
그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.
한편, 이와 같은 구조에서 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 전극(C141)에서 제1 보조 전극과 접속하는 부분의 두께는 제1 보조 전극과 접속하지 않는 부분의 두께보다 작고, 제2 전극(C142)에서 제2 보조 전극과 접속하는 부분의 두께는 제2 보조 전극과 접속하지 않는 부분의 두께보다 작을 수 있다.
보다 구체적으로 설명하며 다음과 같다.
도 3 내지 도 4c는 도 1 및 도 2에 도시된 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴의 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 5 내지 도 7은 도 3 내지 도 4c에서 설명한 반도체 기판(110)의 후면에 보조 전극이 형성된 구조의 일례를 설명하기 위한 도이다.
구체적으로, 도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴을 설명하기 위한 도이고, 도 4a는 도 3에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 길이 방향의 두께 변화를 설명하기 위한 일례이고, 도 4b는 제1 보조 전극과 접속하는 부분 및 제2 보조 전극과 접속하는 부분에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 두께 차이를 설명하기 위한 도이고, 도 4c는 도 4a와 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 4a 및 도 4c의 (a)는 도 3에서 CC1-CC1 라인에 따른 단면이고, (b)는 도 3에서 CC2-CC2 라인에 따른 단면이고, 도 4b의 (a)는 도 3에서 CAP1-CAP1 라인에 따른 단면이고, (b)는 도 3에서 CAP2-CAP2 라인에 따른 단면이다.
아울러, 도 5는 도 3 내지 도 4c에서 설명한 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극과 제2 보조 전극이 형성된 상태를 반도체 기판(110)의 후면에서 바라본 형상이고, 도 6의 (a)는 도 5에서 CP1X- CP1X 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 6의 (b)는 도 5에서 CP2X- CP2X 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 7의 (a)는 도 5에서 CP1Y- CP1Y 라인에 따른 일부 사시도를 도시한 것이고, 도 7의 (b)는 도 5에서 CP2Y- CP2Y 라인에 따른 일부 사시도를 도시한 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 도 5에 도시된 바와 같이 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.
도 3 이하에서는 이해의 편의상 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 에미터부(121)와 후면 전계부(172)에 도시는 생략하였으나, 앞선 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 실질적으로는 형성된 것을 전제로 한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 영역(AP1)과 제2 영역(AP2)으로 구분될 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)과 제2 영역(AP2)은 서로 중첩되지 않는 다른 영역일 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
아울러, 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)은 각각 이격되어 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 배치될 수 있고, 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)과 제2 영역(AP2)에 걸쳐 형성될 수 있다.
이와 같은 반도체 기판(110)의 후면 중에서 일례로, 제1 보조 전극(P141)은 제1 전극(C141)에 접속하기 위하여 제1 영역(AP1)에 부착될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 제2 전극(C142)에 접속하기 위하여 제2 영역(AP2)에 부착될 수 있다.
따라서, 제1 전극(C141)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 제1 보조 전극(P141)과 중첩 및 접속될 수 있으며, 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 제2 보조 전극(P142)과 중첩 및 접속될 수 있다.
따라서, 도 4a의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하고, 제1 전극(C141)의 제2 부분(C141-P2)은 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치할 수 있다. 여기서, 제1 보조 전극(P141)과 접속하는 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)의 두께(T1b)는 제1 보조 전극(P141)과 접속하지 않는 제1 전극(C141)의 제2 부분(C141-P2)의 두께(T1a)보다 작을 수 있다.
아울러, 도 4a의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)은 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치하고, 제2 전극(C142)의 제2 부분(C142-P2)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치할 수 있다. 여기서, 제2 보조 전극(P142)과 접속하는 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)의 두께(T2b)는 제2 보조 전극(P142)과 접속하지 않는 제2 전극(C142)의 제2 부분(C142-P2)의 두께(T2a)보다 작을 수 있다.
여기서, 각각의 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에서, 부분적으로 두께를 다르게 하는 것은 다음과 같은 방법으로 수행될 수 있다.
예를 들어, 도금으로 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)을 형성할 때에, 처음에는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 전체 부분이 제1 및 제2 보조 전극(P141, P142)과 접속하는 부분의 두께(T1b, T2b)만큼 형성되도록 도금을 수행하고, 이후에는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각에서 제1 및 제2 보조 전극(P141, P142)과 접속하는 부분에 도금 방지 마스크를 형성한 상태에서 제1 및 제2 보조 전극(P141, P142)과 접속하지 않는 부분에만 도금을 수행할 수 있다.
이에 따라, 각각의 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에서 부분적으로 두께를 다르게 할 수 있다.
아울러, 이때, 도 4b의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 접속되는 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)의 두께(T1b)는 제2 전극(C142)의 제2 부분(C142-P2)의 두께(T2a)보다 작을 수 있고, 도 4b의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)과 접속되는 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1) 두께(T2b)는 제1 전극(C141)의 제2 부분(C141-P2) 두께(T1a)보다 작을 수 있다.
따라서, 반도체 기판(110)에서 제2 방향(y)과 나란한 단면은 도 4b의 (a) 또는 (b)와 같이, 제1 전극(C141)의 두께와 제2 전극(C142)의 두께가 서로 다를 수 있다.
또한, 이와 같이 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)에서 길이 방향에 따라 두께가 달라지는 예는 여러 가지 일 수 있다.
즉, 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)에서 길이 방향에 따라 두께가 급격하게 변화하여, 두께에 의한 단차가 심하게 될 수도 있으나, 이와 다르게 두께가 점진적으로 변화될 수 있다.
즉, 도 4a와 다르게, 도 4c의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141)에서 제2 부분(C141-P2)의 두께는 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)과 인접한 부분부터 제1 전극(C141)의 끝단으로 진행할수록 점진적으로 증가할 수도 있다.
아울러, 도 4c의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 전극(C142)에서 제2 부분(C142-P2)의 두께는 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)과 인접한 부분부터 제2 전극(C142)의 끝단으로 진행할수록 점진적으로 증가할 수도 있다.
이와 같이, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 길이 방향에 따른 두께 변화의 형태는 이외에도 다양할 수 있다.
여기서, 제1 전극(C141)에서 제1 부분(C141-P1)의 두께(T1b)는 5㎛ ~ 40㎛ 사이이고, 제1 전극(C141)에서 제2 부분(C141-P2)의 두께(T1a)는 적어도 제1 보조 전극(P141)과 접속하는 부분의 두께보다 크고, 최대 15㎛ ~ 60㎛ 사이일 수 있다.
아울러, 제2 전극(C142)도 마찬가지로, 제2 전극(C142)에서 제1 부분(C142-P1)의 두께(T2b)는 5㎛ ~ 40㎛ 사이이고, 제2 전극(C142)에서 제2 부분(C142-P2)의 두께(T2a)는 적어도 제2 보조 전극(P142)과 접속하는 부분의 두께보다 크고, 최대 15㎛ ~ 60㎛ 사이일 수 있다.
이와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 상태에서, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에는 제1 보조 전극(P141)이, 제2 영역(AP2)에는 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있고, 여기서, 제1 보조 전극(P141)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하는 복수의 제1 전극(C141)의 일부분과 접속하며, 제2 보조 전극(P142)은 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치하는 복수의 2 전극의 일부분과 접속할 수 있다.
이때, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각은 통전극으로 형성될 수 있고, 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하고, 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극(P142)은 제1 영역(AP1)과 다른 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치할 수 있다.
여기서, 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 두께(TP)는 5㎛ ~ 35㎛ 사이일 수 있다.
이때, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)은 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)에 접속될 수 있고, 제1 전극(C141)의 제2 부분(C141-P2)은 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 제2 보조 전극(P142)과 이격될 수 있다.
이때, 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)과 제1 보조 전극(P141) 사이는 전도성 재질의 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있으며, 제1 전극(C141)의 제2 부분(C141-P2)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
아울러, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극(P142)은 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)에 접속될 수 있고, 제2 전극(C142)의 제2 부분(C142-P2)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 제1 보조 전극(P141)과 이격될 수 있다.
이때, 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)과 제2 보조 전극(P142)은 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속하며, 제2 전극(C142)의 제2 부분(C142-P2)과 제1 보조 전극(P141) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
아울러, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에도 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
여기서, 이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 바람직하게는 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이면 충분하고, 일례로, 솔더 페이스트(solder paste), 금속 입자를 포함하는 도전성 접착재, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 탄소를 포함하는 전도성 입자, wire, needle 등이 이용될 수 있다.
아울러, 절연층(IL)의 재질은 일례로, 에폭시 수지 또는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate), 또는 열가소성 폴리머(polymer) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 그러나, 절연층(IL)의 재질이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서는 이와 같은 전극 연결재(ECA)와 절연층(IL)을 대신하여 절연성 필름 내에 도전성 금속 입자가 함유된 도전성 접착 필름(conductive film)이 사용될 수도 있다.
이와 같이 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 접속되는 구조의 태양 전지는 상대적으로 공정 비용과 시간이 많이 드는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께를 상대적으로 작게 형성할 수 있다.
즉, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 일례로 도금 방식으로 형성될 수 있는데, 이와 같은 경우, 공정 시간이 증가하여 공정 비용이 증가할 수 있는 단점이 있다. 그러나, 전술한 바와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 전극 연결재(ECA)와 절연층(IL)을 이용하여 손쉽게 반도체 기판(110)의 후면에 형성할 수 있어, 태양 전지의 전극 형성을 위한 시간을 훨씬 단축할 수 있다. 이와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 형성하는 방법은 이후 상세하게 설명한다.
아울러, 본 발명은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 접속되어 있으므로, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께 감소로 인한 저항 증가를 방지할 수 있다.
아울러, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에서 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)이 접속되지 않는 제2 부분(C141-P2, C142-P2)의 두께(T2A)를 상대적으로 두껍게 형성함으로써, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 제2 부분(C141-P2, C142-P2)에서 캐리어의 이동을 보다 원할하게 하여 태양 전지의 전류 특성을 보다 개선할 수 있다. 이에 따라, 태양 전지의 필팩터(fill factor)를 보다 개선할 수 있다.
아울러, 본 발명은 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1) 사이의 간격과, 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극(P142)과 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1) 사이의 간격을 보다 가깝게 하기 위하여, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 그루부(groove)를 형성할 수 있다.
예를 들어, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)에는 제1 전극(C141)의 길이 방향을 따라 함몰된 제1 그루부(GP1)가 형성될 수 있다. 따라서, 반도체 기판(110)과 제1 보조 전극(P141) 사이의 간격이 DP1인 경우, 제1 그루부(GP1)가 형성된 부분에서는 반도체 기판(110)과의 간격이 DG1으로 감소할 수 있다.
이에 따라, 제1 그루부(GP1)가 형성된 부분에서 상대적으로 두께가 작은 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)과 제1 보조 전극(P141) 사이의 간격을 최소화할 수 있다.
아울러, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)에도 제2 전극(C142)의 길이 방향을 따라 함몰된 제2 그루부(GP2)가 형성될 수 있다. 따라서, 반도체 기판(110)과 제2 보조 전극(P142) 사이의 간격이 DP2인 경우, 제2 그루부(GP2)가 형성된 부분에서는 반도체 기판(110)과의 간격이 DG2으로 감소할 수 있다.
도 8은 도 5에 도시된 태양 전지에 인터커넥터(IC)가 부착되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 복수의 태양 전지가 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 길이 방향으로 연결되도록 태양 전지의 제1 방향(x)의 양끝단에 제2 방향(y)으로 접속될 수 있다.
따라서, 인터커넥터(IC)는 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 끝단에 제2 방향(y)으로 접속될 수 있다.
이하에서는 지금까지 설명한 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성하는 방법을 간략하게 설명한다.
도 9 내지 도 12는 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각이 하나의 통전극으로 형성되는 경우 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.
제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각이 하나의 통전극으로 형성되는 경우, 제1 보조 전극(P141)은 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 접속될 수 있으며 제2 보조 전극(P142)은 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 접속될 수 있다.
따라서, 이를 위해, 먼저, 일례로 제1 전극(C141)에서 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치하는 부분의 두께를 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하는 부분의 두께보다 두껍게 형성하고, 아울러, 제2 전극(C142)에서 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하는 부분의 두께를 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치하는 부분의 두께보다 두껍게 형성할 수 있다.
이와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 형성한 상태에서, 도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 제1 전극(C141) 위에는 절연층(IL)을 형성하기 위한 물질을 도포하고, 도 9의 (a) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 제2 전극(C142) 위에도 절연층(IL)을 형성하기 위한 물질을 도포할 수 있다.
다음, 도 10의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 제1 전극(C141) 위에만 전극 연결재(ECA)를 형성하기 위한 물질을 도포하고, 도 10의 (a) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 제2 전극(C142) 위에만 전극 연결재(ECA)를 형성하기 위한 물질을 도포할 수 있다. 여기서, 도 10과 도 9의 순서가 바뀌어도 무방하다.
다음, 도 11의 (a) 내지 (c)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1) 위에는 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)을 배치하고, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2) 위에는 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극(P142)을 배치할 수 있다.
이후, 적절한 열과 압력으로 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 부착시킬 수 있다.
이에 따라, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서는 제1 보조 전극(P141)과 제1 전극(C141)은 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있으며, 도 11의 (c)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서는 제2 보조 전극(P142)과 제2 전극(C142)이 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 반도체 기판(110)의 후면에 일체로 형성될 수 있다.
지금까지는 반도체 기판(110)의 후면에 접속되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각이 하나의 통전극으로 형성되는 경우에 대해서만 설명하였으나, 이와 다르게 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수도 있다.
이에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 12는 도 5에 형성된 보조 전극과 다른 패턴을 가지는 보조 전극의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 복수의 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 구비하며, 제2 보조 전극(P142)도 복수의 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 구비할 수 있다.
여기서, 복수의 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)의 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 형성되어, 복수의 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)과 접속될 수 있다.
아울러, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 형성되어 일단이 복수 개의 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결될 수 있다. 이와 같은 제1 패드부(PP141)의 면에는 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.
아울러, 이와 같은 제1 보조 전극(P141)은 제1 절연성 부재(200A)의 일면 위에 형성될 수 있고, 이와 같은 제1 절연성 부재(200A)는 도 12에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 중첩될 영역(A110) 중에서 제1 영역(AP1)과 중첩되어 부착될 수 있다.
다음, 제2 보조 전극(P142)에서, 복수 개의 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)의 길이 방향과 동일한 제1 방향(x)으로 형성되어, 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)에 접속될 수 있다.
또한, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 형성되어 일단이 복수 개의 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결될 수 있고, 제2 패드부(PP142)의 면에도 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.
이와 같은 제2 패드부(PP142)는 제2 절연성 부재(200B)의 일면 위에 형성될 수 있고, 이와 같은 제2 절연성 부재(200B)는 도 12에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 중첩될 영역(A110) 중에서 제2 영역(AP2)과 중첩되어 부착될 수 있다.
여기의 도 12에서는 제1 보조 전극(P141)이 제1 절연성 부재(200A) 위에 형성되고, 제2 보조 전극(P142)이 제2 절연성 부재(200B) 위에 형성되는 경우를 일례로 도시하고, 설명하였지만, 이와 다르게, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 하나의 절연성 부재 위에 형성되는 것도 가능하다.
즉, 하나의 절연성 부재 위에 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)과 접속될 부분에는 제1 보조 전극(P141)이 형성되고, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)과 접속될 부분에는 제2 보조 전극(P142)이 형성되는 것도 가능하다.
이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 전극 연결재(ECA)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.
이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.
이와 같이 제1 보조 전극(P141)이 형성된 제1 절연성 부재(200A)와 제2 절연성 부재(200B) 각각은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 일체로 접속될 수 있다.
도 13은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 12에서 설명한 제1 절연성 부재(200A)와 제2 절연성 부재(200B)가 일체로 접속된 일례이고, 도 14의 (a)는 CSC1- CSC1 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 14의 (b)는 CSC2- CSC2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)이 형성된 제1 절연성 부재(200A)는 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 접속될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)이 형성된 제2 절연성 부재(200B)는 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 접속될 수 있다.
이에 따라, 복수 개의 제1 접속부(PC141)는 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하고, 복수 개의 제2 접속부(PC142)는 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치할 수 있고, 아울러, 복수 개의 제1 접속부(PC141)는 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에 위치하지 않고, 복수 개의 제2 접속부(PC142)는 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에 위치하지 않을 수 있다.
따라서, 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서 제1 전극(C141)의 제1 부분(C141-P1)은 제1 접속부(PC141)에 전극 연결재(ECA)에 의해 접속될 수 있으며, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서는 제1 전극(C141)의 제2 부분(C141-P2)은 제2 절연성 부재(200B)에 절연층(IL)에 의해 부착될 수 있다.
아울러, 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 제2 영역(AP2)에서 제2 전극(C142)의 제1 부분(C142-P1)은 제2 접속부(PC142)에 전극 연결재(ECA)에 의해 접속될 수 있으며, 반도체 기판(110)의 제1 영역(AP1)에서는 제2 전극(C142)의 제2 부분(C142-P2)은 제1 절연성 부재(200A)에 절연층(IL)에 의해 부착될 수 있다.
아울러, 도 12 내지 도 14에서는 제1 절연성 부재(200A)와 제2 절연성 부재(200B)가 하나의 반도체 기판(110)에 일체로 형성되어 하나의 태양 전지 소자를 형성하는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 도 12 내지 도 14에서 도시된 제1 절연성 부재(200A)와 제2 절연성 부재(200B)는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각이 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각에 접속된 이후 제거될 수도 있다.
아울러, 도 12 내지 도 14에서는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 각각의 절연성 부재 위에 형성되는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 하나의 절연성 부재 위에 형성될 수도 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판에 형성되는 에미터부;
    상기 반도체 기판의 후면에 형성되며, 상기 에미터부에 연결되는 제1 전극; 및
    상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 전극과 각각 이격되어 배치되며, 상기 반도체 기판에 연결되는 제2 전극;을 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 반도체 기판의 후면 상에 직접 형성되는 제1 주 전극과, 상기 제1 주 전극과는 별개로 형성되어 전도성 재질의 전극 연결재에 의해 상기 제1 주 전극과 접속되는 제1 보조 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 반도체 기판의 후면 상에 직접 형성되는 제2 주 전극과, 상기 제2 주 전극과는 별개로 형성되어 전도성 재질의 전극 연결재에 의해 상기 제2 주 전극과 접속되는 제2 보조 전극을 포함하고,
    상기 제1 주 전극은 상기 제1 보조 전극과 접속하는 제1 부분과 상기 제1 보조 전극과 접속하지 않는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제1 주 전극의 상기 제1 부분의 두께는 상기 제1 주 전극의 상기 제2 부분의 두께보다 작고,
    상기 제2 주 전극은 상기 제2 보조 전극과 접속하는 제1 부분과 상기 제2 보조 전극과 접속하지 않는 제2 부분을 포함하고,
    상기 제2 주 전극의 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 주 전극의 상기 제2 부분의 두께보다 작은 태양 전지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 주 전극에서 상기 제2 부분의 두께는
    상기 제1 주 전극의 상기 제1 부분과 인접한 부분부터 상기 제1 주 전극의 끝단으로 진행할수록 점진적으로 증가하는 태양 전지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 주 전극에서 상기 제1 부분의 두께는 5㎛ ~ 40㎛ 사이이고, 상기 제1 주 전극에서 상기 제2 부분의 최대 두께는 15㎛ ~ 60㎛ 사이인 태양 전지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 주 전극에서 상기 제2 부분의 두께는
    상기 제2 주 전극의 상기 제1 부분과 인접한 부분부터 상기 제2 주 전극의 끝단으로 진행할수록 점진적으로 증가하는 태양 전지.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 주 전극에서 상기 제1 부분의 두께는 5㎛ ~ 40㎛ 사이이고, 상기 제2 주 전극에서 상기 제2 부분의 최대 두께는 15㎛ ~ 60㎛ 사이인 태양 전지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 보조 전극 또는 상기 제2 보조 전극의 두께는 5㎛ ~ 35㎛ 사이인 태양 전지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 제1 영역과 제2 영역으로 구분되며,
    상기 제1 주 전극의 상기 제1 부분은 상기 반도체 기판의 제1 영역에 위치하고, 상기 제1 주 전극의 상기 제2 부분은 상기 반도체 기판의 제2 영역에 위치하고,
    상기 제2 주 전극의 상기 제1 부분은 상기 반도체 기판의 제2 영역에 위치하고, 상기 제2 주 전극의 상기 제2 부분은 상기 반도체 기판의 제1 영역에 위치하는 태양 전지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극 각각은 하나의 통전극으로 형성되는 태양 전지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극은 상기 반도체 기판의 제1 영역에 위치하고,
    상기 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극은 상기 제1 영역과 다른 상기 반도체 기판의 제2 영역에 위치하는 태양 전지.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 제1 영역에서 상기 하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극은 상기 제1 주 전극의 상기 제1 부분에 접속되고,
    상기 반도체 기판의 제2 영역에서 상기 하나의 통전극으로 형성된 제2 보조 전극은 상기 제2 주 전극의 상기 제1 부분에 접속되는 태양 전지.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 주 전극의 상기 제2 부분은 상기 반도체 기판의 제2 영역에서 상기 제2 보조 전극과 이격되고,
    상기 제2 주 전극의 상기 제2 부분은 상기 반도체 기판의 제1 영역에서 상기 제1 보조 전극과 이격되는 태양 전지.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 제1 영역에서 상기 제1 주 전극의 두께는 상기 제2 주 전극의 두께보다 작은 태양 전지.
  13. 제7 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 제2 영역에서 상기 제2 주 전극의 두께는 상기 제1 주 전극의 두께보다 작은 태양 전지.
  14. 삭제
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 주 전극의 상기 제2 부분과 상기 제2 보조 전극 사이, 상기 제2 주 전극의 상기 제2 부분과 상기 제1 보조 전극 사이에는 절연층이 형성되는 태양 전지.
  16. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 주 전극과 상기 제2 주 전극은 각각 복수 개가 구비되고,
    상기 제1 보조 전극은
    상기 복수 개의 제1 주 전극과 접속되는 복수 개의 제1 접속부와
    일단이 상기 복수 개의 제1 접속부의 끝단에 연결되는 제1 패드부를 포함하고,
    상기 제2 보조 전극은
    상기 복수 개의 제2 주 전극과 접속되는 복수 개의 제2 접속부와
    일단이 상기 복수 개의 제2 접속부의 끝단에 연결되는 제2 패드부를 포함하는 태양 전지.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 접속부는 상기 반도체 기판의 제1 영역에 위치하고, 상기 복수 개의 제2 접속부는 상기 반도체 기판의 제2 영역에 위치하는 태양 전지.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 접속부는 상기 반도체 기판의 제2 영역에 위치하지 않고, 상기 복수 개의 제2 접속부는 상기 반도체 기판의 제1 영역에 위치하지 않는 태양 전지.
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