KR102140319B1 - 태양 전지 모듈 및 태양 전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하며, 인터커넥터의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에는 인터커넥터의 제1 면으로부터 돌출되는 돌출부가 형성되고, 인터커넥터는 돌출부가 형성된 제1 면이 제1 태양 전지 또는 제2 태양 전지의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에 접속된다.
본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극과 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극;을 더 포함하고, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각의 가장 자리 끝단의 둘레에 돌출부가 형성되고, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각은 돌출부가 반도체 기판의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 반도체 기판의 후면에 접속될 수 있다.

Description

태양 전지 모듈 및 태양 전지{SOLAR CELL MODULE AND SOLAR CELL}
본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지에 관한 것이다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수 개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.
상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.
본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하며, 인터커넥터의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에는 인터커넥터의 제1 면으로부터 돌출되는 돌출부가 형성되고, 인터커넥터는 돌출부가 형성된 제1 면이 제1 태양 전지 또는 제2 태양 전지의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에 접속된다.
여기서, 인터커넥터에서 제1 면의 반대쪽에 위치하는 제2 면에는 돌출부가 형성되지 않을 수 있고, 인터커넥터의 제2 면이 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지의 후면에 접속될 수 있다.
구체적으로, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 전극에 접속되거나, 제1 태양 전지의 제2 전극과 제2 태양 전지의 제1 전극에 접속될 수 있고, 인터커넥터는 돌출부가 제1 전극 또는 제2 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 전극 또는 제2 전극에 접속될 수 있다.
여기서, 인터커넥터의 두께 대비 돌출부의 돌출 높이는 10 : 1 ~ 3 사이일 수 있다.
아울러, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각은 복수의 제1 전극에 연결되는 제1 보조 전극, 및 복수의 제2 전극에 연결되는 제2 보조 전극;을 더 포함하고, 인터커넥터는 돌출부가 제1 보조 전극의 접속면 또는 제2 보조 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에 접속될 수 있다.
여기서, 제1 전극과 제1 보조 전극, 및 제2 전극과 제2 보조 전극은 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속되고, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 보조 전극 또는 제2 태양 전지의 제2 보조 전극에 접속될 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극과 제2 전극; 및 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극과 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극;을 포함하고, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각의 가장 자리 끝단의 둘레에 돌출부가 형성되고, 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 각각은 돌출부가 반도체 기판의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 반도체 기판의 후면에 접속될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터에 형성되는 돌출부가 태양 전지의 접속면에 반대 방향으로 향하도록, 인터커넥터가 태양 전지에 접속되도록 하여, 태양 전지의 반도체 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 아울러, 인터커넥터의 접촉 저항을 보다 줄일 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일부 사시도에 대한 일례이다.
도 4는 도 3에 도시된 태양 전지에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴을 설명하기 위한 도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지가 보조 전극을 구비한 경우, 인터커넥터(IC)의 접속 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 7 내지 도 11c는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 12 내지 도 14d는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 또는 전면 유리 기판의 일면 일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판 및 전면 유리 기판의 일면의 반대면일 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈 및 태양 전지에 대하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 및 인터커넥터(IC)를 포함한다.
여기서, 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각은 도 2에 도시된 바와 같이, 각각 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 포함한다. 이와 같은 태양 전지의 일례에 대해서는 도 3 이하에서 구체적으로 설명한다.
인터커넥터(IC)는 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 와 제2 태양 전지(CE2)를 제1 방향으로 서로 전기적으로 연결하는 기능을 한다.
이와 같은 인터커넥터(IC)에서, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 면(IC-f1) 가장 자리 끝단의 둘레에는 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 인터커넥터(IC)의 제1 면(IC-f1)으로부터 돌출되는 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다. 여기서, 돌출부(IC-P)의 돌출 방향은 제1 면(IC-f1)으로부터 제1 면(IC-f1)의 수직 방향 또는 사선 방향으로 돌출될 수 있다.
아울러, 인터커넥터(IC)에서 제1 면(IC-f1)의 반대쪽에 위치하는 제2 면(IC-f2)에는 돌출부(IC-P)가 형성되지 않을 수 있다.
여기서, 인터커넥터(IC)는 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 돌출부(IC-P)가 형성된 제1 면(IC-f1)이 제1 태양 전지(CE1) 또는 제2 태양 전지(CE2)의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.
이와 같이, 인터커넥터(IC)에서 한쪽 면에만 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 돌출부(IC-P)가 형성되는 이유는 인터커넥터(IC)의 제조 공정 특성 때문이다.
즉, 인터커넥터(IC)는 도전성 물질로 형성되는 평판(plate) 형상의 재료를 컷팅(cutting) 프레스 장치로 찍어 특정한 패턴으로 형성될 수 있는데, 이때, 컷팅(cutting) 프레스 장치로 인터커넥터(IC)로 사용될 평판(plate) 형상의 재료를 찍을 때, 특정 패턴으로 형성되는 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다.
도 1의 (b)에서는 직사각형 형태를 갖는 인터커넥터(IC)를 일례로 도시하였지만, 이와 다르게 인터커넥터(IC)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 그러나 인터커넥터(IC)가 어떠한 형상을 갖더라도 제조 공정 중에 전술한 바와 같은 돌출부(IC-P)가 인터커넥터(IC)의 가장 지리 끝단에 인터커넥터(IC)의 가장 자리를 따라 형성될 수 있다.
그러나, 이와 같은 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)는 태양 전지의 두께가 얇은 경우, 복수의 태양 전지를 직렬로 연결하기 위해 인터커넥터(IC)를 태양 전지에 접속하는 과정 중, 태양 전지가 손상될 수 있다.
따라서, 이를 방지하기 위해 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 이와 같은 돌출부(IC-P)가 제1 태양 전지(CE1) 또는 제2 태양 전지(CE2)와 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.
따라서, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명은 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)의 후면에 솔더와 같은 도전성 접착 물질에 의해 접속될 수 있다.
도 2를 참조하면, 인터커넥터(IC)는 각 태양 전지의 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에 연결될 수 있다. 즉, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)에 접속되거나, 제1 태양 전지(CE1)의 제2 전극(C142)과 제2 태양 전지(CE2)의 제1 전극(C141)에 접속될 수 있다.
도 2에서는 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)의 끝단 면에 접속된 경우를 일례로 도시하였다.
여기서, 인터커넥터(IC)의 두께(TIC) 대비 돌출부(IC-P)의 돌출 높이(HICP)는 10 : 1 ~ 3 사이일 수 있다. 따라서, 만약 인터커넥터(IC)의 두께(TIC)가 일례로 200㎛인 경우, 돌출부(IC-P)의 돌출 높이(HICP)는 20㎛ ~ 60㎛ 사이로 형성될 수 있다.
아울러, 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 두께(T110)는 대략 120㎛ ~ 200㎛ 사이일 수 있으며, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(TCE)는 대략 0.1㎛ ~ 50㎛ 사이로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 여기서, 전술한 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)의 접속 면 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않는 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141) 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다.
이에 따라, 인터커넥터(IC)를 각 태양 전지에 접속시킬 때에, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)에 의해 반도체 기판(110)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 본 발명과 다르게 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 형성된 제1 면(IC-f1)이 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)에 접속하는 경우, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 제1 전극(C141)이나 제2 전극(C142)을 뚫고 들어가 반도체 기판(110)을 손상시킬 수 있는데, 본 발명은 이와 같은 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않은 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)을 태양 전지에 접속시킴으로써, 돌출부(IC-P)에 의해 제1 전극(C141)과 인터커넥터(IC) 사이의 접착력 또는 제2 전극(C142)과 인터커넥터(IC) 사이의 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접촉 저항을 보다 개선할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례에 대해 설명한다.
도 3은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일부 사시도에 대한 일례이고, 도 4는 도 3에 도시된 태양 전지에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴을 설명하기 위한 도이다.
도 3를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으나, 이하에서는 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.
후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 3 및 도 2에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치할 수 있다.
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다.
제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다.
이와 같은 제1 전극(C141)은 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 핑거 전극(C141F)과 제1 전극(C141) 패드(C141P)를 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 제1 핑거 전극(C141F)은 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 에미터부(121)를 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 따라서, 복수의 에미터부(121)가 제1 방향(x)을 따라 형성된 경우, 제1 핑거 전극(C141F)도 제1 방향(x)을 따라 형성될 수 있으며, 복수의 에미터부(121)가 제2 방향(y)을 따라 형성된 경우, 제1 핑거 전극(C141F)도 제2 방향(y)을 따라 형성될 수 있다.
제1 전극(C141) 패드(C141P)는 반도체 기판(110)의 후면 끝단에 복수의 제1 핑거 전극(C141F)과 교차하는 제2 방향(y)으로 형성되어, 일측이 복수의 제1 핑거 전극(C141F)에 공통으로 연결되며, 타측이 인터커넥터(IC)에 연결될 수 있다.
또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 반도체 기판(110)의 후면에 형성될 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리될 수 있다.
이와 같은 제2 전극(C142)은 복수의 제2 핑거 전극(C142F)과 제2 전극(C142) 패드(C142P)를 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 제2 핑거 전극(C142F)은 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 후면 전계부(172)를 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 따라서, 복수의 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 형성된 경우, 제2 핑거 전극(C142F)은 복수의 제1 전극(C141)과 이격되어 제1 방향(x)으로 형성될 수 있으며, 복수의 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 형성된 경우, 복수의 제2 핑거 전극(C142F)은 복수의 제1 전극(C141)과 이격되어 제2 방향(y)으로 형성될 수 있다.
제2 전극(C142) 패드(C142P)는 반도체 기판(110)의 후면 끝단에 복수의 제2 핑거 전극(C142F)과 교차하는 제2 방향(y)으로 형성되어, 일측이 복수의 제2 핑거 전극(C142F)에 공통으로 연결되며, 타측이 인터커넥터(IC)에 연결될 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(C142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 복수의 태양 전지는 도 4에서 전술한 바와 같이, 태양 전지에 포함되는 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)에 접속되는 인터커넥터(IC)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬로 연결될 수 있다.
이때, 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)에 접속될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않는 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 전극(C141) 패드(C141P) 또는 제2 전극(C142) 패드(C142P)에 접속될 수 있다.
지금까지는 본 발명에서, 태양 전지가 별도의 보조 전극을 구비하지 않은 경우에 대해서만 설명하였으나, 이와 다르게 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 보조 전극이 더 형성될 수 있는데, 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지가 보조 전극을 구비한 경우, 인터커넥터(IC)의 접속 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각은 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)에, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)를 포함하고, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)는 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성되는 예에 대해서는 도 7이하에서 구체적으로 설명한다.
이와 같이, 태양 전지 모듈에 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자를 형성되는 태양 전지가 적용된 경우, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 보조 전극(P141)의 접속면 또는 제2 보조 전극(P142)의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.
여기서, 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 접속면은 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속되는 일면을 의미한다.
따라서, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 전면에 접속되는 경우, 접속면은 전면 일 수 있으며, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 접속되는 경우, 접속면은 후면일 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 돌출부(IC-P)가 형성되지 않는 인터커넥터(IC)의 제2 면(IC-f2)이 제1 보조 전극(P141)의 끝단 전면 또는 제2 보조 전극(P142)의 끝단 전면에 접속될 수 있다.
이에 따라, 인터커넥터(IC)가 각 태양 전지의 제1 보조 전극(P141)의 일면 또는 제2 보조 전극(P142)의 일면에 접속될 때, 인터커넥터(IC)와의 접착력을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접촉 저항을 보다 개선할 수 있다.
아울러, 도 5에서는 각 태양 전지에 절연성 부재(200)가 구비되는 경우, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141)의 전면 또는 제2 보조 전극(P142)의 전면에 접속되는 경우를 일례로 도시하였으나, 이와 같은 절연성 부재(200)는 반도체 기판(110)에 절연성 부재(200)가 일체로 형성된 이후, 인터커넥터(IC)가 접속되기 전에 제거될 수도 있다.
따라서, 도 6에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141)의 후면 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 접속될 수도 있다.
도 6과 같은 경우에도, 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 보조 전극(P141)의 후면 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)와 태양 전지 사이의 접촉 저항을 보다 개선할 수 있다.
이하의 도 7 내지 도 11c에서는 일례로 도 5에 적용되는 태양 전지에 대해 설명한다.
도 7 내지 도 11c는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
구체적으로, 도 7은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 8는 도 7에 도시한 태양 전지를 라인 8-8을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9는 도 7 및 도 8에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 10은 도 9에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 11a는 도 10에서 11a-11a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 11b는 도 10에서 11b-11b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 11c는 도 10에서 11c-11c 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 7 및 도 8를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 도 3 및 도 4에서 설명한 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142), 이외에 제1 보조 전극(P141), 제2 보조 전극(P142) 및 절연성 부재(200)을 더 구비할 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121) 및 후면 전계부(172)는 도 3 및 도 4에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.
아울러, 도 4에서 제1 전극(C141)은 제1 핑거 전극(C141F)과 제1 전극(C141) 패드(C141P)를 구비하고, 제2 전극(C142)은 제2 핑거 전극(C142)과 제2 전극(C142) 패드(C142P)를 구비하는 것으로 설명하였으나, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각에서 제1 전극(C141) 패드(C141P)와 제2 전극(C142) 패드(C142P)는 생략될 수 있다.
아울러, 도 7 내지 도 11c에 도시된 태양 전지에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께는 일례로 대략 50nm ~ 200nm 사이로 형성될 수 있다.
아울러, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 여기서, 제1 접속부(PC141)는 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(C141)에 접속되며, 제1 패드부(PP141)는 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. 이와 같은 제1 패드부(PP141)에 대해서는 도 9에서 보다 구체적으로 설명한다.
제2 보조 전극(P142)은 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 여기서, 제2 접속부(PC142)는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 전극(C142)에 접속되며, 제2 패드부(PP142)는 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. 이와 같은 제2 패드부(PP142)에 대해서도 도 9에서 보다 구체적으로 설명한다.
이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있고, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 두께는 일례로 20um ~ 60um 사이로 형성될 수 있다.
아울러, 전술한 제1 보조 전극(P141)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하다. 아울러, 인터커넥터(IC) 연결재(ICA)의 재질도 이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질과 동일할 수 있다.
또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시 수지일 수 있다.
아울러, 도 7 및 도 8에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 사로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141) 사이에는 단락을 방지하기 위하여 절연층(IL)이 위치할 수 있다.
절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다.
이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 전극 연결재(ECA)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.
이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.
즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.
이와 같이, 태양 전지가 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 경우, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)의 패턴의 일례와, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 패턴의 일례에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 9의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)에서 9(b)-9(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 9의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 9의 (d)는 도 9의 (c)에서 9(d)-9(d) 라인에 따른 단면도이다.
도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 9의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.
이때, 도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 도 7 및 도 8에서 설명한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.
아울러, 도 9의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.
여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.
아울러, 제2 보조 전극(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.
여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.
따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.
여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.
이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 연결될 수 있다.
이와 같이, 태양 전지가 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성된 일례는 다음과 같다.
도 10에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 11a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.
아울러, 도 11b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 11c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.
아울러, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.
이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.
아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있는데, 이때, 인터커넥터(IC)는 앞선 도 5에서 설명한 바와 같이, 돌출부(IC-P)가 제1 패드부(PP141)의 접속면 또는 제2 패드부(PP142)의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 인터커넥터(IC)의 접속 저항을 최소화할 수 있다.
아울러, 도 7 내지 도 11C와 다르게 절연성 부재(200)가 생략된 경우, 도 6에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 돌출부(IC-P)가 제1 패드부(PP141)의 후면 또는 제2 패드부(PP142)의 후면에 접속될 수도 있다.
이때에도, 돌출부(IC-P)가 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)의 접속면에 반대 방향으로 향하도록, 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)에 접속될 수 있다.
지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다.
또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극에는 복수 개의 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 태양 전지는 처음부터 절연성 부재(200) 없이 통전극으로 형성되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 적용될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각의 가장 자리 끝단에 돌출부가 형성될 수 있다.
이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 돌출부 역시 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같이, 제조 공정의 특성에 의해 발생할 수 있다.
이와 같이 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 돌출부가 형성된 경우, 태양 전지의 구조에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 12 내지 도 14d는 도 5에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 12는 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각의 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 13은 도 12에 도시된 반도체 기판(110)에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 14a는 도 13에서 14a-14a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 14b는 도 13에서 14b-14b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 14c는 도 13에서 14c-14c 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴은 도 8에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.
전술한 바와 같이 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 하나의 통전극으로 형성되는 경우, 일례로, 도 12의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.
즉, 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 GP1 만큼 서로 이격된 상태로 배치될 수 있으며, 여기서, A110 영역에 도 12의 (a) 및 (b)에 도시된 반도체 기판(110)의 후면이 접속될 수 있다.
아울러, 제1 접속부(PC141)를 포함하는 제1 보조 전극(P141)과 제2 접속부(PC142)를 포함하는 제2 보조 전극(P142) 전체가 하나의 통전극으로 형성되므로, 이와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴을 형성하기 위해서는 도 1 및 도 2에서 전술한 바와 같이, 컷팅(cutting) 프레스 장치로 찍어 특정 패턴으로 형성될 수 있다.
따라서, 통전극으로 형성되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에도 도 12의 (d)에 도시된 바와 같이, 돌출부(PP)가 형성될 수 있다.
여기서, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께(TC)는 일례로 대략 50nm ~ 200nm 사이로 형성될 수 있고, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 두께는 일례로 20um ~ 60um 사이로 형성될 수 있으며, 돌출부(PP)의 돌출 높이(HICP)는 일례로, 2um ~ 18um 사이로 형성될 수 있다.
따라서, 돌출부(PP)가 반도체 기판(110)을 향하도록 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 반도체 기판(110)의 후면에 접속되면, 접속 과정에서 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 사이에 접착력이 약해지거나 접촉 저항이 과도하게 커질 수 있고, 반도체 기판(110)에 손상이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지는 이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 형성되는 돌출부(PP)에 의한 반도체 기판(110)의 손상을 최소화하기 위해, 도 14a 내지 도 14d에 도시된 바와 같이, 돌출부(PP)가 반도체 기판(110)의 반대 방향으로 향하도록, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 접속할 수 있다.
따라서, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 접착될 때에, 돌출부(PP)에 의해 반도체 기판(110)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
이에 대해 도 13 내지 도 14d를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
하나의 통전극으로 형성된 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 도 13에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다.
이때, 도 13, 도 14a 및 도 14c에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(P142)이 형성된 영역에서는 제2 접속부(PC142)와 제2 전극(C142)이 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있고, 제2 접속부(PC142)와 제1 전극(C141) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
아울러, 도 13, 도 14b 및 도 14d에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)이 형성된 영역에서는 제1 접속부(PC141)와 제1 전극(C141)이 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 접속될 수 있으며, 제1 접속부(PC141)와 제2 전극(C142) 사이에는 절연층(IL)이 형성될 수 있다.
아울러, 이때 도 14a 내지 도 14d에 도시된 바와 같이 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)에 형성되는 돌출부(PP)가 반도체 기판(110)과 반대 방향으로 향하도록, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 반도체 기판(110)에 접속될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 제1 전극부와 제2 전극부를 각각 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및
    상기 제1 태양 전지의 제1 전극부와 상기 제2 태양 전지의 제2 전극부를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하며,
    상기 인터커넥터는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 제2 면을 구비하고,
    상기 인터커넥터의 제1 면 가장 자리 끝단의 둘레에는 상기 인터커넥터의 제1 면으로부터 제2 면에 대해 멀어지는 방향으로 돌출되는 돌출부가 형성되고,
    상기 인터커넥터는 상기 돌출부가 형성된 제1 면이 상기 제1 태양 전지의 상기 제1 전극부의 접속 면 및 상기 제2 태양 전지의 상기 제2 전극부의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 상기 제1 태양 전지의 상기 제1 전극부 및 상기 제2 태양 전지의 상기 제2 전극부에 접속되며,
    상기 돌출부는 상기 인터커넥터가 상기 제1 태양 전지의 상기 제1 전극부 및 상기 제2 태양 전지의 상기 제2 전극부와 중첩하는 영역에 위치하는 태양 전지 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 면에는 상기 돌출부가 형성되지 않는 태양 전지 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 인터커넥터의 제2 면이 상기 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지의 후면에 접속되는 태양 전지 모듈.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 인터커넥터의 두께 대비 상기 돌출부의 돌출 높이는 10 : 1 ~ 3 사이인 태양 전지 모듈.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극부는 제1 전극 및 상기 제1 전극에 연결되는 제1 보조 전극을 포함하고, 상기 제2 전극부는 상기 제1 전극과 서로 이격하는 제2 전극 및 상기 제2 전극에 연결되는 제2 보조 전극;을 더 포함하고,
    상기 인터커넥터는 상기 돌출부가 상기 제1 보조 전극의 접속면 또는 상기 제2 보조 전극의 접속면에 반대 방향으로 향하도록 상기 제1 태양 전지의 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 태양 전지의 상기 제2 보조 전극에 접속되는 태양 전지 모듈.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제1 보조 전극, 및 상기 제2 전극과 상기 제2 보조 전극은 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속되는 태양 전지 모듈.
  9. 삭제
  10. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극과 제2 전극; 및
    상기 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극과 상기 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극;을 포함하고,
    상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극 각각의 가장 자리 끝단의 둘레에는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 대해 멀어지는 방향으로 돌출되는 돌출부가 형성되고,
    상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극 각각은 상기 돌출부가 상기 반도체 기판의 접속 면에 반대 방향으로 향하도록 상기 반도체 기판의 후면에 접속되며,
    상기 제1 보조 전극의 돌출부는 상기 제1 전극과 중첩하는 영역에 위치하고, 상기 제2 보조 전극의 돌출부는 상기 제2 전극과 중첩하는 영역에 위치하는 태양 전지.
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